Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков

Диссертация: Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Современный этап развития приборов для микрои оптоэлектроники характеризуется использованием субмикронных гетерострукгур с активными квантово-размерными слоями нанометровой толщины, а также диэлектриков и твердых растворов на их основе. Для решения задачи контроля технологии их получения необходима разработка новых и дальнейшее развитие имеющихся аналитических методов, среди которых наиболее… Читать ещё >

Применение методов фотоэлектронной эмиссии на краях рентгеновского поглощения для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЯВЛЕНИЯ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ, ВОЗБУЖДАЕМОЙ РЕНТГЕНОВСКИМ ИЗЛУЧЕНИЕМ
    • 1. 1. Анализ основныхпроцессовг составляющие явление
      • 1. 2. Особенности эмиссии на краях поглощения рентгеновского излучения
      • 1. 3. Вывод новой функции выхода электронов
      • 1. 4. Моделирование квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемой рентгеновским излучением
      • 1. 5. Выводы
  • ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
    • 2. 1. Функциональная.схема.I
    • 2. 2. Оптическая схема.,
    • 2. X Расчет разрешения&trade- энергиивозбуждающихрентгеновских. фотонов
      • 2. 4. Измерение основных характеристик спектрометра
      • 2. 5. Выводы
  • ГЛАВА. 3. МЕТОДИКИ И ЭКСПЕРИМЕНТ
    • 3. 1. Экспериментальные методы исследования материалов и структур твердотельной электроники
    • 3. 2. Исследование фотоэлектронной эмиссии из объемных полупроводников Ge и S
    • 3. 3. Исследованиегетероструктур AlxGAixAs
    • 3. 4. Исследование структур Al-Ge с тонким верхним слоем (10-f 80 нм)
    • 3. 5. Исследование профилей состава в GaAs, образующихся при бомбардировке ионами Ar+
    • 3. 6. Исследование ТЮ2 и твердых растворов TiixNbx
    • 3. 6. Выводы

Актуальность:

Современный этап развития приборов для микрои оптоэлектроники характеризуется использованием субмикронных гетерострукгур с активными квантово-размерными слоями нанометровой толщины, а также диэлектриков и твердых растворов на их основе. Для решения задачи контроля технологии их получения необходима разработка новых и дальнейшее развитие имеющихся аналитических методов, среди которых наиболее перспективными являются керазру тающие. Здесь важное место занимает группа методик^ основанных на явлении электронной эмиссии, возбуждаемой рентгеновским излучением, позволяющих определить с высоким разрешением основные параметры структур: состав приповерхностной области, ее локальное атомное и электронное строение, толщины и состав квантово-размерных слоев и т. д. Однако^ теоретическая база явления на сегодня развита не достаточно для количественного (а в ряде случаев и качественного) моделирования основных эффектов, что заставляет на практике использовать эмпирический подход, не позволяющий полностью реализовать возможности методов и сужающий область их применения. В то же время проведение измерений по названным методикам требует использования уникального оборудования^ обладающего рядом специфических характеристик. В настоящий момент большинство экспериментов проводятся с использованием синхротронного излучения. Стандартного, серийно выпускаемого оборудования для проведения подобных экспериментов в лабораторных условиях не существует, имеются лишь оригинальные экспериментальные установки. Поэтому актуальной является дальнейшая разработка теоретических подходов и моделей для изучения фундаментальных закономерностей явления эмиссии электронов, возбуждаемых рентгеновским излучением, развитие экспериментальной базы, позволяющей осуществлять в лабораторных условиях постановку экспериментов по указанным выше методикам, а также разработка на этой основе количественного расчета в аналитических методах исследования приповерхностной области структур и материалов микроэлектроники.

Цель и задача работы:

Целью работы, являлась дальнейшая разработка теоретической и экспериментальной базы явления эмиссии электронов, возбуждаемых, рентгеновским излучением, и применение полученных результатов для исследования полупроводниковых структур и диэлектриков.

Достижение поставленной, цела потребовало решения: следующих практических задач:

1) Теоретическое и экспериментальное изучение закономерностей транспорта электронов средних энергий, возбуждаемых, рентгеновским излучением, а также разработка, на этой основе новых, моделей количественного расчета квантового выхода эмиссии, электронов, возбуждаемых рентгеновским излучением в районах К-краев поглощение атомов образца.

2) Создание нового лабораторного оборудования для. реализации экспериментов по методам, основанным на регистрации квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемых рентгеновским излучением в районах К-краев поглощения.

3) Исследование на этой: основе практически важных полупроводников и диэлектриков: гетерострукгур на основе ALxGaj. xAs, тонкослойных структур Air Ge, арсенида галлия, подвергнутого бомбардировке ионами Аг+, диэлектриков ТЮ2 и твердых растворов Ti^NbxCb.

Впервые решено кинетическое уравнение для электронов средних энергий, возбуждаемых в полубесконечной однородной по составу мишени монохроматическим рентгеновским излучением в приближении диффузионного характера транспорта и получен аналитический вид функции выхода электронов.

Впервые показано, что функция: выхода, рассчитанная, на основе решения кинетического уравнения в диффузионном приближении, количественно описывает электронную эмиссию в случае полубесконечного однородного образца.

Развита новая модель расчета квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемой рентгеновским излучением.

Разработан и реализован новый тин лабораторного рентгеновского фотоэлектронного спектрометра, обладающий уникальными характеристиками для данного класса лабораторного оборудования, сравнимыми с характеристиками установок с использованием синхротронного излучения.

Разработан новый количественный безэталонный метод определения состава приповерхностной области твердых растворов АШВУ5 основанный на расчете эмиссии электронов в районах Ккраев рентгеновского поглощения.

Впервые получено количественное совпадение экспериментальных и расчетных зависимостей квантового выхода эмиссии электронов в районах К-краев поглощения от состава твердых растворов А1хОа1. хАз и угла облучения в случае однородного по составу образца.

Результаты работы использованы:

— в оптимизации технологических режимов распыления ОаА&ионами Аг+;

— для создания контактного слоя на поверхности Ое;

— для создания датчиков экологического мониторинга на основе Т1О2 и Т1ЬхЫЬх02.

Защищаемые положения:

1) Функция выхода электронов средних энергий, возбуждаемых в твердом теле монохроматическим рентгеновским излучением, рассчитанная на основе решения кинетического уравнения в диффузионном приближении, количественно описывает электронную эмиссию в случае полубесконечной однородной мишени.

2) Развитая модель расчета, квантового выхода эмиссии электронов позволяет количественно моделировать экспериментально наблюдаемые зависимости квантового выхода в районах К-краев поглощения.

3) Разработанный рентгеновский лабораторный фотоэлектронный спектрометр обладает уникальными характеристиками, сравнимыми^ а в ряде случаев^ превосходящими характеристики спектрометров, основанных на синхротронном излучении.

4) Разработанные теоретические и экспериментальные основы описания рентгеновской фотоэлектронной эмиссии позволяют определять практически важные параметры приповерхностной области полупроводников и диэлектриков такие как: элементный состав и концентрацию химических компонентов образцатолщины слоев различного составапрофиль распределения состава по глубинелокальная атомная и электронная структура.

Апробация работы:

Результаты работы докладывались и обсуждались на координационном совещании секции диагностики полупроводников и полупроводниковых структур научного совета по проблемам физики-химии полупроводников АН СССР (Саратов, 1990), VIII координационном совещании по исследованию и применению твердых растворов кремний-германий (Ташкент, 1991), международном тихоокеанском конгрессе по рентгеновским аналитическим методам (PIXAM, Honolulu,. USA, 1991), международном конгрессе по рентгеновской оптике и микроанализу (ICXOM, Great Britain, Manchester, 1992), международном конгрессе, посвященном 100- летию открытия: электрона (England^ 1997), международной: конференции, посвященной проблемам физики на пороге 21-го века (С.-Петербург, L998).

Публикации:

По материалам диссертации опубликовано 12 научных работ.

Объем работы:

Диссертация состоит из трех глав, введения и заключения (страниц машинописного текста •/^^, рисунков 2>Ъ, таблиц Jo * библиография включает Ч-Ъ наименований.

3.6. Выводы.

Таким образом, проведенный выше анализ экспериментальных данных позволяет заключить, что вероятность выхода электронов средних энергий из полубесконечного эмиттера, рассчитанная на основе приближенного решения кинетического уравнения, правильно учитывает особенности транспорта электронов и в отличие от предложенных ранее формул обеспечивает хорошее согласие с экспериментальными данными, что позволяет использовать ее для определения полного квантового выхода в методах диагностики материалов, использующих явление рентгеновской фотоэмиссии. Точность полученной.

— 10&-аппроксимации вероятности выхода электронов тем точнее, чем больше средний атомный номер атомов, составляющих образец.

Сравнение измеренных и рассчитанных величин показывает, что развитая 3- ступенчатая модель расчета полного квантового выхода электронной эмиссии, возбуждаемой рентгеновским излучением позволяет достичь хорошего совпадения результатов моделирования и эксперимента в случае однородного полубесконечного образца, представляющего собой твердый раствор состава А1х. Оа}хА5. На основе расчета из первых принципов (без применения эмпирических коэффициентов) возможно безэталонное определение состава образца. Показано, что развитая модель не достаточна для адекватного описания угловых зависимостей Ш от однослойных структур.

На примере измерений дальней тонкой структуры Ккрая поглощения Ое^ проведенного изучения профилей состава в образцах ОаАя, подвергнутых бомбардировке ионами Аг+ и экспериментального наблюдения тонкой структуры К-края поглощения Тт в структурах ТхШх07 показана возможность реализации на разработанном спектрометре практически всех аналитических, методов изучения твердого тела, основывающихся на явлении эмиссии электронов, вызываемой поглощением рентгеновского излучения в исследуемом образце.

Заключение

.

По результатам выполненной работы сделаны следующие выводы:

1) Известные из литературы линейная и экспоненциальная функции выхода электронов не описывают или описывают только в частных случаях полный квантовый выход рентгеновской фотоэлектронной эмиссии на краях поглощения.

2) На основе решения кинетического уравнения для электронов средних энергий, возбуждаемых в полубесконечной, однородной по составу мишени.

— 109монохроматическим рентгеновским излучением, получен аналитический вид функции выхода электронов в приближении диффузионного характера их транспорта.

3) Установлено, что функция выхода, рассчитанная на основе решения кинетического уравнения в диффузионном приближении, количественно описывает электронную эмиссию в случае однородного образца.

4) Развита новая модель расчета квантового выхода эмиссии электронов, возбуждаемой рентгеновским излучением.

5) Разработанный рентгеновский лабораторный фотоэлектронный спектрометр обладает уникальными характеристиками, сравнимыми, а в ряде случаев, превосходящими характеристики спектрометров, основанных на синхротронном излучении, и позволяет проводить эксперименты по всем основным аналитическим методам, основанным на явлении электронной эмиссии, возбуждаемой рентгеновским излучением.

6) Получено количественное совпадение экспериментальных и расчетных зависимостей квантового выхода эмиссии электронов в районах К-краев поглощения от состава твердых растворов AlxGaixAs и угла облучения в случае однородного образца.

7) Показано, что развитая модель удовлетворительно описывает выход электронной эмиссии из структур Al-Geнаблюдается совпадение измеренных спектральных зависимостей с аналогичными зависимостями, полученными на установках, использующих синхротронное излучение.

8) При распылении арсенида галлия ионами Аг+ с энергией Е=1−9 кэВ происходит увеличение толщины нарушенного слоя в зависимости от интенсивности воздействия и наблюдается изменение концентрационного профиля, характеризующееся чередованием зон, обогащенных галлием и мышьяком.

— 1109) Установлено, что в твердых растворах TiixNbx02 интенсивность В-пика в тонкой структуре края поглощения Ti уменьшается с увеличением концентрации Nb, что может быть связано с изменением зарядового состояния ионов Ti и локальной атомной структуры.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю С. Г. Конникову за наставничество, внимание и полезные советы, К. Ю. Погребицкому, Л. А. Бакаллейникову, И. П. Сошникову, И. И. Лодыженскому Е.Ю.Флегонтовой, О. А. Усову при непосредственном участии которых проводились исследования, а так же всему коллективу лаборатории «Диагностики материалов и структур твердотельной электроники» ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН за плодотворные дискуссии и интерес к данной работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. X-Ray Data Booklet (Handbook) // edited by D. Vaughan, University of California Press, Berkeley, 1986,160 стр.
  2. М.Я. // «Атомный фотоэффект», Москва, Наука, 1987, 272 стр.
  3. A.Erbil, G.S. Gargill III, R. Frahm and R.F. Boehme // «Total-electron-yield current measurements for near-surface extended x-ray-absorption fine structure» Physical Review B, 1988, V.37,N.5, P.2450−2464.
  4. Boon T. Teo// «EXAFS: Basic Principals and Data Analysis», Vol. S-V, Berlin, 1986, 295 P.
  5. E.J.McGuire // «Auger and Coster-Kronig Transitions» in «Atomic Inner-Shell Processes» edited by B. Grasemann, Academic Press, New York, 1975, P.293−329.
  6. Z.-J.Ding, and R. Shimizu // «Inelastic collision of kV electrons in solids», Surface Sciences, 1989, V.222, P.313−331.-1117. Платцман Ф., Вольф IL // «Волны и взаимодействия в плазме твердого тела»,
  7. Москва, Мир, 1975,436 стр.
  8. Д. // «Элементарные возбуждения в твердых телах», Москва, Мир, 1965,382 стр.
  9. Бонч-Бруевич ВЛ., Калашников С. Г. II «Физика полупроводников», Москва, Наука, 688 стр.
  10. П.И. // «О фотоэффекте», Ленинград-Москва, 1933, 123 стр.
  11. L.A.Bakaleinikov, S.G.Konnikov, KJu. Pogrebitsky, E.A.Tropp, YiLN. Yur'ev, S.A.Song// «Simulation of the. X-ray Induced Electron Emission at the Absorption Edge», The Nucleus, V.34,N.l, 1997, PT-9.
  12. Бакалейников Л. А, Конников С .Г., Погребицкий К. Ю., Сайфидинов Д. Ж., Тропп Э. А., Юрьев ЮЛ.// «Определение функции выхода для электронов-средних энергий на основе использование кинетического уравнения», Журнал Технической Физики, 1994, Т.64, № 4,C.9-L6.
  13. B.L.Henke // «0.1−10 keV X-Ray-Induced Electron Emission from solids’V J.Appl.Phys., 1977, V.48, P. 1852−1866.14. «The Encyclopedia of X-Rays and Gamma Rays» // Edited by George L. Clark, New York, Reinhold- London,. ChaprnanandHall, 1963, 1149 стр.
  14. D.A.Vemer, D.G.Yakovlev, LM^Band, andM^B.Trzhaskovskaya // «Subsliell pliotoionization cross sections and ionization energies of atoms and. ions from He to Zn», Atom. Data and NucL Data TbL, 1993, V.55, N.2, P.233−280.
  15. MTLChen, B. Crasemann, and ELMark 11 «Relativistic radiationless transition probabilities for atomic K- and L-shells», Atom. Data and NucL Data TbL, 1979, V.24, NJ, P. 13−37.
  16. J.H.Scofield // «Relativistic Hartree-Slater values for К and L x-ray emission rates», Atom. Data and Nucl. Data ТЫ., 1974, V.14, N.2, P.121−138.
  17. B.H., Тагиров И. Р., Буабеллу А., Созонтов E.A. // «Контроль состава в приповерхностной области полупроводниковых кристаллов методом скачков рентгеновского фотоэффекта», Поверхность, 1983, №.11, С.56−61.
  18. JI.H., Гомоюнова М. В. // «Эмиссионная электроника», Москва, Наука, 1966, 564 стр.
  19. L.A.Bakaleinikov // «Asymptotic transformation of the inelastic part of the collision integral for fast electrons», Soviet Physics- Technical Physics., 1984, V.29T N.7, P.715−717.
  20. Бакалейников Л.A. II «Асимптотическое исследование кинетики электронов-средних энергий в веществе», Дисс.. канд. физ.-мат. наук, Ленинград, 1985, 169 Стр.
  21. А.Ф., Никитушев Ю. М., Ботвин В.А // «Решение методом монте-карло задач переноса быстрых электронов в веществе"г Алма-Ата, Наука, 1972, 163 Оф.
  22. J.P.Ganachaund, and MXailler 11 «A Monte-Carlo calculation of secondary electron emission of normal metals», Surf. ScL, 1979, V.83, P.498−530.
  23. Z.J.Ding, — and Z.Q.Wu // «A comparison Monte-Carlo simulation of electron scattering-and.x-ray production in solids», J.Pliys.D, 1993, V.26, P.507−5 L6.
  24. Yu.N.Yur'ev, K. JuJPogrebitsky, L.A.Bakaleinikov, I.I.Lodyzhensky and-S.G.Konnikov// «Simulation of X-ray Exited Electron Emission in Vicinity of K-shell Electron Binding Energies», Phys.Low.-Dim.Struct, 1994, N.8, P.55−64.
  25. A.Williams 11 «Laboratory x-ray spectrometer for EXAFS and XANES measurements», Review of Scientific Instruments, 1983, V.54, N"2, P. 193−197.
  26. G.G.Cohen, D.A.Fislier, J. Colbert, and NJ. Shevchik // «Tunable laboratory extended x-ray absorptioiLfine structure system», Rev.Sci.Instrum., 1980, V.51, N.3, P.273−277.
  27. P.Georgopoulos and G.S.Knapp // «Design criteria for a laboratory EXAFS facility», J.Appl.Ciyst, 1981, V.14,P.3−7.
  28. E.A.Stern// «Laboratoiy EXAES Facilities», AIP Conference Proceedings, edited by E.A.Stern, 1980, N.64, P.39.
  29. S.Khalid, R. Emiich, R. Diyan, J. Sbultz, and J. ELKatzer// «Laboratoiy EXAES. spectrometer for catalyst studies», Review ofScientific Instruments, 1982, V.53, N. l, P.22−33.
  30. W.Thulke, R. Haenset and P. Rabe // «Versatile curved crystal spectrometer for laboratory extended x-ray absorption, fine structure measurements», Review of Scientific Instruments, 1983, V.54,N.3, P.277−283.
  31. A.Backaleinikov, and O.A.Usov // «New branch in the nondestructive solid bodycharacterization-x-ray induced electron emission at the absorption edges», in Ioffe1. situte-95, St. Petersburg, 1995, P.39−40.
  32. S.G.Konnikov, K.Yu.Pogrebytski // «New nondestructive composition depth profiling method for diagnostic of multilayer quantum-well structures», Surf. Scl, 1990, V.228rN.l-3, P.532−537.
  33. A.Rianconi, S. Doniach and D.Lublin.// «X-ray Ca-Kedge of Calcium adenosine-triphosphate system and of simple Ca compounds», ChenLPhys. LetL 1978. V.59, N. l, P.121−124.
  34. AJBianconi// «Surface x-ray absorptiQn.-specttQscopy- surface EXAES and surface XANES», Appl.Surf.ScL 1980. V.6, P.392−41.&.
  35. M.Belli, A. Scafati, A. Bianeoni, S. Mobilio, L. Palladhio, AReale, and E. Burattini 11 «X-ray absorption near edge structures (XANES) in simple and complex Mn compounds», Solid State Commun. 1980. V.35, N.4, P.355−362.
  36. A.Bianconi, MDelTAriccia, P.J.Durham, and J.B.Pendry 11 «Multiple-scattering resonances and structural effects in the x-ray-absorption near-edge spectra of Fe ii and Fe iii hexacyanide complexes'^ Physical Review B, 1982, V.26, N.12,P.6502−6508.
  37. Y.Oda, K. Nakajaina // «Thin films analysis by electron probe microanalyser», JJap.Inst.Met., 1973, V.37, N.7, P.673−677.-11 548. N.S.Sokolov, N.N.Faleev, S.V.Gastev, A. Izumi, K. Tsutsui, and N.L.Yakovlev //
  38. Characterization of MBE grown CdF2 layers by x-ray diffraction and GaF2: Smphotoluminescence probe», J.Vac.Sci.Teclm.A, 1995, V.13, N.6, P.2703−2708.
  39. K.Ju.Pogrebitsky // «X-ray induced electron emission spectrometry. Lecture», KRISS Publisher, Taejon, Republic of Korea, 1998,176 P.
  40. Н.А., Погребицкий К. Ю., Сошников И. П., Юрьев Ю.Н.// «Основные закономерности распыления GaAs (001) ионами Аг+ с энергией 1−9 кэВ», Журнал Технической Физики, 1992, Т.62, № 4, С. 162−170.
  41. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой // Под ред. Р.Бериша. Москва: Мир, 1984, 336 стр.
  42. Z.L.Liau, J.W.Maycr, W.L.Brown, and J. M. Poate// «Sputtering of PtSi», Journal of Applied- Physics, 1978, V.49, N.10, P.5295−5305.
  43. L.Singer, J.S.MurdeyrL.RCooper // «Composition changes in GaAs due to low-energy ion bombardment», The Journal of Vacuum Science and. Technology, 1978. V.15.N-.2. P.725.
  44. Singer I.L., Murdey J.S.r Cooper L.R.// «Surface-composition changes in GaAs due to low-energy ion-bombardment», Surf. ScL 1981. V.108. N.l. P.7−24.
  45. A. van Oostrom 11 «Application of AES to the study of selective sputtering of thin films», The Journal of Vacuum Science and Technology, 1976. V.13. N.l. P.224−227.
  46. G.E.McGuire // «Effects of ion sputtering on semiconductor surfaces», Surf.Sei. 1978. V.76. N.l. P.130−147.
  47. Д.В., Веремеенко М.Д7/ «Изменение состава поверхности (100) фрсенида галлия при ее бомбардировке ионами аргона», Поверхность. 1989. № 6. С.119−128.
  48. KJu.Pogrebitsky, LP. Soshnikov, Yu.N.Yurev, N.A.Bert and S.G.Konnikov// «X-ray Induced Electron Emission Study of GaAs Near Surface Region Composition Damage Coursed by Ar+ Ion Bombardment», Pliys.Low.-Dim.Struct., 1997, N.7, P.27−34
  49. M.Kawabe, N. Kanzaki, K. Masuda, and SJsfamba // «Effects of ion etching on properties of GaAs», ApplOpL 1978. V.17.K1.6.P.2556−256L
  50. T.Ishiguro, T. Suzuki, KSuzuki, and M. Ozawa // «Structure modification of surface-layer induced by ion milling», J. Electron Micro sc. 1987. V.36. N4. РЛ63−167.
  51. K.Tsutsumi, O. Aita, andKIdiikawa // «X-ray Ti К spectra and band structures of oxides of titanium», Physical Review B, 1977, V .15, N. 10, P.4638−4643.
  52. S.A, Chambers, Y. Gao, Y. J Kimr M.A.Henderson, S. The vuthasan, S. Wen, and K. LMerkle // «Geometric and electronic- structure of epitaxial NbxTiix02 on Ti02 (110)», Surf.Sci.1996. V.365. P.625−637.
  53. S.LZabinsky, J.T.Rehr, AAnkudinov, RX. Albers, and MJ. Eller // «Multiple.-scattering calculations of x-ray-absorption spectra», Physical Review Br 1995, V.52, N"4, PJ2595−3009.
  54. L.A.Grunes// «Study of the К edges of 3d transition metals in pure and oxide fonn by x-ray absorption spectroscopy», Physical Review B, 1983, V.27, N.4, P.2111−2131.
  55. W.B.Kim, S.H.Lee, and J. SJLee // «TiK- edge structure in Ti02», Proceedings of the 10th Synhrotron Radiation User Workshop (Pohang Accelerator Laboratory, Korea, 1998). P.33.
  56. T.Hirata, K. Ishioka, M. Kitajinia, and ELDoi // «Concentration dependence of optical phonons in the Ti02-Sn02 system», Physical Review B, 1996. V.53. N.13 P.8442−8448.
  57. O.A.USOV, K.Ju.Pogrebitsky, B.T.Melekh, Yu.N.Yur'ev// «X-ray Absorption Erne Structure of Titanium Oxides and Nitrides», Materials of International Conference «Physics at the Turn of 21 Century», St. Petersburg, 1998, P.71.
  58. O.A., Погребицкий К. Ю., Мелех Б. Т., Юрьев Ю.Н., Se Ahn Song// «Структура К- края поглощения в TiixNbx02», Физика твердого тела, 1999, Т.41, №.5, С.894−896.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!