Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3) x. (As2 Se3) 1-x, легированных металлами

Диссертация: Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3) x. (As2 Se3) 1-x, легированных металлами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая значимость работы. Полученные в результате проведенных исследований регистрирующие среды на основе пленок ХСП системы А8283-А828е3 имеют определенные преимущества перед существующими до настоящего времени слоями ХСП. Слои (АзгЗ^х^Аз^еэ)!.*—обладают рядом свойств, выгодно отличающими их от галоидосеребряных фотоматериалов: отсутствие усадки, возможность нанесения слоев на подложку… Читать ещё >

Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3) x. (As2 Se3) 1-x, легированных металлами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Энергетическая структура и ос обенности легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников системы (А828з)х-(А828ез)1х
    • 1. 1. Общие свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы (А828з)х-(А528е3)1х
      • 1. 1. 1. Структура электронного энергетического спектра
      • 1. 1. 2. Исследования края фундаментального поглощения
  • ХСП системы (А528з)х-(А828е3)1.х
    • 1. 1. 3. Дисперсионная зависимость показателя преломления в ХСП системы (А8283)х-(А828е3)1.х
    • 1. 2. Примесные и дефектные состояния в легированных
  • ХСП системы (А8283)х-(А828е3)1.х
    • 1. 2. 1. Исследование примесной проводимости легированных ХСП системы (Аз28з)х-(Аз28ез)1.х
    • 1. 2. 2. Особенности сильнонеравновесно легированных пленок системы (Аз28з)х-(А828ез)|.х
    • 1. 2. 3. Модель образования в сильнонеравновесно легированных пленках ХСП микронеоднородностей
    • 1. 3. Фотопроводимость ХСП системы (А8283)х-(А828е3)1.х
    • 1. 4. Голографические свойства пленочных систем А828ез8п2, As2Sз-Ag
  • ГЛАВА 2. Технологические условия получения и исследование фотоэлектрических и голографических характеристик массивных и пленочных ХСП системы
  • А8283)х (А828е3)1.х
    • 2. 1. Технология получения монолитных ХСП состава (А828з)х'(А828е3) 1. х
    • 2. 2. Исследование технологических условий получения тонких пленок ХСП системы (Аз28з)х-(А828ез)1.х
      • 2. 2. 1. Разработка и изготовление вакуумно-технологической установки для получения однородных по составу фоточувствительных пленок
      • 2. 2. 2. Получение тонких пленок системы
  • А828з)х-(А828ез),.х
    • 2. 3. Методика исследований фотоэлектрических и голографических параметров и характеристик
  • ХСП системы (А828з)х-(А828е3)1.х
    • 2. 4. Исследование фоточувствительности монолитных стеклообразных полупроводников системы Д" - .м, С. 1, чи V1 1-х ."
    • 2. 5. Фотоэлектрические свойства тонких пленок
  • А828з)о.з'(А828з)о.7 легированных 8п и Р
    • 2. 6. Исследование основных голографических характеристик пленок ХСП (А8283)о.з-(А828е3)о.7: 8п
  • ГЛАВА 3. Исследование процессов диффузии в пленочных структурах (А828з)х-(А828ез)1х- \ЧЭ
    • 3. 1. Методика получения и экспериментального исследования процессов диффузии в системе
  • Ав28з),.х-(Аз28ез)х- \Ю
    • 3. 2. Процессы диффузии в системе
  • А528з)х-(А828ез),.х-А?
    • 3. 3. Оптические свойства системы Аз28е
  • ГЛАВА 4. Основные голографические характеристики системы (As2Sз)o.з¦(As2Seз)o.7-W
    • 4. 1. Методика получения и экспериментального исследования пленочной системы (А828з)о.з'(А828ез)о.7-\Ю
    • 4. 2. Исследование совместного влияния 8п и? на голографические свойства системы (А828з)о.з-(А828ез)о
    • 4. 3. Определение оптимального соотношения толщины оксидного подслоя У02 и ХСП для получения максимальной дифракционной эффективности системы (А828з)о.з-(А823ез)о.7-\Ю
    • 4. 4. Управление дифракционной эффективностью системы (А828з)о.з-(А828ез)о.702 для получения дифракционных элементов на просвет и на отражение
    • 4. 5. Сравнительный анализ голографических характеристик системы (А828з)о.з-(А828ез)о.7-\Ю

1.

Актуальность темы

.

Халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП) [1] уже в течение длительного времени, вызывают огромный интерес (более 400 ООО ссылок в интернет). Они широко применяются для изготовления волноводов [2], элементов интегральной оптики [24], акустооптических модуляторов [5], сверхбыстрых полупроводниковых переключателей [6, 7], ячеек памяти [1, 8], голографиче-ских оптических элементов [1], голограмм [1], а также используются как фоторезисты для субмикронной литографии [1, 9]. К числу достоинств ХСП относится высокая скорость переключения, высокая разрешающая способность, широкая область спектральной чувствительности, высокая степень фазовой модуляции, относительная простота получения и низкая стоимость.

В настоящее время известно несколько способов записи оптической информации на ХСП. Самыми распространенными являются запись голограмм с помощью фотоструктурных превращений в ХСП и запись оптической информации в результате фотохимической реакции в системе ХСП-металл [1]. Актуальность исследований в области фотоиндуцированных фазовых структурных изменений в аморфных и стеклообразных полупроводниках объясняются главным образом потребностями науки и техники в замене обычного фотографического процесса «бессеребрянными» методами обработки оптической [10−15] и голографической [16−21] информации.

В то же время у сред на основе ХСП имеются недостатки: низкая фоточувствительность, высокий контраст, что существенно сужает область их применения. Поэтому актуальной является задача повышения фоточувствительности этих материалов, создание новых полупроводниковых материалов на основе ХСП, позволяющих записывать как полутоновые, так и высококонтрастные изображенияисследование фотохимических и фотофизических процессов, происходящих под действием света при регистрации оптической информации. Решение перечисленных проблем позволит более широко использовать ХСП в качестве элементов интегральной оптики, голографических оптических элементов и фоторезистов для субмикронной литографии.

2.Целью диссертационной работы является: определение технологических условий получения и способов управления фотоэлектрическими свойствами и фотоструктурными превращениями пленок ХСП системы (А828з)х-(А828ез)1.х посредством их легирования металлами для создания на их основе новых носителей оптической информации.

Основные задачи, которые решались при исследовании механизма записи голографической информации в халькогенидных стеклообразных полупроводниках:

— исследование фотоэлектрических свойств монолитных сплавов системы (А828з)х-(Аз28ез)1"х, легированных 8п и РЬ с целью определения состава наиболее чувствительных образцов;

— исследование технологических условий получения пленок ХСП системы (А8283)х-(Аз28ез)1.х, легированных металлами и обладающих повышенной голографической и фотографической чувствительностью;

— повышение голографической и фотографической чувствительности материалов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников посредством легирования металлами;

— исследование условий получения методом вакуумного испарения тонких пленок системы (А8283)х-(А828е3)1.х, сохраняющих основные физические свойства монолитных стеклообразных полупроводников;

— исследование фотоэлектрических свойств и фотоструктурных превращений в слоях системы (А828з)х-(А828е3)1х, легированных 8п и РЬ с целью определения состава наиболее чувствительных пленочных образцов;

— разработка условий получения фоточувствительной пленочной системы (А828з)х-(А828ез)1.х-\Ю2;

— исследование процессов термои фотодиффузии в пленках ХСП АБ^ез, (А828з)о.з-(А828ез)о.7 и (А8283)о.з-(А828ез)о.7: 8п 0.015 ат.%;

— изучение в системе As2Seз-W02 фотоструктурных превращений, связанных с атомами.

— исследование условий селективного травления пленок ХСП (А828з)х-(А828ез)1.х-1^У02 с целью усиления голографических свойств и изучение происходящих в них фотоструктурных процессов;

— исследование совместного влияния металлов 8п и введенных в пленки ХСП (А828з)о.з-(А828ез)о.7, на их голографические свойства;

— оптимизация параметров (толщина, коэффициент пропускания) тонкопленочной системы (А8283)о, з-(А828ез)о, 7-У02, для получения максимальной дифракционной эффективности;

— разработка на основе полученных экспериментальных данных воспроизводимой технологии записи голограмм в системе (А8283)х-(А828е3)1.х02.

3. Объект и предмет исследования. Объект исследования диссертационной работы — халькогенидные стеклообразные полупроводники системы (А828з)х-(А828ез)]. х, легированной металлами 8п, РЬ, и системы (АзгЗзХ^АзгЗез^.х-^Юг. Предмет исследования — фотофизические и фотохимические процессы, обусловливающие фотоструктурные изменения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и системах на их основе.

Методы исследований. Для решения поставленных задач были выполнены комплексные исследования, включающие обобщение и сопоставительный анализ литературных и собственных данных по технологии синтеза ХСП. Для получения тонких пленок использовались технология вакуумного напыления тонких пленок и физико-химические процессы, происходящие в системах на основе ХСП (А828з)х-(А828ез) 1х. Исследования физических свойств ХСП системы (А8283)х-(А828ез)1х проводились на основе анализа спектров фотопроводимости с использованием методов, применяемых в современной физике полупроводников. Интерпретация экспериментальных результатов осуществлялась с помощью методов физики стеклообразных полупроводников, физической химии стеклообразных полупроводников, теории фотографического процесса, теории распространения лазерного излучения в химически активных средах, а также голографических и оптических методов анализа процессов взаимодействия когерентного излучения с веществом.

4. Научная новизна работы состоит в следующем: впервые было показано, что легирование пленок ХСП (А828з)х-(А828е3)1.х малыми дозами примеси олова и свинца (до 0.030 ат.%) значительно влияет на их фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения, а также разработана новая система ХСП — \Ю2 на основе пленок (А828з)1-х-(А828ез)х и \Ю2, обладающая более высокими голографическими характеристиками, чем исходный материал ХСП.

В процессе выполнения работы получены результаты, подтверждающие научную новизну:

• разработана модель фотоочувствления пленок ХСП (А528з)х-(А828е3)1.х методом их легирования атомами 8п, РЬ в диапазоне концентраций до 0.030 ат.%;

• осуществлено неравновесное легирование атомами ДУ из оксидного слоя \Ю2 матрицы пленочной системы (А828з)х-(А828ез),.х;

• изучены процессы термои фотодиффузии У в зависимости от температуры и состава ХСП и показано, что в результате термодиффузии в Аз28е3 образуются микрообласти, обогащенные основной структурной единицей которых является соединение WSe2- в результате фотодиффузии в А828е3 образуются микрообласти, обогащенные XV, основной структурной единицей которых является соединение ^8е3;

• исследованы голографические характеристики пленочной системы (А828з)о.з-(А828е3)о.7-\Ю2 и показано, что путем изменения толщины оксидного подслоя Ж02 можно получать дифракционные решетки, как на пропускание, так и на отражение;

• установлено, что изменение технологии получения системы (Ав283) о. зЧАБгЗез^.у-^УОг и толщины ее подслоя позволяет управлять голографическими характеристиками;

• показано, что под действием лазерного излучения (1=632,8нм, Р"1мВт/см2) показатель преломления системы (А828з)х-(А828е3)1.х — У02 изменяется в зависимости от состава на величину 0,5−0,8.

5. Практическая значимость работы. Полученные в результате проведенных исследований регистрирующие среды на основе пленок ХСП системы А8283-А828е3 имеют определенные преимущества перед существующими до настоящего времени слоями ХСП. Слои (АзгЗ^х^Аз^еэ)!.*—обладают рядом свойств, выгодно отличающими их от галоидосеребряных фотоматериалов: отсутствие усадки, возможность нанесения слоев на подложку большой площади с хорошей однородностью и равномерностью по толщине, высокая разрешающая способность (>1000 мм" 1), -большая дифракционная эффективность (15−20%), возникновение изображения в процессе экспонирования, -высокая световая и термическая устойчивость после фиксирования. Система (А828з)0)з-(А828е3)о, 7-\Ю2 позволяет путем вариации толщины подслоя \Ю2 (0,08−0,17 мкм) записывать голограммы на отражение и пропускание в отличии отсистем ХСП-металл. Фоточувствительная система (А828з)х-(А828е3)1.х — ДЮ2 может быть использована для голографической записи информации с высокой плотностью и изготовления высококачественных, эффективных оптических согласованных фильтров. Так как при записи не происходит искажений за счет фотообработки, то эти среды можно успешно использовать в голографической интерферометрии высокой точности. Причем изменение условий экспонирования и технологии получения системы ХСП-У02 позволяет получать как полутоновые, так и высококонтрастные рельефные изображения, что позволяет применять их для изготовления элементов компьютерной оптики. Также возможно применение слоев (А828з)х-(Аз28ез)1.х — \Ю2 в так называемых реактивных схемах обработки информации, где голограмма является составной частью резонатора лазера, что может быть использовано для формирования одномодового излучения за счет компенсации аберраций. Кроме того, система ХСП — ?02 может быть использована в микроэлектронике в качестве фото -, электронною — и рентгенорезистов высокого разрешения. При применении этого материала в радужной голографии, благодаря малой химической активности соединений вольфрама по отношению к кислотам, можно получать гальваническую копию непосредственно с мастер-голограммы, записанной на этих материалах, что позволит исключить процесс снятия промежуточной реплики на органический фоторезист и тем самым повысить качество получаемого изображения. Дешевизна, технологичность и «бессеребрянная» запись позволят более широко использовать материалы на основе ХСП — \Ю2 во многих сферах промышленности.

6. Защищаемые положения:

1 .Легирование малыми концентрациями примесей олова или свинца влияет на фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения пленок системы (Аз28з)х-(А828е3)1.х.

2.При термодиффузии атомов из оксидного слоя W02 в пленки ХСП Аз28е3 образуются кластеры, основной структурной единицей которых является соединение VSe2.

3.При фогодиффузии атомов W из оксидного слоя W02 в пленки ХСП As2Se3 образуются кластеры, основной структурной единицей которых является соединение WSe3.

4. Путем изменения и совмещения способов легирования можно управлять голографическими и фотографическими свойствами пленок ХСП системы (As2S3)x-(As2Se3)ix.

7. Связь с гос. программами и НИР. Работы по теме диссертации выполнялись в рамках НИЛ «Полупроводниковые преобразователи» по теме № 4−99 «Разработка технологии получения фоточувствительных пленок ХСП системы (As2S3)x-(As2Se3)j.x для оп-тоэлектронных устройств» и в НИЛ «КОГОЛ» по теме 1-OO «Исследование процессов преобразования и регистрации параметров электромагнитного излучения в биоподобных и технических средах» .

8. Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях и семинарах: 5-ой оптической конференции «ROMOPTO'97», (г. Бухарест, 1997 г.) — IV Всероссийской школе — семинаре «Люминесценция и сопутствующие явления» (г. Иркутск, 1998 г.) — II Байкальской школе по фундаментальной физике «Взаимодействие излучений и полей с веществом» (г. Иркутск, 1999 г.) — III международной школе — семинаре «Physical problems in material science of semiconductors» (г. Черновцы, 1999 г.) — Юбилейная конференция к 70-летию ПГУ (г. Тирасполь, 2000 г.) — конференция IWRFRI'2001 «Возобновляемые источники энергии» (г. Санкт-Петербург, 2001 г.) — Международная конференция MSCMP'2001(r. Кишинев, 2001 г.) — Региональная научно-практическая конференция «Инновации в печатных платах. Технология, оборудование, материалы» (г. Екатеринбург, 2002 г.) — Международная конференция «INFORMATION TECHNOLOGIES -2002» (г. Кишинев, 2002 г.) — научных семинарах ФТИ им. Иоффе и ПГУ им. Т. Г. Шевченко.

9.Личный вклад автора Экспериментальные работы, их анализ и интерпретация результатов проведены автором лично. Постановка задач, разработка экспериментальных и технологических методик, обсуждение результатов выполнены совместно с научными руководителями и соавторами опубликованных работ.

10.Публикации.

1. Burdiyan I.I., Senokosov Е.А., Feshchenco I.S. Influence of Sn impurities on the photosensitiviti of glass — like alloys of selenides and sulphides of arsenium. / 5th Conference on Optics ROMOPTO'97, September 1997. — Bucharest.: VII. — P. 5.

2. Burdiyan 1.1., Sciiukosov E.A., Feshchenco I.S. Application of layers (As2S3)x-(As2Se3)1x alloyed by metals for produce of holographic diffraction elements. / 5th Conference on Optics ROMOPTO'97, September 1997, — Bucharest.: III. — P. 1).

3. Бурдиян И. И., Сенокосов Э. А., Цирулик Л. Д., Фещенко. И. С. Влияние примесей олова на фоточувствительность стеклообразных сплавов селенидов и сульфидов мышьяка. // Вестник Приднестровского Университета. — Тирасполь.: РИО ПТУ, — 1999. — № 2, — С. 75−76).

4. Burdiyan I.I., Senokosov Е.А., Feshchenco I.S. Impurity influenced photoconductivity of selenide arsenic: Physical problems in material science of semiconductors. — Chernivtsi.: 1999. — P. 42.

5. Бурдиян И. И., Выговский Ю. Н., Фещенко И. С. Исследование голографических дифракционных решеток полученных на ХСП состава (As2S3)o.3(As2Se3)o.7 легированного оловом: Взаимодействие излучений и полей с веществом. / Под ред. академика РАН Ю. Н. Денисюка и проф. А. Н. Малова. — Иркутск: 1999. — С. 276−279.

6. Бурдиян И. И., Сенокосов Э. А., Фещенко И. С. Технологические условия синтеза и легирования халькогенидных полупроводниковых материалов: Возобновляемые источники энергии. -Санкт-Петербург: 2001. СПбГТУ, — С. 193.

7. Burdiyan I.I., Dementiev I.V., Senokosov E.A., Feshchenco I.S. Influence of tin and lead impurities on photoelectric properties of chalcogenide glassy semiconductors: International conference on materials science and condensed matter physics MSCMP'2001 -Chisinau, 2001, P. 38.

8. Бурдиян И. И., Сенокосов Э. А., Цирулик Л. Д., Фещенко И. С. Теплопроводность и теплоемкость стеклообразного сплава TlAsSe2 //Неорганические материалы. — 2001. — Т. 37 — № 8. — С. 1−3.

9. Vigovsky Y.N., Feshchenko I.S., Burdiyan 1.1., Feshchenko V.S. Use of electrographical process for manufacture of diffraction devices: 13th International Simpcsium Electronic Imaging 2001, San Jose, USA, 2001;Report № 4296−23.

10. Burdiyan 1.1., Feshchenko I.S., Vigovsky Y.N., Feshchenko V.S. Use of materials on a basis As2S3-As2Se3 for manufacture of holographic optical elements: 13th International Simposium Electronic Imaging 2001, San Jose, USA, 2001;Report № 4296−26.

11. Igor S. Feshchenko, Ivan I. Burdian, Vasilii V. Cosiuc, Edward A. Senokosov, Valeriy S. Feshchenko. Features of structural changes in thin layers of glassy selenide arsenic, doped by tungsten by means of diffusion: International Conference on Information technologies — 2002, Chisinau, 2002, P. 12.

12. Valeriy S. Feshchenko, Ivan I. Burdian, Vasilii V. Cosiuc, Igor S. Feshchenko, Edward A. Senokosov. Holographic properties of system CGS-tungsten oxide: International Conference on Information technologies — 2002, Chisinau, 2002, P. 15.

13. Vasilii V. Cosiuc, Igor S. Feshchenko, Valeriy S. Feshchenko. Registration of the X-rays by system CGS-oxide of tungsten: International Conference on Information technologies — 2002, Chisinau, 2002, P. 17.

14. Бурдиян И. И., Косюк В. В., Сенокосов Э. А., Фещенко B.C., Фещенко И. С. Фотодиффузия вольфрама в системе As2Se3—W02 и ее использование для записи элементов компьютерной оптики //Компьютерная оптика. — 2002. № 22. — С. 48−51.

Основные результаты диссертационной работы можно сформулировать следующим образом.

Показана возможность отбора наиболее чувствительных к свету монолитных образцов ХСП системы (А8283)х-(А828е3)1.х, легированной концентрациями примеси 8п, РЬ (до 0,030 ат. %), что позволяет отслеживать на технологической стадии исходный материал для получения фоточувствительных пленок.

Предложены схемы реакционных камер и разработаны технологические условия получения тонких пленок ХСП системы (А828з)х>(А828ез)1.х, легированных металлами РЬ, 8п и сохраняющих основные физические свойства монолитных стеклообразных полупроводников.

На основе изучения спектров фотопроводимости тонких пленок ХСП (А8283)о.з-(Аз28е3)о.7) показано, что, как и в случае монолитов, наиболее чувствительными являются образцы, легированные в диапазоне концентраций 0.010−0.015 ат.%.

Исследования ХСП состава (А828з)о.з'(А828ез)о.7: 8п показали, что введение в них примеси олова с концентрацией 0.015ат.% улучшает также голографические свойства материала: повышает максимальную дифракционную эффективность (?>) изготовленных на его основе решеток в 1,7 раза с уменьшением времени экспозиции на 50%.

При исследовании тонкопленочной системы Аз^ез-^^Юг до температуры 80 °C происходит диффузия в матрицу ХСП, в результате которой образуются микронеоднородности (кластеры), основной структурной единицей которых является соединение ¥-8е2. При облучении системы Аз28ез-\Ю2 монохроматическим светом Не — Ые лазера происходит ускоренная светом фотохимическая реакция с образованием соединения ¥-8е3.

Легируя ХСП состава (As2S3)o.3-(As2Se3)o.7 атомами Sn методом синтеза и неравновесно атомами W, можно получать как высококонтрастные, так и полутоновые изображения.

Изменяя толщину подслоя WO2 в системе (As2S3)o.3'(As2Se3)o.7-WO2 в пределах 0,08−0,17 мкм, можно получать дифракционные решетки как на пропускание (A, pi = 27%), так и отражение D0Tpi = 19,1%.

При записи дифракционных решеток с использованием процессов фотодиффузии можно получать полностью симметричные решетки (/Эпр^^прг-Дэтр^^отрг), которые используются для мультипликации оптической информации.

Система на основе ХСП — WO2 является высокоразрешающей средой (v> 2000 мм" 1) и может быть использована для оптической записи информации.

Материалы на основе ХСП — оксид металла, наряду со всеми достоинствами системы ХСП — металл, обладают более высокой голографической чувствительностью (0,1−0,25 Дж/см).

Полученные в результате проведенных исследований регистрирующие среды и системы на основе пленок ХСП системы (As2S3)x (As2Se3)1.x имеют более широкие возможности перед существующими до настоящего времени слоями ХСП. Так система (As2S3)x-(As2Se3)i.x — W02 1,5 раз превышает фоточувствительность системы (As2S3)x-(As2Se3)i.x — Ag. Система (As2S3)o, 3-(As2Se3)o, 7-W02 позволяет путем вариации толщины подслоя W02 (0,08−0,17 мкм) записывать голограммы на отражение (до 20%) и пропускание (до 27%), в то время как системы ХСПметалл может эффективно работать только на отражение. Кроме того, высокая разрешающая способность и дифракционная эффективность (15−20%), свидетельствует о том, что фоточувствительная система (As2S3)x-(As2Se3)i.x — W02 может быть использована для голографической записи информации с высокой плотностью и изготовлении высококачественных оптических элементов.

При записи оптической информации на исследуемых средах не происходит искажений за счет фотообработки, поэтому их можно использовать в голографической интерферометрии высокой точности. Причем изменение условий экспонирования и технологии получения системы ХСП-У02 позволяет получать как полутоновые, так и высококонтрастные рельефные изображения.

Система ХСП — \Ю2 так же может быть использована для применения в микроэлектронике в качестве фото и рентгенорези-стов высокого разрешения. При применении этого материала в радужной голографии, благодаря малой химической активности соединений вольфрама по отношению к кислотам, можно получать гальваническую копию непосредственно с мастер-голограммы, записанной на этих материалах, что позволит исключить из технологического цикла операцию снятия реплики на органический фоторезист и тем самым значительно повысить качество радужной голограммы.

Дешевизна, технологичность и «бессеребряная» запись позволит более широко использовать материалы на основе ХСП — W02 во многих сферах промышленности.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Электронные явления в халькотенидных стеклообразных полупроводниках /отв. ред. К. Д. Цендин. -М.: Наука, 1996. -486 с.
  2. Применение халькотенидных стеклообразных полупроводников в оптоэлектронике: Тезисы докладов./ второго совещания-семинара, Кишинев, 24−25 октября, 1989. 83 с.
  3. Hisakuni Н., Tanaka К. Optical fabrication of microlenses in chalcogenide glasses. // Opt. Lett. 1995. — Vol. 20, — № 9. P. 40.
  4. В.П., Миронос А. В., Руденко А. И. Интегрально-оптические устройства с использованием халькотенидных стеклообразных полупроводников // УНФ. 1990. — т. 26. с. Ь /-60.
  5. Handbook of laser with selected data on optical technology / Edited by R.J. Pressley / Chemical Rubber Co, Cleveland, 1971. 400 p.
  6. Патент: США № 3, 271.5926 кв. 307−885./S.R. Ovshinsky.
  7. Asokan S., Prasad M.V.N., Parthasarathy G., Gopal E.S.R. Mechanical and Chemical Thresholds in IV-VI Chalcogenide Glasses // Phys. Rev. Letts. 1989. — V. 62-P. 808−810.
  8. Switching and Memory in Amorphous Semiconductors /H.Frizsche, J. Tauc (ed.). Amorphous and Liquid Semiconductors. Plenum Press. -New York.: 1974. P. 313−359.
  9. Mednikarov B. Dependence of the dissolution characteristics of As2S3 as a photoresist on the condensation rate and evaporation temperature // J. Vac. Sci. Technol. 1989. — B. 7 (3). — P. 301 303.
  10. A.M., Буздуган А. И., Шутов С. Д. Влияние интенсивности освещения на электрофотографическую чувствительность слоев на основе халькогенидов мышьяка и сурьмы // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. И мат. н. 1988. — № 2. С. 47−49.
  11. Аморфные полупроводники: В 2 т. /Андриеш A.M., Иову М. С, Шутов С. Д. Реингардсбрунн, 1974, -Т. 2 — 306 с.
  12. А.М., Иову М. С., Чебручан Е. В., Шутов С. Д. Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев.: Шти-инца, 1976. С. 46.
  13. JI.A., Дементьев И. В., Панасюк JI.M. Влияние температуры и интенсивности света на процесс фотозаписи в легированных слоях сульфида мышьяка // УНФ. 1990. — т. 26. — С. 70−72.
  14. П.Я., Тетерис Я. А., Шварц К. К. Фото- и термосо-сговляющие фогоструктурных превращений в халькогенидных полупроводниках // УНФ. 1990. — т. 26. — С. 13−20.
  15. В.И., Семак Д. Г., Мателешко A.B., Баганич A.A., Каре-чанин Д.Н. Фотоиндуцированные превращения в пленках системы As-Se // УНФ. 1990. — т. 26. — С. 32−35.
  16. Д.Г., Попик Ю. В., Жихарев В. Н., Туряница И. Д., Рубиш И. Д., Грачев Н. П., Толстых В. Т., Штец П. П. Взаимосвязь структуры и сенситометрических параметров светочувствительных слоев системы As -Se // УНФ. 1990. — т. — 26. — С. 38−41.
  17. М.Я., Озолс А. О., Шварц К. К. Процессы самоусиления голограмм в пленках AS2S3 // УНФ. 1990. — т. — 26. С. 4549.
  18. Р.Р., МамедовС.Б., Михайлов М. Д., Юсупов И. Ю., Яко-вук O.A. Свойства голографических решеток на пленках сульфида мышьяка // УНФ. 1990. — т. 26. — С. 52−55.
  19. H.A., Бекичева Л. И., Деканозишвили Г. Г., Елигулашвили И. А., Мосулишвили К. Л., Шехтер Е. М. Формирование рельефно-фазовых голографических решеток на пленках As4oS37Se23 И УНФ. 1990. — т. 26. — С. 55−57.
  20. В.М., Биляк В. М., Кикенеши A.A., Хируненко Л. И., Ши-пляк М.М., Штерр A.A., Фоточувствительность гетероструктур на основе сложных халькогенидов для инжекционных слоев фототермопластических носителей // УНФ. 1990. — т. 26, — С. 6466.
  21. В.М., Биляк В. М., Кикенеши А. А., Хируненко Л. И., Ши-пляк М.М., Штерр А. А., Фоточувствительность гетероструктур на основе сложных халькогенидов для инжекционных слоев фототермопластических носителей // УНФ. 1990. — т. 26. — С. 6670.
  22. .Т., Мамонтова Т. Н., Назарова Т. Ф., Электрические свойства халькогенидных стекол // Труды III Всесоюзного совещания, Ленинград, 16−20.XI. 1959. изд. АН СССР, М., 1960.
  23. Н.Ф. Электроны в неупорядоченных структурах. -М.: Мир, 1969. 470 с.
  24. Drews R.E., Emerald R.L., Slade M.L., Zallen R. Interzonal spectra of crystals and glasses AS2S3 and As2Se3 // Solid State Communs. 1972. — Vol. 10. — N3. — P. 293.
  25. E., Pearson W.B. //Canad. J. Phys. 1956. — Vol. 34, — N 12A. — P. 1369.
  26. Cohen M.H., Fritzsche H. Ovshinsky S.R. Simplis zonal model amorphous of semiconducting alloys. // Phys. Rev. Lett. 1969. -Vol. 22. — P. 1065.
  27. С.Д., Карпов В. Г. Локализованные электронные состояния в стеклообразных полупроводниках // ФТП. 1987. -т. 21. — Вып. 1. — С. 3−17
  28. J. / The optical properties of solids / Ed. F. Abeles. North Holland, Amsterdam.: 1970. — P. 277.
  29. H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1972. — 664 с.
  30. М., Velicky В. / Optical properties of solids. New developments / Ed. Seraphin. North Holland, Amsterdam.: 1976. -P. 379.
  31. Kolomiets B.T., Mazets T.F., Efendiev S.M., Andriesh A.M. About a power spectrum glassy sulphide arsenic. // J. Non-Cryst. Solids. -1970. Vol. 4. — P. 45.
  32. Wood D.L., Tauc J. Weak tails of an absorption in amorphous semiconductors. // Phys. Rev. B. 1972. — Vol. 5. — P. 3144.
  33. J. / The optical properties of solids / Ed. F. Abeles. North Holland, Amsterdam.: 1970. — P. 277.
  34. Zalien R., Drews R.E., Emerald R.L., SladeM. L. Electronic structure crystalline and amorphous As2S3 and As2Se3 // Phys. Rev. Lett. 1971. — Vol. 26. — P. 1564.
  35. Rockstad H.K. Hopping and optical properties amorphous of chalcogenide recordings. // J. Non-Cryst. Solids. 1970. — Vol. 2.- P. 192.
  36. Stourac L., Abraham A., Hruby A., Zavetova M. Electronic properties of glassy As2Te3. // J. Non-Cryst. Solids. 1972. — Vol. 10. — P. 353.
  37. Abraham A., Hruby A., Stourac L., Zavetova M. Thermal conduction amorphous As2Se3 with copper. // Chech. J. Phys. B. -1972. Vol. 22. — P. 1168.
  38. Weiser K., Brodsky M.H. Electrical and optical properties amorphous of recordings As2Te3. П Phys. Rev. B. 1970. — Vol. 1.- P. 791.
  39. Esser B. Phonon assisted interband optical transitions in disorded semicondactors // Phys. Stat. Solidi (b). 1973. — Vol. 55. — P. 503.
  40. Dow J. D., Redfield D. The theory exponential is threshold absorptions in ionic and covalent rigid bodies. // Phys. Rev. Lett. -1971. Vol. 26. — P. 762.
  41. Young P. A. Optical properties of glassy As2Se3. // J. Phys. C: Solid State Phys. 1971. — Vol. 4. — P. 93.
  42. Ohmachi Y. Refractive index of vitreous As2Se3 // J. Opt. Soc. Amer. 1973. — Vol. 63. — P. 630.
  43. .Т., Горюнова Н. А. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР, сер. физ., 1956. — Т. 20. — С. 1496−1494.
  44. Б. Л. Цэндин К.Д. О примесной проводимости в стеклообразных модифицированных полупроводниках // ФТП. -1983. Т. 17. — вып. 6. — С. 1040−1044.
  45. H.A., Коломиец Б. Т. Новые стеклообразные полупроводники // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1956. — .Т. 20, — вып. 12. — С. 1496−1500.
  46. А.И. Упрощенный метод ОПВ для аморфных полупроводников // ФТТ. 1969. — Т. 4. — вып. 10. — С. 2873−2879.
  47. Renniuger A.L., Averbach B.L. Atomic structure in liquid selenium // Phys. Rev. Lett. 1973. — Vol. 8. — N4. — P. 15 071 514.
  48. Seregin P.P., Sagatov M.A., Mazets T.F., Vasilev L.N. The influence of the crystal glass transition on state of impuritytin atoms in chalcogenide semiconductors //Phis. Stat. Solidi (a). -1975. — Vol. 28. — N1. — P.127−132.
  49. A.P., Серегин П. П., Тураев Э. Ю. Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Кишинев.: 1980. — С. 120.
  50. И.В., Нистирюк П. В., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Кишинев.: 1980. С. 205 208.
  51. .И., Джафаров Т. Д. Кудоярова В.Х., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. /Сб.докл. конф. «Аморфные полупроводники 78». Пардубице.: 1978. — С. 166−169.
  52. Ф.С., Серегин П. П., Васильев Л. Н. Механизм влияния примеси платины на электрические свойства стеклообразного селенида мышьяка //ФХС. 1979. — Т. 5. — вып. 3. — С. 324−328.
  53. В.Х., Насрединов Ф. С., Серегин П. П. / Матер, конф. «Аморфные полупроводники 80: Структура, физикохимические свойства и применение некристаллических полупроводников. Кишинев.: 1980. С. 211.
  54. З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. -Д.: Изд-во ЛГУ, 1983. 344 с.
  55. Я., Борисова З. У. Электропроводимость и микротвердость стеклообразных сплавов системы As-Se-Cu // ЖПХ. -1969. Т. 42. — вып. 5. — С. 1017−1023.
  56. Kolomiets В.Т., Rukhlyadev Yu.V., Shilo V.P. Influence gallium, indium and thallium on conductivity and photo-electric properties glassy selenide arsenic. //J. Non-Cryst. Solids. 1971. — Vol. 5. -N.5. — P. 389−401.
  57. Edmond J.T. Use liquid is semiconducting in thermometers of resistances nuclear reactor. // J. Non-Cryst. Solids. 1968. — Vol. 1. — N. 1. — P. 39−48.
  58. .Т., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А. Влияние примесей на электрические свойства стеклообразного селенида мышьяка // ФТП. 1974. — Т. 8. — вып. 3. — С. 545−549.
  59. Andreytchin R., Nikiforofa М., Simidchieva Negative photovaltoichesikii effect in sulphide of silver.// Compt. rend. -1968. Vol. 21. — N. 8. — P. 75 3−756.
  60. Kolomiets B.T., Rukhlyadev Yu.V., Shilo V.P. Influence copper and silver on conductivity and photo-electric properties glassy selenide arsenic. //J. Non-Cryst. Solids. 1971. — Vol. 5. — N. 5. -P. 402−414.
  61. Mariani E., Trnovcova V., Lezal D. Dielectric properties of vieous As2Se3 doped with IIIA group elements // Phys. Stat. Solidi (a). -1973. Vol. 16. — N. 1. — P. K51-K54.
  62. .Т., Ивкин Е. Б., Листошин Б. В. / Сб. докл. конф. „Аморфные полупроводники 78“. — Пардубице.: 1978. — С. 269−272.
  63. А.А., Лебедев Э. А., Рогачев Н. А., Шпунт В. X. Электрические свойства селенида мышьяка легированного Ag // Письма ЖТФ. 1981. — Т. 7. — вып. 2. — С. 87−90.
  64. Мотт Н, Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М.: Мир, 1974. — 472с.
  65. Т., Hirose Y., Kurosu Т., Shiraishi Т., Iida М., Gekka Y., Kunioka A. // J.Non-Cryst. Solids. 1980. — Vol. 41. — N1. — P. 37−46.
  66. В.Л., Коломиец Б. Т., Любин Б. Т., Приходько О. Ю. Модифицирование стеклообразного селенида мышьяка // Письма ЖТФ. 1980. — Т. 6. — вып. 10. — С. 577−580.
  67. В.Л., Листошин Б. В., Приходько О. Ю. / Матер, конф. „Аморфные полупроводники-80“: Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. Кишинев.: 1980. — С. 187.
  68. В.Л., Любин В. М., Насрединов Ф. С., Нистирюк П. В., Приходько О. Ю., Серегин П. П. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом // ФТП. 1983. — Т. 17. — вып. 2. — С. 353−355.
  69. Stotzel Н., Leimer F., Kuske J., Teubner W. Characterization of blocking metal contacts on amorphous GeSe films / Proc. Conf. „Amorph. Semicond.-78“. Pardubice.: 1978. — P. 332−335.
  70. Kumeda M., Jinno Y., Suzuki M., Shimizu T. ESR and optical studies of the annealing effects in some amophous solids // Jap. Appl. Phys. 1976. — Vol. 15. — N 2. — P. 201- 205.
  71. E.A., Власов Ю. Г., БорисоваЗ.У. Влияние добавок железа на физико-химические свойства халькогенидных стекол // ФХС. -1978. Т. 4. — вып. 3. — С. 335−340.
  72. Т.Ф., Цэндин К. Д. О механизме легирования халько-гендных стеклообразных полупроводников // ФТП. 1990. — Т. 24. — вып. 11. — С. 1953−1958.
  73. Ю.Г. Структура полупроводников в некристаллических состояниях // УФН. 1976. — Т. 20. — вып. 4. — С. 581−612.
  74. .Л., Цэндин К. Д. О примесной проводимости в стеклообразных легированных полупроводниках // ФТП. 1983.- Т. 17. вып. 6. — С. 1040−1044.
  75. З.У., Бакулина В. В. Электропроводность стекол системы мышьяк кремний телур. //ЖПХ. 1969. — Т. 42. — вып. 6. -С. 1238−1243.
  76. К.Д., Гельмонт Б. Л., Коломиец Б. Т. / Матер, конф. „Аморфные полупроводники-84“. Т. 1. Габрово.: 1984. — С. 168−170.
  77. Я., Борисова З. У. Электропроводимость и микротвердость стеклообразных сплавов системы As-Se-Cu // ЖПХ. -1969. Т. 42. — вып. 5. — С. 1017−1023.
  78. A.C., Тверьянович Ю. С., Борисова З. У. Об особенностях кристаллизации халькогенидных стекол, содержащих переходный металл // ФХС. 1988. — Т. 14. — вып. 2. — С. 289 290.
  79. И.В., Лазукин В. Н. Изучение структурных свойств халькогенидных стекол с помощью ЭПР примесных ионов / Тр. VI Междун. конф. аморф. жидк. полупр.: Структура и свойства некристаллических полупроводников. Л.: 1976. — С. 108−112.
  80. Uda Т., Yamada Е. Dopin effect on calcogenide glasses // J. Fhys. Soc. Jap. 1979. — Vol. 46. — № 2. — P. 515−522.
  81. В.M. Халькогенидные стеклообразные проводники и их взаимодействие с излучением. -Л.: 1984. 420 с.
  82. Д. Приборы на аморфных полупроводниках // УФН. -1978. Т. 125. — В. 4. — С. 707−730.
  83. Simmons J.G., Taylor G.W. Theory of photoconductivity in amorphous semiconductors containing slowly-varying trap distributions // J. Phys. C: Solid State Phys. 1974. — Vol. 7. -P. 3051.
  84. А.С. Новая модель деффектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках // Письма ЖЭТФ. 1980. — Т. 31. -В. 4. — С. 437−440.
  85. Moustakas T.D., Weiser К. Conduction in localized band tail and in extended states // Phys. Rev. B. — 1975. — Vol. 12. — P. 2448.
  86. С.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физма-тгиз, 1963. — 494с.
  87. Т.С., Bube R.H., Fagen Е.А. Holmberg S. Исследование фотопроводимости аморфных халькогенидов // J. Appl. Phys. 1972. — Vol. 43. — P. 1798.
  88. Buzdugan A.I., Iovu M.S., Popescu A.A., Cherbari P.G. Sn-doped As-Se films for high-stable and sensitive optical recoding // Balkan physics letters.- 1993. Vol. 1.- № 1 — P. 7−9.
  89. Iovu M.S., Syrbu N.N., Shutov S.D., Vasiliev I.A., Rebeja S., Colomeico E., Popescu M., Sava F. Spectroscopical study of amorphous AsSe: Sn films // Phys. stat. sol. (a) .- 1999. Vol. 175 — P. 615−622.
  90. Iovu M.S., Shutov S.D., Rebeja S., Colomeico E., Popescu M. The effect of metal dopants on photodarkening kinetics in amorphous
  91. AsSe and As2Se3 thin films // Phys. stat. sol. (a) .- 2000. Vol. 181 — P. 529−537.
  92. Iovu M.S., Shutov S.D. Tin-doped arsenic selenide glasses // Optoelectronics and Advanced materials.- 1999. Vol. 1- № 1 -P. 27−36.
  93. M.T., Михайловская E.B., Романенко П. Ф. Об эффекте фотографической чувствительности тонких полупроводниковых слоев, находящихся на металлических подложках // ФТТ, — 1966. Т. 8 — № 2 — с. 571−573.
  94. И.З., Костышин М. Т., Романенко П. Ф., Стронский A.B. Об эффективности голографических дифракционных решеток полученных на основе системы As2S3-Ag // Успехи научной фотографии. 1990. — Т. XXVI. — С. 5−8.
  95. Н.В., Романенко П. Ф., Индутный И. З. Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракционных решеток. // ЖТФ. 2001. — Т. 71. — Вып. 2. — С. 71−76.
  96. М.Т., Минько В. И. О длинноволновой границе светочувствительности систем полупроводник-металл // ФТП. -1979. -Т. 13. С. 809−810.
  97. .Л., Джафаров Г. Д., Кудоярова В. Х. Фоторефракционная диффузия серебра в стеклообразный As2S3 // ФТП. -1979. Т. 25. — С. 197.
  98. М.Т., Ушенин Ю. В. Диффузионно-контролируемая чувствительность системы As2S3-Ag к облучению через слой металла // ФТП. 1982. — Т. 16. — В. 1. — С. 19−21.
  99. Технология тонких пленок: В 2 т. / Под ред. Майссел Л. -М.: 1977. Т. 1. 666 с.
  100. Kohl W.H., Handbook of Materials and Techniques for Vacuum Devices, Reinhold Publishind Corporation, New York.: 1967. -P. 654.
  101. Holland L. Thin Film Microelectronics. New York.: Wiley and Sons, Inc. 1965. — 143 p.
  102. Nesmeyanov A.N. Vapor Pressure of the Chemical Elements. -New York.: Elsevier Publishing Company, 1963. -327 p.
  103. A.H. Давление пара химических элементов. М.: АН СССР, 1961. — 306 с.
  104. М., Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970. С. 89.
  105. Burdiyan I.I., Senokosov Е.А. Feshchenco I.S. Influence of Sn impurities on the photosensitiviti of glass like alloys of selenides and sulphides of arsenium. / 5th Conference on Optics ROMOPTO'97. — Bucharest.: 1997. VII. — P. 5.
  106. И.И. Э.А.Сенокосов. Цирулик Л. Д. Фещенко. И. С. Влияние примесей олова на фоточувствительность стеклообразных сплавов селенидов и сульфидов мышьяка. // Вестник Приднестровского Университета. 1999. — № 2. — С. 75−76.
  107. Burdiyan I.I., Senokosov Е.А. Feshchenco I.S. Impurity influenced photoconductivity of selenide arsenic. Third international school-conference: Physical problems in material science of semiconductors. Chernivtsi.: Abstract booklet. 1999. -P.42.
  108. П.П., Сагатов М. А., Насрединов Ф.С, Васильев JT.H. Колебательный спектр примесных атомов олова в кристаллическом, стеклообразном и мелкодисперсном селене // ФТТ. -1973. Т. 15. — С. 1928.
  109. З.У., Васильев Л. Н., Серегин П. П., Шипатов В. Т. Эффект Мессбауэра в полупроводниковой системе мышьяк -селен олово // ФТП. — 1970. — Т. 4. — С. 533.
  110. Burdiyan I.I., Senokosov Е.А. Feshchenco I.S. Application of layers (As2S3)x-(As2Se3)i.x alloyed by metals for produce of holographic diffraction elements. / 5th Conference on Optics ROMOPTO'97, Bucharest.: 1997. III. — P.l.
  111. П.С., Коршунов Б. Г., Федоров П. И., Кисляков И. П. Химия и технология редких и рассеянных элементов. М., 1976. Т.З. 320 с.
  112. Н.И., Мазец Т. Ф., Сморгонская Э. А., Цэндин К. Д. Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As2Se3 легированного Bi // ФТП. 1989. — Т. 23. — вып.2. -С. 297−303.
  113. Ewen P.J.S., Zakery A., Firth А.Р., Owen А.Е. Optical monitoring of photodissolution kinetics in amorphous As-S films // Philos. Mag. 1988. — Vol. — B57. — P. 1.
  114. .Д., Цэндин К. Д. О примесной проводимости в стеклообразных модифицированных полупроводниках // ФТП. -1983. Т. 17. — вып. 6. -С. 1040−1044.
  115. Igor S. Feshchenko, Ivan I. Burdian, Vasilii V. Cosiuc, Edward
  116. A. Senokosov, Valeriy S. Feshchenko. Features of structural changes in thin layers of glassy selenide arsenic, doped by tungsten by means of diffusion: International Conference on Information technologies 2002, Chisinau, 2002, P. 12.
  117. В.А. Селениды.- Москва.: Металлургия.1972.-296с.
  118. Авторское свидетельство: СССР кл-G 03 С 5/00, HOIL 31/34, 55 1938. / Андриеш A.M., Ганин В. М., Коломиец Б. Т., Любин
  119. B.М., Циулеку Д. И. № 2 163 251. Заявлено 18.07.75. опубл. 22.05.78. // Устройство записи оптических изображений.
  120. Н. А. Гальперин А.Д. Исследование возможности использования пленок As2S3 для регистрации изобразительных рельефно фазовых голограмм // Опт. и спектр. -1989. — Т. 66. — В. 4. — С. 342−345.
  121. И. П. Минин В.И. Соколов Л. П. Структурные превращения при оптической записи информации в аморфных слоях на основе селена». // Украинский физический журнал. -1993. Т. 38. — № 5. — С. 694−698.
  122. A.M., Буздуган А. И., Шутов С. Д. Влияние интенсивности освещения на электрофотографическую чувствительность слоев на основе халькогенидов мышьяка и сурьмы // Изв. АН МССР сер. физ. техн. и мат. н. — 1988. — № 2. — С. 47−49.
  123. А.Б., Михайлов М. Д., Палтарак М. М. Обратимое изменение пропускания халькогенидных стекол под действием лазерных импульсов. // ФХС. 1992. — Т. 18. — вып. З-С. 146 150.
  124. Valeriy S. Feshchenko, Ivan I. Burdian, Vasilii V. Cosiuc, Igor S. Feshchenko, Edward A. Senokosov. Holographic properties of system CGS-tungsten oxide: International Conference on Information technologies 2002, Chisinau, 2002, P. 15.
  125. Burdiyan 1.1., Feshchenko I.S., Vigovsky Y.N., Feshchenko V.S.
  126. Use of materials on a basis As2S3-As2Se3 for manufacture of130t hholographic optical elements: 13 International Simposium Electronic Imaging 2001, San Jose, USA, 2001-Report № 4296−26.
  127. А.И. Материалы для голографической записи информации. Львов.: Львовский университет. 1982. — 135 с.
  128. Рефрактометрические методы химии / Б. В. Иоффе Л.: Химия 1974. 400 с.
  129. Cosiuc Vasilii V, Feshchenko Igor S., Feshchenko Valeriy S. Registration of the X-rays by system CGS-oxide of tungsten: International Conference on Information technologies 2002, Chisinau, 2002, P. 17.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!