Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения

Диссертация: Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В четвертой главе выполнено теоретическое исследование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома и комплексы дефектов, включающих в себя атомы углерода, кислорода, бора и фосфора. Показано, что атомы замещения хрома не создает дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне кремния. Атомы хрома, входящие в комплекс дефектов с атомами углерода, кислорода… Читать ещё >

Моделирование процесса ионно-лучевой обработки структуры металл-кремний и ее электронного энергетического строения (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Анализ применения силицидов переходных металлов в микроэлектронике и методов их формирования
    • 1. 1. Свойства силицидов переходных металлов и области их применения
    • 1. 2. Способы получения силицидов переходных металлов
    • 1. 3. Выводы, постановка цели и задач диссертационного исследования
  • 2. Моделирование процесса ионно-лучевого перемешивания атомов в структуре хром-кремний при облучении ионами инертных газов
    • 2. 1. Анализ моделей процесса ионной имплантации в твердых телах
    • 2. 2. Разработка модели процесса ионно-лучевой обработки структуры хром-кремний
    • 2. 3. Выводы
  • 3. Анализ диаграмм состояния силицида хрома, сформированного ионно-лучевой обработкой
    • 3. 1. Синтез силицидов под действием ионной обработки
    • 3. 2. Особенности диаграмм состояния силицида хрома, образованного в результате ионной обработки структуры хром-кремний
    • 3. 3. Выводы
  • 4. Моделирование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома
    • 4. 1. Методика моделирования электронного энергетического строения кремния
    • 4. 2. Электронное энергетическое строение кремния, содержащего атом замещения хрома
    • 4. 3. Электронное энергетическое строение кремния, содержащего комплекс атом замещения хрома атом замещения примеси
    • 4. 4. Выводы
  • 5. Моделирование электронного энергетического строения структур кремний — тонкие слои переходных металлов — кремний
    • 5. 1. Электронное энергетическое строение структуры кремний (111) — никель (хром) — кремний (111) с различной толщиной металлического слоя
    • 5. 2. Распределение потенциала в структуре кремний -никель (хром) — кремний
    • 5. 3. Рекомендации по возможности применения разработанных моделей и методов в микроэлектронике
    • 5. 4. Выводы

Во введении обоснована актуальность темы, определены цель и задачи исследований, изложены научная новизна и практическая ценность работы.

В первой главе диссертации проведен анализ применения силицидов переходных металлов в микроэлектронике и методов их формированиясформулированы задачи исследования.

Во второй главе проведен анализ существующих моделей процесса ионной имплантации. В рамках выбранного метода подробно изложена методика расчета концентрационных профилей перемешивающихся атомов, основанная на численном решении уравнения переноса и методах Монте-Карло. Были получены профили распределения концентрации перемешивающихся атомов хрома и кремния при облучении ионами инертных газов структуры хром — кремний.

В третьей главе приведен анализ диаграмм состояния силицида хрома, образованного под действием ионной обработки. Установлено, что бомбардировка ионами инертных газов системы Сг — БГ стимулирует взаимодействие между атомами хрома и кремния с образованием силицидных фаз при интегральной температуре подложки существенно более низкой, чем те, при которых синтез этих фаз в системе Сг — происходит посредством чисто термической обработке. Фазовый состав, структура и электрофизические свойства образующихся слоев силицидов хрома определяется энергией ионов, их типом и дозой облучения. Наиболее вероятно возникновение силицидов CrSi2 и C^Si. С возрастанием порядкового номера налетающего иона ширина области формирования силицидов хрома увеличивается.

В четвертой главе выполнено теоретическое исследование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома и комплексы дефектов, включающих в себя атомы углерода, кислорода, бора и фосфора. Показано, что атомы замещения хрома не создает дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне кремния. Атомы хрома, входящие в комплекс дефектов с атомами углерода, кислорода, бора и фосфора создают глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне кремния.

В пятой главе исследовано ЭЭС структур кремний (111) — никель (хром) — кремний (111) с различной толщиной металлического слоя. Установлено, что в структурах GNi2, GNi4 и GNi6 у атомов кремния расположенных на расстоянии меньше 1,1а от границы раздела металлполупроводник, в области запрещенной зоны появляются дополнительные электронные состояния, что может привести к увеличению электропроводности этих слоевв структурах GCr2, GCr4 и GCr6 ПЭС атомов кремния, расположенных на расстоянии меньше 1,1а от границы раздела металл — полупроводник, в области энергий, соответствующей полосе запрещенной зоны изменяется несущественновыполненные расчеты ЭЭС позволили в первом приближении определить распределение потенциала в этих структурах. Приведены рекомендации по возможности применения силицидов хрома и структур на их основе в микроэлектронике.

Диссертация выполнена на кафедре физики Таганрогского государственного радиотехнического университета.

1. Исследования ЭЭС структур кремний (111) — два (четыре и шесть) монослоев атомов никеля или хрома — кремний (111) показали что: • в структурах GNi2, GNi4 и GNi6 у атомов кремния, расположенных на расстоянии меньше 1,1д от границы раздела металл — полупроводник, в области запрещенной зоны появляются дополнительные электронные состояния, что может привести к увеличению электропроводности этих слоев- • в структурах 0Сг2,0Сг4 и ОСгб ПЭС атомов кремния, расположенных на расстоянии меньше 1,1 а от границы раздела металл — полупроводник, в области энергий соответствующей полосе запрещенной зоны изменяется несущественно- • электрофизические свойства атомов кремния, находящихся на расстоянии больше 1,1а от границы раздела металл — полупроводник, аналогичны электрофизическим свойствам бездефектного кремния- • распределение потенциала в этих структурах имеет достаточно сложный вид. Атомы металла, скорее всего, образуют потенциальный барьер относительно потенциала атомов Si (0), а по краям ямы (из-за атомов Si (l)) возникает тонкий переходной слой с пониженным значением потенциала.2. Даны рекомендации по возможности применения разработанных моделей и методов в микроэлектронике: • возможность использования их в САПР электрофизических характеристик полупроводниковых структур и элементов СБИС- • предложена модель ТМБ на основе структуры кремний — дисилицид хрома — кремний- • использование силицидов хрома для изготовления сенсоров и фоточувствительных датчиков- • предложен метод геттерирования нежелательных примесей созданием силицидов хрома на нерабочей поверхности кремниевой подложки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные результаты работы заключаются в следующем:

1. Разработана модель процесса ионно-лучевой обработки структуры хром-кремний ионами инертных газов основанная на достоинствах метода Монте-Карло и кинетического приближения.2. В рамках разработанной модели рассчитаны концентрационные профили перемешивающихся атомов хрома и кремния при облучении ионами инертных газов структуры Сг — Si. Было установлено, что перемешанный слой образуется в основном за счет проникновения легких атомов при облучении легкими ионами. При облучении тяжелыми ионами глубины взаимопроникновения атомов примерно равны. Глубина перемешанного слоя при облучении структуры Сг — Si ионами Хе с энергией 300 кэВ примерно равно 0,4 мкм, что сопоставимо с экспериментальными результатами [34] - 0,3…0,4 мкм и это позволяет надеяться на достоверность полученных результатов.3. Приведен анализ диаграмм состояния силицида хрома, образованного под действием ионной обработки. Установлено, что бомбардировка ионами инертных газов системы Cr/Si стимулирует взаимодействие между атомами хрома и кремния с образованием силицидных фаз при интегральной температуре подложки существенно более низкой, чем те, при которых синтез этих фаз в системе Cr/Si происходит посредством чисто термической обработке. Фазовый состав, структура и электрофизические свойства образующихся слоев силицидов хрома определяется энергией ионов, их типом и дозой облучения. Наиболее вероятно возникновение силицидов CrSi2 и CraSi. С возрастанием порядкового номера налетающего иона ширина области формирования силицидов хрома увеличивается.4. Выполнено теоретическое исследование электронного энергетического строения кремния, содержащего атомы хрома и комплексы дефектов, включающих в себя атомы углерода, кислорода, бора и фосфора. Показано, что атомы замещения хрома не создает дополнительные энергетические состояния в запрещенной зоне кремния. Это позволяет предположить, что известные из литературных источников глубокие энергетические уровни в запрещенной зоне кремния, обусловленные атомами хрома, возникают только при образовании сложных комплексов дефектов, в состав которых входит примесный атом хрома, а также атомы других химических элементов. В частности, исследование ЭЭС кремния, содержащего SICRC1 (SICRB1, SICR01, SICRP1) -центр, в состав которого входят примесные атомы хрома и углерода, показало, что в запрещенной зоне кремния возникают следующие глубокие уровни (ГУ): Еу + 0,29 эВЕу +.

0,34 эВЕу + 0,38 эВЕу + 0,42 эВЕу + 0,46 эВ. В случае, когда в состав примесного центра входят атом хрома и атом бора в запрещенной зоне кремния также возникают ГУ: Еу + 0,57 эВЕу + 0,86 эВЕу + 0,9 эВ. Если же в состав примесного центра входят атом хрома и атом кислорода в запрещенной зоне кремния появляются следующие ГУ: Еу+ 0,83 эВЕу + 0,91 эВЕу + 0,94 эВ. Часть данных находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Примесные центры SICRP1, SICRC2, SICRB2, SICR02, SICRP2 ГУ в запрещенной зоне кремния не формируют.5. Выполнено теоретическое исследование ЭЭС структур кремний (111) — два (четыре и шесть) монослоев атомов никеля или хрома — кремний (111).Установлено, что: • в структурах GNi2, GNi4 и GNi6 у атомов кремния расположенных на расстоянии меньше 1,1(3 от границы раздела металл — полупроводник, в области запрещенной зоны появляются дополнительные электронные состояния, что может привести к увеличению электропроводности этих слоев- • в структурах 0Сг2, ОСг4 и GCr6 ПЭС атомов кремния, расположенных на расстоянии меньше 1,1а от границы раздела металл-полупроводник, в области энергий, соответствующей полосе запрещенной зоны изменяется несущественно- • электрофизические свойства атомов кремния, находящихся на расстоянии больше 1,1а от границы раздела металл — полупроводник, аналогичны электрофизическим свойствам бездефектного кремнияраспределение потенциала в этих структурах имеет достаточно сложный вид. Атомы металла, скорее всего, образуют потенциальный барьер относительно потенциала атомов Si (0), а по краям ямы (из-за атомов Si (l)) возникает тонкий переходной слой с пониженным значением потенциаладаны рекомендации по возможности применения разработанных моделей и методов в микроэлектронике.

Показать весь текст

Список литературы

  1. И.Броудай, Дж. Мерей «Физические основы микротехнологии». — М.: Мир, 1985.-496С.
  2. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ. — М.: Радио и связь, 1988, — 496С.
  3. В.А., Козловский В. В. Легирование полупроводников радиационными дефектами при облучении протонами и а-частицами. Обзор.// Физика и техника полупроводников —2001. — Т.35, вып.7.- 769.
  4. И.А., Андронов А. Н., Титов А. И. Физические основы электронной и ионной технологии. — М.: Высшая школа, 1984, — 384С.
  5. Вер Б.Я., Журкин Е. Е., Меркулов А. В., Трушин Ю. В., Харламов B.C. Компьютерное моделирование изменения состава сложных и многослойных структур в процессе ионного распыления.// Журнал технической физики -1996.-Т.66,вьш.З.-С.54.
  6. СИ., Переславцева Н. С. Электронная структура FeSia // Физика твердого тела. — 2002.- Т.44, вып. 4. — 678−682.
  7. В.М., Белицкий В. Ф. Транзисторы с металлической и сверхпроводниковой базой // Зарубежная электронная техника. -1989. -№ 6. -С. 3−38.
  8. В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. / Под ред. Лабунова. — Мн.: Навука i тэхшка, 1992. -248 с.
  9. Э. X. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ./ Под ред. Г. В. Степанова. — М.: Радио и связь, 1982. — 208 с.
  10. М.И., Зайцев В. К., Соломкин Ф. Ю., Ведерников М. В. Термоэлектрические элементы на основе соединений кремния с переходными металлами.// Письма в ЖТФ., 1997 г., том 23.,№.15., 64−69.
  11. Курганский С И. , Левицкая Е. В., Переславцева Н. С. Спектральные характеристики дисилицида молибдена // ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика. — 2002.- № 1.. с. 43−46.
  12. Переславцева Н. С, Курганский СИ. Расчет электронной структуры и плотностей состояния пленки дисилицида кобальта // ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика. — 2000.- в.1. — 47−50.
  13. А.В., Холод А. Н., Шапошников В. Л., Кривошеев А. Е., Борисенко В. Е. Зонная структура полупроводниковых соединений Mg2Si и Mg2Ge с напряженной кристаллической рещеткой // Физика и техника полупроводников. — 2002.- Т.36, вып. 5. — 528−532.
  14. А.В., Шапошников В. Л., Кривошеев А. Е., Филонов А. Б., Борисенко В. Е. Полупроводниковые свойства CrSi2 с деформированной рещеткой// Физика и техника полупроводников. — 2003.- Т.37, вып. 4. — С 402−407.
  15. И.А., Девятова СФ., Ерков В. Т. Осаждение силицидов тугоплавких металлов из газовой фазы, их свойства и состав.// Обзоры по электронной технике. Сер.7. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1987. — Вып. 15 (1321).
  16. Данилин Б. С Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок. — М.: Энергоатомиздат, 1989, — 240С.
  17. .С. Применение низкотемпературной плазмы в производстве интегральных микросхем.// Итоги науки и техники. Сер. Электроника. — М.: ВИНИТИ, 1987.-Т.19.-С121−151.
  18. Kolbesen B.O., Cerva Н/ Defects due tu metal silicide preciptitation in microelectronic device manufacturing: the unlovely face of transition metal silicides. Phys. Stat. Sol. (b) 222. P. 303−317.
  19. Kurup M.B., Bhagawat A., Prasad K. C. Investigation of ion beam mixing in PdSi, SnSi and WSi stractures//Ibid. P. 473−478.
  20. Ю., Петраускас Г., Скоробогатос Г. и др. Ионно-лучевое перемешивание границы раздела металл-арсенид галия//Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах. Вильнюс: Изд-во Вильнюс, ун-та, 1985. с. 209−220.
  21. В.Н., Шипатов Э. Т. Радиационно-стимулированная диффузия золота в кремний// Тез. докл. ХШ Всесоюз. совещ. по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1983. СЛ38.
  22. J. Lindhard, М. Scharff, and Н. Е. Schiott, Kgl. Danske Videnskab., Selskab., Mat. Phys. Medd. 33, No. l4 (1963).
  23. J.F. Gibbons, W.S. Johnson, and S.W. Mylroie, Projected Range Statistics in Semiconductors, Dowden Hutchinson and Ross, Academic Press, Stroudsburg (1975).
  24. B. Smith, Ion Implantation Range Data for Silicon and Germanium Device Technologies, Learned Information (Europe) Ltd., Oxford (1977).
  25. J.P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Inst.& Methods 174,257 (1980).
  26. Е.Г. Шейкин. Расчет пробегов тяжелых ионов низких энергий в аморфной среде// Журнал технической физики, 1997, том 67, № 10. — с. 16−20.
  27. Ф.Ф. Комаров, И, Е. Мозолевский, П. П. Матус, Э. Ананич. Распределение внедренной примеси и выделенной энергии при высокоэнергетической ионной имплантации// Журнал технической физики, 1997, том 67, № 1. -с.61−67.
  28. Е.Г. Шейкин. Пробеги тяжелых ионов низких энергий в берилии, боре, углероде и кремнии.//Журнал технической физики, 1998, т.68, № 9. -с.33−36.
  29. В.А. Белый, Ф. Ф. Комаров. Флуктуационный механизм формирования прерывистых треков быстрыми ионами в кристаллах.//Журнал технической физики, 1998, Т.68, № 9. -с. 42−44.
  30. Ю.Д. Корнюшкин. Распределение по глубине вакансий, возникающих при облучении поверхности твердого тела потоком ускоренных ионов.//Журнал технической физики, 1998, т.68, № 4. -с.60−65.
  31. Е.Г. Шейкин. Определение параметров модельного потенциала взаимодействия из сравнения экспериментальных и теоретических значений пробегов ионов в аморфном веществе.//Журнал технической физики, 2000, Т.70, ВЫП.8. — с. 63−68.
  32. В.А. Вольпяс, П. М. Дымашевский. Регрессионная модель каскада смещенных атомов при ионном распылении твердого тела.//Журнал технической физики, 2001, т.71, вып.11. -с. 1−5.
  33. В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью./ Пер. с англ. Степановой М.Г.щод ред. Машковой Е. С. — М.: «Мир», 1995 Г.-405С.
  34. А.Ф. Моделирование траекторий заряженных частиц в веществе. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 200С.
  35. Y. Yamamura and Н. Inura, Rad. Effects 38,2511 (1978).
  36. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения.: Пер. с англ./Под ред. Д. Миллера.-М.: Радио и связь, 1989,-280 с.
  37. Ю.Ф., Серба П.В.Применение уравнения Больцмана к описанию миграции атомов отдачи.// Поверхность, 1992 г., № 3, 51 -53.
  38. Ю.Ф., Серба П. В. Процессы миграции примеси при ионном облучении.// Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Конструкторско-технологическое обеспечение качества микро- и радиоэлектронной аппаратуры», Ижевск.: 1988. 62.
  39. Blinov Yu. F., Serba P.V. Theoty of Recoil Implantation.// Phys. Stat. Sol., 1989, V. Al 16, N2. p.555−560.
  40. Ю.Ф., Серба П. В. Распределение атомов отдачи по глубине.// Поверхность, 1994 г., 8−9.
  41. Блинов Ю. Ф, Серба П. В. Диффузионная модель имплантации отдачей.// Физика и техника полупроводников, 1985 г., т. 17, вып. 10, 16−19.
  42. А.Н., Самарский А. А. Уравнения математической физики. — М.: «Наука'М966.
  43. А.А., Гулин А. В. Численные методы. — М.: «Наука», 1989.
  44. В.И., Миронов М. А. Марковские процессы. М.: Сов. радио, 1977.488с.
  45. Н.А., Ф.И. Касимова, Серба П. В., Ю.Ф. Блинов. Динамическое моделирование ионно-лучевого перемешивания методом Монте-Карло.// «Научные известия» Сумгаитского государственного университета. Т. З, № 3, 2003. 9−12.
  46. Mayer J.W., Tsaur B.Y., Lau S.S., Hung L. S. Ion-beam induced reactions in metal-semiconductor and metal film structures.// Nucl. Instr. Meth. 1981.V.182/183.Part.LP.l-13.
  47. Э.Т. Обратное рассеяние быстрых ионов.: Изд-во Ростовского университета, 1988.160 с.
  48. П.В., Блинов Ю. Ф., Сеченов Д. А. Ионное перемешивание на границе раздела двухслойной мишени.// Физика и химия обработки материалов., 1994 г., № 2, 23−25.
  49. А.Г. Захаров, Н. А. Мисюра, П. В. Серба. Моделирование синтеза тонких слоев хрома при ионно-лучевой обработке.// Известия ТРТУ, № 1. 2004.С.199−202.
  50. Paine В.М., Liu В.Х. Ion beam mixing // Ion beam Assisted Film Growth. Amsterdam ets. 1989. P. 153−221.
  51. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции./Под ред. Поута Дж. М.: Мир, 1982.576 с.
  52. Chen L. J., Hou C.V. Ion beam induced silicide formation in silicon// Thin Solid Films. 1983. v. 104, N 1 — 2, P. 167−173.
  53. Poker D.B., Appleton B.R. Linear dose dependence of ion beam mixing of metals on Si.// J. Appl. Phys., 1985. v. 57. N 4. P. 1414−1416.
  54. Hamdi A.H., Nicolet M.A. Cobalt silicide formation by ion mixing.// Thin Solid Films. 1984. v. 119, N 4, P. 357 — 363.
  55. Габович M. B, Плешивцев H.B., Семашко H.H. Пучки ионов и атомов для управляемого термоядерного синтеза и технологичесьсих целей. — М.: Энергоатомиздат. — 1986. 286 с.
  56. А.П., Махлин., Поляков В.А.// физика и химия обработки материалов. — 1991. № 3. 5−13.
  57. И.М., Каганов М. И., Танатаров Л.В.// Атомная энергия. 1959. Т.16.№ 4.С.391−402.
  58. Ф.Ф. Комаров, В. Н. Ювченко. Модель термического пика для описания трекообразования в кристаллах полупроводников, облучаемых тяжелыми высокоэнергетичными ионами //Журнал технической физики, 2003, Т.73, вып.6. — 56−60.
  59. П. Распыление ионной бомбардировкой, общие теоретические представления. Под редакцией Р. Вершина. — М.: Мир. 1984 г. 336 с.
  60. А.Н., Лигачев А. Е., Куракин Н. Б. Воздействие пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. — М.: Энергоатомиздат. 1987. 184 с.
  61. А. Г. Захаров, Н. А. Мисюра Н.А., Арзуманян Г. В. Моделирование формирования силицидов хрома в приповерхностном слое кремния// III Международная конференция «Химия и современные микро- и нанотехнологии». Кисловодск. 2003 212.
  62. П.В., Семин Ю. А., Скупов В. Д., Тетельбаум Д. И. // Физика и техника полупроводников. — 1986. Т.20. № 3. с 503−507.
  63. Semiconducting Silicidies, ed. By V.E. Borisenko (Berlin, Springer, 2000).
  64. F.Y. Shiau, H.C. Cheng, L.J. Chen.// J. Appl. Phys., 59,2784 (1986).
  65. H. Lange. Phys. St. Sol. (b), 201,3 (1997).
  66. N.G. Galkin, T.A. Velichko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Sol. Films, 280, 211(1996).
  67. А.Г. Захаров, H.A. Мисюра H.A., Арзуманян Г. В. Образование силицидов хрома на поверхности кремния при ионно-лучевой обработке структуры хром-кремний.// Сборник «Математические модели физических процессов.». Из-во: ТРТУ. 95.
  68. N.G. Galkin, A.M. Maslov, S.I. Kosilov, A.O. Talanov, K.N. Galkin. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviens and Short Notes to NANOMEETING-2001 (Singapore, World Scientific, 2001) p. 190.
  69. Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных схемах // И. Н. Воженин, Г. А. Блинов, Л. А. Коледов и др. Под ред.И. Н. Воженина. — М., Радио и связь, 1985. — 264 с.
  70. Е.А. Туренко, О. Б. Яценко «Фазовые превращения при ионно- плазменном синтезе тонкопленочных силицидов меди» // Конденсированные среды и межфазные границы 2000 том 2, № 3, с 218−222.
  71. Slater J.C. Wave function in a periodic potential // Phys. Rev. -1937. -Vol. 51, № 10.-P. 846−851.
  72. B.L. Gyorffy, M.S. Stott. A one-electron theory of soft X-ray emission from random alloys.// Band structure spectroscopy of metals and alloys. Ed. by D. Fabian, p. 385−403./Academic Press, Ld, N. Y, 1973. — 618 p.
  73. A. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. — М.: Мир.-1977.-562 с.
  74. C.S. Wang, В.М. Klein. Electronic stiycture of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, ZnSe // Phys. Rev. B. — Vol. 24, № 6. -p. 3393−3429. -1981.
  75. Е.С., Карзанов В. В. О втором донорном уровне межузельного хрома в кремнии // Физика и техника полупроводников. -1992. -Т. 26, вып. 9. -С. 1656−1659.
  76. Г. Электроника дефектов в полупроводниках. Пер. с англ. -М.: Мир, 1974.-463 с.
  77. Автоматизация проектирования СБИС. В 6 кн.: Практ. Пособие. Кн.5. В. Я. Кремлев. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС / Под ред. Г. Г. Казенова. — М.: Высш.шк., 1990. — 144 с.
  78. В.И. Особенности образования барьера в реальных контактах металл-ковалентный полупроводник // Известия высших учебных заведений. Электроника. -1998. -№ 1.- 49−55.
  79. П.П., Канчуковский О. П. Изменение высоты барьера контактов M-n-Si в условиях деформации // Физика и техника полупроводников. — 1990.- Т.24, вып. 2. — 310−313.
  80. В.М., Белицкий В. Ф. Транзисторы с металлической и сверхпроводниковой базой // Зарубежная электронная техника. -1989. -№ 6. -С. 3−38.
  81. Д.А., Захаров А. Г., Набоков Г. М. Электрофизические свойства МДП-структур, сформированных на кремнии с высокой плотностью дислокаций // Известия вузов. Физика. -1977. -№ 9. — 137−138.
  82. А.Г., Дудко В. Г., Набоков Г. М., Сеченов Д. Л. Влияние глубоких дислокационных уровней в кремнии на свойства р-п-переходов // Известия вузов. Физика. -1988. -№ 1. — 81−84.
  83. Н.Г., Конченко А. В. и Полярный В.О. Фотоэлектрические свойства гетероструктур Si (lll)/ b -FeSi 2 в области энергий 0.65−3.1 эВ// Известия вузов. Электроника. 2001, № 4, 249−256.
  84. Н.Г., Ваванова СВ., Конченко А. В., Маслов A.M. и Полярный В.О. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок Mg2Si на Si (111)// Известия вузов. Электроника. 2001, № 5, 291−298.
  85. Н.Г., Ваванова СВ., Конченко А. В. и Маслов А.М- Формирование, оптические и электрические свойства тонких пленок сплавов CrxFei. xSi2 на Si (111) // Известия вузов. Электроника. 2001, № 5, с. 302−309.
  86. Galkin N.G., Goroshko D.L., Ivanov V.A. and Kosikov S.I. In situ Hall measurements of Si (lll)/Cr, Si (lll)/Fe and Si (lll)Mg disordered systems at submonolayer coverages// Applied Surface Science. 2001, V. 175−176, N3, P. 223−229.
  87. Galkin N.G., Konchenko A.V., Vavanova S.V., Maslov A.M. and Talanov A.O. Transport, optical and thermoelectrical properties of Cr and Fe disilicides and their alloys on Si (l 11)// Applied Surface Science. 2001, V. 175−176, N3, P. 299−305.
  88. Ф.Ф., Новиков А. П., Соловьев B.C., Ширяев СЮ. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. — М.: Университетское, 1990. — 390 с.
  89. В.Е. Проблемы микроэлектроники (1. Диффузия. 2. Дефектообразование. 3. Деградация.) // Физика и техника полупроводников. -1995. -Т. 29, вып. 5. -С 842−856.
  90. Ш., Тургунов Н. А., Ашуров М. Ю., Маманова М., Мартынченко СВ. Исследование влияния радиационной и термической обработки на состояние центров золота в кремнии // Физика и техника полупроводников // - 1994. -Т. 28, вып. 12. -С. 2156−2161.
  91. О.В., Якимов Е. Б., Ярыкин Н.А, Дефектообразование в кремнии, легированном золотом, при облучении низкоэнергетическими электронами // Физика и техника полупроводников, — 1994. -Т. 28, вып. 12. — С 2179—2184.
  92. Н.А., Серба П. В. Механизмы формирования силицидов при ионно-лучевом перемешивании.// ТРТУ Актуальные проблемы твердотельной электроники. Труды VIII Международной конференции по электронике и микроэлектронике. Таганрог. 2002. 108.
  93. Д.Н., Воронцова Т. П., Канстантинов О. В. Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой гетероструктуре // Физика и техника полупроводников .-1992.- Т.26, вып. 12. — 2118−2128.
  94. Э.М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металургия, 1983. -192 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!