Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа

Диссертация: Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Начиная с 90-х годов активно развивается новое направление физики твердого тела, связанное с возможностью переноса ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник. Прикладное направление этих исследований получило название спинтроники. Эти исследования важны для создания одноэлектронных логических структур, и-спин-информационных систем для^ информатики (в данном… Читать ещё >

Кинетические и магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Cd1-xMnxGeAs2 и Cd1-xMnxGeP2 при высоком давлении до 7 ГПа (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Литературный обзор
    • 1. Кристаллическая структура соединений АПВ1УСУ2. В
      • 1. 1. Кристаллическая структура СсЮеАБг
      • 1. 2. Кристаллическая структура СсЮеР
      • 1. 3. Кристаллическая структура гпОеАвг
      • 1. 4. Кристаллическая структура 2пОеР
    • 2. Электрофизические свойства полупроводников А"В1УСУ
    • 3. Влияние введения (1-элементов (Мп, Сг, Бе) на магнитные свойства полупроводников А^^С^
      • 3. 1. СсЮеАвг
      • 3. 2. СсЮеР
      • 3. 3. гпОеАБг
      • 3. 4. ZnGeP
      • 3. 5. Магнитные свойства МпАб и МпР
  • Глава II. Методика и техника эксперимента
    • 2. 1. Обзор методов создания гидростатического давления
    • 2. 2. Аппарат высокого давления типа «Тороид»
    • 2. 3. Создание гидростатического давления до 9 ГПа с помощью аппарата «Тороид»
    • 2. 4. Экспериментальная установка и методика измерения удельного сопротивления, магнитосопротивления и коэффициента Холла при гидростатическом давлении до 9 ГПа
    • 2. 5. Методика измерения магнитной восприимчивости и объемной магнитострикции под давлением
  • Глава III. Экспериментальная часть
    • 3. 1. Кинетические свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
    • 3. 2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеАвг с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
  • Глава IV. Экспериментальная часть
    • 4. 1. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при атмосферном давлении. Обсуждение полученных результатов
    • 4. 2. Кинетические и магнитные свойства СсЮеР2 с различным содержанием Мп при всестороннем давлении. Обсуждение полученных результатов
  • Выводы

Начиная с 90-х годов активно развивается новое направление физики твердого тела, связанное с возможностью переноса ориентированного спина электрона из ферромагнетика в немагнитный полупроводник [1,2]. Прикладное направление этих исследований получило название спинтроники [3]. Эти исследования важны для создания одноэлектронных логических структур, и-спин-информационных систем для^ информатики (в данном случае спиновой информатики, в которой информационной ячейкой памяти служит спин электрона: один спин — одинбит информации [4]).. В. твердотельной' электронике спиновый токоперенос открывает новую возможность управления магнитным полем характеристиками различных устройств — диодов, триодови т. д., т. е. появляется дополнительная степень свободы. Использование в качестве эмиттеров поляризованных спинов ферромагнитных (ФМ) металлов дает степень спиновой поляризации не более 10%. Значительно более высокая степень поляризации (до 100%) была получена в структурах полупроводникЕиО и полупроводник-халькогенидные шпинели, но при криогенных температурах, что неудобно для практических приложений. Кроме того, в этом случае возникает технологическаяпроблема создания хорошего электрического контакта между ферромагнетиком и полупроводником.

Получить хороший электрический контакт и высокую степень поляризации по спину тока можно, создав ФМ-полупроводник с температурой Кюри выше комнатной путем легирования примесями с неполностью заполненными Зё-обо л очками. Именно поэтому внимание исследователей сосредоточилось на создании ФМ-полупроводника путем легирования марганцем широко используемых в микроэлектронике полупроводников, в первую очередь соединений АШВУ. Наиболее изученным представителем этого класса материалов является Gai.xMn.xAs, в котором был обнаружен ферромагнетизм с температурой Кюри Тс, не превышающей 170 К [5, 6].

Тройные полупроводники АИВ1УС2У известны давно. Эти соединения являются кристаллохимическим и электронным аналогом полупроводников АШВУ. В матрице АПВ1УСУ2 в зависимости от степени легирования переходные элементы (в частности Мп) могут замещать в различных пропорциях как позиции А11 (Сс1, 7л)) элементов второй группы, так и позиции В1У (Ое) элементов четвертой группы. Интерпретируется предположении, что магнетизм в разбавленных магнитных полупроводниках (РМП) дырочного типа на основе матриц АПВ1УСУ2 формируется в результате конкуренции двух противоположных эффектов: антиферромагнитного сверхобменного взаимодеиствия Мп2±Мп2+ и ферромагнитного двойного обменного взаимодействия Мп2±Мп3+ [7]. При низких концентрациях ионов марганца доминирует первый, приводя к состоянию типа спинового стекла, а для случая с относительно высокой концентрацией ионов марганца, когда происходит частичное замещение ионов Ое4+ ионами Мп3+, доминирует второй вариант обменных взаимодействий, проявляющийся в ферромагнетизме. Стоит отметить важную роль вакансий и нестехиометрии в формировании ферромагнетизма в этих РМП. Для системы СсЮеР2: Мп показано, что наличие в ней вакансий типа (Сё, Ус, Мп) СеР2 или нестехиометрии типа (Сё, Ое, Мп) веРг делает энергетически более выгодным ФМ-состояние, чем состояние спинового стекла [8].

Недавно высокотемпературный ферромагнетизм был обнаружен в халькопиритах АПВ1УС2У, легированных Мп. Это были соединения 7пОеР2: Мп [9] и 2п8пАз2: Мп [10], в которых точка Кюри достигала 350 К.

В качестве объектов исследования были выбраны СсЮеАвг, в котором, температура Кюри Тс была еще выше — 355 К и СсЮеР2 на основе которого был впервые синтезирован высокотемпературный ферромагнетик [11]. Интерес к СсЮеАвг и Сс10еР2 обусловлен возможностью легирования алмазоподобных матриц переходными элементами (Мп, Ре, Сг и др.) в довольно широких пределах, высокой подвижностью носителей дырочного типа, высокими температурами Кюри, а также технологичностью их получения в виде качественных поликристаллов и монокристаллов. Поскольку характер легирования и наличие свободных носителей заряда определяют не только кинетические свойства, но и магнитные свойства таких материалов то, эффективно воздействуя давлением, можно изучать процессы, происходящие в высокотемпературных ФМ полупроводниках.

Основные результаты и выводы.

1. Впервые проведены исследования эффекта Холла в разбавленных магнитных полупроводниках Сс11хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сё1хМпхОеР2 (х=0.09<�х<0.19) при атмосферном давлении, что позволило определить тип, концентрацию, подвижность носителей заряда и их зависимость от температуры, состава и магнитного поля. Эксперимент показал, что механизм аномального уменьшения удельного электросопротивления и рост намагниченности связаны с ростом концентрации носителей заряда. Для Сс11хМпхОеА82 (0.18<х<0.3) путем графических построений из температурных и магнетополевых зависимостей холловского сопротивления были рассчитаны температурные зависимости нормального и аномального коэффициентов Холла.

2. Исследования электрических свойств разбавленных магнитных полупроводников Сс11. хМпхОеА82 (0.06<х<0.3) и Сс11. хМпхОеР2 (0.09<х<0.19), позволили обнаружить отрицательное и положительное магнетосопротивление, индуцированное высоким давлением, которое проявляется в магнитном поле Н<5 кЭ при комнатной температуре.

3. Из анализа барической зависимости относительной магнитной восприимчивости и относительной объемной сжимаемости в разбавленных магнитных полупроводниках Сс11. хМпхСеА52 (0.06<х<0.3) и Сс11. хМпхОеР2 (0.09<х<0.19) установлено, что отрицательное магнетосопротивление вероятно связано с аномалиями магнитных свойств.

4. Впервые обнаружено, что в Сс10.7Мпо.зОеАз2 вблизи температуры магнитного упорядочения, индуцируется давлением метамагнитный переход из состояния с низкой намагниченностью в состояние с высокой намагниченностью.

5. Впервые измерены зависимости относительного объема а)8=ДУ/У и относительной магнитной восприимчивости ферромагнитного полупроводника Сё1. хМпхОеАз2 (0.06<х<0.3) при высоком давлении до 7 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях %/%о и ДУ/У от давления, при Р>1.6 ГПа и Р>4.3 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты показывают, что имеют место переходы из низко намагниченного состояния в высоко намагниченное состояние вблизи критического давления 1.6 ГПа и переход из магнето упорядоченной фазы в магнето неупорядоченную фазу при критическом давлении Рс4.3 ГПа. Воздействие высокого давления приводит к значительному уменьшению Тс с величиной сГГс/с1Р"(-14.0 ч- -6.8) К/ГПа. Расчеты объемного модуля В, проведенные с помощью скейлингового выражения позволили оценить значения объемного модуля в магнитоупорядоченной и магнитонеупорядоченной фазах.

6. Впервые измерены зависимости относительного объема о^ДУ/У ферромагнитного полупроводника Сс11хМпхОеР2 (0.09<х<0.225) при высоком давлении до 6 ГПа в области комнатных температур. На зависимостях АУ (Р)/Уо при Р>3.6 ГПа обнаружены аномалии магнитных свойств. Полученные результаты, на наш взгляд, показывают, что во всех исследованных поликристаллах имеют место магнитные фазовые переходы. Вблизи критического давления Рс>3.6 ГПа, вероятно, имеет место переход из магнитоупорядоченной фазы в магнитонеупорядоченную фазу.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ohno Н., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science, v.281, N.5379, pp.951−956 (1998).
  2. Prinze G.A., Magnetoelectronics // Science, v.282, N.5394, pp. 1660−1663 (1998).
  3. В.А., Аминов Т. Г., Новоторцев B.M., Калинников В. Т., Спинтроника и спинтронные материалы // Известия академии наук. Серия химическая, № 11, с.2255−2303 (2004).
  4. Matsukura F., Ohno Н., Shen A., Sugawara Y., Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga, Mn) As // Phys. Rev. В v.57, R 2037−2040 (1998).
  5. Edmonds K.M., Wang K.Y., Campion R.P., Neumann A.C., Farley N.R.S., Gallagher B.L., Foxon C.T., High-Curie-temperature Gai-xMnxAs obtained by resistance-monitored annealing // Appl. Phys. Lett, v.81, pp.4991 3 pages. (2002).
  6. Zhao Y.-J., Geng W.T., Freeman A.J., Oguchi, Т., Magnetism of chalcopyrite semiconductors: Cd!.xMnxGeP2 // Phys. Rev. В v.63, Issue 20, pp.201 202 ® 4 pages. (2001).
  7. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi T. Mitani S.5 Takanashi K., Ishida Y., Sarma D. D., Okabayashi J., Fujimori A., Kamatani T. and Akai H., Novel Mn-doped chalcopyrites //J. Phys. Chem. Sol., v.64, pp.1461−1468 (2003).
  8. Medvedkin G.A., Hirose K., Ishibashi Т., Nishi Т., Voevodin V.G., Sato K., New magnetic materials in ZnGeP2-Mn chalcopyrite system // J. Ciyst. Growth, v.236, pp.609−612 (2002).
  9. Choi S., Cha G.-B., Hong S.C., Cho S., Kim Y., Ketterson J.B., Jeong S.-Y., Yi G.-C. Room-temperature ferromagnetism in chalcopyrite Mn-doped ZnSnAs2 single crystals // Solid State Commun., v. 122, pp. 165−167 (2002).
  10. Г. А., Ишибаши Т., Ниши Т., Сато К., Новый магнитный полупроводник CdixMnxGeP2 // Физика и техника полупроводников, т.35, № 3, с.305 309 (2001).
  11. Medvedkin G.A., Takayuki Ishibashi, Takao Nishi, Koji Hayata, Yoichi Hasegawa and Katsuaki Sato., Room Temperature Ferromagnetism in Novel Diluted Magnetic Semiconductor CdixMnxGeP2 // Jpn. J. Appl. Phys., v.39. pp. L949-L951 (2000).
  12. Krstajic P.M., Peeters F.M., Ivanov V.A., Kikoin K., Double-exchange mechanisms for Mn-doped III-V ferromagnetic semiconductors // Phys. Rev. В., v.70. pp.195 215 16 pages. (2004).
  13. P.B., Королева Л. И., Маренкин С. Ф., Михайлов С. Г., Новоторцев В. М., Калинников В. Т., Аминов Т. Г., Шимчак Р., Шймчак Г. Баран М.,
  14. Новый ферромагнетик с температурой Кюри выше комнатной -легированный Мп халькопирит // Письма в ЖТФ. Т. 30. № 21. с.812 004).
  15. В.М., Калинников В. Т., Королёва Л. И., Демин Р. В., Маренкин С. Ф., Аминов Т. Г., Шабунина Г. Г., Бойчук С. В., Иванов В. А., // Высокотемпературный ферромагнитный полупроводник CdGeAs2{Mn} // Журнал Неорганической Химии, т.50, № 4, с.552−5 572 005).
  16. Новые алмазоподобные полупроводники AHBIVCV2 (обзор), под ред. Валового Ю. А., М., (1971).
  17. Полупроводники AnBIVCv2 под ред. Горюновой Н. А., Валова Ю. А., М., «Советское радио», (1974).
  18. Pfister Н. Kristallstruktur von ternaeren Verbindungen der Art A (II) B (IV) С (111)2, // Acta Ciystallographica, v. l 1, pp.221−224 (1958).
  19. Vaipolin A.A., Specific defects of the structure of compounds A (II) B (IV) C (V)2, // Fizika Tverdogo Tela, v.15, pp.1430−1435 (1973).
  20. Abrahams S.C., Bernstein J.L., Piezoelectric nonlinear optic CuGaSe2 and CdGeAs2: Crystal structure, chalcopyrite microhardness, and sublattice distortion, The Journal of Chemical Physics August 1, v.61, Issue 3, pp.1140−1146 (1974).
  21. С.Ф., Новоторцев В.M., Палкина K.K., Михайлов С. Г., Калинников В. Т., Получение и структура кристаллов CdGeAs2, // Неорганические материалы, т.40, № 2, с.1−3 (2004).
  22. Vaipolin A.A., Osmanov Е.О., Prochukhan V.D., Modifications of A (II) B (IV) C2(V) compounds with the sphalerite structure // Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Neorganicheskie Materialy, v.8, pp.825−827(1972).
  23. Grigorovici R., Manaila R., Vaipolin A.A., The structure of crystalline and amorphous Cd Ge P2 //Acta Crystallographica B, v.24, pp.535−541 (1968).
  24. Hoenle W., von Schnering H.G., Verfeinerung der Kristallstruktur von CdGeP2 // Zeitschrift fuer Kristallographie, v.155, pp.319−320 (1981).
  25. Levalois M., Allais G, Etude structurale, par diffraction de R-X des liaisons dans les semiconducteurs ternaires ZnSiAs2, ZnGeAs2 et ZnSnAs2 // Physica Status Solidi, Sectio A: Applied Research, v.109, pp.111−118 (1988).
  26. Janotti A., Wei Su-Huai, Zhang S.B., Kurtz S., Structural and electronic properties ofZnGeAs2 //Phys. Rev. В., v.63, pp.195 210 7 pages. (2001).
  27. Lind M.D., Grant R.W., Structural dependence of birefringence in the chalcopyrite structure. Refinement of the structural parameters of ZnGeP2 and ZnSiAs2 // The Journal of Chemical Physics January 1, v.58, Issue 1, pp.357−362 (1973).
  28. Continenza A., Massidda S. et. al., Structural and electronic properties of narrow-gap ABC2 chalcopyrite semiconductors // Phys. Rev., Serie 3. В -Condensed Matter, v.46, pp. 10 070−10 077 (1992).
  29. Leroux-Hugon P. // Compt rend. Acad, sei, v.256, N 1, p. 118 (1963).
  30. Л.И., Исследования в области тройных алмазоподобных полупроводников. Автореф. докт. дис. М., МИСиС, (1968).
  31. А.А., Османов Э. О., Третьяков Д. Н. // Известия АН СССР. Неорганические материалы, т. З, № 2, с. 260 (1967).
  32. Boyd G.D., Buehler Е., Storr F.G., Wernick J.H., Linear and nonlinear optical properties of ternary AnBIVC2V chalcopyrite semiconductors // IEEE J. Quant. Electronics, v.8, Issue 4, pp.419−426 (1972).
  33. Bendorius R., Prochukhan V.D., Sileika A., The Lowest Conduction Band Minima of A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol. B, v.53, Issue 2, pp.745 752 (1972).
  34. H.A., Тахтарёва H.K. // В кн.: Сложные полупроводники и их физические свойства. Кишинёв, «Штиинца», с. 47 (1971).
  35. Mughal S.A., Payne A.J., Ray В., Preparation and phase studies of the ternary semiconducting compounds ZnSnP2, ZnGeP2, ZnSiP2, CdGeP2, and CdSiP2 // J. Mater. Sci., v.4, N 10, pp.895−901 (1969).
  36. Masumoto K., Isomura S., Goto W., The preparation and properties of ZnSiAs2, ZnGeP2 and CdGeP2 semiconducting compounds // J. Phys. Chem. Solids, v.27, Issues 11/12, pp.1939−1947 (1966).
  37. Goryunova N.A., Ryvkin S.M., Shpenikov G.P., Investigations of Some Properties of Vitreous and Crystalline CdGeP2 // Phys. stat. sol. B, v.28, Issue 2, pp.489−494 (1968).
  38. Goryunova N.A., Kusmenko G.S., Osmanov E.O., Glasses on the basis of the A2B4C25, A2C25 compounds and their intermediate alloys // Mater. Sci. Engng, v.7, Issue 1, pp.54−56 (1971).
  39. В.В., Петров В. М., Полыгалов Ю. И., Чалдышев В. А., // Всесоюзная конференция по электрическим и оптическим свойствам кристаллов типа AinBv и сложных соединений типа AIIBIVCV2. Тезисы докладов. Ашхабад, «Ылым», с. 11 (1971).
  40. П.А., Кальная Г. И., Кириленко М. М., // Изв. АН СССР. Неорганические материалы, т. Ю, № 6, с. 988 (1974).
  41. Ю.К., Получение и исследование полупроводникового соединения CdGeP2. Автореферат канд. дис. Л., Ленинградский политехнический институт, (1974).
  42. И.И., Получение монокристаллов полупроводниковых соединений CdGeP2 и ZnGeP2 и исследование их свойств. Автореф. канд. дисс. Киев, Киевский пед. ин-т, (1966).
  43. Choi S., Choi J., Hong S.C., Cho S., Mn-doped ZnGeAs2 and ZnSnAs2 single crystals: growth and electrical and magnetic properties // Journal of the Korean Physical Society, v.42, pp. S739-S741 February (2003).
  44. Г. К., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Таштанова М. // Изв. АН СССР, Неорганические материалы, т.11, № 4, с. 607 (1975).
  45. Solomon G.S., Timmons M.L., and Posthill J.B., Organometallic vapor-phase-epitaxial growth and characterization of ZnGeAs2 on GaAs // Journal of Applied Physics, v.65, Issue 5, pp.1952−1956 March 1, (1989).
  46. М.Я., Хасиков B.B., В кн.: Тройные полупроводники AUBWC и AuBin2CVV Кишенёв, «Штиинца», с. 83 (1972).
  47. Buehler Е., Wernik J.H., Wiley J.D., The ZnP2-Ge system and growth of single crystals of ZnGeP2 // J. Electr. Mater, v.2, N 3, pp.445 (1973).
  48. Goryunova N.A., Poplavnoi A.S., Polygalov Yu.J., Chaldyshev N.A., Energy Band Structure of Ternary Diamond-Like A2B4C25-Type Semiconductors // Phys. Stat. Sol., v.39, N 1, pp.9−17 (1970).
  49. Bertoti J., Somogyi K., Preparation and some properties of ZnGeP2 crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.6, Issue 2, pp.439−443 (1971).
  50. Somogyi K., Bertoti J., Some Electrical Properties of ZnGeP2 Crystals // Japan J. Appl. Phys., v. ll, N 1, pp.103−106 (1972).
  51. Grigorueva V.S., Prochukhan V.D., Rud Yu.V., Yakovenko A.A., Some electrical properties of high-resistance ZnGeP2 single crystals // Phys. Stat. Sol. A., v.17, Issue 1, pp. k69-k74 (1973).
  52. B.C., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В. и др. // Письма в ЖЭТФ, 1, № 3, с.130 (1975).
  53. B.C., Прочухан В. Д., Рудь Ю. В., Яковенко A.A. // Физика и техника полупроводников, 8, вып. 8, с. 15 82 (1974).
  54. Landolt-Bornstein. Semiconductors: Physics of Ternary Compounds, ed. By O. Madelung (Berlin-Heidelberg, Springer Verlag, (1985) v. 17h.
  55. Sato K., Medvedkin G.A., Ishibashi- Т., Proceeding of international conference on Physics and applications of spin-related phenomena in semiconductors (PASP 2000), Sendai, Japan, Sept. 13−15, (2000).
  56. T. Hwang, J.H. Shim, and S. Lee, Observation of MnP magnetic clusters in room-temperature ferromagnetic semiconductor ZnixMnxGeP2 using nuclear magnetic resonance // Appl. Phys. Lett., v.83, pp.1809 3 pages. (2003).
  57. S. Cho, S. Choi, G.-B. Cha, S.C. Hong, Y. Kim, Y.-J. Zhao, A.J. Freeman, J.B. Ketterson, B.J. Kim, Y. C. Kim, and B.-C. Choi, Room-temperature ferromagnetism in (Zni.xMnx)GeP2 semiconductors // Phys. Rev. Lett., v.88, pp.257 203 4 pages. (2002).
  58. Wellmann P.J., Garcia J.M., Feng J.-L., Petroff P.M., Formation of nanoscale ferromagnetic MnAs crystallites in low-temperature grown GaAs // Appl. Phys. Lett., v.71, Issue 17, pp. 2532−2534 (1997).
  59. Fumihiro Ishikawa, Keiichi Koyama, Kazuo Watanabe, Tetsuya Asano and Hirofumi Wad a, First-order Phase Transition at the Curie Temperature in MnAs and MnAso9Sbo. i // Journal of the Physical Society of Japan, v.75, No.8, pp.84 604 6 pages. (2006).
  60. Huber E.E., Ridgley D.H., Magnetic properties of a single crystal of manganese phosphide // Phys. Rev. v.135, Issue 4A, pp. A1033-A1040 (1964).
  61. Bridgmen. P. W. The technique of high pressure experimenting // Proceeding. American Academy Arte Science, v.49. pp.627−643 (1914).
  62. Hall. H. T., Some high pressure, high temperature apparatus design considerations equipment for use at 100.000 atmospheres and 3000 C // Rev. Sci. Instrum., v.29, № 4, pp.267−275 (1958).
  63. Hall H. T., Ultra-High pressure, high temperature apparatus the «belt» // Rev. Sci. Instrum., v.31, № 2, pp.125−131 (1960).
  64. Jayaraman A. Hutson A. R., Mc. Pee J. H., Coriell A. S., Maines R. G., Hydrostatic and uniaxial pressure generation using teflon cell container in conventional piston-cylinder device // Rev. Sci. Instrun., v.3S, № 1, pp.44−49 (1967).
  65. Curtin H. R, Decker D. L., Vanfleet H. B., Effect of pressure on the inter metallic diffusion of silver in lead // J. Phys. Rev., v. 133, Issue 15A, pp. 1552−1557(1965).
  66. Norris D. I. R., On shear stresses in liquids at high pressure // Brit. J. Appl. Phys., v. 16, No. K5, pp.709−734 (1965).
  67. Bamett J. D., Bosco C. D., Technique for obtaining true hydrostatic pressures to 60 koar// Rev. Sci. Instrum., v.38, Issue 7, pp.957−963 (1967).
  68. Barnett J. D., Losco C., Viscosity measurements on liquids to pressures of 60 kbar // J. Appl. Phys., v.40, № 8, pp.3144−3150 (1969).
  69. Zeto R. J., Hryckowian E., Vanfleet H. B., Pressure cell with ten electrical leads for liquid hydrostatic pressures to 60 kbar // Rev. Sci. Instrum., v.43, Issue l, pp, 132−136 (1972).
  70. Young A. P., Ward G. F., Krauss H. H., Container for low boiling point liquids in belt-type high pressure apparatus // Rev. Sci. Instrum., v.35, Issue 12, pp. 1722−1723 (1964).
  71. Bocquillon-Monrigal G. Effet de la pression jusqu a 60 kbar sur la temperature de transition des grenats de terres rares purs et substitues, These de Doctoral d etat ea sciences physiques. Paris, p. 161 (1973).
  72. H.A., Верещагин Л. Ф. Измерение гидростатического давления до 100 кбар манганиновым датчиком сопротивления // ПТЭ., № 4, с.218−219 (1970).
  73. Khvostantsev L.G., Vereshchagin L.P., Ulyanitskaya N.M., Measurement of the thermoelectric properties of metals and semiconductors at quasi-hydrostatic pressures up to 60 kbarl Bismuth // High Temp.-High Pressures., v.5, № 1, pp.261−264 (1973).
  74. Khvosbantsev L.G., Vereshchagin L.P., Novikov A.P. Device of Toroid type for high pressure generation // High Temp-High Pressures., v.9, № 6, pp.637 639 (1977).
  75. Piermarini G.J., Block S., Bamett J.D., Hydrostatic limits in liquids and solids to 100 kbar//J. Appl. Phys., v.44, № 12, pp.5377−5382 (1973).
  76. Pierrmariini G.J., Porman R.A., Block S., Viscosity measurements in the diamond anvil pressure cell // Rev. Sci. Instrum., v.49, № 8, pp.1061−1066 (1976).
  77. E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ, № 1, с.201−208 (1979).
  78. R. J., Vanfleet Н. В. Pressure calibration to 60 kbar based on the resistance change of a manganin coils under hydrostatic pressure // J. Appl. Phys., v.40, № 5, pp.2227−2231 (1969).
  79. R. Т., Barnett J. D., Vanfleet H. B, Hall H. Т., Pressure calibration to 100 kbar based on compression ofNaCl // J. Appl. Phys., v.37, № 8, pp.31 723 180 (1966).
  80. Haygarth J. C., Luedenann H. D., Getting I. C, Kennedy G. C. The upper bismuth pressure calibration point. In: Accurate characterization of the high-pressure environment, NBS Special publication 326, Washington, pp.35−38(1971).
  81. D. L., Bassett W. A., Merill L., Hall H. Т., Barnett J. D. High pressure calibration. A critical review // J. Phys. Chem. Ref. Data., v. l, № 3, pp.773−835 (1972).
  82. E.C., Толмачев A.H., Широков A.M., Гридина H.M. Низкотемпературная камера гидростатического давления до 30 кбар из немагнитных материалов // ПТЭ. № 1, с.201−208 (1979).
  83. Лундберг, Бакстрем. Измерение холловского напряжения и магниторезистивного эффекта висмута методом суммарной частоты в установке «белт» // Приборы для научных исследований., № 6, с.20−23 (1972).
  84. А.А., Богомолов В. Н. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов при всестороннем сжатии // ФТТ., Т. З, В.2, с.627−629 (1961).
  85. А.Ю., Арсланов Р. К., Даунов М. И., Магомедов А. Б. Устройство для исследования гальваномагнитных эффектов до 4 ГПа. II В сб. Влияние высокого давления на вещество. Киев: (1995), с.145−147.
  86. А.Ю., Арсланов Р. К. Устройство для измерения барических зависимостей характеристических параметров твердых тел при высокихгидростатических давлениях до 10 ГПа. II Информ. лист. Дагестанского ЦНТИ. № 66−98 серия Р. 29.03.25.
  87. С.В. Магнетизм. Наука, М. (1971), с. 949.
  88. Л.И. Магнитные Полупроводники // М.: МГУ. (2003), с. 312.
  89. Т.Н. О коэффициентах Холла в области парапроцесса // Письма вЖЭТФ, Т.10, с.125−129 (1969).
  90. К.П.Белов, Магнитные превращения, Физматгиз, М. (1959), с. 259.
  91. И.К., ЖЭТФ Т.10, 11, с. 1242 (1940).
  92. Н.П., Матюшенко J1.A., Берсенев Ю. С. ФТТ Т.10, 3, с. 670 (1968).
  93. Bebenin N.G., Ustinov V.V., Conduction and disorder in LaMn03-based materials // J. Phys.: Cond. Matter, v.10, N.28, pp.6301 (1998).
  94. H. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Мир, М. (1982), Т.1, с.368
  95. Н.Г., Зайнуллина Р. И., Машкауцан В. В., Гавико B.C., Устинов В. В., Муковский Я. М., Шулятев Д. А. ЖЭТФ Т.117, 6, с. 1181 (2000).
  96. Chun S.H., Salamon М.В., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з (Са, РЬ)1/3МпОз single crystals near the critical temperature // Phys. Rev. В., v.59, N.17, pp.11 155−11 158 (1999).
  97. Chun S.H., Salamon M.B., Han P.D., Hall effect of Ьа2/з (Са, РЬ)1/зМп03 single crystals //.J.Appl. Phys., v.85, Issue 8, pp.5573−5575 (1999).
  98. Bebenin N.G., Zainullina R.I., Mashkautsan V.V., Ustinov V.V., Vasiliev V.G., Slobodin B.V., Galvanomagnetic Effects in Ьа2/зВ'1/зМп03 (D — В a, Sr) near Metal-Insulator Transition Point // Phys. Stat. Sol. A., v.175, Issue 2, pp.659−664 (1999).
  99. Бебенин Н: Г., Зайнуллина P.M., Машкауцан В. В., Устинов В. В., Васильев- В.Г., Слободин Б. В., Кинетические эффекты в Lao.67-xRxSro.33Mn03 (R = Eu, Gd) // ФТТ, Т.43, Вып. З, с.482−488 (2001).
  100. Papaconstantopoulos D.A., Pickett W.E., Tight-binding coherent potential approximation study of ferromagnetic La2/3Bai/3Mn03 // Phys. Rev. В., v.57, Issue 20, pp. 12 751−12 756 (1998).
  101. А.Ю., Камилов И:К., Арсланов Р. К., Залибеков У.3., Маренкин С. Ф., Новоторцев С. М., Михайлов С. Г. Фазовые превращения в новом ферромагнетике CdixMnxGeAs2. //Сб. трудов- межд. конф. «Физика-2005». 2005. Баку. НАН Азербайджана. С.105−108.
  102. В.М., Моллаев А. Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Залибеков У. З., Маренкин С. Ф., Варнавский С. А. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике CdixMnxGeAs2 при давлениях до 5 ГПа. Неорганические материалы, т.42, № 8, с.826−829 (2006).
  103. А.Ю., Камилов И. К., Арсланов P:K., Залибеков У. З., Маренкин С. Ф. Структурные фазовые превращения в новом ферромагнитном полупроводнике CdGeAs2.-Mn. Баку. Fizika. 2007. № 1−2. С. 320.
  104. Даунов, М.И., Камилов И. К., Арсланов Т. Р., Даунова Д. М. Применение метода- эффективной среды для описания полиморфных переходов в твердом теле при высоком давлении. ФТВД, 16, 1, 81−86 (2006).
  105. А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Залибеков У. З., Арсланов Т. Р. Отрицательное магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn, индуцированное высоким давлением // ФТВД, т. 19, Jf22. с. 99 (2009).
  106. А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Арсланов Т. Р., Залибеков У. З. Магнитосопротивление в p-InAs:Mn и p-CdGeAs2:Mn индуцированное высоким давлением. // Известия РАН. Серия Физическая, т.73, № 7. с. 1048 (2009).
  107. А.Ю., Камилов И. К., Арсланов Р. К., Арсланов Т. Р., Залибеков У. З., Новоторцев В. М., Маренкин С. Ф. Магнетосопротивление в p-InAsи p-CdGeAs2 :Мп, индуцированное высоким давлением //Сб. тр. Междунар. симпозиума ОМА-11. Лоо, (2008), с. 52.
  108. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z. About the high pressure induced negative magneto resistivity, found out in the CdixMnxGeAs2 // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.255.
  109. Khosla B.P., Fischer J.B., Low-Temperature Magnetoresistance in Degenerate n-Type Si //Phys. Rev. B. v.6. pp.4073- 4075 (1972).
  110. S. J. May, A. J. Blattner, and B. W. Wessels, Negative magnetoresistance in (In, Mn) As semiconductors // Phys. Rev. B, v.70, pp.73 303 4 pages. (2004).
  111. И.К. Исследование тепловых и электрических свойств ферромагнитных полупроводников. Кандидатская диссертация, Москва, МГУ, (1964).
  112. И.К., Алиев Х. К. Статические критические явления в магнитоупорядоченных кристаллах // Махачкала: ДНЦ РАН. (1993), с. 197.
  113. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Comprehensive study of high temperature ferromagnetic semiconductor
  114. Cd0 82Mn0 i8GeAs2 I I Book of Abstracts European Materials Research Society (E-MRS 2009). Warsaw. Poland. (2009), p. 113.
  115. G.Oomi and N. Mori, Bulk Modulus Anomalies of Fe-Ni and Fe-Pt Invar Alloys // J. Phys. Soc. Jpn. v.50, pp.2917−2923 (1981).
  116. M.Shiga and Y. Nakamura, Characterization of the phase transition of Invar type alloys by magnetoelasticity // J. Magn. Magn. Mater, v.90−91, pp.733 734 (1990).
  117. G.P.Renaud and S.G. Steinemann, High temperature elastic constants of fee Fe-Ni invar alloys // Physica B, v.161, pp.75−78 (1989).
  118. G.P.Renaud and S.G. Steinemann, Thermal disorder and magnetic fluctuations in invar type alloys // Physica В v.149, pp.217−220 (1988).
  119. V.A.Sidorov and L.G. Kvostantsev, Magnetovolume effects and magnetic transitions in the invar systems Fe65Ni35 and Er2Fe14B at high hydrostatic pressure // J. Magn. Magn. Mater, v.129, pp.356−360 (1994).
  120. JI.C., Новоторцев B.M., Маренкин С. Ф., Трухан В. М., Шёлковая Т. В. Метамагнетизм вблизи Тс в Мп-замещенном халькопирите Cdo.9oMno.ioGeAs2, // Письма в ЖЭТФ, т.89, вып.7, с.391−395 (2009).
  121. Shiga M., Kusakaba Y., Nakamura Y., Makita K. and Sagawa M., Magnetoelasticity of Nd2Fe14B and Y2Fe14B // Physica B, v.161, pp.206−208 (1989).
  122. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Zalibekov U.Z. Phase transition in multicomponent semiconductor Cd|-xMnxGeP2 under hydrostattic pressure up to 7 GPa // High Pressure Research, v.26, № 4, pp.387−390 (2006).
  123. А.Ю., Камилов И. К., Арсланов P.K., Залибеков У. З. Фазовые превращения в ферромагнитном полупроводнике Cdi.xMnxGeP2 при давлении до 5 ГПа. // Неорганические материалы, (2006), т.42, № 8, с. 1−3
  124. Mollaev A.Yu., Kamilov I.K., Arslanov R.K., Arslanov T.R., Zalibekov U.Z., Spin reorientation transitions in ferromagnetic semiconductors CdixMnxGeP2 and CdixMnxGeAs2 induced at high pressure // Abst. XLVIIth EHPRG Conference. Paris. (2009), p.254.
  125. Akai H., Kamatani Т., Watanabe S., Electronic structure of diluted magnetic semiconductors and their superlattices // J. Phys. Soc. Jpn, suppl. A., v.69, pp. 119−124 (2000).
  126. Akai H., Ferromagnetism and Its Stability in the Diluted Magnetic Semiconductor (In, Mn) As // Phys. Rev. Lett., v. 81, pp.3002−3005(1998).
  127. Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Stabilization of Ternary Compounds via Ordered Arrays of Defect Pairs // Phys. Rev. Lett., v.78, Issue 21, pp.40 594 062 (1997).
  128. Zhang S.B., Wie S.H., Zunger A., Katayama-Yoshida H., Defect physics of the CuInSe2 chalcopyrite semiconductor // Phys. Rev. В., v.57, Issue 16, pp.9642−9656 (1998).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!