Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе

Диссертация: Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако, к настоящему времени систематических исследований влияния металлов на кинетические закономерности фотолиза и фототока в азиде таллия не проводилось. Также не было выполнено работ по изучению фотохимической и фотоэлектрической чувствительности гетеросистем «ТВДз-полупроводник». Отсутствие названных экспериментальных исследований, а также данных по идентификации конечных продуктов… Читать ещё >

Фотолиз азида таллия и гетеросистем на его основе (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Свойства азида таллия
    • 1. 1. Физико-химические свойства, кристаллическая структура и термохимические характеристики азида таллия
    • 1. 2. Оптические свойства азида таллия
    • 1. 3. Фотоэлектрические свойства азида таллия
    • 1. 4. Фотоэлектрические свойства гетеросистемы «азид таллия -алюминий»
    • 1. 5. Энергетическая структура азида таллия
    • 1. 6. Фотохимическое разложение азида таллия
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Синтез азида таялия
    • 2. 2. Приготовление образцов для исследования
    • 2. 3. Методы исследования фотохимического разложения азида таллия и систем на его основе
      • 2. 3. 1. Масс-спектрометрический метод исследования процесса фотолиза
      • 2. 3. 2. Методика измерения спектров диффузного отражения
      • 2. 3. 3. Электрофизические методы исследования
    • 2. 4 Актинометрия источников излучения
  • Глава 3. Фотолиз азида таллия и гетеросистем «азид таллия -металл (полупроводник)»
    • 3. 1. Фотолиз азида таллия
      • 3. 1. 1. Кинетические закономерности фотохимического разложения ТМз
      • 3. 1. 2. Спектральные распределения скорости фотолиза, фототока и контактной фото — ЭДС в азиде таллия
      • 3. 1. 3. Кинетические закономерности фототока в ТШз
    • 3. 2. Влияние металлов на фотохимическое разложение ТШз
      • 3. 2. 1. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем «ТШз — металл»
      • 3. 2. 2. Спектральные распределения скорости фотолиза (Уф), фототока (1ф) и фото-ЭДС (1]ф) для гетеросистем «ТШ3 — металл»
      • 3. 2. 3. Кинетические закономерности фототока в гетеросистемах «ТШ3 — металл»
    • 3. 3. Влияние полупроводников на фотохимическое разложение ТШз
      • 3. 3. 1. Кинетические закономерности фотохимического разложения гетеросистем «ТШз — полупроводник»
      • 3. 3. 2. Спектральные распределения скорости фотолиза (Уф), фототока (.}ф) и контактной фото-ЭДС (Уф) в гетеросистемах «ТШз — полупроводник»
      • 3. 3. 3. Кинетические закономерности фототока в гетеросистемах «ТШз — полупроводник»
    • 3. 4. Исследование темнового пост — газовыделения
    • 3. 5. Количественная проверка основного соотношения для фотогальванического элемента
  • Глава 4. Закономерности формирования твердофазного продукта фотолиза азида таллия и гетеросистем «азид таллия — металл» и «азид таллия — полупроводник»
    • 4. 1. Идентификация твердофазного продукта фоторазложения азида таллия
    • 4. 2. Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза ТШз
  • Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси- 78 стем «азид таллия — металл»
  • Кинетика накопления таллия в процессе фотолиза гетероси- 84 стем «Т1М3 — полупроводник»
  • Определение лимитирующей стадии процесса роста частиц 89 таллия
  • Фотопроцессы в гетеросистемах «азид таллия — металл 91 (полупроводник)»
  • Диаграммы энергетических зон гетероконтактов «азид 91 таллия — металл»
  • Темновые процессы в гетеросистемах «ТМз — металл»
  • Диаграммы энергетических зон гетероконтактов «ТМз — 97 СсШ», «ТМ3 — СеГГе», «ТМ3 — Си20»
  • Темновые процессы в гетеросистемах «азид таллия — полу- 100 проводник»
  • Фотоэлектрические процессы в гетеросистемах «ТГЫ3 — ме- 104 талл (полупроводник)»
  • Механизм фотохимического разложения ТШ3 и гетеросистем «ТВД3 — металл (полупроводник)»
  • Расчёт кинетических параметров процесса фотохимического разложения ТМз и гетеросистем на его основе

В физике и химии твёрдого тела большое внимание уделяется разработке методов направленного регулирования фоточувствительности солей, разлагающихся под действием света. Наиболее перспективным методом регулирования фотохимической и фотоэлектрической чувствительности фотолизирующихся солей является создание гетеросистем «свегочу^ствиюльная соль — металл (полупроводник)». Изучение фотопроцессов, протекающих в необычных гетероеистемах «светочувствительная соль — металл (полупроводник)» является одной из важных задач физикохимических исследований.

Среди большого многообразия фотолизирующихся систем особое место занимают гетеросистем ы, созданные на основе азидов тяжелых металлов (ATM), один из компонентов которых (азид) разлагается под действием света [1−5]. Ранее {6} было установлено, что фотохимическая и фотоэлектрическая чувствительность азидов свинца и серебра изменяется при контактировании их с металлами и полупроводниками. При этом отмечалось изменение фоточувствительности азидов как в облает собственного поглощения, так и в длинноволновой области спектра. Азвд таллия, являясь типичным представителем ATM, и, обладая высокой фотохимической чувствительностью [1−4], представляет собой удобный модельный объект для исследования процессов, протекающих в индивидуальных ATM и в гетероеистемах «азид-металл (полупроводник)» .

Однако, к настоящему времени систематических исследований влияния металлов на кинетические закономерности фотолиза и фототока в азиде таллия не проводилось. Также не было выполнено работ по изучению фотохимической и фотоэлектрической чувствительности гетеросистем «ТВДз-полупроводник». Отсутствие названных экспериментальных исследований, а также данных по идентификации конечных продуктов фотохимического разложения T1N3 препятствовало созданию достоверной картины процессов, протекающих в азиде таллия под действием света. Так как фотохимические превращения являются проявлением фотоэлектрических процессов, важная роль отводится неравновесным носителям зарядов. 6.

Таким образом, для уточнения механизма фотохимического разложения азида таллия необходимо установить механизм переноса носителей заряда через границу разделов «ТШ3 — металл» и «ТШ3 — полупроводник» .

Цель настоящей работы — исследование процесса фотолиза ТШ3 и гетеро-систем «ТМз-металл (А1, Ы, В1, С»)" и '" Ш3-полупроводник (СсК, СеГГе, С"20)" в интервале длин волн фотолизирующего света 365−1500 нм при Т=293К. Задачи работы:

1. определить качественный и количественный состав продуктов фотохимического разложения ТВД3 и гетеросистем на его основе;

2. исследовать кинетические закономерности фотолиза и фототока в ТШз и гетеросистемах на его основе в зависимости от: а) интенсивности падающего светового потока с X = 365 нмб) предварительного экспонирования образцов светом с к = 365 нм;

3. рассчитать эффективные константы скорости фотолиза ТШ3 и гетеросистем «ТВДз-металл», «ТВД3-полупроводник» при Т=293 К;

4. рассчитать и построить диаграммы энергетических зон контактов «ТМ3-металл» и «ТВД3-полу проводник» ;

5. выяснить вероятный механизм переноса носителей заряда через границу раздела «ТШ3-металл» и «ТВД3-полупроводник» ;

6. предложить модель фотолиза гетеросистем «ТШ3- металл», «ТШ3-полупроводник» .

Для изучения влияния металлов и полупроводников на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азида таллия были выбраны металлы (А1, Ь, Вз, Си) и полупроводники (С (18, СсГГе, С"20) с отличными от ТШ3 физическими параметрами. Научная новизна работы:

I. впервые проведены систематические исследования кинетических закономерностей фотолиза и фототока в Т1И3 и гетеросистемах «ТВД3-металл (А1,1п, Си)» и «ТВД3-полупроводник (СЖ>, СсГГе, Си20)» в зависимости от: 7 а) интенсивности падающего светового потока с >,=365 нмб) предварительного экспонирования образцов светом с к= 365 нм.;

2. впервые, используя выводы теории фотоэмиссии, а также в результате сопоставления спектрофотометрических и масс-спектрометрических данных проведена идентификация твердофазного продукта фотохимического разложения ТВДз и гетеросистем «ТВДз-металл (полупроводник)». Установлено, что твердофазным продуктом фоторазложения ТМз и гетеросистем '" ТМ3-металл (полупроводник)" при воздействии светом с к-365 нм являются частицы металлического таллия преимущественно двух размеров: с! «40−50 А и «100 А;

3. на основании расчёта некоторых параметров (толщины слоя объёмного заряда (е1), величин разрывов в валентной зоне (ДЕу) и зоне проводимости (ДБС), величин изгибов зон в ТШ3 и полупроводниках (У<*)) и результатов исследований контактных фото-ЭДС построены диаграммы энергетических зон контактов «ТЕНз-металл», «ТМз-полупроводник» ;

4. измерены и рассчитаны темновые вольт — амперные характеристики (ВАХ) и предложен вероятный механизм переноса носителей заряда через контакты «ТВДз-металл», «ТВДз-полупроводник» ;

5. рассчитаны эффективные константы скорости фотолиза ТМ3 и гетеросистем «ТВДз-металл», «ТШз-полупроводник» по кинетике накопления конечных продуктов (газообразного азота и металлического таллия);

6. предложена экспериментально-обоснованная модель фотохимического разложения Т1Нз и гетеросистем «ТМз-металл», «ТМ3-полупроводник» .

Практическая значимость работы заключается в возможности применения ТМз для создания систем с регулируемым уровнем фоточувствительности, а также в качестве средства записи информации. Результаты работы, свидетельствующие о контактной, фотоэлектрической природе фотопроцессов в гетеросистемах «ТМг металл», «ТШз-полупроводник», могут служить для уточнения механизма фотохимического разложения азидов тяжёлых металлов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. результаты исследований кинетических закономерностей фотолиза и фототека в ТВД3 и гетеросистемах «ТВД3 -металл (А1, Ь, В1, С»)" и «ТВЯз-полупроводник.

СсПе, СигО)" при экспонировании светом с >1=365 нм, при Т=293 К;

2. идентификация твердофазного продукта фотохимического разложения ТШ3 и гетеросистем «ТМз-металл (полупроводник)» ;

3. механизм переноса носителей заряда через контакты «ТШз-металл (полупроводник)» ;

4. оценки эффективных констант скорости фотолиза ТШз и гетеросистем «ТМ3-металл (полупроводник)» ;

5. возможная модель фотохимического разложения гетеросистем «ТШз-металл (полупроводник)» .

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на 6 Международной конференции «Радиационные гетерогенные процессы» (Кемерово, 1995) — 4 Международной конференции «Прочность и пластичность материалов в условиях внешних энергетических воздействий» (Новокузнецк, 1995) — 1 научно-практической конференции «Природные и интеллектуальные ресурсы Сибири» (Кемерово, 1995) — Всероссийской научной конференции «Молодёжь и химия» (Красноярск, 1997) — Всероссийской научной конференции «Молодёжь и химия» (Красноярск, 1998) — Международной конференции «Физико-химические процессы в неорганических материалах» (Кемерово, 1998) — 1 Всероссийской научной школе молодых учёных «Радиационная физико-химия неорганических материалов» (Томск, 1999).

По результатам выполненных исследований опубликовано 14 работ.

Структура работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов и списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Установлено, что продуктами фотохимического разложения азида таллия и гетеросистем «азид таллия — металл (А1,1п, Вз[, Си)», «азид таллия — полупроводник (Сей, (Же, Си20)» являются азот и таллий. Рассчитанные эффективные константы скорости фотолиза по образованию конечных продуктов разложения совпадают.

2. Контактирование металлов и полупроводников с ТВД3 наряду с увеличением фотохимической и фотоэлектрической чувствительности в области собственного поглощения азида таллия приводит к расширению области спектральной чувствительности, длинноволновой порог которой для гетеросистем «ТВД3 — металл» изменяется в интервале 720−1500 нм, для гетеросистем «ТВДз — полупроводник» соответствует спектрам собственного поглощения и фотоэлектрической чувствительности полупроводников. Основными причинами изменения металлами и полупроводниками фоточувствительности ТВД3 является перераспределение неравновесных носителей заряда в контактном поле, обусловленном несоответствием термодинамических работ выхода контактирующих партнёров и наличием поверхностных электронных состояний контакта.

3. На основании измерений В АХ и фото-ЭДС, литературных данных по КРП и внешней фотоэмиссии, а также некоторых рассчитанных параметров построены диаграммы энергетических зон контактов «ТВДз — металл», «ТВДз-полупроводник». Установлено, «по ток в гетеросистемах «ТВДз — металл» и «ТВДз-полупроводник» обусловлен надбарьерным прохождением носителей заряда через гетероконтакт.

4. Исследованы закономерности образования твердофазного продукта фотолиза ТШз — металлического таллия. Установлено, что в процессе фотолиза образуются частицы таллия с преимущественными размерами ё да 40−50 Аид «100 А. Показано, что таллий (продукт фотолиза) увеличивает скорость фотолиза и величину фототока в процессе фоторазложения. Лимитирующей стадией фотолиза является диффузия иона таллия к нейтральному центру.

5. Предложена экспериментально обоснованная модель фотолиза гетеросистем «ТВДз-металл», «ТМз-полу проводник», включающая стадии генерации, рекомбинации, перераспределения неравновесных носителей заряда в контактном поле, образования конечных продуктов фотолиза, формирование микрогетерогенных структур «ТШ3 -11» .

Показать весь текст

Список литературы

  1. Янг Д. Кинетика разложения твёрдых веществ. — М.: Мир, 1969.-263 с.
  2. Ф., Иоффе А. Быстрые реакции в твёрдых веществах. М.:ИИЛ, 1%2.- 243 с.
  3. Walker R.F., Gane N., Bowden P.P. The influence of crystal size and crystallo-graphic orientation on decomposition in the solid state sodium and thallous azides. //Proc. Roy. Soc. A.-1959 V.294.- P.15.
  4. Evans B.L., Joffe A D., Gray P. Phisics and chemistry of the inorganic azides. // Chem. Rev.-1959.-V.59, № 4.-P.519.
  5. Урбан H. A Фотохимическое разложение нитевидных кристаллов азидов тяжёлых металлов: Автореф. диее. канд. хим. наук. Новосибирск, 1989.-22 с.
  6. Э. П. Катализ металлами и полупроводниками фотолиза азидов свинца и серебра: Автореф. дисс.. канд. хим. наук. Минск, 1977.-22 с.
  7. Ю. Ю. Характер переноса в процессе термического разложения азвдов тяжёлых металлов: Автореф. дисс.. канд. хим. наук.- Кемерово, 1985.-23 с.
  8. Fair H.D., Walker R.E. Energetic Matherials. 1. Physics and Chemistry of inorganic azides.-New York, London: PlenumPress-1977.-503 p.
  9. Gray P., Waddington T.C. Thallous azide: reactivity, structure and therrao-chemistry//Chemistry and Industry.-1955. P. 1555−1566.
  10. Krause Brigitte H. Diffraction studies of photochemical decomposition of azides. I. X-ray and UV-induced lattice constant changes in TlN3//J.Chem. Phis.-1963.- V.39,7.-P. 1706.
  11. Ю.Ю., Пугачев B.M., Диамант Г.М.Структурные исследования азвдов тяжелых металлов//Химия ттела. Кем ГУ. Кемерово. 1985.120
  12. Ю.А., Сидорин Ю. Ю., Кучис Б. В. Холловская подвижность носителей заряда в азиде серебра//Изв.АН СССР. Неорганические материалы. -1979. -Т55,№ 1.-С. 1397−1401.
  13. Ю.Ю., Эренбург Б. Г., Захаров Ю. А. Полиморфное превращение в азиде серебра//Ж.физ.химии.-1981 .-№ 1-С.254−255.
  14. Collton R.J. Rabalais J.W. Electronic structure of some inorganic azides from -ray electron spectroscopy//J.Chem.Phis.-1976.- V.64,}fe8.~ P.3481−3486.
  15. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides//Proe.Roy.Soc. А.-1957, — V.238.- P.568−580.
  16. Gray P., Waddington T.C. Tbeimochemistry and reactivity of the azides. I. Thermochemistry of the inorganic azides/ZProc.Roy.Soc.A. -1956.- V.235.- P. 1200−1202.
  17. Gray P., Waddington T.C. Thermochemistry and reactivity of the azides. II Lattice energies of ionic azides, electron affinity and heat of formationof the azide radical and the related properties//Proc.Roy.Soc. A-1956,-V.235.- P. 1203.
  18. Krause В. H. The effect of soft X-rays of potassium azide type structu-res//J.Kristallogr.-1961 ,-V.l 15, — P. 413−418.
  19. Ф. И. Структурно-деформационные дефекты в нитевидных кристаллах азидов тяжёлых металлов и их роль в фото- и электрополевом разложении: Автореф. дисс. д-ра химических наук.-Кемерово, 1997.-43 с.
  20. Evans B.L., Yoffe A.D. Structure and stability of inorganic azides. II Some Physical and optical properties and the fast decomposition of solid monovalent inorganic azide//Proc.Roy. Soc.A.- 1959, — V.250.- P.346−366.
  21. Evans B.L., Joffe A.D. Absorption spectra and associated photoconductivity of pure and decomposed cri stalls of thallium azide//Nature.-1959.-V. 183.-P. 1241−1244.
  22. Deb S.K. Optical absorptionspectra ofazides//Trans. Faradey Soc.-l969,-V.65.-P.3187. 23 .Deb S.K. Ultraviolet absorption spectra of alkali metal azides//J.Chem. Phis.-1961. -V.35,№ 6.-P.2122.
  23. Deb S.K. Optical absorptionspectra of azides/ZTrans. Faradey Soc.-1970.-V.66.-P.571.121
  24. Deb S .К., Joife A.D. OpticaJ properties and photochemical decomposition of TIN3, AgN3//Proc. Roy. Soc.A.-1960.-V.256,№ 1287.- P.514.
  25. Ю.А. Электронно-ионные процессы при термическом и фотохимическом разложении некоторых твердых неорганических шединешш:Автореф. дисс. д-ра.хим.наук.-Томск, 1975, — 44 с.
  26. А.П., Черников Е. В., Суровой Э. П., Бенедиктова Т. А. Спектр диффузного отражения таблетированного азида таллия с тонким металлическим покрытием. Томск, 1985.-С.48, — Деп. в НИИТЕХИМ, № 864хп-Д85.
  27. Robillard J.J. Possible use of certain metaffic azides for the development of a field controlied dry photographie process//J .photographie semee, 1971. VI9,№ 2. -P.25−48.
  28. McLaren A.C. The absorption spectra of single crystals of pure and partially decomposed thallous azide//Proc.pliis.soc.-1957.-V.2 P.147.
  29. А.П., Суровой Э. П., Черников E.B. Фотоэлектрические процессы в азиде таллия, Томск, 1985.-С.42−45. Деп. в НИИТЕХИМ, № 863хп-Д85.
  30. А.П., Суровой Э. П. Фотоэлектрическая чувствительность гетероси-стем «азид таллия-алюминий» в поле излучения//Ж.физ.химии.-1991.-Т65,№ 6.-С.1465−1469.
  31. Л.В. Спектры электронных состояний и некоторые особенности реакций разложения азидов тяжелых металлов : Автореферат дис. канд. хим. наук.-Минск, 197 8.-21 с.
  32. Ю.А., Колесников Л. В., Черкашин А. Е. Энергетика и природа электронных зон азида серебра//Неорганич.материа/гы.-1978.-Т. 14,№ 7.-С. 1283.
  33. Ю.А., Колесников Л. В., Черкашин А. Е., Баклыков С. П. Структура энергетических зон и природа некоторых электронных переходов в РЬ(Ыз)2 //Оптика и спектроскопия. -1978.-Т .4 5 ,№ 4. -С. 72 5.
  34. Ю.А., Колесников Л. В. Спектры энергетических состояний азидов свинца и таллия//Сборник аннотаций НИР ТПИ, Томск: ТГУ. 1975 .№ 3 .С .78.122
  35. Ю.А., Колесников Л. В., Черкашин А. Е. Структура энергетических зон азида серебра и природа некоторых электронных переходов//М. Л 97?. 14 с -Деп.в ВЙНИ1И 7.01.77, № 136−77.
  36. А.Б., Журавлев Ю. Н., Поплавной A.C. Энергетическая зонная структура тетрагонального азида таллия//ФТТ.-1994.-Т.36,№ 9.-С.2777−2779.
  37. Ю.В., Савельев В. Г., Захаров Ю. А. Влияние электрического потенциала поверхности на сенсибилизированный фотолиз азида свинца//Изв. ТПЙ.-1969.-Т.199.-С.112−113.
  38. Ю.В., Савельев В. Г., Захаров Ю. А. Сенсибилизация фотопроводимости и фото-ЭДС азидов тяжелых металлов, окрашенных органических красителей//Изв.ТПИ.-1970.-Т. 185 -С.69.
  39. В.Г., Гаврищенко Ю. В., Захаров Ю. А. Фото-ЭДС в азидах свинца и серебра//Изв.вузов.Сер.Физика.-1%8.-Х"7.-С.71.
  40. Ю.В. Фотолиз азидов тяжелых металлов и оптическая сенсибилизация этого процесса органическими красителямигАвтореферат дисс.канд. хим. наук, — Томск, 1969. -20 с.
  41. Э.П., Захаров Ю. А. Влияние металлов на фотохимическую и фотоэлектрическую чувствительность азидов свища и серебра//Томск, 1977.-23 с -Деп. в ВИНИТИ 20.10.77, № 4065−77.
  42. Э.П., Захаров Ю. А., Шустов М. А., Кулагин Д. Г. Катализ полупроводниками фотопроцессов в азидах свинца и серебра//Томск, 1981.-17 с. -Деп. в НИИТЭХИМ 28.09.81, М>169хп11-Д81.
  43. Э.П., Захаров Ю. А. Исследование методом контактной разности потенциалов состояния поверхности и энергетики электронных уровней в азидах свинца и серебра/ПомскЛ 978.-21 с. -Деп. в ВИНИТИ 21.02.78, № 644−78.
  44. Э.П., Черников Е. В., Грибанова Т. И., Белядов А. Ш. Влияние ряда факторов на электронную структуру азида таллия//Томск, 1985.-6 с. -Деп. в НИИТЭХИМ 21.05.85, № 863хп-85.123
  45. Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников.М:Наука, 1972.399 с.
  46. Э.П., Грибанова Т. И., Лоскутов B.C., Черников Б. В., Дюсембекова А. К. Влияние металлов на фотолиз азида таллия// Томск, 1985.-С.80−85.- Деп. в НИИТЕХЙМ, № 863хп-Д85.
  47. Ю.А., Абакумов Е. П., Суровой Э. П. Фотолиз азидов свинца, серебра и некоторых систем на их основе//Изв.ТПИ. -1970.-№ 251. -С.373−382.
  48. Э.П., Захаров Ю. А., Бугерко Л. Н. Определение работы выхода электрона из азидов серебра, свинца и таллия//Неорг. материалы. -1996,-Т .32,6, — С. 162−164.
  49. Э.П., Черников Е. В., Грибанова Т. И., Савочкина H.A. Фотолиз ге-теросистем на основе азида таллия в электрическом поле//Томск, 1985 .-С.76−79,-Деп. в НЙИТЕХИМ, № 863хп-Д85.
  50. В.В., Феофилов П. П. Аннотации докладов IX Международной конференции по физике полупроводников. М., 1968.
  51. Ю.В., Савельев Г. Г. Математическое моделирование реакций фотолиза азидов тяжелых металлов//йзв.ТПИ.-1970.-Т.251 -С.255−262.
  52. А.Ф., Суровой Э. П., Радченкова Л. А. Моделирование кинетики процесса фотолиза азида таллия/, Л^омск, 1985.-С.86−89.-Деп. в НИИТЕХЙМ, № 863хп-Д85.
  53. A.B. Комплекс-метод/Яруды МЭИ.-1970.-Вып.76.-94 с.
  54. Рябых С М. Химия твердого тела. Учебное пособие. Кемерово, 1980. -90 с.
  55. В.Г., Ханефт A.B., Колпаков О. Л. Анализ механизмов термического разложения азидов тяжелых металлов//Химия твердого состояния, Кемерово, 1981. -С.56−68.
  56. И.В. Методы исследования эффекта Холла. -М.:Сов.рздио, 1974. -328 с.
  57. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. -М :Высшая школа, 1987, — 239 с.124
  58. Ю.Ю. Электрофизические методы исследования в химии твердого тела, Кемерово, 1989. -103 с.
  59. Химическая эшщкшпедия. -М.:Советская энциклопедия, 1988.-T1.-C.I16, 379.
  60. Химическая энциклопедия.-М. :Советская энциклопедия, 1990.-Т2.-С.443, 551,558.
  61. Химическая энциклопедия.-М.:Советская энциклопедия, 1992.-ТЗ.-С.4.
  62. Химия. Под ред. Шретер В., Лаутеншлегер К.-Х., Бибрах X. и др. -М.:Мир, 1966.-432 с.
  63. А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полу проводник.-М.: Мир, 1966.-432 с.
  64. КиттелъЧ. Введение в физику твердого тега.-М.:Гос.изд.физ.-мат.лиг., 1963.-696 с.
  65. .Л., ПурохитР.К. Полупроводниковые гетеропереходы.-М.:Сов.радио, 1979.-232 с.
  66. А. И., Плесковский В. Л., Пенчко Б. П. Конструирование и расчёт вакуумных систем. -М: Энергия, 1979.-504 с.
  67. Т. И., Суровой Э. П. Определение параметров газообразного потока при фотолизе азидов тяжёлых металлов и систем на их основе/ТМатериалы науч.-технич.конф. по химии и хим. технологии, посвященной 70 летию Октяб-ря:Тез. докл. -Томск, 1987. С .48.
  68. М.А. Определение квантового выхода фотолиза методом полного разложения/ЛГомск, 1982. -10 е.- Деп. в НИЙТЭХИМ № 52−83.
  69. М.А., Захаров Ю. А. Определение квантового выхода фотолиза по оптическим данным методом полного разложенияШзв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1979-Т.22,№ 7.-С.827−830.
  70. Э. П., Сирик С. М., Бугерко Л. Н. Определение количественных характеристик газового потока методом полного разложения7,/Кемерово, 1996.-15 с.-Деп. в ВИНИТИ 24.01.96. № 1677−96.
  71. А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников.-М.: Наука, 1971.-561 с.125
  72. В. И., Бузанёва Б. В., Радзиевский И. А. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки.-М. Советское радио, 1974.-610 с.
  73. С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М. :Физмат-газ, 1963.-494 с.
  74. Р. Фотопроводимость твёрдых тел.-М.:ИИЛ, 1962.-558 с.
  75. Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко Л. П. Изучение фотоэлектрических свойств гетероеистем «азид таллия-алюминий (индий)//Кемерово, 1996.-21с.-Деп. в ВИНИТИ 04.09.96. № 2766-В96.
  76. Э. П., Шурыгина Л. И., Бугерко Л. П. Фотоэлектрические явления в гетероеиетеме «азид таллия-сульфид кадмия7/Кемерово, 1997.-21с.~Деп. в
  77. ВИНИТИ 03.12.97. № 3549-В 97.7 В. Лысов В. Ф. Практикум по физике пол}чтроводников.-М.:Просвещение, 1976.-208 с.
  78. . У., Гуревич Ю. Я. Связь эффекта Гершеля с электронной фотоэмиссией //Доклады Академии наук СССР,-1970.-Т. 191, № 1 .-С. 115−118.
  79. . У., Гуревич Ю. Я. Частицы металла в диэлектриках//Физика твёрдого тела.-1970.-Т. 12.-С.3380−3382.
  80. А. М., Гуревич Ю. Я. Теория электронной эмиссии из металлов,-М.: Наука, 1973.-265 с.
  81. Wigand 1>.А. Photoprodaction of disorder in PbN6 and TlN3//Phys.Rev.B.-1974.-V. 10, № 4.-P. 1241−1247.
  82. Me Laren A.C., Rogers G.T. The optical and electrical properties of silver azide and their relations to its decomposition//Proc.Roy.Soc.A.-1957. -V.240.-P.484−498.
  83. С. M. Фотолиз азида серебра и гетероеистем «азид серебра-металл» и «азид серебра-полутгрошднш»:Автореф.дис.канд.хим.наук.-Кемерово, 1999 20 с.
  84. Г. В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения.- М.: Наука, 1972. -399 с.
  85. П., Николайдес, А Задачи по физической электроштке.-М.:Мир, 1975.-264 с. 1268?. Рябых С. М. Радиационные процессы в азидах тяжелых метаялов//йзв. АН Латв.ССР. (Серия физика).-1984.- № 3.-С.93−101.
  86. К.В. Физика полупроводников.- М.:Энергия, 1971.- 446 с.
  87. Л.С. Физика полупроводников. -М.:Сев.радио, 1967. -451 с.
  88. М.С. Полупроводники. -Л.: Наука, 1967,-420 с.
  89. Ю.А., Суровой Э. П., Абакумов Е. П. Закономерности и схемы фотолиза азидов свинца и серебра на глубоких стадиях превращения/ТТомск, 1976.21 с.-Деп. в ВИНИТИ № 61.
  90. Ю.А., Руколеев С. И., Лоскутов B.C. Низкотемпературный фотолиз и люминесценция азидов свинца, серебра и таллия//ХВЭ, 1979.-Т.13,№ 1.-С.61−65.
  91. В.Г. Анализ механизмов и кинетика реакций твердофазного разложения некоторых соединений со сложным анионом: Автореферат дисс.. канд.физ.-маг. наук.-Кемерово, 1982. -23 с.
  92. А. Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и механизм.-М. :Наука, 1980.-264 с. 95.. Розовский А. Я. Гетерогенные химические реакции. Кинетика и макрокинетика. -М. :Наука, 1980. 323 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!