Исследование процессов формирования контактов и границы активного слоя с целью повышения воспроизводимости и улучшения характеристик СВЧ полевых транзисторов
Диссертация
Предложен способ дельта легирования буферного слоя транзистора примесью р — типа позволяющий минимизировать как утечки по буферному слою, так и влияние глубоких уровней на параметры полевых транзисторов. Разработаны методики обработки поверхности и вжигания электродов, позволяющие существенно улучшить характеристики омических и барьерных контактов (использованы при производстве серийных… Читать ещё >
Список литературы
- А. Милне Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.Мир. 1977.
- М.Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.Мир. 1991
- Vinsent G., Chantre A., Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps in semiconductor junction// J.Appl.Phys. 1979. V.50. № 8.P. 5484−5487.
- А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием // Физика и техника полупроводников, 1992, Т.26, В.9, С.1574−1579.
- H.Kasano Role of diffused Ga vacansy in the degradation of vapor-ground GaAs // J.Appl.Phys. 1978, V.49. № 9. P. 4746−4749.
- А.Б.Пашковский, А. С. Тагер, Ю. Ю. Федоров Влияние глубоких уровней и профиля подвижности электронов на диффузионный шум в полевых транзисторах//Микроэлектроника, 1990, Т. 19, В.5. С.486−492.
- В. van Rees, В. Leles, B. Hewitt, W. Schaff The effect of the deep levels on the large-signal performance on GaAs FET’s // Inst. Phys. Conf. Ser. 1982, № 65. P. 355−358.
- R.Wroblewski, G. Salmer, Y. Crosnier Theoretical Analysis of the DC Avalanhe Breakdown in GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983, V.30. № 2. P. 154−159.
- Я.Б.Мартынов, А. С. Тагер Особенности лавинного пробоя планарного полевого транзистора с затвором Шотки // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.7(411). С. 14−20.
- W.E.Spicer, I. Lindan, P. Skeath, C.Y.Su Unified defect model and beyond // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V.17. № 5. P. 1019−1022.
- F.Heliodore, M. Lefebvre, G. Salmer, O.L.El-Sayd Two-Dimen-sional Simulation of Submicrometer GaAs MESFET’s Surface Effects and Optimization of Recesses Gate Structure // IEEE Trans. Electron. Dev. 1988. V.35. № 7. P. 824−830.
- В.И.Босый, А. Г. Максименко, В. А. Москалюк, В. И. Тимофеев Моделирование влияния глубоких центров на шумы полевых транзисторов // Тез. докл. V Всесоюзной конференции «Флуктуационные явления в физических системах». Паланга. 1988. С. 54−55.
- Механизм отказов и надежность транзисторов на арсениде галлия: Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы / А. М. Нечаев, В. Ф. Синкевич, Е. И. Соколова, Н. В. Степанова. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1981. — Вып. 2(778). — С. 42.
- Современный уровень и перспективы развития разработок полевых транзисторов на арсениде галлия. Ч. 2: Обзоры по электронной технике. Сер. Полупроводниковые приборы / В. Н. Данилин. — М.: ЦНИИ «Электроника», 1979. — Вып. 8. — С. 37.
- Егудин А. Б., Чкалова О. В., Еленский В. Г. Малошумящие СВЧ полевые транзисторы с барьером Шотки //Зарубежная радиоэлектроника. — 1980.№ ю. —С. 28—48.
- Das М. В., Chosk Р. К. Low frequency emissions from deep levels in GaAs MESFET’s // Electron left. — 1982. — Vol. 18, No 5. — P. 207—208.
- Любченко В. E., Сонин В. С. Вольт-амперные характеристики субмикронных эпитаксиальных пленок арсенида галлия в сильных СВЧполях //Электронная техника. Сер. I, Электроника СВЧ. — 1983. — Вып. 4(352). —С. 24—25.
- Arnold D., Fisher R., Klem J., Ponse F., Morkot H. Redaction of backgating in GaAs /AlGaAs MESFET’s by optimisation of active-layer /buffer layer interface //Electron Lett. — 1984.— Vol. 20, No 9. — P. 376—377.
- Anderson M. G. Electrical traps in GaAs microwaves FET’s//Electron Lett. — 1976. — Vol. 12, No 12. — P. 297—298.
- Kocot K., Stolte C. A. Backgating in GaAs MESFET’s//IEEE Trans. Electron.
- Dev. 1982. — Vol. ED-29, No 7. — P. 1059—1064.
- Кальфа А. А. Аналитическая теория статического домена у затвора полевого транзистора //ЖТФ. — 1983. — Т. 53. — № 3. — С. 592—594.
- Воробьев Ю. В., Костылев С. А., Макарова Т. В., Прохоров Е. Ф: Захват горячих электронов в структурах эпитаксиальная пленка n-GaAs — полуизолирующая подложка //ФТП. — 1984. — Т. 18. — № 10. — С., 1784—1787.
- De Salles A. A. Optical control of GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Microwave Theory and Techn. — 1983. — Vol. 31, No 10. — P. 812—820.
- Umeda Т., Cho J. Effect of incident light illumination shape on responsivity of GaAs MESFET photodetector // Jap. J. Appl. Phys. — 1985. — Vol. 24, No 5.1. P. L367—L369.
- Vaterkonski L., Pernisek M., Berdai M. Numerical and experimental study of surface effects on GaAs planar photoconductors // Solid St. Electron. — 1984.
- Vol. 27, No 2. — P. 207−209.
- Photovoltaic effect of GaAs MESFET layers / G. L. Papaioannou, J. A. Kaliakatsos, P. C. Euthymiou a. o. //IEEE Proc.— 1985. — Vol. 132, No 3. — P. 167—169.
- Тегуде Ф. И., Хейме К. Изучение глубоких уровней в слоях на подложках из полуизолирующего арсенида галлия методом полевого транзистора // Полуизолирующие соединения АЗВ5. — М.: Металлургия, 1984. — С. 210—215.
- Shur M. S. Analytical model of GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. — 1978. — Vol. 25, No 6. — P. 612—618.
- В. Г. Лапин, Т. В. Макарова, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов Эффекты сильного поля и дрейф параметров полевых транзисторов из n-GaAs с барьером шотки Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1986, В.4(388). С. 24−27.
- Н. Б. Горев, В. Г. Лапин, Т. В. Макарова, Е. Ф. Прохоров, А. Т. Уколов Фоточувствительность арсенидгаллиевых полевых транзисторов в сильных электрических полях Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1987, В.8(402). С. 24−27.
- Патент РФ на полезную модель № 8069 по заявке № 2 008 133 793. Приоритет от 19.08.2008. Гетероэпитаксиальная структура для полевых транзисторов// Е. И. Голант, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, Ю. Н. Свешников.
- Денисов А.А., Доржин Г. С., Лактюшин В. Н., Садофьев Ю.Г.//Обзоры по электронной технике, Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. 1986. М. ЦНИИ «Электроника», С. 56.
- Theis T.N., Mooney P.M., Wright S.L. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. № 4. P. 361 -364.
- П.С.Белоусов, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, С. В. Матыцин, В. А. Михайлов, Пашковский А. Б. Исследование экспериментальных образцов полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием // Электрон, техн., Сер.1 Электроника СВЧ, 1990.
- В.С.Ершов, З. А. Зайцевская, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, С. В. Матыцын, А. Б. Пашковский, Ю. Ю. Федоров Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием // ФТП, 1991, Т.25, В.5, С.776−782.
- Dhar S., Hong W.-P., Bhattaharya P.K., Nashimoto Y., Juang F.-Y. A Detailed Investigation of the D-X Center and Other Trap Levels in GaAs-AlX Gal-XAs
- Modulation-Doped Hetero-structures Grown by Molecular-Beam Epitaxy// IEEE Trans. Electron Dev. 1986. V. 33. № 5. P. 698−706.
- Prinz V., Rechkunov S. N. Influence of a strong electrical field on carrier capture by nonradiative deep—level centres in GaAs//Phys. Stat. Sol. (b). — 1983. —Vol. 118, No 1. —P. 159—166.
- Current limitation induced by infrared light in n-type GaAs thin layers on semi-insulating Cr-doped GaAs / K. Kitachara, K. Nakai, A. Shibatoni, S. Ohkawa // Jap. J. Appl. Phys. — 1982. — Vol. 21, No 3. — P. 513—516.
- Influence of buffer thickness on the performance of GaAs field effect transistors prepared by molecular beam epitaxy / S. L. Su, R. E. Thorne, R. Fischer a. o. //J. Vac. Sci. and Technol. — 1982. — Vol. 21, No 4. — P. 961—964.
- Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука и У. Уиссмена. — М.: Мир, 1988.
- Miers Т. Н. Schottky contact fabrication for GaAs MESFET’s // J. Electrochem.. Soc. —1982. —Vol. 129, No 8. —P. 1795—1799.
- Стриха В. И. Теоретические основы работы контакта металл— полупроводник. — Киев: Наук, думка, 1974.
- Б. В. Маркин, О. С. Трифонова, В. В. Чикун, В. Г. Лапин, М. Г. Пономарева, Влияние химических обработок на характеристики барьеров Шотки в полевых транзисторах, Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1990, В. 10(434). С. 42−44.
- Shappirio J. Diffusion barriers in advanced semiconductor device technology // Solid State Technology.— 1985. —Vol. 28, No 10. —P. 161.
- Ogava M. Alloying behavion of Ni/AuGe films on GaAs // J. Appl. Phys. — 1980.—Vol. 51. —P. 406.
- Remba R. D. et al. Use of a TiN barrier to improve GaAs FET ohmic contact reliability // IEEE Elect. Dev. Lett. — 1985. — Vol. EDL-68. — P. 437—438.
- Wolters R. and Nellisen A. Properties of reactive sputtered TiW // Solid State Technol. — 1986. —Vol. 29, No 2. —P. 131 — 136.
- Shappirio J. R., Finnegan J. J., Lux R. A. Diboride diffusion barriers, in silicon and GaAs technology // J. Vacuum Sci. Technol. В., Second Series. — 1986. — Vol. 4, No 6. —P. 1409—1415.
- Thompson J. A., Remba R. D. Use of diffusion barriers for improved reliability GaAs FET’s // J. of the Electrochemical Society. — 1987. — Vol. 134, No 12. — P. 3205—3206.
- Crescenzi E. J., Thompson J. A. et al. Operating characteristics of 2—8 KHz GaAs MESFET amlifiers at elevated case temperatures to 200 degrees centigrade/ЛЕЕЕ MTT-s Digest. — 1987.—Vol. 2, June 9—10.—P. 837—840.
- К. Г. Ноздрина, К. В. Дудинов, В. F. Лапин, А. В. Галанихин К. П. Петров Использование диффузионного барьера при формирований омических контактов полевых транзисторов на арсениде галлия. Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1991, В. 2(436). С. 45−47.
- P.M.Smith, P.C.Chao, K.H.V.Duh 94 GHz transistor amplification msing an,. HEMT // Electron. Lett. 1986. V.22. № 22. P. 760−761.
- E.A.Sovero, A. Gupta, J.A.Higgins Noise figure charecteristics of ½ fim gate.. — < single-heterojunction high-mobility FET’s at 35 GHz // IEEE Electron. Dev.1.tt. 1986. V.7. № 3. P. 179−181.
- U.K.Misra et. al. Microwave Performance of AlInAs GalnAs HEMT’s with 0,2- and 0,1- цт Gate Length // IEEE Electron. Dev. Lett. 1988, V.9. № 12. P. 647−649.
- P.C.Chao et. al. 94 GHz Low-Noise HEMT // Electronics Lett. 1989. V.25. № 8. P. 504−505.
- S. С Wang, J. S. Liu, К. С Hwang, W. Kong, D. W. Tu, P. Ho, L. Mohnkern, K. Nichols, and P. С Chao, High Performance Fully Selective Double Recess
- AlAs/InGaAs/InP HEMT’s // IEEE Electron Dev. Lett. 2000, V. 21, N. 7, P. 335−337.
- IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2007. № 12. p. 2719−2725.
- A.Cappy, B. Carnez, R. Fauquemberques, G. Salmer, E. Constant Comperative Potential Perfomance of Si, GaAs, InP, InGaAs Submicromter Gate FET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980.V.27. № 11. P. 2158−2160.
- Тагер А. С. Перспективы применения фосфида индия в электронике СВЧ // Фосфид индия в полупроводниковой электронике: Тез. докл. Всесоюзн. совещания. Кишинев, 1985. — С. 5−7.
- Кальфа А. А, Пашковский А. Б., Тагер А. С. Характеристики фосфидиндиевого полевого СВЧ-транзистора с субмикронным затвором // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ. 1986. — Вып. 3(387). -С. 42−43.
- High speed-operation of InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors growth by cloride vapor phase epitaxy / A. Antreasyan, P. A. Garbinski, V. D. Mattera et al. // Appl. Phys. Lett. — 1987. Vol. 51, No 11-P. 1037−1039.
- А.А.Кальфа, В. Н. Кобзаренко, М. Б. Коханюк, В. Г. Лапин, М. В. Павловский, А. Б. Пашковский, К. Г. Ноздрина, Е. В. Руссу, Исследование полевых транзисторов на фосфиде индия, Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1989, В.9(423). С. 21−24.
- Ymai Y., Ohwada К Application of reactive-ion-beam etching to recessed-gate GaAs metall-semiconductor field-effect transistors // J. Vac. Sci. Technol. — 1987. — Vol. 5, No 4. — P. 889—893.
- Максимова H. К., Романова И. Д., Филонов Н. Г. Особенности электрических и теплоэлектрических явлений в структурах с барьером Шотки на GaAs, имплантированном ионами кислорода // ФТП. — 1985. — Т. 19, № 1. — С. 92—95.
- Braslau N. Alloyed ohmic contacts to GaAs // J. Vac. Sci. Technol. — 1981. — Vol. 19, No 3. — P. 803.
- Chang С. C. et al. Transmission electron microscopy of Au-based ohmic contacts // J. Appl. Phys. — 1979. — Vol. 50, No 2, Pt. 1. — P. 7030.
- Jih-Cheng Shin et al. Summary abstract: Transmission electron microscopy studies of microstructure of AuNiGe ohmic contact to n-type GaAs // J. Vac. Sci. Technol. A. Second Series.— 1987.—Vol. 5, No 4, Pt. 11. —P. 1485— 1486.
- Структура, топология и свойства пленочных резисторов / JI. И. Гурский, В. А. Зеленин, A. JI. Жебвин, Г. JI. Вахрин. — Минск: Наука и техника, 1987.
- С. В. Кармазин, В. Г. Лапин Физическая модель определения сопротивлений истока и стока в полевых транзисторах с затвором Шоттки, Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.8(412). С. 24−27.
- Davis L. Е. et al. Handbook of auger electron spectroscopy, 2nd ed // Phys. Electr. Dev., Perkin-Elmer Corp. — Minnesota, 1976.
- Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия / С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, Г. С. Коротченков и др. // Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. -Кишинев, Штиинца, 1982. С. 75−85.
- Гарматин А. В. Программа моделирования методом Монте-Карло нестационарных процессов разогрева электронов электрическим полем в полупроводниках // Электронная техника. Сер. 1, Электроника СВЧ. — 1985. Вып. 3(377).- С. 66−68.
- G. С. Taylor, Yun Yong-Hoon et al. GaAs Power Field-Effect Transistors for Ku-Band Operation «RCA Review», 1981, v. 42, № 4, pp. 508−521.
- K. Alavi et al. A very high performance, high yield, and high throughput millimeter wave power PHEMT process technology. «GaAs MANTECH, Inc., 2001.
- Jong-Won Lim, Ho-Kyun Ahn et al. Fabrication and Characteristics of 0,12 цш Single and Double-Recessed Gate AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT’s Using a SiNx Pre-Passivation Layer «Sournal of the Korean Physical Society», 2006, vol. 49, Dec., pp. S774-S779.
- X.Cao et al. Mm-wave performance of 50nm T-gate AlGaAs/InGaAs PHEMTs with fT of 200 GHz. «11-th GaAs Symposium. Munich», 2003, p. 13−15.
- B. Hadad, I. Toledo, J. Kaplun et al. Cost Effective T-Gate Process for PHEMT-based MMIC with Large Gate Periphery. IEEE Electron Devices Lett., vol. 20, pp. 551−553, 1999.
- T. Suemutsu, T. Ishii, H. Yokoyama et al., 30-nm gate InP-based lattice-matched high electron mobility transistors with 350 GHz cutoff frequency. «Jpn. J. Appl. Phys.», 1999, part 2, vol 38, pp. 154−156.
- J. Udomoto et al. An 11 W Ku-band Heterostructure FET with WSi/Au T-shaped Gate «IEEE MTT-S 1995 Intern. Microwave Symposium», pp. 339−342.-,
- Y. Hirachi and S. Kuroda Status of millimeter-wave MMIC’s and their application in Japan. «GaAs 2000 Symposium. Paris», 2000, pp. 369−372.
- L. D. Nguyen, L. E. Larson and U.K. Mishra «Ultra-high-speed modulation doped field effect transistors», Proc. IEEE, vol. 60, pp. 494−518, April 1992.
- A. Endoh, Y. Yamashita, M. Higashiwaki, K. Hikosaka, T. Mimura, S. Hiyamizu and T. Matsui, «High fT 50-nm-gate lattice-matched InAlAs/InGaAs HEMT’s», Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials, p. 87−90,Williamsburg (Virginia), 2000.
- S. Fujimoto et al. «Ku-band ultra Low Noise MMIC Amplifier Using Pseudomorphic HEMTs» Digest of Technical Paper, 1997 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits (RFIC) Symposium, pp. 169−172.
- Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления. Под ред. Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола, Перевод с английского под ред. Г. В. Петрова, М., «Радио и связь», 1988 г., стр. 118
- Jong-Lam Lee, Jae Kyoong Mun and Haecheon Kim A new self-aligned and T-shaped gate technology for GaAs power MESFETs «Solid-State Electronics», 1998, Vol. 42, № 11, pp. 2063−2068.
- C. Huang, A. Herbig, R. Anderson Sub-Half-micron GaAs FET’s for Applications Though K-Band. «IEEE 1981 Microwave Symp. Digest», pp. 2527.
- L. D. Nguyen, A.S. Brown, M.A. Thompson and L. M. Jelloian, «50-nm self-aligned-gate pheudomorphic AlInAs/GalnAs electron mobility transistors», IEEE Trans. Electron Devices, vol. 39, pp. 2007−2014, 1992.
- V.G. Lapin, A.M. Temnov, K.I. Petrov, V.A. Krasnik GaAs Microwave Offset Gate Self-Aligned MESFET’s and their applications. «GaAs 2000 Conference proceedings, 2nd-3rd October 2000» p.314−317.
- Патент РФ № 2 307 424 по заявке № 2 005 137 680/28. Приоритет от 02.12.2005. Мощный СВЧ полевой транзистор с барьером Шотки// В. Г. Лапин, К. И. Петров, А. М. Темнов.
- Заявка № 2 008 100 928. Приоритет от 09.01.2008. Положительное решение от 20.01.2009. Способ изготовления СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки// В. Г. Лапин, К. И. Петров, А. М. Темнов.
- A.S. Wakita, C.-Y. Su, Н. Rohdin, H.-Y. Liu, A. Lee, J. Seeger and V. M. Robbins, «Novel high-yield trilayer resist process for 0,1 |дт T-gate fabrication», J. Vac, Sci. Technol., B 13(6), pp. 2725−2728, 1995.
- K.Shinohara, Y. Yamashita, K. Hikosaka et al. Ultra-short T-shaped gate fabrication technique for InP based HEMTs with high fT (>300 GHz) and their MMIC applications. «GaAs 2000 Symposium. Paris», 2000, pp. 252−255.
- Стандарт предприятия СМП TC0.04.01СК-2009
- ГОСТ 27.410 Надежность в технике. Методы контроля показателей надежности и планы контрольных испытаний на надежность.
- РД 50−690−89 Методические указания. Надежность в технике. Методы оценки показателей надежности по экспериментальным данным.
- РД 11.0929−94 Метод контроля температуры структуры изделий по собственному тепловому излучению с помощью микропирометров (ст.77).
- Д. 1.7 РД 11 336.938−83 Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.
- Д. 1.8 Методика ЭТ-361 оценки соответствия ИЭТ СВЧ требованиям — ТЗ по минимальной наработке на этапе ОКР (ред.П, 1988г).
- ОСТ 11 0944−96 Методы измерения теплового сопротивления транзисторов, основанные на косвенных способах измерения температуры, (раздел 5, методы 4,5,6).
- H.F.Cooke, «Precise technique finds FET thermal resistance,» Microwave & RF, pp. 85−87, Aug. 1986.
- H. Fukui, «Thermal Resistance of GaAs Field-Effect Transistors,» Intern. Electron Devices Meeting Tech. Dig., 1980, p.p. 118−121.
- SteadyState Junction Temperatures of Semicondactor Chips. R.D. LINSTED, RJ.SURTY. IEEE Trans, on electron devices, vol. ED-19, № 1, January 1972, p.p. 41−44.
- OCT 11 0944−96. ОТРАСЛЕВОЙ СТАНДАРТ. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.
- К.В.Дудинов, В. М. Ипполитов, А. Б. Пашковский. Оценка размеров области тепловыделения в мощных полевых транзисторах с субмикронным затвором. Электронная техника. Серия 1, 2006 г., стр.5−7.
- К.В.Дудинов, В. М. Ипполитов, А. В. Климова, А. Б. Пашковский, И. В. Самсонова. Особенности тепловыделения в мощных полевых транзисторах. «Радиотехника», 2007, № 3, стр.61−62.
- ПО.П. В. Бережнова, А. Б. Пашковский, А. К. Ратникова, В. М. Лукашин. Оценка области нелокального тепловыделения в мощных гетероструктурных полевых транзисторах. Электронная техника. Серия!, СВЧ-техника, выпуск 4, 2007 г., стр.21−24.
- A.Sarua, а.о. Combined Infrared and Rsman Temperature Measurements of Device Structures. CS Mantech Conference, April 24−27, 2006. Vancouver, British Calambia, Canada, p. p 179−182.
- Н.В.Абакумова, Ф. Е. Щербаков, О. С. Зуева, Ю. М. Богданов, В. Г. Лапин,
- A.М.Темнов Двухканальный переключатель на ПТШ Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ Техника, 2006, В. 1(487). С. 31−36.
- ПЗ.Бабинцев Д. В., Королев А. Н., Климова А. В., Красник В. А., Лапин В. Г., Малыщик В. М., Манченко Л. В., Пчелин В. А., Трегубов В. Б. Язан В.Ю. Мощный твердотельный импульсный усилитель двухсантиметрового диапазона. Радиотехника № 3, 2007 г. Стр41−42
- Д. В. Бабинцев, А. Н. Королёв, В. А. Красник, А. В. Климова, В. Г. Лапин,
- B. М. Малыщик, Л. В. Манченко, В. А. Пчелин, В. Б. Трегубое, В. Ю. Язан Транзисторный импульсный усилитель с выходной мощностью 9. 11 Вт в диапазоне частот 15,9. 16,4 ГГЦ. Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ -Техника, 2007, В. 1(489). С. 25−32.
- Ю. М. Богданов, В. Г. Лапин, А. М. Темнов, Ф. Е. Щербаков Монолитный двух-позиционный переключатель для диапазона частот 0,5.18ГГц, согласованный по всем каналам Электронная. Техника. Сер.1. СВЧ -Техника, 2007, В.1(489). С. 33−37.