Распыление твердых тел ионами инертных и химически активных газов при фазовых превращениях
Диссертация
Изучено распыление 4 f-nep входного металла — гадолиния в области магнитного фазового перехода. Установлено, что при переходе в парамагнитное состояние коэффициент распыления Gd увеличивается на 1015%. Для монокристаллического образца обнаружен узкий максимум температурной зависимости коэффициента распыления (У) в окрестности точки Кюри, более, чем в два раза, превосходящий значение… Читать ещё >
Список литературы
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша -М.Мир. 1984, т.1,-336 с.
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Р. Бериша Р.-М.:Мир, 1986, т.2.-484 с.
- Евдокимов И.Н., Молчанов В. А., Одинцов Ф. Д., Чичеров В. М. Влияние тепловых колебаний кристаллической решетки на анизотропию коэффициентов распыления и ионно-электронной эмиссии монокристаллов. ДАН СССР, 1967, т.177, с. 550−556.
- Мартыненко Ю.В. Об угловых зависимостях распыления и ионно-электронной эмиссии монокристаллов. Изв. АН СССР сер. физ., 1966, т. 30, с. 1974−1982.
- Пугачева Т.С., Сафарбаев И. Влияние температуры на распределение по длинам цепочек коррелированных столкновений, возникающих в каскадах при облучении кристаллов меди. ФТТ, 1967, т. 9, с. 659−661.
- Юрасова В.Е., Черныш B.C., Кувакин М. В., Шелякин Л. Б. Изменение распыления монокристалла никеля при переходе через температуру Кюри. -Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, с. 197−199.
- Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Sputtering and secondary ion emission of ferromagnetics near Curie point. In: Contr. Papers «Physics of ionized gazes», Dubrovnic, 1976, p. 245−246.
- Черныш B.C. Температурные эффекты при взаимодействии ионных пучков с монокристаллами.-Дисс. канд. физ.-мат. наук Москва, 1975.-156 с.
- Dziurda W., Gabla L., Pedris R., Tuleta M. Phase transition on Ni (111) surface in presence of oxygenous environment. Surf. Sci., 1981, v. 105, p. L277-L280.
- Новикова С.И. Термическое расширение твердых тел. -М.:Наука, 1974. -291с.
- Белов К.П. Упругие, тепловые и электрические явления в ферромагнитных материалах. М.: ГИТ Л, 1951. — 279 с.
- Alers G.A., Neighbours J.R., Sato Н. Temperature dependent magnetic contributions to the high field elastic constants of Ni and Fe-Ni alloy. J. Phys. Chem. Solids, 1960, v. 13, p. 40−44.
- Girifalco H., Weizer V.G. Application of the potential function to cubic metals. Phys. Rev., 1959, v. 114, p. 687−690.
- Кувакин M.B., Лусников A.B. Взаимодействие двух атомов никеля с различными ориентациями спинов. Матер. V Всесоюзн. конф. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом Минск, 1978, т. 3, с. 3639.
- Кувакин М.В. некоторые задачи теории распыления. Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Москва, 1979. — 147 с.
- Sigmund P. Collision theory of displacement damage, ion range and sputtering. Rev.Roum.Phys., 1972, v. 17, p. 823−1105.
- Кувакин M.B., Лусников A.B. Приближенный метод в классической теории рассеяния для степенных потенциалов. Письма в ЖТФ, 1979, т. 5, с. 179−182.
- Jackson D.P. Binding energies in cubic metal surfaces. Rad. Effects, 1973, v.18. p. 185−189.
- Гарбер В.И., Федоренко A.M. Фокусировка атомных столкновений в кристаллах. УФН, 1961, т. 83, с. 385−432.
- Кувакин М.В., Харламочкин Е. С., Юрасова В. Е. Расчет распыления по фокусонной модели. ФТТ, 1978, т.20, с. 2055−2061.
- Родионов Ю.Л., Исфиндияров Г. Г., Сарсенбин А. И. Упорядочение железо-никелевых сплавов. ФММ, 1979, т. 48, с. 979−985.
- Меньшиков А.З., Шестаков В. А. Магнитные неоднородности в инварных железо-никелевых сплавах. ФММ, 1977, т. 43, с. 722−733.
- Меньшиков А.З., Шестаков В. А., Сидородов С. К. Критическое рассеяние нейтронов в инварных железо-никелевых сплавах. ЖЭТФ, 1976, т. 70, с. 163−171.
- Уманский СЛ., Скаков Ю. А. Физика металлов. М.: Атомиздат, 1978. -352 с.
- Chernysh V.S., Johansen A., Sarholt-KristensenL. Sputtering yield measurements on h.c.p.and f.c.c. cobalt. Rad.Eff. Lett., 1980, v. 57, p. 119−124.
- Йохансен А., Йохансен Э., Сахольт-Кристенсен Л., Черныш B.C. Исследование распыления монокристалла кобальта. Матер. VI Всесозн. конф. „Взаимодействие атомных частиц с твердым телом'1, Минск, 1981, т. 1, с. 143−148.
- Onderdelinden D. Single crystal sputtering including the channeling phenomenon. Can. J. Phys., 1968, v. 46, p. 739−745.
- Черепин B.T. Ионный зонд. Киев: Наукова думка, 1981. — 328 с.
- Васильев М.А., Иващенко Ю. Н., Черепин В. Т. Влияние температуры металлической мишени на вторичную ионно-ионную эмиссию. Тез.докл. XV Всесозн. конф. по эмиссионной электр., Киев, 1973, т. 2, с. 170−172.
- Абакумов А.И., Васильев М. А., Косячков А. А., Кувакин М. В., Черепин В. Т., Черныш B.C., Юрасова В. Е. Изменение вторичной ионной эмиссии при переходе через точку Кюри. Письма в ЖТФД975, т. 1, с.945−948.
- Абакумов А.И., Васильев М. А., Косячков А. А., Кувакин М. В., Черепин В. Т., Черныш B.C., Юрасова В. Е. Вторичная ионная эмиссия металлов при фазовых переходах второго рода. Сб. докл. XVI Всес. конф. по эмиссионной электронике, Махачкала, 1976, ч.2, с. 201.
- Chernysh V.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Sputtering and secondary ion emission of ferromagnetics near Curie point. Proc. of the VIII Intern. Symp. Physics of Ionized Gases, Dubrovnuk, 1976, p. 245.
- Honda F., Fucuda V., Ni S.S., Rabalais J.W. Temperature dependence of positive secondary ion yields from Fe, Co, Ni, Cu and Oio.sNio.s- Appl. Surf. Sci., 1980, v. 6, p. 170−172.236 .
- Betz G. Alloy sputtering. Surf. Sci., 1980, v. 92, p. 283−309.
- Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники. Микроэлектроника, 1999, т. 28, с. 415−426.
- Амиров И.И. Ионно-химическое травление окиси кремния в многокомпонентной плазме. Матер. 13 Межд. конф. ВИП, Москва, 1997, т. 2, с. 149- 152.
- Economou D.J. Modelling and simulation of plasma etching reactors for microelecntronics. Thin Sol. Films, 2000, v. 365, p. 348−367.
- Samukawa S. Development of high-density plasma reactor for high-performance processing and future prospects. Appl. Surf. Sci., 2002, v. 192, p. 216−243.
- Eggenstein F., Senf F., Zeeschke Т., Gudat W. Cleaning of contaminated XUV-optics of BESSY II. -NIMA, 2001, v. 467, p. 325−328
- Hu J.S., Li J.G., Wang X.M. Oxygen glow discharge experiment to remove deposited layers and release trapped hydrogen isotopes in HT-7 superconducting tokamak. J. Nucl. Mater., 2006, v. 350, p. 9−18.
- Акишин А.И., Виргильев Ю. С., Черник B.H. Эрозия углеродных материалов различной структуры и состава в потоках кислородной плазмы. -Изв. РАН, сер. физ., 2002, т. 66, с. 605−609.
- Акишин А.И., Виргильев Ю. С., Черник В. Н. Эрозия углеситала в потоках кислородной плазмы при высоких температурах. Изв. РАН, сер. физ., 2004, т. 68, с. 437−439.
- Hopf С., Schluter., Jacob W. Chemicfl sputtering of carbon films by argon ions and molecular oxygen at cryogenic temperatures. Appl. Phys. Letters, 2007, v. 90, p. 224 106−224 109.
- Wilson R.G., Stevie F.A., Magtt C.W. Secondary Ion Mass Spectrometry. -New York, John Wiley& Sons, 1989. 852 p.
- Смирнов В.К. Ионно- электронно-зондовый анализ структур СБИС. -Дисс. докт. физ.-мат. наук. Ярославль, 1995. — 315 с.
- Tsunoyama К., Suzuki Т., Ohashi Y., Kishidaka H. Sputteing of mttals with 20 keV 02+ characteristic etch patterns and spttered atom yields. Surf. Interf. Anal., 1980, v. 2, p. 212−216.
- Wittmaack K., Poker D.B. Interface broadening in sputer depth profiling through alternating layers of isotopically purified silicon. 1. Experimental results. -NIMB, 1990, v. 47, p. 224−235.
- Kilner J.A., Chater R.J., Hemment P.L.F., Peart R.F., Reeson K.J., Arrowsmith R.P., Davis J.R. SIMS analysis of buried silicon nitride layers formed by high dose implantation of 14N and 15N. NIMB, 1986, v. 15, p. 214−217.
- Reuter W. A SIMS -XPS study on silicon and germanium under 02+ bombardment. NIMB, 1986, v. 15, p. 173−175.
- Wittmaack K. The effect of the anglt of incidence on secondary ion yields of oxygen-bombarded solids. -NIM, 1983, v. 218, p. 307−311.
- Homma Y., .Maruo T. Comparison of beam-induced profile broadening effects of galium and copper in oxygen-bombarded silicon. Surf. Interf. Anal., 1989, v. 14, p. 725−729.
- Beyer G.P., Patel S.B., Kilner J.A. A SIMS study of the altered layer in Si1 ftusing 02 primaries at various angles of incidence. NIMB, 1994, v. 85, p. 370 373.
- Petravic M., Williams J.S., Svenson B.G., Conway M. Ion beam indused nitridation and oxidation of silicon. Proc. of 11 Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS XI / Eds. G. Gillen et.al., Chichester: Wiley, 1998, p. 331−334.
- Шелякин Л.Б., Шульце Р.-Д. Г., Юрасова В. Е. Некоторые особенности формирования поверхностной структуры монокристаллов при ионной бомбардировке. Физика плазмы, 1975, т. 1, с. 488−495.
- Carter G., Nobes M.J., Whitton J.L., Tanovic L., Williams J.S. Experimental and theoretical studies of bombardment induced surface changes. Proc. VII Intern. Conf. on Atomic collisions in solids, Moscow, 1977, p. 178−182.
- Stevie F.A., Kahora P.M., Simons D.S., Chi P. Secondary ion yield changes in Si and GaAs due topography changes during 02+ or Cs+ ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A7, p. 76−80.
- Смирнов B.K., Курбатов Д. А., Потапов E.B., Жохов А. В. Локализованные по глубине изменения вторично-ионной эмиссии кремния при бомбардировке поверхности ионами N2+. Поверхность, 1993, № 10, с. 65−73.
- Smirnov V.K., Kibalov D.S., Krivelevich S.A., Lepshin P.A., Potapov E.V., Yankov R.A., Skorupa W., Makarov V.V., Danilin A.B. Wave-ordered structures formed on SOI wafers by reactive ion beams.- NIMB, 1999, v. 147, p. 310−315.
- Carter G. The physics and applications of ion beam erosion. J. Phys. D: Appl. Phys., 2001, v. 34, p. R1-R22.
- MakeevM.A., Cuerno R., Barabasi A.-L. Morphology of ion-sputtered surfaces. NIMB, 2002, v. 197, p. 185−227.
- Karen A., Okuno K., Soeda F., Ishitani A. A study of secondary ion yield change on the GaAs surface caused by the 02+ ion beam induced rippling. — J. Vac. Sci. Technol., 1991, v. A9, p. 2247−2252.
- Wittmaack K. Effect of surface roughening on secondary ion yields and erosion rates of silicon to oblique oxygen bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1990, v. A8, p. 2246−2250.
- Wittmaack K. Artifacts in low-energy depth profiling using oxygen primary ion beam. Dependence on impact angle and oxygen flooding conditions. J. Vac. Sci. Technol., 1998, v. B16, p. 2776−2784.
- Vajo J.J., Doty R.E., Cirlin E.H. Influence of 02+ energy, flux and fluency on the formation and growth of sputtering-induced ripple topography on silicon. J. Vac. Sci. Technol., 1996, v. A14, p. 2709−2720.
- Смирнов В.К., Лепшин П. А., Кривелевич С. А., Кибалов Д. С. Зависимость процесса рельефообразования при бомбардировке кремния ионами азота от энергии и угла бомбардировки. неорганические материалы, 1998, т. 34, с. 1081−1084.
- Лепшин П.А. Исследование закономерностей формирования волнообразных микро- и наноструктур ионными пучками на поверхности кремния. Дисс. канд. физ.-мат. наук. — Ярославль, 1999. — 150 с.
- Chini .К., Sanyal М.К., Bhattacharyya S.R. Energy dependent wavelength of the ion-induced nanoscale ripple. Phys. Rev., 2002, v. B66, p. 153 404−1-4.
- Carter G., Vishnyakov V. Ne+ and Ar+ ion bombardment induced topography on Si. Surf. Interf. Anal., 1995, v. 78, p. 514−520.
- Carter G., Vishnyakov V.M., Martynenko Yu.V., Nobes M.J. The effects of ijn species and target temperature on topography development on ion bombarded Si. J Appl. Phys., 1995, v. 78, p. 3559−3565.
- Carter G., Vishnyakov V.M., Nobes M.J. Ripple topography development on ion bombarded Si. NIMB, 1996, v. 115, p. 440−445.
- Кривелевич C.A., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Смирнов В. К. Влияние температуры на структуру поверхности при взаимодействии ионных пучков. ФХОМ, 1998, № 2, с. 27−32.
- Elst К., Vandervorst W. Influence of the composition of the altered layer on the ripple formation. J/ Vac/ Sci. Technol., 1994, v. A12, p. 3205−3216.
- Elst K. The analysis of Si-based structures with ion mass spectrometry. Physical aspects related to the use of oxygen bombardment. Ph.D. Thesis, Antwerpen, Belgium, 1993.- 273 p.
- Vishnyakov V.M., Carter G., Goddard D.T., Nobes M.J. Topography development on selected inert gas and self -ion bombarded Si. Vacuum, 1995, v. 46, p. 637−643.
- Mayer T.M., Chason E., Howard A.J. Roughening instability and ion-induced viscous relaxation on Si02 surfaces. J. Appl. Phys., 1994, v. 76, p. 1633−1643.
- Chason E., Chan W.L. Kinetic mechanism in ion-induced ripple formation on Cu (001) surfaces. -NIMB, 2006, v. 242, p. 232−236.
- Rusponi S., Boragno C., Valbusa U. Ripple structure on metal surfaces induced by ion sputtering. Phys. Low-Dim. Struct., 1998, v. 11/12, p.55−64.
- Андрианова H.H., Борисов A.M., Машкова E.C, Немов A.C. Исследование рельефа, развивающегося на поверхности поликристаллической меди при высокодозном распылении ионами аргона. -Поверхность, 2005, № 3, с. 73−82.
- Sigmund Р. J. Mater. Sci., 1973, v. 8, p. 1545.
- Курант P. Уравнения с частными производными. М.: Мир, 1964. — 830 с.
- Bradley R.M., Harper J.M.E. Theory of ripple topography induced by ion bombardment. J. Vac. Sci. Technol., 1988, v. A6, p. 2390−2395.
- Makeev M.A., Barabasi A.-L. Ion-induced diffusion in ion sputtering. Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, p. 2800−2804.
- Carter G. The effect of surface height derivative processes on ion bombardment induced ripple formation. Phys. Rev., 1999, v. B59, p. 1669−1672.
- Carter G. Viscoelastic relaxation and sputter-depth profiling of amorphous materials. SIA, 1997, v. 25, p.36−40.
- Volkert C.A. Density changes and viscous flow during structural relaxation of amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1993, v. 74, p. 7107−7113.
- Rudy A.S., Smirnov V.K. A model of wave-like structures formed by ion sputtering of amorphous materials. Physica Status Solidi (b), 1999, v. 213, p. Rl-R2.
- Белов К. П“ Белянчикова M.A., Левитин Р. З., Никитин C.A. Редкоземельные ферро- и антиферромагнетики. -М.: Наука, 1965. 319 с.
- Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968. -240 с.
- Andersen Н.Н., Bay H.L. Sputtering yield measurements. Institute of Physics of Aarhus. 1980.-148 p.
- Евдокимов C.A., Поп C.C., Дробнич В. Г., Запесочный И. П. Контроль покрытий мишеней адсорбатами в экспериментах по ионно-фотоннойэмиссии. Тез. Докладов Всесоюзного семинара „Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия“, Харьков, 1980, с. 98−100.
- Veisfeld N., Geller J.D. Ion sputtering yields measurements for submicrometer thin films. J. Vac. Sci. Technol. A, 1988, v. 6, p. 2077−2081.
- Бачурин В. И, Гаврилов Э. Л., Никитин A.M. Установка для исследования распыленных частиц методом масс-спектрометрии. Матер. 11 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 1993, т.1, с.153−155.
- Lipinsky D., Jede R., Ganshow О., Bennighoven A. Performance of a new optics for quasisimultaneous secondary ion, secondary neutral and residual gas mass specnrometry. J. Vac. Sci. Technol., 1985, v. A3, p. 2007−2017.
- Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS depth profiling of delta doped layers in silicon. Surf. Interf. Anal., 1996, v. 7, p. 523 535.
- Colligon J.S., Farrel G., Bachurin V.I., Yurasova V.E. RBS/Ion implanter facility for in-situ ion-surface studies. Radiat. Eff., 1996, v. 138, p. 195−202.
- Бандурин Ю. А. Бачурин В.И., Дробнич В. Г., Поп С.С., Черныш B.C., Юрасова В. Е. Ионно-фотонная эмиссия кобальта при полиморфном превращении. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, вып. 12, с. 760−763.
- Bandurin Y.A., Drobnich V.G., Pop S.S., Chernysh V.S., Yurasova V.E. Ion-photon emission of Co during polimorthic transition. Proceeding of X Vacuum Congress, Madrid, 1983, p. 73 -74.
- Alsen Z.R., Lee B.W., Ignatiev A., Van Hove M.A. The state of the surface martensitically transforming cobalt single crystals. Solid State Commun., 1978, v. 25, p. 641−644.
- Thomas G: E. Bombardment-induced light emission.- Surf. Sci., 1979, v. 90, p. 381−416.
- Dzioba S., Kelly K. On the kinetic energies of sputtered excited particles. -Surf. Sci., 1980, v. 100, p. 119−134.
- Бачурин В.И., Журавский В. Е., Харламочкин Е. С., Юрасова В. Е. Распыление гадолиния в ферромагнитном и парамагнитном состоянии. -Письма в ЖТФ, 1981, т.7, с. 730−733.
- Bachurin V.I., Kharlamochkin E.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Temperature dependence of the sputtering of gadolinium in magnetic phase transition. In: Phenomena in ionized gases: Contr. Papers XVI ICPIG, Minsk, 1981, v. 1, p. 465−466.
- Bachurin V.I., Kharlamochkin E.S., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Temperature dependence of the sputtering of some rareearth metals. Resumes of Int. conf. „Collizuions Atomiques daus les Solides“, Lyon, 1981, p. 79.
- Тейлор К., Дарби M. Физика редкоземельных элементов. М.: Мир, 1974. .374 с.
- Robinson М.Т., Southern A.L. Sputtering experiments with 1 to 5 keV Ar+ ions. Monocrystall targets of the hexagonal metals Mg, Zn, Zr, Cd. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 3463−3475.
- Lechman C., Sigmund P. On the mechanism of sputtering. Phys. Rev. Letters, 1977, v. 39, p. 1636−1639.
- Sales B.C., Cabera A.L., Maple M.B. Oxidation of nicel in the vicinity of its Curie temperature. Solid State Commun., 1979, v. 30, p. 119−124.
- Sales B.C., Cabera A.L., Maple M.VB. Oxidation of iron in the vicinity of its Curie temperature. Solid State Commun., 1979, v. 30, p. 119−124.
- Mehta R.S., Dresselhause M.S. Magnetic phase dependence of nicel-CO reaction. Phys. Rev. Letters, 1979, v. 43, p. 970−973.
- Sales B.C., Turner J.E., Maple M.B. Sublimation rate of cobalt near its Curie temperature. Phys. Rev. Letters, 1980, v. 44, p. 586−590.
- Вонсовский C.B. Магнетизм. M.: Наука, 1971. — 1032 с.
- Кувакин M.B., Харламочкин Е. С., Бачурин В. И. Изменение межатомного потенциала взаимодействия в гадолинии при магнитном фазовом переходе. Поверхность, 1982, № 3, с. 89−92.
- Erginsoy С., Vineyard G.H., Englert A. Dynamics of radiation damage in body-centered cubic lattice. Phys. Rev., 1964, v. 133, p. 595−606.
- Ruderman M.A., Kittel C. Inderect exchange coupling of nuclear magnetic moments by conduction electrons. Phys. Rev., 1954, v. 96, p. 99−102.
- Kasuya T. A theory of metallic ferro- and antiferromagnetism. Progr. Theor. Phys. (Kyoto). 1956, v. 16, p. 45−57.
- Yosida K. Magnetic properties of Cu-Mn alloys. Phys. Rev., 1957, v. 106, p. 893−898.
- Мосунов A.C., Промахов A.A., Юрасова B.E. Влияние потенциала взаимодействия на распыление ферромагнетиков. Известия РАН, сер. физ., 1998, т. 62, с. 1437−1440.
- Yurasova V.E. Emission of secondary particles during ion bombardment of metals in the phase transition region-part 1. Sputtering. Vacuum, 1983, v.33, p. 565−578.
- Dresselhaus M.S. New morphological transition at Curie temperature. -Nature, 1981, v. 292, p. 196−197.
- Thapliyal H.V., Blakely J.M. Reconstruction of stepped nicel surfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1978, v. 15, p. 600−605.
- Hamilton J.C., Jach T. Structural phase transitions in nicel at the Curie temperature. Phys. Rev. Letters, 1981, v. 46, p. 745−748.
- Mosunov A.S., Ivanenko O.P., Kuvakin M.V., Yurasova V.E. Computer simulation of surface reconstruction and relaxation of Ni single crystal faces in ferro- and paramagnetic states. Vacuum, 1992, v. 43, p. 785−789.
- Евдокимов И.Н. Влияние адсорбции кислорода на закономерности рассеяния ионов кристаллом никеля (110). Тез. Докл. Всесоюзн. семинара „Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия“, Харьков, 1980, с. 166−168.
- Евдокимов И.Н. Рассеяние ионов поверхностью монокристалла никеля вблизи точки Кюри. Письма в ЖТФ, 1980, вып. 3, с. 186−189.
- Кондратьев В.В., Пущин В. Г., Романова P.P., Тяпкин Ю. Д., Юрчиков Ю. Ю. Исследования структуры у и а-фаз в сплавах Fe-Ni вблизи точки мартенситного превращения. ФММ, 1978, т. 45, с. 771−782.
- Кондратьев В.В., Пущин В. Г., Романова P.P., Тяпкин Ю. Д., Юрчиков Ю. Ю. О динамическом и квазистатическом характере смещений атомов. -ФММ, 1978, т. 45, с. 1009−1014.
- Девятко Ю.Н., Маклецов А. А., Пивоваров А. Н., Троян В. И. Вклад локального разогрева в процессы распыления магнитных материалов вблизи точки Кюри. Изв. РАН, сер.физ., 1996, т. 60, с. 177−183.
- Devyatko Yu.N., Rogozhkin S.V. Theoretical aspects of magnetic materials near theCurie point. Vacuum, 2002, v. 66, p. 123−132.
- Акимов Д.Я., Шелякин Л. Б., Юрасова В. Е. Пространственной распределение распыленных частиц при магнитном фазовом переходе монокристалла никеля. Известия РАН сер. физ., 1995, т.59, с. 181−187.
- Yurasova V.E., Shelyakin L.B., Akimov D.Ya., Mosunov A.S., Colligon J.S. Anomalous sputtering of single crystal Ni in close-packed directions at the Curie point. Rad. Eff. & Defects in Solids, 1997, v. 140, p. 11−118.
- Бачурин В.И., Черныш B.C., Ширков A.B., Шмелев А. Ю. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля, кобальта, инвара. Поверхность, 1982, № 6, с. 70−75.
- Bachurin V.I., Mosunov A.S., Yurasova V.E. Temperature dependence of ion-induced emission from nicel. Abstr. of 2 Int.conf."On Inelastic Ion-Surface Collisions, Wangerooge (Germany)», 1996, p. 5.
- Бачурин В.И., Миннебаев К. Ф., Насретдинов А. А. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля. Матер. 16 Межд. конф. ВИП, Москва, 2003, т. 1, с. 339−342.
- Бачурин В.И., Миннебаев К. Ф., Насретдинов А. А. Температурная зависимость вторичной ионной эмиссии никеля. Известия РАН, сер. физ. 2004, т.68, с.390- 392.
- Сошка М., Сошка В. Ионно-электронная эмиссия с поверхности магнитных сплавов. Матер. VI Всесоюзн. конф. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом», Минск, 1981, т. 1, с. 202−206.
- Adamov G.V., Bukhanov V.M., Colligon J.S., Minnebaev K.F., Nasretdinov A.A., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Zykova E.Yu. Secondary ion emission of Fe-Ni alloys in temperature range including the Curie point. Vacuum, 2004, v. 73, p. 47−52.
- Уманский СЛ., Скаков Ю. А., Физика металлов. М.: Атомиздат, 1978. -352 с.
- Коробейников В. П" Пузанов А. А" Багаев В. Н" Пьянков Б. Н. Исследование мартенситного превращения в кобальте с использованием эффекта теней при обратном рассеянии ускоренных ионов. ФММ, 1980, т. 50, с. 430−434.
- Alsen Z.R., Lee B.W., IgnatievA., Van Hove M.A. The state of the surface of martensitically transforming cobalt single crystals. Solid Staye Commun., 1978, v. 25, p. 641−644.
- Уразгильдин И.Ф. Вторичная ионная эмиссия при распылении твердых тел. Изв. РАН. сер. физ., 1996, т. 60, с. 44−50.
- Comsa G., Gelberg A., Josifescu В. Temperature dependence of the work function of metals (Mo, Ni). Phys. Rev., 1961, v. 122, p. 1091−1100.
- Christman K., Ertl H., Schober O. Temperature dependence of the work function of nicel. Z. Naturf., 1974, v. 29A, p. 1516−1517.
- Blaise G, Slodzian G. Influence des processus d’echange electronique atome-metal sur la production des ions secondaries lents. Rev. Phys. Appl., 1973, v. 8, p. 247−254.
- Blaise G, Slodzian G. Evolution des rendements de Г emission ionique des alligas avec la nature de solute. J. Physique, 1973, v. 35, p. 237−254.
- Пономарев B.K., Тиссен В. Г. Намагниченность никеля в поле от 320 кЭ при температурах до 700 К. ЖТФ, 1977, т. 73, с. 332−341.
- Chatterjee В. Effect of the Curie temperature on thin film oxidation. Thin Solid Films, 1977, v. 41, p. 227−233.
- Schroeer J.M., Rhodin T.N., Bradley R.C. A quantum mechanical model for the ionization and excitation of atoms during sputtering. Surf. Sci., 1973, v. 34, p. 571−580.
- Gries W.H. A formula for the secondary ion field fraction emitted through an energy window. Int. J. Mass Spectrom. Ion Phys., 1975, v. 17, p. 77−88.
- Андреев A.A. Дисс. канд. физ.-мат. наук-Москва, 1984. — 156 с.
- Chattopahyay В., Measor J.L. Initial oxidation of cobalt. J. Mater. Sci., 1969, v. 4, p. 457−460.
- Тонков Е.Ю. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении.-М.: Наука, 1979. 198 с.
- Абраменко В.А., Дубский Г. А., Рожков A.M., Шелякин Л. Б., Юрасова В. Е. Вторичная ионная эмиссия Со при полиморфном превращении. -Поверхность, 1984, № 9, с. 50−52.
- Abramenko V.A., Andreev А.А., Dubsky G.A., Kuvakin M.V., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Motaweh H.A. Ion-induced emission of nicel under magnetic phase transition. NIMB, 1986, v. 13, p. 609−613.
- Adamov G.V., Bukhanov V.M., Colligon J.S., Minnebaev K.F., Nasretdinov A.A., Shelyakin L.B., Yurasova V.E., Zykova E.Yu. Secondary ion emission of Fe-Ni alloys in temperature range including the Curie point. Vacuum, 2004, v. 73, p. 47−52.
- Yurasova V.E. Ion-induced emission from magnetic materials near phasw transition temperature. In book: Interaction of charged particles wit solids and surfaces. — New York: Plenum Press, 1991, p. 504−513.
- Кувакин M.B., Юрасова B.E., Мотавех X. Оценка радиуса корреляции флуктуаций намагниченности по коэффициенту распыления магнетиков. -Матер. VIII Межд. конф. ВИП, Москва, 1987, т. 1, с. 101−103.
- Elovikov S. S, Sushkova J.V., Tazhieva G.R., Bachurin V.I. Auger-electron emission from nickel under magnetic phase transition. Abstr. of 13 Int. Vacuum Congress, Yokohama (Japan), 1995, AS-TuP-35 .
- Быковский Ю.А., Неволин B.H., Фоминский В. Ю. Ионная и лазерная имплантация. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 240 с.
- Павлов П.В., Тетельбаум Д. И., Павлов А. В., Зорин Е. И. Структурные превращения при бомбардировке железа, никеля и молибдена ионами Аг+, 1ST С+. Докл. АН СССР, 1974, т. 217, с. 330−332.
- Павлов П.В., Сидоров В. А., Тетельбаум Д. И. Исследование структуры, состава и гальваномагнитных свойств пленок никеля, подвергнутых ионной имплантации. Поверхность, 1984, № 10, с. 128−130.
- Жигалов B.C., Фролов Г. И., Мягков В. Г., Жарков С. М., Бондаренко Г. В. Исследование нанокристаллических пленок никеля, осажденных в атмосфере азота. ЖТФ, 1998, т. 68, № 9, с. 136−138.
- Vishnyakov V.M., Bachurin V.I., Minnebaev K.F., Valizadeh R, Teer D.J., Colligon J.S., Vishnyakov V.V., Yurasova V.E. Ion assisted deposition of titanium chromium nitride. Thin Sol. Films, 2006, v. 497, p. 189−195.
- Гольдшмидт Дж. Сплавы внедрения. -М.: Мир, 1971, вып.1. 424 с.
- Самсонов Г. В. Нитриды. Киев: Наукова думка, 1969. — 290 с.
- Grunze M.J., Fuhler J., Neumann M., Brundle C.R., Auerbach D.J., Behm J. A search for precursor states to molecular nitrogen chemisorption on Ni (100), Re (0001) and W (100) surfaces at 20K. Surf. Sci., 1984, v. 139, p. 109−120.
- Уразгильдин И. Ф, Влияние адсорбированных элементов на вторичную ионную эмиссию металла. Письма в ЖЭТФ, 1992, т. 56, с 169−173.
- Бачурин В.И., Левин В. Л., Мордвинцев В. М., Симакин С. Г., Смирнов В. К. Исследование слоистых магнитных пленок методом ВИМС и ЭОС. -Тез. докл. Всесоюзн. семинара «Диагностика поверхности ионными пучками», Одесса, 1990, с. 153−154.
- Simakin S.G., Smirnov V.K. N2+ primary ion beam in negative SIMS depth profiling. Proc. of 8 Intern. Conf. on Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VIII / Eds. Bennighoven A. et.al., Chichester: Wiley, 1992, p. 491−494.
- Yamada R., NakamuKa K., Saidoh M. Chemical sputtering yields of titanim carbides.- J. Nucl. Mater., 1982, v. 111/112, p. 744- 749.
- Бачурин В.И., Смирнов B.K. Исследование распыления диоксида кремния ионами азота и аргона. Матер. 15 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2001, т.1,с. 93 -96.
- Бачурин В.И., Кривелевич С. А., Потапов Е. В. Исследование взаимодействия ионов N2+ и Аг+ с поверхностью Si02. Тез. докл. XXXVI межд. конф. «Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами», Москва, 2006, с. 99.
- Бачурин В.И., Кривелевич С. А., Потапов Е. В., Чурилов А. Б. Изучение взаимодействия ионов аргона и азота с поверхностью диоксида кремния. -Поверхность, 2007, № 3, с. 19−23.
- Finster J., Klinkenberg E-D., Heeg J. ESCA and SEXAFS investigation of insulating materials for ULSI microelectronics. Vacuum, 1990, v. 41, p. 15 891 590.
- Линник С.П., Юрасова B.E. Распыление двухкомпонентных соединений и сплавов. Поверхность, 1982, № 3, с. 25−37.
- Бачурин В.И., Никитин A.M., Самойлов >В.Н., Татур А. Э., Ястржембский В. И., Исследование поверхностного механизма преимущественного распыления двухкомпонентных мишеней. Известия РАН, сер. физ., 1994, т.58, с.102−104.
- Лейер А.Ф., Сафронов Л. Н., Г.А. Качурин Г.А. Моделирование формрования нанопреципитатов в SiC>2, содержащих избыточный кремний. -ФТП, 1999, т. 33, с. 389−395.
- Качурин Г. А., Яновская С. Г., Володин В. А. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Si. ФТП, 2002, т. 36, с. 685−689.
- Сидоров Л.Н., Коробов М. В., Журавлев Л. В. Масс-спектральные термодинамические исследования. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1985. — 208 с.
- Walkup R.E., Raider S.I. In situ measurements of SiO (g) production during dry oxidation of crystalline silicon. Appl.Phys.Lett., 1988, v. 53, p. 888−890.
- Walkup R, Avouris Ph, Dreyfus R.W., Jasinski M. Laser detection of diatomic products of plasma sputtering and etching. Appl.Phys.Lett., 1984, v. 45, p. 372−374.
- Гурвич Л.В., Вейц И. В., Медведев В. А. и др. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справочные издания. Том 2, книга 2. -М.: Наука, 1979.-342 с.
- Бачурин В.И., Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Исследование процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Матер. 13 Межд. конф. ВИП, Москва 1997, т. 2, с. 317 — 319.
- Бачурин В. И, Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Исследование процесса формирования нитрида кремния при бомбардировке поверхности ионами азота. Известия РАН, сер. физ., 1998, т. 62, с. 703 -709.
- Бачурин В. И, Лепшин П. А., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Инфракрасная спектроскопия поверхности кремния, подвергнутого бомбардировке ионами азота. Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, с. 16 — 23.
- Bachurin V.I., Churilov А.В., Potapov E.V., Smirnov V.K., Makarov V.V., Danilin A.B. Formation of thin silicon nitride layers on Si by low energy N2+ ion bombardment.- NIMB, 1999, v. 147, p. 316 319.
- Смирнов В.К., Бачурин В. И., Лепшин П. А., Потапов Е. В., Чурилов А. Б. Исследование приповерхностного слоя в кремнии, облученном ионами низких энергий. Труды VIII Межнац. совещ. «Радиационная физика твердого тела», Москва, 1998, с. 126 -130.
- Бачурин В.И., Потапов Е. В., Смирнов В. К., Чурилов А. Б. Формирование тонких нитридных пленок облучением поверхности кремния низкоэнергетичными ионами азота. Тез. докл. Всеросс. конф. «Микро- и наноэлектроника», Москва, 1998, с. Р 1−38.
- Stein H.J. Nitrogen in crystalline silicon. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1986, v. 59, p. 523−535.
- Wittmack K. Towards the ultimate limits of depth resolution in sputter profiling. Surf. Interf. Anal., 1994, v. 21, p. 323−329.
- Smirnov V.K., Simakin S.G., Potapov E.V., Makarov V.V. SIMS depth profiling of delta doped layers in silicon. Surf. Interf. Anal., 1996, v. 7, p. 469 475.
- Бачурин В.И., Лепшин П. А., Смирнов B.K. Угловые зависимости распыления кремния ионами азота. Матер. 14 Межд. конф. ВИП, Москва 1999, т. 1, с. 62−65.
- Bachurin V.I., P.A.Lepshin, Smirnov V.K. Angular dependences of surface composition, sputtering and ripple formation on silicon under N2+ ion bombardment. Vacuum, 2000, v. 56, p. 241 — 245.
- Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N4″ and N2+ ion implantation. Vacuum, 1996, v. 47, p. 1495−1499.
- De Coster W., Brijs В., Alay J., Vandervost W. RBS, AES and XPS analysis of ion beam induced nitridation of Si and SiGe alloys. Vacuum, 1994, v. 45, p. 389−395.
- Markwitz A., Baumann H., Knop A., Krimmel E.F. Investigation of ultrathin silicon nitride layers produced by low energy ion implantation and EB-RTA. -NIMB, 1994, v. 89, p. 362−368.
- Pan J.S., Wee A.T.S., Huan C.H.A., Tan H.S., Tan K.L. AES analysis of nitridation of Si (100) by 2−10 keV N2+ ion beams. Appl. Surf. Sci., 1997, v. 115, p. 166−173.
- Белый В.И., Васильева JI.JI, Гриценко В. А., Гинковер А. С., Репинский С. М., Синица С. П., Смирнова Т. П., Эдельман Ф. Л. Нитрид кремния в электронике. Новосибирск: Наука, 1981. — 200 с.
- Волгин Ю.Н., Уханов Ю. И. Колебательные спектры нитрида кремния. -Оптика и спектр., 1975, т. 38, с. 727−730.
- Lucckovsky G., Yang J., Chao S.S., Tyler J.E., Crubutyi. Nitrogen-bonding environments in glow-discharge deposited a-SiH films. Phys. Rev. B, 1983, v. 28, p. 3234−3240.
- Лобанова H.E., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И., Потапова Л. В. Немонотонный характер дозовой зависимости электрических свойств и химической стойкости азотированного ионной имплантацией кремния. -ФТП, 1989, т. 23, с. 2149−2152.
- Качурин Г. А., Тысченко И. Е., Попов В. П., Тийс С.А" Плотников А. Е. Имплантация азота в кремний при 700−1100°С. ФТП, 1989, т. 23, с.434−438.
- Bischoff L., Teicchert J. Focused ion beam sputtering and related materials. -Vfnuscript FZR-217, Foschunhszentrum, Rossendorf, 1998. 36 p.
- Берт H.A., Сошников И. П. Изучение распыления фосфида, арсенида и антимонида галлия при бомбардировке ионами Аг+ с энергией 2−8 кэВ. -ФТТ, 1993, т. 35, с. 2501−2508.
- Берт Н.А., Сошников И. П. Распыление полупроводниковых мишеней AlxGaixAs ионами Аг+ с энергией 2−14 кэВ. ЖТФ, 1997, т. 67, с. 113−117.
- Warmoltz N., Werner H.W., Morgan A.E. The dependence of the angle of incidence of the steady state sputter yield of silicon bombarded by oxygen ions. -Surf. Interf. Anal., 1980, v. 2, p. 46−52.
- Смирнов B.K., Кибалов Д. С., Лепшин П. А., Бачурин В. И. Влияние топографических неоднородностей на процесс образования волнообразного микрорельефа на поверхности кремния. Известия РАН, сер. физ., 2000, т. 64, с. 626−631.
- Биркган С.Е., Бачурин В. И., Рудый А. С., Смирнов В. К. Моделирование развития поверхностной топографии кремния при ионном распылении. -Матер. 15 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2001, т. 1, с. 97−100.
- Биркган С.Е., Рудый А. С., Смирнов В. К., Бачурин В. И. Моделирование нестационарного распыления твердых тел. Матер. 16 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2003, т. 1, с. 69−72.
- Birkgan S.E., Bachurin V.I., Rudy A.S., Smirnov V.K. Modelling of surface topograghy development during ion sputtering of solids. Rad. Eff. & Defects in Solids, 2004, v. 159, p. 163 -172.
- Rudy A.S., Bachurin V.I., Smirnov V.K. Nanoscale model of surface erosion by ion bombardment. Rad. Eff. & Defects in Solids, 2006, v. 161, p. 319−329.
- Шелякин Л.Б., Семенов В. И., Троян B.A., Юрасова В. Е. О выявлении напряженного состояния в металлах методом ионной бомбардировки. -Поверхность, 1982, № 4, с. 51−61.
- Смирнов В.К., Курбатов Д. А., Потапов Е. В. Исследование взаимодействия пучков ионов азота и кислорода с поверхностью кремния. -Известия РАН, сер. физ., 1992, т. 56, с. 71−76.
- Niewohner L., Depta D. Formation of CoSi2 by ion beam mixing and rapid thermal annealing. -NIMB, 1991, v. 59/60, p. 523−527.
- Ye M., Burte E.P., Ryssel H. Formation of cobalt silicide by ion mixing. -NIMB, 1991, v. 59/60, p. 528−531.
- Lee R.Y., Choi B.S., Song J.H., Kim K.W., Kang S.T., Whang C.N. The effect of Ar+ irradiation on grain growth and reducing reaction temperature in Pd-silicide formation. -NIMB, 1991, v.59/60, p. 532−536.
- Farrell G., Bachurin V.I., Colligon J.S., Cardwell P, Yurasova V.E. In-situ studies of ion beam mixing of Co-Si and Ni-Si. Abstr. of 13 Int. Vacuum Congress, Yokohama (Japan), 1995, EM4-WeM-3.
- Arnell R.D., Colligon J.S., Minnebaev K.F., Yurasova V.E. The effect of nitrogen content on the structure and mechanical propertiesof TiN films produced by magnetron sputtering. Vacuum, 1996, v. 47, p. 425−431.
- Colligon J.S. Recent trends in surface treatment using ion beam processes. -Vacuum, 1987, v. 37, p. 35−39.
- Da Sila R.C., Sousa R.C., Conde O., da Silva M.F., Sares J.S. formation of Ali3Cr2 intermetallic phase by Cr ion implantation. Surf. Coat. Technol., 1996, v. 83, p. 60−64.
- Zhang T, Wu Y., Zhang Y., Qian W. Phase transition and diffusion of Ni atoms in aluminium during implantation. Vacuum, 2002, v. 65, p. 127−132.
- Eridon J., Rehn L., Was G. Metastable phase formation in nickel-aluminium alloys during ion beam mixing. -NIMB, 1987, v. 19/20, p. 626−631.
- Bourgoin J.C., Corbett J.W. Enhanced diffusion mechanisms. Rad. Eff., 1978, v. 36, p. 157−188.226. «Диаграммы состояния систем на основе алюминия и магния». Справочник. М.: Наука, 1977. — 228 с.
- Бачурин В.И., Кривелевич С. А., Фаррел Дж., Юрасова В. Е. Ионно-стимулированные процессы в пленках Ni на А1 в области температур, включающей точку Кюри. Матер. 12 Межд. конф. ВИЛ, Москва 1995, т.1, с.18−21.
- Бачурин В. И, Кривелевич С. А. Ионно индуцированное фазообразование в системе Al-Ni. — Матер. 17 Межд. конф. ВИЛ, Москва, 2005, т. 1, с. 91−94.
- Бачурин В.И., Кривелевич C.A. Ионностимулированные процессы в пленках никеля на алюминиевой подложке. Тез. докл. XXXVI межд. конф. «Физика взаимодействия заряженных частиц с кристаллами», Москва, 2006, с. 121.
- Cheng Y.T., Simco S.J., Militello М.С., Dow A.A., Auner G.W., Alkaisi M.H., Padmanabhan K.R. A comparison between high- and low-energy ion mixing at different temperatures. -NIMB, 1992, v. 64. p. 38−46.
- Marton D., Fine J., Chambers G.P. Temperature-dependent radiation-enhanced diffusion in ion-bombarded solids. Phys. Rev. Letters, 1988, v. 61. p. 2697- 2700.
- Мартыненко Ю.В. Эффекты дальнодействия при ионной имплантации. Итоги науки и техникию Пучки заряженных частиц и твердое тело, 1993, т.7, с.82−114.
- Musil J. Hard and superhard nanocomposite coatings. Surf. Coat. Technol., 2000, v. 125, p. 322−330.
- Schell N., Petersen J. H., Bottiger J., Mucklich A., Chevallier J., Andreasen K. P., Eichhorn F. On the development of texture during growth of magnetro-sputtered CrN. Thin Solid Films, 2003, v. 426, p. 100−110.
- Hones P., Sanjines R., Levy F. Characterization of sputter-deposited chromium nitride thin films for hard coatings. Surf. Coat. Technol., 1997, v. 94 -95, p. 398−402.
- Vetter J., Scholl H. J., Knotek O. (TiCr)N coatings deposited by cathodic vacuum arc evaporation. Surf. Coat. Technol., 1995, v. 74 — 75, p. 286−291.
- Hones P., Sanjines R., Levy F. Sputter deposited chromium nitride based ternary compounds for hard coatings. Thin Solid Films, 1998, v. 332, p. 240 246.
- Nainaparampil J. J., Zabinski J. S., Korenyi-Both A. Formation and characterization of multiphase film properties of (Ti-Cr)N formed by cathodic arc deposition. Thin Solid Films, 1998, v. 333, p. 88−94.
- Zeng X., Zhang S., Hsieh J. Development of graded Cr-Ti-N coatings. -Surf. Coat. Technol., 1998, v. 102, p. 108−112.
- Hsieh J. H., Zhang W. H., Sun C. Q. Characterization of (TixCr0,6-x)N0,4 coatings and their tribological behaviours against on epoxy molding compound. -Surf. Coat. Technol., 2001, v. 146 147, p. 331−337.
- Lee К. H., Park С. H., Yoon Y. S., Lee J. J. Structure and properties of (Tii.xCrx)N coatings produced by the ion-plating method. Thin Solid Films, 2001, v. 385, p. 167−173. ^
- Jung D. H-, Park H. S., Na H. D., Lim J. W., Lee J. J., Joo J. H. Mechanical properties of (TiCr)N coatings deposited by inductively coupled plasma direct current magnetron sputtering. Surf. Coat. Technol., 2003, v. 169−170, p. 424 427.
- Han J. G., Myung H. S., Lee H. M., Shaginyan L. R. Microstructure and mechanical properties of Ti-Ag-N- and Ti-Cr-N superhard nanostructured coatings. Surf. Coat. Technol., 2003, v. 174−175, p. 738−742.
- Lee S. Y., Kim G. S., Hahn J. H. Effect of the Cr content on the mechanical properties of nanostructured TiN/CrN coatings. Surf. Coat. Technol., 2004, v. 177−178, p. 426−433.
- Aouadi S. M., Wong K. S., Mitchel K. A. R., Namavar F., Tobin E., Mihut D. M., Rohde S. L. Characterization of titanium chromium nitride nanocomposite protective coatings. Appl. Surf. Science, 2004, v. 229, p. 387−394.
- Oda K., Nakayama A., Ohara H., Kitagava N., Nomura T. Characterization of ion implanted TiN films. NIMB, 1997, v. 121, p. 283−287.
- Otani Y., Hofmann S. High temperature oxidation behaviour of (TiixCrx)N coatings. Thin Solid Films, 1996, v. 287, p. 188−192.
- Lee К. H., Park С. H., Yoon Y. S., Jehn H. A., Lee J. J. Wear and corrosion properties of (TiixCrx)N coatings prodused by the ion-plating method. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 142−144, p. 971−977.
- Lee D. В. ТЕМ study on oxidized TiCrN coatings ion plated on a steel substrate- Surf. Coat. Technol., 2003, v. 173, p. 81−86.
- Monaghan D. P., Teer D. G., Laing К. C., Efeoglu I., Arnell R. D. Deposition of graded aloy nitride films by closed field unbalanced magnetron sputtering. -Surf. Coat. Technol., 1993, v. 59, p. 21−25.
- Бачурин В.И., Вишняков B.M., Коллигон Д.С" Миннебаев К. Ф., Юрасова В. Е. Упрочняющие покрытия на основе тройных соединений. -Поверхность, 2005, № 4, с. 106−110.
- Vishnyakov V.M., Bachurin V.I., Minnebaev K.F., Valizadeh R., Teer D.G., Colligon J.S., Vishnyakov V.V., Yurasova V.E. Ion assisted deposition of titanium chromium nitride. Thin Solid Films, 2006,. v. 497, p. 189−195.
- Musil J., Karvankova P., Kasl J. Hard and superhard Zr-Ni-N nanocomposite films. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 139, p. 101−109.
- Васильев Л.А., Иванова О. П., Коллигон Д. С., Лесневский Л. Н., Наумкин А. В., Шкарбан И. И., Юрасова В. Е. Состав и свойства пленочных покрытий из нитрида титана. Изв. РАН, сер. физ., 1994, т. 58, с. 195−205.
- Hurkmans Т., Lewis D. В., Brooks J. S.,. Munz W. D. Chromium nitride coatings grown b unbalanced magnetron and combined arc/unbalanced magnetron deposition techniques. Surf. Coat. Technol., 1996, v. 86 -87, p. 192−199.
- Aouadi S. M., Schultze D. M., Rohde S. L., Wong К. C., Mitchel K. A. R. Growth and characterization of Cr2N/CrN multilaer coatings. Surf. Coat. Technol., 2001, v. 140, p. 269−277.
- Verpek S., Argon A.S. Mechanical properties of superhard nanocomposites. -Surf. Coat. Technol., 2001, v. 146−147, p. 175−182.
- Musil J. Low-pressure magnetron sputtering. Vacuum, 1998, v. 50, p. 363 372.257
- Выражаю сердечную благодарность своим коллегам B.C.Чернышу,
- B.К.Смирнову, А. С. Рудому, А. Б. Чурилову, Дж. Коллигону, В. М. Вишнякову,
- C.А.Кривелевичу, Е. В. Потапову, С. Г. Симакину, П. А. Лепшину, совместная работа с которыми позволила получить большинство результатов, представленных в работе.
- Приношу свою признательность И. А. Беляевой, Ю. К. Олениковой, Ю. Д. Таршису за моральную, а А. В. Бачурину и материальную поддержку оказанные мне в процессе подготовки этой работы.