Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков

Диссертация: Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Специфика магнитных полупроводников состоит в сильном взаимодействии их электронной и магнитной системотсюда и их наиболее интересная особенность: возможность управления их магнитными свойствами путем воздействия на электронную систему, и, наоборот, воздействие на магнитную систему изменяет состояние электронной системы. Это открывает принципиально новые перспективы практического применения… Читать ещё >

Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ФОТОМАГНИТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ДИЭЛЕКТРИКАХ
    • 1. 1. Динамический фотоферромагнитный эффект
    • 1. 2. Фотоферромагнетизм, магнитоэлектрический эффект
    • 1. 3. Фотоиндуцированная перестройка доменных структур
  • ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОННЫЙ ФОТОФЕРРОМАГНЕТИЗМ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 2. 1. 3 —(1 обменная модель С.В.Вонсоеского

Существенно возросший за последнее время интерес исследователей к полупроводниковым соединениям и диэлектрикам, обладающим магнитным порядком, обусловлен широкими перспективами применения магнитных полупроводников и диэлектриков в современной электронной технике [1,2], а также и интересом к самой физике процессов, происходящих в магнитных полупроводниках и диэлектриках [3,4]. Интенсивно и широко исследуются магнитные полупроводники в нашей стране, в последние годы работы советских ученых занимают ведущее место в этой области [6]. За рубежом также (в США, Японии, ФРГ, Голландии, Англии) в настоящее время ведутся широкие исследования по магнитным полупроводникам.

Специфика магнитных полупроводников состоит в сильном взаимодействии их электронной и магнитной системотсюда и их наиболее интересная особенность: возможность управления их магнитными свойствами путем воздействия на электронную систему, и, наоборот, воздействие на магнитную систему изменяет состояние электронной системы. Это открывает принципиально новые перспективы практического применения магнитных полупроводников в современной электронной техникесуществует большое количество предложений по практическому использованию магнитных полупроводников в технике СВЧ, микроэлектронике, полупроводниковой электронике, лазерной технике [2,5,7]. Магнитные диэлектрики-ферриты, прозрачные в радио и СВЧ диапазонах, давно нашли широкое практическое применение в технике СВЧ и в настоящее время используются в технике связи, радиолокации, астрономии. В настоящее Еремя в технике начинают находить применение магнитооптические свойства магнитных диэлектриков-ортоферритов, феррит-гранатов. Сочетание больших величин магнитооптических эффектов и высокой оптической добротности с возможностью воздействия на оптические свойства магнитным полем позволяет использовать ортоферриты и феррит-гранаты в устройствах управления световыми потоками и устройствах оптической обработки информации, в системах ввода и вывода для лазерной техники и вычислительной техники [1,8]. В последнее время еыяснилось, что эпитаксиальные пленки феррит-гранатов являются лучшими материалами для устройств с цилиндрическими магнитными доменами (ЩЦ) — запоминающие устройства на ЩЦ очень перспективны, так как оптимально сочетают относительно небольшую стоимость с достаточно коротким временем доступа к записанной информации [8].

В теоретическом плане магнитные полупроводники представляют значительный интерес прежде всего вследствие того, что в них реализуется сильное взаимодействие между намагниченностью и электронами проводимости, концентрацию которых можно достаточно легко изменять. Это обусловливает существование многих интересных эффектов и явлений, имеющих место в магнитных полупроводниках [3,4]. В ферродиэлектриках, где электроны находятся в локализованных состояниях, также представляет интерес исследование эффектов, связанных с зависимостью магнитных свойств от электронной структуры ферродиэлектриков [9].

Существует важный круг явлений, где весьма существенна взаимосвязь электронной и магнитной подсистем магнитных полупроводников и диэлектриков. Это — фотомагнетизм, объединяющий явления, характерной чертой которых является изменение магнитных свойств вещества при его освещении. Именно магнитные полупроводники и диэлектрики (ферромагнитный полупроводник СЙС^Бе^ и феррит-гранат иттрия У3 Ре^О^) явились первыми веществами, на которых экспериментально было обнаружено воздействие света на ряд их магнитных характеристик: на динамическую магнитную проницаемость, коэрцитивную силу, форму петли гистерезиса [10−14], на частоты ферромагнитного резонанса [15,16]. В дальнейшем было установлено влияние света на магнитные свойства ряда других материалов [17,18].

К фотомагнитным явлениям относится и фотонамагничивание: эффект изменения величины намагниченности под действием света. В первых теоретических работах, касающихся этого эффекта [19,20, 36] было показано, что фотоЕозбужденные носители в магнитных полупроводниках стремятся установить ферромагнитное упорядочение в системе локализованных спинов магнитных ионов, обусловливающих спонтанную намагниченность. Тем самым открывалась возможность изменять температуру фазового перехода и изменять тип упорядочения (антиферромагнетизм — ферромагнетизм) путем освещения магнитного полупроводника сЕетом. Заметим, что увеличение параметра ферромагнитного обмена в ферромагнитных полупроводниках одновременно с увеличением температуры Кюри должно приводить к увеличению намагниченности ферромагнитного полупроводника. В дальнейшем оценки, проведенные е [21], показали, что для существенного изменения обменных констант нужны очень высокие концентрации фотоэлектронов (П>1020 см~^): так, для сдвига температуры Кюри в ферромагнитных полупроводниках на I К требуются концентрации пота о рядка 10 см. Такие концентрации фотоносителей реально трудно достижимы, и к настоящему времени непосредственно не наблюдалось изменение температуры Кюри под действием освещения. В работе [23], однако, наблюдалось фотоиндуцированное изменение намагниченности е ферромагнитном полупроводнике Е и 3, которое, по мнению авторов, связано с увеличением параметра ферромагнитного обмена, соответствующее изменение температуры Кюри должно составить ОД К. Результаты оптических измерений, проведенных в [22], согласуются с выводами [23] о фотоиндуцированном изменении намагниченности в Е и.$. Кроме изменения намагниченности, связанного с изменением под действием освещения температуры Кюри, в магнитных полупроводниках возможно изменение намагниченности, связанное с изменением под действием освещения магнитного момента ионов, создающих спонтанную намагниченность магнитного полупроводника — например, изменение под действием освещения магнитного момента иона еЕропия в ферромагнитном полупроводнике Е и. В [24,25]. В диэлектрике феррит-гранате иттрия, легированном кремнием, при освещении его сЕетом также наблюдалось изменение намагниченности, которое связывалось с изменением магнитных состояний ионов железа, спиновой момент которых определяет спонтанную намагниченность этого феррита [ 26].

Рассмотренные Еыше механизмы фотонамагничивания магнитных полупроводников и диэлектриков не яеляются единственными, однако до настоящего времени другие возможные механизмы фотонамагничивания не изучались. Поэтому актуальным, интересным с физической точки зрения и в плане практического применения, представляется дальнейшее изучение явления фотонамагничивания.

Целью данной диссертационной работы является теоретическое исследование ранее не рассматривавшихся механизмов фотонамагни-чиеэния магнитных полупроводников и диэлектриков.

В работе решены следующие задачи.

1. Исследован вклад в изменение намагниченности ферромагнитного полупроводника, обусловленный спиноеым моментом фотовозбужденных носителей.

2. Рассмотрено квадратичное по переменному электрическому полю в оптическом диапазоне изменение намагниченности ферромагнитного полупроводника (диэлектрика), обусловленное спин-орбитальным взаимодействием носителей с системой локализованных спинов, создающих намагниченность.

3. Изучено воздействие циркулярно-поляризованного сгета на многодоменные ферромагнитные полупроводники и диэлектрики, приводящее к перестройке доменной структуры и, вследствие этого, к намагничиванию многодоменного образца.

Диссертация состоит из введения, четырех глаЕ, заключения, пяти приложений и списка литературы. Объем диссертации составляет 121 страницу машинописного текстав ней имеются 4 рисунка, список цитированной литературы включает 103 наименования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Приведем основные результаты, полученные в работе.

1. Рассчитан вклад в изменение намагниченности ферромагнитного полупроводника, обусловленный спиновым моментом носителей, возбуждаемых светом в зону проводимости, поляризованную и расщепленную по спину обменным взаимодействием. Такое изменение, названное электронным фотоферромагнетизмом, при достаточно низких температурах, или в сильных магнитных полях, превосходит изменение намагниченности, вызванное косвенным обменом через фотовозбужденные носители — изменение намагниченности из-за сдЕига температуры Кюри, которое изучалось ранее. Показано, что при температурах порядка гелиеЕых, или в достаточно сильных магнитных полях, электронный фотоферромагнетизм превосходит изменение намагниченности, обусловленное сдеигом точки Кюри, почти на порядок (оценки проведены для ферромагнитного полупроводника.

Сс1 Сг2 ве^).

2. Показано, что тогда как изменение намагниченности из-за сдвига температуры Кюри Есегда положительно, электронный фотоферромагнетизм может иметь любой знакт.е. суммарный стационарный спиновой момент электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне может быть направлен как по спонтанной намагниченности ферромагнитного полупроводника, так и против.

3. Найдена нелинейная намагниченность на нулевой частоте в ферромагнитных полупроводниках (диэлектриках), пропорциональная кЕадрату электрического поля, в полях оптического диапазона. Исследована намагниченность, перпендикулярная направлению спонтанной намагниченности (направлению постоянного магнитного поля.

Н0), обусловленная спин-орбитальным взаимодействием фотовозбуждаемых носителей с системой локализованных спинов, создающих спонтанную намагниченность. Показано, что эффект поперечного фо-тонамагничиЕания существует в геометрии Коттона-Мутона, а в геометрии Фарадея равен нулюдля оптических частот в области прозрачности эффект фотонамагничивания максимален для циркулярной поляризации электрического поля. Величина фотонамагничивания пропорциональна константе спин-орбитального взаимодействия, обратно пропорциональна Н0 и определяется характерными величинами межзонных частот и матричных элементов межзонного дипольно-го момента электрона. Величина поперечного фотонамагничивания может достигать значительной Ееличиныпоказано, что существует область критических полей, таких, что в этих полях происходит «опрокидыЕание» намагниченности кристалла на угол Я/2. По оценкам эти критические поля меньше полей пробоя для прозрачных ферромагнитных полупроводников (диэлектриков), и современные лазеры могут обеспечить такие потоки мощности.

4. Рассчитана нелинейная намагниченность, совпадающая по направлению со спонтанной намагниченностью ферромагнитного полупроводника, е полях оптического диапазона е области прозрачности. Рассмотрены случаи фотонамагничиЕания ферромагнитного полупроводника е однодоменном и многодоменном состоянияхпоказано, что сопровождающийся перестройкой доменной структуры эффект фотонамагничиЕания е многодоменном состоянии существенно превосходит эффект фотонамагничиЕания в однодоменном состоянии. Оценки проведены для ферромагнитного полупроводника Ей О .

5. Показано, что поглощение циркулярно-поляризованного света многодоменными ферромагнитными полупроводниками и ферроди-электриками, обладающими круговым дихроизмом, приводит к перестройке доменной структуры и, как следствие, к фотонамагничиванию. Эффект возникает как результат того, что под действием циркулярно-поляризованного света плотность обменной энергии в соседних доменах, отличающихся направлением спонтанной намагниченности, становится различнойв ферромагнитных полупроводниках это обусловливается различной концентрацией фотоносителей в доменах, отличающихся направлением спонтанной намагниченности, а в ферродиэлектриках — различной концентрацией фотовозбужденных магнитных ионое. Величина относительного фотонамагничивания доменных структур (исследованы случаи полосовой структуры и структуры Ландау-Лифшица) определяется отношением разности плотностей обменных энергий е соседних доменах к характерной магнитостати-ческой энергии.

6. Показано, что при поглощении циркулярно-поляризованного света размеры цилиндрического магнитного домена изменяютсяпри определенных мощностях света происходит коллапсироЕание цилиндрического магнитного домена. Показано также, что если при поглощении циркулярно-поляризоЕанного света с определенным направлением поляризации радиус цилиндрического магнитного домена увеличивается, то смена направления поляризации вызывает уменьшение радиуса цилиндрического магнитного домена.

7. Исследованные в работе эффекты могут быть использованы для следующих целей. Так, эффект фотонамагничивания, обусловленный электронным фотоферромагнетизмом, может быть использован для исследования параметров зонной структуры ферромагнитного полупроводника и времен спиновой релаксации носителей.

Эффект нелинейного фотонамагничиЕания может быть использован для определения величины спин-орбитального ЕзаимодейстЕия е ферромагнитных полупроводниках и диэлектриках, а также для определения параметров мощного лазерного излучения.

Эффект перестройки доменных структур под действием циркулярно-поляризованного сЕета может быть использован для определения параметров лазерного излучения, а также как средство управления доменными структурами и цилиндрическими магнитными доменами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.П. Редкоземельные магнетики и их применение. — М.: Наука, 1980. — 240 с.
  2. И.А. Редкоземельные полупроводники перспективы развития и применение. — Журнал ВХО им. Д. И. Менделеева, 1981, т.26, № 6, с.602−610.
  3. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972. — 405 с.
  4. Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М.: Наука, 1979. — 432 с.
  5. С.И., Бужор В. П. Физические свойства Cd Сгг Se4. -В кн.: Магнитные полупроводниковые шпинели типа Cd Сг^ S6^. Кишинев, 1978, с.43−82.
  6. Труды международной конференции по магнетизму. МКМ-73 (Москва, 22−28 авг. 1973 г.). В 5 т. М.: Наука, 1974.
  7. А.А. Магнитные редкоземельные полупроводники. -В кн.: Редкоземельные полупроводники. Л., 1977, с.5−47.
  8. БалбашоЕ A.M., Червоненкис А. Я. Магнитные материалы для микроэлектроники. М.: Энергия, 1979. — 215 с.
  9. С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. В 2 т. М.: Мир, 1976, т.1, — 353 с.
  10. Enz U., van der Hude Н. Two new manifestations of the photo-magnetic effect. Solid State Conmmn., 1968, v. 6, No. 3, p. 347−349.
  11. Lems W., Ri^nierse P.J., Bongers P.P., Enz U. Photomagnetic effect in chalcogenide spinel. Phys. Rev. Lett., 1968, v. 21, No. 24, p. 1643−1645.
  12. В.Г., Вигелева Е. С., Виноградова Г.И., — из
  13. В.Т., Махоткин В. Е. Фотомагнитный эффект в Cd Сг2 Se^ . Письма е 1ЭТФ, 1972, т.15, вып.6, с.316−318.
  14. Л.В., Веселаго В. Г., Рудое С.Г. Эффект воздействия СЕета на петлю гистерезиса магнитного полупроводника
  15. Cd СГ $е4 • Письма е ЖЭТФ, 1978, т.23, еып.9, с.520−521.
  16. Enz U., Lems W., Metselar R., Rijnierse P.J., Teal R.W.t
  17. Photomagnetic Effects. IEEE Trans. Magn., 1969, v. 5, Ho. 3, p. 467−472.
  18. Teal R.W., Temple D.W. Photomagnetic eneal a new magnetoop-tic effect in Si doped yttrium-iron garnet. Phys. Rev. Lett., 1967, v. 19, Ho. 16, p. 904−907.
  19. H.M., Дрокин И. А., Чернов B.K. Влияние СЕета на ферромагнитный резонанс в Cd Cl"2 Зе^ . ФТТ, 1975, т.17, I 12, с.3705−3707.
  20. Merceron Т., Baratoin P. Photomagnetic effect in Ni In ferrite with small amount of cobalt. — Phys. stat. sol. (a), 1976, v. 35, Ho. 2, p. 681−686.
  21. Lacklison D.E., Chadwick J., Page J.L. Photomagnetic effect in ferrite-borate. J.Phys.D: Appl. Phys., 1972, v. 5, N0. 4, p. 810−821.
  22. .В., Бердышей A.A. Косвенное взаимодействие через носители тока в полупроводниках. ФТТ, 1963, т.5, № II, с.3397−3405.
  23. A.A. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная сеязь осуществляется через электроны проводимости. -ФТТ, 1966, т.8, № 5, с.1382−1389.
  24. Н.С., Матвеев В. М., Нагаев Э. Л. Фотонамагничивание магнитных полупроводников и фотоиндуцированные гетероперехода. Докл. АН СССР, 1976, т.230, В 5, с.1085−1088.
  25. М.М., Компан М. Е., Меркулов И. А. Увеличение температуры Кюри магнитных полупроводников под действием освещения. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, вып. II, с.621−623.
  26. М.М., Компан М. Е., Меркулов И. А. Прямое наблюдение намагниченности ферромагнитного сульфида европия при освещении. Письма в ЖГФ, 1976, т.2, вып.21, с.982−984.
  27. М.М., Захарченя Б. П., Компан М. Е., Флейшер В. Г., Шульман С. Г. Оптически индуцированный дихроизм в магнитном полупроводнике.-Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, вып.8, с.486−489.
  28. М.М., Компан М. Е., Меркулов И. А. Оптическая ориентация в ферромагнитном сульфиде европия. ЖЭТФ, 1976, т.71, вып.12, с.2068−2077.
  29. В.М., Куц П.С., Рубан В. А. ФотоиндуцироЕанное изменение магнитных свойств Y, Fec 0,". ФТТ, 1973, т.15,5 5 1L12, с.3707−3708.
  30. Г. М., Ноздрин Ю. Н., Токман И. Д., Шастин В. Н. Прямое наблюдение фотонамагничивания ферромагнетика М Cl^Se^ циркулярно-поляризованным светом. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.35, вып.4, с.162−164.
  31. Р.А., Веселаго В. Г., Фарзтдинов М. М., Антоное Л. И., Калинников В. Т. Прямое наблюдение воздействия сЕета на доменную структуру магнитного полупроводника Cd Сг^ Se^ . -ФТТ, 1979, т.21, № I, с.292−294.
  32. Lems W., Metselaar R., Rijnierse P.J., Enz U. bight-induced increase in domain-wall stiffness in Si-doped YIG- J.Appl. Phys., 1970, v.41, No.3, p.1248−1249.
  33. А.В., Махоткин В. И., Кузнецов В. Н. Закрепление доменных стенок е ЖИГ, легированном кремнием. Труды ФИим.П. Н. Лебедева АН СССР, 1982, т.139, с.87−92.
  34. Н.А., Махоткин В. Е., Мягков А. В., Рубан В. А. Закрепление доменных стенок в Y, Fee 0,": Si • Труды3 5 12
  35. ФИ им. П. Н. Лебедева АН СССР, 1982, т.139, с.93−96.
  36. Э.Л. Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники. УФН, 1975, т.117, еып. З, с.437−492.
  37. В.Д., Нагаев Э. Л. Недиссипативный фотоферромагнетизм в магнитных полупроводниках. ЖЭТФ, 1978, т.74, вып.6, с.2123−2130.
  38. В.М., Нагаев Э. Л. Фотоиндуцированный слабый ферромагнетизм в магнитных полупроводниках. ФТТ, 1975, т.17, №. 8, с.2483−2485.
  39. С.Г., Веселаго В.Г. Фотоиндуцированное изменение намагниченности магнитного полупроводника
  40. ФТТ, 1979, т.21, В II, с.3250−3254.
  41. Vonsovskii S.V., Samokhvalov A.A., Berdyshev A.A. Ferromag-netische Halbleiter mit Austauschwechselwirkund uber die Leitungselektronen. Helv. Phis. Acta, 1970, v. 43, Ho. 1, p. 9−16.
  42. Е.И., Санина В.A., Шаплыгина Т. А. Новое основное состояние Е EuCr03 «возбужденное оптической накачкой. -ЖЭТФ, 1980, т.80, вып.5, C. I9II-I925.
  43. В.Ф., Колежук Е. С., Куц П.С. Фотомагнитная запись информации. Письма в ЖГФ, 1981, т.7, вып.16, с. 1016.
  44. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Госиздат физ.-мат.л-ры, 1959. — 532 с.
  45. И.Е. К вопросу о магнитоэлектрическом эффекте е антиферромагнетиках.- ЖЭТФ, 1959, т.37, еып. З, с.881−882.
  46. Э.Л., Григин А. П. Кооперативные явления при взаимодействии между электронами через реальные бозоны. Письма в ЖЭТФ, 1974, т.20, вып.10, с.650−654.
  47. Э.Л., Григин А. П. Взаимодействие носителей тока с заряженными дефектами в сильно легированных ферромагнитных по- 116 лупроЕодаиках. ФТТ, 1975, т.17, № 9, с.2614−2621.
  48. Г. М. Нелинейный магнитоэлектрический эффект в ферромагнитных полупроводниках. ЖЭТФ, 1976, т.71, вып.12,с.2278−2290.
  49. КоЕаленко В.Ф., Колежук Е. С., Куц П. С. Влияние линейно-по-ляризоЕанного света на доменную структуру в пластине
  50. Y, Fec Si CL. ЖЭТФ, I98I, т.81, еып. Ю, c.1399−1405.5 b"x x 1z
  51. КоЕаленко В.Ф., Куц П. С., Сохацкий В. П. Поляризационно-за-висимое фотоиндуцироЕанное изменение доменной структуры в пластине Y, Fe, St (L. ФТТ, 1982, т.24, № I, с.145−148.v О «X ОС 12
  52. В.Ф., Куц П.С., Ляхимец С. Н. Динамика фотоиндуцированных спин-переориентационных переходов в монокристалле2+
  53. Y3Fe5012 с ионами Fe. ФТТ, 1982, т.24, В 8, с.2428−2433.
  54. ФедороЕ Ю.М., Лексиков А. А., Аксенов А. Е. Светоиндуцирован-ная динамическая неустойчивость доменной структуры
  55. Fe ВО, :Nl • Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, еып. З, с. 134−136.о
  56. ВаЪсепсо A., Cottam M.G., Theory of elementary excitation in ferromagnetic semiconductors. J. Phys. Cs Solid State Phys., 1981, v.14, Ho. 34, p. 5347−5366.
  57. С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1971. — 1031 с.
  58. Э.Л., Соколова Э. Б. Температура Кюри вырожденных ферромагнитных полупроводников. ФТТ, 1977, т.19, IF 2, с.533−538.
  59. Nolting W. Theory of Ferromagnetic Semiconductors. -Phys. stat. sol. (Ъ), 1979, v.96, Ho.1, p. 11−54.
  60. Haas G. Magnetic Semiconductors. In: Physics of modern materials. Vienna, 1980, v. 2, p. 199−212.
  61. С.В., Изюмов Ю. А. Статистические свойства электронной системы ферромагнитных переходных металлов. ФММ, — 117 1.60, т.10, еып. З, с.321−324.
  62. Shapira Y., Foner S., Reed T.W. EllO Resistivity and Hall Effect in Fields up to 150 KOe. Phys. Rev., 1973, v. B8, No. 5, p.2299−2315.
  63. Lehmaun H.W. Semiconducting Properties of Ferromagnetic Cd Cr2 Se^ Phys. Rev., 1967, v. 163, No. 2, p. 488−496.
  64. И.Я., Танхилевич Б. Г. Генерация высокочастотных магнонов неравновесными электронами, поляризованными против намагниченности. ЖЭТФ, Г977, т.73, вып.12, с.2231−2245.
  65. Ч. КЕантоЕая теория твердых тел. М.: Наука, 1967. 491 с.
  66. Л.Л., Кунькова З. Э., Аминов Т. Г., Калинников Б. Т. Магнитооптические свойства монокристаллов Cd Сг^ $ 6^в области края поглощения. ФТТ, 1980, т.22, № 3,с.877−880.
  67. Дж. Эффективное поле е теории магнетизма. М.: Мир, 1968. 271 с.
  68. Г. М., Токман И. Д. Электронный фотоферромагнетизм е ферромагнетиках. ФНТ, 1981, т.7, № 8, с.1068−1069.
  69. И.Д. Магнетизм фотоэлектронов е магнитных полупроводниках. ФТП, 1983, т.17, вып.6, C. II60-II62.
  70. Г. М., Токман И. Д. Электронный фотоферромагнетизм в магнитных полупроводниках. В кн.: ХУ Всесоюзная конф. по физике магнитных явлений: Тез.докл. Пермь, 1981, ч. З, с.146−147.
  71. Г. М., Токман И. Д. Поперечное намагничивание ферромагнетика оптическим излучением. ФТТ, 1980, т.22, № 5, c. I27I-I274.
  72. Г. М., Токман И. Д. Нелинейный магнитоэлектрический эффект в ферромагнетиках. В кн.: Х1У Всесоюзная конф. по- 118 физике магнитных явлений: Тез.докл. Харьков, 1979, с. 324.
  73. Г. М., Токман И. Д. Обратный эффект Фарадея в ферромагнитных полупроводниках. ФТТ, 1983, т.25, № I, с.276−278.
  74. Д.Н. О магнитоэлектрическом эффекте в антиферромагнетиках. ЖЭТФ, I960, т.38, вып. З, с.984−985.
  75. Е.й. К теории явления Нернста-Эттингаузена у ферромагнитных металлов. ЖЭТФ, 1963, т.45. еып.9, с.511−521.
  76. Э.Л., Соколова Э. Б. Аномальный эффект Холла в ферромагнитных полупроводниках. ФТТ, 1977, т.19, № 3, с.732−739.
  77. Ю., Максимов Л. А. К теории аномального эффекта Холла в ферромагнетиках. ФТТ, 1965, т.7, № 2, с.530−538.
  78. Л.Э., ЯссиеЕич К.Н. Теория ферромагнитного эффекта Холла. ФТТ, 1962, т.4, № 10, с.2854−2866.
  79. В.М., Ханин Я. И. Квантовая радиофизика. М.: Сов. радио, 1965. — 608 с.
  80. Г. М., Файн В. М. Вклад энгармонизма колебаний кристаллической решетки в нелинейные сеойстеэ кристалла. ЖЭТФ, 1965, т.49, вып.10, c. III8-II25.
  81. Г. М., Файн В. М., Ящин Э. Г. Нелинейные свойства кристаллической решетки. ФТТ, 1966, т.8, № II, с.3310−3319.
  82. Pershan P. S. Nonlinear Optical Properties of Solids: Energy Consideration. Phys. Rev., 1963, v.130, Ho.1, p.919−929.
  83. Дж. Оптические свойства твердых тел. М.: Мир, 1968. — 176 с.
  84. В.М., Пейсахович Ю. Г. Влияние магнитного упорядочения на межзонные переходы электронов в кристаллах. -ЖЭТФ, 1975, т.68, вып.1, с.164−174.
  85. Н. Электронный пробой в твердых телах под действием лазерного излучения. КЕантовая электроника, 1974, t. I, if 4, с.786−805.
  86. Г. С., Чёткин М. В. Прозрачные ферромагнетики. УФН, 1969, т.98, вып.1, с.4−25.
  87. Shoenes J.» Wachter P. Magnetooptic spectroscopy of EuS Solid State Commun., 1974, v.15, Ho.11/12, p.1891−1895.
  88. Ahn К.У., Shafer M.W., Relationship Between Stoichiometry and Properties of E llO Films. J.Appl. Phys., 1970, v.41, Ho. 3, p.1260−1264.
  89. Pershan P. S., van der Ziel J.P., Malmstrom L.D. Theoretical Discussion of the Inverse Faraday Effect, Raman Scattering and Related Phenomena. Phys. Rev., 1966, v.143, No. 2, p. 574−583.
  90. J.P. van der Ziel, Pershan P. S., Malmstrom L.D. Optically-induced magnetisation resulting from the inverse Faraday effect. Phys. Rev. Lett., 1965, v.15, N0.5,p.190−193.
  91. B.B., Павловский А. И., Самохвалов A.A., Таценко O.H. Особенности эффекта Фарадея на пленках EuO е мегагауссных полях. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.23, еып.5, с.259−263.
  92. Н.Ф., Еременко В. В., Белый Л. И. Эффект Фарадеяв феррит-гранате Y3Fes01z:Ho. ЖЭТФ, 1967, т.53, вып. II, с.1505−1509.
  93. Г. С., Гущина С. А. Влияние магнитного поля на эффект Фарадея в феррит-гранатах. ЖЭТФ, 1968, т.55, вып.8,с.490−495.
  94. Г. С., Гущина С. А. Влияние магнитного поля на эффект Фарадея в феррит-гранатах эрбия, тербия, гольмия. ЖЭТФ, 1969, т.57, вып.8, с.362−368.
  95. Таблицы физических величин: Справочник / Под ред. акад.- 120
  96. И.К.Кикоина. M.: Атомиздат, 1976. — 1005 с.
  97. Г. М., Токман И. Д. Фотонамагничивание многодоменных ферромагнетиков сгетом с циркулярной поляризацией. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, вып.2, с.119−122.
  98. Г. М., Токман И. Д. Фотонамагничивание доменной структуры Ландау-Лифшица циркулярно-поляризованным СЕетом и скорость движения доменной стенки под действием света. ЖЭТФ, 1982, т.82, вып.5, с.1532−1538.
  99. Г. М., Ноздрин Ю. Н., Токман И. Д., Шастин В. Н. Нелинейное фотонамагничивание ферромагнетика Cd Cr2 Se< цир-кулярно-поляризованным СЕетом. В кн.: XI Всесоюзная конф. по когерентной и нелинейной оптике: Тез.докл. Ереван, 1982, с.91−93.
  100. Genkin G.M., Tokman I.D., Zil’herherg V.V. Photomagneti-sation of polydomain magnetic insulators Ъу circular polarized light. Sol. State Commun., 1982, v. 44, No. 5, p.631−633.
  101. Г. М., Токман И. Д. Коллапс цилиндрических магнитных доменов под действием циркулярно-поляризованного СЕета. -ФТТ, 1983, т.25, № 8, с.2206−2208.
  102. Ferre J. Proprietes magneto-optiques de materiaux para-, ferro, et antiferromagnetiques contenant l’ion europium divalent. — J. Phys., 1974, v.35, No. 10, p.781−801.
  103. Scott G.B., Laclison D.E., Ralph H.J., Page H.L. Magnetic circular dichroism and Faraday rotation spectra of Xt^cO-o Phys. Rev., 1975, v. B12, No.7, p. 2562−2571.1. О Э 1L
  104. Kooy C., Enz U. Experimental and theoretical study of the domain configuration in this layers of Bq Fe^O^- Phil. Res. Rep., 1960, v.15, No. 1, p. 7−29.- 121
  105. Е.М., Питаевский Л. П. Статистическая физика. М.: Наука, 1978, ч.2. — 447 с.
  106. Е.М. О магнитном строении железа. ЖЭТФ, 1945, т.15, еып.1, с.97−107.
  107. И.А. Термодинамическая теория ферромагнитных доменов. УФН, 1972, т.108, вып.1, с.43−48.
  108. В.И. К теории магнитных доменов. ЖЭТФ, 1977, т.77, вып.6, с.2324−2331.
  109. Г. С. Физика магнитных явлений. М.: МГУ, 1976. -367 с.
  110. А., Слонзуски Дж. Доменные стенки в материалах с цилиндрическими магнитными доменами. М.: Мир, 1982. -382 с.
  111. Anderson P.W. Theory of Magnetic Exchange Interactions: Exchange in Insulators and Semiconductors In: Solid State Physics. New York-London, 1963, v. 14, p. 99−214*
  112. СЕиридов Д.Т., СЕиридова Р.К., Смирнов Ю. Ф. Оптические спектры ионов переходных металлов в кристаллах. М.: Наука, 1976. — 267 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!