Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий-индий-теллур

Диссертация: Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий-индий-теллур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Цель работы. В связи с вышеизложенным целью диссертационной работы является исследование фазовых взаимодействий во всей тройной системе кадмийиндийтеллур, разработка технологии выращивания монокристаллов бинарных и тройных фаз системы, обладающих полупроводниковыми свойствами, изучение некоторых физических свойств полученных монокристаллов, эпитаксиальных слоев и структур металлполупроводник… Читать ещё >

Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий-индий-теллур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ФАЗОВЫЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И СВОЙСТВА СОЕДИНЕНИЙ В СИСТЕМАХ АП-ВШ-СУ
    • 1. 1. Фазовые равновесия в системах А1*- Су*, основные соединения и некоторые их свойства
      • 1. 1. 1. Теллурид кадмия .II
    • 1. 2. Фазовые равновесия в системах Вш- Су*
      • 1. 2. 1. Особенности взаимодействия индия с теллуром
      • 1. 2. 2. Основные свойства халькогенидов индия
    • 1. 3. Фазовые равновесия в системе кадмий- индий
    • 1. 4. Фазовые равновесия в сечениях А^СУ1- В^С^ и некоторые свойства соединений A^BjjfcJ*
      • 1. 4. 1. Фазовые равновесия в разрезах АПСУ*
      • 1. 4. 1. I Система
      • 1. 4. 2. Некоторые физико- химические-и физические свойства соединений АПв|с^.,
  • ВЫВОДЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
  • 2. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ФАЗ В РАЗРЕЗАХ СИСТЕМЫ КАДМИЙ-ИНДИЙ-ТЕЛЛУР
    • 2. 1. Методика получения и исследования сплавов
      • 2. 1. 1. Получение и гомогенизация сплавов
      • 2. 1. 2. Дифференциальный термический анализ (ДТА)
      • 2. 1. 3. Микроструктурный анализ
      • 2. 1. 4. Рентгенографические исследования
    • 2. 2. Исследование сплавов разреза WFe-fn/. ^
    • 2. 3. Исследование сплавов разреза МТе — In Те
    • 2. 4. Уточнение фазового равновесия в системе индий- теллур с использованием тройных сплавов кадмий- индий- теллур
    • 2. 5. Фазовые равновесия в разрезах -Т?г.дГ
  • ВЫВОДЫ
  • 3. ФАЗОВОЕ РАВНОВЕСИЕ И ПОВЕРХНОСТЬ ЛИКВИДУСА СИСТЕМЫ КАДМИЙ-ИНДИЙ- ТЕЛЛУР
    • 3. 1. Фазовое равновесие в системе fict-fw
    • 3. 2. Фазовое равновесие в системе №Те -In,-ГпТе
    • 3. 3. Фазовое равновесие в системе № 2е-1пТе
    • 3. 4. Фазовое равновесие в системе
    • 3. 5. Поверхность ликвидуса тройной системы кадмий- индийтеллур
  • ВЫВОДЫ
  • 4. ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ И ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НЕКОТОРЫХ СПЛАВОВ ИЗ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИХ РАСПЛАВОВ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ КАДМИЙ- ИНДИЙ- ТЕЛЛУР И ИХ СВОЙСТВА
    • 4. 1. Выращивание монокристаллов №Те и Jn^Te из нестехиометрических расплавов тройной системы. Ю
    • 4. 2. Выращивание монокристаллов твердых растворов на основе соединения MI^Te^ и их анизотропия микротвердости
    • 4. 3. Получение эпитаксиальных слоев теллурида кадмия из расплавов разреза
    • 4. 4. Определение концентрации носителей заряда и типа проводимости эпитаксиальных слоев
    • 4. 5. Определение параметров ловушек и оценка качества эпитаксиальных слоев теллурида кадмия
    • 4. 6. Температурные зависимости темновой и фотопроводимости монокристаллов fif
    • 4. 7. Получение и некоторые характеристики структур металл-твердый раствор на основе соединения
      • 4. 7. 1. Вольтамперные характеристики структур металл- твердый раствор (Я6/п,?Ге4)
      • 4. 7. 2. Спектры фоточувствительности структур металл- твердый раствор (&tfn, 2Fe4)
  • ВЫВОДЫ

Актуальность темы

Широкая автоматизация различных отраслей промышленности, миниатюризация элементов вычислительных систем потребовали значительного расширения круга исходных полупроводниковых материалов.

В основных направлениях экономического и социального развития СССР на 1981; 1985 годы и на период до 1990 года предусматривается опережающими темпами развивать производство полупроводников, особо чистых и специальных материалов, прецизионных сплавов и других материалов с повышенными параметрами.

В работах Н. А. Горюновой [I] впервые было обращено внимание на общность свойств алмазоподобных полупроводников и определены закономерности их изменения при. переходе от элементарных к бинарным и более сложным полупроводниковым фазам.

В настоящее время исследованию бинарных и тройных полупроводниковых материалов посвящено большое количество работ советских и зарубежных ученых. Многие из этих материалов уже нашли важные практические применения. Среди них особое место заняли фазы типа обладающие слабой чувствительностью к примесям и стойкостью к ионизирующей радиации. На основе этих материалов разработаны, например, фотоприемники ультрафиолетового излучения, переключающие устройства, устройства для записи информации и модуляции света Г2- 4J.

Одной из тройных систем АПВШСУ1, в которых образуются перспективные бинарные и тройные соединения, является система кадмийиндийтеллур. В ней образуются соединения CdTe, InTe In, Те Те и ряд других важных для практического примене.

•3 J 7 ния фаз. На основе теллурида кадмия, в частности, уже созданы полупроводниковые спектрометрические счетчики, обладающие большой эффективностью регистрации и высокой разрешающей способностью.

Особое значение при разработке технологических режимов получения бинарных и тройных соединений приобретает изучение диаграмм состояния соответствующих систем.

В настоящее время построены диаграммы состояния многих псевдобинарных систем типа АПСУ1- В^С1, являющихся сечениями тройных систем А^- В®— СУ1. Однако фазовые взаимодействия в системе кадмийиндийтеллур, изучению которых посвящена данная работа, исследованы лишь в разрезе СобТеТъеТе3 [б, 7],.

Цель работы. В связи с вышеизложенным целью диссертационной работы является исследование фазовых взаимодействий во всей тройной системе кадмийиндийтеллур, разработка технологии выращивания монокристаллов бинарных и тройных фаз системы, обладающих полупроводниковыми свойствами, изучение некоторых физических свойств полученных монокристаллов, эпитаксиальных слоев и структур металлполупроводник на их основе.

Научная новизна. Исследованы фазовые взаимодействия в тройной системе кадмийиндийтеллур и впервые построена диаграмма состояния всей системы. Впервые с помощью неквазибинарных разрезов МдГе7 и? dTe-(0,67n+q4Te) уточнена стехиометрия спорной перитектической фазы области In.-I/b7h как ШдТе7. Получены слои теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии. Созданы поверхностнобарьерные структуры и изучены их вольтемкостные и вольтамперные характеристики, определены параметры энергетических уровней в эпитаксиальных слоях. Выращены монокристаллы твердых растворов на основе тройного соединенияCTfb0Te, и изучена их фотопроводимость. Получены поверхностно-барьерные структуры металл полупроводник на основе твердых растворов соединения, изучены их вольтамперные характеристики и спектры фоточувствительности.

Практическая ценность. Диаграмма состояния открыла возможность получения эпитаксиальных слоев теллурида кадмия различной степени легирования из расплава индия. Результаты работы по исследованию фазовых взаимодействий в тройной системе кадмийиндий-теллур используются на заводе чистых металлов им. 50- летия СССР для получения кристаллов и слоев теллурида кадмия.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзных конференциях «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1976, 1979, 1983 гг.), Всесоюзной конференции «Материалы для оптоэлектроники» (Ужгород, 1980 г.), Всесоюзной конференции «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов» (Кишинев, 1982 г.), научнотехнических конференциях Кишиневского политехнического института им. С. Лазо (Кишинев, 1972; 1984 гг.).

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 14 печатных работ.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и приложения.

Результаты исследования спектров фоточувствительности поверхностнобарьерных диодовfiftitr^Je^) в области собственной полосы поглощения дали возможность определить энергии активации прямого (1,1 эВ) и непрямого переходов (0,92 эВ).

Показать весь текст

Список литературы

  1. ГорюноваН.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. — М. :Со-ветское радио, 1968. — 267с.
  2. B.C., Житарь В. Ф., Радауцан С. И., Струмбан Э. Е. Параметры фотоприемника ультрафиолетового излучения на основе тиогал-лата кадмия. Электронная обработка материалов, 1981, № 1,с.80 84.
  3. С.И. Тройные полупроводники: результаты исследований и. перспективы применения. Вестник АН СССР, 1978, т. З, с. 14 26. .
  4. Ф.Г. и др. Полупроводники системы ZnS-In2S^ /Ф.Г.Дони-ка, В. Ф. Житарь, С.И.Радауцан* Кишинев: Штиинца,. 1980. — 147с.
  5. А.Т., Матвеев-О.А., Рыбкин С. М., Хусаинов А. Х. Структура металл-полупроводник-металл на основе OdTe. как. спектрометрический детектор ядерного излучения. ФТП, 1976, в. ГО, с. 2127 — 2131.
  6. Thomassen L., Mason D.R., Rose G.D., Sarace J.С., Schmitt G.A. The Phase Diagram for the Pseudo-Binary System CdTe-IngTe^. -J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, № 11, p.1127 1131.
  7. O’Kane D., Mason D.R. Semiconducting Properties of Peritectic Compounds from the Pseudo-Binary System CdTe-Ln^Te^. J. Electrochem. Soc., 1963, v.110, N11, p.1132 — 1136.
  8. Reynolds R.A., Stroud D.G., Stevenson D.A. Phase Equilibria in the Zinc-Tellurium System. J. Electrochem. Soc., 1967, v.114, N12, p.1281 — 1287.
  9. Steininger J., Strauss A.J., Brebrick R.F. Phase Diagram of the Sn-Cd-Te Ternary System. J. Electrochem. Soc., 1970, v.117, nio, p.1305 1309.
  10. Reisman A., Berkenblit M., Witzen M. Non-Stoichiometry in Cadmium Selenide and Equilibria in the System Cadmium-Selenium. J. Phys. Chem., 1962, v.66, N11, p.2210−2214.
  11. Mason D.R., KulwicfcL B.M. The Phase Diagram for the Binary System Cd-Te. Electrochemical Society, Electronics Division, Abstr., 1960, v.9, HI, p.192 — 19 712. Физика и. химия соединений Под ред. Медведева С. А. М.: Мир, 1970. — 624с.
  12. .Я., Жданова В. В., Лев Е.Я. Терюэлектрические свойства системы HgSe-BgTe. ФТТ, 1961, т. З, Ю, с. 786 — 789.
  13. Н.Б. Полупроводники. М.:Мир, 1962. 667с.
  14. Г. Б. Оптические свойства CdTe. ФТТ, 1961, т. З, в.5, C. B05 — 1309.
  15. О.Д., Вегель А. Р. О некоторых возможностях измерения напряженности магнитного поля пленочными датчиками эдс Холла, изготовленными из BgSe, HgTe и их твердых растворов. ЖТФ, 1956, т.26, Ш, с. 2432 — 2438.
  16. К.К., Румянцева А. В., Рыжкин Ю. С., Трапезников В. И. О рекомбинационном излучении в гетероструктурах селенид цинка теллурид цинка. — ФТП, 1970, т.4, в.5, с. 986 — 988.
  17. В.Н., Марченко А. И., Федорук Т. А. Гетерогенные солнечные преобразователи на основе поликристаллического сульфида и селенида кадмия. В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. Киев, 1970, в.4, с. 112 — 121.
  18. А .В., Ковалев А. Н., Кондауров Н. М. Лшинесцентный диод на гетеропереходе p-ZnTe n-CdSe. — ФТП, 1970, т.4, в.5, с. 1365 — 1366.
  19. Arnold Н., Kaufmaun Т., Mach R. Preparation und Elektrische Unter uchungen an Heteroiibergagen p-ZnTe n-CdSe. — Phys. Stat. Sol., 1970, A1, N1, K5-K8.
  20. .Ф. Структуры неорганических веществ. М.:Гостехге-оргиздат, 1950. 338с.
  21. Long D., Schmit J.L. Mercury-Cadmium Telluride and Closely Related Alloys. Semiconductors and Semimetals. Academic Press, ff.Y. and London, 1970, v.5, p. 175 — 255*
  22. Kanazawa K.K., Brown F.C. Cyclotron Resonance in Cadmium Telluride. Phys. Rev., 1964, v.135″ НБ, AI757 — AI76O.
  23. Segall В., Lorenz M.R., Halsted R.E. Electrical Properties of n-Type CdTe. Phys. Rev., 1963, v.129, НБ, p.2471−2481.
  24. Morehead P.P., Mandel G. Shallow p Acceptor Levels in CdTe and ZnTe. Phys. Let., 1964-, v.10, HI, p.5 — 6.
  25. Mandel G., Morehead F.F. Efficient Electroluminescence from p-n Junction in CdTe at 77K. Appl. Phys. Let., 1964, v.4, N8, p.143 — 145.
  26. М.И., Максимова О. Г. Анизотропия микротвердости монокристаллов твердых растворов системы Zn^C&^Te. -В кн.: Новое в области испытаний на микротвердость. М.:Нау-ка. 1974, с.187 191.
  27. Н.Х., Банкина В. Ф., Порецкая Л. В., Скундова Е. В., Чижевская С. Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе. М.".Наука, 1975, 220с.
  28. Strubbs M.F., Schufle J.А., Thompson A.J., Duncan J.M. The In Ii^S^ System. — J. of American Chem. Soc., 1952, v.74, 176, p.1441 — 1443.1963, т.8, в.5, с.1199 1203.
  29. Klemm V.W., Vogel H.U., Messugen Gallium- und Indium-Verbin-r dungen X. tfber die Chalkogenide von Gallium und Indium. -Z. Anorg. Allgem. Chem., 1934, v.219, p.45 65.
  30. Л.П., Зайцева Ю. В., Конопля О. Я. и др. Особенности образования теллуртдов индия и галлия. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1981, 17, Я8, с. 1362 — 1365.
  31. Grochowski E.G., Mason D.R., Smitt G.A., Smith P.H. The Phase Diagram for the Binary System Indium Tellurium and Electrical Properties of In^Te^. J. Phys. Chem. Solids, 1964, v.25, H6, p.551 558. .
  32. Ю.А., Весене Т. Б., Толутис В. Б. Исследование тонких пленок системы In Те. — Неорг. матер., 1972, т.8, в.6, с. 1029 — 1034.
  33. Holmes P.I., Jennings J.С., Parrott J.F. Precipitation Phenomena in Ir^Te^. J. Fhys. Chem. Sol., 1962, v.23, N1−2, p.1 — 5. .
  34. Л.В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин B.M. и др. Отклонения от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа BgCj • Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1965, I, ?12, с.2140 2150.
  35. Л.С., Атрощенко Л. В., Гальчинецкий Л. П., Кошкин ВМ. Об эффекте отклонения от стехиометрии в полупроводнике IngTe,. ДАН СССР, 1965, в.165, Я4, с. 809 — 812.
  36. Л.П., Атрощенко Л. В., Кошкин В. М., Сысоев Л. А. Монокристаллы 1п2Те^ с постоянным изменением величины отклонения от стехиометрии. Неорг. матер., 1970, т.6, № 5, с. 860 — 863.
  37. З.С. Халькогениды элементов ШБ подгруппы периодической системы. М.: Наука, 1968. 216 с.
  38. Schubert К., Anderko К., Kluge М. et al. Strukturuntersuchung der Legieurungsphasen Cu2Te, CuTe, Cu^Sb, InTe, Bi2Se^, Pb^Sb^ und Pb^Bi- Die Naturwis., 1953, V-.40, N9, -p.269.
  39. В.Б., Декснис А. П., Паукште Ю. А. Характеристика физических свойств тонких слоев тетрагональной фазы InTe. -Литов. физ. сборник, 1967, в.7, № 4, с.819 829.
  40. Fielding P., Fischer G., Mooser Е. Semiconductors of thettt vtType АХХХВ. J. Phys. Chem. Solids, 1959, N8, p. 434 — 437.
  41. Bommel H.E., Darnell A.J., Libby W.F., Tittmann B.E., Yencha A.J. Superconductivity of Metallic Indium Telluride. -Science, 1963, v.141, N3582, p.714 715.
  42. Darnell A.J., Yencha A.J., Libby W.F. Indium Telluride. Meta. Science, 1963, v.141, N3582, -p.713 — 714.
  43. В.М., Чижевская С.H., ЕвгеньевС.Б. Объемные изменения при плавлении и нагреве расплавов теллуридов галлия и индия. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1968, в.4, № 5, с. 676 -681.
  44. А.С., Горюнова Н. А., Тахтарева Н. К. Исследование микротвердости некоторых полупроводников со структуройцинковой обманки. 11 $, 1957, т.27, с. 1408 — 1413.
  45. A.M., Картенко Н. Ф., Караченцева З. А. Об элементарной ячейке и пространственной группе in2Te^. -ФТТ, 1971, в.13, № 9, с.2562 2565.
  46. Forner H.G. Electriche Eigenscaften von In2Te^~ In2Se^ Losun-gen. Wiss. Z. Martin-Luther-Univ. Halle — Wittenberg. Nath. Naturwiss. Reine, 1964, v.13, N10, p.731 — 743.
  47. Gasson D.E., Holmes P.J., Parrott J.E., Penm A.W. The Preparation and Properties of In2Te^ and its Alloys with InAs. -Abstr. Intern. Conf. Semicond. Phy. s, Prague, 1960, p.138.
  48. С.И. Исследование некоторых электрических свойств соединений in2Se^ и 1п2Те^. Изв. Молд. филиала АН СССР, I960, № 3, 69, с. 49 — 55.
  49. Пе тру се вич В. А., Сергеева В. М. Оптические и фотоэлектрические, свойства 1п2Теу ФТТ, I960, 2, с. 2881 — 2884.
  50. Inuzuka B.H. and Sugaike S. On In2Te^, Its Preparation and lattice Constant. Proc. of the Jap. Acad., 1954, v.30, N5, p.383 — 386.
  51. В.Н., Ланге Т. И. Исследование анизотропии микротвердости в монокристаллах Бе, Те, Bi, InBi, InSb, In2Te^и твердых растворов Te-Se . -В кн.: Методы испытания на микротвердость. М.: Наука, 1965, с. 245 255 .
  52. Schubert К., Dorre Е. und Gunzel Е. Kristallchemische Er-grbnisse an Phasen aus B-Elementen. Die Naturwiss., 1954, 42, N19, p.448.
  53. К.Д., Берча Д. М., Раренко И. М. и др. Зонная структура Ь^Те^ . В кн.: Физические свойства полупроводников aV и. Баку: Изд. АН Аз. ССР, 1967, с. 370 — 377 .
  54. К.М., Мушинский В. П. Электрические и оптическиеАН Аз.ССР, 1967, с.353 360.
  55. Р.П. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1970, т.1, 456с., т.2, 462с.
  56. Heumann Т., Predel В. Thermodynamieche Aktivitaten Elussi-ger Indium-Kadmium-Legierungen und Bildungsenthalpie der intermetalliscen Phase InCd^. Z. Metallkunde, 1959, v.50, N7, p.396 — 402.
  57. Radautsan S.I., Donika F.G., Kyosse G.A., Mustya I.G. Polit. ypism of Ternary Phases in the System Zn-In-S. -Phys. Stat. Sol., 1970, v. 37, K123 K127.
  58. Barnett D.E., Bookman R.S., Sutherland J.K. New data on ternary phases in the system Zn-In-S. Phys. Stat.Sol., а), 1971, ft, N1, р. ВД К51.
  59. Радауцан С. И, Андриеш A.M., Мустя И. Г., Доника Ф. Г. Спектры поглощения и фотопроводимости нового полупроводникового соединения Zi^ln^. ФТП, 1971, т. 5, Ю, с. 578 — 580.
  60. Р., Коппел X. О системе In^-CdS .-Изв- АН ЭССР, сер. химия, геология, 1973, 22, JB I, с. 42 45.
  61. С.И., Доника Ф. Г., Тэзлэван В. Е., Дамаскин И. А. О кристаллических особенностях полупроводниковых сплавов разреза CdS-ln2S^ . В кн.: Некоторые вопросы химии и физики полупроводников сложного состава. Ужгород: УГУ, 1970, с. 221 — 224.
  62. Радауцан С. И-, Тэзлэван В. Е., Житарь В. Ф. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов разреза OdS-lr^S^. В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинев: Штиинца, 1971, с. 59 — 65.
  63. Э.И., Шура В. К., Станчу А. В., Доника Ф. Г. Некоторые физико-химические характеристики твердых растворов в системе (HsS^-Cb^Sj),^, В кн*1 Материалы докладов УП научно-технической конференции КПИ им. С.Лазо. Кишинев, X97I, с. 180 — Х8Х.
  64. В.Н., Грыцив В. И. Диаграммы состояния систем наП Утоснове полупроводниковых соединений, А В . Киев: Наукова думка, 1982, с, 168с.
  65. О.П., Маркус М. М., Радауцан С. И., Станчу А. В. Диаграмма состояния псевдобинарной системы Cd^Se^-IiigSe^ • ~ Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, т.7, J8, с.1328 1330.
  66. Э.И., Кесаманлы Ф. П., Радауцан С. И., Уханов Ю.И.Электрические и оптические свойства кристаллов1967, с. 45 49.
  67. С. И., Гаврилица Э. И. Твердые растворы в системе HgSe-In2Se3. Изв. АН МОСР, 1961, 10(88), с. 95 — 97.
  68. O’Kane D.F., Mason D.R. Pseudobinary System ZnTe-Ir^Te^. -Trans. Metallurg. Soc. of AIME, 1965, v.233, p.1189 1191.
  69. Ray В., Spencer P.M. Phase Diagram of the Pseudo-Binary System In"Te- HgTe. Solid State Communs, 1965, v.3, N12, P.339 391.. .
  70. Радауцан С.И., .Дерид Ю. О., ЭКит. арь В.Ф., Дерид О. П., Троцен-ко Н.К., Тюлюпа А. Г. Диаграмма системы 0dS-Ge2S^. Доклады .АН.СССР, 1982, т.267, W, с. 673 — 675.
  71. В.В., Матвеев И. Н., Панютин В. Л. Выращивание и оптические свойства тиогаллата ртути. Квантовая электроника, т.6, №, 1979, с. 1807 — 1810.
  72. Tyrziu М.Р., Radautsan S.I., Markus М.М., Kolosenko S.M. State Diagram of CdSe-GagSe^. Phys. stat. sol. (a), 1970, v.3, N4, p. K293 — K296. .
  73. П.Н., Тырзиу В. Г., Маркус М. М. Фазовые равновесия в системе HgSe-Ga2Se^. Тез. докл. Всесоюзной конф. по физ.-хим. анализу полупроводниковых материалов. Баку, 1972, с. 99 -- 100. .
  74. Н.А., Котович В. А., Франк^Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование-изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка. ДАН СССР, 1955, т. ЮЗ, № 4, с. 659 — 662.
  75. JI.H., Аллахвердиев К.P., Антонов В. Б., Нани Р. Х. Травление монокристаллов CdIn2S^. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, в.7, № 1, с. 169 — 170.
  76. Zhitar V.F., Raylyan V.Ya. The Peculiarities of ZnIn2S^ Luminescence. %5 International Conference on Ternary, Mul-tinary Compounds. Cagliari, 1982, p.65.
  77. Beun J.A., Nitsche R., Lichtensteiger M. Photoconductivity in Ternary Sulfides. Physica, 1960, v.26, 178, p.647 — 649.
  78. Mackinnon A. Ternaty Semiconductors. Festkorperprobleme, 1981, v.21, p.149 — 165.
  79. Beun J.A., Nitsche R., Lichtensteiger M. Optical and Electrical Properties of Ternary Chalcogenides. Physica, 1961, v.27, N5, p.448 — 452.
  80. В.В. Спектр отражения кристалла Cdlr^Se^. Оптика и спектроскопия, 1966, т.21, в. 5, с. 156 ~ 158.
  81. D.R., 0*Kane D.F. Preparation and Properties of Some Peritectic Semiconducting Compounds. Procedings International Conference on Semiconductor Physics, Prague, 1960, p.1026 — 1031. .
  82. O.H., Любченко O.B., Дотыкевич И. В. Новый высокочувствительный фотопроводник Сй1п2Те^. Укр. физ. журнал, 1966, т. II, № 2, с. 219 — 221.
  83. И.В., Чепура С. В. Электрические свойства ртройно-го полупроводникового соединения Cdlr^Te^. Укр. физ. журнал, 1963, т.8, № 2, с. 889 — 893.
  84. И.В., Беляев О. Н. Некоторые оптические свойства тройного полупроводникового соединения CdIn2Te^. Укр. физ. журнал, 1963, т.8, № 9, с. 967 — 969.
  85. Л.Н., Черных В. Я., Петров В. М. Влияние темпера?-туры и электрического поля на оптические свойства CdGa2Se^. ФТП, 1967, в.1, № 5, с. 793 — 795.
  86. Т.В., Маркус М. М., Натепров А. Н. Получение и некоторые свойства монокристаллов CdGa^e^. В кн.: Тройные по" лупроводники и их применение: 1Ьз. докл. Воесоюзн. конф., Кишинев, 1976, с. 141 — 143.
  87. Shionaya S., Ebina S. Fundamental Optical Properties of ZnIn2S^ Single Crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, N19, p.1150 — 1156.
  88. Shionaya S., Tamoto J. Luminescence of ZnlngS^ and ZnlngS^sCu Single Crystals. J. Phys. Soc. Japan, 1964, N19, p.1142 — 1149.
  89. В.Ф., Оксман Я. А., Радауцан С. И., Смирнов В. Н. О фотодиэлектрических и люминесцентных свойствах тройных сульфидов цинка и индия. В кн.: Исследования по полупроводникам. Кишинев: Картя Молдовеняскэ, 1968, с. 28 — 39.
  90. Mora S., Paorici С., Romeo N. Properties of the Ternary Compound ZnIn2S4 at High Electric Field. J. Appl. Phys., 1971, v.42, N5, p.2061 — 2064.
  91. Г. Б., Антонов В. Б., Мехтиев Т. Э. Рекомбинационное излучение, монокристаллов 0dln2S^ при возбуждении быстрыми электронами. ФТП, 1969, т. З, в.9, с. 1428. 1429.
  92. Г. Б., Алахвердиев К. Р., Антонов В. Б. Эффект переключения и памяти на контакте металл-CdIn2S^. В кн.:П ТУ V П П1 УТ Тройные полупроводники, А Вх CJ и, А В^С^т Кишинев: Штиинца, 1972, с.236 238.
  93. В.Ф., Таран Н. И., Доника Ф. Г. Спектры излучения кристаллов CdGa2S^. В кн.: Исследование сложных полупроводников. Кишинев: РИО АН f€CP, I970, с. 89 — 97.
  94. БраилаВ.М., Караман М. И., Мушинский В. П. Продольная фотопроводимость слоев 0dGa2Se^. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца, 1979, с. 105 — III.
  95. В.П., Караман М. И., Грамацкий В. И., Чеботарь В. В. Спектры поглощения и фотопроводимость аморфных ^oeBCdGa2S^.-В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюз. конф. Кишинев: Штиинца, 1983, с. 145.
  96. Л.М., Гадьмаши З. П., Копинец И. Ф. Двулучепреломление монокристаллов GdGa2S^. Опт. и спектр., 1980, т.49, в. I, с. 97 — 99.
  97. А.А., Розенсон А. Э., Щербина О. Б. Расчет линейной восприимчивости кристалла CdGa2S^ в области прозрачности. -ФТП, 1980, т.14, № 12, с.2383 2384.
  98. А.Э. Расчет линейных оптических характеристик и эффективных масс носителей тока кристалла CdGa2S^. ФТП, 1981, т.15, в.9, о.1760 — 1763.
  99. В. Ю., Ворошилов Ю. В., Чепур Д. В. Материалы квантовой электроники на основе полупроводниковых соединений сложного состава. Физические свойства. Квантовая электроника, Киев, 1981, № 20, с. 74 ~ 93.
  100. Л.М., Гадьмаши, З.П., Копинец И. Ф., Сливка В. Ю. Эффекты пространственной дисперсии в кристаллах CdGagS^. -Опт. и спектр., 1981, т. 51, в.2, с.307 311.
  101. Житарь В"Ф., Молдовян Н. А. ,.Дерид Ю. О. Фотоэффект в двойных. сульфидах после формовки в электрическом поле. В кн. Дойные полупроводники и их применение: 1Ьз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев:Штиинца, 1983, с. 42.
  102. С.И., Коваль Л. С., Соболев В. В. Спектры отражения, кристаллов системы CdliigSe^-Cdli^Te^. В кн.:Тройные полупроводники АПВ1УС2 и а^П. Кишинев: Штиинца, 1972, с. 230 -- 233.
  103. Л.С. Получение и исследование физических свойств твердых растворов CdlrigSe^-OdlnglDe^.: Авто реф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Кишинев: Гос. ун-т, 1972. — 16 с.
  104. А.В., Потыкевич И. В., Беляев О. Н. Исследование процессов рекомбинации и применения в монокристаллах Cdli^Te^. и-типа. Деп. 484−69. — ФТП, 1969, т. З, в.8,с.1271.
  105. А. Б., Толутис В. Б. Исследование пленок квазибинарной системы CdTe-IrujTej. В кн.:Тонкие пленки соединений теллура с металлами подгруппы цинка и галлия, фуды Симпозиума. Вильнюс, 1970, с. 199- 201.
  106. Е.Д., Грушко Н. С., Житарь В. Ф. Само легирование кристаллов Znln? S. в процессе отжига в разных средах. В кн.:Фи~зика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца, 1979, с.95 100.
  107. Н.С. Введение в физико-химический анализ. •" М.:Ж СССР, 1940. 562с.
  108. И.Д., Головей М. И., Горюнова Н. А. Система (Zn3As2)1-x-(2ZnO?e)x. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1971, т.7, № 5, с. 747 — 752.
  109. О.П., Коваль Л. С., Маркус М. М. Исследование политермического разреза CdlngSe^-CdliigTe^ четверной системы Cd-In-Se-Te. В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинев: Штиинца, 1971, с. 140 — 143.
  110. Л.Г. Введение в термографию. М. :Наука, 1969. * 396с.
  111. Ю.С. Деформирование кристаллов при испытаниях на микротвердость. Кишинев: Штиинца, 1972. — 232с.
  112. О.Д. Изучение жидкофазного равновесия в системе In-Te. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т.16, № 2, с. 233 — 236.
  113. О.П., Дынту Г. М. Исследование поверхности ликвидуса системы Cd-In-CdTe с использованием методов математического планирования. Материалы докл. УШ НТК КПИ им. С.Лазо, Кишинев, 1972, с. 152 — 153.
  114. С.И., Дерид О. П., Дынту Г. М., Маркус М. М. Фазовые взаимодействия в тройной системе CdTe-In-InTe. Изв. АН МССР, сер. физ."техн. и матем. наук, 1975, № 3, с. 37 — 43.
  115. О.П., Дынту Г. М., Маркус М. М. Исследование фазового взаимодействия в системе индий-теллур с использованием тройных сплавов кадмий"индий-теллур. В кн.: Полупроводниковые материалы и их применение. Кишинев: Штиинца, 1976, с.143 146.
  116. Scheffe Н. Experiments with Mixtures. J. of the RoyalStatistical Soc., 1958, Ser. B, v.20, N2, p.344 346.
  117. Н.Г. Планирование экспериментов на симплексе (изучение свойств смеси). В кн.:Новое идеи в планировании эксперимента. М.:Наука, 1969, с. 177 — 179.
  118. Т.А., Микешина Н. Г. Применение симплекс-решетчатого планирования при исследовании диаграмм состав-свойство. «В кн.: Новые идеи в планировании эксперимента. М.:Наука, 1969, с.191 194.
  119. Ф.С., Минц Р. С., Малков Ю. О. Применение метода симплексных решеток для построения диаграмм состав-свойство. -Зав. лаб., 1967, т.33, № 7, с.840 847.
  120. Ф.С. Планирование экспериментов при изучении диаграмм состав-свойство. В кн.: Математические методы планирования экспериментов в металловедении. М., 1971, Раздел 1У. -- 148с.
  121. Ф.С. К вопросу о возможностях использования метода симплексных решеток для изучения диаграмм состояний. Зав. лаб., 1968, т.34, № 10, с. 1223 — 1226.
  122. В.И., Новик Ф. С., Радауцан С. И. Исследование ликвидуса системы .inSb-Sb-lnTe с применением метода симплексных решеток. В кн.: Планирование экспериментов в материаловедении. Кишинев, 1969, с. 4 — 5.
  123. О.П., Дынту Г. М., Лукьянова Л. Н., Маркус М. М. Исследование условий образования и областей существования некоторых фаз в тройной системе кадмий-индий-теллур. «Материалы докл. IX НТК КПИ им. С.Лазо, Кишинев: Штиинца, 1973, с.257 258.
  124. О.П., Дынту Г.1'1., Маркус М. М. Исследование фазовых равновесий в тройной системе CdTe-In-Ir^Te^. Итоги научных исследований КПИ им. С.Лазо за 1973 год. Кишинев, 1974, с. 159 — 160.
  125. Г. М., Дерид О*П. Диаграмма состояния системы Cd-In-Te и условия образования твердых растворов на основе CdIn2Te4. -В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев: Штиинца, 1976, с.139 141.
  126. Г. М. Изучение поверхности ликвидуса системы -CdTe--In2Te^-Te с применением методов математического планирования. В кн.: Кристаллические и стеклообразные полупроводники. Кишинев: Штиинца, 1977, с. 215 — 221.
  127. Г. М., Дерид О. П. Получение уравнений регрессии температур начала кристаллизации тройных сплавов Cd-In-Te. В кн.: Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев: Штиинца, 1979, с. 136 — 141.
  128. С.И., Дерид О. П., Дынту Г. М. Построение поверхности ликвидуса тройной системы Cd-In-Te с использованием методов математического планирования экспериментов. Изв. АН Латв. ССР, сер. физ. и техн. наук, 1982, № 6, с. 15 — 17.
  129. И.В., Кучма В. И. Двойникование в кристаллах CdTe ис<�У1-хТе' ~ Изв# Ш СССР' Не°Рг' матер., 1982, т.18, № 4, с.569 572.
  130. П.И., Журавлев Л. А., Один И. Н. Выращивание эпитаксиальных пленок CdTe в системе Cd(CH^)2-(CHj)2Te-H2. -Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1982, т.18, № 6, с.930 934.
  131. А.В., Кротов И. И., Мнацаканян Н. Г. Приближенный метод оценки условий получения эпитаксиальных пленок соединений А%У1. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1972, т.8, № 4,с.644 647.
  132. А.В., Кротов И. И., Миколюк ?. А. Эпитаксиальный рост CdTe из элементов в потоке водорода. Изв. АН ССОР, Неорг. матер., 1973, т.9, № 9, с. 1497 — 1502.
  133. А.В., Миколюк Е. А., Кротов И. И. Исследование процессаэпитаксиального выращивания твердых растворов системы GdTe--HgTe в изотермических условиях. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1975, т. II, HI, O. I96I — 1966.
  134. Л. А., Гуревич М. А. Применение электроннографического метода отражения к исследованию структуры поверхностных слоев некоторых полупроводниковых материалов. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1967, т. З, с. 267 — 274.
  135. А. А., Давыдов А. А., Гарба Н. И. Выращивание крупных монокристаллов О&Те из паровой фазы. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1980, т.16, Й, с. 28 — 30.
  136. С.В., Желяпов Г. И., Наградова И. А. Определение параметров глубоких уровней в эпитаксиальных слоях GaPsZnOс помощью двойных поверхностно-барьерных диодов. ФТП, 1981, т.15, в.8, с. 1660 — 1662.
  137. А. Т., Маслова Л. В., Матвеев О. А. О механизме выпрямления на контакте металл-CdTe. ФТП, 1974, т.8, в.9, с. 1701 — 1704.
  138. ЗиС.М. Физика полупроводниковых приборов./Пер. с англ. под ред. Т^утко А.Ф. М. :Энергия, 1973. — 655с.
  139. П.И., Панчук О. Э., Савицкий А. В. Дефектная структура CdTe легированного In, В кн.: Легирование полупроводников. М. :Наука, 1982, с. 72 — 74.
  140. Л.С. Барьерная емкость сплавного диода с глубокими примесями как с зоной проводимости так и с валентной зоной. «ФТП, 1971, т.5, № 4, с.675 680.
  141. Л.С., Лебедев А. А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.:Наука, 1981. — 176с.
  142. С.В., Радауцан С. И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулирования емкости. ФТП, 1981, т.15, № 7,с.1443 1446.
  143. П.И., Клочков В. П., Потыкевич И. В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. «Киев:На-укова Думка, 1975. 704с. П VT
  144. В.В. Зоны и экситоны соединений группы, А В . Кишинев: Штиинца, 1980. — 256.
  145. С.В. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных структур на основе CdIn2S^.: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук. Кишинев: АНМССР, 1976. — 13с.
  146. Ф.Ф., Дону B.C., Вальковская М. И., Маркус М. М. Получение и некоторые физические свойства соединений CdGa2S(Se)^. -В кн.: Физика и химия сложных полупроводников. Кишинев: Штиин-ца, IS75, с. 50 60.
  147. А. Основы теории фотопроводимости. М. :Мир, 1966."192с.
  148. Ковтонюк Н"Ф., Концевой Ю. А. Измерения параметров полупроводниковых материалов. М.:Металлургия, 1970. — 430с.
  149. С.В., Грушко Н. С., Гоглидзе Т. И., Дынту Г. М. Диаграмма состояния и фотоэлектрические свойства монокристаллов разреза CdTe-In^Te^. В кн.: Материалы для оптоэлектроники: Тэз. докл. Всесоюзн. конф. Ужгород, 1980, с. 59 — 60.
  150. Wolfgang W. Gartner. Depletion-Layer Photoeffects in Semiconductors. Phys. Rev., 1959, v.116, p.84 — 87.
  151. C.B., Коваль JI.C., Радауцан С. И. Электрические и фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных диодов Аи-0dIn2Te^. В кн.:Тройные полупроводники и их применение: Изз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев: Штиинца, 1976, с.165*166.
  152. Bulyarsky S.V., Radautsan S.I., Molodyan I.P. Photoelectrical Properties of Au-CdIn2S^ Surface-Barrier Diode. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v.21, N2, p.617 — 622.
  153. О.П., Дынту Г. М. Выращивание монокристаллов соединений системы Cd-In-Te из нестехиометрических расплавов и некоторые их свойства. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: ТЬз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев-.Штиинца, 1979, с. ПО III.
  154. Г. Г., Дынту Г. М., Дерид О. П. Получение слоев CdTe методом жвдкофазной эпитаксии. В кн.: Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: 1ёз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев-.Штиинца, 1982, с. 109.
  155. Г. Г., Дынту Г. М. Исследование некоторых свойств эпитаксиальных слоев теллурида кадмия. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев: Штиинца, 1983, с. 240.
  156. G.B., Дерид О. П., Дынту Г. М. Выращивание монокристаллов (CdIn2Te^) и фотоэлектрические свойотва диодов Шот~ тки на их основе. В кн.: Тройные полупроводники и их применение: Тзз. докл. Всесоюзн. конф. Кишинев: Штиинца, 1983, с. 122.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!