Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование параметров локальных центров в полупропроводниковых структурах методами растровой электронной микроскопии

Диссертация: Исследование параметров локальных центров в полупропроводниковых структурах методами растровой электронной микроскопии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая ценность работы заключается в дальнейшем развитии возможностей РЭМ за счет привлечения новых типов контраста изображения и реализации РОМ на базе РЭМ для автоматической дефектоскопии приборов. Предложенный способ локального количественного анализа дефектов и примесных центров предоставляет большие возможности при исследованиях как в области физики полупроводников, так и в прикладных… Читать ещё >

Исследование параметров локальных центров в полупропроводниковых структурах методами растровой электронной микроскопии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ШВА I
  • ОБЗОР ЕМКОСТНЫХ МЕТОДОВ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ, А ТАКЖЕ МЕТОДОВ ЭЛЕКТР0НН030НД0В0Г0 И ОПТИЧЕСКОГО СКАНИРОВАНИЯ
  • I. I Емкостные и термостимулпрованные исследования примесных центров
    • 1. 1. 1. Влияние глубоких уровней на емкость р-п перехода
    • 1. 1. 2. Фотоемкостный метод
    • 1. 1. 3. Емкостная .'релаксационная спектроскопия
    • 1. 1. 4. Сканирующая релаксационная спектроскопия
    • 1. 1. 5. Процессы термостимулированной релаксации
    • 1. 2. Растровые оптические микроскопы и их применение
    • 1. 2. 1. Особенности оптического сканирования
    • 1. 2. 2. Лазерные сканирующие системы
    • 1. 2. 3. РОМ на основе двух ЭЛТ
    • 1. 2. 4. РОМ с лазерной мишенью
    • 1. 3. Изучение свойств и характеристик МДП-структур сканирующими методами
    • 1. 3. 1. Исследование МДП-структур с помощью РЭМ
    • 1. 3. 2. Исследование МДП-структур оптическими методами
    • 1. 3. 3. Емкостные методы определения параметров МДП-структур
  • ГЛАВА II.
  • РАСТРОВАЯ ОПТИЧЕСКАЯ МИКРОСКОПИЯ НА БАЗЕ РЭМ И ЕЕ ПРИМЕНЕНИЕ ДЛЯ ЛОКАЛЬНОЙ ДЕФЕКТОСКОПИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
    • 2. 1. Свойства и характеристики катодолюминофоров для оптического сканирования
    • 2. 2. Устройство и возможности РОМ на базе РЭМ
    • 2. 3. Применение РОМ для дефектоскопии МДП БИС и МДП-структур
  • ГЛАВА III.
  • ИССЛЕДОВАНИЕ МДП-СТРУКТУР МЕТОДАМИ РАСТРОВОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ
    • 3. 1. Аналитический расчет режима НТ в РЭМ применительно к МШ-структурам
    • 3. 2. Влияние воздействия электронным зондом на параметры МДП-структур
      • 3. 2. 1. Образцы и техника измерения
      • 3. 2. 2. Динамические измерения в режиме НП
    • 3. 3. Локальные исследования встроенных и мобильных неоднородностей МДП-структур
      • 3. 3. 1. Оптимизация контраста локальных дефектов в режиме динамического НП
      • 3. 3. 2. Термополевые исследования по ионным миграциям
      • 3. 3. 3. Эффект памяти в МДП-структуре при микрозаписи электронным зондом
  • ГЛАВА 1. У
  • ЛОКАЛЬНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПРИМЕСНЫХ УРОВНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР В РЭМ
    • 4. 1. Механизм формирования и информативность емкостного контраста при отображении р-п переходов
      • 4. 1. 1. Изменение барьерной емкости при облучении электронным зондом
      • 4. 1. 2. Изменение диффузионной емкости при облучении электронным зондом
    • 4. 2. Способы и аппаратура для получения емкостного контраста в РЭМ
      • 4. 2. 1. Формирование изображения в С-контрасте с помощью мостовой схемы
      • 4. 2. 2. Метод частотной модуляции
      • 4. 2. 3. Изображение р-п переходов в С-контрасте
    • 4. 3. Исследование р-п переходов в режимах НТ и НП при низких температурах
    • 4. 4. Локальная спектроскопия на основе регистрации наведенного и термостимулированного токов в РЭМ
      • 4. 4. 1. Теория
      • 4. 4. 2. Экспериментальные результаты
  • ВЫВОДЫ

Развитие технологии и дальнейшая интеграция и миниатюризация элементов микроэлектроники требуют разработки и применения неразрушающих методов контроля параметров полупроводниковых структур с высокой степенью локальности. Растровый электронный микроскоп (РЭМ) является универсальным прибором для решения этих задач. Так например, с помощью РЭМ возможна непосредственная локализация примесных центров и дефектов в полупроводниковых приборах в режимах наведенного тока (НТ) и наведенного потенциала (НП)* Однако для корректной трактовки природы этих центров приходится прибегать к методам интегральной емкостной спектроскопии. В ряде случаев, например, при исследовании структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП), в дополнение к информации, получаемой с помощью РЭМ, целесообразно использовать оптическое сканирование для незаряжающей интроскопии таких структур.

Проведенный в настоящей работе анализ формирования контраста изображения в ряде новых и нестандартных режимов и их применение в комплексных исследованиях полупроводниковых структур позволил существенно локализовать пространственный объем, из которого извлекается количественная информация о природе и концентрации примесей в изучаемых объектах. Полученные результаты способствуют расширению возможностей растровой электронной микроскопии в некоторых новых режимах получения и обработки информации.

Основной целью работы является разработка методов локальной количественной спектроскопии примесных центров, а также дефектоскопии широкого класса полупроводниковых и диэлектрических материалов и приборов с помощью нестандартных методов растровой электронной микроскопии.

Первая глава посвящена обзору литературы, касающейся вопросов, близких к рассматриваемым в диссертации. Критически проанализированы количественные способы исследования параметров примесных центров в полупроводниковых структурах с помощью интегральной емкостной и термостимулированной спектроскопии. Рассмотрены проблемы формирования светового растра с целью не-разрушающей дефектоскопии объектов микроэлектроники. Отдельно изложены вопросы исследования МДП-структур вышеперечисленными методами и в РЭМ.

Вторая глава посвящена исследованию МДП-структур и интегральных схем методами оптического сканирования.

В первой части главы обобщены и проанализированы эффекты локальной активации, гашения и долговременной памяти в режимах НТ и катодолюминисценции (KJI) на широком классе структур (полупроводники, диэлектрики, МДП-структуры). Эти эффекты определяются локальной перезарядкой глубоких примесных центров, исследовавшихся в последующих главах. Свойства некоторых материалов зависят от дозы облучения электронным зондом, причем контраст изображения ряда структур инвертируется при изменении этой дозы.

Во второй части главы рассматривается оригинальная конструкция растрового оптического микроскопа (РОМ) на базе серийного РЭМ. Показано, что информация, полученная с помощью РОМ и служащая для дефектоскопии примесных центров, существенно дополняет методы, развитые в последующих главах, и органически с ними связана.

В третьей части главы показывается применение РОМ для исследования интегральных схем, выполненных на базе МДП технологии. Отмечено, что РОМ позволяет локализовать места утечек без деградации характеристик исследуемых приборов. Попытка провести такую локализацию с помощью РЭМ не увенчалась успехом из-за зарядки диэлектрических слоев электронным зондом и образования утечки по поверхности. Показано, что объединение светового сканирования с линейным изменением напряжения питания микросхем обеспечивает простой, но эффективный автоматический метод выявления дефектных элементов.

Третья глава посвящена комплексному исследованию МДП-структур как классическими, так и некоторыми нестандартными методами, реализованными в работе впервые.

В первой части главы развивается теория формирования контраста слоистых систем в режиме НТ. Детально рассматривается вклад в индуцированные электронным зондом сигналы таких параметров, как доза облучения, величина изгиба зон, наличие встроенных и подвижных зарядов, плотность быстрых и медленных поверхностных состояний.

Во второй части главы описываются исследуемые структуры и применяемая в экспериментах аппаратура. Рассматривается влияние внешних параметров на область возбуждения, из которой извлекается полезный сигнал. Проведены обширные измерения в режимах статического НТ и особенно динамического (при строби-ровании электронного зонда) НП с целью оптимизации величины соответствующих сигналов и выяснения степени их информативности. Исследованы зависимости активной и реактивной компонент сигнала динамического НИ от частоты возбуждения и поверхностного потенциала. Полученные экспериментальные данные интерпретируются теоретически.

В третьей части этой главы материал, изложенный выше, использован для непосредственной визуализации встроенных в оксид и мобильных неоднородностей МДП-структур в РЭМ. Приведены серии микрофотографий, иллюстрирующих влияние вариаций внешних параметров МДП-структуры на контраст изображения с целью оптимизации последнего. Проведена сепарация контраста от подвижных и неподвижных в окисле зарядов с помощью термополевых экспериментов по ионным миграциям.

Четвертая глава посвящена локальной спектроскопии примесных центров в полупроводниковых структурах с помощью РЭМ.

В первой части главы проведен анализ механизма формирования и степени информативности полученного впервые «емкостного» типа контраста в РЭМ. Количественно рассмотрены вопросы формирования изображения в случае изменения барьерной и диффузионной емкостей р-п перехода.

Вторая часть этой главы посвящена конкретным способам получения изображения р-п переходов в режиме емкостного контраста. Описана конструкция высокочувствительного измерительного моста с учетом его совместной работы с РЭМ. Рассмотрен ряд важных моментов корректного получения сигнала с помощью традиционной техники фазочувствительного детектирования. Изложен метод получения сигнала о локальном изменении емкости, существенно отличающийся от традиционных мостовых — метод частотной модуляции. Показана корректность получаемого сигнала и обосновано его широкое применение в режимах НТ и НП для существенного увеличения соотношения сигнал/шум. Приведены экспериментальные данные реализации метода С-контраста в РЭМ. Показана большая информативность С-контраста по сравнению с традиционными режимами НТ и НП.

В третьей части главы проведено исследование характеристик р-п переходов при гелиевых температурах в режимах НТ и НП. Экспериментально обнаружено и объяснено аномальное поведение НТ и НП при низких температурах. Проведены оценки температурного режима и показана возможность работы без существенного локального разогрева образца электронным зондом.

В четвертой части главы изложены данные локальной спектроскопии полупроводниковых структур методами наведенного и термостимулированного (ТОТ) токов. Исследования проводились в широком (4,5°К — 450°К) диапазоне температур с локальным возбуждением электронным зондом. Показана возможность оперативного определения энергетической глубины залегания примесных центров с помощью пиков НТ в зависимости от температуры и предложена физическая модель их появления, использующая движение квазиуровней Ферма в полупроводниках при температурном сканировании и облучении электронным зондом. Локальный количественный анализ с помощью РЭМ мелких примесных уровней проводится при гелиевых температурах, а глубоких — при азотных и комнатных.

Научная новизна настоящей работы состоит в реализации и физической трактовке новых методов локальной спектроскопии примесных центров в полупроводниках.

1. Впервые реализован новый информативный тип контраста в РЭМ, основанный на регистрации изменения емкости при локальном воздействии электронным пучком. Предложена физическая модель формирования емкостного контраста изображения.

2. Развиты классические методы спектроскопии глубоких и мелких центров в полупроводниковых структурах за счет исследования локальных микрообъемов с помощью электронного зонда.

3. Экспериментально обнаружено и объяснено аномальное поведение НТ и НП при низких температурах.

Разработана теория формирования контраста изображения слоистых систем в режиме НТ.

5. Изучены физические процессы дрейфа встроенных зарядов и роль поверхностных состояний в МДП-структурах при их визуализации.

Практическая ценность работы заключается в дальнейшем развитии возможностей РЭМ за счет привлечения новых типов контраста изображения и реализации РОМ на базе РЭМ для автоматической дефектоскопии приборов. Предложенный способ локального количественного анализа дефектов и примесных центров предоставляет большие возможности при исследованиях как в области физики полупроводников, так и в прикладных работах. Изучение дрейфа встроенных в оксид зарядов в МДП-структурах, пробойные характеристики последних и изучение влияния на их работу поверхностных состояний различной природы позволяют дать определенные рекомендации по их изготовлению.

Основные защищаемые положения.

1. Физический механизм и информативные возможности емкостного контраста в РЭМ.

2. Модель и закономерности формирования сигналов НТ и НП при низких температурах.

3. Правомерность и информативность локальной электронно-зондовой спектроскопии глубоких и мелких центров в полупроводниковых структурах.

Применение РОМ оригинальной конструкции для автоматической дефектоскопии МДП интегральных схем.

5. Физические аспекты формирования контраста слоистых систем б режиме НТ. б. Роль локальных встроенных и мобильных зарядов, а также поверхностных состояний на работу МДП-приборов,.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (г, Сумы, 1982 г.)" на 1У Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение» (г, Кишинев, 1983 г.)" на 1У Всесоюзном симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел — «РЭМ-84» (г, Звенигород, 1984 г.) и на УШ Европейском конгрессе по электронной микроскопии (г. Будапешт, 1984 г.).

По материалам диссертации опубликовано 7 печатных работ в трудах отечественных и зарубежных конференций и в журнале «Известия АН СССР», серия физическая".

Основные результаты диссертации можно резюмировать следующим образом:

1. Реализована оригинальная конструкция РОМ на базе РЭМ-. для неразрушающего исследования элементов микроэлектроники, в том числе для автоматической локальной дефектоскопии МДП ИС.

2. Теоретически рассмотрены вопросы формирования контраста изображения слоистых структур в режиме НТ, в частности, влияние на детектируемый сигнал зарядов в окисле, плотности поверхностных состояний на границе раздела, а также величины и полярности изгиба зон.

3. Экспериментально исследованы статические и динамические зависимости сигналов НТ и НП в МДП-структурах от ряда внешних параметров: поверхностного потенциала, энергии пучка электронов, частоты возбуждения. Эта информация использована для оптимизации контраста изображения МДП-структур в РЭМ и проведения цикла прикладных исследований.

4. Экспериментально исследована миграция ионов калия в слое диэлектрика МДП-структуры при термополевых воздействиях, образование и рост кластеров этих ионов, их роль в формировании канала пробоя.

5. Теоретически обоснован и впервые реализован емкостной контраст в РЭМ, основанный на изменении барьерной или диффузионной компонент емкости р-п перехода при локальном электронно-зондовом воздействии. Эксперименты по визуализации р-п переходов в емкостном контрасте осуществлены как с помощью традиционных мостовых схем, так и оригинальным методом частотной модуляции.

6. Экспериментально обнаружено и объяснено аномальное поведение НТ и НП при гелиевых температурах. По зависимостям пиков НТ от температуры проведены оценки энергетической глубины залегания примесных уровней в запрещенной зоне полупроводника.

7. Впервые реализована и практически применена спектроскопия глубоких и мелких примесных центров методами термостимули-рованного тока и регистрации изменения емкости при локальном возбуждении электронным зондом РЭМ,.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность профессору Г. В.СПИВАКУ за интересную тему работы и научное руководство, ст.н.с. Э.И.РАУ за повседневное активное участие в постановке экспериментов и обсуждении результатов, инж. А.В.ГОСТЕВУ за ценные консультации по обработке результатов на ЭВМ и по реализации ряда схемотехнических решений, а также всему коллективу кафедры электроники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Берман Л. С, Лебедев А. А, Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. -Л.:"Наука", 1981, -176 с*
  2. Lang D.V. Past capacitance transient apparatus: application to ZnO and 0 centres in GaP p-n junctions. -J.Appl.Phys., 1974, vol.45, JTo.7 pp.3014−3022
  3. В.И., Эфрос А. Л. Емкость р-п перехода с глубокими примесями. -ФТП, 1967, т.1, вып. II, стр.1693−1701
  4. Kimerling L.C. Influence of deep traps on the measurement of free-carrier distributions in semiconductors by junction capacitance techniques.-J.Appl.Phys., 1974, vol.45, No.4, pp.1839−1845
  5. Crowell C.R., Nakano K. Deep level impurity effects on the frequency dependence of Schottky barrier capacitance. -Sol.St.Electron., 1972, vol.15, pp.605−610
  6. Ю.И. Оптические свойства полупроводников. -4/I.:"Наука", 1977, -368 с.
  7. Н.В., Лебедев А. А., Мальханов С. Е. Сечение фотоионизации положительно заряженной дисвакансии в кремнии, определенное из фотоемкостных измерений. -ФТП, 1979, т.13, М, стр.812−814
  8. Н.В., Мальханов С. Е., Погарский М. А. Энергетические уровни в кремнии р-типа, облученного быстрыми электронами, определенные из фотоемкостных измерений. -ФТП, 1978, т.12, Ш, стр.1836−1838
  9. Н.В., Мальханов С.Е., Сечение фотоионизации центра с уровнем энергии ^-+0.21 эВ в кремнии р-типа, облученном быстрыми электронами, определенное из фотоемкостных измерений.ТП, 1981, т.15, № 3, стр.600−602
  10. Л.М., Костина А. С., Лебедев А. А., Мамадали-мов А.Т., Махкамов Ш. Исследование фотоемкости в диодах из Si (Zn). -^ТП, 1974, т.8, М, стр.694−701
  11. А.А. Определение сечений фотоионизации методом фотоемкости при наличии нескольких глубоких уровнейв запрещенной зоне. -ФТП, 1974, т.8, № 3, стр.457−462
  12. А.Н., Залетаев Н. Б., Никифорова В. П., Серебренников П. С., Стафеев В. И., Тарасов В. А. Влияние неоднородного освещения на прямой ток в полуизоляторе с р-п переходом. -ФТП, 1982, т.16, № 6, стр.1059−1062
  13. Kukimoto Н., Henry С.Н., Merrit F.R., Miller G.L. Photo-capacitance studies of the oxygen donor in GaP. I. Optical cross sections, energy levels and concentrations. II. Capture cross sections. -Phys.Rew.B, 1973, vol.7, No.6,pp.2486−2507
  14. Williams R. Betermination of deep centres in conducting gallium arsenide, -J.Appl.Phys., 1966, vol.37, No.9, pp.3411−3416
  15. Yau l.d., Smiley C.F., Sah C.T. Thermal emission rates and activation energies of electron and holes at silver centres in silicon. -Phys.Stat.Sol.(a), 1972, vol.13, pp.457−464
  16. Reichert J., Townsend J. Gated integrator for repetitive signals. -Rev.Sci.Instr., 1964, vol.35, Ho.12, pp.1692−1697
  17. Kimerling L.C. Hew developments in defect studies in semiconductors. -IEEE Trans.Hue.Sci., 1976, vol. HS-23, Ho.6, pp.1497−1505
  18. Miller G.L., Lang D.V., Kimerling L.C. Capacitance transient spectroscopy. -Ann.Rev.Mat.Sci., 1977, pp.377−448
  19. Kimerling L.C. Defect state microscopy. -Inst.Phys.Conf., 1979, Ser.IIo.43, pp.113−121
  20. Patel J.R., Kimerling L.C. Dislocation states in silicon. -J.de Phys., 1979, vol.40, Colloque C6, pp.67−70
  21. Miller G.L., Ramirez J.V., Robinson D.A.H. A correlation method for semiconductor transient signal measurements. J.Appl.Phys., 1975, vol.46, Ho.6, pp.2638−2644
  22. Goto H., Adachi Y., Ikoma T. How to determine parametrs of deep levels Ъу DLTS single temperature scanning. -Japan.J.Appl.Phys., 1979, vol.18, pp.1979−1982
  23. Le Bloua A., Favennec P.N., Colin Y. DLTS method using a single temperature scanning.-Phys.Stat.Sol.(a), 1981, vol.64, pp.83−93
  24. A.B., Смагулова C.A., Шаймеев С.С,
  25. К вопросу о методике обработки спектров dlts. -ФТП, 1983, т. 17, ЖЕ, стр. 162−164
  26. Guldberg J. A simple signal analyser for deep-level trap spectroscopy. -J.Phys.E, 1977, vol.10, pp.1016−1018
  27. Szkielko W., Breitenstein 0., Pickenheim R. On the DLTS -characterization of dislocation states in silicon. -Cryst .Res.Technol., 1981, vol.1 6, No.2, pp.197−202
  28. Ferenczi G., Dozsa L. Extended defects in III-V semiconductor compounds.-Cryst.Res.Technol., 1981, vol.16, No.2, pp.203−208
  29. Rau E. I, Sasov A.Yu., Spivak G.V., Dziesiaty J., Wencel K. Determination of local parametrs of p-n junctions using the EBIV mode of SEM. -Phys.Stat.Sol.(a), 1982, vol.71,pp.429−440
  30. Petroff P.M., Lang D.V. A new spectroscopic technique for imaging the spatial distribution of nonradiative defects in a scanning transmission electron microscope. -Appl.Phys.Lett., 1977, vol.31, No.2, pp.60−62
  31. Petroff P.M., Lang D.V., Strudel J.L., Logan R.A. Scanning transmission electron microscopy techniques for simultaneos electronic analyses and observation of defects in semiconductors. -In Proc.:SEM-78, 1978, vol.1, pp.325−332
  32. Lang D.V., Petroff P.M., Logan R.A. Recombination-enhanced interactions between point defects and dislocations climb in semiconductors. -Phys.Rew.Lett., 1979, vol.42, No.2, pp.1353−1356
  33. Petroff P.M., Lang D.V., Logan R.A., Johnson W.D.
  34. Deep level dislocation interactions in Ga-j^Al^As (DX). -Inst.Phys.Conf., 1979, Ser.No.46, pp.427−432
  35. Petroff P.M. STEM spectroscopy of semiconductors. Inst.Phys.Conf., 1981, Ser.No.61, pp.501−508
  36. Heydenreich J. Electron microscopy in semiconductor research. -In Proc.:10th Int.Congr.El.Microscopy, Hamburg, 1982, vol.2, pp.365−372
  37. Br’eitenstein 0. A capacitance meter of high absolute sensitivity suitable for scanning DLTS application.-Phys.Stat.Sol.(a), 1982, vol.71, pp.159−167
  38. Breitenstein 0., Heydenreich J. Combined electron microscopical and DLTS (ESP, SDLTS) investigation in semiconductors. -J.de Phys., 1983, vol.44, No.9, pp. C4 207- C4 215
  39. Sail C.T., Chan W.W., Fu U.S., Walker J.W. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p-n junctions.-Appl.Phys.Lett., 1972, vol.20, No.5, pp.1 93−195
  40. Weisberg L.R., Shade H. A technique for trap determinations in low-resistivity semiconductors.-J.Appl.Phys., 1968, vol.39, No.11, pp.5149−5151
  41. Buehler M.G. Impurity centres in p-n junctions determined from shifts in the thermally stimulated current and capacitance response with heating rate.-Sol.St.Electron., 1972, vol.15, No.1, pp.69−79
  42. Borsuk J., Swanson R. Current transient spectroscopy- a high sensitivity DLTS system.-IEEE Tran3.El.Dev., 1980, vol. ED-27, No.12, pp.2217−2225
  43. А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М.:"Мир 1977, -562 с.
  44. М.А., Парицкий Л. Г. Термостимулированная фото-ЭДС на р-п переходе. ФТТ, 1966, т.8, ЩО, стр.3090−3091
  45. .П., Микалчевикус М. П. Термостимулированная фото-ЭДС. -Литовский физ. сборник, 1966, т.6, № 1, стр.89−91
  46. В.Г., Грибенюков А. И., Кривов М. А. Теория ТСТв р-п переходе с глубокими ловушками в области объемного заряда. -ФТП, 1973, т.7, М, стр.741−745
  47. В.Н., Сальман Е. Г. Термостимулированные токи в неорганических веществах. -Новосибирск:"Наука", 1979,-332 с.
  48. Ю.А. Основы термодеполяризованного анализа. -М.:"Наука", 1981, -173 с.
  49. H.F. (a) Wafer testing. -Sol.St.Technol., 1975, Ma.8, pp.58−62- (Ъ) Photoelectric scanning of wafer inhomogeneties. -Sol.St.Technol., 1977, No.9, pp.56−60
  50. Kasprzak L.A. High resolution system for photoresponse mapping of semiconductor devices. -Rev.Sci.Instr., 1975, vol.46, No.3, pp.257−262
  51. Sawyer Б.Е., Berning D.W., Lewis D.C. Laser scanning of active integrated circuits and discrete semiconductor devices. -Sol.St.Technol., 1977, No.6, pp.37−41
  52. Boers P.M., Bollen L. A fast scanning microscope used in the development of avalanche photodiodes.-Philips Techn.Rev., 1975, vol.35, No.1, pp.23−26
  53. Lile D.L., Davis II.M. Semiconductor profiling using an optical ргоЪе. -Sol.St.Electron., 1975, vol.18, pp.699−704
  54. Munakata С., Nanta M., Matsubara S. ITon-destructive method of observing inhomogeneties in p-n junction with a chopped photon Ъеат. -Japan.J.Appl.Phys., 1981, vol.20, No.2,pp.L137−140
  55. H.H., Григорьян В. Д., Амазаспян B.H. Телевизионный сканирующий микроскоп для выявления дефектов полупроводниковых приборов. -Эл.техн., 1971, сер.12, вып. З, стр.78−83
  56. Г. В., Насибов А. С., Обыден O.K., Резников П. В., Комолова Л. Ф. Использование сканирующего полупроводникового лазера с электронной накачкой в оптической микроскопии. -Радиотехника и электроника, 1980, т.25, № 10, стр.2254−2258
  57. Ормонт А, Б., Максимов А. С. Растровая оптическая приставка к РЭМ. -ПТЭ, 1981, JI6, стр.187−188
  58. О.В., Дюков В. Г., Гавриков С. И., Коломейцев М. И. Растровый оптический микроскоп.-Изм.техн., 1978, М2, стр.30−32
  59. И.А., Любаева И. И., Никонов А. С. Исследование причин нестабильности токов биполярных и униполярных транзисторов при испытании на надежность.-Электронная техника, 1976, сер.2, вып.2, стр.80−87
  60. В.Г. Растровый оптический микроскоп. -Электронная промышленность, 1972, № 7, стр.42−45
  61. Н.Н., Васильев И. А., Молодян И. П., Попа О. А. Исследование каналов утечки в ИС с помощью лазерного сканирующего микроскопа. -Микроэлектроника, 1978, т.7, ЖЕ, стр.66−69
  62. Hagase М. A device analysis system based on laser scanning techniques. -Microelectron.Reliab., 1980, vol.20, Wo.5, pp.717−735
  63. С.А., Богданкевич O.B., Гавриков С. И., Дюков В. Г., Куклев В. П., Невзорова Л. Н., Уласюк В. Н. РОМ на основе полупроводникового лазера с накачкой электронным пучком. -Квантовая электроника, 1979, т.6, № 7, стр.1525−1527
  64. С.А., Векстерн С. А., Даревский А. С., Королев B.C., Митюхляев В. Б. Исследование полупроводниковых фотоприемников методами растровой оптической и электронной микроскопии. -Поверхность, 1982, № 11, стр.73−77
  65. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. -М.:"Энергия", 1973, -655 с.
  66. В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев:"Наукова думка", 1978, -315 с.
  67. Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник. Сб.статей. -М.:"Наука", 1976, -279 с.
  68. .А., Попов В. Г. Фотоэлектрические МДП-приборы. -М.:"Радио и связь", 1983, -160 с.
  69. Snow Е.Н., Grove A.S., Deal В.Е., Sah С.Т. Ion transport phenomena in insulating films. -J.Appl.Phys., 36″ 1664−1673
  70. Churchill J.N. Electron irradiation effects in MOS systems.-IEEE Trans.Electron.Dev., 1974, vol. ED-21, No.12, pp.768−777
  71. Taylor D.M., Williams T.P.T. The dynamics of space-charge accumulation in irradiated MOS capacitors. -J.Phys.D, 1982, vol.15, No.12, pp.2483−2493
  72. Nakamae K., Fujioka H., Ura K. Measurements of deep penetration of low-energy electrons into metal-oxide-semiconductor structure. -J.Appl.Phys., 1981, vol.52, No.3, pp.1306−1308
  73. В.П., Денисюк В. А. Дефектоскопия МДП-интегральныхсхем с использованием РЭМ. -Дефектоскопия, 1973, № 4, стр.55−60
  74. Bottoms W.R., Roitman P., Guterman D. Electron heam imaging of the semiconductor-insulator interface.-CRC, Critical Rev. in Sol.St.Sci., 1975, pp.297−311
  75. Roitman P., Bottoms W.R. SEM studies of metal-oxide-silicon capacitors. -Scanning Electron Microscopy, 1977, -Chicago, pp.731−738
  76. В.А., Захаров В. П., Попов В. М. Повышение информативности исследования ЩЩ-структур при помощи растрового электронного микроскопа.-Радиотехника и электроника, 1977, т.22, стр.1520−1523
  77. В.П., Попов В. М., Денисюк В. А. Определение неодно-родностей генерационной активности границы раздела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах с помощью растрового электронного микроскопа.-Дефектоскопия, 1977, № 2, стр.106−112
  78. Hezel R. Electron-beam-induced-current investigations on MOS and MNOS devises. -Sol.St.Electron., 1979, vol.22, PP.735−742
  79. Gonchond J.P., Fournier J.M., Georges A., Bois D. EBIC studies of defects in passivated p-n junctions. -In Proc. SEM-80, 1980, USA, vol.1, pp.523−530
  80. Nakhmanson R.S. Frequency dependence of the photo-EMF of strongly inverted Ge and Si MIS-structures I.Theory. -Sol.St.Electron., 1975, vol.18, pp.617−626
  81. ITakhmanson R.S., Ovsyuk Z.Sh., Popov L.K. Frequency dependence of photo-EMF of strongly inverted Ge and Si MIS-structures II.Experiment. -Sol.St.Electron., 1975, vol.18, pp.627−634
  82. Uakhmanson R.S., Popov L.K. Measurements of small-signal photo-EMF of Si and Ge MIS structures using scanning light probe. -Phys.Stat.Sol.(a), 1978, vol.46, pp.59−68
  83. Bouthillier T.M., Young L., Tsoi H.Y. Scanning internal photoemission studies of sodium-contaminated metal-oxide-semiconductor capacitors. -J.Appl.Phys., 1983, vol.54, Ho.2, pp.957−962
  84. Everhart Т.Е., Hoff P.H. Det emanation of kilovolt electron energy dissipation vs penetration distance in solid mathe-rial. -J.Appl.Phys., 1971, vol, 42, No.13, pp.5837−5842
  85. Buehler M.G., Phillips W.E. A study of the gold acceptor and an n-type MOS capacitor by thermally stimulated current and capacitance measurements.-Sol.St.Electron., 1976, vol.19, No.9, pp.777−788
  86. Davis G.E., Taylor M.E. A new method for the investigation of stress in ICES devices using SEM electron channelig patterns. -J.Vac.Sci.Technol., 1981, vol.19, No.4, pp.1024−1029
  87. Johnson N.M. Measurements of semiconductor-insulator interface states by constant-capacitance deep-level transient spectroscopy. -J.Vac.Sci.Technol., 1982, vol.21, pp.303−314
  88. Hiibner K., Koster H., Derlich В., Ecke W. DLTS investigation of Si-SiOg interface states of electron-beam irradiated MOS structures. -Phys.Stat.Sol.(b), 1983, vol.118, pp. K133-K136
  89. Pooley D. Experiments relating to the effects of impurities on P-centre production in alkali halids.-J.Phys.C, 1968, Ser.2, No.1, pp.323−332
  90. Ballesteros C. Changes of KL emission from MgO in SEM. -Sol.St.Comm., 1982, vol.43, No.10, pp.739−741
  91. Hirshberg J. The photochemical memory.-The New Scientist, 1960, vol.7, No.185, pp.1423−1425
  92. Г. В., Обьщен O.K., Четверикова И. Ф., Чукичев М. В., Попов С. И. Об аномальной кинетике катодолюминисценции в GaN:Zn.-Вестник МГУ, физ.-астр., 1983, № 3, стр.54
  93. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Неравновесные процессы в фотопроводниках. -Киев:"Наукова Думка", 1981
  94. М.Г., Нуров Ю.Л., Pay Э.И., Спивак Г. В., Филиппов М. Н., Чубаренко В. А. Анализ отказов МДП интегральных схем с помощью растровой оптической микроскопии. -Изв.АН СССР, сер.физ., 1983, т.47, JS6, стр. П08-Ш4
  95. К.А., Карамазинский А. Н., Королев М. А. Цифровые интегральные схемы на МОП-структурах. -М.:"Советское радио", 1971, -384 с.
  96. С.А., Дюков С. Г., Коломейцев М. И., Сушинцев Г. М. Локализация дефектов ИС отображением логических состояний в РЭМ. -Изв.АН СССР, сер.физ., 1980, т.44, 16, с.1170−1174
  97. Ager D., Cornwell G., Stephens С. A light-sensetive marginal-voltage technique for the location of defects in digital microcircuits. -Qual.Assur., 1981, vol.7, No.3, pp.66−69
  98. MacDonald N.C., Everhart Т.Е. Selective electron-beam irradiation of metal-oxide-semiconductor structures.-J.Appl.Phys., 1968, vol.39, Ho.5, pp.2433−2447
  99. Holmes-Siedie A.G., Zaininder K.H. The physics of failure of MS devices under radiation. -IEEE Trans. Rel, 1968, vol. R17, Uo.1, pp.34−44 105. beamy H.J. Charge collection scanning electron microscopy. -J.Appl.Phys., 1982, vol.53, N0.6, pp. R51-R80
  100. Bresse J.P. Quantative investigations in semiconductor devices by electron-beam induced current mode: a review. -InProc.: SEIvl-82, 1982, Chicago, vol.4, pp.1487−1500
  101. Katto H., Iton У. Surface state density evaluation using high-frequency MOS capacitance technique.-Phys.Stat.Sol.(a),. 1974, vol.21, pp.627−637
  102. TTakhmanson R.S., Dobrovolsky P.P. Investigations of MIS structure inhomogeneities using a scanning mercury probe. -Phys.Stat.Sol.(a), 1973, vol.19, pp.225−241
  103. Перов А.П., Рау Э. И., Спивак Г. В., Чубаренко В. А. Эксперименты по нестандартным методам и особым типам контраста в РЭМ. -Изв.АН СССР, сер.физ., 1983, т.46, № 6, стр. П19-П26
  104. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. -М.:"Советское радио", 1980, -296 с.
  105. Б. А. Донников С.Г., Соболев М. М., Тропп Э. А. О поведении тока, индуцированного электронным зондом, в области объемного заряда структур с р-п переходом,-Журн.Тех.Физ., 1981, т.51, ЩО, стр.2129−2131
  106. Misrachi S., Peaker A.R., Hamilton В. A high sensitivity bridge for the measurements of deep states in semiconductors. -J.Phys.E, 1980, vol.13, рр.1055-Юб1
  107. Pay Э.И., Спивак Г. В., Чубаренко В. А. Аналитические возможности особых типов контраста изображений. Тез.докл. ХП Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, -М.:"Наука", 1982, стр.79−80
  108. А.А., Стафеев В. И., Тучкевич В. М. Некоторые свойства диодов из германия с примесью золота. -Журн.Тех.Физ., 1956, т.26, вып.10, стр.2131−2141
  109. В.Н. Радиотехника низких температур. -М.:"Советское радио", 1966, -268 с.
  110. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. -М.:"Наука", 1977, -672 с.
  111. Shade Н., Herrick D. Determinstion of deep centres in silicon by thermally stimulated conductivity measurements. -Sol.St.Electron., 1969, vol.12, No.11, pp.857−860
  112. Kimerling L., Leamy H., Patel J. The electrical properties of stacking faults and precipitates in heat-freated dislocation-free Czochralski silicon.-Appl.Phys.Lett., 1977, vol.30, No.5, pp.217−219
  113. Е.Э., Шонтя В. П., Борисова О.Г., Pay Э.И., Чубаренко В. А. Исследование деградации р-п переходов методом растровой электронной микроскопии.-Тез.докл. 1У Всесоюзной конференции «Тройные полупроводники и их применение», Кишинев, 1983, стр.177
  114. Chubareiiko V.A., Rau E.I., Spivak G.V.
  115. C-contrast experiments in SEM and local spectroscopy of deep centres in semiconductors. -In Proc.: 8th European Congress on Electron Microscopy, -Budapest, 1984, vol.2, pp.983−984
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!