Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Диэлектрические и переполяризационные свойства тонких пленок титаната свинца

Диссертация: Диэлектрические и переполяризационные свойства тонких пленок титаната свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Однако, несмотря на значительное количество работ в этой области, задачу создания тонкопленочных сегнетоэлектрических структур, удовлетворяющих требованиям технологической совместимости, качества пленок и границ раздела, нельзя считать решенной. Еще предстоит решить вопросы, касающиеся их надежности, температурной и временной стабильности свойств. Кроме того, для успешной реализации… Читать ещё >

Диэлектрические и переполяризационные свойства тонких пленок титаната свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПЕРОВСКИТОВЫЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
    • 1. 1. Сегнетоэлектрическая керамика и тонкие пленки РЬТЮз
    • 1. 2. Характер сегнетоэлектричества в тонком слое
    • 1. 3. Существующие методы получения тонких пленок. Выбор метода
    • 1. 4. Применение тонких сегнетоэлектрических пленок
  • ГЛАВА 2. ОПТИМИЗАЦИЯ УСЛОВИЙ СИНТЕЗА ПЛЕНОК РВТЮ
    • 2. 1. Методика получения тонких пленок
    • 2. 2. Применяемые методы контроля фазового состава и структуры сегнетоэлектрических пленок
    • 2. 3. Оптимизация условий отжига
    • 2. 4. Соотношение свинца и титана в исходных компонентах
    • 2. 5. Выбор материала электродов
  • ГЛАВА 3. ПЕРЕПОЛЯРИЗАЦИЯ ТОНКИХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ТИТАНАТА СВИНЦА
    • 3. 1. Идентификация сегнетоэлектрических свойств и особенности их проявления в тонких слоях вакуумных конденсатов
    • 3. 2. Методика эксперимента
    • 3. 3. Диэлектрические измерения в слабых электрических полях
    • 3. 4. Переполяризация пленок РЬТЮз в сильных полях
    • 3. 5. Сравнение характеристик пленок РЬТЮз на различных подложках. Выбор материала подложки
    • 3. 6. Влияние структуры на проявляемые сегнетоэлектрические свойства пленок
  • ГЛАВА 4. КИНЕТИКА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ПОЛЯРИЗАЦИИ В
  • ИМПУЛЬСНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ
    • 4. 1. Проблема переполяризации. Существующие модельные представления
    • 4. 2. Методика эксперимента
    • 4. 3. Токи переключения в тонких пленках титаната свинца
    • 4. 4. Определение параметров доменной структуры

Актуальность темы

Сегодня на основе тонких сегнетоэлектрических пленок создается новое поколение приборов микроэлектроники, объем производства которых непрерывно растет. Так в 1992 году объем мирового рынка тонких сегнетоэлектрических пленок оценивался в 1 биллион долларов, в настоящий момент — ~ 100 биллионов, и к 2015 году по прогнозам US National Science Foundation достигнет 1 триллиона долларов. При этом наиболее активно развивающимся и перспективным представляется создание перепрограммируемых запоминающих устройств. Память — неотъемлемый элемент всех современных электронных приборов. Требования, предъявляемые к памяти для портативных устройств, общеизвестны. Это низкое энергопотребление, высокая скорость работы, большая емкость и энергонезависимость. Все указанные требования могут быть удовлетворены при использовании конденсаторных структур с пленками сегнетоэлектрических материалов, среди которых весьма перспективными представляются пленки титаната свинца, обнаруживающие высокие сегнетоэлектрические свойства в широком интервале температур.

Однако, несмотря на значительное количество работ в этой области, задачу создания тонкопленочных сегнетоэлектрических структур, удовлетворяющих требованиям технологической совместимости, качества пленок и границ раздела, нельзя считать решенной. Еще предстоит решить вопросы, касающиеся их надежности, температурной и временной стабильности свойств. Кроме того, для успешной реализации и использования сегнетоэлектрических ячеек памяти необходимо детальное изучение процессов переполяризации, выявление влияющих факторов, особенностей формирования и кинетики доменной структуры в тонких поликристаллических пленках.

Тема диссертационной работы поддержана грантами программ «Фундаментальные исследования и высшее образование» Минобрнауки РФ и.

Американского фонда гражданских исследований и развития, «Университеты России», РФФИ (№ 04−02−16 433), грантом РФФИ на участие молодых ученых в международных конференциях за рубежом (№ 04−02−26 533з).

Целью настоящей работы является оптимизация условий получения и исследование особенностей процессов переполяризации в тонких поликристаллических пленках титаната свинца. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

• отработка технологии получения пленок титаната свинца;

• исследование сегнетоэлектрических свойств синтезированных пленок в слабых и сильных электрических полях;

• выявление влияния структуры и материала подложки на электрофизические свойства тонких пленок титаната свинца;

• исследование процессов переполяризации в полученных конденсаторных структурах и установление особенностей механизмов переключения тонкопленочных сегнетоэлектриков.

Объект и методики исследования.

Объектом исследования являлись тонкие пленки титаната свинца толщиной 1 мкм на различных подложках. Фазовый состав и преимущественная ориентация кристаллитов в пленках контролировались методом рентгенофазового анализа на приборе ДРОН-ЗМ. Расшифровка полученных дифрактограмм выполнена с использованием базы данных Powder Diffraction File (PDF-2). Структурные параметры пленок титаната свинца выявлялись с помощью атомно-силовой и электронной микроскопии на приборах Femtoscan-001 -Online и Scanning Electron Microscope JEOL JSM-6380LV, соответственно. Диэлектрические измерения проводились по стандартным методикам на установках, модифицированных для работы с тонкими пленками. Для исследования импульсной переполяризации в рамках традиционной методики Мерца была сконструирована специальная установка, учитывающая особенности тонкопленочных образцов.

Научная новизна. Все основные результаты данной работы являются новыми. Последовательно исследовано влияние материала подложки на структуру и свойства синтезированных пленок. Получены экспериментальные данные по переключению тонких пленок титаната свинца в составе «сэндвич» структур: электрод-пленка-подложка. Отмечено усиление влияния внутренних смещающих полей на процессы переполяризации в тонкопленочных образцах в сравнении с объемными сегнетоэлектриками. Рассчитаны основные параметры, характеризующие структуру и подвижность доменных границ в тонких сегнетоэлектрических пленках.

Практическая ценность работы определяется возможностью использования полученных результатов для оптимизации технологии изготовления и улучшения основных рабочих характеристик устройств памяти на тонких сегнетоэлектрических пленках.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Оптимизация технологии синтеза тонких пленок титаната свинца методом магнетронного напыления, включающая определение отношения свинца и титана в исходных компонентах Pb/Ti = 1,25 и параметров режима температурного отжига — непрерывное повышение температуры до 700 °C в течение 1 часа с последующим плавным охлаждением.

2. Алюмооксидная керамика (поликор) является перспективным материалом подложки для создания тонкопленочных сегнетоэлектрических структур. Пленки титаната свинца на поликоре обладают однородной поликристаллической структурой со средним размером зерен 500-г750 нм, ярко выраженными сегнетоэлектрическими свойствами и в минимальной степени подвержены процессам старения и деградации.

3. Модельные представления о влиянии механических напряжений и деполяризующих полей, возникающих вблизи границ раздела сегнетоэлектрический материал — подложка и границ зерен, на свойства поликристаллических тонких пленок.

4. Основные параметры, характеризующие структуру и подвижность доменных границ в тонких пленках титаната свинца. Повышение роли внутреннего поля смещения в процессах переключения тонких пленок по сравнению с объемными образцами.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 10-ой Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Кэмбридж, Великобритания, 2003) — 11-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Бразилия /Аргентина, 2005) — 7-ой Европейской конференции по применению полярных диэлектриков (Либерец, Чехия, 2004) — 16-ом Международном Симпозиуме по интегрированным сегнетоэлектрикам (Гуаньджоу, Корея, 2004) — 4-ой Европейской рабочей школе по пьезоэлектрическим материалам (Монпелье, Франция, 2004) — XVII-ой Всероссийской конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005) — 4-м Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2003) — Международной научно-технической конференции «Полиматериалы-2003» (Москва, 2003) — XXI-ой Международной конференции по релаксационным явлениям в твердых телах (Воронеж, 2004) — Международной научно-технической конференции «Пленки-2005» (Москва, 2005).

Публикации и вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Воронежского госуниверситета в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором обоснован выбор метода и объекта исследования, получены все основные экспериментальные результаты, проведены анализ и интерпретация полученных данных. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Сидоркиным А. С. и к.ф.-м.н. доц. Нестеренко Л.П.

По теме диссертации опубликовано 22 работы, в том числе 8 статей в реферируемых изданиях и тезисы 14 докладов на международных и российских научно-технических конференциях, симпозиумах, семинарах.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, 2 приложений и списка литературы, включающего 107 наименований. Работа содержит 152 страницы машинописного текста, 59 рисунков, 7 таблиц.

Заключение

.

Исследования, проведенные в данной диссертационной работе, позволили сделать следующие выводы:

1. Синтез тонких пленок РЬТЮз двухстадийным методом, включающим магнетронное распыление свинца и титана в соотношении Pb/Ti=l, 25 в исходных компонентах и непрерывный отжиг в атмосфере кислорода при повышении температуры до 700 °C в течение 1 часа с последующим плавным охлаждением приводит к формированию поликристаллических слоев титаната свинца стехиометрического состава.

2. Пленки титаната свинца на поликоровой подложке, по сравнению с аналогичными пленками на подложках Si (VSi, Ti и Pt/SiCVSi, демонстрируют лучший фазовый состав, более однородную поликристаллическую структуру с большим средним размером зерен 500−7-750 нм, лучшую ориентационную конфигурацию кристаллитов и в меньшей степени подвержены процессам старения и деградации.

3. Различие свойств поликристаллического тонкопленочного материала по сравнению с объемными образцами обусловлено влиянием границ зерен и материала подложки из-за возникновения вблизи границ раздела несегнетоэлектрических слоев под влиянием деполяризующих полей и зависящих от температуры механических напряжений.

4. Полевые зависимости основных характеристик процесса переключения в тонких пленках качественно аналогичны процессам, наблюдаемым в объемных образцах: зародышеобразование и прорастание доменов в «слабых» и «средних» полях (Е < Ес — коэрцитивного поля), носящие активационный характер, и боковое движение доменных границ в «сильных» полях. Различие характеристик переключения для импульсов поля разной полярности обусловлены наличием в исследуемых пленках внутреннего смещающего поля. На основании полученных экспериментальных данных численно рассчитаны основные параметры доменных границ (ширина, энергия, эффективная масса, параметры критического зародыша, величина потенциального барьера в решеточном рельефе, подвижность доменных границ), характеризующие кинетику доменной структуры в тонких поликристаллических пленках титаната свинца.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Damjanovic D. Ferroelectric, dielectric and piezoelectric properties of ferroelectric thin films and ceramics / D. Damjanovic // Reports on Progress in Physics. 1998. — V. 61. — P. 1267−1324.
  2. Г. А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г. А. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайник, Р. Е. Пасынков, М. С. Шур. Ленинград: Наука, 1971. — 476 с.
  3. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане — перевод с англ. JT.A. Фейгина- под ред. JT.A. Шувалова. М.: Мир, 1965.- 555 с.
  4. М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс — перевод с англ. под ред. В. В. Леманова, Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981.-282 с.
  5. Nelmes R.J. The crystal structure of tetragonal РЬТЮз at room temperature and at 700K / R.J. Nelmes, W.F. Kuhs // Solid State Communications. 1985.- V. 54. P. 721−723.
  6. Power Diffraction File. U.S.A.: International Centre for Diffraction Data, 1977.
  7. .А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б. А. Струков, А. П. Леванюк. М.: Наука, 1995. — 304 с.
  8. В.П. Физика сегнетоэлектрических пленок / В. П. Дудкевич, Е. Т. Фесенко. Ростов: Изд-во Ростов, ун-та, 1979. — 192 с.
  9. Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е. Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. — 228 с.
  10. И.С. Основы сегнетоэлектричества / И. С. Желудев. М.: Атомиздат, 1973. — 472 с.
  11. А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А. С. Сонин, Б. А. Струков. М.: Высшая школа, 1970. — 272 с.
  12. Л.П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария / Л. П. Холоденко. Рига: Зинатне, 1972. — 227 с.
  13. Дж. Полярные диэлектрики и их применения / Дж. Барфут, Дж. Тейлор — перевод с англ. под ред. Л. А. Шувалова. М.: Мир, 1981. — 526 с.
  14. Stemmer S. Atomistic structure of 90° domain walls in ferroelectric РЬТЮз thin films / S. Stemmer, S.K. Streiffer, F. Ernst, M. Ruble // Philosophical Magazine A. 1995. — V. 71. — P. 713−724.
  15. Yang J.-K. Effect of grain size of Pb (Zr0.4Tio.6)03 sol-gel derived thin films on the ferroelectric properties / J.-K. Yang, W.S. Kim, H.-H. Park //Applied Surface Science. 2001. — V. 169−170. — P. 544−548.
  16. O.T. Корреляционные эффекты в сегнетоэлектрическом тонкопленочном конденсаторе / О. Т. Вендик, С. П. Зубко, Л.Т. Тер-Мартиросян // Физика твёрдого тела. 1996. — Т. 38, № 12. — С. 36 543 665.
  17. В.Л. Разрушение дальнего порядка в одномерных и двумерных системах с непрерывной группой симметрии / В.Л.
  18. Березинский // Журнал экспериментальной и теоретической физики.1970. Т. 59, вып. 3 (9). — С. 907−910.
  19. В.В. Механизм динамической поляризации сегнетоэлектриков типа ВаТЮз в области фазовых переходов / В. В. Демьянов, С. П. Соловьев // Известия АН СССР. Сер. Физическая. 1969. — Т. 33, № 2. -С. 235−245.
  20. Ю.Я. Пленочные сегнетоэлектрики / Ю. Я. Томашпольский. М.: Радио и связь, 1984. — 192 с.
  21. Slack J.R. Electrical properties of flash evaporated ferroelectric ВаТЮз thin films / J.R. Slack, J.C. Burfoot // Journal of Physics C: Solid State Physics.1971.-V. 4.-P. 898−909.
  22. Tagantsev A.K. Mechanisms of polarization switching in ferroelectric thin films / A.K. Tagantsev // Ferroelectrics. 1996. — V. 184, N. l-4. — P. 399./79-[407J/77.
  23. Tagantsev A.K. Identification of passive layer in ferroelectric thin films / A.K. Tagantsev, M. Landivar, E. Colla, N. Setter // Journal of Applied Physics. -1995. V. 78, № 4. — P. 2623−2630.
  24. B.M. Сегнетоэлектрики-полупроводники / B.M. Фридкин. M.: Наука, 1976.-408 с.
  25. Mehta R.R. Depolarization fields in thin ferroelectric films / R.R. Mehta, B.D. Silverman, J.T. Jacobs // Journal of Applied Physics. 1973. — V. 44, № 8. — P. 3379−3385.
  26. .В. Поверхностные уровни сегнетоэлектрических кристаллов / Б. В. Селюк // Кристаллография. 1974. — Т. 19, № 2. — С. 221−226.
  27. Foster С. Materials research: Can’t be too thin / C. Foster // Newspaper of the• US Department of Energy «DOE Pulse». 2004. — June 28. — № 161. — P. 1.
  28. Waser R. Dielectric analysis of integrated ceramic thin film capacitors / R. Waser // Integrated Ferroelectrics. 1997. — V. 15. — P. 39−43.
  29. Tomashpolski Y.Y. Ferroelectric vacuum deposits of complex oxide type structure / Y.Y. Tomashpolski, M.A. Sevostianov, M.V. Pentegova, L.A. Srokina, Y.N. Venevtsev // Ferroelectrics. 1974. — V. 7, № 1−4. — P. 257−258.
  30. B.H. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода ф в тонких плёнках / В. Н. Децик, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин и др. //
  31. Физика твёрдого тела. 1997. — Т. 39, № 1. — С. 121−126.
  32. Xu Y. Ferroelectric thin films prepared by sol-gel processing / Y. Xu, J.D. Mackenzie // Integrated Ferroelectrics. 1992. — V. 1, № 1. — P. 17−42.
  33. Tandon R.P. Fabrication and characterization of copper contain lead titanate films prepared by sol-gel method / R.P. Tandon, V. Raman, K. Alay Arora, V.K. Hans // Ferroelectrics. 1994. — V. 152. — P. 449−504.
  34. R.W. РЬТЮз films from metallo-organic precursors / R.W. Vest, J. Xu //• The 6-th IEEE International Symposium on Application of Ferroelectrics: abstracts, Bethlehem, USA, June, 1986. P. 374−380.
  35. Sheppard L.M. Advances in processing of ferroelectric thin films / L.M. Sheppard // Ceramic Bulletin. 1992. — V. 71, № 1. — P. 85−95.
  36. П.А. Получение сегнетоэлектрических пленок ВаТЮз и РЬТЮз ® модифицированным золь-гель методом / П. А. Щеглов, С. А. Меньших,
  37. Л.Ф. Рыбакова, Ю. Я. Томашпольский // Неорганические материалы. -2000.-Т. 36,№ 4.-С. 470−475.
  38. Meng X.J. Highly oriented PbZro.3Tio.7O3 thin film on LaNi03-coated Si substrate derived from a chemical solution technique / X J. Meng, Z.X. Ma, J.L. Sun, L.X. Bo, HJ. Ye, S.L. Guo, J.H. Chu // Thin Solid Films. 2000. -№ 372.-P. 271−275.
  39. Meng X.J. Dependence of texture development on thickness of single-annealed-layer in sol-gel derived PZT thin films / X.J. Meng, J.G. Cheng, J.L. Sun, J. Tan, H.J. Ye, J.H. Chu // Thin Solid Films. 2000. — № 368. — P. 2225.
  40. Н.Я. Оксидные материалы на основе алкоголятов металлов / Н. Я. Турова, М. И. Яновская // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1983. — Т. 19, № 5. — С. 693−706.
  41. Swartz S.L. Static and dynamic properties of ferroelectric thin film memories / S.L. Swartz, U.E. Wood // Condensed Matter News. 1992. — V. 1, № 5. — P. 4−11.
  42. Kostsov E.G. Ferroelectric films: peculiarities in their application to construction of new generations of memory devices / E.G. Kostsov // Ferroelectrics. 1995. — V. 167. — P. 169−176.
  43. И.Л. Тонкие сегнетоэлектрические пленки компоненты элементов динамической памяти / И. Л. Багинский, Э. Г. Косцов // Микроэлектроника. — 1997. — Т. 26, № 4. — С. 278−286.
  44. А.С. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, О. Б. Яценко // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42, вып. 4. — С. 727−732.
  45. М. Выращивание текстурированных тонких пленок РЬТЮз на подложке Si02/Si / М. Окуяма, А. Фуйисава, Н. Исака, И. Хамакава // Автометрия. 1991. — № 4. — С. 91−97.
  46. В.И. Синтез пленок РЬТЮз раздельным испарением металлов / В. И. Николаев, О. Ю. Ваганова // Неорганические материалы. 1997. — Т. 33, № 5. — С. 858−859.
  47. IMS Associates Program Newsletter. CT: University of Connecticut, Institute of Materials Science. — 2004. — V. 8, № 1. — P. 3.
  48. С.А. Введение в физику неупорядоченных полярных диэлектриков : учеб. пособие /С.А. Гриднев, Л. Н. Короткое. Воронеж: Изд-во Воронеж, гос. техн. ун-та, 2003. — 197 с.
  49. А.С. Сегнетоэлектрические тонкие пленки в микроэлектронике / А. С. Сигов // Соросовский образовательный журнал. 1996. — № 10. — С. 83−91.
  50. М. Тонкие сегнетоэлектрические пленки РЬТЮз и ЦТСЛ и их применение / М. Окуяма, И. Хамакава // Автометрия. 1986. — № 2. — С. 17−30.
  51. Safari A. Ferroelectric ceramics: processing, properties & applications / A. Safari, R.K. Panda, V.F. Janas // Condensed Matter News. 1993. — V. 1, № 4. — P. 2−10.
  52. С.А. Физика пьезоэлектрических кристаллов : учеб. пособие / С. А. Гриднев. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2001. — 122 с.
  53. Kim К. Future Emerging New Memory Technologies / К. Kim, S.Y. Lee // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V. 64. — P. 3−14.
  54. Takasu H. The ferroelectric memory and its applications / H. Takasu // Journal of Electroceramics. 2000. — V. 4, № 2/3. — P. 327−338.
  55. .М. Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин //Журнал технической физики. 1999. — Т. 69, № 5. — С. 89−92.
  56. A.M. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами / A.M. Ховив, А. С. Сидоркин, О. Б. Яценко // Неорганические материалы. 1998. — Т. 34, № 4. — С. 462−463.
  57. В.Е. Нанесение пленок в вакууме / В. Е. Минайчев. М.: Высшая школа, 1989. — 110 с.
  58. A.M. Нетермическое влияние лазерного излучения ближнего и среднего Ж диапазонов на оксидирование кремния / A.M. Ховив, И. Я. Миттова, С. И. Дубов // Журнал технической физики. 1996. — Т. 66, № 7. -С. 151−155.
  59. Palkar V.R. Ferroelectric thin films of PbTi03 on silicon / V.R. Palkar, S.C. Purandare, R. Pinto // Journal of Physics D: Applied Physics. 1999. — V. 32. -P. R1-R18.
  60. Sidorkin A.S. Synthesis and study of dielectric properties of РЬТЮз thin films / A.S. Sidorkin, L.P. Nesterenko, I.A. Bocharova, V.A. Sidorkin, G.L. Smirnov // Ferroelectrics. 2003. — V. 286. — P. 335−342.
  61. А.С. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, A.M.
  62. , О.Б. Яценко, В.А. Логачева // Физика твердого тела. 2002. — Т. 44,№ 4.-С. 745−749.
  63. Е.К. Качественный рентгенофазовый анализ / Е. К. Васильев, М. М. Нахмансон. Новосибирск: Наука, 1986. — 196 с.
  64. И.Н. Расшифровка рентгенограмм порошков / И. Н. Недома. М.: Металлургия, 1975. — 424 с.
  65. Порай-Кошиц М. А. Основы структурного анализа химических соединений: учеб. пособие / М.А. Порай-Кошиц. М.: Высшая школа, 1989.-192 с.
  66. Л.Н. Электрические и диэлектрические свойства аморфного титаната свинца / Л. Н. Короткое, С. А. Гриднев, С. А. Константинов, И. В. Бабкина, Ю. В. Бармин // Известия РАН. Сер. Физическая. 2001. — Т. 65, № 8.-С. 1138−1142.
  67. Lee S.W. Ferroelectric anomaly in the differential thermal analysis of РЬТЮз glass / S.W. Lee, K.B. Shim, K.H. Auh, P. Knott // Materials Letters. 1999. -V. 38.-P. 356−359.
  68. А.С. Диэлектрические свойства тонких пленок РЬТЮз / А. С. Сидоркин, А. М. Солодуха, Л. П. Нестеренко, С. В. Рябцев, И. А. Бочарова, Г. Л. Смирнов // Физика твердого тела. 2004. — Т. 46, № 10. — С. 18 411 844.
  69. А.С. Влияние условий синтеза на электрофизические свойства тонких пленок титаната свинца / А. С. Сидоркин, Л. П. Нестеренко, И.А.
  70. , Г. Л. Смирнов, С.В. Рябцев // Межфазная релаксация в полиматериалах: сб. науч. тр.: материалы международной научно-технической конференции, Москва, 25−29 нояб. 2003 г. М., 2003. — Ч. 2.-С. 113−116.
  71. Smith S.R.P. Polarization switching in layered ferroelectric structure / S.R.P. Smith // Journal of Physics: Condensed Matter. 1998. — V. 10. — P. 91 419 154.
  72. А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А. С. Сидоркин. М.: Физматлит, 2000. — 240 с.
  73. С.А. Влияние динамики доменных границ на диэлектрическую проницаемость сегнетоэлектриков в окрестности точки Кюри / С. А. Гриднев, Б. М. Даринский, В. Н. Федосов // Физика и химия обработки материалов. 1979. — № 1. — С. 117−120.
  74. .М. Концентрация электрических полей в полидоменном сегнетоэлектрике / Б. М. Даринский, А. С. Сидоркин // Физика твердого тела. 1984. — Т. 26, № 6. — С. 1634−1639.
  75. Surowiak Z. Electronic system for investigation of the electrical hysteresis of ferroelectric thin films with high dielectric losses / Z. Surowiak, J. Brodacki, H. Zajosz // Review of Scientific Instruments. 1978. — V. 49, № 9. — P. 13 511 354.
  76. Л.А. Аномалия диэлектрических свойств титаната свинца, обусловленная точечными дефектами / Л. А. Барабанова, В.Г.
  77. , Е.С. Цихоцкий, Е.Г. Фесенко, М. Ф. Куприянов // Неорганические материалы. -1979. Т. 15, № 190. — С. 1612−1614.
  78. Lee K.-W. Physical modeling of the effect of the asymmetric electrode ® configuration on the hysteresis curves of ferroelectric film capacitors / K.-W.1.e, Y.-I. Kim, W.-J. Lee // Ferroelectrics. 2002. — V. 271. — P. 179−185.
  79. Таблицы физических величин: справочник. / под ред. акад. И. К. Кикоин. М.: Атомиздат, 1976. — 1008 с.
  80. Stemmer S. Domain configurations in ferroelectric РЬТЮз thin films: The influence of substrate and film thickness / S. Stemmer, S.K. Streiffer, F. Ernst, M. Ruhle, W.-Y. Hsu, R. Ray // Solid State Ionics. 1995. — V. 75. — P. 43−48.
  81. Lee K. Domain engineering of epitaxial PbTi03 thin films by the control ofmisfit strain / K. Lee, Y. K. Kim, S. Baik // Integrated Ferroelectrics. 2004. -V. 68.-P. 237−245.
  82. Xianran X. Novel thermal expansion of lead titanate / X. Xianran, D. Jinxia, Ch. Jun, L. Guirong // Rare Metals. 2003. — V. 22, № 4. — P. 1−4.
  83. Vendik O.G. Modeling the influence of size effect on dielectric response of thin ferroelectric films / O.G. Vendik, S.P. Zubko // Mater. Phys. Mech. -2000.-V. l.-P. 1−7.
  84. Ouyang K.-Q. Simulation on the hysteresis of ferroelectric thin films / K.-Q. Ouyang, T.-L. Ren, L.-T. Liu, D. Wei // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V. 64.-P. 69−75.
  85. Jiang B. Phenomenological theory of size effects in ultrafine ferroelectric particles of lead titanate / B. Jiang, L.A. Bursill // Physical Review B. 1999. -V. 60,№ 14.-P. 9978−9982.
  86. Koukhar V.G. Thermodynamic theory of epitaxial ferroelectric thin films with dense domain structures / V.G. Koukhar, N.A. Pertsev, R. Waser // Physical Review B. 2001. — V. 64, № 214 103. — P. 1−15.
  87. Hong J. Dependence of ferroelectricity on film thickness in nano-scale Pb (Zr, Ti)03 thin films / J. Hong, H.W. Song, J. Choi, S.K. Kim, Y. Kim, K. No // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V. 68. — P. 157−167.
  88. Maiwa H. Crystalline structure of PbTi03 thin films by multiple cathode sputtering / H. Maiwa, N. Ichinose, K. Okazaki // Japanese Journal of Applied Physics. 1992. — V. 31. — P. 3029−3032.
  89. И.П. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов, Т. А. Шаплыгина, В. П. Афанасьев, А. В. Панкрашин // Физика твердого тела. 2002. — Т. 44, № 4. — Р. 739−744.
  90. Okamura S. Influence of frozen a-domains on hysteresis properties of ferroelectric thin-film capacitors / S. Okamura, T. Shiosaki // Integrated Ferroelectrics. 2004. — V. 67. — P. 133−141.
  91. JI.H. Импульсная переполяризация в дефектных кристаллах триглицинсульфата / JI.H. Камышева, О. А. Косарева, С. Н. Дрождин, О. М. Голицина // Кристаллография. 1995. — Т. 40, № 1. — С. 93−96.
  92. Kukushkin S.A. Theory of the switching in ferroelectrics / S.A. Kukushkin, A.V. Osipov // Ferroelectrics. 2002. — V. 280. — P. 3−33.
  93. Drougard M.E. Detailed study of switching current in barium titanate / M.E. Drougard // Journal of Applied Physics. 1960. — V. 31, № 2. — P. 352−355.
  94. Miller R.C. Mechanism for the sidewise motion of 180-degree domain walls in barium titanate / R.C. Miller, G. Weinreich // Physical Review. 1960. — V. 117,№ 6.-P. 1460−1466.
  95. Hayashi M. Kinetics of domain wall motion in ferroelectric switching. I. General formulation / M. Hayashi // Journal of the Physical Society of Japan. -1972.-V. 33, № 3.-P. 616−628.
  96. ЮО.Мейланов Р. П. Фрактальная модель кинетики переключения поляризации в сегнетоэлектриках / Р. П. Мейланов, С. А. Садыков // Журнал технической физики. 1999. — Т. 69, № 5. — С. 128−129.
  97. В.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов / В. В. Колесников, А. Т. Козаков, А. В. Никольский // Физика твердого тела. 2000. — Т. 42, № 1. — С. 141−146.
  98. Huo Y. Modeling of domain switchin in polycrystalline ferroelectric ceramics / Y. Huo, Q. Jiang //Smart Materials and Structures. 1997. — V. 6. — P. 441 447.
  99. А.Г. Физика сегнетоэлектрических явлений / А. Г. Смоленский, В. А. Боков, В. А. Исупов, Н. Н. Крайник, Р. Е. Пасынков, А. И. Соколов, Н. К. Юшин. JI.: Наука, 1985. — 396 с.
  100. В.М. Процессы переключения нелинейных кристаллов / В. М. Рудяк. М.: Наука, 1986. — 253 с.
  101. Ю5.Гутер Р. С. Программирование и вычислительная математика / Р. С. Гутер, П. Т. Резниковский // Изд-во «Наука». 1971. — вып. 2. — С. 178 184.
  102. А.С. Импульсная переполяризация в тонких сегнетоэлектрических пленках титаната свинца / А. С. Сидоркин, Л. П. Нестеренко, С. В. Рябцев, И. А Бочарова, Г. Л. Смирнов // Известия РАН. Сер. Физическая. 2004. — Т. 68, № 7. — С. 994−996.
  103. Sidorkin A.S. Switching current in thin ferroelectric lead titanate films / A.S. Sidorkin, L.P.Nesterenko, I.A. Bocharova, G.L.Smirnov, V.A.Sidorkin, S.V.Ryabtsev // Journal of Physique IV France. 2005. — V. 126. — P. 81−84.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!