Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Гурин Н. Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Формирование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS: Mn // Тр. Междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001 г., с. 60. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Частотные зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS: Mn… Читать ещё >
Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)
Содержание
- 4. 5. Выводы
Л I внутрицентрового излучения ионов Мп, обнаружены полосы с максимумами ~ 530 пш и ~ 655 пш, обусловленные, по-видимому, захватом свободных электронов на глубокие центры, образованные вакансиями серы и V* ¦
3. Обнаруженные существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~2.6еУ, ~1.9еУ и ~1.3еУ и плотностью потока фотонов (4−1014−3-1015) шт"2^"1, свидетельствуют о перезарядке
163 в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка и серы К/,, расположенных выше валентной зоны, соответственно, на -1.1 еУ, <1.9 еУ и <1.3 еУ. Концентрация центров оценивается величинами: , V* ~ (3-4>1016 ст"3, У*+ ~ 1.5−1016 сш"3.
4. Предложенная модель образования и изменения объемных зарядов: положительного — в прианодной, за счет ионизации вакансий цинка VI', У~ и серы V* и отрицательного — в прикатодной областях, за счет захвата электронов на вакансии серы К/, в процессе работы ТП ЭЛИ, позволяет качественно объяснить экспериментальные результат по влиянию фотовозбуждения на зависимости тока, протекающего через люминофор, от времени.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ Таким образом, на основании полученных результатов выполненных в диссертационной работе теоретических и экспериментальных исследований влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ЕпБгМп можно сформулировать следующие основные
выводы:
1. Обнаружена возможность существования, определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления на ВАХ слоя люминофора 8- и Ы-типов в одних и тех же образцах ТП ЭЛИ на основе сульфида цинка, легированного марганцем и предложен механизм образования отрицательного дифференциального сопротивления, основанная на ионизации и перезарядке глубоких центров, которые образуют объемные заряды вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора.
2. На основе экспериментальных исследований кинетики мгновенной яркости свечения ТП ЭЛИ при возбуждении напряжением треугольной формы и решения кинетического уравнения определена аналитическая взаимосвязь мгновенных значений яркости, тока, протекающего через слой люминофора, и мгновенного внутреннего квантового выхода и обнаружено различное поведение зависимостей внутреннего квантового выхода и светоотдачи от времени в области частот выше и ниже ЮНг.
3. На основе исследования кинетики мгновенной яркости и тока, протекающего через слой люминофора, показано, что уменьшение степени зависимости средней яркости свечения ТП ЭЛИ от амплитуды напряжения возбуждения (появление участка насыщения на ВЯХ) обусловлено возникновением объемных зарядов в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора и уменьшением эффективной толщины слоя люминофора.
4. В спектрах электролюминесценции ТП ЭЛИ на основе 2п8: Мп, полученных на различных участках волны яркости обнаружены полосы с максимумами — 530 пш и — 655 пш, обусловленные, по-видимому, захватом свободных электронов на глубокие центры, образованные вакансиями серы и V*.
5. Обнаруженные существенные отличия кинетики тока и заряда, протекающих через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель, и вида вольт-амперных характеристик излучателей при импульсной засветке в синей, красной и инфракрасной областях спектра с энергиями фотонов ~2.6еУ, ~1.9еУ и ~1.3еУ и плотностью потока фотонов (4−1014−3-1015) шш"2^'1, свидетельствуют о перезарядке в процессе работы излучателей глубоких центров, обусловленных, по-видимому, вакансиями цинка и серы У*, VI*, расположенных выше валентной зоны, соответственно, на ~1.1 еУ, <1.9 еУ и <1.3 еУ. Концентрация центров оценивается величинами: У*', У* ~ (3−4)-1016ст 3, У52+ ~ 1.5−1016 ст"3, время релаксации центров, обусловленных У22' оценивается величиной — Ь, обусловленных У/ ~30−40з.
6. Предложена модель образования и изменения объемных зарядов в прианодной и прикатодной областях слоя люминофора, обусловленных глубокими центрами -вакансиями цинка У*", У2'п и серы У*,, в соответствии с которой в активном режиме работы ТП ЭЛИ после превышения порогового напряжения, в зависимости от частоты напряжения возбуждения, в прианодной области слоя люминофора может происходить ионизация глубоких центров, обусловленных у£, Р/, У~п ' с образованием положительного объемного заряда, а в прикатодной области — захват свободных электронов глубокими центрами У*, У^, с нейтрализацией положительного объемного заряда, образовавшегося в предыдущем цикле работы ТП ЭЛИ, и формированием отрицательного объемного заряда.
Возможные направления дальнейших исследований:
1) Уточнение энергетического положения и других параметров глубоких центров в 2п8: Мп.
2) Исследование возможностей повышения эффективности (квантового выхода и светоотдачи) ТП ЭЛИ на основе 2п8: Мп.
3) Исследование возможностей понижения рабочего напряжения ТП ЭЛИ на основе гп8: Мп.
1. Н. А. Власенко. Электролюминесцентные устройства отображения информации. -Киев. Общество «Знание» Украины, 1991, 24с.
2. Электролюминесцентные источники света / под ред. И. К. Верещагина, М.: Энергоатомиздат, 1990, 168с.
3. Н. Т. Гурин. Основы организации и функционирования многоэлементных плоских индикаторов. Учебное пособие. Ульяновск: Изд-во Средневолжского научного центра, 1996. 84с.
4. Лямичев И .Я. Устройства отображении информации с плоскими экранами. М.: Радио и связь, 1983. — 239с.
5. Быстров Ю. А., Литвак И. И., Персианов Г. М. Электронные приборы для отображении информации. М.: Радио и связь, 1985. — 239с.
6. Мах Р. Электролюминесценция в поликристаллических полупроводниках // Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. — 314с.
7. Турин Н. Т., Соломин Б. А. Перспективные средства отображения информации. -Саратов, изд. СГУ, 1986. 116с.
8. Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. Internal charge-phosphor field characteristics of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Appl.Phys.Lett. 1993, v.62, № 7, p.744−746.
9. Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi S. Electrical characterization of atomic layer epitaxy ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices subject to various waveforms // J.Appl.Phys. 1993, v.74, № 9, p.5575−5581.
10. Abu-Dayah A., Wager J.F. Aging studies of atomic layer epitaxi ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl.Phys. 1994, v.75, № 7, p.3593−3598.
11. Singh V.P., Krishna S. Electric field and conduction current in ac thin-film electroluminescent display devices // J.Appl.Phys. 1991, v.70, № 3, p.1811−1819.
12. Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et all. Observation and simulation of spacecharge effects and histeresis in ZnS: Mn as thin-film electroluminescent devices // J.Appl.Phys. 1994. v.75, № 10, p.5339−5346.
13. Bringuier.E. Charge transfer in ZnS-type electroluminescence // J.Appl.Phys. 1989, v.66,№ 3,p.i314−1325.
14. Bringuier E. High-field conduction in semi-insulating ZnS films // Phil.Mag.B. 1997, v.75, № 2, p.209−228.
15. Мозжухин Д. Д., Бараненков И. В. Тонкопленочные электролюминесцентные индикаторные устройства // Зарубежная радиоэлектроника. 1985, № 7, с.81−94.
16. Tornqvist R., Antson J., Skarp J., Tanninen V.-P. How the ZnS: Mn layer thickness contributes to the perfomance of AC thin film EL device grown by ALE // Conf. Ree. Intern. Display Res., Conf. Cherry Hill. N.-Y., 19−21 oct. 1982, p.34−37.
17. Насс P. Надежный терминал на базе электролюминесцентного индикатора размером 304×355 мм // Электроника, 1990, № 11, с. 59.
18. Ohnishi Н., Mohri F. High-perfomance thin-film electroluminescent displays coming soon // Electron. Des, 1994,42, № 23, p.44−46.
19. Washizuka I., Mikami A. 14.4-in diagonal hight contrast multicolor information EL display eith 640×128 pixels // IEICE Trans. Electron., 1998, v. E81~c, № 11, p.1725−1732.
20. Aquilera M.J., Arbuthnot L., Keyser T. First-generation VGA electroluminescent display for head-mounted applications // Proc. SPIE., 1996, v.2735 p.92−98.
21. Haijue Т., et al., Bright 320(x3)x240 RGB Display Based on Color-by-White // SID 97 Digest, 1997, p.859.
22. Barrow W.A., Coovert R.C.,. Dickey E, et all. A New Class of Blue TFEL Phosphors with Applications to a VGA Full-Color Display // Digest of 1993 SID Int’l Display Symposium, 1993, p.761.
23. Tanaka S., Yoshiyama H., Nishiura J., Ohshio S., Kobayashi H., Bright White-Light EL Devices with New Phosphor Thin Films Based on SrS // Proc. Soc. Inf. Display 29, 1988, p.305.
24. Ohmi K., Tanaka S., Yamano Y., Fujimoto K., Kobayashi H., Mauch R. H et all. White Light Emitting Electroluminescent Devices with SrS: Ce/ZnS:Mn Multilayer Thin Films //Japan Display, 1992, p.725.
25. Mauch R. H.,. Veithaus K.-O, Hiittl В., Troppenz U., Herrmann R. Improved SrS: Ce, Cl TFEL Devices by ZnS Co-Evaporation // SID 95 DIGEST, 1995, p.720−723.
26. Haaranen J., Harju Т., Heikklnen P., et all. 512(x3)x256 RGB Multicolor TFEL Display Based on «Color by White» // SID 95 DIGEST, 1995, p.883−886.
27. Mach R., Muller G.O. Physics and technology of thin film electroluminescent displays // Semicond. Sci. Techhol, 1991, № 6, p.305−323.
28. Пат. Россия. № 2 034 363. 1995.
29. Sung K.P., Jeong I.H., Won K. K, Min G.K. Deposition of indium-tin-oxide films on polymer substrates for application in plastic-based flat panel displays // Thin Solid Films, 2001, v.397, p.49−55.
30. Yang Meng, Xi-liang Yang, et all. A new transparent conductive thin film In203: Mo // Thin Solid Films, 2001, v.394 p.219−223.
31. Mergela D., Schenkela M., Ghebrea M., Sulkowskib M. Structural and electrical properties of In203: Sn films prepared by radio-frequency sputtering.// Thin Solid Films, 2001, v.392p.91−97.
32. Pat. USA. № 5 411 792. 1995.
33. Gurumurugan K., Mangalaraj D., Narayandass Sa.K. Magnetron sputtered transparent condutinf CdO thin films // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 // J. Electron. Mater, 1995,24, № 7, p. A29.
34. Messaoudi C., Sayah D., Abd-Lefdil M. Transparent conducting undoped and indium-doped zinc oxide films prepared by spray pyrolysis // Phys. Stat. Sol. A, 1995, 151, № 1, p.93−97.
35. Kawazoe H., Hosono H., Ueda N. New transparent conducting oxides with spinel or pyrochlore structure // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 21−23, 1995 / J. Electron. Mater, 1995, 24, № 7, p. A29.
36. Coutts T.J., Wu X., Muligan W., Webb J.M. High-perfomance transparent conductors based on cadmium oxide // Abstr. Electron. Mater. Conf., Charlotssesville, Va, June 2123, 1995 / J. Electron. Mater, 1995, 24, № 7, p. A29-A30.
37. Yonghong Y., Zhang j., Gu P. Tang jinfa Study on optical efficiency of alternating-current thin-film electroluminescent devices // Thin Solid Films, 1998, v.315 p.251−256.
38. Гурии H.T. Взаимосвязь параметров диэлектрических слоев и пороговогонапряжения тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника, 1990, Вып. 1(135), с.88−90.
39. Турин Н. Т. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями // Лазерная техника и оптоэлектроника. 1992, № 3−4, с.74−77.
40. Бригаднов И. Ю., Турин Н. Т. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры с композиционным жидким диэлектриком // Письма в ЖТФ, 1990, Т. 16, вып.23, с.71−74.
41. Бригаднов И. Ю., Гурин Н. Т., Рябинов Е. Б. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных индикаторов с композиционным жидким диэлектриком // ЖПС, 1993, Т.59, вып. 1−2, с.175−181.
42. Самохвалов М. К. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур // ЖТФ, 1996, Т.66, вып. 10, с.139−144.
43. Гурин Н. Т. Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов // ЖТФ, 1996, Т.66, вып.5, с.77−85.
44. Tanaka S., Deguchi H., Mikami Y. Et all. Red and Blue Electroluminescence in Alkaline-Earth Sulfide Thin-Film Devices // SID Int. Symp. San-Diego, Calif. May 6−8, 1986. Dig. Techn. Pap. N.-Y. 1986, № 6−8, p.29−32.
45. Abe Y., Onisawa K., Tamura T. et all. Multi-Color Electroluminescent Devices Utilizing SrS: Pr, Ce Phosphors Layers and Color Filters // Electroluminescence: Proc. 4th Int. Workshop, Totore, Oct. 11−14, 1988. Berlin etc, 1989, p. 199−202.
46. Okamoto S., Nakazawa E., Tsuchiya. White-Emitting Thin Film Electroluminescent Device with SrS Phosphor Doubly Activated with Rare-Earth Ions // Jap. J. Appl. Phys, 1990, V.29, № 10, p. l987−1990.
47. Tanaka S., Mikami Y., Deguchi H., Kobayaski H. White Light Emitting Thin-Film Electroluminescent Device With SrS: Ce, Cl/ZnS:Mn Double Phosphor Layers // Jap. J. Appl. Phys, 1986, V.25, № 3, p. L225-L227.
48. Копытко Ю. В., Хомченко B.C. Физикотехнологические принципы построения полноцветных тонкопленочных электролюминесцентных дисплеев // Тонк. пленки в электрон.: Матер. 6 Междунар. симп., Херсон, 25−29 сент., 1995. Т.1, М.: КиевХерсон, 1995, с.92−93.
49. Канчин Р. А., Корнеева Р. В., Першин Г. Г., Соозарь О. Н. Тонкопленочные электролюминесцентные матричные экраны большой информационной емкости //.
50. Информат. Сер. Средства отображения инф. ВНИИ межотрасл. инф, 1991, № 2−3, с.21−23.
51. Бараненков И. В. Перспективы создания плоских панелей дисплеев с полной цветовой гаммой на основе тонкопленочных электролюминесцентных устройств // Зарубежная радиоэлектроника, 1988, № 11, с.60−67.
52. Власенко H.A., Куриленко Б. В., Циркунов Ю. А. Электролюминесцентные тонкопленочные излучатели и их применение. Киев: Знание, 1981.
53. Pat. USA. № 4 774 435. 1988.
54. Pat. USA. № 4 728 581. 1988.
55. Турин Н. Т., Сабитов О. Ю. Пленочные электролюминесцентйые структуры на шероховатых подложках // ЖПС, 1997, Т.64, вып.4, с.507−512.
56. Турин Н. Т., Сабитов О. Ю., Бригаднов И. Ю. Пленочные электролюминесцентные излучатели на шероховатых подложках // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып. 15, с.7−12.
57. Турин Н. Т., Сабитов О. Ю. Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с диффузно-рассеивающей излучающей поверхностью // Письма в ЖТФ, 1997, Т.23, вып.20, с.1−7.
58. Козицкий С. В, Чебаненко А. П. Электролюминесценция легированного марганцем сульфида цинка, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.60, вып.5−6, с.439−442.
59. Козицкий С. В. Люминесценция поликристаллического ZnS, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.63, вып.1, с.124−128.
60. Козицкий С. В., Ваксман Ю. Ф. Люминесценция селенида цинка, полученного методом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза // ЖПС, 1993, Т.64, вып. З, с.333−337.
61. Fukarova-Jurukovska М., Ristov М, Andonovski A. Electroluminescent cell prepared by chemical deposition of ZnS: Mn thin film // Thin Solid Filire, 299 (1997) 149−151.
62. Белецкий А. И., Власенко H.A., Автоволны в тонкопленочных электролюминесцентных структурах с собственной памятью // Письма в ЖТФ, 1993, Т. 19, вып.1, с.33−37.
63. Белецкий А. И., Велигура Л. И., Власенко Н. А., Кононец Я. Ф. Собственная память в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS-MnF2 // Письма в ЖТФ, 1993, Т. 19, вып. 12, с.80−87.
64. Wang Zong-Xin, Cardon Felix. A method evaluating the frequency characteristics of ac thin film electroluminescent devices // J. Phys. D, 1995, 28, № 10, p.2144−2149.
65. Bruc L., Chetrus P., Kopotkov V., Neaga A., Simaschevici A. Crane luminescente cu straturi subtiri bazate pe ZnS: Mn // Rap. 1 Simp, optoelectron. Inst, optoelectron., Magurele, 28 sept., 1993 / Optoelectronica, 1993, 1, № 4, p.35−40.
66. Zeinert Andreas, Barthou Charles, Benalloul Paul, Benoit Jacques. Transient measurements of the excitation efficiency in ZnS-based thin film electroluminescent devices // Jap. J. Appl. Phys. Pt. l, 1996, 35, № 7, p.3909−3913.
67. Ylasenko N.A., Kopytko Yu.V., Pekar V.S. Concentration and Field Dependences of Electroluminescence Decay Kinetics in ZnS: Mn Thin Film Structures // Phys. stat. sol. (a) Vol.81, № 10, p.661−667.
68. Aguilera Alberto, Singh Vijay P., Morton David C. Electron energy distribution at the unsulator-semiconductor interface in AC thin film electroluminescent display devices // IEEE Trans. Electron Devices, 1994, 41, № 8, p. 13 57−1363.
69. Corlatan D., Neyts K.A., De Visschere P. The influence of space charge and electric field on the excitation efficiency in thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 12, p.7259−7264.
70. Streicher K., Plant Т.К., Wager J.F. Hot-electron impact excitation of ZnS: Tb alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 3, p.2101−2104.
71. Shih S., Keir P.D., Wager J.F., Viljanen J. Space charge generation in ZnS: Mn alternating-current thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys, 1995, 78, № 9, p.5775−5781.
72. В. П. Васильченко. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS // ЖПС, 1996, Т.63, вып. З, с.461−465.
73. И. К. Верещагин. Электролюминесценция кристаллов. М.: «Наука», 1974, 280с.
74. Жигальский А. А., Нефедцев Е. В., Троян П. Е. Временные характеристики люминесценции структур Al-ZnS:Mn-InxOy, возбуждаемых одиночными импульсами напряжения // Изв. ВУЗов. Физика. 1995, № 2, с.37−41.
75. Сухарев Ю. Г., Андриянов А. В., Миронов B.C. Кинетика электрического поля, волн тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // ЖТФ, 1994, Т.64, № 8, с.48−54.
76. Myers R., Wager J.F. Transferred charge analysis of evaporated ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1997, v.81, № 1, p. 506 510.
77. Stuyven G., Visschere P. D., Hikavyy A., Neyts K. Atomic layer deposition of ZnS thin films based on diethyl zinc and hydrogen sulfide // Journal of Crystal Growth, 2002, v.234 р.690−698.
78. Davidson J.D. Wager J.F. et all. Electrical Characterization and Modeling of alternating-current thin-film electroluminescent devices // IEEE transaction on electron devices, 1992, v.39, № 5 p. 1122−1128.
79. Hitt J.S., Keyr P.D., Wager J.F. Sun S.S. Static space charge in evaporated ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1998, v.83, № 2, p.1141−1145.
80. Ang W.M., Pennnathur S., Pham L., Wager J.F., Goodnick S.M. Douglas A.A. Evidence for band-to-band impact ionization in evaporated ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1995, v.77, № 6, p.2719−2724.
81. Muller G.O., Mach R., Selle B. and Schulz G. Measuring on thin film electroluminescent devices // Phys stat. sol. (a), 1988, v. l 10, p.657−669.
82. Geoffroy A. Bringuier E. Bulk deep traps in ZnS and their relation to hight-field electroluminescence//Semicon. Sci. Technol., 1991, № 5, p. A131-A132.
83. Vlasenko N.A., Denisova Z.L. et all. Energy levels of defects in electroluminescent ZnS: Mn thin films exhibiting hysteresis and self-organized patterns // Jurnal of Crystal Growth, 2000, № 214/215 p.944−949.
84. Hui Zhao, Zheng Xu, Yongsheng Wang, Yanbing Hou, Xurong Xu Influence of spatial charges on transport properties of thin film electroluminescent displays // Displays, 2000, v.21, p.143−146.
85. Hui Zhao, Yongsheng Wang, Zheng Xu and Xurong Xu Influence of charged centres on transport properties of thin film electroluminescent devices // Semicond. Sci. Technol., 1999, v, 14, p. l098-l 101.
86. Власенко H.A. Исследование одновременного действия электрического поля и ультрафиолетового излучения на люминесценцию сублимат-фосфора ZnS: Mn // Оптика и спектроскопия, 1965, т.18, № 3, с.461−466.
87. Cheroff G., Keller S.P. Optical transmission and photoconductive and photovoltaic effects in activated and unactivated single crystals of zns // Physical review, 1958, v. l 11, № 1, p.98−103.
88. Zeinert A., Benalloul P., Benoit J., Barthou C., Gumlich H.-E. Influence of ultrafioletirradiation on excitation efficiency and space charge in ZnS thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys., 1994, 76, № 7, p.4351−4357.
89. Кононец Я. Ф., Велигура Л. И., Остроухова O.A. Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS: Mn // ФТП, 1998, т.32, № 5, 549−553.
90. Кононец Я. Ф. Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS: Mn после облучения их маломощным лазером // Письма в ЖТФ, 1998, т.24, № 4, с. 1−6.
91. Головин Ю. И., Моргунов Р. Б., Баскаков А. А., Шмурак С. З. Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS // ФТТ, 1999, т.41, № 11, с. 1944;1947.
92. Howard W.E., Salmi О., Alt P.M. A simple model for the hysteretic behavior of ZnS: Mn thin film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1982, v.53, № 1, p.639−647.
93. Sahni O.- Howard, W.E.- Alt, P.M.Optical switching in thin film electroluminescent devices with inherent memory characteristics // IEEE Transactions on Electron Devices, 1981, Volume ED-28, Issue 5, p.459−465.
94. Yang K.-W., Owen S.J.T. Mechanisms of the negative-resistance characteristics in AS thin-film electroluminescent devices // IEEE Trans. On Electron. Devices. 1983, v. ED-30, № 5, p.452−459.
95. Douglas A.A., Wager J.F., Morton D.C. et all. Evidence for space charge in atomic layer epitaxy ZnS: Mn alternating-current thin-film electroluminescent devices // J. Appl. Phys. 1993, v.73, № 1, p.296−299.
96. Грузинцев А. Н. Тонкопленочные электролюминесцентные МДПДМ-структуры на основе ZnS: Mn с изменяемым желто-оранжевым цветом свечения // Микроэлектроника, 1999, т.28, № 2, с.126−130.
97. Георгобиани А. Н., Грузинцев А. Н., Сююнь С., Зидонг JI. Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры на основе ZnS: Mn2+ с регулируемым цветом свечения // Неорганические материалы, 1999, т.35, № 12, с.1429−1434.
98. Самохвалов М. К., Кочергин В. А. Тонкопленочные электролюминесцентные структуры на основе ZnS: Mn с изменяемым цветом свечения // Тр. Междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001 г., с. 129.
99. Буланый М. Ф., Полежаев Б. А., Прокофьев Т. А. Многоцветные источники света // ЖТФ, 1997,1.61, № 10, с.132−133.
100. Физика соединений AnBVI. // Под ред. А. Н. Георгобиани, М. К. Шейнкмана. М.: Наука, Гл. ред. Физ-мат. лит., 1986. — 320 с.
101. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. // Под ред. Полторака О. М. М.: Мир, 1969. 654с.
102. Гурвич A.M.
Введение
в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высш. шк., 1982 376с.
103. Морозова И. К., Кузнецова В. А. Сульфид цинка: получение и свойства // М.: Наука, 1987. -200 с.
104. Георгобиани А. Н., Котляревский М. Б., Михаленко В. Н. Структура дефектов ZnS с собственно дефектной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, Неорган, материалы., 1982, Т. 17, № 7, с. 1329−1334.
105. Георгобиани А. Н., Котляревский М. Б. Люминесценция ZnS с собственно-дефектной и примесной дырочной проводимостью // Изв. АН СССР, сер. физическая, 1982, Т.46, с.259−265.
106. Joseph J.D., Neville R.C. Some optical properties of high-resistivity zinc sulfide. // J. Appl. Phys., 1977, v.48, № 5, p. 1941;1945.
107. Георгобиани A.H., Маев Р. Г., Озеров Ю. В., Струмбан Э. Е. Исследование глубоких уровней в монокристаллах сульфида цинка. // Изв. АН СССР, сер. физическая. 1976, Т.40, № 9, с. 1079−1083.
108. Грузинцев А. Н. Сложные центры свечения в сильнолегированных примесью сульфидах кадмия, цинка, стронция и кальция. Докт. дисс. Черноголовка, 1999. -373с.
109. Тимофеев Ю. П., Туницкая В. Ф., Филина Т. Ф. О природе центра свечения полосы с максимумом 2,66 эВ, входящих в состав голубого излучения самоактивированного ZnS. // Журн. прикл. спектроск., 1973, т. 19, № 3, с.469−474.
110. Воронов Ю. В., Тимофеев Ю. П. Термовысвечивание неактивированного сульфида цинка при электронном возбуждении. П Изв. АН СССР. Сер. физ., 1969, г. ЗЗ, № 6, с.951−960.
111. Красноперов В. А., Тале В. Г. Тале И.А., Таушканова Л. В. Энергетический спектр в люминофорах ZnS // Журн. прикл спектроск., 1981, т.34, № 2, с.253−259.
112. Берченко H.H., Кревс В. Е., Средин В. Г. Полупроводниковые твердые растворы иих применение. Справочные таблицы М.: Воениздат, 1982″ 208с.
113. Vlasenko N.A., Chumachkova М.М., Denisova Z.L. et all. On nature of centers responsible for inherent memory in ZnS: Mn thin-film electroluminescent devices. // J. Cryst. Growth. 2000, v.216, p.249−255.
114. Турин H.T., Сабитов О. Ю. Исследование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением // ЖТФ. 1999, т.69, № 5, с.65−73.
115. Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1970. 252с.
116. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю., Юденков A.B. Исследование кинетики тока в тонкопленочных электролюминесцентных структурах // Тез. лекц. и докл. 5 Всеросс. школы-семинара «Люминесценция и сопутствующие явления» Иркутск: 1999, с. 7.
117. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Отрицательное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка // Тр. Междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000 г., с.11−12.
118. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Вольт-фарадные характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур // Тр. Междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000 г., с.78−79.
119. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Вольт-зарядовые характеристики люминесцентного слоя тонкопленочных электролюминесцентных структур // Тр. Междунар. конф. «Оптика полупроводников». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000 г., с.80−81.
120. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Частотные зависимости характеристик тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS: Mn // Тр. Междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001 г., с. 44.
121. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // ЖТФ. 2001, т.71, № 3, с.72−75.
122. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка// ЖТФ, 2001, т.71, вып.8, с.48−58.
123. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю., Юденков A.B. Кинетика мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка// Письма в ЖТФ, 2001, т.27, вып.4, с. 12−18.
124. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Кинетика электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе сульфида цинка на ультранизких частотах //ЖТФ, 2002, т.72, вып.2, с.74−83.
125. Корн Г. Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука. 1974. 832с.
126. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Кинетика электролюминесценциитонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS: Mn //t.
127. Междунар. конф. по люминесценции, посвященная 110-летию со дня рождения академика С. И. Вавилова. Москва, 17−19 окт. 2001: Изд-во Москва, ФИАН, 2001 г., С. 241.
128. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS: Mn // Тр. Междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии «. Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2002 г., С. 85.
129. Турин Н. Т., Шляпин A.B., Сабитов О. Ю. Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка // Письма в ЖТФ, 2001, Т.27, вып.22, с.52−57.
130. Xian H., Benalloul P., Barthou С et all Excitation and Radiative efficiencies in ZnS: Mn thin film electroluminescent devices prepared by reactive radio-frequency magnetron sputtering // Jap. J. Apll. Phys. 1994, v.33, p.5801−5806.
131. De Visschere P., Neyts K., Corlatan D. Et all Analysis of the decay of ZnS: Mn electroluminescent thin films // J. Luminescence. 1995, v.65, p.211−219.
132. Гурин Н. Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Формирование вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS: Mn // Тр. Междунар. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2001 г., с. 60.
133. Гурин Н. Т., Шляпин А. В., Сабитов О. Ю. Изменение спектра электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе ZnS: Mn в зависимости от уровня возбуждения // Письма в ЖТФ, 2002, Т.28, вып. 15, с.24−32.
134. Буланый М. Ф., Полежаев Б. А., Прокофьев Т. А. О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка // ФТП, 1998, т.32, № 6, с.673−675.
135. Буланый М. Ф., Коваленко А. В. Полежаев Б.А. Марганцевые центры свечения в сульфиде цинка // Междунар. конф по люминесценции. Москва, 17−19 октября 2001 г. Тез. докл. Москва, ФИАН, 2001, с. 98.
136. Thong D.D., Goede О. Optical study of ZnS: Mn thin films with high Mn concentrations //Phys. Stat. Sol. (b), 1983, 120, p. K145-K148.
137. Krasnov A.N., Baycar R.C., Hofstra P.G. Threshold voltage trends in ZnS: Mn-based alternating-current thin-film electroluminescent devices: role of native defects // J. Crystal Growth, 1998, № 194, p.53−60.
138. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат, 1976; 1098с.