Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда с политетрафторэтиленом. 
Изучение свойств плазмомодифицированных материалов

Диссертация: Исследование механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда с политетрафторэтиленом. Изучение свойств плазмомодифицированных материалов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Большой объем исследований, выполненных за поеледайе 25 лет, показал, что в настоящее время плазмохимия рассматривается, как одно из наиболее перспективных средств современной технологии. Круг задач, решаемых с применением неравновесной плазмы газового разряда, необычайно широк сейчас и, несомненно, будет развиваться в дальнейшем. Наибольшее применение в технике находят гетерогенные процессы… Читать ещё >

Исследование механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда с политетрафторэтиленом. Изучение свойств плазмомодифицированных материалов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЯВЛЕНИЯ НА ГРАНИЦЕ ПЛАЗМЫ НЕРАВНОВЕСНОГО ГАЗОВОГО РАЗРЯДА НИЗКОГО ДАВЛЕНИЯ С ПОВЕРХНОСТЬЮ ТВЕРДОГО ТЕЛА (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
    • 1. 1. Функции распределения электронов по энергиям
    • 1. 2. Потоки тяжелых частиц на поверхность образца
    • 1. 3. Воздействие светового излучения плазмы на полимеры
    • 1. 4. Особенности плазменной обработки полимеров
    • 1. 5. Методы исследования поверхностей твердых тел, подвергшихся плазменной обработке
    • 1. 6. Травление поверхности полимеров под действием плазмы тлеющего разряда
    • 1. 7. Плазмохимическое получение органических пленок
    • 1. 8. Ре з ю м е
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЙ
  • ПЛ. Исследование действия разряда постоянного тока (РПТ) на политетрафторэтилен (1ШЭ)
  • П. 1.1. Приготовление образцов
  • П. 1.2. Описание экспериментальных установок
  • П. 1.3. Методика зондовых измерений
  • П. 2. Измерение спектров излучения плазмы
  • П.З. ЭПР — спектроскопия
  • П. 4. ИК — спектроскопия
  • П. 5. Оптическая и электронная микроскопия

ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕЙСТВИЯ РАЗРЯДОВ ПОСТОЯННОГО ТОКА В РАЗЛИЧНЫХ ПЛАЗМ00БРАЗУЩИХ ГАЗАХ НА ГШЭ. СРАВНЕНИЕ ВУФ-Ф0Т0ЛИЗА ПТФЭ И ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ Ш. 1. Экспериментаяьное исследование характеристик

ВУФ излучения РПТ и выбор разрядных условий 57 Ш. 1Л. Идентификация спектров излучения РПТ в диапазоне ВУФ

Ш. 1.2. Актинометрия потоков ВУЗ? излучения.

Ш. 1.3. Исследование особенностей РПТ, возбуждаемых в различных плазмообразующих газах.

Ш. 2. Идентификация радикалов, образующихся в ПТФЭ под действием РПТ и ВУФ-излучения

Ш. З. Кинетические зависимости накопления радикалов при плазменной обработке ГГШЭ Ш. 4. Накопление радикалов в ШФЭ под действием ВУФ излучения.

Ш. 5. Особенности деструкции ПТФЭ и травления поверхности образца в условиях ВУФ-фотолиза и плазменной обработки

III.6. Исследование механизма травления ПТФЭ в плазме азота. Роль заряженных частиц.

Ш. 7. Исследование образования стабильных продуктов.

Механизмы плазмохимических превращений в

ПТФЭ

ГЛАВА 1У. ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ И СТРУКТУРА ПЛАЗМО-МОДИФИЦИРОВАННЫХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ПОЛИМЕРОВ И ПОЛИМЕРНЫХ КОМПОЗИЦИЙ.

IV.1. Микрорельеф плазмообработанной поверхности

1У.2. Исследование поверхностей плазмомодифицированных резинотехнических изделий (РТИ).,. 116 1У.З. Электронномикроскопические исследования поверхности нанесенных катализаторов, содержащих комплексы никеля и кобальта на плаз-момодифицированной полиэтиленовой подложке

Большой объем исследований, выполненных за поеледайе 25 лет, показал, что в настоящее время плазмохимия рассматривается, как одно из наиболее перспективных средств современной технологии. Круг задач, решаемых с применением неравновесной плазмы газового разряда, необычайно широк сейчас и, несомненно, будет развиваться в дальнейшем. Наибольшее применение в технике находят гетерогенные процессы, позволяющие модифицировать поверхность твердого тела, т. е. изменять физико-химические характеристики приповерхностного слоя при неизменных объемных свойствах. Именно эта возможность поверхностной обработки является отличительной чертой плаз-мохимической технологии и в большинстве случаев не может быть реализована другими методами.

Характер превращений в поверхностном слое определяется многими факторами, среди которых природа плазмообразущего газа, параметры газового разряда (мощность, рессеиваемая в разряде, давление и геометрические размеры реактора) и свойства материала твердого тела являются основными и, в свою очередь, определяют область использования плазмохимического процесса.

В настоящее время большое распространение получили процессы плазменного травления, широко используемые в производстве микроэлектронных приборов [1−5]. В этом случае травлению подвергаются поверхности различных материалов — металлов, полупроводников, а также диэлектриков, включая органические диэлектрики. Травление проводится как в плазме разрядов в газах, вступающих в химическую реакцию с материалом образца (обычно кислород и галогенсодер-жащие газы), так и в химически инертных газах. В большинстве случаев в этих целях используются ВЧ разряды, возбуждаемые при давлениях сотни Па.

Традиционным процессом плазмохимии является получение органических пленок на твердых подложках, помещенных в плазму L~6-Il]. Осаждение пленок на металлы, полупроводники, неорганические диэлектрики и полимеры производится в газовом разряде, возбуждаемом в полимеризуемых плазмообразующих газах при давлениях обычно менее 100 Па. Энерговклад в такие разряды существенно ниже, чем при травлении и составляет порядка милливатт в расчете на I см^ реактора.

Поверхностное модифицирование материалов также достигается обработкой в плазме электрических разрядов, не образующих органических пленок. Такая обработка неорганических материалов часто используется в целях очистки поверхности образца перед дальнейшей обработкой [г], так как в первую очередь воздействию плазмы подвергаются сорбированные молекулы и загрязнения. Однако, в ряде случаев этот процесс имеет самостоятельное значение. Например, окисление или восстановление поверхности металла, карбиди-рование или азотирование [12], создание активных центров оксидирование Гз J.

Особое значение имеет плазменная обработка в неполимеризуе-мых газах поверхностей твердых полимеров. В контакте с плазмой газового разряда под действием химически активных компонент плазмы могут происходить изменения в поверхностном слое полимера, которые, в известной мере, аналогичны радиационно-химическим процессам.

151- образование радикалов, деструкция, сшивание, образование карбонильных и карбоксильных групп [к]. В результате такого воздействия существенно изменяются контактные характеристики изделий, например, улучшается адгезия полимеров к клеям и покрытиям fl7−2l], изменяется параметр смачиваемости [17,19,22], снижается коэффициент трения [23] и др.

Настоящая работа выполнена в соответствии с планом исследований, проводимых в Отделении ИХЗ? АН СССР, по модифицированию поверхности полимеров с использованием плазмы тлеющего разряда, включая процессы: плазмоинициированной прививки [24J, создания нового класса материалов — полимеров, содержащих функциональный покров и используемых в качестве основы для нанесенных катализаторов [25], получения африкционных покрытий на резинотехнических изделиях как плазмоосажденных, так и путем нанесения тефлоновых пленок на изделия при плазменном активировании процессов [26]. Спецификой этих задач определен крут плазмохимических вопросов, рассмотренных в работе.

Целью настоящей работы является установление механизма взаимодействия плазмы тлеющего разряда низкого давления с политетрафторэтиленом (ПТФЭ): определение основных продуктов, образующихся в 1Ш>Э под действием плазмы, их распределение по глубине, установление роли отдельных компонент плазмы в образовании продуктов в твердом полимере, в особенности роли излучения плазмы в области вакуумного ультрафиолета (ВУЗ?) — определение поверхностных свойств отдельных материалов и изделий, подвергнутых направленного плазмохимическому модифицированию.

ВЫВОДЫ.

1. Разработаны и созданы лабораторные установки для проведения исследований механизма и кинетики превращений в ПТФЭ, подвергнутом действию плазмы тлеющего разряда низкого давления и ВУФ фотолизу, разработаны экспериментальные методики снятия зондовых характеристик разряда, измерения интенсивности и спектра ВУФ излучения плазмы, масс-спектрального анализа состава плазмообразующего газа и летучих продуктов деструкции поверхности полимера, определения концентрации свободных радикалов и стабильных продуктов в поверхностных слоях образцов.

2. Показано, что основными продуктами, образующимися в поверхностном слое ПТФЭ являются фторалкильные и концевые свободные радикалы, а также стабильные соединения, содержащие виниленовые двойные связи и карбонильные группы.

3. Установлено, что при плазменной обработке ПТФЭ разрядами в COg, азоте и воздухе образование радикалов определяется ВУФ излучением в диапазоне 140*155 нм, где 155 нм соответствует верхней границе интенсивного поглощения света для ПТФЭ, а 140 нм l интенсивного излучения возбужденных молекул СО тавляет 0,6 мкм.

4. Предложена феноменологическая модель процесса накопления радикалов под действием разряда постоянного тока, в которой образование радикалов объясняется действием ВУФ излучения плазмы, а гибель — травлением поверхностного слоя образца. Данная модель дает также удовлетворительное количественное описание кинетических зависимостей изучаемых процессов при действии тлеющих разрядов дру.

Толщина слоя, в котором образуются радикалы, сос гих типов и ВУФ фотолизе.

5. Исследованы кинетика и механизм фотолиза ПТФЭ светом резонансных ламп 147 и 123,6 нм. Измерены квантовые выходы образования радикалов J47Hm = (3+1).10″ ^ и 4123 6нм=^—'^.

6. Показано, что плазменное травление ПТФЭ в условиях тлеющего разряда обусловлено, главным образом, потоком заряженных частиц на поверхность полимера, а не действием светового излучения плазмы.

7. Определена доля электрической мощности разряда, которая затрачивается на образование радикалов в поверхностномслое ПТФЭ. В зависимости от рода плазмообразующего газа она составляет в условиях эксперимента 0,5−1,5%. Максимальное значение этого параметра получено для разряда в COg.

8. С использованием оптической отражательной и электронной просвечивающей микроскопии изучена топография поверхности некоторых плазмомодифицированных резин, используемых в узлах трения, с нанесенным на них в процессе плазмохимического модифицирования слоем тефлоноподобного полимера.

9. Методом электронной микроскопии исследована структура поверхностных слоев материалов, полученных плазмоинициированной прививкой ряда мономеров на полиэтилен. Показано, что привитый слой содержит ориентированные монокристаллические структуры, толщина которых не превышает 1−3 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основным результатом настоящей работы является количественный анализ процессов, происходящих на границе плазмы разряда постоянного тока с полимером (ПТФЭ). Методический подход, использованный в работе, заключался в контроле возможно большего числа параметров Газового разряда, а также в выборе таких разрядных условий, при которых изменялись характеристики одной из активнодей-ствующих компонент плазмы (в данной работе, в основном, ВУЗ? излучение плазмы и потока заряженных частиц), а параметры остальных либо оставались неизменными, либо могли быть измерены. Такой подход, на наш взгляд, оказался достаточно продуктивным и позволил в данном конкретном гетерогенном плазмохимическом процессе вцде-лить главный канал взаимодействия — установить роль ВУФ излучения плазмы в процессе образования радикалов. Естественно, что результаты данной работы являются специфичными для деструктиругощего полимера и в сшивающихся полимерах основным каналом может являться другой процесс (молекулярный отрыв водорода, образование двойных связей, поперечных сшивок и т. д.).

На основании полученных данных предложена феноменологическая модель процесса, рассматривающая образование фторалкильных радикалов под действием ВУФ излучения плазмы и их гибель в процессе плазменного травления поверхности полимера. Как было установлено, данная модель удовлетворительно объясняет явления как в разрядах других типов (ВЧ — разряд, низкочастотный разряд), так и в процессах ВУФ фотолиза резонансными лампами (147 и 123,6 нм).

Показать весь текст

Список литературы

  1. Coburn J.W., Winters H.F. J.Vac.Sci.and Technol., 1979, v.16,p.391
  2. B.C., Киреев В. Ю. Ионное травление микроструктур, М. Советское радио, 1979.
  3. Bell А.Т., in Techniques and Application of Plasma Chemistry, ed. Hollahan J.R., Bell A.T., Willey-Interscience, New York, 1974, p.1
  4. Hudis M., in Techniques and Application of Plasma Chemistry
  5. Coopes L.H., Gitins K.J. J.Macromol.Sci., Chem., 1982, v. A17(2), Np.217
  6. Ю.А. в кн. Синтез в низкотемпературной плазме, п/р Л. С. Полака, М., Наука, 1980, с. 24.
  7. Millard М., in Techniques and Applications of Plasma Chemistry, ed, Hollahan J.R., Bell A.T., Wiley-Interscience, New York, 1974, p.177
  8. Yasuda H.. J.Polym.Sci., Macromol.Rev., 1981, v.16, p.199
  9. B.M., Гильман А. Б., Цапук А. К. Успехи химии, 1967, т.З, вып.8, с. 1380.
  10. Ю.Полак Л. С., Овсянников А. А., Словецкий А. И., Вурзель Ф. Б.,
  11. Теоретическая и прикладная плазмохимия, М., Наука, 1975, с. 304.
  12. Suhr Н. Plasma Chem. and Plasma Process, 1983, v.3, N 1, p.1
  13. С.А., Плазмохимические технологические процессы, Ленинград, Химия, 1981, с.247.
  14. Veprec S. Chimia, 1980, v.34, N 12, p.489.
  15. Veprec S. Pure and Appl.Chem., 1982, v.54, N 6, p.1157.
  16. Von Stiller W., Priedrich J.2.fur Chemie, 19Q1, v.21, N 3, p.91
  17. Polymer Surfaces ed.D.T.Clark, W.J.Feast, Wiley, New York, 1978,4411
  18. M.A., Малин В. П., Абосов С. А. Воздействие электрических разрядов на полимерные диэлектрики, Баку, ЭЛМ, 1975.
  19. Tezuka М. Chem.Ind.Japan, 1981, v.32, N9, p.938
  20. Ouellette R.P., Barbier M., Cheremisinoff P.N. Electrotechnology v.5, Low-temperature plasma technology application, Ann Arbor, Munch., 1980
  21. Рефераты УП семинара по клеям и отделочным материалам, Мюнхен, 1983, № 1−2, р.6.
  22. Kammer H.W. Acta polym., 1983, v.34, N 2, p. 112
  23. С.И., ХВЭ, 1983, т.17, № 3, с. 253.
  24. Arnold С., Bieg K.W., Cuthrell R.E., Nelson Q.C. J.Appl.Polym.Sci. 1982, v.27, N 3, p.821
  25. A.H., Крицкая Д. А., ВМС, сер.Б., 1981, т.23, № 10, с. 786.
  26. Д.А., Помогайло А. Д., Пономарев А. Н., Дьячковский Ф. С., ВМС, сер.А., 1979, т.21, № 5, с. 1107.
  27. Е.А., Оськин B.C., Пономарев А. Н., Семенов А. В., Силин А. А., Соколовский А. А., Тальрозе B.JI., Тихомиров Л. А., Хомяков А. В. Авт.свидетельство СССР № 518 039 по заявке2 109 272 от 28.02.75 г.
  28. А.Е., Клейман A.M., Пономарев А. Н., Силин А. А., Степанов Б. М., Тальрозе В. Л., Тихомиров Л. А., Хомяков А. В., Авторское свидетельство СССР № 642 950 по заявке № 2 521 504 от 22.08.77 г.
  29. В.Л., Электрический ток в газе. Установившийся ток, М., Наука, 1971, 544 с.
  30. А. Ионизованные газы, М. Физматгиз, 1959, 322 с.
  31. Мак-Даниэль И. Процессы столкновений в ионизованных газах, М., Мир, 1967.
  32. .М. Атомные столкновения и элементарные процессы в плазме, М., Атомиздат, 1968, 456 с.
  33. О.В. Электрический зонд в плазме, М., Атомиздат, 1969, 291 с.
  34. Спектроскопия газоразрядной плазмы, ц/р С. Э. Фриш, Ленинград, Наука, 1970, 361 с.
  35. Ю.М., Спектроскопия газоразрядной плазмы, Ленинград, Наука, 1970.
  36. Ю.А., Полак Л. С. в сб.Химия плазмы- п/р Б. М. Смирнова,
  37. M.v Атомиздат, 1975, вып.2, с. 161.
  38. Kay Е., Coburn J., Dilks A. Plasma Chemistry iii, ed.S.Veprek, M. Venugapalan, Wiley-Interscience, New York, 1971, v.1,p.1
  39. Venugapalan M., in Reactions under Plasma conditions, ed M. Venugapalan, Wiley-Interscience, New York, 1971, v.1,p. 1
  40. Ю.А., Кандидатская диссертация, ИНХС АН СССР, Москва, 1971 г.
  41. Gupta D.R., Gupta G.L., Bhargava D.C. Indian J.Phys., 1972, v.46,N Jp.95
  42. Beyet M., Guerineau P. C.R.Acad.Sci., Paris, 1954, v.239,p.1029
  43. Margenau H. Phys.Rev., 1958, v.109, p.6
  44. Rundle H.M., Clark D.R., Deckers J.M. Canad.J.Phys., 1973, v.51, N 2, p. 144
  45. Klagge S. Beitr. Plasma Physik, 1975, v.15, N 6, p.309
  46. Д.И., Докторская диссертация, ИНХС АН СССР, Москва, 1978.
  47. Coburn J.W., Chen М. J.Appl.Phys., 1980, v.51, p.3134
  48. Г. А., Полак Л. С., Словецкий Д. И., в кн. Синтез в низкотемпературной плазме, п/р Л. С. Полака, М., Наука, 1980, с.44−66.
  49. Teauka М., Miller L.L. J.Am.Chem.Soc., 1977, v.99, p.5832
  50. Winters H. Plasma Chemistry III, Acaderaic-Verlag, Berlin, 1981, p.7*
  51. Coburn J.W., Kay E. J.Appl.Phys., 1979, v.50, p.3189
  52. Coburn J.W., Kay E. J.Appl.Phys., 1972, v.43, p.4965
  53. Hudis M. J.Appl.Phys., 1973, v.44, N 4, p.1489
  54. Talrose V.L., Karachevtzev G.V., in Reactions under Plasma Conditions, ed. Venugopalan, Wiley-Interscience, New York, 1971, v.2,p.2!
  55. Л.С., ХВЭ, 1972, т.6, № 3, с. 266.
  56. Chen K.S., Inagaki N., Katsuura К. J.Appl.Polym.Sci., 1982, v.27, N 12, p. 4665
  57. Г. А., в кн.Новые аспекты нефтехимического синтеза,
  58. М., ИНХС АН СССР, 1978, с. 93.
  59. Smolinsky G., Vasil M.J. Int.J.Mass Spect. and Ion Phys, 1975, v.16, p.137
  60. Vasil M.J., Smolinsky G. Int.J.Mass Spect. and Ion Phys, 1975, v.181. P.17S
  61. Vasil M.J., Smolinsky G. Int.J.Mass Spect. andlon Phys, 1976, v.21,p. 263
  62. G.Smolinsky, Vasil M.J. Int.J.Mass Spect. and Ion Phys, 1976, v.22,p.171
  63. Smolinsky G., Vasil M.J. Int.J.Mass Spect. and Ion Phys, 1977, v.24,p.31 160"Smolinsky G., Vasil M.J. J.Macromol.Sci.Chem., 1976, V. A10, p.47 361 .Kikkawa Sh., Nomyra M., Morita Y., Hosokawa N. Chem.Lett., 1974, p.133
  64. Capitelli M., Molinari E., in Plasma Chemistry II, ed S. Veprek, M. Venugopalan, Springer-Verlag, Berlin, 1980, p.59
  65. D’Agostino R., Gramarossa F., De Benedictis S. Plasma Chem. and Plasma Proc., 1982, v.2, К 3, p.213
  66. Hudis M., J.Appl.Pol.Sci., 1972, v.16, p. 2397
  67. Hudis M., Prescott L.E. J.Pol.Sci., 1972, v. B10, p.179
  68. Ю.Й., Скурат B.E., ХВЭ, 1979, т.13, № 3, с. 255.
  69. Partrige Р.Н. J.Chem.Phys., 1966, v.45, p.1685
  70. B.H., Тихомиров Л. А., Пономарев А. Н., ХВЭ, 1981, т.15, № 2, с. 147.
  71. Н.П., Радциг В. А., Виленский А. И., Владыкина Т. Н., Кротова Н. А., ДАН СССР, 1971, т.199, «2, с. 198.
  72. В.А., Мамуня Е. П., Роттер Е. А., Лебедев Я. С., ДАН СССР, 1977, т.233, № 5, с. 896.
  73. В.М., Бланк В. А., ЖПС, 1968, т.9, с. 827.
  74. А.Р., Фридрихов С. А., Вторично-эмиссионные методы, М., Наука, 1977, с. 551.
  75. К., Нордлинг К., Фальман А., Норберг Р. и др. Электронная спектроскопия, М., Мир, 1971, с. 493.
  76. Formation and Trapping of Free Radicals ed.A.M.Bass, H.P.Nroida Academic Press, New York, 1960
  77. Bamford С.H., Jenkins A.D., Ward J.С. Nature, 1960, v. 186, p.712
  78. Bamford C.H., Ward J.C. Polymer, 1961, v.2,p.277
  79. B.H., Тихомиров JI.А., Пономарев A.H., ХВЭ, 1978, т.12, № 5, с. 442.
  80. В.Н., Тихомиров Л. А., Пономарев А. Н., ХВЭ, 1979, № 13, № 2, с.171.
  81. В.Н., Тихомиров Л. А., Пономарев А. Н., ХВЭ, 1981, т.15, № I, с. 17.
  82. Wall L.A., tngalls R.B. J.Polym.Sci., 1962, v.62, p.267
  83. Ingalls R.B., Wall L.A. J.Chem.Phys., 1961, v.35, p.370
  84. Ingalls R.B., Yong W.A. J.Chem.Phys., 1965, v.43, p.1759
  85. Morosoff N., Crist B., Bumgamer M., Hsu T., Yasuda H. J.Ivlacromol. Sci.Chem., 1976, v. A10, N 3, p.451
  86. Yasada H., Hsu T.S. J.Pol.Sci., Pol.Chem., 1977, v.15, p.2411
  87. Millard M.M., Windle J.J., Pavlath A.E. J.Appl.Pol.Sci., 1 973, v.17, p.2501
  88. С.Я., Котов А. Г., Милинчук В. К., Рогинский В. А., Туниников В. И., ЭПР свободных радикалов в радиационной химии, М., Химия, 1972, с. 480.
  89. В.К., Клиншпонт Э. Р., Пшежецкий С. Я., Макрорадикалы, М., Химия, 1980, с. 264.
  90. Г. К., Лаврентович Я. И., Кабакчи A.M., Атомная энергия, 1973, т.35, № б, с. 427.
  91. Abe Н., Imaizumi M., Oho К. J.Phys.Soc.Jpn., 1973, v.35,N 5, p.1365
  92. Э.Р., Милинчук В. К., Пшежецкий С. Я., ХВЭ, 1969, т.З, № 4, с. 357.
  93. В.П., Милинчук В. К., ВМС, сер.А, 1974, т.16, № 4, с. 816.
  94. Judeikis Н., Hedgpeth Н., Siegel S. Radiat.Res., 1968, v.35,N 2, p.24
  95. Siegel S., Hedgpeth H. J.Chem.Phys., 1967, v.46, N 10, p.3904
  96. Iwasaki M., Sakai Y. J.Pol.Sci., A2,1968,v.6, N 1, p.265
  97. Che M., Tench A.J. J.Chem.Phys., 1976, v.64, p.2370
  98. О.Я., Дубинский А. А., Полуэктов О. Г., Лебедев Я. С., Теор. и эксп. химия, 1981, т.17, № 6, с. 806.
  99. Э.Р., Милинчук В. К., ХВЭ, 1967, т.1, с. 242.
  100. Э.Р., Милинчук В.К, Пшежецкий С. Я., ВМС, 1970, T. I2A, № 7, с. 1505.
  101. Г. А., Зубарев В. Е., Полак Л. С., Словецкий Д. И., ХВЭ, 1979, т.13, № 2, с. 188.
  102. Brookes A., Konig Н. Stschr. Physic, 1951, v.152, p.491
  103. B.H. Кандидатская диссертация, МФТИ, М., 1979.
  104. Nguen L.Т., Sung N.H., Such N.P. J.Polym.Sci., Polym.Lett., 1980, v.18, N 8, p.541
  105. Yasuda H., Lamaze C.E., Sakaoku K. J.Appl.Polym.Sci., 1973, v.17,p.137
  106. Rice D.W., 0'Kane D.F. J.Electrochem.Soc., 1976, v.123,p.1308
  107. Carlsson D.J., Wiles D.M. Can.J.Ghem., 1970, v.48,p.2397
  108. Collins C.C.S, Lowe A.C., Nichilas D. Eur.Pol.J., 1973, v.9,p.1173
  109. O’Kane D.P., Rice D.W. J.Macromol.Sci, Chem., 1976, v. A10,p.579
  110. Clark D.T., Dilks A., Shuttleworth D., in Polymer Surfaces, ed.D.T.Clark, W.J.Peast, Wiley-Interscience, New York, 1978, p.185
  111. D.T.Clark, Dilks A. J.Polym.Sci., 1977, v.15, p.2321
  112. Clark D.Т., Wilson D.W. J.Polym.Sci., 1983, v.21, N 3, p.837
  113. Guntherschulze A., Meyer K. Vacuum, 1953, v.3,p.360
  114. Wehner G.K. Adv. Electronics Electron Phys., 1955, v.7,p.239
  115. Oechsner H. Appl.Phys., 1975, v.8,p.185
  116. Sigmund P. Phys.Rev., 1969, v.184,p.383
  117. Thompson M.W. Phil.Mag., 1968, v.18,p.377
  118. Brandt W., Laubert R. Nucl.Instr.Methods, 1967, v.47,p.201
  119. Oechsner H., Schoof H., Stumpe E. Surf.Sci., 1978, v.76,p.343
  120. Madey Т.Е., Yates J.T. Surface Sci., 1977, v.63, p.203
  121. Menzel D. Surface Sci., 1975, v.47, p.370
  122. Drinkwine M.J., Lichtman D. Progr, Surf.Sci., 1977, v.8,p.123
  123. Kay, E., Dilks A., Seybold D. J.Appl.Phys., 1980, v.51,N 11, p.5675
  124. Heineeke R.A.H. Solid State Electron, 1975, v.18,p.1146
  125. Е.Д., Дембовская Ю. В., Туркина E.C., ВМС, сер.Б., 1983, т.25, № 10, с. 731.
  126. Ungar G., Grubbt D.Т., Keller A. Polymer, 1980, v.21,p.1281
  127. Peterman Y., Gleiter H. Kolloid 2. und2.fur Polymer, 1973, Bd 251, N 11, 5850
  128. JI.И., Лебедев Е. В., ВМС, сер.А., 1973, т.15, с. 1674.
  129. Kobayashi Н., Bell A.T., ShenM. J.Appl.Polym.Sci., 1973, v.17,p.885
  130. Westwood A.R. Eur.Polym.J., 1971, v.7, p.363
  131. Thomson L.F., Mayhan K.G. J.Appl.Polym.Sci., 1972, v.16,p.2291
  132. Yasuda H., Marsh H.C., Tsai Y. J.Appl.Polym.Sci., 1975, v.19,p.215
  133. Г. К., Иванов D.A., ХВЭД978, т.12, № 6, с. 542.
  134. Г. К., Иванов Ю. А., Полак Л. С., ХВЭ, 1980, т.14, № 2, с. 174.
  135. Deutsch Н. Beitr Plasma Phys., 1977, v.17, p.343
  136. Lam D.K., Baddour R.F., Stancel A.F. J.Macromol.Sci.Chem., 1976, v. A10, N 3, p.421
  137. Bell A.T., in Plasma Chemistry III, Akademic-Verlag, Berlin, 1981 p. 44
  138. Yasuda H., Hsu T.S. Surface Sci., 1978, v.76, p.232
  139. Kay E., Coburn Y.W., Kruppa G. Le Vide, 1976, v.183,p.89
  140. Kay E., Dilks A. Thin Solid Films, 1981, v.78, N 4, p.309-
  141. J.Vac.Sci.and Technol., 1981, v.18,N 1, p.1
  142. Salhi A., Soong D.S., Bell A.A. Polym.Eng.and Sci., 1981, v.21, N 11, p.643
  143. A.H., Шрейдер Е. Я., Спектроскопиявакуумного ультрафиолета, М., Наука, 1967, с. 471.
  144. А.А., Гринберг О. Я. и др. ПТЭ, 1977, № 4, с.284.
  145. К.М., Семенов А. Г., Цветков Ю. Д. Электронное спиновое эхо и его применение, изд.Наука, СО, Новосибирск, 1976, с. 342.
  146. Н., Спектроскопия внутреннего отражения, изд.Мир, М., 1970, 335 с.
  147. The catalog of infrared spectral data, Amer.Petrol.Inst.Texas
  148. Atlas of Spectral data and Physical constants for organiccompounds ed. J.G.Gzasselli, W.M.Ritchey, CEC Press Inc, Cleveland
  149. JI., Инфракрасные спектры атомов, изд.ИЛ., М., 1957, 44с.
  150. ., Микроскопическая техника, М., изд. ИЛ, 1954, с. 718.
  151. Г., Методика электронной микроскопии, М., Мир, 1972, с. 119.
  152. Я. Экспериментальные методы в химии полимеров, т.2, М., Мир, 1983.
  153. Kentgen G.A. Anal.Chem., 1982, v.54, N 5, p.244
  154. К.Эндргос, Д. Дайсон, С. Киоун, Электронограммы и их интерпретация, М., Мир, 1971.
  155. В.М., Шапкина Р. В. Атлас многолинейчатого спектра молекулярного водорода, Таллин, изд.АН ЭССР, 1981.
  156. Read D.N. Phys.Rev., 1934, v.46, N 7, p.571
  157. Л.С., Словецкий Д. И., Федосеева Т. В., ТВТ, 1981, т.19, № 5, c. II35.
  158. Ф.И., Правилов А. И., ХВЭ, 1970, т.4, № 4, с. 401.
  159. Filseth S.V. Advances in photochemistry, v.10,Interscience Publication, New York, London, Sydney, p.1
  160. Inn E.C.Y. J. of Geophys.Res., 1972, v.77, N 10, p.1991
  161. Inn E.C.Y., Heimerl J. J.Atmos.Sci., 1971, v.28,p.839
  162. Slanger G., Sharpless R.L., Black G., Filseth S.V. J.Chem.Phys., 1974, v.61, N 12, p.5022
  163. Л.P., Машкович В. П., Защита от ионизирующих излучений, Справочник, М., Атомиздат, 1972, с. 124.
  164. .И., Ершов Ю. А., Люличев А. Н., Удовенко В. Ф., Пшисуха A.M., Стрижко Г. Д., ХВЭ, 1981, т.15, № 6, с. 520.
  165. Ю.Д., Лебедев Я. С., Воеводский В. В., ВМС, 1959, т.1, № 10, с.1510- № II, с. 1634.
  166. И.В., Сойфер Л. М., Шахнович М. И., в кн.Физика вакуумного ультрафиолетового излучения, изд."Наукова думка», Киев, 1974, с. 59.
  167. Betteridge D., Shoko N.R., Cudby H.E.A., Wood D.G.M. Polymer, 1980, v.21, N 11, p.1309
  168. H.M., Кнорре Д. Г. Курс химической кинетики, М., Высшая школа, 1974.
  169. В.Н., Максимов А. И., Рыбкин В. В., ХВЭ, 1982, т.16, № 6, с. 547.
  170. В.Ф., Рожанский Д. А., Сена Л. А., ШТФ, 1934, т.4, вып.9, с. 1688.
  171. Hagiwara М., Tagawa Т., Amemiya Н., Araki К., Shunohara I. J.Pol. Sci., 1976, v.14, N 9, p.2167
  172. H.A., в сб. Действие ионизирующих излучений на неорганические и органические системы, изд. АН СССР, 1958, с. 295.
  173. Perse A., Lunkwitz К. Faserforschung und Textiltechnik-Eeitsch-rift fur Polymer-£оrsehung, 1978, v.29, N 3, p.206
  174. Toy M.S., Newman J.M. J.Pol.Sci.A-1,1969, v.7, p.2333
  175. Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов, М., Физматгиз, 1961.
  176. Л.С., Папиров И. И., Эпитаксиальные пленки, М., Наука, 1971.
  177. J.C.W.Wittmann, Lotz B.J. J.Polym.Sci., Polym.Phys.Ed, 1981 f v.19, p. 1837
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!