Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронные возбуждения, связанные с дислокациями в полупроводниках

Диссертация: Электронные возбуждения, связанные с дислокациями в полупроводниках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Построение в рамках указанной схемы гамильтонианов элект- -рон-фононного взаимодействия на дислокации показывает, что поперечная к дислокации компонента квазиимпульса фононов, эффективно взаимодействующих с дислокационными возбуждениями, ограничена величиной обратного радиуса локализации последних. Для дислокационных колебаний показано, что их взаимодействие с дислокационными носителями… Читать ещё >

Электронные возбуждения, связанные с дислокациями в полупроводниках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ОБЩЕЕ
  • ВВЕДЕНИЕ
  • ГЛАВА I. ЛОКАЛИЗАЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭКСИТОНОВ НА ДИСЛОКАЦИЯХ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ I.I. Введение. Электронный спектр полупроводника с дислокацией
  • Г. 2. Эффективный, гамильтониан: для дислокационных электронов
  • Г. З. Экситоны, связанные с глубокими зонами дислокационного электронного спектра
  • ГЛАВА II. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ДИСЛОКАЦИОННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭКСИТОНОВ С ФОНОНАМИ П. 1. Электрон-фононное взаимодействие
    • II. 2. Экситонг-фононноа взаимодействие
  • П.З. Релаксация дислокационных экситонов при экситон-фононном взаимодействии
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ЭКСИТ0Ш0Г0 СПЕКТРА ОПТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ 1. Г
  • Введение. Оптические, свойства полупроводника с дислокациями.'
    • III. 2. Поглощение света
    • 1. 3. Комбинационное рассеяние свата
  • Ш. 4. Дислокационная люминесценция
  • ГЛАВА 1. У. ВЛИЯНИЕ, ДИСЛОКАЦИОННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ НА ПОДВИЖНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • IV. 1. Введение. 6Г
    • 1. У.2. Изменение, электронного спектра, при движении дислокационного перегиба.'
    • 1. У.З. Электронно-стимулированная подвижность дислокаций
    • 1. У.4. Обсуждение- результатов

тов исследования были выбраны соединения группы, А В и элементарные полупроводники Si и (jr?, что обусловлено, с одной стороны, сравнительно простой и хорошо изученной структурой дислокаций и энергетических зон электронного спектра в этих материалах, а с другой стороны, — их технологической важностью для электронной промышленности.

Актуальность темы

диссертации связана с возможностью использования полученных результатов для решения ряда научных и технических проблем, среди которых, например, разработка исчерпывающей теории влияния дислокаций на электрические и механические свойства полупроводников, управление процессами диффузии и пластической деформации в технологии электронной промышленности, повышение эффективности действия и увеличение срока службы светоизлу-чающих полупроводниковых приборов. '.

Диссертация состоит из Общего введения, четырёх глав и Заключения. В главе I рассматривается простой метод теоретического описания электронных возбуждений, связанных с глубокими дислокационными уровнями. С помощью канонического преобразования, аналогичного используемому в методе эффективной массы Латтинджера-Кона, найден эффективный гамильтониан дислокационных электронов и обобщён на случай взаимодействия с внешним магнитным полем. Введено представление о дислокационных экситонах типа Ванье как о связанных состояниях носителей, один из которых или оба локализованы на дислокации. Найдены волновые функции дислокационных экситонов различных типов.

Глава П посвящена исследованию особенностей взаимодействия квазичастиц, локализованных на дислокации, с фононами, которое играет значительную роль в формировании дислокационных оптических спектров. Получены гамильтонианы взаимодействия дислокационных электронов и экситонов с объёмными и дислокационными продольными фононами. Показано, что для дислокационных возбуждений изменяется как абсолютная величина, так и зависимость от фононного квазиимпульса формфактора гамильтониана взаимодействия с фононами. С использованием полученных результатов проанализирован процесс релаксации дислокационных экситонов, обусловленной их рассеянием на колебаниях решётки.

Глава Ш содержит результаты расчёта особенностей оптических спектров полупроводника, содержащего дислокации. Вычислен вклад в коэффициент поглощения инфракрасного излучения от дислокационных экситонов, найдена форма линий и сделана оценка интенсивности полос поглощения. С помощью диаграммной техники [75 ] рассчитано сечение комбинационного рассеяния света с участием дислокационных экситонов и оптических фононов. Рассмотрены интенсивности и формы линий дислокационной люминесценции, вызванной излу-чательной рекомбинацией дислокационных экситонов.

В главе ГУ предлагается механизм электронно-стимулированной подвижности дислокаций. Показано, что в рамках модели дислокационного перегиба, учитывающей возможность различного заполнения локализованных на перегибах электронных состояний, можно с единой точки зрения описать известные фотои электромеханический эффекты, а также аномальное влияние электрически активных примесей на подвижность дислокаций. Получено выражение для скорости дислокаций в условиях фотомеханического эффекта или легирования полупроводника, связывающее изменение энергии активации скорости с положением дислокационных уровней в запрещённой зоне.

Главам I, Ш и 1У предпосланы краткие обзоры основных экспериментальных фактов и теоретических представлений соответственно .об электронной структуре, оптике и электронно-стимулированной подвижности дислокаций в полупроводниках, т. е. о тех вопросах дислокационной физики, которые затрагиваются в данной главе.

В Заключении сформулированы основные выводы, вытекающие из результатов диссертационной работы.

На защиту выносятся следующие основные положения: I. Модель дислокации в виде линейного потенциала нулевого радиуса позволяет адекватно описывать электронные возбуждения, связанные с нарушениями валентных связей в ядре дислокации. В её рамках возможно последовательное построение эффективных гамильтонианов взаимодействия дислокационных квазичастиц с внешними полями и другими квазичастицами. Пары носителей, по крайней мере один из которых локализован на дислокации, имеют связанные состояния — дислокационные экситоны — с водородоподоб-ным спектром, аналогично объёмным экситонам Ванье-Мотта.

2. Полученные в рамках используемой модели эффективные гамильтонианы электрони экситон-фононного взаимодействия на дислокации показывают, что по сравнению с известными гамильтонианами для нелокализованных возбуждений, перенормировке подвергаются не только абсолютные величины формфакторов, но и сам характер их зависимости от квазиимпульса фонона. Проведённые с использованием этих гамильтонианов расчёты возможного проявления дислокационных экситонных состояний в оптических явлениях свидетельствуют о том, что резонансный характер экситонных полос вместе с одномерным характером плотности состояний дислокационных эк-ситонов приводят к особенностям в спектрах поглощения, комбинационного рассеяния света и люминесценции пластически деформированных полупроводников, возможность регистрации которых обеспечивается современной экспериментальной техникой.

3. Энергетический спектр перегиба на дислокации состоит из ряда термов, положение которых изменяется при перемещении перегиба. Заполнение некоторых термов равновесными /при легировании/ или неравновесными /при подсветке, инжекции/ носителями приводит к уменьшению эффективного рельефа Пайерлса и к значительному увеличению подвижности дислокаций. Эти представления позволяют рассматривать известные фотои электромеханический эффекты, а также пластифицирование полупроводников заряженными примесями как проявления одного механизма влияния дислокационных возбуждений на подвижность дислокаций /для которого предлагается название «механизм электронно-стимулированной подвижности» /.

Нумерация формул в пределах каждой главы двойная. Первая цифра указывает номер параграфа, вторая — номер формулы в параграфе. При ссылках на формулы из других глав впереди ещё ставится римская цифра, указывающая номер главы. Сокращение д.э. означает «дислокационный электрон» -.ДЭ — «дислокационный экситон» — э.ф.в. «электрон-фононное взаимодействие» — ЭФВ — «экситон-фононное взаимодействие» .

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [158, 159] .

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе представлена теоретическая модель для описания электронных возбуждений, связанных с дислокациями в полупроводниках, и рассмотрена возможность их проявления в оптических и механических свойствах полупроводников. Ниже приводятся основные результаты работы и выводы, следующие из них.

1. На основе идей JI.B. Келдыша, И. М. Лифшица, A.M. Косевича и др. показана возможность адекватного описания электронных состояний, связанных с нарушенными валентными связями в дислокационных ядрах, в рамках модели потенциала нулевого радиуса. Отношение постоянной решётки к радиусу локализации дислокационных состояний является малым параметром теории, который даёт возможность применить для исследования электронных возбуждений, связанных с дислокациял ми, метод, аналогичный методу hрвозмущений.

2. Предложена. схема получения эффективных, гамильтонианов для взаимодействия дислокационных электронов с внешними полями и другими квазичастицами, если известны соответствующие выражения для нелокализованных носителей. В качестве примера её применения рассмотрены. дислокационные состояния в магнитном поле, которое оказывается эквивалентным потенциалу осцилляторного типа, ограничивающему движение локализованных носителей вдоль дислокации. Отщепление уровней Ландау от дислокационных зон может происходить лишь в магнитном поле заметной величины, что связано с малой длиной дислокационных сегментов.

3. Построение в рамках указанной схемы гамильтонианов элект- -рон-фононного взаимодействия на дислокации показывает, что поперечная к дислокации компонента квазиимпульса фононов, эффективно взаимодействующих с дислокационными возбуждениями, ограничена величиной обратного радиуса локализации последних. Для дислокационных колебаний показано, что их взаимодействие с дислокационными носителями существенно в том случае, когда степень локализации первых и вторых примерно одинакова. Это позволяет не рассматривать слабо локализованные акустические дислокационные колебания. Для продольных оптических дислокационных фононов формфактор гамильтониана взаимодействия с дислокационными электронами не имеет особенности при малых передачах квазиимпульса, что приводит к слабости полярон-ных эффектов на дислокации.

4. Введено представление о связанных состояниях носителей, по крайней мере один из которых локализован на дислокации — дислокационных экситонов. Получены волновые функции дислокационных экситонов и их спектры, которые оказываются водородоподобными. Получены гамильтонианы экситон-фононного взаимодействия на дислокации и соответствующие времена релаксации, которые в зависимости от энергии экситона могут быть как очень малыми /что связано с одномерностью дислокационных экситонных зон/, так и сравнительно большими.

5. Проведены расчёты вклада, дислокационных экситонов в спектры поглощения и комбинационного рассеяния света в полупроводниках с дислокациями. Резонансный характер экситонных полос и некоторые особенности, связанные с одномерностью задачи, могут приводить к эффектам, надёжно регистрируемым современной экспериментальной техникой. Показано также, что излучательной аннигиляцией дислокационных экситонов можно объяснить ряд особенностей наблюдаемых спектров дислокационной, люминесценции в полупроводниках /малую ширину полос, температурную зависимость и т. д./.

6. Предложен механизм локального разрыхления области решётки вокруг дислокационного перегиба при заполнении носителями локализованных в этой области антисвязывающих состояний. Это разрыхление оказывается эквивалентным уменьшению барьеров. Пайерлса как первого, так и второго рода. Величина уменьшения барьера зависит от того, захвачен ли перегибом электрон, дырка или экситон, и может быть приближённо оценена по известным данным о положении дислокационных уровней в запрещённой зоне.

7. На основе этих представлений получены формулы, описывающие изменение скорости дислокаций при смещении уровня Ферми или инжек-ции неравновесных носителей. Эти формулы показывают, что известные фотои электромеханический эффекты, а также разупрочнение полупроводников при легировании электрически активными примесями могут быть объяснены с единых позиций в рамках предложенного механизма.

Показать весь текст

Список литературы

  1. У. Электронная структура и свойства твёрдых тел. -М.: Мир, 1983 — т.1. — 381 е., илл.
  2. Alexander Н. Models of dislocation structure J. de Phys., 1979, v. 40, Coll. C6, p.1−6
  3. Sato M., Hiraga K., Sumino K. HVEM structure images of extended 60° and screw dislocations in silicon. Jap.J.Appl, Phys., 198O, v. 19, № 3, p. L155-L158
  4. Marklund S. On the core structure of the glide-set 90° and 30° partial dislocations in silicon. Phys. St. Sol (ъ), 1980, v. 100, № 1, p. 77−85
  5. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Osipyan Yu.A. Investigation of the dislocation spin system in silicon as model of one-dimensional spin chain. Phys.St.Sol (b), 1981, v. 103, № 2, p.519−528
  6. Jones R. Reconstructed dislocations in covalently bonded semiconductors. Inst.Phys. Conf. Ser., 1981, № 60, p.45−50
  7. Hirsch P.B. The structure and electrical properties of dislocations in semiconductors. J.Microsc., 1980, v.118,Pt.1,p.3−12
  8. Bondarenko I.E., Eremenko V.G., Nikitenko V.I., Yakimov E.B. The effect of thermal treatment on electrical activity and mobility of dislocations in Si. Phys. St. Sol.(a), 1980, v.6o, № 1, p. 341−349
  9. В.И., Якимов. E.B., Ярыкин. Н. А. Фотозлектре. тный эффект на дислокациях в 5 С • Письма, в ЖЭТФ, 1978, т.28,ЖЗ, с.548−551
  10. Якимов-Е.В., Ярыкин Н. А., Никитенко В. И. Исследование, фотозлек-третного состояния в. кристаллах S L с высокой плотностью дислокаций. ФТП, 1980, т. 14, J&2, с.295301
  11. Ю.А., Шевченко С. А. Дислокационный эффект Холла в германии. Письма в. ЖЭТФ, 1981,' т.33, JM, с.218−222
  12. Ossipyan Yu.A. Dislocation microwave electrical conductivity of semiconductors and electron-dislocation spectrum. Cryst. Res. and Technol., 1981, v.16, № 2, p. 239−246
  13. D0ding G., Labusch R. Conductivity in the vicinity and in the core of screw dislocations in OdS. Inst. Phys., Conf. Ser., 1981, 60, p. 57−61
  14. Alexander H., Labusch R., Sander W. Elektronenspin Rezonanz in verformtem Silizium. — Sol. State Commun., 1965, v.3, № 11, p. 357−360
  15. Weber E., Alexander H. EPR of dislocations in silicon. J. de Phys., 1979, v.40, Coll. C6, p. 101−106
  16. КведерВ.В., Осипьян: Ю. А. Исследование дислокаций, в, кремнии методом фото ЭПР. — ЖЭТФ, 1981, т.80, ШЗ, с.1206−1216
  17. Mergel D., Labusch R. Optical excitation of dislocation states in Ge (1). Phys.St.Sol (a), 1977, v.44,N°2, p.492−499
  18. Mergel D., Labusch R. Optical excitation of dislocation states in Si. Phys.St.Sol.(a), 1982, v.69, № 1, p.151−158
  19. Kos H.-J., Neubert D. Two-step photoconductivity by dislocations in Si. Phys.St.Sol.(a), 1977, v.44, p.259−264
  20. Barth W., G^th W. Absorptionmessungen an plastisch deformier-tem Germanium. Phys.St.Sol., 1970, v.38,№ 2, р. К141-К144
  21. A.B., Красильникова JI.JI. Излучательная рекомбинация и поглощение, света в Qq /IS с дислокациями. ФТТ, 1981, т. 23, № 12, с. 3558−3563
  22. А.В., Осипьян Ю. А., Штейнман Э. А. Влияние, дислокации на оптические свойства, сульфида кадмия. ФТТ, 1971, т. 13, J& II, с. 3190−3193
  23. Е.А., Тарбаев Н. И., Шедельский Г. А. Новые полосы поглощения CdS «пластически деформированного при низкой температуре. ФТТ, 1980, т.22, М, c. IIIO-ШЗ
  24. А.В., Осипьян Ю. А. Экспоненциальный, край поглощения в CdSe с дислокациями. ФТТ, 1980, т.22, М, с.991−997
  25. Newman R. Recombination radiation from deformed and alloyed germanium p-n junctions at 80°K. Phys. Rev., 1957, v.105, № 6, p. 1715−1720
  26. Benoit a la Guillaume C. Recom binaison radiative par l’inter-mediare de dislocations dans le germanium. J. Phys. Chem. Sol., 1959, v.8, p.150−153
  27. А.А. Излучательная. рекомбинация на дислокациях в германии. Труды ФИАН, 1966, т. ХХХУП, с.3−40
  28. Steinman Е.А. Dislocation luminescence of Ge. Cryst. Res. and Technol., 1981, v. l6, U° 2, p. 247−250
  29. А.И., Осипьян. Ю.А., Шевченко С. А., Штейнман Э. А. Дислокационная люминесценция в германии. ФТТ, 1984, т. 26, Jfc 3, с. 677−683
  30. Н.А., Патрин А. А., Ткачёв В. Д. Рекомбинационное. излучение.: на дислокациях в кремнии. Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 23, № II, с. 651−653
  31. Drozdov N.A., Patrin A.A., Tkachev V.D. Modification of the dislocation luminescence spectrum by oxygen atmospheres in silicon. Phys.St.Sol (a), 1981, v.64, № 1, p. K63-K65
  32. Suezawa M., Sasaki Y., Nishina Y., Sumino K. Radiative recombination on dislocations in silicon crystals. Jap. J. Appl. Phys., 1981, v.20, № 7, p. L537-I"540
  33. Suezawa M., Sumino K. The nature of photoluminescence from plastically deformed silicon.-Phys.St.Sol (a>, 1983, v.78,№ 2,p.639−645
  34. Suezawa M., Sasaki Y., Sumino K. Dependence of photoluminescence on temperature in dislocated silicon crystals. Phys. St. Sol (a), 1983, v. 79, № 1, 173−181
  35. Bohm К., Fischer В. Photоluminescence at dislocations in GaAS and InP. J. Appl. Phys., 1979, v.50, N?8, p.5453−5460
  36. Frank W# Gosele U. A unifying interpretation of dark line defects in GaAS and bright dislocation galos in GaP. Physica, 1983, v. BC116, 1° 1−3, p. 420−424
  37. Osipyan Yu.A., Steinman E.A., Timofeev V.B. Optical properties of plastically deformed CdS single crystals. Phys. Stat.Sol., 1969, v.32, № 1, p. К121−1И22
  38. Klassen N.V., Ossipyan Yu.A. Optical properties of II-?1 compounds with dislocations. J. de Phys., 1979, v.40,Coll.C6,p.91−94
  39. Uegryi V. D, Osipyan Yu.A. Dislocation emission in CdS. Phys. St. Sol (a), 1979, v.55, № 2, p.583−588
  40. Kucizynski G.C., Hochman R.H. Light-induced plasticity in semiconductors. Phys. Rev., 1957, v. 108, № 4, p.946−948
  41. Kuczynski G.C., Hochman R.H. Light-induced plasticity in germanium. J. Appl. Phys., 1959, v. 30, № 2, p.267
  42. B.M., Векилов Ю. Х. К вопросу о влиянии-внутреннего фотоэффекта на. микротвёрдость G6 и S i. ФТТ, 1963, т. 5, 1(3 8, 2372−2374
  43. П.П., Новиков Н. Н., Горидько Н. Я. Фотомеханический эффект в кристаллах, и его физическая природа. В кн.:.Механизм пластической деформации металлов. Киев: Наукова. думка, 1965, с. 96−105
  44. Ю.Х., Мильвидский. М.Г., Освенский В. Б., Столяров О. Г., Холодный Л. П. О влиянии легирования и освещения на микротвёрдость монокристаллов полупроводников. Изв. Ж СССР. Неорган, мат., 1966, т. 2, Щ 4, с. 636−642
  45. Kusters К.Н., Alexander Н. Photoplastic effect in silicon.^ Physica, 1983, v. ВС цб, № 1−3, p. 594−599
  46. Kuczynski G.C., Iyer K.R., Allen C.W. Effect of light on thedislocation mobility in germanium. J. Appl. Phys., 1972, v. 43, № 4, p. 1337−1341
  47. Cavallini A., Gondi P., Castaldini A. Photoplasticity in Ge. -Phys.St. Sol (a), 1975, v. 32, № 1, p. K55-K58
  48. Maeda K., Ueda 0., Murayama Y., Sakamoto K. Mechanical properties and photomechanical effect in GaP single crystals.
  49. J. Phys. Chem. Sol., 1977, v.38, № 10, p. 1173−1179
  50. Ю.А., Савченко И. Б. Экспериментальное- наблюдение влияния света, на пластическую деформацию сульфида, кадмия. -Письма, в ЖЭТФ, 1968, т. 7, № 4, с. 130−134
  51. Ю.А., Петренко В. Ф. О природе, фотопластического аффекта. ЖЭТФ, 1972, т. 63, }? 5, с. 1733−1744
  52. Aristov V.V., Zaretskii A.V., Ossipyan Yu.A., Petrenko V.F., Strukova G.K., Khodos I.I. Dislocations in deformed ZnSe crystals as studied by weak-beam electron microscopy. Phys.St. Sol (a), 1983, v.75, № 1, p. 101−106
  53. Carlsson L., Svensson C. Increase of flow stress in ZnO under illumination. Sol. State Commun., 1968, v.7,№ 1,p.177−179
  54. Hakagawa K., Maeda K., Takeuchi S. Plastic deformation of CdTe single crystals. J.Phys.Soc. Jap., 1980, v.49,№ 5,p.1909−1915
  55. Н.Я., Кузьменко П. П., Новиков Н. Н. Об изменении механических свойств германия при изменении концентрации носителей тока. ФТТ, 1961, т. З,)& 12, с. 3650−3656
  56. Westbrook J.H., Gilman J.J. An electromechanical effect in semiconductors. J.Appl.Phys., 1962, v.33, № 7, p. 2360−2369
  57. Maeda K., Takeuchi S. Recombination enhanced mobility of dislocations in III-Y compounds. Techn.Rept.ISSP, l983, A, U°1310
  58. Erofeev V.N., Nikitenko V.I., Osvenskii V.B. Effect of impurities on the individual dislocation mobility in silicon. -Phys.St.Sol., 1969, v.35, № 1, p. 79−88
  59. . В.Б., Столяров О. Г., Мильвидский М. Г. Влияние заряженных примесей, на пластичность полупроводниковых» соединений А5. ФТТ, 1968, т. 10, № 11, с. 3208−3212
  60. В.Н., Никитенко В. И. Подвижность дислокаций в, содержащем, примеси замещения и внедрения. ФТТ, 1971, т. 13, II, с. I46-I5I
  61. Physics in one dimension.- Berlin e.a.tSpringer, 1981.-365pp., ill
  62. Г. Электроника, дефектов в. полупроводниках. М.: Мир, 1974. — 464 е., илл.
  63. Holt D.B. Device effect of dislocations. J. de Phys, 1979, v. 40, Coll. C6, p.189−199
  64. . Ю.Г. Влияние дислокаций на электрические, параметрыр п переходов. — Труды Всесоюзного электротехнического института, 1980, № 90, с. 91−101
  65. Ю.А., Литвинов Ю. М., Фаттахов Э. А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. — 240 е., илл.
  66. О.Ю., Дмитрук Н. И., Конакова, Р.В., Солдатенко Н. Н., Тхорик Ю. А. Рекомбинационные свойства, границ раздела, и электрические- характеристики гетеропереходов Ge-GaAS и
  67. Si Ge" ^ GaAS. — ®-П, 1980, т.14,)Ш, с.1478−14 851. X 1 —X
  68. Petroff P.M., Logan R.A., Savage A. Non-radiative recombination at dislocations in III-Y compound semiconductors.
  69. Phys. Rev. Lett., 1980, v.44, p.287−291
  70. Woodall J.M., Pettit G.D., Jackson T.N., Lanza C., Kavanagh K.L., Mayer J. W# Fermi level pinning by misfit dislocations at GaAS interfaces. Phys. Rev., Lett., 1983, v.51, 19, p.1783−1786
  71. Johnston W.D., Miller B.I. Degradation characteristics of cw optically pumped Al Ga^ AS heterostructure lasers. Appl.1. A I «*A
  72. Phys.Lett., 1973, v.23, № 4, pp. 192−194
  73. Petroff P.M., Hartman R.L. Defect structure induced during operation of hetегоjunction GaAS laser. Appl. Phys.Lett., 1973, v. 29, № 8, p. 469−471
  74. Petroff P.M., Kimerling L.C., Jonston W.D. Electronic excitation effects on the mobility of pointdefects and dislocations in GaAiAS GaAS heterojuctions. — Inst. Phys. Conf. Ser., 1977, 46, p. 362−367
  75. Woolhouse G.R., Monemar В., Serrano C.M. Secondary dislocation climb during optical excitation of GaAs laser material. -Appl. Phys. Lett., 1978, v.33, 1, p. 94−97
  76. Komiya S., Yamaguchi A., Umebu J., Kotani T. Optically induced glide motion of misfit dislocations in InP/In. YGa P As1 /InP double1. X J Iheterostructures. J.Appl.Phys., 1983, v.54, № 2, р.1058−10б1
  77. E.JL., Ланг И. Г., Павлов С. Т. Теория резонансного вторичного свечения полупроводников. ФТТ, 1977, т.19,1ЮД751−1759
  78. Hirsch Р.В. A mechanism for the effect of doping on dislocation mobility. J. de Phys., 1979, v.40, Coll C6, p.117−121
  79. Shokley W. Dislocations and edge states in the diamond crystal structure. Phys. Rev., 1953, v.91, № 1, p.228
  80. Jones R. Electronic states associated with the sixty-degree edge dislocation in germanium. Phil.Mag., 1977, v.36,№ 3,p.677−683
  81. Heine V. Dangling bonds and dislocations in semiconductors. -Phys. Rev., 1966, v. 146, 1° 2, p. 568−570
  82. Jones R. Theoretical calculations of electron states associatedwith dislocations. J. de Phys., 1979, v.40,Coll. C6, p.33−38
  83. Schroter W. Electronic states at dislocations and their influence on the physical properties of semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser., 1979, № 46, Ch. I, p.114−127
  84. Patel J.R., Kimerling L.C. Dislocation energy levels in deformed silicon. Cryst. Res. and Technol., 1981, v. l6,№ 2,p.187 195
  85. M.H., Кведер В. В., Осипьян Ю. А. Влияние водорода на. дислокационные донорные и, акцепторные состояния. ЖЭТФ, 1982, т. 82, № 6, с. 2068−2074
  86. Schroter W», Scheibe E., Schoen Н. Energy spectra of dislocations in silicon and germanium.-J.Microsc., 1980, v.118,Pt.1,p.23−3^
  87. Ю.А., Ртищев A.M., Штейнман Э. А. Исследование спектров дислокационной: люминесценции при отжиге деформированных образцов кремния. ФТТ, 1984, т. 26, с. 1772−1776
  88. Kveder V.V., Osipyan Yu.A., Schroter W., Zoiih. E. On the energy spectrum of dislocations in silicon. Phys. Stat. Sol.(a), 1982, v. 72, № 2, p. 701−713
  89. Mergel D., Labusch R. Variable reconstruction of dislocation cores in Si.- Phys.St.Sol (b), 1982, v.114,№ 2,p.545−551
  90. Jaros M., Kirton M.J. Electrical properties of dislocation lines in silicon. Phil.Mag.B, 1982, v.46,Ж°1, p.85−88
  91. Grazhulis V.A., Kveder V.V. Mukhina V.Yu. Investigation of the energy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Si crystals.I. Phys. St. Sol (a), 1977, v.43, 2, p.407−415
  92. Grazhulis V.A., Kveder V.V., Mukhina V.Yu. Investigation of theenergy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Si crystals1. Microwave conductivity.-Phys.St.Sol (a), 1977, v.44,№ 1,p. 107 115
  93. Ю.А., Рыжкин. И. А. Спектр дислокационных состояний: в полупроводниках. ЖЭТФ, 1980, т.79, 3, с. 961−973
  94. И.А. Влияние внутриузельных корреляций на энергетический. спектр дислокационных электронов. ФТТ, 1982, т.24, Jfe I, с. 50−54
  95. Hubbard J, Electron correlation in narrow energy bands. -Proc. Roy. Soc. A, 1963, v. 276, H° 1365, p. 238−258
  96. Northrup J.E., Cohen M.L., Chelikowsky J.R., Spence J., Olsen A, Electronic structure of the unreconstructed 30° partial dislocations in silicon. Phys.Rev. B, 1981, v.24,№ 8, p.4623−4628
  97. Marklund S. Electron states associated with core region of the 60° dislocations in silicon and germanium. Phys. St. Sol (b), 1978, v. 85, № 2, p. 673−681
  98. Marklund S. Electron states associated with partial dislocations in Si. Phys. St. Sol (b), 1979, v. 92, № 1,p.83−89
  99. J.R. 30° partial dislocations in silicon: absence of electrically active states. Phys. Rev. Lett., 1982, v.49,21, P. 1569−1572
  100. Heggie M., Jones R. Solitons and the electrical and mobility properties of dislocations in silicon. Phil. Mag. B, 1983, v. 48, № 4, p. 365−377
  101. Heggie M., Jones R. Calculation of the localized electronic states associated with static and moving dislocations in silicon. Phil. Mag. B, 1983, v.48, N° 4, p. 379−390
  102. А.Б. К проблеме размеров кластера. Изв. вузов. Физика, 1981, т. 24, № I, с. II7-II8
  103. Бонч-Бруевич В.1., Гласко В. Б. К теории электронных состояний, связанных с дислокациями. ФТТ, 1961, т. З, М, с.36−52
  104. A.M. Длинноволновые квазичастичные состояния, локализованные у винтовой дислокации в кристалла. ФНТ, 1978, т.4, № 7, с. 902−913
  105. В.Н., Косевич A.M. О локализованном состоянии электрона на винтовой дислокации. ФНТ, 1980, т.6, № 3, с.371−375г
  106. . B.JI. Спиновые волны на дислокациях. Письма в ЖЭТФ, 1970, т. II, № 4, с. 233−235
  107. Gouyet J.P. Magnetic properties of dislocations. Spin pola-rons. J. de Phys. — 1979, v.40, Coll. C6, p. 107−109
  108. Kechechyan K.O., Kirakossyan A.A. Wannier-Mott exciton in the field of screw dislocations. Phys. St. Sol (Ъ), 1977, v. 83, p. K.105-K109
  109. С.В., Паршин Д. А., Харченко В. А. Дислокационный зкситон, Моттец ФТТ, 1982, т.24, № 5, с. I4II-I4I6
  110. И.М., Пушкаров Н.й. Локализованные возбуждения в полупроводниках. с дислокациями. Письма в. ЖЭТФ, 1970, т. II, № 9, с. 456−459
  111. Э.П., Стефанович Л. И. Глубокие уровни на дислокациях. ФТТ, 1984, т. 26, Й5, с. 1468−1473
  112. ПО. Косевич A.M., Танатаров Л. В. Об энергетическом спектре электрона. в магнитном поле при наличии локального линейного возмущения /дислокации/. ФТТ, 1964, т.6, ^ II, с. 3423−3434
  113. Л.В. Глубокие уровни в полупроводниках. ЖЭТФ, 1963, т. 45, В 2, с. 364−375
  114. Справочник., по специальным функциям. /Под. ре д. М. Абрамовича, И.Стиган. М.: Наука, 1979. — 832 е., илл.
  115. Дж. Принципы теории твёрдого тела. М.: Наука, 1974. — 416 е., илл.
  116. Л.Д., Лифшиц, Е.М. Квантовая механика. М.: Наука, 1974. — 752 е., илл.
  117. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors. Sol. State Commun., 1965, v.3,N°9,p*299−302
  118. Luttinger J.M., Kohn W. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields. Phys.Rev., 1955, v.97,№ 4,p.869−883
  119. И.М. Электроны’и дырки в полупроводниках.
  120. М.: Наука, 1972. 640 е., илл.
  121. С.Т., Фирсов 10.А. О переворачивающем* спин взаимодействии электронов с оптическими фононами в полупроводниках. -ФТТ, 1965-, т. 7, № 9, 2634−2647
  122. Р. Теория экситонов. М.: Мир, 1966. — 220 е., илл.
  123. London R. One-dimensional hydrogen atom. Amer. J. Pjhys." 1959, v, 27, p. 649−655
  124. A.C. Теория твёрдого тела. M.: Наука, 1976. -640с.илл.
  125. A.M. Основы механики кристаллической решётки. М.: Наука, 1972. — 280с.:илл.
  126. А.П., Брычков Ю. А., Маричев О. И. Интегралы и ряды. Специальные функции. М.: Наука, 1983. — 752 с.
  127. Э.Б. К вопросу об оптических свойствах дислокаций в. полупроводниках. ФТТ. Г 1965, т.7, if? 2, с. 489−495
  128. Э.Д., Сафронов JI.H., Смирнов Л. С. Роль примесных атмосфер в. излучательной рекомбинации на дислокациях в германии. -ФТП, 1972, т.6, № 9, с. 1787−1790
  129. Маркина-Осоргина И.А., Шмурак С. З. Дислокационные экситоны в кристаллах KI. ФТТ, 1974, т.16, № 10, с. 3164−3166
  130. В.И., Хотяинцев В. Н. Рассеяние света экситонами, локализованными на дислокациях. ФТТ, 1977, т.19,№ 9,с, 1817−1819
  131. В.И., Хотяинцев В. Н. Влияние дислокаций на форму эк-ситонных полос поглощения. ФТТ, 1979, т.21, J?3, с.939−941
  132. А.В., Красильникова 1.1. Дислокационное поглощение света в прямозонных полупроводниках. ФТТ, 1984, т. 26,2, с. 5.90−592
  133. Р.А., Киракосян Г. Г. 0 люминесценции полупроводников с заряженными дислокациями. ФТТ, 1982, т.24, № 10,с. 3020−3025
  134. Ч. Квантовая теория твёрдых тел. М., 1967.-492с., илл.
  135. Рассеяниа света в, твёрдых телах. /Под ред. М.Кардоны. -М.: Мир, 1979. 392 е., илл.
  136. Рассеяние- света, в. твёрдых телах. Выпуск П. /Под ред. М. Кар-доны и Г. Гюнтеродта. М.: Мир, 1984. — 328 е., илл.
  137. А.В., Ланг И. Г., Павлов С. Т., Яшин Г. Ю. Длинноволновое, вторичное- излучение- в полярных полупроводниках. ЖЭТФ, 1978, т. 75, Sf- I, с. 279−286
  138. В.И., Кондауров В. П., Королёв И. А. Рекомбинация неравновесных носителей при экситон-фононном взаимодействии в полупроводниках с дислокациями. ФТП, 1983, т.17, 6, с. II35-II37
  139. Дд. Действие.- адсорбированной воды на пластическую деформацию неметаллических твёрдых тел. В кн.-. Чувствительность механических свойств к действию среды. — М.: Мир, 1969, с. 257−273
  140. Н.Н., Горидько. Н. Я. Относительно существования непосредственной связи между микротвёрдостью и поверхностной анергией- германия. В кн.: Новое в области испытаний на микротвёрдость. — М.: Наука, 1974, с. 63−66
  141. С.А., Маника. И.П., Упит Г. П. Влияние света и электрического. поля на микротвёрдость полупроводников и полуметаллов. В кн.: Новое в области испытаний на микротвёрдость. -М.: Наука, 1974, с. 206−209
  142. Т.А. О природе, электромеханического эффекта в полупроводниках. ФТТ, 1964, т.6, В 7, с. 2219−2222
  143. . Р.Н. Фотомеханические, и электромеханические эффекты в полупроводниках. В кн.: Труды DC международной конференции по физике полупроводников, 1968. — JL: Наука, 1968. — т.1,с. 510−514
  144. Schaumburg Н., Schroter W. Does the dislocation velocity in
  145. Ge depend on optical illumination? Phys.Lett.A, 1969, v.30, Я°1, p. 21−22
  146. Stacy W.T., Fitzpatrik B.J. Electron-beam induced dislocation climb in ZnSe. J. Appl.Phys., 1978, v.49,№ 9, p.4765−4769
  147. Г. П. Образование дефектов решётки в широкозонныхо fvполупроводниках, А В под воздействием излучения азотного лазера. ФТТ, 1984, т. 26, I 4, с. 995−1001
  148. Kimerling L.C. Recombination enhanced defect reactions. Sol. State Electronics, 1978, v.21, 11/12, p. 1391−1401
  149. . A.M. Теория дефектов в твёрдых телах. М.: Мир, 1978. — т.1. — 570с., илл.
  150. М.К. Новое: объяснение, рекомбинадионно-стимулирован-ных явлений, в полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1983, т. 38, № 6, с. 278−280
  151. Patel J.R., Frisch H.L. Chemical influence of holes and electrons on dislocation velocity in semiconductors. Phys.Rev. Lett., 1967, v. 18, № 19, p. 784−788
  152. Haasen P. Kink formation and migration as dependent on the Fermi level. J. de Phys., 1979, v.40, Coll.06, p.111−116
  153. .В. О влиянии точечных, дефектов на подвижность дислокаций, в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса. ФТТ, 1971, т. 13, № 5, с. 1445−14 449
  154. .В., Покровский В. Л. О влиянии заряженных примесей на подвижность дислокаций в кристаллах с высокими барьерами Пайерлса. ФТТ, 1971, т. 13, № 12, с. 3679−3682
  155. .В., Сухарев В. Я. О влиянии заряженных примесей на. подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе. ФТТ, 1981, т. 22, № 2, с. 456−462
  156. Jones R. The structure of kinks on the 90° partial in silicon and «a strained-bond model» for dislocation motion. Phil. Mag. В, 1980, v.42, № 2, p.213−219
  157. В.И., Даринский Б. М., Шалимов В. В. К теории подвижности дислокаций в легированных полупроводниках. ФТТ, 1982, т. 24, Jfe 2, с. 5II-5I6154.^Орлов А. Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. — М.: Высшая школа, 1983. — 144 е., илл.
  158. Hirsch Р.В., Ourmazd A., Pirouz P. Relaxation of dislocations in deformed silicon. Inst.Phys.Conf.Ser., 1981, N°60,p.29−34
  159. Louchet P. On the mobility of dislocations in silicon by in situ straining in a high-voltage electron microscope. Phil. Mag. A, 1981, v. 43, № 5, p. 1289−1297
  160. Sumino K., Yonenaga I., Harada H., Imai M. Solution effects on the mechanical behaviour and the dislocation mobility in silicon crystals. In: Dislocation modelling of physical systems. Oxford e.a.: Oxford University Press, 1981, p.212−216
  161. В.И., Свиридов В. В. Оптическое поглощение в полупроводниках с дислокациями. ФТТ, 1982, т.24,)Ю, с.1654−1660
  162. В.И., Свиридов В. В. Комбинационное рассеяние света в полупроводниках с дислокациями. ФТТ, 1982, т. 24, JS& II, с. 3490−3492
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!