Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором

Диссертация: Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В настоящее время оптическая технология приема-передачи информации прочно заняла ведущие позиции в мире телекоммуникаций и является одной из самых быстро развивающихся областей науки и техники. Одним из ключевых элементов таких систем являются поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикального микрорезонатора (ПИЛВМ). В отличие от традиционных полосковых лазеров, конструкция ПИЛВМ… Читать ещё >

Динамические характеристики новых типов поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Список сокращений
  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Передача цифрового сигнала
    • 1. 2. Стандарты волоконно-оптической связи
    • 1. 3. Источники излучения в волоконно-оптической связи
    • 1. 4. Методы повышения быстродействия ПИЛВМ
  • Глава 2. Антиволноводная конструкция поверхностно-излучающего лазера с вертикальным микрорезонатором
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Результаты теоретических исследований А-ПИЛВМ
    • 2. 3. Особенности практической реализации ПИЛВМ антиволноводной конструкции с оксидной апертурой диапазона 980 нм
  • Глава 3. Поверхностно-излучающий лазер с вертикальным микрорезонатором с активной средой на основе субмонослойных внедрений In As
    • 3. 1. Структурные и оптические исследования слоев с CMC InAs внедрениями
    • 3. 2. Исследования ПИЛВМ на основе CMC InAs внедрений в непрерывном режиме
    • 3. 3. Высокочастотные исследования ПИЛВМ на основе InAs внедрений
  • Глава 4. Поверхностно-излучающий лазер с вертикальным микрорезонатором и монолитно-интегрированным электро-оптическим модулятором
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Исследования ЭОМ-ПИЛВМ в непрерывном режиме
    • 4. 3. Высокочастотные исследования ЭОМ-ПИЛВМ

Если бы авиапромышленность в последние 25 лет развивалась столь же стремительно, как промышленность средств вычислительной техники, то сейчас самолёт Boeing 767стоил бы 500 долл. и совершал облёт земного шара за 20 минут, затрачивая при этом пять галлонов (-18,9 л) топлива. Приведенные цифры весьма точно отражают снижение стоимости, рост быстродействия и повышение экономичности ЭВМ". 1].

В настоящее время оптическая технология приема-передачи информации прочно заняла ведущие позиции в мире телекоммуникаций и является одной из самых быстро развивающихся областей науки и техники. Одним из ключевых элементов таких систем являются поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикального микрорезонатора (ПИЛВМ). В отличие от традиционных полосковых лазеров, конструкция ПИЛВМ обеспечивает вывод излучения в вертикальном направлении, перпендикулярном плоскости полупроводниковой подложки, с существенно более узкой и симметричной диаграммой направленности [2]. К другим важным достоинствам ПИЛВМ относятся относительно высокая температурная стабильность, более высокое быстродействие, низкие пороговые токи вследствие малого объема резонатора и экономичная групповая/планарная технология изготовления приборов. Как результат, поверхностно-излучающие лазерные диоды находят применение не только в цифровых оптических системах связи, но и в устройствах ввода-вывода на оптических принципах (компьютерные «мыши» и др. манипуляторы), а также в датчиках и сенсорах различного типа [3].

Стремительно растущее с каждым годом количество пользователей компьютеров и глобальной информационной сети Internet накладывает новые требования к принципам и характеристикам функционирования ПИЛВМ. Так, необходимо повышать быстродействие лазеров в режиме прямой модуляции в 4 раза каждые 5 лет, что представляет собой огромную проблему. В самом деле, скорость передачи данных в режиме прямой токовой модуляции определяется шириной полосы модуляции лазера. В свою очередь, ширина полосы модуляции лазера ограничена, с одной стороны, эффектами насыщения усиления, которые препятствуют ускорению релаксационных эффектов с увеличением плотности мощности в резонаторе. С другой стороны, большая плотность мощности, необходимая для достижения высокой частоты релаксационных колебаний, приводит к перегреву, уменьшающему максимальное усиление. Кроме того, заметно ухудшаются спектральные характеристики (растёт ширина спектра излучения и сдвиг линии генерации с током, «чирп») и пространственное качество излучения [3]. Более того, большая часть излучения уходит в волноводные моды, приводя к возникновению режима само-пульсации (self-pulsation), увеличению оптических потерь в непрокачиваемых областях лазера и дополнительному падению максимального усиления активной среды [4], и, в конечном счете, к деградации динамических характеристик лазеров. Таким образом, повышение быстродействия ПИЛВМ может быть достигнуто путем увеличения дифференциального усиления активной области, а также использования лазерных резонаторов, свободных от существующих недостатков. В связи с этим данная диссертационная работа, направленная как на совершенствование традиционных ПИЛВМ путем использования новых типов наноструктур для активной области, а также конструкций резонатора, позволяющих подавить паразитные волноводные моды, так и на исследование вертикально излучающих приборов принципиально новых конструкций (ПИЛВМ с монолитным электрооптическим модулятором) представляется весьма актуальной.

Основная цель работы заключалась в теоретическом и экспериментальном исследовании новых типов быстродействующих ПИЛВМ в системе материалов Ga (In, Al) As диапазона излучения 850/980 нм, поиске путей оптимизации их активной области и конструкции с целью повышения эффективности и быстродействия.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Впервые теоретически исследованы процессы спонтанного излучения в различных типах ПИЛВМ и обнаружен эффект увеличения скорости спонтанного излучения в вертикальном направлении в антиволноводной конструкции поверхностно-излучающих лазеров, основанной на использовании вертикального микрорезонатора с показателем преломления меньшим, чем эффективный показатель преломления распределенных брегговских отражателей;

2. Впервые исследованы структурные и оптические свойства наногетероструктур на основе InAs нановнедрений, сформированных в GaAs/AlGaAs квантовой яме путем осаждения InAs с эффективной толщиной меньше критической (1.6 монослоя), и продемонстрирована перспективность их применения в качестве активной области для быстродействующих (>40 Гб/с) ПИЛВМ оптического диапазона 850 нм;

3. Впервые экспериментально исследованы динамические характеристики нового оптоэлектронного прибора — ПИЛВМ с интегрированным электро-оптическим модулятором и продемонстрирована температурная независимость эффективности модуляции;

4. Впервые показана принципиальная возможность передачи данных с помощью ПИЛВМ с интегрированным электро-оптическим модулятором на скоростях более 10 Гб/с.

Практическая значимость результатов:

1. Использование субмонослойных внедрений 1пАб в качестве активной области, а также конструкций, основанных на принципе подавлении паразитных мод (антиволноводный дизайн) перспективно для повышения эффективности и быстродействия ПИЛВМ диапазона 850/980 нм. Такие приборы могут найти широкое применение в сетях хранения данных и локальных вычислительных сетях (СХД/ЛВС), а также при межчиповой передаче данных в суперкомпьютерах;

2. ПИЛВМ с интегрированным электро-оптическим модулятором представляет собой новый тип миниатюрного оптического источника для передачи информации. Благодаря использованию непрямой модуляции излучения данные приборы лишены некоторых ограничений в быстродействии и условиях работы, характерных для обычных ПИЛВМ, и могут совершить прорыв в оптоволоконных коммуникациях, предоставив возможность передачи информации со скоростью до 100 Гб/с на один канал.

Научные положения, выносимые на защиту.

Положение 1. В антиволноводной конструкции поверхностно-излучающих лазеров, основанной на использовании вертикального микрорезонатора с показателем преломления меньшим, чем эффективный показатель преломления распределенных бреггавских отражателей, излучение в волноводные моды, распространяющиеся в горизонтальном направлении, подавлено, а скорость спонтанной излучательной рекомбинации в вертикальном направлении возрастает по сравнению с поверхностно-излучающими лазерами на основе вертикального микрорезонатора традиционной конструкции;

Положение 2. В поверхностно-излучающих лазерах антиволноводной конструкции использование вертикального микрорезонатора на основе AlGaAs с содержанием алюминия более 80% позволяет увеличить толщину оксидной апертуры и повысить частоту отсечки паразитной RC цепочки, образованной элементами конструкции;

Положение 3. Использование InAs нановнедрений, сформированных в GaAs/AlGaAs квантовой яме путем осаждения InAs с эффективной толщиной меньше критической (1.6 монослоя), в качестве активной области поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным микрорезонатором позволяет реализовывать длину волны генерации в диапазоне 850 нм, а также достигать малых значений К-факгора (0.33−0.38 не);

Положение 4. Модуляция излучения поверхностно-излучающего лазера с вертикальным микрорезонатором с помощью монолитного электрооптического модулятора, сформированного в верхнем распределенном брегговском отражателе и осуществляющего сдвиг его стоп-зоны под действием прикладываемого электрического поля, позволяет реализовать сверхскоростную передачу данных скоростью более 10 Гб/с. Эффективность модуляции такого прибора температурно независима;

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. S.A. Blokhin, A.V. Sakharov, A.M. Nadtochy, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, E. Stock, T. Warming, D. Bimberg, «The impact of thermal effects on emission characteristics of asymmetrical AlGaO-waveguide microdisks based on quantum dots», Appl. Phys. Lett., 91,121 108, pp.121 108−1-121 108−3, 2007;

2. A.M. Надточий, C. A, Блохин, A.B. Сахаров, M.M. Кулагина, Ю. М. Задиранов, Н. Ю. Гордеев, М. В. Максимов, В. М. Устинов,.

H.Н. Леденцов, Е. Шток, Т. Варминг, Д. Бимберг, «Влияние уровня возбуждения на оптические свойства микродиска GaAs-AlGaO с активной областью на основе квантовых точек InAs», ФТП, 42, (10), 12 521 257,2008;

3. A.M. Mintairov, Y. Chu, Y. He, S. Blokhin, A. Nadtochy, M. Maximov, V. Tokranov, S. Oktyabrsky and J.L. Merz, «High-spatial-resolution near-field photoluminescence and imaging of whispering-gallery modes in semiconductor mikrodisks with embedded quantum dots», Phys. Rev. B, 77, 195 322−1-195 322−7,2008;

4. N.N. Ledentsov, J.A. Lott, V.A. Schukin, H. Quast, F. Hopfer, G. Fiol, A. Mutig, P. Moser, T. Germann, A. Strittmatter, L.A. Karachinsky, S.A. Blokhin,.

I.I. Novikov, A.M. Nadtochi, N.D. Zakharov, P. Werner and D. Bimberg «Quantum dot insertions in VCSELs from 840 to 1300 nm: growth, characterization and device performance», proc of SPIE, vol. 7224 72240P-1, 2009;

5. A. Mutig, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, G. Fiol, J.A. Lott, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov and D. Bimberg, «Frequency response of large aperture oxide-confined 850 nm vertical cavity surface emitting lasers», Appl. Phys. Lett. 95,131 101,2009;

6. N.N. Ledentsov, J.A. Lott, V.A. Shchukin, D. Bimberg, A. Mutig, T.D.

Germann, J.-R. Kropp, L.Ya. Karachinsky, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, «Optical components for very short reach applications at 40 G/s and beyond», Proc. of SPIE, vol. 7597, 75971F-1,2010;

7. A. Mutig, S.A. Blokhin, A.M. Nadtochiy, G. Fiol, J.A. Lott, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov and D. Bimberg, «High-speed 850 nm oxide-confined VCSELs for DATACOM applications», Proc. of SPIE, vol. 7615 76150N-1, 2010;

8. А. М. Надточий, С. А. Блохин, А. Мутиг, Дж. Лотт, Н. Н. Леденцов, Л. Я. Карачинский, М. В. Максимов, В. М. Устинов, Д. Бимберг, «Быстродействие вертикально излучающих AlGaAs лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs», ФТП, 45, 688 (2011);

9. T.D. Germann, A. Strittmatter, A. Mutig, А.М. Nadtochiy, J.A. Lott, S.A. Blokhin, L. Ya. Karachinsky, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, U.W. Pohl and D. Bimberg, «Monolithic electro-optically modulated vertical cavity surface emetting laser with 10 Gb/s open-eye operation», Phys. Status Solidi C, 7 (10), 2552−2554,2010;

10.H.B. Крыжановская, С. А. Блохин, M.B. Максимов, A.M. Надточий, А. Е. Жуков, К. В. Федорова, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Н. Д. Ильинская, Д. Бимберг, «Влияние параметров AlGaAs/(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек», ФТП 45(7), сс. 992, 2011;

U.S.A. Blokhin, J.A. Lott, G. Fiol, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A. Mutig, A.M. Nadtochiy, L. Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, V.A. Schukin and D. Bimberg «High-speed (-40 Gbit/s) oxide-confined 850 nm VCSELs», Proc. 17nth Int. Symp. «Nanostructures and Technology», 2009;

12.A.M. Надточий, C.A. Блохин, Л. Я Карачинский, И. И. Новиков, М. В. Максимов, Н. Н. Леденцов, «Вертикально излучающий лазер на основе субмонослойных наноразмерных влючений InAs/AlGaAs диапазона.

850 нм для высокоскоростной (20 Гб/с) передачи данных", Конференция (школа-семинар) по физике и астрономии для молодых ученых Санкт-Петербурга и северо-запада, Санкт-Петербург, 29−30 октября, 2009;

13.С. А. Блохин, A.M. Надточий, М. В. Максимов, И. И. Новиков, А. Мутиг, Г. Фиол, Д. Бимберг, Д. А. Лотт, В. А. Щукин, Н. Н. Леденцов, «Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм со скоростью передачи данных до 40 Гб/с для новых поколений линий оптической связи», «Rusnanotech'09, международный форум по нанотехнологиям», Москва, 6−8 октября, 2009;

14.D. Bimberg, S.A. Blokhin, A. Mutig, A.M. Nadtochiy, G. Fiol, P. Mosser, D. Arsenijevic, F. Hopfer, V.A. Shchukin, J.A. Lott and N.N. Ledentsov, «Nano-VCSELs for the terabus», 17th Int. Symp., «Nanostructures: Physics and Technology», Minsk, Belarus, June 22−26,2009;

15.S.A. Blokhin, J.A. Lott, G. Fiol, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, A. Mutig, A.M. Nadtochiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, V.A. Shchukin, and D. Bimberg, «High-speed (-40 Gbit/s) oxide-confined 850 nm VCSELs», 17th Int. Symp., «Nanostructures: Physics and Technology», Minsk, Belarus, June 22−26,2009;

16.Л. Я. Карачинский, C.A. Блохин, Д. А. Лотт, М. В. Максимов, А. Мутиг, А. М. Надточий, И. И. Новиков, В. А. Щукин, Д. Бимберг, Н. Н. Леденцов, «Вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 850 нм/с со скоростью передачи данных 39 Гбит/с», «Полупроводники-09» 9а Российская конференция по физике полупроводников, Новосибирск-Томск, 28 сентября-3 октября, 2009.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С. А., Кириллов В. В., Приблуда А. А., Введение в микроЭВМ // JI.: Машиностроение, Ленингр. Отд-ние, 1988
  2. Haruhisa Soda, Ken-ichi Iga, Chiyuki Kitahara, Yasuharu Suematsu, GalnAsP/InP Surface Emitting Injection Lasers // Japanese Journal of Applied Physics, 18, 23 292 330,1979
  3. Wilmsen, C.W., Temkin, H., Coldren, L.A., Vertical-cavity surface-emitting lasers: design, fabrication, characterization, and applications // Cambridge University Press, 1999
  4. J. W. Goodman, Statistical Optics // John Wiley and Sons, 1985
  5. L. Reekie and I.M. Jauncey and S.B. Poole and D.N. Payne, Diode-laser-pumped operation of an Er^-doped single-mode fibre laser // Electronics Letters, 23, 10 761 078, 1987
  6. Fumio Koyama, VCSELs: their 30 years history and new challenges // Optoelectronic Materials and Devices III, 7135, 71350J, 200 812. http://www.photonics.com/Article.aspx?AID=16 896
  7. L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits//Wiley, 1995
  8. Ashish T, on, Chao-Kun Lin, Kostadin Djordjev, Scott Corzine, Michael Tan, High-speed 2D VCSEL arrays at 990nm for short reach interconnects // Vertical
  9. Cavity Surface-Emitting Lasers IX, 5737,1−7, 2005
  10. S. W. Corzine, R. H. Yan, L. A. Coldren, Theoretical gain in strained InGaAs/AlGaAs quantum wells including valence-band mixing effects // Applied Physics Letters, 57,2835−2837,1990
  11. Fumio Koyama, Recent progress of vertical-cavity surface emitting lasers: wavelength engineering and new functions // Active and Passive Optical Components for WDM Communications IV, 5595, 194−205,2004
  12. E. Soderberg, P. Modh, J.S. Gustavsson, A. Larsson, Z.Z. Zhang, J. Berggren, M. Hammar, High speed, high temperature operation of 1.28-pm singlemode InGaAs VCSELs // Electronics Letters, 42, 978−979,2006
  13. P. Westbergh, J.S. Gustavsson, A. Haglund, H. Sunnerud, A. Larsson, Large aperture 850-nm VCSELs operating at bit rates up to 25 Gbit/s // Electronics Letters, 44,907−908,2008
  14. A. Larsson, Petter Westbergh, Johan Gustavsson, A. Haglund, High-speed low-current-density 850 nm VCSELs // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIV, 7615, 761 505, 2010
  15. Grundmann, M., Bimberg, D., Theory of Quantum Dot Laser Gain and Threshold: Correlated versus Uncorrelated Electron and Hole Capture // physica status solidi (a), 164,297−300,1997
  16. A.E. Жуков, M.B. Максимов, Современные инжекционные лазеры // Издательство Политехнического университета, 2009
  17. С. Н. Wu, F. Tan, М. Feng, N. Holonyak, Jr., The effect of mode spacing on the speed of quantum-well microcavity lasers // Applied Physics Letters, 97, 91 103, 2010
  18. V. V. Lysak, K. S. Chang, Y. T. Lee, Current crowding in graded contact layers of intracavity-contacted oxide-confined vertical-cavity surface-emitting lasers // Applied Physics Letters, 87,231 118,2005
  19. MacDougal, MH and Geske, J and Lin, CK and Bond, AE and Dapkus, PD, Low resistance intracavity-contacted oxide-aperture VCSEL’s // IEEE PHOTONICS
  20. TECHNOLOGY LETTERS, 10, 9−11,1998
  21. KATZ, J and MARGALIT, S and HARDER, C and WILT, D and YARIV, A, THE INTRINSIC ELECTRICAL EQUIVALENT-CIRCUIT OF A LASER DIODE // IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, 17,4−7, 1981
  22. Noriyuki Yokouchi, Norihiro Iwai, Akihiko Kasukawa, Development of 850-nm VCSELs for high-speed interconnection systems // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers VII, 4994,189−196,2003
  23. Martin Grabherr, StefFan Intemann, Christian Wimmer, Lin R. Borowski, Roger King, Dieter Wiedenmann, Rol, Jager, 120 Gbps VCSEL arrays: fabrication and quality aspects //Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIV, 7615, 761 507,2010
  24. K. L. Lear, R. R Schneider, Jr., Uniparabolic mirror grading for vertical cavity surface emitting lasers //Applied Physics Letters, 68,605−607,1996
  25. SCOTT, JW and THIBEAULT, BJ and YOUNG, DB and COLDREN, LA and
  26. PETERS, FH, HIGH-EFFICIENCY SUBMILLIAMP VERTICAL-CAVITYf
  27. SERS WITH INTRACAVITY CONTACTS // IEEE 'PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 6, 678−680,1994
  28. MacDougal, MH and Dapkus, PD and Bond, AE and Lin, CK and Geske, J, Design and fabrication of VCSEL’s with AlxOy-GaAs DBR’s // IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 3, 905−915,1997
  29. James Guenter, Bobby Hawkins, Robert Hawthorne, Ralph Johnson, Gary L, ry, Kent Wade, More VCSELs at Finisar // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIII, 7229,722 905,2009
  30. Jingyi Wang, Chen Ji, David Soderstrom, Tong Jian, Laura Giovane, Sumon Ray, Zheng-Wen Feng, Friedhelm Hopfer, Jeong-Ki Hwang, Terry Sale, Sumitro Joyo Taslim, Chen Chu, 850 nm oxide high speed VCSEL development at Avago //
  31. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XV, 7952, 795 205,2011
  32. И.И. Новиков, Н. Ю. Гордеев, Л .Я. Карачинский, М. В. Максимов, Ю.М.
  33. , А.Р. Ковш, И.Л. Крестников, А. В. Кожухов, С. С. Михрин, Н. Н. Леденцов, Влияние р-легирования активной области на температурную стабильность характеристик лазеров на InAs/GaAs-квантовых точках // ФТП, 39, 502−506,2005
  34. Kevin L. Lear, Ahmad N. Al-Omari, Progress and issues for high-speed yertical1. I i tcavity surface emitting lasers // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XI, 6484,64840J, 2007
  35. W. Hofmann, N.H. Zhu, M. Ortsiefer, G. Bohm, Y. Liu, M.-C. Amann, High speed (> 11 GHz) modulation of BCB-passivated 1.55-im InGaAlAs-InP VCSELs // Electronics Letters, 42,976−978,2006
  36. Al-Ornari, AN and Carey, GP and Hallstein, S and Watson, JP and Dang, G and Lear, KL, Low thermal resistance high-speed top-emitting 980-nm VCSELs // IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 18, 1225−1227,2006
  37. Safwat W. Z. Mahmoud, Influence of Gain Suppression on Static and Dynamic Characteristics of Laser Diodes under Digital Modulation // Egyptian Journal of Solids, 30,237,2007
  38. Nishiyama, N and Arai, M and Shinada, S and Suzuki, K and Koyama, F and Iga, K, Multi-oxide layer structure for single-mode operation in vertical-cavity surface-emitting lasers // IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 12, 606 608,2000
  39. Ahmad N. Al-Omari, Kevin L. Lear, Husam Hamad, High-speed 980nm VCSELs with integrated distributed losses for mode control // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIV, 7615,76150P, 2010
  40. Choquette, KD, Selectively oxidized VCSELs go single-mode // LASER FOCUS WORLD, 36,251,2000
  41. A. J. Fischer, K. D. Choquette, W. W. Chow, A. A. Allerman, K. M. Geib, Bistable output from a coupled-resonator vertical-cavity laser diode // Applied
  42. Physics Letters, 77, 3319−3321,2000
  43. Unold, HJ and Grabherr, M and Eberhard, F and Mederer, F and Jager, R and Riedl, M and Ebeling, KJ, Increased-area oxidised single-fundamental mode VCSEL with self-aligned shallow etched surface relief // ELECTRONICS LETTERS, 35, 1340−1341,1999
  44. C.C.Chen, S.J.Liaw, Y.J.Yang, Y.C.Yu, C.Y.Lin, High power stable singlefundamental mode vertical cavity surface-emitting laser with a zinc diffused absorber // Proceedings of Optical Fiber Communication Conference and Exhibit, p.151,2002
  45. M. A. Hadley, G. C. Wilson, K. Y. Lau, J. S. Smith, High single-transverse-mode output from external-cavity surface-emitting laser diodes // Applied Physics Letters, 63,1607−1609,1993
  46. Dae-Sung Song, Se-Heon Kim, Hong-Gyu Park, Chang-Kyu Kim, Yong-Hee Lee, Single-fundamental-mode photonic-crystal vertical-cavity surface-emitting lasers //Applied Physics Letters, 80, 3901−3903,2002
  47. Paul O. Leisher, Chen Chen, Dominic F. Siriani, Joshua D. Sulkin, Kent D. Choquette, Single mode proton-implanted photonic crystal VCSELs // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XI, 6484, 64840L, 2007
  48. Y.C. Chang, C.S. Wang, L.A. Johansson, L.A. Coldren, High-efficiency, highspeed VCSELs with deep oxidation layers // Electronics Letters, 42,1281−1283, 2006
  49. Petter Westbergh and Johan S. Gustavsson and Benjamin Kogel and A. Haglund and Anders Larsson and Andrew Joel, Higher speed VCSELs by photon lifetime reduction//Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XV, 7952, 79520K, 2011
  50. P. Wesbergh, J. S. Gustavsson, B. Kogel, A. Haglund, A. Larsson, A. Joel, Bandwidth boost for 850nm VCSELs // Electronics Letters, 46, 875,2010
  51. J. van Eisden, M. Yakimov, V. Tokranov, M. Varanasi, E. M. Mohammed, I. A.
  52. Young, S. Oktyabrsky, Modulation properties of VCSEL with intracavity modulator // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XI, 6484, 64840A, 2007
  53. J. van Eisden, M. Yakimov, V. Tokranov, M. Varanasi, O. Rumyantsev, E. M. Mohammed, I. A. Young, S. R. Oktyabrsky, High frequency resonance-free loss modulation in a duo-cavity VCSEL // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XII, 6908, 69080M, 2008
  54. M. Yakimov, V. Tokranov, A. Sergeev, S. Oktyabrsky, VCSEL with intracavity modulator: fast modulation options // Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XIII, 7229, 72290K, 2009
  55. D. Tauber, G. Wang, R. S. Geels, J. E. Bowers, L. A. Coldren, Large and small signal dynamics of vertical cavity surface emitting lasers // Applied Physics Letters, 62, 325−327,1993
  56. C. Chen, P.O. Leisher, D.M. Grasso, C. Long, K.D. Choquette, High-speed electroabsorption modulation of composite-resonator vertical-cavity lasers // IET Optoelectronics, 3, 93−99, 2009
  57. M. Arzberger and G. Bohm and M.-C. Amann and G. Abstreiter, Continuous room-temperature operation of electrically pumped quantum-dot microcylinder lasers //Applied Physics Letters, 79,1766−1768, 2001
  58. J. Shakya, J. Y. Lin, H. X. Jiang, Time-resolved electroluminescence studies of Ill-nitride ultraviolet photonic-crystal light-emitting diodes // Applied Physics1. tters, 85,2104−2106,2004
  59. Peter, E., Senellart, P., Martrou, D., LemaAitre, A., Hours, J., GYerard, J. M., Bloch, J., Exciton-Photon Strong-Coupling Regime for a Single Quantum Dot Embedded in a Microcavity // Phys. Rev. Lett., 95, 67 401, 2005
  60. M. B. Lifshits, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg, Ultimate Control of the Thermal Shift of a Tilted Cavity Laser Wavelength // AIP Conference Proceedings, 893,1469−1470,2007
  61. Benisty, H and Stanley, R and Mayer, M, Method of source terms for dipole emission modification in modes of arbitrary planar structures // JOURNAL OF THE OPTICAL SOCIETY OF AMERICA A-OPTICS IMAGE SCIENCE AND VISION, 15,1192−1201,1998
  62. Nikolai N. Ledentsov, Vitaly A. Shchukin, Novel concepts for injection lasers // Optical Engineering, 41,3193−3203,2002
  63. A.B. Савельев, M.B. Максимов, B.M. Устинов, Р. П. Сейсян, Фототок квантовых точек InAs, полученных самоорганизацией, в полупроводниковых лазерных гетеро структурах InAs/InGaAs/GaAs, излучающих на 1.3 мкм // ФТП, 40, 88−92,2006
  64. Tomas, MS and Lenac, Z, Decay of excited molecules in absorbing planar cavities //PHYSICAL REVIEW A, 56,4197−4206,1997
  65. Sadao Adachi, GaAs, ALAs, and Alsub x]Ga[sub 1 x]As@B: Material parameters for use in research and device applications // Journal of Applied Physics, 58, R1-R29,1985
  66. A. I. Rahachou, I. V. Zozoulenko, Effects of boundary roughness on a Q factor of whispering-gallery-mode lasing microdisk cavities // Journal of Applied Physics, 94,7929−7931,2003
  67. N. C. Frateschi, A. F. J. Levi, The spectrum of microdisk lasers // Journal of Applied Physics, 80, 644−653,1996
  68. P. Westbergh, J.S. Gustavsson, B. Kogel, A. Haglund, A. Larsson, A. Mutig, A. Nadtochiy, D. Bimberg, A. Joel, 40 Gbit/s error-free operation of oxide-confined 850-nm VCSEL// Electronics Letters, 46,1014−1016, 2010
  69. G. Ronald Hadley, Effective index model for vertical-cavity surface-emitting lasers // Opt. Lett., 20,1483−1485,1995
  70. Chang, Yu-Chia and Coldren, Larry A., Efficient, High-Data-Rate, Tapered Oxide-Aperture Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers // IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, 15, 704−715,2009
  71. P. Westbergh, J.S. Gustavsson, A. Haglund, H. Sunnerud, A. Larsson, Large aperture 850-nm VCSELs operating at bit rates up to 25 Gbit/s // Electronics Letters, 44, 907−908,2008
  72. Y.-C. Chang, C.S. Wang, L.A. Coldren, High-efficiency, high-speed VCSELs with 35 Gbit/s error-free operation // Electronics Letters, 43,1022−1023, 2007
  73. A. Mutig, G. Fiol, P. Moser, D. Arsenijevic, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, S.S.1
  74. Mikhrin, I.L. Krestnikov, D.A. Livshits, A.R. Kovsh, F. Hopfer, D. Bimberg, 120degree. C 20 Gbit/s operation of 980-nm VCSEL // Electronics Letters, 44, 13 051 306,2008
  75. J.E. Bowers, High speed semiconductor laser design and performance // SolidState Electronics, 30,1 11,1987
  76. V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, J. A. Lott, H. Quast, F. Hopfer, L. Ya. Karachinsky, M. Kuntz, P. Moser, A. Mutig, A. Strittmatter, V. P. Kalosha, D.
  77. Bimberg, Ultra high-speed electro-optically modulated VCSELs: modeling and experimental results // Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XVI, 6889, 68890H, 2008
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!