Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением

Диссертация: Электронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проводимость диэлектрических слоев является одной из важнейших характеристик, определяющих как возможности их использования, так и рабочие параметры целого ряда приборов. Знание механизма проводимости и его взаимосвязь с составом и структурными характеристиками слоев позволяет правильно определить факторы и условия целенаправленного изменения свойств диэлектрика. Воздействия ионных потоков… Читать ещё >

Электронные процессы в неупорядоченных слоях, созданных в диэлектрических материалах ионным облучением (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
    • 1. 1. Влияние ионизирующего излучения на проводимость диэлектриков
    • 1. 2. Особенности электронных процессов в неупорядоченных системах
    • 1. 3. Общая постановка задачи
  • ГЛАВА 2. ОБЪЕКТЫ И ТЕХНИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
  • ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДОВ СПЕКТРОСКОПИИ ОБРАТНОГО РАССЕЯНИЯ БЫСТРЫХ ИОНОВ ДЛЯ АНАЛИЗА СОСТАВА И СТРУКТУРЫ ИОННО-ОБЛУЧЕННЫХ СЛОЕВ ДИЭЛЕКТРИКОВ
    • 3. 1. Метод резерфордовского обратного рассеяния (POP)
      • 3. 1. 1. Основные физические принципы
      • 3. 1. 2. Аналитические характеристики метода обратного рассеяния
    • 3. 2. Метод резонансного обратного рассеяния альфа-частиц в резерфордовской области энергий (метод РезОР)
  • Особенности анализа кислородосодержащих структур)
    • 3. 3. Резерфордовское обратное рассеяние в сочетании с эффектом каналирования (РОР/К)
      • 3. 3. 1. Деканалирование ионов в кристалле. Анализ дефектов
    • 3. 4. Экспериментальная установка
      • 3. 4. 1. Система формирования пучка. Камера рассеяния
      • 3. 4. 2. Система регистрации и мониторирования пучка. Гониометр и устройство крепления образцов
      • 3. 4. 3. Методика ориентирования монокристаллических образцов MgO

      3.5. Использование спектроскопии обратно рассеянных ионов в исследовании структуры ионно-модифицированных слоев оксида магния.94 3.5.1. Исследование распределения ионов Fe+ в монокристаллах MgO методом резерфордовского обратного рассеяния.

      3.5.2. Исследования имплантированных слоев кристаллов М^О методом резерфордовского обратного рассеяния с учетом каналирования (РОР/К).

      3.5.3. Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев кристаллов MgO методом резерфордовского и резонансного обратного рассеяния (РезОР).:.

      ГЛАВА 4. МОДИФИЦИРОВАНИЕ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ ОКСИДА МАГНИЯ ИОННЫМ ОБЛУЧЕНИЕМ.

      4.1. Формирование проводящего состояния MgO при облучении ионами металлоидов.

      4.2. Формирование проводящего состояния и его свойства в кристаллах оксида магния при облучении ускоренными ионами металлов.

      4.3. Влияние термической обработки на электропроводность ионно-модифицированных слоев кристаллов MgO.

      4.4. Оптическое поглощение кристаллов MgO, облученных ионами различных элементов.

      4.5. Механизм электропроводности ионно-модифицированных слоев оксида магния.

      4.6.Ионно-радиационное упрочнение кристаллов оксида магния.

      ГЛАВА 5. МОДИФИЦИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КВАРЦА.

      5.1. Действие ионного облучения на электрическую проводимость кристаллического кварца.

      5.2 Влияние термообработки на электрическую проводимость ионно-модифицированных слоев кварца.

      5.3 Электрическая проводимость кристаллического кварца облученного ионами различных элементов.

      ГЛАВА 6. МОДИФИЦИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ КРИСТАЛЛОВ НИОБАТА ЛИТИЯ.

      6.1. Свойства необлученных образцов.

      6.2. Действие ионного облучения на свойства кристаллов 1л]МЬОз.

      6.3. Действие восстановительного отжига на проводимость и оптическое поглощение кристаллов 1лМ) Оз.

      ГЛАВА 7. ДЕЙСТВИЕ ИОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ПРОВОДИМОСТЬ КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И СТЕКОЛ.

      7.1. Электрическая проводимость диоксида циркония и ее изменение под действием ионного облучения.

      7.1.1. Подготовка образцов керамики 2Юг-У20з с отклонением от стехиометрии состава.

      7.1.2. Электрическая проводимость исходных образцов керамики гЮгУгОз

      7. 1.3. Действие ионного облучения на проводимость керамики 7г02-У20З.

      7.2. Электропроводность корундо-циркониевой керамики (КЦК) и ее изменение под действием ионного облучения.

      7.2.1. Зависимость электропроводности корундо-циркониевой керамики от химического состава.

      7.2.2. Влияние ионного облучения на электропроводность КЦК.

      7.3. Воздействие ионных потоков на электрофизические свойства электротехнических керамик УФ-46 и микролит.

      7.4.Влияние ионного облучения на электрические свойства некоторых установочных керамик.

      7.5. Влияние природы имплантируемых ионов на проводимость боросиликатного стекла К-208 и его оптическое поглощение.

      ГЛАВА 8. НАПРАВЛЕННОЕ ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛИИМИДА ПРИ РАДИАЦИОННЫХ ВОЗДЕЙСТВИЯХ.

      8.1. Влияние термической обработки на проводимость полиимида.

      8.2. Модификация полиимида мощными потоками электронов.

      8.3. Получение высокопроводящего состояния полиимида.

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ. Вопросы, связанные с воздействием частиц и излучений на свойства вещества занимают одно из центральных в радиационной физике твердого тела. Это обусловлено тем, что потоки частиц и излучений все более широко используются и как средство воздействия на свойства твердых тел и как инструмент для исследования их состава и структуры. Оказалось возможным целенаправленно изменять свойства поверхности и приповерхностных слоев, определяющих во многом как физические, так и химические свойства вещества, воздействием непрерывных и импульсных ионных и электронных пучков, лазерной обработкой, нанесением тонких пленок и последующим воздействием излучения и температуры и т. д. Все это стало возможным благодаря доступности источников излучений и разработке новых методов исследования, чувствительных к составу и структуре поверхности твердых тел.

Интенсивное развитие работ по ионной имплантации началось на рубеже 60-х годов, и было связано, прежде всего, с потребностями полупроводниковой электроники. Внедрение ускоренных ионов в полупроводниковые кристаллы открыло ранее недоступные возможности их легирования любыми примесными элементами при широкой вариации их концентрации, точного контроля глубины и профиля распределения. Сравнительно низкая температура обработки подложек, возможность полной автоматизации процесса позволяет применять метод ионной имплантации при изготовлении полупроводниковых приборов с использованием наиболее перспективных технологий.

Одновременно с научно-исследовательскими и технологическими работами бурно развивалась и техника ионной имплантации. Улучшение установок ионного легирования, в частности, рост плотности ионного тока, совершенствование систем фокусировки и сканирования облегчило возможность осуществления имплантации большими дозами, что позволило перейти к экспериментальному изучению эффектов ионного перемешивания и синтеза новых соединений.

На начальных этапах развития ионная имплантация рассматривалась лишь как способ модифицирования электрофизических характеристик полупроводников, однако, в 70-х годах резко возрос поток исследований, направленных на модификацию различных свойств металлов. Прежде всего, исследуются вопросы, касающиеся влияниг ионной имплантации на трибологические свойства поверхности. Это связано с тем, что процессы, влияющие на износ и трение, протекают в тонком приповерхностном слое. Затем имплантация ионов в металлы используется для формирования необычных метастабильных структур, а также для определения предела растворимости одного металла в другом. Наконец, ионная имплантация используется для исследования механизмов коррозии и других поверхностных процессов.

Этот этап развития исследований по ионной имплантации стимулировал разработку ионных источников нового поколения, позволяющих осуществлять имплантацию экстремально высокими дозами, многоэлементную имплантацию. Перспективными показали себя и сверхмощные импульсные источники ионных и электронных пучков. В этом направлении следует отметить работы, проводимые в НИИ ядерной физики при Томском политехническом университете, Институте сильноточной электроники СО РАН, Институте электрофизики Уральского отделения РАН. Эффекты воздействия сверхмощных электронных пучков на свойства ионных кристаллов исследованы в работах авторов [1].

Одновременно с развитием техники имплантации, в НИИ ядерной физики при ТПУ интенсивно начали развиваться методы ядерного микроанализа основанные на рассеянии проникающего излучения исследуемым объектом [2], которые позволяют получить информацию о составе и структуре поверхностных слоев твердых тел.

Ионная имплантация в диэлектрики, т. е. в материалы с широкой запрещенной зоной, изучена значительно слабее. Выполненные до настоящего времени работы показывают, что нет принципиальных физических ограничений на применение процесса ионной бомбардировки для модификации поверхности и приповерхностных слоев диэлектриков. В последнее время появился ряд работ, позволяющих надеяться, что ионная имплантация в диэлектрики найдет широкое практическое применение. В этой связи, следует подчеркнуть значительный вклад в решение этой проблемы работ, выполненных в НИИВН при ТПУ под руководством В. В. Лопатина [70−79].

В настоящее время темп работ по исследованию воздействия ионного облучения на широкозонные материалы значительно возрос, однако до сих пор не проведены систематические исследования влияния ионного облучения на свойства различного класса диэлектрических материалов.

СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА. Работы по исследованию влияния ионной имплантации на электрические свойства диэлектриков начали развиваться нами в ТПУ с начала 80-х годов, практически одновременно с работами, выполняемыми в НИИ высоких напряжений при ТПУ В. В. Лопатиным с сотрудниками, и первыми зарубежными работами в этом направлении. Эти работы явились естественным продолжением исследований, касающихся влияния ионизирующих излучений на электрические и оптические свойства диэлектриков, в частности, модельных щелочно-галоидных кристаллов. Изучению действия ионизирующих излучений на проводимость щелочно-галоидных кристаллов уделялось особое внимание, так как электропроводность относится к числу наиболее структурно-чувствительных свойств ЩГК, поэтому казалось перспективным использовать электрические измерения с целью регистрации продуктов радиационного дефектообразования в катионной подрешетке — катионных вакансий [13]. Проведенные исследования показали, что при невысоких уровнях радиационного возбуждения кристаллов можно подобрать условия, при которых наблюдается увеличение проводимости в результате радиационной обработки. Однако этот рост проводимости крайне незначителен и полностью отжигается при термической обработке до температуры менее 400К.

С ростом мощности дозы облучения при условии, когда время перекрытия треков бомбардирующих частиц меньше времени релаксации процессов в треке, можно ожидать реализации новых радиационных эффектов. Исследования, проводимые в Томском политехническом университете [3,4] показывают, что воздействие мощных потоков ионизирующих излучений на диэлектрики приводит к реализации ряда специфических эффектов: многократному ускорению ионного массопереноса, реализации новых энергоемких механизмов генерации радиационных дефектов, гомогенизации гетерогенных структур.

Можно ожидать, что описанные процессы особенно эффективны при облучении кристаллических диэлектриков потоком ускоренных ионов, в треках которых достигается экстремально высокая плотность возбуждения электронной и ядерной подсистем. Это должно приводить к многократному ускорению процессов дефектообразования и диффузии и, как следствие этого, к кардинальной структурно-химической реконструкции приповерхностных слоев. В результате этого возможно и радикальное изменение свойств ионно-облученных слоев диэлектриков, в частности, можно ожидать и существенное изменение проводимости диэлектриков.

Изменение величины электрического сопротивления керамики различного химического состава под действием бомбардировки ионами металлов наблюдалось ранее в работе [62]. Однако систематические исследования этого явления проведены не были. Работы, в которых изучается изменение электропроводности диэлектриков по действием ионного облучения начали появляться в дальнейшем, одновременно с развитием этих исследований нами.

Проводимость диэлектрических слоев является одной из важнейших характеристик, определяющих как возможности их использования, так и рабочие параметры целого ряда приборов. Знание механизма проводимости и его взаимосвязь с составом и структурными характеристиками слоев позволяет правильно определить факторы и условия целенаправленного изменения свойств диэлектрика. Воздействия ионных потоков на свойства материалов показывают перспективность использования процесса имплантации как способа управления свойствами поверхности и приповерхностных слоев диэлектриков. Эти перспективы во многом обусловлены преимуществами метода ионной имплантации, среди которых следует выделить увеличение растворимости в твердом состоянии и отсутствие проблемы адгезии, т.к. не существует ярко выраженной поверхности раздела между ионно-модифицированным слоем и объемом образца.

В основу диссертации положены работы, выполненные автором с 1974 по 1999 гг. В этих работах исследуется влияние ионизирующих излучений, в частности, ионных пучков на электрические свойства и структуру широкого класса диэлектрических материалов.

ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ РАБОТЫ. Общей задачей работы явилось проведение систематических исследований процессов, приводящих к формированию слоев с высокими проводящими свойствами в широком классе диэлектрических материалов под действием ионной бомбардировки с целью выяснения общих закономерностей данного явления и проведения системного анализа влияния ионных пучков различной природы на электропроводящие свойства поверхности диэлектрических материалов, относящихся к различным классам (ионные кристаллы, оксидные керамики, кварц, стекла, полимеры).

Достижение поставленной цели потребовало выполнения следующих задач.

1. Создать экспериментальное оборудование для измерения электрических характеристик ионно-модифицированных слоев диэлектриков.

2. Исследовать дефектное состояние ионно-облученных слоев модельных кристаллов, в частности, М^О для чего: а) получить экспериментальные данные о каналировании ионов 4Не (РОР/К) в ионно-модифицированных слоях оксида магния и детально изучить процессы отжига дефектов при термической обработке кристалловб) исследовать энергетические спектры резонансного обратного рассеяния (РезОР) ионов 4Не с энергией в интервале 1,8 — 5,2 МэВ для изучения дефектного состояния и отклонения от стехиометрии химического состава ионно-облученных слоев оксида магния по кислороду.

3. Установить взаимосвязь между свойствами ионно-модифицированных слоев исследованных материалов с их фундаментальными характеристиками такими как: химический состав, степень ковалентности связей, структура.

4. Разработать физические основы процессов, приводящих к формированию проводящих областей в диэлектрических материалах ионным облучением для чего: а) исследовать зависимость эффекта ионно-радиационного увеличения проводимости от химической природы бомбардирующих ионов и условий ионной обработкиб) исследовать влияние условий пострадиационной термической обработки на величину электропроводности ионно-облученных слоевв) исследовать вклад электронных и ядерных процессов в структурную перестройку поверхности диэлектриков под действием ионного облучения и эффективность ионно-радиационного увеличения проводимости.

5. На модельных кристаллах исследовать процессы, приводящие к изменению проводимости ионно-облученных слоев с целью получения информации о механизме электропереноса.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. 1. Выполнено систематическое исследование процессов формирования высокопроводящего состояния в твердых диэлектриках методом ионной бомбардировки впервые для следующих материалов: MgO, Si02 LiNb03, LiNb03+Mg0, Zr02+Y203, Zr02+Al203, боросиликатного стекла, поли-имида. Методом резерфордовского обратного рассеяния ионов 4Не с учетом каналирования показано, что результатом ионного облучения кристаллов MgO является высокая концентрация радиационных дефектов Френкеля, а именно междоузельных атомов магния, обладающих экстремально высокой температурной стабильностью (1200К) относительно вакуумного отжига и высокой стабильностью (800К) относительно отжига на воздухе.

2. Методом резонансного обратного рассеяния ионов 4Не обнаружено отклонение от стехиометрии химического состава ионно-модифицированных слоев оксида магния благодаря преимущественной десорбции кислорода в процессе обработки кристаллов ионным пучком. Показано, что обнаруженная нестехиометрия является необходимым условием формирования высокопроводящего слоя в оксиде магния.

3. Впервые установлено, что термическая стабильность высокопроводящего слоя, созданного в оксидном диэлектрике ионной бомбардировкой относительно отжига на воздухе определяется процессами адсорбции кислорода. Чем интенсивнее адсорбция, тем ниже стабильность.

4. Показано, электрическая проводимость кристаллов ниобата лития (1лМЮз) конгруэнтного состава как чистых, так и с примесью М^О (2,5−10,0 мол%) — является электронной прыжковой, имеющей в структурно-чувствительной области (Т< 500 К) высокую энергию активации (1,4 — 1,2 эВ).

Высокопроводящее состояние в кристаллах ниобата лития можно сформировать несколькими способами: ионной бомбардировкой, восстановительным отжигом и сочетанием ионной бомбардировки и восстановительного отжига.

5. Показано, что обработка боросиликатного стекла пучком ионов элементов IV группы (С, 81, Бп) формирует высокопроводящее состояние (увеличение электропроводности в 109раз). Обработка ионами Аг, И, О увеличивает электропроводность незначительно (в 10−100 раз). Обработка ионами А1 и Ре не дает существенных изменений электропроводности.

6. Экспериментально установлено, что высокопроводящее (до 6−103 Ом^см" 1) состояние поли-4,4'-дифинилоксидпиромеллитимида (полиимида), может быть сформировано как ионной бомбардировкой, так и с использованием метода ра-диационно-термической модификации.

ОСНОВНЫЕ ЗАЩИЩАЕМЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1. На исследованных экспериментально диэлектриках различных классов: кристаллических (ЫБ, MgO, 8Ю2, 1лМ)03, ЬлЫЮз с примесью М§-0), керамических + УгОз, %т02 + А120з), аморфных (боросиликатное стекло) и органических (полиимиде) — подвергнутых облучению пучками однозарядных и многозарядных ионов: Н, Не, С, 14, О, А1, Аг, Си, Сё, Бе, 8п, РЬ — наблюдается известный эффект гигантского увеличения электропроводно.

4 14 сти облученного поверхностного слоя (в 10 — 10 раз) и показано, что этот эффект и его характерные особенности являются универсальными для декартова произведения множеств диэлектриков и ионов.

2. Современная теория электронной прыжковой проводимости сильнолегированных полупроводников и некристаллических веществ, основанная на представлении о термотуннельных перескоках носителей с дефекта на дефект, позволяет количественно описать характерные особенности явления, которые установлены экспериментально в работе путем измерения температурных зависимостей квазистационарной электропроводности для различных пар «диэлектрик — ион»: с увеличением флюенса растет проводимость облученного слоя и уменьшается энергия активации от 1,1 эВ до ± 0,002 эВ, растет подвижность носителейна образцах полиимида наблюдается характерная зависимостьр ~ тУ~1/3, где N — плотность дефектов, созданных ионной бомбардировкой.

3. Из всех исследованных диэлектриков наименее значительным эффектом увеличения проводимости при ионной бомбардировке (менее, чем в 100 раз) обладают щелочно-галоидные кристаллы (ИаС1, ИаВг, КВг чистые и с примесями Са++, Бг++, РЬ++). Это обусловлено тем, что в щелочно-галоидных кристаллах ионная составляющая проводимости (носители — катионные вакансии) преобладает над электронной.

4. Основным процессом, приводящим к гигантскому росту электропроводности монокристаллов М§-0 при ионной бомбардировке, является нестехиометриче-ский вынос вещества (один атом на два атома О) и, соответственно, генерация донорных уровней. При этом, как показано методом резерфордовского обратного рассеяния с учетом каналирования (РОР/К), М§-0 не аморфизируется вплоть до флюенсов 5-Ю17 ион/см2, а насыщается междоузельными атомами М^ и другими дефектами. Это дефектное состояние стабильно относительно отжига в вакууме ГОТЖ= 1200К, а на воздухе Готж = 800 К. Обратный процесс — окислительный отжиг — восстанавливает стехиометрию поверхностного слоя и, соответственно, его высокое сопротивление.

5. Обнаружен эффект — резкая («резонансная») зависимость приращения проводимости кристаллического кварца БЮ2 от массы бомбардирующих ионов в ряду Н, Не, С, А1, Аг, Си, Сс1, РЬ. Наивысшая эффективность приходится на ионы аргона Аг.

6. Обнаружен эффект гигантского увеличения радиационной стойкости (в 10 раз) относительно приращения проводимости при ионном облучении у корун-до-циркониевой керамики (2г02 + А120з) по сравнению с однофазными корундовой (А120з) и циркониевой (2г02).

7. Высокопроводящее состояние ниобата лития (1лМЮз) можно сформировать не только путем облучения ионным пучком, но и восстановительным отжигом в вакууме. Легирование ниобата лития примесью М^О снижает эффективность этого процесса.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ. Полученные в результате проведенных исследований закономерности, касающиеся влияния ионного облучения на характеристики диэлектрических материалов открывают пути контролируемого управления свойствами поверхности и приповерхностных областей диэлектриков. Данные, касающиеся термической стабильности, а также влияния температуры образца в процессе ионного облучения на величину эффекта ионно-радиационного увеличения проводимости, показывают пути его стабилизации. Данные, касающиеся модификации свойств поверхности кристаллических элементов ионной бомбардировкой позволили изготовить партию кварцевых резонаторов, в которых роль электродов выполняли ионно-модифицированные слои. На базе проведенных исследований предложен способ изготовления кварцевых резонаторов, защищенный авторским свидетельством. Результаты по исследованию влияния ионного облучения на свойства керамики определяют также и пути, повышающие стойкость керамических материалов к ионному облучению. Разработанная система крепления образцов и система нагрева позволили выполнять различные режимы отжига (окислительный и восстановительный) и проводить измерения методами резерфордовского обратного рассеяния и in-situ в экспериментальной камере.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Результаты работы докладывались на следующих семинарах и конференциях: Международных конференциях по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Томск 1993, 1996, 1999) — IV Всесоюзном совещании по радиационным гетерогенным процессам (Кемерово, 1985,1990,1995) — I Всесоюзной конференции по ионно-лучевой модификации материалов (Черноголовка, 1987) — I Всесоюзной конференции «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц» (Томск, 1988) — VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков (Томск, 1988) — Всесоюзной конференции «Ионно-лучевая модификация материалов» (Каунас, 1989) — 3rd International Conference on Energy Puise and Particle Beam modification of materials (Dresden, 1989) — Sixth International Schoolon Vacuum, Electron and Ion Technologies (Varna, 1989) — I Всесоюзном совещании «Диэлектрические материалы в экстремальных условиях» (Суздаль, 1990) — Russian-Korean International Symposium on Science and Technology (Tomsk 1998, Novosibirsk 1999, Ulsan 2000) — International Conference on Ion Beam Modification of Materials (Heidelberg, 1994, Amsterdam 1998) — X-XIV Международные конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (Москва, 1995;1999) — XXIIIXXVI Международных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1993 -1995).

ОБЪЕМ И СТРУКТУРА. Диссертация состоит из введения, восьми глав, заключения и списка литературы.

Выводы.

1. Электрические характеристики необлучеиного полиимида существенно не изменяются после термообработки вплоть до 700К, что находится в согласии с положением с высокой термической стойкости исследуемого материала.

2. Совмещение операций термической имидизации полиамидокислоты и мощного радиационного воздействия приводит к увеличению объемного удельного сопротивления ПМ-1.

3 Высокопроводящее состояние пленки ПМ-1 с использованием РТМ получается при реализации процедуры, включающей в себя: облучение ПМ-1 на воздухе дозой 5−106 Гр при температуре 300К и мощности поглощенной энергии не выл ше 1(Г Гр/снезависимо от вида излучения, окисление облученных образцов на воздухе при температуре 650 К в течении 2 часов и вакуумный пиролиз при температуре 500 К в течение 30 минут.

4. В результате ионного облучения получена проводимость ионно-облученных.

3 11 слоев полиимида -6−10 ом" см", имеющая металлический характер.

5. На диэлектрической стороне проводимость ионно-облученных слоев обусловлена прыжками электронов по локализованным состояниям.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации изложены материалы систематического исследования процессов формирования высокопроводящего состояния в диэлектриках ионной бомбардировкой.

Проведен системный анализ влияния ионных пучков различной природы на проводящие свойства поверхности широкого класса диэлектрических материалов (ионные кристаллы, оксидные керамики, кварц, стекла).

Определены условия, при которых имеет место аномально высокий (более чем на 14 порядков) рост поверхностной электропроводности диэлектриков, индуцированной ионной обработкой.

Разработаны основные физические представления о природе данного явления в материалах различной природы, которые базируются на следующих положениях.

При облучении кристаллических диэлектриков потоком ускоренных ионов, в треках тяжелых заряженных частиц достигается экстремально высокая плотность возбуждений электронной и ядерной подсистем. Это приводит к многократному ускорению радиационно-стимулированных процессов дефектообра-зования и диффузии и, как следствие этого, к кардинальной структурно-химической реконструкции приповерхностных слоев материала, сопровождаемой десорбцией кислорода и нарушением стехиометрии их состава.

Данный процесс носит фундаментальный характер и не зависит от химической природы бомбардирующих ионов. Об этом свидетельствуют результаты исследования дефектности ионно-модифицированных слоев оксида магния методом резерфордовского обратного рассеяния с учетом каналирования и методом резонансного обратного рассеяния ионов 4Не которые показали наличие высокой концентрации радиационных дефектов типа смещенный атом в междоузлии, обладающих экстремально высокой температурной стабильностью и отклонение от стехиометрии состава ионно-модифицированных слоев оксида магния, заключающееся в преимущественной десорбции кислорода в результате ионного облучения.

Нарушение стехиометрии состава поверхности и формирование высокой плотности дефектов радиационного происхождения, протекающее на фоне мощного возбуждения электронной подсистемы, приводит к формированию «хвостов» плотности состояний на границах разрешенных зон энергий и к созданию системы локализованных состояний в запрещенной зоне диэлектрика.

При достижении некоторой плотности таких состояний, при которой расстояния между уровнями становится соизмеримым или меньшим размера волновой функции локализованного электрона, происходит переход диэлектрик-металл по типу Мотта-Андерсона.

Выполненные исследования показали, что в ионно-модифицированных слоях всех исследованных оксидных диэлектриков процесс электропереноса осуществляется путем термоактивированных прыжков носителей заряда по состояниям, созданным ионной бомбардировкой.

Для подавляющего большинства оксидных диэлектриков эффект ионно-радиационного увеличения проводимости является монопольным свойством ионной бомбардировки. Однако для кристаллов ниобата лития эффект формирования проводящего состояния наблюдается не только как результат ионной бомбардировки, но и как результат восстановительного отжига. Это обусловлено тем, что кристаллы 1лМ>Оз обладают высоким исходным уровнем собственного беспорядка и процессы дефектообразования в результате внешних воздействий, таких как ионное облучение и восстановительный отжиг, в отличие от других оксидных материалов, развиваются в катионной подрешетке.

В отличие от кристаллических материалов, на примере стекла К-208, показано, что ионное модифицирование электрической проводимости стеклообразных веществ определяется главным образом эффектами допирования.

Формирование проводящих слоев в этом случае происходит при имплантации химически активных примесей, которые наряду с эффектами повреждения структуры участвуют в процессах ионно-стимулированного твердофазного синтеза соединений, обладающих полупроводниковыми свойствами. К таковым относятся ионы С+, Бп+.

Для органических материалов, в отличие от неорганических оксидных диэлектриков высокопроводящее состояние может быть реализовано как с использованием процедуры радиационно-термической модификации (РТМ), включающей в себя: облучение ПМ-1 на воздухе дозой 5−106 Гр при температуре 300К и мощности поглощенной энергии не выше 103 Гр/снезависимо от вида излучения, окисление облученных образцов на воздухе при температуре 650 К в течении 2 часов и вакуумный пиролиз при температуре 500 К, так и в результате ионного облучения.

В результате ионного облучения получена проводимость ионно-облученных слоев полиимида ~ 6−103ом" 1см" 1, имеющая квазиметаллический характер. На диэлектрической стороне, как и для случая ионных кристаллических диэлектриков, проводимость ионно-облученных слоев обусловлена термотуннельными переходами электронов между локализованным состояниям.

Таким образом, исследование электропроводности ионно-облученных слоев диэлектриков, принадлежащих различным классам, показывает общность в процессах дрейфа носителей заряда.

Термическая стабильность высокопроводящего состояния ионно-модифицированных слоев относительно вакуумного отжига экстремально высока (1300К).

Стабильность относительно термической обработки на воздухе, высокопроводящего состояния для всех исследованных диэлектриков лимитируется процессами адсорбции кислорода ионно-модифицированной поверхностью.

В заключении автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность ведущему научному сотруднику Проблемной лаборатории ЭДиП ТПУ, к.ф.-м.н. Т. С. Франгульян, доктору физико-математических наук, профессору каф. ТиЭФ ТПУ Д. И Вайсбурду, доктору физико-математических.

300 наук Ю. Ю. Крючкову и к.ф.-м.н., доценту каф. ЭИКТ ТПУ Ю. М. Анненкову за постоянное внимание и помощь в выполнении настоящей работы.

Автор признателен своим коллегам из Проблемной лаборатории ЭДиП ТПУ, в частности, В. Ф. Столяренко за помощь в проведении экспериментов, а также сотрудникам кафедры Теоретической и экспериментальной физики ТПУ за плодотворные дискуссии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Д.И., Семин Б. Н. и др. Высокоэнергетическая электроника твердого тела//Наука. Сибирское отделение. Новосибирск, 1982.
  2. Ю.М., Франгульян Т. С., Апаров H.H., Притулов A.M. Эффективность радиационной технологии получения высокопрочной корундо-циркониевой керамики//Огнеупоры.№ 5. 1995. С.12−16.
  3. А.П., Притулов A.M. Радиационно-термическое спекание порошков неорганических материалов//9-я международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов. Сборник тезисов докладов. 1996.С.370−371.
  4. A.A. Ионные и электронные свойства щелочно-галоидных кри-сталлов//Изд. ТГУ Томск. 1968.С.306.
  5. К. Физика полупроводников//Мир:.М.1977. С.615
  6. Е.И. и др. Использование метода электросопротивления в радиационном материаловедении//Препр./Ин-т. атом. Энергии. Москва. 1990. № 4991. С. 24.
  7. Н.С., Харитонов Ф. Я., Антонова H.H. /Радиационная и коррозионная стойкость электрокерамики//М.: Атомиздат, 1973.
  8. Н.С., Антонова H.H., Зильберман М.Н./ Радиационное электроматериаловедение//М.: Атомиздат, 1979.С.224.
  9. Dan G.Y., Davis H.V.// The Electrical Conductivity Alumina at Temperature in Reactor Environment / Nucl. Sei. Eng. 1966. V.25. P.223.
  10. Влияние облучения на материалы и элементы электронных схем /Пер. с англ. Под ред. В. П. Быкова, С.П. Соловьева// М.: Атомиздат, 1967.
  11. В.Ф. Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочно-галоидных кристаллах//Автореферат диссертации. г. Томск. 1973.
  12. А.А. Воробьев, Ю. М. Анненков, В. Ф. Пичугин Радиационная генерация ка-тионных вакансий в щелочно-галоидных кристаллах//Изв. ВУЗов «Физика» № 4. 1975. С.27−31.
  13. Ч.Б., Гиндина Р. А., Лущик Н. Е. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na//Tp. ИФ ФР ЭССР. 1982.Т.53.С. 146−171.
  14. Ю.И. Механизм электрической проводимости кристаллов NaBr и КВг, облученных рентгеновскими лучами//Автореферат диссертации. г. Томск. 1987.
  15. Pichugin Y.F., Feodorov A.N., Shmyrin A.I. Effects of Ion Flows on Structure and Properties of certain Inorganic Dielectrics // Phys. Res. 1989. V. 13. P. 337−339.
  16. Л.С., Кабышев А. В., Лопатин В. В. Модификация структуры и свойств поверхности имплантированного нитрида бора// Физика и химия обраб. материалов. 1990. № 2.С.5−10
  17. Davenas J., Dupuy С., Long Xu Sing. A Solution Model of the non Metal Metal Transition in implanted organic (CH) and inorganic (LiF) Materials// Rad. Eff. 1983.V. 74. P. 209−217.
  18. Sood D.K., Cao D.X. Annealing behavior of L-axis Sapphire amorfized by high dose indium ion implantation // Nucl. Instr. and Method in Phys. Res. 1990. V. 46. P. 194−201.
  19. Rahmani M., Townsend P.D. Ag+ implantation in A1203, LiNb03 and quartz //Vacuum. 1989. V. 39. № 11/12. P.1157−1162.
  20. Abu-Hassan L.H., Townsend P.D. Ion implantation in LiF to form F and F2 centers //J.Phys.C: Solid State Phys. 19(1986) P.99−110.
  21. Davenas J., Dupuy C. and Xu Xing Long. A soliton model of the non metal-metal transition in implanted organic (CH)X and inorganic (LiF) materials.// Radiation Ef-fects.V.74. 1983. P.209−217.
  22. Liu В., Sandhu G.S., Parikh N.L. et. al. Regrowth of radiation-damaged layers in natural diamond// Nuclear Instr. and Method in Phys. Res. B45 1990. 420−423.
  23. Sato S., Iwaki M. Target temperature dependence of sheet resistance and structure of Ar-implanted diamonds// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B45 1990. 145−149.
  24. Perez A., Marest G., Sawicki J.A. et al. Iron-ion implantation effects in MgO crystals//Phys. Rev. B. -1983-V.28, № 3-P. 1227−1238.
  25. Cherniak D.J., Lanford W.A., Ryerson F.J. The use of ion beam techniques to characterize lead diffusion in minerals// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B45 1990. 230−233.
  26. Л.Й., Тамулевичус С. Й., Матюкас А. П. Нарушение элементного состава в Si02 при ионно-активированном химическом травлении// Письма в ЖТФ. Т. П. Вып.24. 1985.С.1512−1515.
  27. Betz G., Wehner G.K. Sputtering of multicomponent materials. Sputtering by article bombardment II. Spring-Verlag Berlin- Heidelberg. 1983. P. 11−90.
  28. Павлов П. В. Исследование влияния ионной бомбардировки на строение аморфных пленок SiCV/ДАН СССР. Т.258. № 3. 1981. С.617−619.
  29. Khellafi М., Lang В. An AES study of damages induced by inert gas ions at Si02 surfaces: influance of ion mass and energy// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. 1990.P.180−184.
  30. Shimizu Т., Itoh N., Matsunami N. Laser-induced re-emission of silicon atoms implanted into quartz//J.Appl. Phys. 64 (7). 1988.P.3663−3666.
  31. Jollet F., Duraud J.P., Noguera C. et.al. Surface modification of crystalline Si02 and A1203 induced by energetic heavy ions// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B45 1990. 125−127.
  32. Fischer H., Gotz G. and Karge H., Radiation Damage in Ion Implanted Quartz Crystals, Part 1: Nuclear and Electronic Energy Deposition / Phys. Stat. Sol. (a). 1983. V.76. P. 249−255.
  33. Fischer H., Gotz G. and Karge H., Radiation Damage in Ion Implanted Quartz Crystals, Part 2: Annealing behavior/Phys. Stat. Sol.(a).1983. V.76. P. 493−499.
  34. У. Структурные изменения в кристаллическом кварце при ионной имплантации/ЖТФ. 1984. Т.54. № 1. С. 2222−2226.
  35. Г. Н., Яковлев B.JL, Спектроскопия поверхности кварца, модифицированной облучением // Спектральные методы решения проблем физики твердого тела/ 1988. С.131−150.
  36. Jetschke S., Hehl К. Diffusion and recrystallization processes of N+ and P+ -implanted LiNb03// Phys. Status Solidi A.V.88. 1985. P. 193−205.
  37. Barfoot K.M., Weiss B.L. Channeling studies of depth of damage produced in LiNb03 by 50−1100 keV 4He implantation //J.Phys.(D). Appl.Phys. V.17(3). 1984. P. L47-L52. ISSN 0022−3727.
  38. Fasold D., Hehl K., Jetschke S. Refractive index and absorption measurement in a thin layer by two reflection measurements// Phys. Status Solidi A.V.86. 1984. P.485−490. ISSN 0031−8965.
  39. Glavas E., Townsend P.D., Foad M.A. Refractive index changes in proton exchange LiNbCb by ion implantation// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.156−159.
  40. Donnet C., Jaffrsic H., Moncoffre N. Characterization of polycrystalline ос-А12Оз zirconium implanted and annealed at various temperatures// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.89−93.
  41. О’Hern M.E., McHarge C.J., White C.W., Farlow G.C. The effect of chromium implantation on the hardness, elastic modulus, and residual stress in A1203// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.171−175.
  42. Romana L., Thevenard P., Canut В., et. al. Phase formation study in а-А120з implanted with niobium ions// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.94−97.
  43. Parkin Don M. The displacement cascade in ceramic oxides// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.26−35.
  44. McCallum J.C., White C.W., McHarge C.J. Annealing environment effects in solid-phase epitaxial regrowth of Fe-implanted AI2O3// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.137−143.
  45. Э.М., Марков B.Jl. Структурные изменения поликристаллического оксида алюминия при высокотемпературном отжиге в вакууме и ионном облучении//Физ и химия обработки матер. № 6. 1989.С.25−30.
  46. Langoush Guido. Ion beam modification of materials //Phys. Mag. 9. № 3. 1987.P.241−252.
  47. Mazzoldi Paolo, High-fluency implantation in insulators. Part I: Compositional, mechanical, and optical changes //Mater. Modif. High-Fluence Ion Beam: Proc. NATO Adv. Study Inst. Viana do Castelo. 1987. P.339−356.
  48. Matzke Hj., Delia Mea G., Dran J.C. et al. Radiation damages in nuclear waste glasses following ion implantation at different temperatures// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.256−260.
  49. Mazzoldi P. Ion beam modification of glass surface properties// Journal of Non-Crystalline Solids 120. 1990. P.223−233.
  50. Delia Mea G., Dran J.C., Petit J.-C. et al. Induced Defects in Insulators, ed. P. Mazzoldi (Les Edition de Physique, Paris, 1984) P. 135.
  51. Battaglin G., Bertoncello R., Boscolo-Boscoletto A. Et al. Modification induced by ion implantation// Journal of Non-Crystalline Solids 111. 1989. P.223−233.
  52. Malik Farid, Kern Werner. Iopn-implant-enhanced reflow of phosphosilicate glass films// Thin Solid Films. 181. 1989. P.95−100.
  53. Hosono H., Weeks R. Structural defects in chromium-ion-implanted vitreous silica//Phys. Rev. B. V.40.№ 5.1989.P. 10 543−10 550.
  54. Wintersgill M.C. Ion implantation in polymers// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B229. № 2−3. 1984.P.595−598.
  55. Valin M.T., Henriot M., Le Gressus C. et al. M Modification induced in polyvi-nylidene fluoride by energetic ions// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B32. № 1−4. 1988.P.115−119.
  56. Biersack J, P., Kallweit R. Ion beam induced changes of the refractive index of PMMA// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.309−312.
  57. Davenas J., Thevenard P., Boittux G., Fallavier M., Lu X.L. Hydrogenated carbon layers produced by ion beam irradiation of PMMA and polystyrene films// Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. B46. № 1−4. 1990.P.317−323.
  58. Bachman B.J., Vasile M.J. Ion bombardment of polyimide films//J. Vac. Sci. and Technol. A. 7.№ 4. 1989. P.2709−2716.
  59. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Widerstandselements//Patentschrift 22 02 585/HOI L 21/265. 9.11.77.
  60. Пичугин В. Ф, Кожемякин В. А., Суржиков А. П. Защита полимерных материалов от статического электричества/Защита от вредного воздействия статического электричества в народном хозяйстве//Сб. тез. докладов. Северодонецк. 1984. С.99−100.
  61. Пичугин В. Ф, Галанов Ю. И., Анненков Ю. М., Кожемякин В. А. Получение резистивных слоев в диэлектриках ионными пучками/Импульсные источники энергии для термоядерных исследований и промышленной техноло-гии//Сб.тез.докл. 1985.С. 136−137.
  62. Пичугин В. Ф, Кожемякин В. А. Поверхностная проводимость ионно-легированных неорганических диэлектриков/Ионно-лучевая модификация ма-териалов//Сб.тез.докл. Черноголовка. 1987.С. 169.
  63. Пичугин В. Ф, Анненков Ю. М., Суржиков А. П. Влияние ионной имплантации на поверхностную проводимость органических диэлектриков/ Ионно-лучевая модификация материалов//Сб.тез.докл. Черноголовка. 1987.С.187.
  64. Ю.М., Пичугин В. Ф., Франгульян Т. С., Тишкина В. А. Воздействие ионных потоков на электрофизические свойства некоторых электротехнических керамик. Деп. в ВИНИТИ. № 683-В92. 1992.
  65. Pichugin V.F., Frangulian T.S., Kryuchkov Yu.Yu., Feodorov A.N., Riabchikov A.I. Formation of conductive layers on dielectric substrates by ion bombardment // Nucl. Instr. & Meth. -1993. B80/81. -P. 1203 — 1206.
  66. Lopatin V.V., Kabyshev A.V. Bushnev L. Modification of Polycrystalline BN and Si3N4 by Ion Beams//Phys. Stat.Sol.(a).1989.116.P.k69-k72.
  67. JI.С., Кабышев А. В., Лопатин В. В. Модификация структуры и свойств имплантированного нитрида бора//Физ. и хим. обраб. материалов № 1. 1989.С.5−11
  68. А.В., Лопатин В. В. Влияние структурно-фазовых изменений и де-фектообразования на электропроводность нитрида бора после ионно-термической модификации// Поверхность. Физ., хим., мех., № 7. 1994. С.86−92
  69. А.В., Конусов Ф. В., Лопатин В. В. Механизмы перехода диэлектрик-полупроводник при ионно-термической обработке//Журнал технической физики Т.65.№ 8.1995.С.200−204
  70. А.В., Конусов Ф. В., Лопатин В. В. Локализованные состояния дефектов в облученных ионами диэлектриках//ФТТ Т.37.№ 7. 1995.С.1981−1989
  71. А.В., Конусов Ф. В., Лопатин В. В. Распределение локализованных в запрещенной зоне состояний и модель электронных переходов в облученных ионами диэлектриках// Поверхность. Физ., хим., мех., № 12. 1995. С.33−37
  72. A.B., Конусов Ф. В., Лопатин В. В. Центры рекомбинации и фоточувствительности в облученном ионами нитриде бора// Физ. и хим. обраб. материалов № 6. 1997.С.21−26
  73. М.А., Комаров Ф. Ф. Энергетические потери и пробеги ионов в твердых телах//Минск. 1979.С.320.
  74. А.Ф., Комаров Ф. Ф., Кумахов М. А., Темкин М. М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей/Минск. Изд. БГУ.1980.
  75. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводни-ков//М:.Мир. 1973.
  76. А.И. Квантовоэлектронная теория аморфных полупроводников. Л.: Изд-во АН СССР, 1963.
  77. Бонч-Бруевич В. Л. Вопросы электронной теории сильно легированных полупроводников. М.: ВИНИТИ. 1965.
  78. Бонч-Бруевич В.Л. В кн.: Статистическая и квантовая теория поля. М.: Наука. 1973. С. 337.
  79. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1974, 472 с.
  80. .И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979, 416 с.
  81. Banyai L. Physic de Semiconducteurs. Paris: Masson et Cie. 1969.
  82. В.H., Аронов A .Г., Чудновский Ф. А. Фазовый переход полупроводник-металл в сильном электрическом поле в У20з//ЖЭТФ.61.705.1971.
  83. С.А. О фазовом переходе полуметалл-диэлектрик в магнитном поле//ЖЭТФ.62.820.1971.
  84. JI.H., Хомский Д. И. Фазовый переход диэлектрик-металл в антиферромагнетиках //ФТТ.9.1070.1967
  85. H.A., Максимов JI.A. О фазовом переходе металл-диэлектрик. Двухвалентный кристалл//ЖЭТФ.48.1184.1965
  86. Ю.В., Тимеров Р. Влияние примесных состояний на фазовый переход полуметалл-полупроводник//ФТТ. 13.122.1971.
  87. Adler D., Brooks H. Theory of semiconductor-to-metal transitions //Phys. Rev. 155.826.1967.
  88. Rice T.M., McWhan D.B. Metal-insulator transition in transition metal oxides// IBM Journ. Res. and Develop. 14.251.1970.
  89. Mott N.F., Allgaier R.S. Localized states in non-ordered lattises// Phys. Status Solidi. 21. 343.1967.
  90. H. Электроны в неупорядоченных структурах// M.: Мир С. 172.1969.
  91. .И., Эфрос A.JL Примесная зона и проводимость в компенсированных полупроводников//ЖЭТФ 60,867.1971.
  92. Ю.С. // Электрооптический и нелинейно-оптический кристалл ниобата лития. М.: Наука. 1979. 333 с.
  93. .М. Физика диэлектрических материалов. М:.Энергия. 1973.С.328.
  94. В.Ф. Радиационная проводимость и электронно-дырочная рекомбинация в щелочно-галоидных кристаллах//Диссертация. Томский политехнический институт. 1973. №р-2669. С. 152.
  95. Ryabchikov A. I and Nasyrov R.A. Repetitively pulsed, high-concentration implantation //Nuclear Instr. and Method in Physics Research B61 (1991) P.48−51
  96. Ryabchikov A. I Pulse-periodical high-intensity ion sources for multielement implantation //Rev. Sci. Instrum. 61 (1) 1990 P.641−643
  97. Chuk H.A., Linnenbom V.J. Cower. Apparatusand Sistems, 6, 1960.
  98. Ю.М. Диссертация, ТПИ. 1969.
  99. Ion beam handbook for materials analysis// Eds. By J.W.Mayer, E. Rimini// New York: Acad. Press. 1977. P.488
  100. Chu W.K., Mayer J.W., Nicolet M.A.// Backscattering spectrometry. New York: Acad. Press. 1978. P.387
  101. Ф.Ф., Кумахов M.A., Ташлыков И.С.// Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. Минск.: Изд-во «Университетское». 1987. С.256
  102. Шипатов Э.Т.//Обратное рассеяние быстрых ионов. Теория, эксперимент, практика. Ростов-на-Дону: Изд-во Ростовского университета. 1988. С. 160
  103. Ziegler J.F.//The stopping power and ranges in all elements/ New York: Per-gamon Press. 1977. P.376
  104. Willuiams J.S., Mollier W.// On the determination of optimum depth resolution conditions for Reserford backscattering analysis/ Nucl. Instr. and Method. 1975.V.157. P.213−221
  105. Ю.Ю., Тимошников Ю. А., Чернов И. П. и др., Определение местоположения кислорода, имплантированного в решетку кремния// Физ. и техн. полупроводников. 1977. Т. П. Вып.7. С.1409−1411
  106. .И., Стародуб Г. Я., Чернов И. П., Ятис А.А., Анализ поверхностных слоев с помощью аномального рассеяния альфа-частиц// Атомная энергия. 1975. Т.35. Вып.4. С. 439−441
  107. Mezey G., Kotai Е., Revesz P. Et al. Enhanced sensitivity of oxygen detection of 3.045 MeV (a, a) elastic scattering and its applications //Acta Physica Hungaria.1985. V.85. № 1−2. P. 39−55
  108. В.М., Крючков Ю. Ю., Пичугин В. Ф., Сохорева В. В. и др., Определение состава ионно-имплантированных поверхностных слоев MgO методом резонансного обратного рассеяния ионов// Письма в ЖТФ. 1996 Т. 22. № 1. С.7−11.
  109. И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц// УФН. 1969. Т. 99.С.249−296.
  110. Bogh F. Defects studies in crystals by means of channeling //Can. Journ. Phys. 1968.V.46.P. 653−662
  111. Swanson M.L., Howe L.M. et al., Dechanneling by lattice defects// Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. l985.V.9B.P.184−196
  112. B.C., Андреева О. Д., Пузанов А. А. и др. Изучение влияния местоположения дефектов на расчеты профиля//Труды XII ВОФВЗЧК.М.: Изд-во МГУ. 1976. С.268−275
  113. Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark К// Stopping and ranges of ions in Matter // Pergamon Press, New York, 1985.
  114. Pichugin V.F., Frangulian T.S., Kruychkov Yu.Yu. et.al. Formation of Conductive Layers on Dielectric Substrates by Ion bombardment // Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. 1993. V.80/81. P. 1203−1206.
  115. Pichugin V.F., Feodorov A.N., Shmyrin A.Y. Effects of ion flows on structure and properties of certain inorganic dielectric// Phys. Res.- 1989.-V. 13. -P. 337−399.
  116. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М.: Мир, 1975. — 461 с.
  117. Chen Y, Williams R.T., Sibley W.A. Defect cluster centers in MgO // Phys. Rev. В 1969 — v.182, № 3 — p. 960−964.
  118. Henderson В., Wertz J.E. Defects in the alkaline earth oxides // Advances in Physics -1968 v. 70 — p. 749−855.
  119. Mallard W.C., Crawford J.V. Thermostimulated Conductivity on Trapping Centers in Irradiated MgO. J.Appl.Phys., 1972, V.43, № 5, P.2060−2066.
  120. A.M., Суржиков А. П., Лукьянова Т. А. Электропроводность облученных кристаллов окиси магния. Том. Политехи. Ин-т. Томск 1985. 7с. Деп ВИНИТИ № 5484−85 Деп.
  121. Perez A., Marest G., Sawicki J.A. et al. Iron-ion implantation effects in MgO crystals// Phys. Rev. B. -1983-v.28, № 3-P. 1227−1238.
  122. Henderson В., Wertz J.E., Defects in Alkaline Earth Oxides // Adv. Phys. -1968. -V.17, № 70. -P. 749−855
  123. A.C., Яэк И.В. Стабилизация радиационных анионных френке•>1левских дефектов в кристаллах MgO ионами Fe // ФТТ -1976. Т. 18. № 11. С.3522−3525.
  124. Henderson В., Garrison А.Н. Ion implantation in alkaline Earth Oxides//Phys. Stat. Sol. (B). 1982. V.113. P. 267−276.
  125. Ю.М., Притулов A.M. Образование F+ центров в кристаллах MgO при облучении протонами//ФТТ. 1981. Т.23. № 4. С. 1065−1068.
  126. А.А., Вырелкин В. П., Макаревская Е. В. Модификация ниобата лития под действием потоков ионов средних энергий//Тезисы докладов VI Всесоюзной конференции по физике диэлектриков. Томск, 1988, С.3−4.
  127. В.Ф., Франгульян Т. С., Тишкина В. А. и др. Формирование рези-стивных слоев в оксиде магния под действием ионного облучения// Рукопись деп. в ВИНИТИ, 19.11.91, № 4336 В91, 12 с.
  128. Sochea R.W., Dekker А.Ш., Strutz J.P./x-ray Color Centers in MgO//J. Phys. Chem. Sol. 1958. — v.5. -№ 1−2. P.22−25.
  129. To Kin Ching, Stonekem A.M., Henderson В./ E.S.R. Form a Vacancy Pair Center in MgO//Phys. Rev. 1969. v.181. № 3. P.1237−1240.1.-Л I л
  130. Modine F.A., Sonder E./ Weeks determination of the Fe and Fe concentration in MgO //J. Appl. Phys. 1977. — v.48. № 8.- P.3514−3518.
  131. Moncoffre N., Donnet C., Marest G., Tousset J./Characterization of polycrystal-line, а А120з implanted with zirconium, copper and iron.// Phys. Res. B. Akademie Verlag Berlin. 1990. v.13.- P.66−72.
  132. Ю.М., Франгульян T.C., Пичугин В. Ф., Тишкина В. А. Модифицирование проводимости кристаллов оксида магния ионными пучками, Физика и химия обраб. Материалов, -1994, № 6. -с.9−13
  133. В.Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков М.: Наука, 1978, 256 с.
  134. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979, 236с.
  135. В.П., Руфов Ю. Н., Александров И. В. и др. Кинетика и катализ, 1979, т.20, С.441−448.
  136. Технология ионного легирования /Под.ред. С. Намба- М.: Советское радио, 1974. -176 с.
  137. B.C. Новые профессии тяжелых ионов. М.: Атомиздат, 1977. -230 с.
  138. Sibley W.A., ChenY., Radiation Damage in MgO // Phys. Rev. 1967.-V.160, № 3. -P. 712−716.
  139. К., Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов М.: Атомиздат, 1979. -296 с.
  140. Sosche R.W., Dekker A.J., Strutz J.P., X-ray Color Centers in MgO // J. Phys. Chem. Sol. -1958. -v.5, № 1−2. -P. 23−33.
  141. Kappers I.A., Kroes R.L., Hensley, F+ and F Centers in Magnesium Oxide // Phys. Rev. B. -1970. -V.l, № 10, -P. 4151−4157
  142. Turner T. A., Study of the Effect of Deformation on Optical Absorption of MgO Single Crystals. //Phys. Stat. Sol. 1973. -V.58. -P.843−857
  143. Henderson В., Wertz J.E., Defects in Alkaline Earth Oxides // Adv. Phys. -1968. -V.17, № 70. -P. 749−855
  144. Moden F.A., Sonder E., Weeks R.A. Determination of the Fe+2 and Fe+3 concentration in MgO. //J. Appl. Phys. -1977. -V 48, № 8. -P.3514−3518
  145. Evans B.D. Spectral study of Ne-bombardment crystalline MgO. // Phys. Rev. B. -1974. -V.9, № 12. -P. 5222−5235
  146. A.C. Радиационные дефекты в кристаллах MgO, возникающие в результате рентгеновского облучения. // Труды ИФ АН ЭССР -1976. -Т. 46. -С. 101−120
  147. У. Структурные изменения в кристаллическом кварце при ионной имплантации. //ЖТФ -1984. т. 54, № 11. -С. 2222−2225
  148. Pichugin V.F., Feodorov A.N., Shmyrin A.I. Effects of Ion Flows on Structure and Properties of certain Inorganic Dielectrics. Physical Research. Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials. Akademie-Verlag Berlin, 1989, V. 13, P. 337−339.
  149. Mallard W.C., Crawford J.V. Thermostimulated Conductivity on Trapping Centers in Irradiated MgO. J.Appl.Phys., 1972, V.43, № 5, P.2060−2066.
  150. A.M., Суржиков А. П., Лукьянова Т. А. Электропроводность облученных кристаллов окиси магния. Том. Политехи. Ин-т. Томск 1985. 7с. Деп ВИНИТИ № 5484−85 Деп.
  151. В.Ф., Франгульян Т. С., Рябчиков А. И. и др. Электрическая проводимость диоксида циркония и ее изменение под действием ионного облучения. Физика и химия обраб. материалов, 1996, № 6, С. 17−22.
  152. A.B., Дравин В. А., Якимов А. И. Прыжковая проводимость в промежуточно легированных полупроводниках//Физика твердого тела Т.30. в.2. С.401−406. 1988
  153. A.B., Якимов А. И. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями//Журнал экспериментальной и теоретической физики. Т.95. в.1. С.159−168. 1989
  154. С. Физика ферритов и родственных им материалов. Т. 2. М.: Мир, 1972. 502 с.
  155. Ю.В., Морозов Е. М. Механика контактного разрушения. -М.: Наука, 1989.-216 с.
  156. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под. ред. Поута Дж.М. и др. М.: Машиностроение, 1987, 424 с.
  157. А.Н., Лигачев А. Е., Куракин И. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. М.: Энергоатомиз-дат, 1987,184с.
  158. А.П., Махлин H.A., Поляков В. А. Изменения в поверхностных слоях металлов при низкоэнергетическом облучении ионами активного газа// Физика и химия обработки материалов 1991.-№ 3.-С. 5−13.
  159. А.Ю., Регель В. Р., Скуратов Б. А., Михайлов Н. Ю. Радиационное упрочнение металлов, облученных тяжелыми ионами//ЖТФ., 1989,-Т.59, № 2. -С. 107−111.
  160. Ю.М., Пичугин В. Ф., Франгульян Т. С., Рябчиков А. И. Ионно-радиационное упрочнение кристаллов оксида магния//Письма в ЖТФ. Т. 18. № 6.1992
  161. В.Ф., Кожемякин В. А., Поверхностная проводимость ионно-легированных диэлектриков // Тезисы докладов конференции «Ионно-лучевая модификация материалов», Черноголовка, 1987. С. 169−170.
  162. В.П., Степанов В. П., Пичугин В. Ф. и др. // Способ изготовления пьезоэлектрических резонаторов/ А.С. СССР, № 1 628 823, приор. 15.10.1990
  163. В.Ф. Модификация свойств диэлектриков ионной имплантацией/
  164. Всесоюзная конференция «Модификация свойств конструкционных материалов пучками заряженных частиц» Томск 1988.Тез. Докл. часть III.С.46
  165. В.Ф., Федоров А. Н., Шмырин А. И. Модификация электрических свойств диэлектриков ионной имплантацией, Всесоюзная конференция «Ион-но-Лучевая модификация материалов», Каунас 1989.Тез. Докл.С.75.
  166. Pichugin V.F., Fedorov A.N., Shmyrin A.I.// Modification of Electrical Properties in Ion-Implanted Dielectrics, Sixth International School on Vacuum, Electron and Ion Technologies (VEIT'89), Varna, Bulgaria, 1989, Abstracts, P.7.13.
  167. В.Ф., Франгульян Т. С., Тишкина B.A., Горностаев А.Н., Возняк А.В.// Влияние термообработки на электрическую проводимость ионно-модифицированных слоев кварца, Деп. ВИНИТИ № 08−66/878, 26.07.1993.
  168. Jain Н./ Surface conduction of x-cut quartz, Surface Science 186.1987. P.256−266.
  169. Lazzari S., Martini M. et.al., DC and AC ionic conductivity in quartz: a new mechanism and a general assessment, Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res., B32. 1988. P. 299−302.
  170. Comer J.J., Bergeron C., Lowe L.F.// Ion damage in synthetic quartz, Mat. Res. Bull. V.8. 1973. P. 505−514. Pergamon Press.
  171. Makcaulay-Newcomber R.G., Thompson D.A. et.al., Ion-beam damage to quartz crystals, Nucl. Instr. And Methods in Phys. Res. B46. 1990. P.180−184/
  172. Khellafi M., Lang В., An AES study of damage induced by inert gas ions at Si02 surfaces: influence of gas mass and energy.
  173. Л.Й., Тамулевичус С. Й. и др.// Предпочтительное удаление кислорода из окисла кремния при облучении ионами высоких энергий / Материалы VIII Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом», Москва. 1987.Т.1. С.93−95.
  174. Л.Б., Тельковский В. Г., Федоров Ю.В.// Неупругие ионно-атомные взаимодействия и роль в распылении поверхности/ Материалы VIII Всесоюзной конференции «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом», Москва. Т.1. С.143−145.
  175. Гурвич A.M.// Введение в физическую химию кристаллофосфоров/ М.: Высшая школа. 1971. С. 336.
  176. В.П., Пащенко О. В. Математическая модель процессов переноса атомов в металлах при ионном облучении//ЖТФ.Т.61.вып.3.1991. С. 188 191.
  177. Schirmer O.F., Thiemann О. and Wohlecke М., Defects in LiNbCb-I. Experimental Aspects. J. Phys. Chem. Solids, 1991. Vol. 52. No. 1. P. 185−200.
  178. Jorgensen J. and Barlett R.W., J. Phys. Chem. Solids 30, 2639 (1969).
  179. Harrison W.A., Electronic structure and the properties of solids. W.H. Freeman & Co, San Francisco (1980).
  180. И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев C.A. Электронная структура глубоких центров в LiNb03 // ФТТ. 1998. Т40. № 6. С. 1109−1116
  181. Smyth D.M. Ferroelectrics 50, 93 (1983).
  182. Garcia-Cabanes A., Sanz-Garcia J.A., Cabrera J.M., et.all., Influence of stoichi-ometry on defect-related phenomena in LiNb03 // Phys. Rev. B. 1988. V.37. № 11. P.6085−6091
  183. И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Миронов С. П., Мигачев С. А., Термо- и фотоиндуцированные процессы в ниобате лития // ФТТ. 1990. Т32. № 6. С.1854−1859
  184. A.B., Пашков В. А. Дрейфовая подвижность электронов в кристаллах ниобата лития // ФТТ. 1986. Т.28. № 10. С. 3024−3027.
  185. JI.K., Гуенок Е. П., Кудзин А. Ю., и др. Стимулированная проводимость и оптическое поглощение в кристаллах ниобата лития // ФТТ. 1991. Т.33.№ 8. С.2465−2467.
  186. Nagels Р.// Hall Effect and its Application/ Ed. C.L. Chien and C.R. Westlake. Plenum Press, N.Y. (1980). P. 253
  187. Kim I.W., Park B.C., Jin B.M., et al., Characteristics of MgO -doped LiNb03 crystals, Material Letters 24 (1995), 157−160.
  188. Jin B.M., Bhalla A.S., Kim I.W., et al., Frequency Dependence of the Dielectric Properties in MgOiLiNbCb crystals, Ferroelectrics Letters, 1995. V.19. P.57−63.
  189. Jin B.M., Kim I.W., Ruyan Guo, et al., UV-VIS and IR Optical Absorption Properties in MgO-doped LiNb03 crystals, Ferroelectrics, 1997. V.196. P.305−308.
  190. И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Миронов С. П., Мигачев С. А., Низкотемпературная электропроводность кристаллов ниобата лития конгруэнтного состава// ФТТ. 1998. Т40. № 7. С. 1307−1309.
  191. Ю.С. Ниобат и танталат лития. Материалы для нелинейной оп-тики//М. 1975. С.224
  192. V. F. Pichugin, T.S. Frangulian, V.F. Stoliarenko, I.W. Kim*. Ion implantation in LiNb03 single crystals// Proceeding of The Second Russian-Korean International Symposium on Science and Technology. Tomsk. 1998.P.52−55.
  193. V. F. Pichugin, T.S. Frangulian, V.F. Stoliarenko, I.W. Kim*. Ion irradiation and reduction effects in LiNb03 single crystals// Proceeding of The Third Russian-Korean International Symposium on Science and Technology. Novosibirsk. 1999.P.549−552.
  194. П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков //М:. ВШ.1977. С. 448.
  195. Donnerberg H.J., Tomlinson S.M., Catlow C.R.A., Defects in LiNb03-II. Computer Simulation, J. Phys. Chem. Solids, 1991. Vol. 52. No. 1. P. 201−210.
  196. Prokhorov A.M. and Kuzminov Yu.S., Physics and Chemistry of Crystalline Lithium Niobate (Adam Hilger, 1990)
  197. В.Ю., Шайморданова JI.А., Ким И.В. Люминесценция кристаллов ниобата лития при импульсном электронном облучении// Материалы 10-й Международной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Томск, 1999. С. 180−182.
  198. А. Ионная проводимость кристаллов М., 1962. С.222
  199. Problems in Solid State Physics/ Editor H.J. Goldsmid Pion Limited. London. 1976. P.427
  200. В.В. Перескоковая проводимость малых поляронов с внутри-узельным притяжением (биполяроны)//ФТТ.Т.31, в.7. С.6−15. 1989
  201. Поляроны / Сб. Под ред. Фирсова Ю. А. М.: Мир. 1975
  202. В.Ф., Франгульян Т. С., Кульков С. Н., Саблина Т. Ю., Столяренко В. Ф. //Роль нестехиометрии состава поверхности циркониевой керамики в формировании проводящего состояния под действием ионного облучения// Деп. ВИНИТИ. 27.10.95. № 2873 -В95.
  203. Соединения переменного состава. Под.ред. Ормонта Б. Ф. JL: Изд-во Химия, 1969 г. 519 с.
  204. Р. В кн. Нестехиометрия, М.: Мир, 1974. 288 с.
  205. В.И., Калабухова В. Ф., Ломанова Е.Е, Осико В. В., Татаринцев В. М., Влияние примесей и условий отжига на оптические свойства монокристаллов Zr02 и НЮ2 //Изв. АН СССР, сер. Неорган, материалы 1977. Т.13, N2. С.2192−2196.
  206. П.Т., Электропроводность огнеупоров, М.: Металлургия, 1965. 151 с.
  207. О., Takeda Y., Kanno R., Kanno К., Kamiharai Т., /Electrical conductivity of polycrystalline tetragonal zircona Zr02-M203 (M=Sc, Y, Yb) // Journal of Materials Science Letters 1989. V.8. P. 198−200.
  208. А.И., Анцелевич H.C., /Электрические свойства твердых растворов Zr02 -MgO и гЮ2-СаО.//ЖФХ. 1953. Т.27, N7. С.973−978.
  209. В.П., Батыгов С. Х., Вышнякова И. П. и др., Переходы Со+23
  210. Со в кристаллах Zr02 -Y203 при отжиге в вакууме и на воздухе //ФТТ. 1987. Т.29, N11. С.3511−3513.
  211. Чеботин В.Н., Химическая диффузия в твердых телах. М: Наука.1989.С.206.
  212. B.C., Полежаев Ю. М., Еаприндашвили А. И., и др., Экзоэлектрон-ная эмиссия анионодефектной двуокиси циркония // Изв. АН СССР, сер. Неорган. Матер. 1975. T.11,N2. С.257−261.
  213. П.А., Кузнецов А. К., Келер А. К., Красильников И. Д., Электролитическое и высокотемпературное восстановление твердых растворов на основе Zr02 //ЖФХ. 1979. Т.48, N3. С.643−644
  214. О.Н., Грачева Т. А., Касаткин А. П. и др./ Ионно-лучевая модификация свойств приповерхностных слоев ZrixYx025 // Поверхность^!. 1997. С15−18
  215. О.Н., Грачева Т. А., Касаткин А. П. и др,/Свойства стабилизированных иттрием кристаллов диоксида циркония облученных ионами инертных газов// Высокочистые вещества. № 2. 1995. С.85−93.
  216. Ю.М., Пичугин В. Ф., Франгульян Т. С., Столяренко В.Ф./ Электропроводность корундо-циркониевой керамики и ее изменение под действием ионного облучения// Деп. в ВИНИТИ. 1996. №
  217. Duran P., Recio P., Iurado I.R. et.al./Y (Er)-doped tetragonal zirconia polycrys-talline solid electrolyte// J. of Mateer. Science. -1989. № 24. P. 717−721.
  218. Weller M., Schubert H./ Internal Friction, Dielectric Loss and Ionic Conductivity tetragonal Zr02−3Y203 (Y-TZP):// J. Am. Soc. 1986. № 6 7. P. 573−577.
  219. S. /Percolation and Conduction // Rev. Mod. Phys. 1973. V.45. № 4. P. 574−588.
  220. R. / The Electrical Resistance of Binary Metallic Mixtures. // J. Appl. Phys. 1952. V.52. № 7. P.779−784.
  221. И.М., Нижникова Г. П., Фарберович O.B. / Электронная структура и оптические свойства соединения Zr02 // ФТТ. 1990. Т.32. № 3. С. 929−931.
  222. Abramov V.N., Kuznetzov A.I./ Optical and Luminescent Properties of Oxides Me203 (Me=Al, Sc, Y). Abstr. Int. Symp. Russe. 1979. P.3−5.
  223. Ю.М., Пичугин В. Ф., Франгульян T.C., Тишкина В.А./Воздействие ионных потоков на электрофизические свойства некоторых электротехнических керамик//Деп. ВИНИТИ. 1992.№ 683-В92.28.02.92.
  224. Р. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой // М.: Мир. 1986. Т.2
  225. Г., Венер Г. Распыление многокомпонентных материалов. Проблемы прикладной физики //М.: Мир 1986.В.П.С.24.125.
  226. Л.П., Орешкин П. Т. Электропроводность и релаксационные процессы в окиси алюминия при высокой температуре//Известия Вузов, Физика. № 3. 1970. С.57−61.
  227. C.B., Стрелков К. К. Изменение координационного числа А13+ А120з// Тез. докл. Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах, Томск, 22−25 сентября 1998, С. 72−73.
  228. К.С., Торопов H.A. Химия кремния и физическая химия силикатов М.: Промстройиздат, 1950. С. 205.
  229. В.Ф., Соловьев Ю. А., Бежаев Ю. А. и др. Влияние ионного облучения на поверхностную проводимость стекла марки К-208//Деп. ВИНИ-ТИ.№ 3179-В92, 1992.
  230. В.Ф., Соловьев Ю. А., Франгульян Т. С. Действие ионного облучения на поверхностную проводимость стекла марки К-208//Физ. и химия обработки материалов № 5. 1993. 24−27.
  231. A.A., Слинкин А.А./Юрганические полупроводники, Изд. „Наука“, Москва 1970. С. 125.
  232. Н.А.Бах и др. „Электропроводность и парамагнетизм полимерных полупроводников“. Изд-во „Наука“, М., 1971.
  233. Н.А.Бах, А. В. Ванников „Органические полупроводники на основе полиэтилена“.
  234. M.L.Kaplan et al. „Carbon Films With High Conductivity“, Applied Physics Letters, Vol.36,p.p.867−869, 1980.
  235. Ю.М.Анненков, В. К. Биллер, В. Ф. Пичугин, В .А. Кожемякин, „Использование мощных электронных пучков для улучшения электрических свойств по-лиимида“, 4 Всесоюзная конференция по физике диэлектриков, Тезисы докладов, с. 124, Томск, 1988.
  236. А.П.Лучников, В. Ф. Пичугин, A.C.Сигов, А. П. Суржиков „Модификация полиимида электронной обработкой“ сб. Техника средств связи, вып.2, с.9−13, Москва 1990.
  237. Н.А.Адрова, Н. И. Бессонов, Л. А. Лайус, А. П. Рудаков, „Полиимиды-новый класс термостойких полимеров“ Л.,"Наука», 1968.,-258 с.
  238. Органические полупроводники. Под ред. Каргина В. А. «Наука», М., 1968.
  239. Радиационная стойкость органических материалов //правочник, Энерго-атомиздат, М., 1986.-347 с.
  240. Д.И.Вайсбурд, П. Д. Алексеев, Зависимость накопления F-центров в NaCl от интенсивности пучка протонов/ Изв. ВУЗов, Физика, № 11, с. 27, 1971
  241. Л.И.Трахтенберг, Г. М. Милых, Кинетика накопления свободных радикалов при облучении твердых тел, Химия высоких энергий, т. 17, № 6, 1983, с. 483
  242. В.М.Агранович, М. Д. Галанин, Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных средах, М., Наука, 1978, с. 321.
  243. Исследование эксплуатационных свойств радиационно-модифицированных полимерных материалов, Отчет по НИР. Томск, 1982.
  244. T.M.Skotheim, Handbook of conducting Polymers, Ed.M.Deccer N.Y., Basel, 1986. v. ll, p,1417
  245. H.B.Brown, Y. Tomkiewich, A. Aviram et. al, Sol. State Comm., 1980, v.35, N2, p.135.
  246. B.C. Воищев и др. «Электрические, фотополупроводниковые и парамагнитные свойства полипиромеллитимидов, ВМС, N4, с. 295−298,1974.
  247. B.C. Воищев и др. «Электропроводность, фотоэлектродвижущая сила и электронные спектры поглощения полипиромеллитимидной пленки», ВМС, т. 10, с.775−778,1973.
  248. B.C. Воищев и др. «Электрические свойства некоторых полипиро-меллитимидов», ВМС, N5, т. Б14, с. 361−364, 1973.
  249. В.В., Ляшкевич В. В., Родэ В. В. и др. Поведение полиимида на основе анилинфталеина и пиромеллитового диангидрида под действием у-излучения//Высокомол. соединения. Т.ХХИ. № 11. 1980.С.2559−2566.
  250. Т.А., Шукаев A.B., Тот А. И др. // Высокомол. соединения. Т.29.
  251. Ю.М., Пичугин В. Ф., Суржиков А. П. Влияние мощной имплантации на поверхностную проводимость органических диэлектриков // Ионно-лучевая модификация материалов. Черноголовка: ОИХФ АН СССР. 1987.-С.175
  252. А.Н., Грибанов A.B. и др. Электрофизические свойства пленок полиимида, подвергнутых ионной бомбаодировке//Физика твердого тела. 1989. № 1. С. 12.
  253. Патент США 4 511 445. Опубл. 1985.
  254. А.Е., Фель Я. А. О радиусе локализации электронов в органических материалах//ФТТ. Т.31. в.31.№ 1. 1989.
  255. Д., Таннехилл Дж., Плетчер Р. // Вычислительная гидромеханика и теплообмен. Т. 1.1982 С. 291.
  256. Ю.П., Ганин Е.А.//Контактное термическое сопротивление. М:. «Энергия». 1977.С.328
  257. Дж. Блэкмор Статистика электронов в полупроводниках Мир М:.1964 С.273
  258. Дж. Займан, Модели беспорядка. Теоретическая физика однородно неупорядоченных систем. Мир. М:.1982 С.591
  259. А.А.Соколов, Ю. М. Лоскутов, И. М. Тернов, Квантовая механика, «Просвя-щение». Москва. 1965. С. 638.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!