Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6, A3 B5) и многокомпонентных (A4 B6, A2A3 B6) широкозонных полупроводиках

Диссертация: Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6, A3 B5) и многокомпонентных (A4 B6, A2A3 B6) широкозонных полупроводиках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одиночных Уд, локализованных в области искажений структуры в CdS и CaGa2S4: Euанизотропных тримерных центров оранжевой люминесценции в CdS и CdS, представляющие собой ассоциаты ДАП с междоузельными атомами Cd: (Сщ — Cued) + Cd, и (Agi — Aged) + Cdi, расположенные вдоль линии. Ориентация таких линейных ассоциатов относительно гексагональной оси С составляет 0° и 60°- центров ИК люминесценции… Читать ещё >

Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6, A3 B5) и многокомпонентных (A4 B6, A2A3 B6) широкозонных полупроводиках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В БИНАРНЫХ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ (обзор)
    • 1. 1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках
    • 1. 2. Методы исследования центров с глубокими уровнями в полупроводниках
    • 1. 3. Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в полупроводниках
      • 1. 3. 1. Собственные структурные дефекты и их ассоциаты в соединениях Л2В
      • 1. 3. 2. Глубокие центры, обусловленные примесями Agi, Сщи Ащ в соединениях А2В
      • 1. 3. 3. Центры с глубокими уровнями в SiC и структурах на его основе
      • 1. 3. 4. Центры с глубокими уровнями в тиагалатах CaGaSiEu
    • 1. 4. Механизмы фотохимических реакций дефектов и параметры фотохимически активных центров в полупроводниках А2В
      • 1. 4. 1. ФХР, связанные с ассоциацией доноров между собой
      • 1. 4. 2. ФХР, связанные с ассоциацией и распадом ДАП- 43 1.4.3. ФХР, связанные с увеличением концентрации доноров из-за их отхода от дислокационных стоков
  • Выводы I главы
  • Глава II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Характеристики исследованных образцов
    • 2. 2. Установки и методики измерений
      • 2. 2. 1. индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) поляризованной ИПФ и оптического гашения фотопроводимости (ОГФ)
      • 2. 2. 2. термостимулированной проводимости (ТСП) и термостимулированной люминесценции (TCJI)
      • 2. 2. 3. фотолюминесценции
      • 2. 2. 4. поляризованной люминесценции
    • 2. 3. Методика проведения фотохимических реакций (ФХР)
  • Глава III. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ БЫСТРОГО ТИПА В НЕКОТОРЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В
    • 3. 1. Стабильные центры прилипания электронов (ЦПЭ) в монокристаллах CdS, обусловленные примесями элементов I группы
      • 3. 1. 1. ЦПЭ в CdS <�Си>
      • 3. 1. 2. ЦПЭ в CdS
      • 3. 1. 3. ЦПЭ в CdS <�Аи>
    • 3. 2. Фотостимулированные преобразования ЦПЭ в монокристаллах
  • CdS, легированных медью
    • 3. 2. 1. «Фиолетовый» сдвиг полос ИПФ, обусловленный ассоциацией Сщ в распределенные донорные пары
    • 3. 2. 2. «Красный» сдвиг полос ИПФ, обусловленной фотохимическими реакциями дефектов
    • 3. 2. 3. Температурный сдвиг полос ИПФ, связанных с ФХР
    • 3. 3. Фотостимулированная генерация донорных пар (Ag)2 в монокристаллах ZnSe
  • Выводы III главы
    • Глава IV. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ МЕДЛЕННОГО
    • 4. 1. Стабильные ЦПЭ медленного типа
    • 4. 1. 1. Стабильные ЦПЭ медленного типа в монокристаллах CdS
    • 4. 1. 2. Стабильные ЦПЭ медленного типа в моно- и поликристаллах CaGaS: Ей
    • 4. 2. Фотохимически активные ЦПЭ медленного типа
    • 4. 2. 1. фотоуправляемый сдвиг полос ТСТ в монокристаллах CdS
    • 4. 2. 2. фотохимически активные ЦПЭ в монокристаллах CdS
    • 4. 3. Механизм старения полупроводников, обусловленный изменением температуры их хранения
  • Выводы IV главы
    • Глава V. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ АНИЗОТРОПИИ ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫХ И СТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ CdS и
  • СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs
    • 5. 1. Симметрия фотохимически активных центров ИК свечения в CdS
    • 5. 2. Анизотропия стабильных центров оранжевого свечения в монокристаллах CdS, CdS и CdS
    • 5. 3. Анизотропия центров свечения, локализованных в области пространственных искажений структуры на основе GaAs
  • Выводы V главы
    • Глава VI. СТИМУЛИРОВАННЫЕ ЛАЗЕРНЫМ ОТЖИГОМ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ эй
    • 6. 1. Фотолюминесценция гетерограницы структур
    • 81. С)Ьх (АШ)х / 8ЁС
    • 6. 2. Спектральный сдвиг полос фотолюминесценции структур фСЫАИЧ) х / 81С, обусловленный лазерным отжигом
  • Выводы VI главы
    • Глава VII. Приложения. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ, ПРЕДСТАВЛЯЮЩИЕ ИНТЕРЕС ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКОГО ПРИМЕНЕНИЯ
    • 7. 1. Неохлаждаемый примесный фотоприемник ИК диапазона на основе С (18е<�Си>
    • 7. 2. Фотостимулированное переключение структур СаАв в проводящее состояние

Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых соединений, обусловленные собственными и примесными дефектами кристаллической структуры, определяют их разносторонние применения в качестве фотодетекторов, светоизлучающих диодов и других базовых элементов полупроводниковой оптоэлектроники, лазерной техники и т. д. Изучению вышеуказанных свойств посвящены многочисленные исследования, позволившие создать научную основу для понимания их микроструктуры и динамики неравновесных процессов при облучении светом различных длин волн или других воздействиях. Тем самым были достигнуты значительные успехи в целенаправленной разработке полупроводниковых устройств с заданными параметрами, необходимыми для их практического применения. Вместе с тем разнообразие и сложность процессов дефектообразования приводит к ряду проблем, ждущих своего разрешения и представляющих интерес как в научном, так и в практическом аспектах. Одной из таких проблем, которым посвящена настоящая диссертационная работа, является обратимые изменения дефектной структуры некоторых полупроводников под воздействием оптического излучения, получившие название фотохимических реакций (ФХР), а сами центры, участвующие в ФХР, называют фотохимически активными центрами. Хотя в этих процессах не происходит изменение химического состава вещества, термин ФХР прочно вошел в терминологию физики полупроводников наряду с позднее предложенным и более корректным: фотостимулированные преобразования (ФСП) дефектной структуры. В настоящей работе, как и в современной литературе, будут использованы оба этих термина-синонима.

Множество полезных для практического применения свойств полупроводников обусловлено так называемыми центрами с глубокими уровнями или глубокими центрами (ГЦ) — локальными дефектами, энергия ионизации которых существенно больше кТ.

Деление ГЦ на глубокие и мелкие носит условный характер, поскольку определяется не только глубиной соответствующих уровней в запрещенной зоне полупроводника, но и температурой. Тем не менее, эти термины укрепились в физике полупроводников и будут использованы в настоящей работе.

Изучение ГЦ имеет и познавательную сторону, поскольку для ГЦ, в отличие от так называемых мелких центров, отсутствует адекватная теория, позволяющая произвести расчет энергетического спектра, волновых функций ГЦ, зарядового состояния, сечений захвата носителей, коэффициентов поглощения и т. д.

Одна из проблем изучения ГЦ связана с тем, что большинство этих центров присутствуют в полупроводниках не только в одиночном состоянии, но и в виде ассоциатов с другими дефектами. Возможность образования глубокими центрами ассоциатов предполагает их миграцию к другим дефектам и образование комплексных центров, состоящих из достаточно близкорасположенных компонент. В этой связи представляет определенный интерес изучение механизмов как тепловой, так и фотостимулированной диффузии, реализуемой при фотохимических реакциях (ФХР). Поэтому изучение ФХР с участием ГЦ (фотохимически активных ГЦ), которым в настоящей работе уделено одно из основных мест, является неотъемлимой частью исследований ГЦ и представляется весьма актуальной научной и технической задачей.

Основная цель диссертационной работы — установление природы, структуры, параметров и механизмов стимулированной диффузии глубоких центров в бинарных (Сс18, Ссйе, 2п8е, СсГТе, ваАз, и многокомпонентных (8Ю-АШ, СаОа8: Еи) полупроводниковых соединениях.

Изучение возможности использования свойств и особенностей глубоких центров для разработки на основе этих соединений оптоэлектронных устройств и методов их диагностики.

Экспериментальные исследования проведены с использованием комплекса спектроскопических, термоактивационных и поляризационных методов исследований: ПФ, ИПФ, ОГФ, ТСТ, ТСЛ, ФЛ, ПЛ.

Научная новизна. Представленные в работе экспериментальные и теоретические исследования позволили установить следующие данные:

Обнаружены:

• Обратимая фотостимулированная ассоциацией междоузельных доноров Cui с акцепторами в распределенные ДАП, приводящая к спектральным сдвигам полос ИПФ в монокристаллах CdS ;

• фотостимулированная генерация квазилинейчатых спектров ИПФ в монокристаллах CdS и ZnSe, обусловленных обратимой фотостимулированной ассоциацией междоузельных атомов Сщ и Agi в распределенные по межатомным расстояниям ДДП (Си,)2 и.

Agl)2 ;

• фотоуправляемый распад распределенных ДАП, приводящий к спектральным сдвигам полос ТСТ в монокристаллах CdS ;

• изотермическое изменение темновой проводимости монокристаллов p-CdTe, обусловленное перераспределением вакансионно-примесных пар (Dk+ - Ak")° по межатомным расстояниям;

• спектральный сдвиг полос фотолюминесценции эпитаксиальных структур (SiC)ix (AlN)x, обусловленной распределенными ДАП (AlSi — Ne) и связанный с перераспределением этих ДАП в пользу образования близких ассоциатов за счет удаленных в процессе лазерного отжига;

• оптическая анизотропия центров:

— оранженого и ИК свечения в монокристаллах CdS,.

— ИК чувствительности в монокристаллах CdS ?

— ИК люминесценции в структурах GaAs.

• фотостимулированные преобрацования симметрии центров ИК люминесценции в монокристаллах CdS .

Представлены экспериментальные доказательства:

• существования быстрых (а-) и медленных ((3-) ЦП в полупроводниковых соединениях CdS, CdTe, ZnSe и CaGa2Szi: Eu;

• существования оптически активных (а-) глубоких ЦП, обусловленных одиночными междоузельными атомами:

— Си-, Agi 5 Ащ и их ассоциатами в монокристаллах CdS;

— Agi и их ассоциатами в монокристаллах ZnSe, Определены оптические и термические энергии ионизации этих осцентров;

• существования термически активных (Р-) глубоких ЦП, в монокристаллах CdS, обусловленных как анионными вакансиями, так и их ассоциатами, расположенными в областях с пространственными искажениями кристаллической решетки;

• существования термически активных ((3-) глубоких ЦП в поликристаллических тиагалатах CaGaiS^Eu, расположенными в областях с пространственными искажениями кристаллической решетки;

• оптической анизотропии центров свечения в монокристаллах CdS, и эпитаксиальных пленках GaAs;

Предложены модели: оптически активных (а-) глубоких ЦП: одиночных междоузельных атомов Сщ, Agi, Au? в CdSмногоуровневых оптически активных (а-) глубоких ЦП: распределенных по межатомным расстояниям ДАП (Cui+ - А")0, (Agi+ - А")0 и (Aui+ - А")0 в CdSмногоуровневых оптически активных (а-) глубоких ЦП: распределенных по межатомным расстояниям ДДП (Cui)2 в CdS и (Agi)2 в ZnSe многоуровневых термически активных ((3-) ЦП:

— распределенных ДАП (Dk+ - V")0 в p-CdTe;

— одиночных Уд, локализованных в области искажений структуры в CdS и CaGa2S4: Euанизотропных тримерных центров оранжевой люминесценции в CdS и CdS, представляющие собой ассоциаты ДАП с междоузельными атомами Cd: (Сщ — Cued) + Cd, и (Agi — Aged) + Cdi, расположенные вдоль линии. Ориентация таких линейных ассоциатов относительно гексагональной оси С составляет 0° и 60°- центров ИК люминесценции в монокристаллах CdS, представляющих собой одиночные изотропные акцепторы: VCd и Cued, которые в результате ФХР ассоциируются с междоузельными атомами Cd? и образуют анизотропные центры ИК свечения (VCdCdi) и (Cued — Cdi) — центров свечения hv Макс = 2.4 — 2.7 эВ в эпитаксиальных пленках (SiC)ix -(AlN)x, представляющие собой распределенные ДАП (AlSiNe).

Развиты методы исследований различных этапов ФСП дефектов в полупроводниках, позволяющие с одной стороны стимулировать протекание этих процессов при различных температурах, а с другой стороны — определять термоактивационные параметры процессов ФСП.

Практическую ценность представляют: разработанный неохлаждаемый примесный детектор ИК излучения среднего диапазона (^=0.8−1.5 мкм) на основе монокристаллов CdSeмеханизм старения полупроводников, позволяющий на примере р-CdTe, объяснять самопроизвольное изотермическое изменение проводимости полупроводников при изменениях температуры их храненияразработанная методика поляризационной спектроскопии возбуждения ФЛ эпитаксиальных пленок, позволяющая определять наличие механических напряжений на границе эпитаксиальной пленки с подложкойразработанная методика создания трехцветных люминесцентных источников на основе одной и той же эпитаксиальной пленки (SiC)ix (A1N)X (х >0.5) — обнаружение фотостимулированного переключения структур на основе GaAs в проводящее состояние.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Идентифицикация глубоких донорных центров, обусловленных межузельными атомами меди и золота в полупроводниковом соединении CdS.

2. Обнаружена обратимая генерация донорных пар (Cui)2 и (Agi)2 в монокристаллах CdS и ZnSe в результате фотохимических реакций.

3. Установлен механизм нетепловой ионизационно-стимулированной диффузии междоузельных атомов Сщ и Agi в монокристаллах CdS и ZnSe.

4. Показано влияние поля дислокаций на энергетической положение уровней анионных вакансий и их сечений захвата электронов в халькогенидах кадмия и тиогалатах CaGaS: Eu.

5. Экспериментально доказано преобразование симметрии центров свечения CdS в результате ФХР.

Апробация работы: материалы диссертационной работы обсуждались на Республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (г. Ужгород, 1979), III Всесоюзной конференции по люминесценции (г. Ленинград, 1982 г.), II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (г.Одесса- 1982 г.) — V Всесоюзном совещании по физике и техническому применению полупроводников, А В (г.Вильнюс-1983 г.) — III Всесоюзном совещании «Физика и технология полупроводников» (г.Махачкала-1986 г.) — Международной конференции «Некристаллические полупроводники» (Венгрия, 1986 г.), Международного конгресса по стеклу (г. Ленинград, 1988 г.), Республиканской школы-конференции «Актуальным вопросам физики полупроводников» (г. Киев — 1989 г.) — V Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (г. Саратов — 1990 г.) — Всесоюзной конференции по физике полупроводников (г. Киев, 1990 г.), III Всесоюзной конференции по материаловедению халькогенидных полупроводников (г. Черновцы, 1991 г.), Всесоюзных конференциях по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ташкент-1988 и Ашхабад — 1991 г.) — I Международной конференции по материаловедению халькогенидных и алмазоподобных полупроводников (г. Черновцы,.

Украина, 1994 г.), Международной конференции «Оптика полупроводников» (Ульяновск-1998 и 2000г), Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных структурах» (Ульяновск-1999 г), II Международной конференции «Физические проблемы материаловедения полупроводников (г. Черновцы, Украина, 1999 г.), Конференциях молодых ученых (г. Махачкала — 1977,1978 и 1985 гг.);

Публикации. По теме диссертации опубликовано 55 работ, получено одно авторское свидетельство на изобретение.

В этих работах представлены результаты исследований, выполненных автором самостоятельно и совместно с коллегами. Постановка задачи, методики эксперимента и интерпретация полученных данных принадлежат автору. Большинство работ автора выполнено в соавторстве с докторами физ.-мат. наук, профессорами М. А. Ризахановым, М. К. Шейнкманом, и Г. К. Сафаралиевым, а также с А. А. Бабаевым. Е. М. Зобовым, Ф. С. Габибовым, М. М. Хамидовым, М. К. Курбанвым, С. С. Остапенко, М. А. Танатаром, Н. Е. Корсунской, Т. В. Торчинской Автор выражает им благодарность за плодотворное научное сотрудничество.

Выражаю особую признательность доктору физ.-мат. наук, профессору М. А. Ризаханову, доктору физ.-мат. наук, профессору Сафаралиеву Г. К., главному научному сотруднику ФИАН им. П. Н. Лебедева РАН, доктору физ.-мат. наук, профессору, академику РАЕН, А. Н. Георгобиани и заведующему сектором оптоэлектроники, академику HAH Украины, доктору ф.-м.н., профессору М. К. Шейнкману за внимание и содействие выполнению данной работы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

L Идентифицированы глубокие донорные центры CdS, обусловленные междоузельными атомами меди, серебра и золота. Значения их оптических энергий ионизации (Еопт) и сечений захвата электронов (Sn) составляют:

Сщ :Еопг=0.27эВ, Sn = 10″ 17 м² Aui: ЕО1ТГ=0.30эВ, Sn = 10″ 17M2 2. Установлено, что междоузельные атомы Cuj и Agi в монокристаллах CdS и ZnSe являются фотохимически активными. Фотохимические реакции приводят к обратимому образованию распределенных по междоузельным расстояниям донорных пар, состоящих из двух одинаковых атомов Cui в CdS и Agi в ZnSe.

3. Показано, что в условиях протекания ФХР в монокристаллах CdS и ZnSe междоузельные атомы соответственно Cui и Agi диффундируют по междоузлиям кристаллических решеток по механизму нетепловой ионизационно-ускоренной диффузии без преодолений диффузионных барьеров.

4. Установлено, что междоузельные атомы Си,, Agi, Aui и их ассоциаты в виде донорно-акцепторных и донорных пар в соединениях CdS и ZnSe представляют собой оптически активными ЦПЭ — а-центры, т. е. проявляются в фотоактивационных процессах (ПФ, ИПФ, ОГФ). В то время как ЦПЭ, связанные с анионными вакансиями, являются термически активными — Р-центры, проявляющиеся только в термоактивационных процессах.

5. Показано, что термически активные центры в монокристаллах CdS и поликристаллах CaGa2S4 обладают аномально малыми.

О1″) сечениями захвата электронов (Sn = 10″ -г 10″ м). Это вызвано их преимущественной локализацией возле дислокаций, создающих барьер для захвата электронов.

6. В монокристаллах CdS выявлен механизм фотоуправляемого увеличения расстояний между компонентами ДАП, приводящий к управляемому температурой проведения ФХР росту энергетических глубин уровней доноров, участвующих в ионизационно-стимулированной диффузии.

7. Установлена анизотропия преимущественного направления низкотемпературного электродрейфа и фотостимулированной диффузии междоузельных атомов меди в кристаллической решетке CdS. Диффузия и дрейф Cui наиболее эффективны вдоль гексагональной оси С и не наблюдаются в поперечных направлениях.

8. Показано, что фотохиически активными центрами ИК люминесценции (А, мшсс = 1.02 мкм) в монокристаллах CdS являются одиночные Ved и CuedФХР приводят к их комплексованию с междоузельными атомами кадмия с образованием анизотропных центров (Ved — Cdi) и (Cued — Cdi), ориентированных соответственно вдоль 0° и перпендикулярно оси С.

9. Установлено, что центрами оранжевой люминесценции в монокристаллах CdS и CdS являются трехатомные ассоциаты Cui.- Acd — Cdi, и Agi — Acd — Cdi, соответственно, при этом ориентация ближайших ассоциатов составляет 60° с осью С. Эти центры являются фотохимически неактивными.

10. Предложен экспериментальный метод выявления межфазных напряжений в полупроводниковых структурах, основанный на измерении степени спонтанной поляризации люминесценции и ее зависимости от длины волны возбуждающего света.

11. Установлено, что воздействие лазерного отжига (X = 337.1 нм) допороговой мощности на фотолюминесенцию эпитаксиальных структур (8Ю)1-х (АШ)Х / БЮ с содержанием АШ менее 20% приводит к уменьшению полосы фотолюминесценции Ьумакс = 1.9 эВ, связанной с Ус, и появлению новой полосы с Ьумакс = 2.3 эВ, обусловленной образованием распределенных ДАП А^ - Ис. Увеличение времени отжига пленки приводит к монотонному сдвигу полосы ФЛ до значения Ьумакс = 2.7 эВ, связанному с термодиффузионным образованием близких ДАП той же природы за счет удаленных.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.// М.: изд-во «Физматгиз», — 1962. — 494 с.
  2. А. Основы теории фотопроводимости.// М.: изд-во Мир",-1966. 138 с.
  3. Р. Фотопроводимость твердых тел.// М.: изд во «ИЛ»,-1962.-558 С.
  4. Aven M., Prener J.S. Physics and Chemestry of II-VI Compounds // Amsterdam.- 1967. (Перевод под ред. C.A. Медведева Физика и химия соединений А2В6. М.: «Мир». — 1970.)
  5. Ф. Химия несовершенных кристаллов.// (Под редакцией Полторака О.М.) М.: «Мир», — 1969. 654 С.
  6. A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфо-ров.//М.: «Высшая школа», — 1971. 336 С.
  7. Reiss H., Fuller C.S., Morin F.J. Bell. Syst Tech.J.- 1956, — v.35.-P.535−611. (Цитируется no 5.).
  8. Л., Вильяме Ф. Конфигурационное взаимодействие и корреляционные эффекты в спектрах донорно-акцепторных пар.// Изв. АН СССР, сер. физич, — 1973,-т.37,-№ 4,-С. 803−809.
  9. А.Р., Грузинцев А. Р., Тигиняну И. М. Люминесценция, связанная с комплексами дефектов в широкозонных полупроводниках.//Изв. АН СССР, сер.физич.-1985.-т.49.-№ 10, — С. 1899−1904.
  10. C.B., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках//М.: «Наука-физмат лит». -1997, — 351 С.
  11. Morgan T.N., Weiber В., Bhargana R.H. Optical properties of Cd-0 and Zn-0 Complexes in GaP.// Phys.Rev.-1968.-v.166.-N 3.-P. 751−753.
  12. Henry С., Dean P., Thomas D., Hopfield J. A localized exciton bound to cadmium and oxygen in gallium phosphide.// In: Proc. conf. localized excitation.- Ed. Wallis R.F. New York: Plenum press.- 1968, — P. 257.
  13. А.Э. Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия //В кн.: Излучательная рекомбинация в полупроводниках. М.: изд-во «Наука», — 1972, — С. 224−304.
  14. Williams F. Radiative recombination on donor-acceptor pairs and higher associates// J.Luminescence.- 1973.- v.7.- N1.- P.35−50
  15. А., Дин П. Светодиоды.// М.:изд-во «Мир», — 1973.
  16. Lorenz M.R., Morgan T.N., Pettit G.D., et.al. Sharp-Line Donor-Acceptor Pair Spectra in AlSb.// Phys.Rev.- 1968, — v. 168, — N3.- P. 902−904.
  17. Hopfield J. J, Thomas D.G., Gershenzon M. Pair spectra in GaP.// Phys.Rev.Lett.- 1963, — V.10.-N5.-P. 162−164.
  18. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore F.A. Pair spectra and «edge» emission in gallium phosphide.// Phys. Rev. A.- 1964, — V.133.-N1.-P.269.
  19. Williams F. Donor-acceptor pair in semiconductors.// Phys. status solidi.- 1968, — v.25.- N2, — P.493−512.
  20. Thomas D., Hopfield J., Augustyniak W. Kinetics of radiative recombination at randomly distributeg donors and acceptors.// Phys.Rev.-1965.-v.140.-N3A, — p. 742−749.
  21. А.П. Электрические и фотоэлектрические свойства электронного и дырочного селенида кадмия.// Докторская диссертация,-Вильнюс: 1975
  22. Srinivasan G. Microscopic dielectric function of a model semiconductors.// Phys. Rev, 1969, v, 178, N.3, p. 1244 1251.
  23. M.A. Объяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимостив CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах. // Физ. и техн. полупроводников. 1982.-т.16, — № 4, — с. 699−702
  24. Bates D.R., Leadsham К., Steward A.L. Wave funchin of the hydrogen molecular ion.// Philos. Trans., Roy. Soc. Lond. Ser. A.-1953. -v. 246,-№ 910, — P. 215−240.
  25. Kolas W., Wolniewicz L. Potential energy curves for the Х'1СЬ Zu and! Пи states of hydrogen molecule .// J. Chem. Phys.-1965.-v.43. -№ 7.-P. 2429−2441
  26. M.A., Габибов Ф. С., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Основные особенности электронных центров захвата Ес-(0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия и их объяснение.// Депонировано ЦНИИ «Электроника», — Р-3270/81.
  27. М.А. Вакансионно-примесная модель электронных центров захвата Ес- (0.14−0.55) эВ в халькогенидах кадмия наблюдаемых термоактивационными методами.// Депонировано ЦНИИ «Электроника».- Р-3271/81.
  28. Bube R., Barton L. Some acpects of photoconductivity in cadmium selenide crystals.// J.Chem.Phys.- 1958, — v.29.- N1, — P. 128−137.
  29. Sacalas A., Baubinas R. Scattering centers and their ralation to the recom-bination centers in singl crystals of CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).- 1975,-V.31.-N1.-P. 301−307.
  30. Baubinas R., Januskevicius Z., Sacalas A., Viscakas J. P-type conductivity in undoped CdSe single crystals.// Solid Stat.Commun.- 1974,-V.15.-N11−12.-P. 1731−1733.
  31. А. Собственные дефекты в селенистом кадмии.// Лит. физ. сборник, — 1979, — т.19, — № 2, — С. 233−240.
  32. Schulz H.J., Kulp В.А. Electron radiation damage in cadmium selenide crystals at liqued-Helium temperaturs.// Phys.Rev.- 1967.-v. 159, — N3,-P.603−609.
  33. Burmeister R.A., Stevenson D.A. Electrical properties of n-type CdSe.// Phys.Stat.Solid.- 1967,-v.24.-N2, — P.683−690
  34. P., Вищакас Ю., Сакалас A., Янушкевичус 3. О природе центров чувствительности в кристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник.- 1974, — т.14, — № 4, — С. 609−611.
  35. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Природа инфракрасной люминесценции (A, m = 1.2 мкм) в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ.тв.тела. -1968, — т. 10, — № 6, — С. 1769−1772.
  36. ГЛ., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Исследование люминесценции А&trade- = 0.93 мкм в монокристаллах CdSe и ее связь с фотопроводимостью.// Физ. и техн. полупроводников. 1968, — т.2, — № 4,-с. 540−547.
  37. Г. Л., Шейнкман М. К. Механизм люминесценции Хт =0.82 мкм в CdSe-монокристаллах и параметры центров свечения.// Физ. и техн. полупроводников. 1968. т.2,-№ 10, — с. 1534−1536.
  38. Kokubin J., Watanabe H., Wada M. Photoluminescence of CdSe single crystals.//Jap. J. Appl. Phys.- 1977,-v.13.- N9, — P. 1393−1396.
  39. А.Г., Киреев П. С., Кондауров H.M., Супалов В. А. Примесная люминесценция в CdSe.// Изв. АН СССР, сер. неорган, материалы.- 1975, — т.П.-№ 11, С. 1990−1994.
  40. О., Захаров В. Е., Любченко А. В., Олейник Г. С., Шейнкман МЛ. Спектры локальных состояний в твердых растворах CdSei.x Тех.// Физ. и техн. полупроводников.- 1974, — т.8, — № 3, С. 452 458.
  41. Ermolovich I.B., Milenin V.V. Natyre of deep luminescence centres in CdSe and CdSebx Tex .// Phys. Stat. Sol. 1986, — v.133.- N 2, P. 611−620.
  42. M.A. Оъяснение линейчатых спектров индуцированной примесной фотопроводимости в CdS-CdSe на основе представлений о донорных молекулах.// Физ. и техн.полупроводников.-1982, — т. 16, № 4. с. 699−702.
  43. Ф.Д. Исследование спектра и природы глубоких локальных уровней в монокристаллах и поликристаллических пленках CdSe.// Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Вильнюс: 1980.
  44. М.А., Гасанбеков Г. М., Кронгауз В. Т. Спектры индуцированной примесной фотопроводимости в активированных пленках CdSe (Си, С1).// Физ. и техн. полупроводников, — 1978, — т. 12, — № 5, — С. 993−995.
  45. Р.В., Вайткус Ю. Ю., Сенулис Ф. Д. Определение спектральных зависимостей сечения захвата фотона по ИК-гашению и примесной фотопроводимости в монокристаллах CdSe.// Лит. физ. сборник, — 1978, — т.18, — № 1, — С. 109−111.
  46. С., Murri R., Рера Е., Semisa D. Photoelectronic properties of photoconducting CdSe.// Phys.Stat.Sol.(a).-1973.- v.20.- № 2,-P.477−486.
  47. А.Г., Киреев П. С., Кондауров H.M. Фотоэлектрические явления и фотолюминесценция в тонких эпитиксиальных слоях селенида кадмия.// Известия Вузов, сер. физ.- 1975, — № 3, — С. 61−66.
  48. А.В., Булах Б. М., Турина И. А. Особенности рекомбинации в низкоомных кристаллах CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1976, — т.10, — №. 5,-С. 923−929.
  49. Kindleysides L., Woods J. Electron traps in cadmium selenide.// J.Phys.- 1970, — D3.- № 4, — P. 451−461.
  50. Opanowicz A. Determination of electron trapping parameters from thermally stimulated current in cadmium selenide.// Bull.Acad.Polon. Sci.Ser. Sci. math.astron.et phys.- 1969, — v, 17.-№ 12, — C. 845−850.
  51. Hino Taro, Yamashita Ken. Space charge limited currents and thermally stimulated currents in ZnTe and CdSe films.// Jap. J. Appl.Phys.-1974, — v.13.- № 6, — P. 1015−1016.
  52. E.H. Отношение оптической и термической энергии активации примесей в CdS, CdSe и CdTe.// ФТТ. 1964, — т.6, — № 4, — С. 1034.
  53. Shimizu К. Electrical properties of cadmium selenide evaporated films.// Jap J. Appl. Phys.- 1965, — v.4.- № 9, — P. 627- 631.
  54. Okimura H., Sakai Y. Photoelectronic properties of CdSe evaporated films.// Jap.J. Appl. Phys.- 1968, — v.7.- № 10, — P. 731−738.
  55. Lipskis K., Sakalas A., Viscakas I. Termally stimulated Hall mobility in CdSe single crystals.// Phys. Stat. Sol.(a).- 1970, — v.2.- № 2, — P. 225−233.
  56. Manfredotti C., Rizzo A., Vasanelli L., et.al. Electron trapping levels in cadmium selenide crystals.// J.Appl.Phys.-1973.-v.44.- № 12, — P. 54 635 469.
  57. А.Г., Meccepep M.A. К анализу сильно компенсированных уровней ловушек методами термостимулированной проводимости.// Физ. и техн. полупроводников, — 1971, — т.5, — № 2, — С. 178−180.
  58. И.Б., Булах Б. М., Красикова С. М., Шейнкман М. К. Влияние условий роста монокристаллов CdSe на образование в них центров излучательной рекомбинации.// Укр. физ. журнал, — 1974, — т. 19,-№ 10, — С. 1725.
  59. Г. М., Мащенко В. Б., Киреев П. С., Волкова JI.B. О роли меди в формировании края собственного поглощения в CdSe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1974, — т.8, — № 4, — С. 800−803.
  60. П.С., Колесникова Э. Н., Воронкова Е. И., Давыдов А. Роль железа в формировании длинноволнового края фундаментальной полосы поглощения селенида кадмия.// Физ. и техн. полупроводников.-1976,-т.Ю. № 6,-С. 1089−1091.
  61. Г. М., Мащенко В. Е., Киреев П. С. Осцилляции электроотражения в селениде кадмия в широком диапазоне спектра.// Физ. и техн. полупроводников, — 1974, — т. 8, — № 9, — С. 1766−1770.
  62. Т.Я., Черемесюк Г Г. О фотоэлектрических свойствах монокристаллов селенида кадмия, обработанных газовым разрядом.// Физ. тв. тела, — 1964. -т.6. № 1, — С.128−133.
  63. Hoschl P., Kubalkova S. Electrical properties of n-type CdSe single crystals prepared unber a nitrogen pressure.// Czech. J.Phys.-1968.-v.B18. -№ 7, — P. 897−899.
  64. И.Б., Павелец A.M., Ханат JI.H. Механизм температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в твердых растворах CdSexTeix.// Укр. физ. журнал.- 1986, — т.31, — № 3.-С. 446−451.
  65. Ture I.E., Claybourn М., Brinkman A.W., Woods J. Copper centers in CdSe.// J. Appl. Phys.- 1986, — v.60.- № 5, — P. 1670−1675.
  66. B.H. Люминесценция и фотопроводимость высокочистого селенида кадмия.// Неорган, материалы.-1995, — т.31, — № 10, — С. 1302.
  67. Ю.А. и др. Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1989.-т. 23, — № 9, — С. 1572−1575.
  68. М.А., Габибов Ф. С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Ag // Физ. и техн.полупроводников.-1979, — т. 13, — № 7, — С. 1324−1328.
  69. М.К. Люминесценция и фотопроводимость в полупроводниках А2В6.// Изв. АН СССР, сер. физ, — 1973, — т.37, — № 2, — С. 400 404.
  70. И.Я., Пекарь Г. С., Федоров А. И., Шейнкман М. К. Особенности процессов рекомбинации в монокристаллах CdS сильно легированных индием.// ФТП .- 1975, — т.9, — № 4, — С. 986.
  71. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Зависимость сечения захвата электронов центрами прилипания в кристаллах CdS : Ag от их энергетического положения.// ФТП.-1975, — т.9, — № 4, — С. 779 782.
  72. М.А. Оптическое гашение фотопроводимости в CdS:Cu, обусловленное донорно-акцепторными парами.// Физ. и техн. полупроводников, — 1975, — т.9, — № 10, — С. 2002−2004.
  73. Kulp В.A., Kelley R.H. Displacement of the sulfur atom in CdS by electron bombardment.// J.Appl. Phys.- I960, — v.31.- № 6, — P.1057−1061.
  74. А.Г., Сандомирский В. Б., Ожередов А. Д. и др. К определению параметров ловушек по кривым термостимулированного разряда конденсатора.//ФТП- 1969.-т.З.-№ 12, — С. 1755.
  75. Э.Б., Свечников С. В., Чалая В. Г. Термостимулирован-ные токи в слоях сульфида кадмия.//Ук.ФЖ.-1969.-т.14.-№ 4, — С.670
  76. Н.Е., Маркевич И. В., Шейнкман М. К. О механизме образования локальных центров при фотохимических реакциях в монокристаллах сульфида кадмия.// В кн.: Физические процессы в кристаллах с дефектами. Киев: «Наукова думка». — 1972.- С. 25−46.
  77. И.Н., Городецкий И. Я., Любченко A.B. и др. Параметры быстрых центров рекомбинации в CdS и их влияние на фоточувствительность.// Укр. физ. журнал, — 1973, — т. 17.- № 3, — С. 599−605.
  78. М.К., Ермолович И. Б., Беленький Г. Л. Механизм оранжевой, красной и инфракрасной фотолюминесценции монокристаллов CdS и параметры соответствующих центров свечения.// Физ. тв. тела, — 1968, — т. Ю, — № 9, — С. 2628−2638.
  79. Н.Е., Кролевец Н. М., Маркевич И. В. и др. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// Физ. и техн. полупроводников, — 1975 т.7, — № 2, — С. 275−278.
  80. В.В., Остапенко С. С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Оптическая анизотропия центров красной люминесценции в CdS, облученном тепловыми нейтронами.// Физ. тв. тела, — 1981, — т.23, — № 11, — С. 3320−3325.
  81. Istratov A. A. Studies of the dislocation induced deep levels in CdS using deep level transiend spectroscopy with optical excitation.// Rhys. Status Solidi. A.- 1995, — v.150.- № 2, — P. K15-K17.
  82. B.H., Волкова E.C., Тоцина Г. С. Излучательные ре-комбинационные процессы в высокочистом сульфиде кадмия с малым отклонением от стехиометрии.// Неорг. матер.-1997.-т.ЗЗ.-№ 2, — С. 174
  83. Boyn R. Optical absorption due to intrinsic defects in CdS single crystals.// Phys. Stat. Sol.- 1968, — v.29. № 1, — P. 307- 328.
  84. E.H., Касымова P.C., Рыбкин C.M. Кинетика индуцированной примесной фотопроводимости в теллуриде кадмия.// Физ. тв. тела, — 1961, — т. З, — № 8, — С. 2417−2426.
  85. В.П., Савицкий A.B., Никонюк Е. С. и др. Энергетический спектр уровней захвата в теллуриде кадмия, легированного германием.// ФТП, — 1974,-т.8.-№ 5, — С. 1035−1037.
  86. Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A., Рудь Ю. В. Электрические и фотоэлектрические свойства высокоомных кристаллов теллурида кадмия.// ФТП, — 1968, — т.2, — № 7, — С. 932−938.
  87. A.B., Потыкевич И. В., Борейко Л. А. Параметры центров фоточувствительности в высокоомных кристаллах CdTe р-типа.// Физ. и техн. полупроводников, — 1971, — т.5, — № 9, — С.1704−1707.
  88. Н.В., Аркадьева E.H., Матвеев O.A. Люминесценция комплексов вакансия кадмия донор в кристаллах CdTe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1971, — т.5.-№ 5, — С. 869−875.
  89. Chamonal J.R., Molva Е., Pautrat J.L. Identification of Cu and Ag acceptors in CdTe.// Ibid.- 1982, — v.43.- № 11, — P. 801−805.
  90. B.K. и др. Статистика заряженных дефектов и примесей в CdTe при комплексообразовании.// Изв. АН СССР, Неорг. материа-лы.-1989.- т.25, — № 9, — С.1560−1562.
  91. Е.В., Гарягдыев Г., Любченко A.B., Сальков Е. А. Механизмы рекомбинации через многозарядные акцепторы в рекристалли-зованных слоях теллурида кадмия.// УФЖ-1989.-т.34.-№ 2, — С. 228.
  92. .И., Матлак В. В., Парфенюк О. А., Савицкий A.B. Особенности комплексообразования в p-CdTe при значительных концентрациях собственных дефектов.// ФТП -1986.-т.20.-№ 5.-С.849−852
  93. Ю.П., Фарина И. А., Гамарник Р. В. и др. Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe:Fe и CdixFexTe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1993, — т.27, — № 10, — С. 1639−1650.
  94. Soltani М., Certier М., Evrard R., Kartheuser Е. Photoluminescence of CdTe doped with arsenic and antimony acceptors.// J. Appl. Phys.- 1995,-v.78.- № 9, — P. 5626−5632.
  95. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979, — v.18.- N10, — P. 1965−1972.
  96. Shirakawa J., Kukimoto H. The electron traps associated with an anion vacancy in ZnSe and ZnSxSeix.// Solid State Commun.-1980.- v.34.-N5,-P. 359.
  97. П.JI., Палмре И. В. Центры свечения в легированном ZnSe и энергия активации их образования.// Изв. АН СССР, Неорган, материалы, — 1980, — т.16,-N 11,-С. 1916−1920.
  98. Satoh Shiro, Igaki Konso. Termally-stimulated Current of Zinc selenide Heat-treated in Controlied Partial Pressures of Constituent Elements.// Japan J. Appl. Phys.- 1980, — v.19.- N 3, — P. 485−490.
  99. Leigh W.B., Wessels B.W. Nitrogen related centres in Zinc selenide.//J.Appl.Rhys.- 1984, — v.55.- N15, — P. 1614−1616.
  100. Verity D., Bryant F.I., Davies I.I. Nicholls I.E. et.al. Deep levels and associated carrier recombination processes in Zn-annedled ZnSe «Singl Crystals».// J.Phys.C. Solid Stat.Phys.- 1982,-v.15.- N26, — P.5497−5505.
  101. Stringfellow G.B., Bube R. Photoelectronic properties of ZnSe crystals.//Phys. Rev.- 1968, — v.171.-N3,-P. 903−915.
  102. B.C., Манжаров B.C., Ткачук П. Н., Цосопь B.M. Термовысвечивание селенида цинка легированного акцепторными примесями.// Физ. и техн. полупроводников, — 1980, — т.14, — N8, — С. 16 211 624.
  103. M.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1993, — т.23, — № 5, — С. 721−727.
  104. Smith F.T.I. Evidence for a nature donor in ZnSe from high temperature electrical measurements.// Solid Stat.Commun.-l969.-v.24.- N7, — P. 1757−1761.
  105. Ю.Ф., Малушин H.B., Сердюк B.B. Исследование спектров фотолюминесценции монокристаллов ZnSe легированных алюминием.// Журн. прикл. спектроск, — 1976, — т.25, — № 5, — С. 832−835.
  106. Д.Д., Симашкевич A.B. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка.// Кишинев: изд-во «ШТИИНЦА»,-1984, — 150 С.
  107. М.К., Беленький Г. Л. Излучательная рекомбинация в неактивированных монокристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1968, — Т.2.- № 11, — С. 635−1638
  108. И.Я., Касьян В. А., Федоров А. И. и другие. Рекомбинация носителей заряда в монокристаллах ZnSe, легированных Al, Ga и Cu.// В кн.: Физические процессы в гетероструктурах и некоторых соединениях А2В6 .- Кишинев: изд-во «Штиинца».-1974.-С. 77.
  109. Serdyuk V.V., Korneva N.N., Vaksman Yu.F. Studies of long-wave luminescence of ZnSe monocrystals.// Phys.Stat.Sol.(a).-1975.-v.32.-№l.- P. 173−183.
  110. Etienne D., Allegre J., Chevrier S., Bougnot G. Surla photoluminescence du seleniure de zinc.// Phys.Stat.Sol.(a).-1975.-v.32.- N 1, — P. 279.
  111. Г. Н., Недеогло Д. Д., Симашкевич А. В., Сушкевич К. Д. Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селе-нида цинка.// Журн. приклад, спектроск, — 1979, — т.ЗО.- № 3, — С. 459.
  112. П.А., Иванова Г. Н., Матвеева T.JI. и др. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe:Al.// Физ. и техн. полупроводников.-1981, — т.15, — № 9, — С. 1841−1844.
  113. Bruant F.J., Manning P. S. Radiation damage and decay characteristics of zinc selenide emission band.// j. Phys.Chem.Solids.- 1974, — v.35.-Nl.-P. 97.
  114. Bouley J.C., Blanconnier P., Herman A. et.al. Luminescence in Highly conductive n- type ZnSe.// J.Appl.Phys.- 1975, — v.46.- N 8, — P. 3549.
  115. В.А., Маликова JI.B., Морозова В. И., Симашкевич А.В Исследование глубоких центров, связанных с собственными дефектами в ZnSe.// Изв. ВУЗов, сер. физика, — 1989, — № 3, — С. 42−46.
  116. А.А., Борисенко Н. Д., Коваленко А. В. Глубокие примесные уровни в кристаллах ZnSxSeix .// Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы, — 1983, — т. 19- № 3, — С. 376−379.
  117. А., Загадворов П., Максимов Ю., Степанов Ю. Спектр зеленой люминесценции ZnSe.// ФТТ-1988.-т.ЗО.-№ 7.-С. 2206.
  118. К.Д. и др. Изменение ансамбля центров излучатель-ной рекомбинации в селениде цинка под влиянием термообработки.// Физ. и техн. полупроводников, — 1989, — т.23, — № 4, — С. 737−739.
  119. Yodo Т., Yamashita К. Li-doped ZnSe epitaxial layers by ion im-plantatin.// Appl. Phys. Lett.- 1989, — v.53.- № 24, — P. 2403−2405.
  120. ., Корсунская H.E., Рыжиков В. Д. и др. Структура центров свечения в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников.-1993, — т.27, — № 8, — С. 1240−1246.
  121. Lee Choon-Ho, Jeon Gyoung-Nam, Yu Seung-Cheoh, Ho Seok-Yong. Stimultaneus measurement of thermally stimulated luminescence andthermally stimulated current of ZnSe singl crystal// J. Phys.D.-1995.-v.28.-№ 9. P. 1951−1957.
  122. E.B., Мельник B.B. Свойства кристаллов ZnSe, легированных фосфором.// Неорган, материалы, — 1995, — т.31, — № 10, — С. 1294−1295.
  123. Л.И., Горя О. С., Коротков В. А., Ковалев Л. Е., Маликова Л., Симашкевич A.B. Кинетика фотопроводимости кристаллов ZnSe при оптической перезарядке глубоких центров.// Неорган, материалы,-1995, — т.31, — № 10, — С. 1296−1298.
  124. М.М., Махний В. Л. Свойства монокристаллических слоев ZnSe, легированных Cd.// Неорган, материалы, — 1995. т.31,-№ 10,-С. 1299−1301.
  125. М.М., Махний В. П., Мельник В. В. Влияние примесей Li, Cd, In, As на оптоэлектронные свойства ZnSe.// Неорган, материалы, — 1997, — т. ЗЗ, — № 2, — С.181−183.
  126. Физика соединений А2 В6 // (Под редакцией Георгобиани А. Н., Шейнкмана M.K.).- М.: «Наука», — 1986. 320 С.
  127. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир», — 1977. 562 С.
  128. П.П. Поляризованная люминесценция атомов, молекул, и кристаллов.// М.: Физматгиз, — 1959.
  129. C.B., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах.// М.: изд-во МГУ,-1995.-399 С.
  130. Г., Хаусман А., Зандер В. Электронная структура точечных дефектов.// М.: изд-во «Атомиздат», — 1977. 204 С.
  131. Hoogenstraaten W. Electron traps in zinc sylphide phosphors.// Philips. Res. Rep.- 1958, — v.13.- P. 515−659.
  132. Д. Люминесценция кристаллов// М.: изд-во «ИЛ».-1961,-194 С.
  133. Tscholl Е. The photochemical interpretation of slow phenomena in cadmium sulphide.// Philips Res. Repts. (Suppl).- 1968, — № 6.- P. l-93.
  134. . Оптические процессы в полупроводниках.// М.: изд-во «Мир», — 1973.-456 С.
  135. П.С., Корницкий А. Г., Мартынов В. Н. и др. Влияние отжига в парах цинка на спектр фоточувствительности монокристаллов теллурида цинка.// ФТП 1970, — т.4, — № 5, — С. 900−903.
  136. М.К., Тягай В. А., Беленький ГЛ., Бондаренко В. Н. Исследование природы очувствления CdSe монокристаллов в результате их травления.// Укр. ФЖ- 1968, — т. 13, — № 9, — С. 1453−1457.
  137. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.// Справочник под ред.А. В. Новоселова.- М.: «Наука», — 1978.
  138. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во «Наукова Думка».-1981.-264 С.
  139. Берман., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров.// М.: изд-во «Наука», — 1980, — 126 С.
  140. Е.Е., Григорьев Н. Н., Фок М.В. Применение метода поляризационных жиаграмм для исследования одноосных кристаллов // Труды ФИАН, 1974, т.72, с.108−144.
  141. П.П., Каплянский А. А. Скрытая оптическая анизотропия кубических кристаллов, содержащих локальные центры и методы их исследования. // Успехи физических наук, 1962, т.76, № 2, с. 201 238.
  142. Феофилов П.П., Анизотропия свечения центров окрашивания в кристаллах кубической сингонии. // ЖЭТФ, 1954, т.26, № 5, с. 609−624.
  143. С.С., Танатар М. А., Шейнкиан М. К. Поляризованная люминесценция анизотропных центров в гексагональных кристаллах . // Оптика и спетроскопия, 1980, т.46, № 4, с. 778−784.
  144. А.Н., Котляревский М. Б., Рогозин И. В. Глубокие акцепторные центры в А2В6.// Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах», — Ульяновск: изд-во УГУ, — 1997, — С. 26.
  145. Igaki Konso, Satoh Shiro. The electrical properties of Zinc selenide heat-treated in controlied Partial Pressures of constituent elements.// Japan J.Appl. Phys.- 1979,-v.18.-N10,-P. 1965−1972.
  146. Aven M., Segall В. Carrier mobility and shallov impurity states in ZnSe and ZnTe.// Phys. Rev.- 1963, — v. 130, — № 1, — P. 81−91.
  147. M.А., Хамидов M.M. Экспериментальные доказательства существования двухэлектронных центров захвата в ZnS.// Физ. и техн. полупроводников, — 1979, — т.13, — № 8, — С. 1578−1583.
  148. Е.М., Магомедов Н. М., Ризаханов М. А. Труды межд. конф. «Физич. процессы в неупоряд. полупров. структурах», Ульяновск 1999, с71.
  149. М.А., Зобов Е. М. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувст-вленного CdSe.// ФТП, — 1980, — т. 14, — в. 12, — С.2407−2410.
  150. М.А., Хамидов М. М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe.// Письма в ЖТФ, — 1985, — т. 11, — № 9, — С. 561- 567.
  151. Е.М., Гарягдыев Г. Г., Ризаханов М. А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdSe:Ag, обусловленные распределенными донор-донорными парами.// Физ. и техн. полупров, — 1987, — т.21, — в. 9, — С. 1637- 1641.
  152. Weber J. Optical properties of Cu in Si- exiton bound to isoelectric Cu-pairs. // Phys.Rev. B, 1982, v. 25, No. 12, p.7688−7699.
  153. Dash W.C. Cu precipitation on dislocations in Si.// J.Appl.Phys., 1956, v.27, p. 1193−1195.
  154. Г. К. Диффузия Au в CdS.// ФТП, 1971, т.5 № 3, с. 481−484.
  155. Warschauer D.M., Reynolds D.C. Edge and impurity emission in cadmium sulphide.//Phys.Rev.Letters, 1959, v.3, No. 8, p. 370−372.
  156. С.H., Лебедев В. Л., Чакальский Б. К. Кинетика оранжевой полосы люминесценцтии (2.0 эВ) в легированных CdS кристаллах.// ФТП, 1972, т.6, № 4, с. 737−739.
  157. Kristok J. Orange Luminescence of Donor-Acceptor Pairs in CdS-AgCl.// J. Phys and Chem.Solids., 1992, v.53, No.8, p. 1027−1030.
  158. И.Б., Матвиевская Г. И., Шейнкман M.K. О природе центров оранжевой люминесценции в сульфиде кадмия.// ФТП, 1975, т.9,№.8, с. 1620−1623.
  159. Holts P.O., Gislason Н.Р., Magnea N, Uihlein Ch., Liu P.L., Optical propertis of complex defects created by Ag diffusion in ZnTe.// Phys.Rev.B., Condenser.Mater.m, 1985, v.32, No.6, p.3844−3856.
  160. Hoffman D.M., Stadler W., ChrissmanP. Defects in CdTe and CdZnTe.// Nuclear instruments and methods in physic research. Section A -Accelerators spectrometers detectors and associated equipment. 1996, v.380, No. 1−2, p. 117−120.
  161. Больбошенко B.3., Иванова Г. Н., Калмыкова И., Касьян В. А. Недеогло Д.Д., Новиков Б. В. Влияние меди на спектры люминесценции ZnSe кристаллов.// ФТП, 1990, т.24, №.11, с.1200−1203.
  162. Holts P.O., Monemar В., Gislason Н.Р., Magnea N Complex defects in ZnTe created by Cu diffusion.// J. Luminescence, 1986, v.34, No.5, p.245−262
  163. Broser Y., Broser-Warminsky Infrared effect and antistokse luminescence A2B6.// Solid State Physic, in Electronics and Telecommunication, 1960, v.4, p. 680−687.
  164. Kulp B.A. Displacement of Cadmium Atom in Single Crysyal CdS by Electron Bombardment.// Phys. Rev. 1962, v.125, No.6, p.1865 1869.
  165. Kulp B.A., Kelley R.H. Displacement of Sulphur Atom in CdS by Electron Bombardment.// J. Appl. Phys. 1960, v.31, No.6, p. 1057 1061.
  166. И.Б., Матвиевская Г. И., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К. Люминесценция монокристаллов CdS, легированных различными донорами и акцепторами. УФЖ, 1973, т. 18, № 5, с. 732 741.
  167. Vuilsteke A.A., Sivonen J.T. Vulphur Vacancy Mechanism in Pure CdS.//Phys.Rev. 1959, v. 113, No. l, p. 40−42.
  168. H.A., Витриховский Н. И., Денисова З. Л., Павленко В. Ф. О природе центров свечения в чистом сернистом кадмии. // Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, № 4, с. 466 475.
  169. Ермолович И. Б, Шейнкман М. К. Взаимная связь полос люминесценции Я, Макс = 103 и 1.5 мкм в MOHOKpronmnaiKCdS.// ФТП, 1971, т.5, № 6, с. 1185- 1188.
  170. Н.Е., Кролевец Н. М., Маркевич И. В., Пекарь Г. С., Шейнкман М. К. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных медью.// ФТП, 1973, т.7, № 2, с. 253 256.
  171. И.Я., Лашкарев В. Е., Шейнкман М. К. Параметры рекомбинационных центров монокристаллах CdS, легированных золотом.// УФЖ, 1967, т.12, № 11, с. 1916 1918.
  172. Suzuki A., Shionoya S. Mechanism of green-copper luminescence in ZnS crystals. 2. Polarization characteristics.// J.Phys.Soc., 1971, v.31, No. 5, p. 1462−1468.
  173. Карбид кремния как материал современной оптоэектроники и полупроводниковой техники.// Информационно-аналитический обзор. М, 1984.
  174. Карбид кремния. // Под ред. Хениша Г. и Роя Р., М., «Мир», 1972, с.22
  175. Карбид кремния, свойства и области применения.// Под ред. Францевича И. Н., Киев, «Наукова думка», 1975.
  176. Нгуен Нчок Лонг, Недзвецкий Д. С. Межпримесная рекомбинация и перехода зона-примесь в кристаллах ?-SiC, легированных аллю-минием.// ФТП, 1971, т. ЗО, № 2, с. 306−309.
  177. Yamada S. Kuwabara Н. Photoluminescence of В- and N doped ?-SiC. // «Silicon Carbide- 1973» Columbia, S.C. 1974, p. 305.
  178. Kuwabara H., Yamada S., Uchida J. Optical quenching of luminescence in ?-SiC.// Physica Status Solidi, 1980, A-57, No. 1, p. k45-k48.
  179. Ю.С., Кмита Т. Г. Свечение азотно-аллюминиевых комплексов в ?-SiC (6н).// ФТП, 1968, т. 10, № 4, с. 1140−1144.
  180. Ю.М., Калабухов Н. П. О температурной зависимости спектров люминесценции ?-SiC, легированных аллюминием.// Сб. «Диэлектрики и полупроводники», 1973, вып. З, с. 16.
  181. A.A. Особенности фотолюминесценции карбида кремния с примесью аллюминия, галлия, бора и азота.// Автореферат диссертации, Л., 1982.
  182. И.И., Нестеров A.A. Край фундаментального поглощения и катодолюминесценция ?-SiC.// III Всесоюзная конференцияпо полупроводникам SiC, АН СССР и Гиредмет., М., 1970, с. 199.
  183. Tables data on silicon carbide.// «Silicon Carbide- 1973» Columbia, S.C. 1974, p. 668−674
  184. Г. Ф. Электрические и оптические свойства электронно-дырочных переходов и кристаллов карбида кремния и их применение в полупроводниковых приборах.//. Автореферат докторской диссертации, JI., 1967.
  185. М.К. Эпитаксия твердых растворов (SiC)ix (AlN)x из газовой фазы и фмзические свойства гетероструктур на их основе // Автореферат кадн. диссертации. Махачкала, 1998.
  186. Donohue P.C., Yanlon J.E. The Sinthesis and Photoluminescence of MnMm2(S, Se)4 // J.Electrochem.Soc.: Solid State Sei. and Techn. 1974, v. 121, No. l, p. 137−142.
  187. A.H., Тагиев Б. Г., Тагиев О. Б., Иззатов Б. И. Фотолюминесценция редкоземельных элементов в соединении CaGa2S4 // Неорганические материалы, 1995, т.31, № 1, с. 19−22.
  188. Peters Т.Е. Luminescence Properies of Tiagalate Phosphors. Pt II Ce Activated Phosphors for Flying Spot Scanner Application.// J.Electrochem.Soc.: Solid State Sei. and Techn. 1972, v. 119, No.12, p. 1720−1723
  189. Г. К., Тагиев О. Б., Иззатов Б. И. Изотермические и тер-моактивационные токи в монокристаллах CaGa2S4:Eu // ФТП, 1992, т.26, № 4, с. 703−709.
  190. Boer K.W., Borchardt W. Photochemischen Reaktion in CdS Einkristallen.// Fortschr. Phys. 1953, V. I, No. l, p. 184−189.
  191. Boer K.W., Borchardt W., Oberlander S. Zur Kinetik Photochemischen Reaktion in CdS Einkristallen.// Z. Phys. Chem. 1959, V.2I0, No.5, p. 218−231.
  192. Boer K.W., Photochemischen Effekten in CdS Einkristallen.// Z. Phys. Chem. 1954, V.203, No.3, p. 145−148
  193. Borchardt W Photochemischen Reaktion und Tilgung in Einkristallen.//Phys. Stat.Sol. 1961, V. I, No.3, p. k52-k58.
  194. Borchardt W Uber Photochemischen Reaktion in Kadmium Sulfid //Phys. Stat.Sol. 1962, V2, No. ll, p. 15 752−1592.
  195. R.H.Bube. Reversive variation of sensitivity in certain cadmium sulphide photoconductirs.//J.Chem Phys., 1959? v.30, No. l, p. 266−270.
  196. Kanev S., Stoyanov V., Lakova M. Photochemical reactions in CdS highly doped with Cu.// Comptes remdus de 1 Academie Bulgare des Sciences, 1969, v.22, No.8, p. 863−865.
  197. Kanev S., Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Thermally Restorable Optical Degradation Effect in Heat Treatment Cu2S CdS Crystals Heterojunc-tions.// Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, No. ll, p. 459−461
  198. Koparanova N.S., Tsvetkova K.V., Kanev S.K. On the photochemical raections in CdS: Cd:Cu single crystals.// J.Phys., 1974, v. l, No. 1, p. 1319.
  199. Kanev S., Tsvetkova K.V., Todorov T., Georgiev M. Optical absorption changes, induced by illuminations in CdS: Cd:Cu.// Comptes Rendus de 1 Academie des Sciences, 1975, v.28, No.12, p. 1597−1599.
  200. T.B. Исследование механизмов фотохимических реакций и деградаций фототока в полупроводниках, А В .//Автореферат канд. дисс. Киев 1978.
  201. Ф. Химия несовершенных кристаллов. «Мир», М. 1969.
  202. F.J., Сох A.F.J Energy level structure for the infrared luminescence of cadmium sulphide and zinc sulphide. // Brit.J.Appl.Phys. 1965, v.16, No.4, p.463−469.
  203. Albers C., Gensew D. Photochemische reaktionen und Tempera-turabangigkeit der Luminessens in CdS Einkristallen. // Phys. Stat. Sol., 1963, v.3, No. 5, p. 866−873.
  204. Patil, S.C., Woods J. Luminescence in Cu-doped CdS Crystals. // J.Lumin., 1971, v. 4, No. 3, p. 231−243.
  205. H.E., Маркевич И. В., Торчинская T.B., Шейнкман М. К. Механизм Оже-возбуждения полосы люминесценции 1.6−2.0 мкм в кристаллах сульфида кадмия.// ФТП, 1977, т. 11, № 12, с. 2346−2351.
  206. М.А., Гасанбеков Г. М., Шейнкман М. К. Фотожими-ческие реакции и модели некоторых центров прилипания электронов в CdS и его аналогах .// ФТП 1974, т.8, № 8, с. 1521−1524.
  207. Korsunskaya N.E., Markevich I.V., Sheinkman М.К. Photochemical reactions in CdS single crystals.// Phys.Stat.Sol., 1066, v.13, No. l, p. 2536.
  208. H.E., Маркевич И. В., Шейнкман М. К. Образование новых центров прилипания и рекомбинации в CdS и CdSe монокристаллах под действием различных факторов. // Труды IX Междунар. Конф. По физике полупроводников, 1965.
  209. М.К., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В., Торчинская Т.В.,. Рекомбинационно-стимулированное преобразование сложных центров свечения в кристаллах CdS.// ФТП, 1980, т.14, № 3, с. 438−443.
  210. В.В., Кролевец Н. М., Маркевич И. В., Шейнкман М. К. Фотохимические реакции в монокристаллах CdS, легированных литием.// ФТП, 1975, т.9, № 1, с. 103−106.
  211. Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции.// Изв. АН СССР. сер. физ, — 1946, — т. 10, — № 5−6, — С. 477−487.
  212. Garlic G.F.T., Gibson A.F.The electron traps mechanism of lumi-nes-cence in sylphide and selenide phosphors.// Proc. Phys. Soc.- 1948.-v.A60.- N342, — P. 574−590.
  213. Bube R.H. Photoelectronic properties of imperfections in cadmi-um sulfo-selenide solid solutions.// J.Appl. Phys.- 1964, — v.35.- № 3, — P.576.
  214. M.A. Об одной возможности определения сечения захвата электрона ловушками.// Изв. ВУЗов, физика.-1971.-№ 1 .-С. 153.
  215. П.П.Феофилов Анизотропия свечения центров окрашивания в кристаллах кубической сингонии. // ЖЭТФ, 1954, т.26, № 5, с. 609−623.
  216. Е.Е., Григорьев H.H., Фок М.В. Применение метода поляризационных диаграмм для исследования одноосных кристаллов. // Труды ФИАН, 1974, т.79, с.108−144.
  217. С.С. Поляризационные исследования анизотропных центров в сульфиде кадмия.// Автореферат канд. дисс., Киев, 1979.
  218. Georgobiani A.N., Maev R.G., Ozerov Yu.V., Strumban E.E. Investigation of deep centers in Chlorine doped ZnS crystals.// Phys.Stat.Sol.(a), 1076, v.38, No. l, p. 77−83.
  219. M.A., Зобов E.M., Эмиров Ю. Н. Способ изготовления инфракрасных примесных фотодетекторов на основе CdSe.// Авторское свидетельство № 719 416, — 1979 г.
  220. М.К., Корсунская Н. Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В. Механизмы излучательных и безызлучательых переходов.// Изв АН СССР, сер.физич., 1976, т.40, № И, с. 2290 2297.
  221. М.А., Абилова H.A., Эмиров Ю. Н. Индуцированная примесная фотопроводимость в кристаллах CdS:Cu, обусловленная фо-тохиическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников, — 1976, — т.10,-№ 3.-С. 600−601.
  222. М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова H.A. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu, обусловленные фотохимическими реакциями.// Физ. и техн. полупроводников, — 1980, — т.14, — № 9, — С. 1665−1671.
  223. М.А., Эмиров Ю. Н., Габибов Ф. С., Хамидов М. М., Шейнкман М. К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS:Ag.// Физ. и техн. полупроводников, — 1978, — т.12, — № 7, — с. 13 421 346.
  224. Эмиров Ю. Н Индуцированная примесная фотопроводимость в CdS: Au. // Тезисы конференции молодых ученых Дагестана, г. Махачкала, 1978, с. 20.
  225. Эмиров Ю. Н Исследования природы и симметрии глубоких центров сульфида кадмия.// Автореферат кандидатской диссертации, Одесса (ОГУ) 1981
  226. Morigaki К. Elactron Paramagnetic Resonance Studies of Photo-Induced Copper and Silver Centers in CdS.// Techt. Reports ISSP, 1967, v. A, 269, p. 1−15.
  227. П.С. Физика полупроводников.// M.: изд-во «Высшая школа», — 1969, — С. 199 и С. 558.
  228. М.А., Эмиров Ю. Н. Зависимость индуцированнойп-римесной фотопроводимостив кристаллах CdS:Си от уровня стационарного фотовозбуждения. // Тезисы республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 192.
  229. Ф.С., Остапенко С. С., Эмиров Ю. Н. Поляризация спектров индуцированной примесной фотопроводимостив монокристаллах CdS:Ag. // Оптика и спектроскопия, т.67, и.4, 1989, с.980−982.
  230. Ф.С., Эмиров Ю. Н. Исследование анизотропии центров ИК-чувствительности монокристаллов CdS:Ag. // Тезисы докладов научной сессии Дагю ФАН СССР, 1988, с. 37.
  231. Ф.С., Остапенко С. С., Эмиров Ю. Н. Поляризационные исследования индуцированной примесной фотопроводимости в монокристаллах CdS:Ag. // Тезисы докладов всесоюзной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ташкент, 1988, с.
  232. Фок М. В. Разложение сложных спектров на индвидуальные составляющие с помощью обобщенного метода Аленцева.// Труды ФИАН, 1972, т.59, с. З 24.
  233. Ю.Н., Габибов Ф. С., Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS:Cu.// Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по материаловедению халькогенидных полупроводников, Черновцы, 1991, с. 107.
  234. Weiser К. Theory of Diffusion and Equilibrium Position of Interstitial Impurities in Diamond Lattice. // Phys. Rew.1962, v.126, No. 4, p. 1426−1436.
  235. Bourgoin J.C., Corbett J.W. A new mechanism for interstitial migration. // Pys. Lett/. 1972, v. 38A, No.2, p. 135−137.
  236. M., Бургуен Ж. Точечные дефекты в полупроводника-хюМ.Мир.: 1984,263 с.
  237. М.А., Хамидов М. М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe. //Письма в ЖТФ, 1985, т. 11, в.9, с. 561−567.
  238. В.И. Сильно легированные полупроводники. «Наука», М., 1967, 857 с.
  239. П. В. М е и к л я р. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. «Наука», М. (1972).
  240. М.А., Хамидов М.М, Эмиров Ю. Н Фотостимулированная генерация донорных пар в монокристаллах ZnSe.// Неорганические материалы, 2000 в, т.36, № 12, с. 1428−1431.
  241. Эмиров Ю. Н, Ризаханов М. А., Хамидов М. М Фотостимули-рованная ассоциация междоузельных доноров в полупроводниках А2В6. // Международная конференция «Оптика полупроводников» Ульяновск, июнь 2000, с. 170.
  242. М.А. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. //Махачкала, 1998, с. 215.
  243. Е.М., Эмиров Ю.Н, Хамидов М. М., Ризаханов М. А., Га-рягдыев Г. Глубокие электронные и дырочные центры в кристаллах ZnxCdixSe. // Тезисы докладов «Всесоюзного совещания по физике и применению соединений А2В6, Вильнюс, 1983, т.1, с.46−47.
  244. Ф.С., Зобов Е. М., Гарягдыев Г. Г., Эмиров Ю. Н., Ризаханов М. А. Быстрые и медленные центры прилипания электронов в фотопроводниках CdS, CdSe.// Фотоэлектроника: Респ. межвед. научный сб.: Киев, 1987, вып.1, с. 54−59.
  245. Emirov Yu.N. Fast and slow electron traps in CdS: Cu single crystals and films.// Second Intern. School-Conf. «Physical Problems in Material Science of Semiconductors, Chernivtsi, Ukraine, September 8−12, 1999, p. 127.
  246. Эмиров Ю. Н, Ризаханов М. А. Особенности сечений захвата электронов ловушками в монокристаллах CdS.// Международная конференция «Оптика полупроводников», Ульяновск, 2000, с. 45.
  247. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах.// Изд., «Наука» Новосибирск, 1979, с. 333.
  248. Hoogenstraaten W. Electron traps in ZnS Phosphorus.// Phillips Res. Rep., 1958. V.13, No. 6, p. 515 693.
  249. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.// «Мир», М., 1977, с. 562.
  250. М.А. Электронно-кислородные квазичастицы в белках. // Российский химический журнал. Журнал русского химического общества им. Д. И. Менделеева. (Серия новые идеи и гипотезы), 1997, т. 47, № 3, с. 37−48.
  251. А.П., Горюнов В. А. О расчете термостимулиро-ванных токов.// Физ. тверд, тела. 1966. т.8. № 6. с. 1944−1946.
  252. И.А., Чиковани Р. И., Школьник A.JL, Джахута-швили Т. В. Определение параметров локальных уровней в монокристаллах ZnS.// Физ. тверд, тела. 1964. т.6 № 10, с. 2944−2952.
  253. М.М., Рамазанов П. Е., Сальман Е. Г. Локальные уровни в ZnS.// Изв. ВУЗов, физика.-1973, № 10, с.95- 98.
  254. А.А., Зобов Е. М., Ризаханов М. А. Труды межд. конф. «Физич. процессы в неупоряд. полупров. структурах», Ульяновск 1999, с71.
  255. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках.// Киев: изд-во «Наукова Думка».-1981.-264 с.
  256. М.С., Гоер Д. Б., Мацко М. Г. Ассоциация дефектов в ZvHq.II Физ. и техн. полупроводников, — 1973.-т.7.-№ 5, — с. 705−708.
  257. Title R.S., Mandel G., Morehead F.F. Self-Compensation-Limited Conductivity in Binary Semiconductors II n-ZnTe.// Phys.Rev.- 1964,-.V.136.- № 1А, — p. A300−303.
  258. Зобов E. M Фотоэлектрические и оптические свойства халько-генидных полупроводников, обусловленные глубокими центрами сложной структуры. Докторская дисс., Махачкала, 1999.
  259. A.M., Катомина Р. В. Термодинамический анализ образования дефектов в люминесцирующих кристаллах ZnS-Cl и CdS-С1.//Ч.1.-Журн.физ.химии.-1968, — т.42, — С. 2199−2204- 4. IL- Журн. физ. химии.-1969, — т.43, — С. 72−79.
  260. A.M., Катомина P.B. О влиянии уровней собственных дефектов на отклонение от стехиометрии и электропроводность сульфидов цинка и кадмия.// ФТП,-1971, — т.5, — № 7, — С. 1351−1359.
  261. М.А., Хамидов М.М Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe.// Физ. и техн. полупроводников, — 1993, — т.23, — № 5. с. 721−727.
  262. Eichenauer, В. Jarofke, Н.-С. Mertins, J. Dreysig, W. Busse, H.-E. Gumlich, Benalloul P., Barthou C., Benoit J., Fouassier C. and Garcia A. // Phys. Stat. Sol. (a) 153 (1996) 515.
  263. Эмиров Ю. Н, Хамидов М. М., Хамидов М. М, Гаджиев А. З. Фотолюминесценция монокристаллов ZnSe, легированных празеодимом .// Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных элементов, Саратов, 1990, с. 90 91.
  264. А.Н., Эмиров Ю. Н., Зобов Е. М., Тагиев Б. Г., Та-гиев О.Б., Иззатов Б. М., Беналулу П., Бартоу К., Ванг Й., Сю Сююн. Термолюминесценция тиагалатов CaGaSc примесью Eu. // «Краткие собщения по физике», Сборник ФИАНа, 2001, № 2, с.26−35/
  265. Ч.Б. Исследование центров захвата в щелечногаллоид-ных кристаллофосфорах.. // Труды Института физики и астрономии АНЭССР, 1955, с. 7−250.
  266. Eichenauer, В. Jarofke, Н.-С. Mertins, J. Dreysig, W. Busse, H.-E. Gumlich, Benalloul P., Barthou C., Benoit J., Fouassier C. and Garcia A.. //: Phys. Stat. Sol. (a) 1996 v.153 No 2, p. 515 518.
  267. H.E., Маркевич И. В., Торчинская T.B., Шейнкман
  268. М.К., Эмиров Ю. Н. Обратимое увеличение фоточувствительности монокристаллов CdS: Cu под действием видимого света. // Тезисы республиканской конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ужгород, 1979, с. 81.
  269. Н.Е., Маркевич И. В., Торчинская Т. В., Шейнкман М. К., Эмиров Ю. Н. Электродиффузия глубоких доноров в кристалла CdS:Cu. // ФТП, 1980, т.14, № 10, с.2131 2133.
  270. Ю.Н. Фотостимулированные процессы генерации электронных центров Ес- 0.68 эВ и Ес-0.6 эВ в кристаллах CdS: Cu. // Межвузовский научно-тематический сборник «Широкозонные полупроводники» Махачкала, 1988, с. 145.
  271. Ю.Н., Габибов Ф. С., Фотостимулированная генерация доноров в кристаллах CdS:Cu. // Неорганические материалы, 1992, т.28,№ 12, с. 2361 -2364.
  272. Эмиров Ю. Н Фотостимулированная генерация донорных центров Ес- 0.68 эВ и Ес-0.6 эВ в кристаллах CdS: Cu. // Неорганические материалы, 1993, т.29, № 4, с. 480 482.
  273. М.А., Эмиров Ю.Н Фотоуправляемое преобразование структуры электронных ловушек в монокристаллах CdS. // Труды международной конференции «Оптика полупроводников» Ульяновск, 2000, с. 169.
  274. М.А., Эмиров Ю.Н, Габибов Ф. С. Фотоуправляемое преобразование структуры электронных ловушек в монокристаллах CdS. // «Известия ВУЗов, Материалы электронной техники» 2000, № 4, с.
  275. С.Ф., Габибов Ф. С., Ризаханов М. А. Ионизационно-управляемое преобразование структуры дипольных электронных ловушек в кристаллах CdS. Труды международной конф. «Физические процессы в неупорядочных структурах» Ульяновск, 1999, с. 28.
  276. Е.С. Особенности проявления равновесной проводимости в монокристаллах p-CdTe.// Физическая электроника-Львов, 1970. вып.З.с. 8−11.
  277. M.A., Эмиров Ю. Н. Механизм старения полупроводников p-CdTe. // Неорганические материалы, 2000, т.36, № 11, с. 1313−1315.
  278. Ризаханов М. А, Абрамов И. Я. Электрические и фотоэлектрические свойства CdTe, обусловленные двойной инжекцией.// ФТП, 1979, т. 13, №.11.с.2240−2243.
  279. Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции кристаллофосфоров. М.: Наука. 1966. С. 133.
  280. Вул Б. М, Вавилов B.C., Иванов B.C. Стопачинский В. Б., Чап-нин В. А. Исследование двухзарядного акцептора в теллуриде кадмия.//. ФТП 1972, т. 6, № 8, с. 1442−1446.
  281. М.А., Эмиров Ю. Н., Абилова H.A., Хамидов М. М. Влияние нейтронного и фотонного облучений на спектр фотолюминесценции в CdS:Cu. // Сборник научных статей «Физика твердого тела» г. Махачкала 1976, с. 50−51.
  282. A.A., Эмиров Ю. Н. Фотолюминесценция в халько-генидных стеклах As-S-J. // Сборник статей «Фото-электрические и элект-рические явления в полупроводниках», Институт физики Даг. ФАН СССР, 1985, с. 41.
  283. Babaev A.A., Emirov Yu.N., HiminetsV.V., Himinets O.V. Iodine influence on the photoluminescence of the glassy As2S3. // Proceed. Internal Conference «Noncrystalline. Semiconductors», Hungary, 1986, p.
  284. A.A., Эмиров Ю. Н., Теруков Е. И., Химинец O.B. Фотолюминесценция в стеклах системы (GeS3)ioo-xBix и (As2S3)ioo-x Bi х // Тезисы докладов XV Международного конгресса по стеклу. Ленинград, 1988.
  285. М.А., Эмиров Ю. Н., Абрамов И. Я., Хамидов М. М. Объяснение некоторых особенностей поведения зеленой и синей люминесценции в ZnS. // Сборник научных сообщения «Прикладная физика твердого тела», г. Махачкала 1976, с. 16.
  286. С.С., Шейнкман М. К., Эмиров Ю. Н. Симметрия фотохимически активных центров ИК-люминесценции в CdS.// Физ. и техн. полупроводников, — 1981, — т.15, — № 9, — С. 1747−1754.
  287. П.П.Феофилов Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. // М., Физматгиз, 1959.
  288. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М.К.Поляризованная люминесценция анизотропных центров в гексагональных кристаллах. // Оптика спектроскопия, 1980, т.46, № 4, с. 778 784.
  289. Tuttle J.R., Ward J.S., Duda A., Derens А.Т.А, Contreras М.А., RemanathanK. At ail The performance of. Cu (InGa)Se2 based solar sell in conventional applications. — Proc. Mat. Res. Soc.Symp. 1996, v. 426, p.143.
  290. B.B., Сальков E.A., Хвостов В.A., Шейнкман М. К. Оже механизм взаимодействия центров люминесценции с ДА парами в сульфиде кадмия.// ФТП, 1976, № 12, с. 2288 2292.
  291. В.Е., Птащенко А. А. Исследование спектральной зависимости фотоионизации очувствляющих центров в сульфиде кадмия.// Доклады АН СССР, 1967, т. 172, с. 77 79.
  292. Н.А., Коновец Н. К. Исследование инфракрасного и температерного гашения люминесценции и фотопроводимости ZnCsS, CuCl.// Украинский физический журнал, 1972, т. 17, № 10, с. 1590−1599.
  293. Ralph J.E. Infrared Luminescence in CdS: Cu Crystals at 10 K.// Sol. State Comm., 1978, v.28, No. 5, p. 377 379.
  294. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К., Эмиров Ю.Н.
  295. Симметрия центров люминесценции в гексагональных кристаллах2 6
  296. А В .// Тезисы докладов III Всесоюзной конференции по люминесценции, Ленинград, 1981, с. 81.
  297. Ю.Н., Остапенко С. С., Ризаханов М. А., Шейнкман М. К. Структура центров оранжевого свечения в сульфиде кадмия.// Физ. и техн. полупроводников, 1982, т.16, № 8, с. 1371−1376.
  298. Ю.Н., Ризаханов М. А. Модель центров оранжевой люминесценции в кристаллах CdS.// Тезисы докладов «Конференции молодых ученых» Махачкала, 1982.с. 27.
  299. Ю.Н. Природа центров оранжевого свечения в CdS. // Тезисы докладов «V Конференции молодых ученых» Махачкала, 1985.
  300. С.С., Танатар М. А., Шейнкман М. К. Анизотропные центры свечения в монокристаллах CdS:Li. // ФТТ, 1979, т.21, № 11, с. 3244 3249.
  301. Edgar A., Porsch J. Optically detected magnetic resonance from a complex donors in CdS.// Sol. State Commun., 1982, v.44, No. 5, p. 741 -743.
  302. Т.К., Гуткин A.A. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции 1.36 эВ в образовании связанных эк-ситонов в GaAs: Cu.// ФТП, 1982, т.24, № 7, с. 97 102.
  303. Т.П. Лазерный отжиг дефектов решетки в монокристаллах ZnSe // ФТП, 1984, т. 18, №.5, с.918−920.
  304. Г. П. Образование дефектов решетки в широкозонных полупроводниках АгВ6 под воздействием азотного лазера //ФТТ, 1984, т.26, №.4, с.995−1001.
  305. Г. К., Эмиров Ю. Н., Ашурбеков С. А., Курбанов М. К. Фотолюминесценция гетерограницы (SiC)ix (AlN)x SiC. // ФТП, 1994, т. 28, №.11, с. 1991 — 1994.
  306. Эмиров Ю. Н, Сафаралиев Т. К. Влияние лазерного отжига на фотолюминесценцию гетерограницы (SiC)i.x (AlN)x- SiC. // The First Intern. Conference on Material Science of Chalcogenide and Diamond Structure Semiconductors, Chernivtsi, Ukraine, 1994, c. 125.
  307. Справочник по электротехническим материалам. // Л., Энергоатомиздат, 1988.
  308. Ю.А. Водаков, Г. А. Ломакина, E.H. Мохов. В сб.: Широкозон-нме полупроводники М., 1988 с. 23.
  309. Т.К. Закономерности формирования и физическиесвойства полупроводниковых твердых растворов на основн карбида кремния. Докт. диссертация, Баку, 1988.
  310. Т.К., Курбанов М. К., Эмиров Ю.Н, Исабекова Т. П. Преобразование центров свечения эпитаксиальных слоев (SiC)ix (AlN)x в процессе лазерного отжига.// Труды международной конференции «Оптика полупроводников», Ульяновск 1998, с. 70.
  311. Г. К., Эмиров Ю.Н, Курбанов М. К., Билалов Б. Спектральные сдвиги полос фотолюминесценции эпитаксиальных структур (SiC)ix (AlN)x, обусловленные лазерным отжигом. // ФТП, 2000, т.34, № 8,0.929−931.
  312. Г. К., Эмиров Ю.Н, Курбанов М. К., Исабекова Т. И. Преобразование центров свечения эпитаксиальных слоев (SiC)ix (AlN)x в процессе лазерного отжига.// Неорганические материалы, 2000, т.36, № 10, с.
  313. В.И., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Люминесценция карбида кремния с отклонениями от стехиометрии //Физика и техника полупроводников, 1984, Т. 18, В. 7, С. 1194−1198.
  314. Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов E.H., Рамм М. Г., Соколов В. И. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектором Di-SiC //ТП, 1986, т.20, №.12, с. 2153 -2158.
  315. A.C. Кремний и его бинарные системы. 1958, Киев. Изд-во АН УССР
  316. А.И., Водаков Ю. А., Примесное состояние бора в карбиде карбиде кремния //Письма в журнал технической физики, 1981, т.6, №. 21, с.1319−1323.
  317. Т.К., Курбанов М. К., Эмиров Ю.Н Способ контролируемого изменения состава излучения полупроводниковых слоев (SiC)bx A1N) X .// Свидетельство ВНТИЦ № 70 990 000 132 от 4 октября 1999 г.
  318. М.Н. Приемники инфракрасного излучения.// М.: изд-во «Наука», 1968, 167 с.
  319. А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов.// М.: изд."Сов. радио», 1970, 392 с.
  320. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления.// М.: изд-во «Мир», 1980, 208 с.
  321. А.Н., Годик Э. Э., Губанков В. Н. и др. Высокочувствительные приемники электромагнитного излучения.// В сб. «Проблемы современной радиотехники и электроники», М.: изд-во «Наука», 1980, с. 359−412.
  322. Ф.С., Остапенко С. С., Эмиров Ю.Н Фотоиндуциро-ванное переключение проводимости в структурах на основе GaAs // Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике полупроводников, Киев 1990, с. 288.
  323. Ф.С., Эмиров Ю.Н Особенности проявления дефектных уровней при исследовании фотоэлектрических свойств структур на основе GaAs. // Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», Ашхабад 1991, с. 160.
  324. Arnold G.W., Bruce D.K. Near-Band-Edge luminescence in GaAs: Zn. // Appl.Phys.Lett., 1968, v.13, No.2, p. 51−53.
  325. Arnold G.W. Luminescence in Intrinsic and Annealed Electro-Irradiated GaAs: Cd. // Phys. Rev. 1969, v.183, No. 3, p. 777 783.
  326. Т.К., Гуткин A.A. К вопросу о роли глубокого центра, дающего полосу люминесценции около 1.36 эВ в образовании связанных экситонов в GaAs, легированном Си. // ФТП, 1982, т. 16, № 1, с. 163 165.
  327. А.Н., Свечников С. В., Сыпко Н. И. // Сб.научных трудов «Элементы и устройства некогерентной оптоэлектроники», Киев.: Наукова думка. 1979. С.195−209.
  328. Ю.С., Бабенко В. А., Кмита Т. Г. //Электрон.техника. Сер. Полупроводниковые приборы.// 1974. N.2. С.24−27.
  329. А.Н., Свечников С. В., Сыпко Н. И. // Сб.научных тру232дов «Элементы и устройства некогерентной оптоэлектроники», Киев.: Наукова думка. 1979. С.195−209.
  330. И.К. Электролюминесценция кристаллов. М.:Наука. 1974.280 с.
  331. Карагеоргий-Алкалаев П.М., Лейдерман А. Ю. // В кн. Электролюминесценция твердых тел. Киев.: Наукрова думка. 1971. С799−101.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!