Кинетика и механизмы взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы хлора и хлороводорода с алюминием и арсенидом галлия
Диссертация
Кроме этого, проведено исследование кинетики и механизмов плазменного травления AI в хлоре и хлороводороде. Показано, что Эксперименты по газовому травлению AI в HCl показали отсутствие взаимодействия в заданном диапазоне условий. Найдено, что скорость плазменного травления AI в HCl в 3−3.5 раза ниже аналогичных значений для плазмы С12 что согласуется с различиями в плотностях потоков химически… Читать ещё >
Список литературы
- Словецкий, Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсо-держащей плазме. В кн. «Химия плазмы» / Д. И. Словецкий. — М.: Энер-гоатомиздат, 1989. — Вып. 15. — С. 208.
- Susuki, К. Microwave plasma etcing of Si with CF4 and CF6 gas / K. Susuki, S. Okidaira // J. Electrochem. Soc. 1982. — V.129. — № 12. — P. 2764 -2770.
- Wolf, S. Silicon Processing for the VLSI Era / S Wolf, R. N. Tauber- Prosess Technology, Lattice Press. New York, 2000. — V. 1. — 890 p.
- Словецкий, Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной фторсодержащей плазме В кн. «Химия плазмы» / Д. И. Словецкий. — М.: Энергоатомиздат, 1983. Вып. 10. — С. — 130.
- Ефремов, A.M. Вакуумно-плазменные процессы и технологии: учеб. Пособие / A.M. Ефремов, В. И. Светцов, В. В. Рыбкин ГОУВПО Иван, гос. хим. технол. ун-т. — Иваново, 2006. — 260 с.
- Дикарев, Ю.В. Плазмохимическое травление в тлеющем ВЧ разряде фторсодержащих газов / Ю. В. Дикарев, В. Ф. Стрыгин, В. А. Гольдфарб. // Электр, техн. Сер. 2. 1975. — № 5. — С. 4 — 10.
- Lieberman, М.А. Principles of plasma discharges and materials processing / M.A. Lieberman, AJ. Lichtenberg- John Wiley & Sons Inc. New York, 1994.-450 p.
- Broszeit, E. Plasma surface engineering / E. Broszeit, W.D. Manz, H. Oech-sner, K.-T. Rie, G.K. Wolf, Verlag. Berlin, 1989. — 668 p.
- Rossnagel, S.M. Handbook of plasma processing technology / S.M. Rossnagel, J.J. Cuomo, W.D. Westwood. NJ: Park Ridge, Noyes Publications, 1990.
- Данилин, Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев М.: Энергоатомиздат, 1987. — 269с.
- Плазменная технология в производстве СБИС- под редакцией Н. Айнс-прука, Д. Брауна. М.: Мир, 1987. — 470 с.
- Словецкий, Д.И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д. И. Словецкий. М: Наука, 1980. — 310 с.
- Трубников, Б.А. Теория плазмы: учеб. пособие для вузов. / Б.А. Трубников-М.: Энергоатомиздат, 1996.
- Полак, Л.С. Теоретическая и прикладная плазмохимия / Л. С. Полак, А. А. Овсянников, Д. И. Словецкий, Ф. В. Вурзель. М.: Наука, 1975. -304 с.
- Куприяновская, А.П. Диссоциация молекул и концентрации заряженных частиц при разряде в хлоре / А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1987. — Т. 30. — Вып. 9. — С. 7174.
- Meeks, Е. Modeling of plasma etch processes using well stirred reactor approximations and including complex gas-phase and surface reactions / E. Meeks, J.W. Shon // IEEE Transactions on Plasma Science. 1995. — V. 23. -P. 539.
- Куприяновская, А.П. Механизм образования и разрушения активных частиц в галогенной плазме / А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. — Т. 26. — № 12. — С. 14 401 444.
- Efremov, A.M. Applicability of self-consistent global model for characterization of inductively coupled Cl2 plasma / A.M. Efremov, Gwan-Ha Kim, Jong-Gyu Kim, A.V. Bogomolov, Chang-II Kim // Vacuum. 2007. — V. 81. -P. 669−675.
- Stafford, L. Characterization of neutral, positive, and negative species in a chlorine high-density surface-wave plasma / L. Stafford, J. Margot, M. Chaker, О. Pauna // J. Appl. Phys. 2003. — V. 93. — P. 1907.
- Lee, Y.T. Global model for high pressure electronegative radio-frequency discharges / Y.T. Lee, M.A. Lieberman, A.J. Lichtenberg, F. Boseand, H. Baltes, R. Patrick // J. Vac. Sci. Technol. A 1997. — V. 15. — P. 113.
- Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / D.R. Lide- CRC Press, New York, 1998−1999. 940 p.
- Lee, C. Global model of Ar, 02, Cl2, and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M.A. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A 1995. — V. 13. -P. 368.
- Смирнов, Б.М. Ионы и возбужденные атомы в плазме / Б. М. Смирнов. М.: Атомиздат, 1974. — 420 с.
- Efremov, A.M. Volume and heterogeneous chemistry of active species in chlorine plasma / A.M. Efremov, D.P. Kim, C.I. Kim // Thin Solid Films. -2003.-V. 435.-P. 83.
- Светцов, В.И. Неравновесная плазма хлора химия и применение / В. И. Светцов, A.M. Ефремов // Тезисы докладов 2 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. — Иваново, 1995.-С. 31.
- Смирнов, Б.М. Физика слабоионизованного газа / Б. М. Смирнов. М.: Наука, 1978.-410 с.
- Райзер, Ю.П. Основы современной физики газоразрядных процессов / Ю. П. Райзер.-М.: Наука, 1980.-416 с.
- Malyshev, M.V. Diagnostics of chlorine inductively coupled plasmas. Measurement of electron temperatures and electron energy distribution functions / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J.Appl.Phys. 2000. — V. 87. — P. 1642.
- Lichtenberg, A.J. Modeling plasma discharges a thigh electronegativity / A.J. Lichtenberg, I.G. Kouznetsov, Y.T. Lee, M.A. Lieberman // Plasma Sources Sci. Technol. 1997. -V. 6. — P. 437−449.
- Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в разряде в хлоре / A.M. Ефремов, В. И. Светцов, Д.В.
- Ситанов // ТВТ. 2008. — Т. 46. — № 1 — С. 1−8.121
- Браун, С. Элементарные процессы в плазме газового разряда / С. Браун. -М.: Атомиздат, 1961. 324 с.
- Елецкий, A.B. Диссоциативное прилипание электрона к молекуле / A.B. Елецкий, Б. М. Смирнов // Успехи физических наук. 1985. — Т. 147.-№ 3.-С. 459−484.
- Ashida, S. Spatially averaged (global) model of time modulated high density chlorine plasmas / S. Ashida, M.A. Lieberman // Jpn. J. Appl. Phys. -1997.-V. 36.-P. 854.
- JIe6, JI. Основные процессы электрических разрядов в газах / Л. Леб. -М.- Л.: ГИТТЛ, 1950. 672 с.
- Bozin, S.E. Measurements of ionization and attachment coefficients in chlorine / S.E. Bozin, C.C. Goodyear // Brit. J. Appl. Phys. 1969. — V. 18. — P. 49.
- Malyshev, M.V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of electron and total positive ion densities / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2001. — V. 90. — P. 1130.
- Kouznetsov, I.G. Modeling electronegative discharges at low pressure / I.G. Kouznetsov, A.J. Lichtenberg, M.A. Lieberman // Plasma Sources Sei. Tech-nol. 1996. -V. 5. — P. 662.
- Ahn, Т.Н. Negative ion measurements and etching in a pulsed-power inductively coupled plasma in chlorine / Т.Н. Ahn, К. Nakamura, H. Sugai // Plasma Sources Sei. Technol. A 1996. — V. 14. — P. 139−144.
- Hebner, G.A. Negative ion density in inductively coupled chlorine plasmas / G.A. Hebner // J. Vac. Sei. Technol. A 1996. — V. 14. — P. 2158.
- Meyyppan, M. A. spatially-averaged model for high density discharges / M. Meyyppan, T.R. Govindan // Vacuum. 1996. — V. 47. — P. 215.
- Горохов, A.B. Ионизационные процессы и диссоциация молекул в столбе тлеющего разряда в хлоре и парах воды / A.B. Горохов, А. И. Максимов, В. Д. Сизов, A.A. Степанова // ЖТФ. 1972. — Т. 42. — № 10. -С. 2176−2179.
- Kawano, S. Systematic simulations of plasma structures in chlorine radio frequency discharges / S. Kawano, K. Nanbu, J. Kageyama // J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. — V. 33. — P. 2637−2646.
- Pyerminoff, S.D. Electronically exited and ionized states of chlorine molecule / S.D. R.J. Buenker // J. Chem. Phys. 1981. — V. 57. — P. 279.
- Midha, V. Spatio-temporal evolution of a pulsed chlorine discharge / V. Midha, D.J. Economou // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. — V. 9. — P. 256−269.
- Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в смесях хлора с азотом / A.M. Ефремов, Д. В. Ситанов, В. И. Светцов // ТВТ. 2008. — Т. 46. — № 4 — С. 1−8.
- Кондратьев, В.Н. Константы скоростей газофазных реакций. Справочник/В.Н. Кондратьев. — М.: Наука, 1971. 351 с.
- Boyd, R.K. Halogen recombination-dissociation reactions: current status / R.K. Boyd, R. Burns // J. Phys. Chem. 1979. — V. 83. — № 1. — P.88−93. >
- Stace, A.J. Calculations of recombination of halogen atoms in the presence of various inert gas atoms and molecules / A.J. Stace // J. Chem. Sos. Faraday Trans. 1979.-V. 75.-№ 12.-P. 1657−1660.
- Hutton, E. Recombination of halogen atoms / E. Hutton // Nature. 1964. -V. 203. — № 4977. — P. 835−840.
- Clyne, M.A.A. Recombination of ground state halogen atoms. Part 2. Kinetics of overall recombination of chlorine atoms / M.A.A. Clyne, D.H. Sted-mane // Trans. Faraday Sos. 1988. — V. 64. — № 550. — Part 10. — P. 29 682 975.
- Clark, T.S. The nitric oxide catalized recombination of chlorine atoms / T.S. Clark, M.A.A. Clyne // Chem. Communs. 1966. — V. 10. — P. 287 291.
- Lloyd, A.C. A critical rewiev of the kinetics of dissociation-recombination reactions in fluorine and chlorine / A.C. Lloyd // Int. J. Chem. Kinetics. — 1971. -V. 3. -№ l.-P. 39−43.
- Chantry, P.J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P.J. Chantry // J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. -P. 1141.
- Martisovits, V. Transport of chemically active species in plasma reactors for etching / V. Martisovits, M. Zahoran // Plasma Sources Sci. Technol. -1997.-V. 6.-P. 280−297.
- Киреев, В.Ю. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур / В. Ю. Киреев, Б. С. Данилин, В. И. Кузнецов. М.: Радио и связь, 1983.-128 с.
- Bader, L.W. Recombination of chlorine atoms / L.W. Bader, E.A. Ogryslo //Nature.- 1964.-V. 201. № 4918. — P. 491−498.
- Ogryslo, E.A. Halogen atom reactions. 1. Electrical discharge as a source of halogen atoms / E.A. Ogryslo // Canad. J. Chem. 1961. — V. 39. — № 16. -P. 2556−2561.
- Herron, J.F. Mass-spectrometry study of recombination atoms bromine and chlorine in pyrex / J.F. Herron // J. Phys. Chem. 1963. — V. 67. — № 12. — P. 2864−2868.
- Kota, G.P. The recombination of chlorine atoms at surfaces / G.P. Kota, J.W. Coburn, D.B. Graves // J. Vac. Sci. Technol. A 1998. — V. 16. — P. 270.
- Kota, G.P. Heterogeneous recombination of atomic bromine and fluorine / G.P. Kota, J.W. Coburn, D.B. Graves // J. Vac. Sci. Technol. A 1999. — V. 17.-P. 282.
- Malyshev, M.V. Percent dissociation of Cl2 in inductively coupled chlorine-containing plasmas / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly, A. Kornblit, N.A. Ciampa // J. Appl. Phys. 1998. — V. 84. — P. 137.
- Donnelly, V.M. A simple optical emission method for measuring percent dissociations of feed gases in plasmas: Application to Cl2 in a high-density helical resonator plasma / V.M. Donnelly // J. Vac. Sci. Technol. A 1996. -V. 14.-P. 1076.
- Malyshev, M.V. Diagnostics of inductively coupled chlorine plasmas: Measurement of CI2 and CI number densities / M.V. Malyshev, V.M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2000. — V. 88. — P. 6207.
- Светцов, В.И. Применение абсорбционной спектроскопии для исследования диссоциации хлора в ВЧ безэлектродном разряде / В. И. Светцов, А. П. Куприяновская, А. Б. Марышев // ЖПС. 1981. — Т. 35. — № 2.- С. 205−208.
- Опо, К. Measurement of the CI atom concentration in RF chlorine plasmas by two-photon laser-induced fluorescence / К. Ono, T. Oomori, M. Tuda // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. — V. 31. — P. 269.
- Neuilly, F. Chlorine dissociation fraction in an inductively coupled plasma measured by ultraviolet absorption spectroscopy / F. Neuilly, J.-P. Booth, L. Vallier // J. Vac. Sci. Technol A 2002. — V. 20. — P. 225.
- Зимина, И.Д. Диссоциация хлора в тлеющем и высокочастотном разрядах / И. Д. Зимина, А. И. Максимов, В. И. Светцов // ХВЭ. 1973. — Т. 7.-№ 6.-С. 486−490.
- Fuller, N.C.M. Optical actinometry of CI2 CI, Cl+, and Ar+ densities in inductively coupled Cl2-Ar plasmas / N.C.M. Fuller, I.P. Herman, V.M. Donnelly//J. Appl. Phys.-2001.-V. 90.-P. 318.
- Wang, Y. Mass spectrometric measurement of molecular dissociation in inductively coupled plasmas / Y. Wang, R.J. Van Brunt, J.K. Olthoff // J. Appl. Phys. 1998. — V. 83. — P. 703.
- Samukawa, S. Effect of degree of dissociation on aluminum etching in high-density Cl2 plasma / S. Samukawa, V.M. Donnelly // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998. V. 37. — P. L1036.
- Ефремов, A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц при разряде в НС1 / A.M. Ефремов, В. И. Светцов // ТВТ. 2006. — Т. 44. — № 2. С. 195−204.
- Efremov, A.M. A self-consistent model for the HC1 dc glow discharge: plasma parameters and active particles kinetics / A.M. Efremov, V.I. Svetsov125
- Proceedings SPIE «Micro- and nanoelectronics». 2005. — V. 6260. — P. 626 009−1-626 009−8.
- Efremov, A.M. Plasma parameters and chemical kinetic in an HCl DC glow discharge / A.M. Efremov, G.H. Kim, D.I. Balashov, C.I. Kim // Vacuum. -2006.-V. 81.-P. 244−250.
- Turner, M.M. Modeling of the self-sustained, discharge-excited xenon-chlorine laser / M.M. Turner, P.W. Smith // IEEE Transaction on Plasma Sei.- 1991.-V. 19.-P. 350.
- Efremov, A.M. Compilation of cross section data of elementary processes of HCl applicable for plasma modeling / A.M. Efremov, V.l. Svetsov, D.I. Balashov // Contrib. Plasma Phys. 1999. — V. 39. — № 3. — P. 247−250.
- Моро, У. Микролитография / У. Моро. М.: Мир, 1990. — Т. 2. — 600 с.
- Richter, H.H. The influence of gas chemistry on plasma-induced damageduring poly-Si etching / H.H. Richter, M.A. Aminpur, A. Wolf, R. Sorge, R. th
- Barth // Proceedings of 12 Intern. Colloq. On Plasma Processes. Antibes, France, June 6−10, 1999.-P. 110.
- Engelhardt, M. Patterning of aluminum nitride films with Si02 hard mask in an MERIE diode reactor / M. Engelhardt // Meeting Abstracts of 197th Meeting of the Electrochemical Society. Toronto, Canada, May 14−18, 2000.-P. 301.
- Орликовский, A.A. Проблемы плазмохимического травления в микроэлектронике / A.A. Орликовский, Словецкий Д. И. // Микроэлектроника- 1987. Т. 16. — № 6. — С. 497.
- Flamm, D.L. Basic chemistry and mechanisms of plasma etching / D.L. Flamm, V.M. Donnelly, D.E. Ibbotson // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. -V. l.-P. 23.
- Chapman, B. Glow Discharge Processes: Sputtering and Plasma Etching / B. Chapman- John Wiley & Sons. New York, 1980. — P. 287.
- Светцов, В.И. Об эффективности взаимодействия хлора с различными металлами / В. И. Светцов, Т. А. Чеснокова // ЖФХ. 1984. — Т. 58. — № 14.-С. 2706−2709.
- Максимов, А.И. Роль атомов при плазмохимическом травлении металлов и углеродсодержащих соединений / А. И. Максимов, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. — Т. 2., — № 5. — С. 571−575.
- Светцов, В.И. Плазменное травление металлов в хлоре / В. И. Светцов, Т. А. Чеснокова // Тез. докл. Всесоюзн. конф. по плазменной технике. -Казань, 1981.-С. 65−67.
- Светцов, В.И. Исследование термически активированного взаимодействия хлора с некоторыми металлами при пониженных давлениях / В. И. Светцов, Т. А. Чеснокова // ЖФХ. 1984. — Т. 58. — № 7. — С. 1774−1777.
- Rooth, J.R. Industrial plasma engineering / J.R. Rooth- IOP Publishing LTD, Philadelphia, 1995.-730 p.
- Winters, H.F. Surface processes in plasma assisted etching environments / H.F. Winters, J.W. Coburn, T.G. Chuang // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. -V. l.-P. 469.
- Graves, D.B. Plasma processing / D.B. Graves // IEEE Transaction on Plasma Science. 1994. — V. 22. — P. 31.
- Sugawara, M. Plasma etching. Fundamentals and applications / M. Sugawa-ra- Oxford University Press Inc. New York, 1992. — 304 p.
- Winters, H.F. Etch products from the reaction on Cl2 with Al (100) and Cu (100) and XeF2 with W (111) and Nb / H.F. Winters // J. Vac. Sci. Technol. В. 1985. — V. 3. — № 1. — P. 9.127
- Park, S. Effect of inert ion bombardment on chemisorption and etching of aluminum films in Cl2, Br2, CC14 and CBr4 / S Park, L.C. Rathbun, T.N. Rho-din // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. — V. 3. — № 3.
- Coburn, J.W. Plasma etching and reactive ion etching / J.W. Coburn. New York, AVS Monograph Series, 1982.
- Sugano, T. Applications of plasma processes to VLSI technology / T. Suga-no. New York, Wiley, 1990.
- Smolinsky, G. Plasma etching of III-V compound semiconductor materials and their oxides / G. Smolinsky, R.P. Chang, T.M. Mayer. // J. Vac. Sci. Technol. 1980. — V. 129. № 11. — P. 12−16.
- Термические константы веществ- под редакцией. В. П. Глушко. М.: 1971.-Вып. 5.-530 с.
- Susa, N. Comparison of GaAs, tungsten and photoresist etch rates and GaAs surfaces RLE with CF4, CF4 + N2, SF6 + N2 mixtures / N. Susa // J. Electro-chem. Soc. 1985. — V.132. — № 11. — P. 2762−2767.
- Gottcho, R.A. Carbon tetrachloride plasma etching of GaAs and InP / R.A.Gottcho, G. Smolinsky, R.H. Burton // J. Appl. Phis. 1982. — V.53. -№ 8. P. 5908−5919.
- Smolinsky, G. Plasma etching of III V compound semiconductor materials and their oxides / G. Smolinsky, R.P. Chang, T.M. Mayer // J. Vac. Sci. Technol. — 1980. — V. 18. — № 1. — P. 12−16.
- Donelly, V.M. Temperature dependence of GaAs etching in a chlorine plasma / V.M. Donelly, D.L. Flamm, C.W. Tu, D.E. Ibbotson // J. Electro-hem. Soc. 1982. — V.129. -№.1. -P. 2533−2537.
- Smolinsky, G. Time-dependence etching of GaAs and InP with CC14 and
- HC1 plasmas: electrode material and oxidant addition effects / G. Smolinsky, 128
- R.A. Gottscho, M. Abys // J. Appl. Phis. 1983. — V.54. — №.6. — P. 35 183 523.
- Ibbotson, D.E. Summary abstract studies of plasma etching III V compounds: the effects of temperature and discharge frequency / D.E. Ibbotson, D.L. Flamm, V.M. Donelly, B.S. Duncan // J. Vac. Sci. Technol. — 1982. -V.20. — № 3. — P.489−490.
- Киреев, В.Ю. Ионностимулированное газовое травление I В.Ю. Кире-ев, Д. А. Назаров, В. И. Кузнецов // Электронная обработка материалов. -1986,-№ 6.-С. 40−44.
- Sugata, S. GaAs radical etching with a Cl2 plasma in a reactive ion beam etching system / S. Sugata, K. Asakawa // J. Appl. Phis. 1984. — V.23. -№ 8.-P. 564−566.
- McNevin, S.C. Summary abstract: investigation of the etching mechanism for the ion-assisted reaction of GaAs with Cl2 / S.C. McNevin, G.E. Becker // J. Vac. Sci. Technol. 1985.-V.A3.-№ 3.-P. 880−881.
- Donelly, V.M. Fundamental aspects of plasma-surface interaction and the etching process / V.M. Donelly, D.E. Ibbotson, D.L. Flamm. on Bombardment Modific Surface, Amsterdam, 1984. — P. 323−359.
- Ibbotson, D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of Groups III-V / D.E. Ibbotson // Pure&Appl. Chem. 1988. — V.60. — № 5. — P. 703−708.
- Mantei, T.D. Low-pressure etching of GaAs with multipolar plasma confinement / T.D. Mantei, JJ. Jbara // J. Appl. Phis. 1987. — V.60. — № 10. — P. 4885−4888.
- Burton, R.H. CCUand Cl2 plasma etching of III-V semiconductors and role of added 02 / R.H. Burton, G. Smolinsky // J. Electro-hem. Soc. 1982. -V.129. -№.7. — P. 1599−1604.
- Кузнецов, Г. Д. Скорость плазмохимического травления арсенида галлия в среде на основе ССЦ и C2F2C13 / Г. Д. Кузнецов, Э. М. Новикова, А. В. Журавлев // Неорганические материалы. 1988. — Т.24. — № 5. — 719 с.
- Никифоров, А.Ю. Процессы полимеризации при тлеющем и высокочастотном разряде в четырех хлористом углероде /А.Ю. Никифоров, В. И. Светцов // Хим. и хим. технология. — 1985. Т.28. — № 3. — С. 116 118.
- Semura, S. Reactive ion etching of GaAs in CC14/H2 and CCl4/02 / S. Se-mura, H. Saitoh, K. Asakawa // J. Vac. Sci. Technol. 1984. — V.55. — № 8. -P. 3181−3185.
- Vodjdani, N. Reactive ion etching of GaAs with hight aspect ratios with Cl2-CH4-H2-Ar mixtures / N. Vodjdani, P. Parrens // J. Vac. Sci. Technol. -1987. -B5(6). P. 1591−1598.
- Yamada, H. Anisotropic reactive ion etching technique of GaAs and AlGaAs materials for integrated optical device fabrication / H. Yamada, H. Ito, H. Inaha // J. Vac. Sci. Technol. 1985. — V. B3. — № 3. — P.884−888.
- Clark, D.T. Surface modification of InP by plasma techniques using hydrogen and oxygen / D.T. Clark, T. Fok // Thin Solid Films. 1981. — V.78. -№ 3.-P. 271−278.
- Chang, R.P.H. Hydrogen plasma etching of semiconductors of their oxides / R.P.H. Chang, C.C. Chang, S. Darack // J. Vac. Sci. Technol. 1982. — V. 20. — № 1. — P. 45−50.
- Chang, R.P.H. Summary abstract: hydrogen plasma etching of semiconductors of their oxides / R.P.H. Chang, C.C. Chang, S. Darack // J. Vac. Sci. Technol. 1982. — V. 20. — № 3. — P. 490−491.
- Tu, C.W. Surface etching kinetics of hydrogen plasma of InP / C.W. Tu, R.P.H. Chang, A.R. Schlier // Appl. Phis. Lett. 1982. — V. 41. — № 1. — P. 80−82.
- Chang, R.P.H. Hydrogen plasma etching of GaAs oxides / R.P.H. Chang, S. Darack // Appl. Phis. Lett. 1981. — V. 38. — № 11. — P. 898−900.
- Tu, C.W. Summary abstract: surface etching kinetics of hydrogen plasma of III-V semiconductors / C.W. Tu, R.P.H. Chang, A.R. Schlier // J. Vac. Sci. Technol. 1983. — V. A1. — № 2. — P. 637−638.130
- Tsukada, N. Laser-enhanced reactive ion etching of GaAs with CC14 and H2 mixed gas / N. Tsukada, S. Semura, H. Saitoh, S. Sugata, K. Asakawa // J. Appl. Phis. 1984. — V. 55. — № 9. — P. 3417−3420.
- Ефремов, A.M. Параметры плазмы и травление материалов в смесях хлора с инертными и молекулярными газами / A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново, 1999. — С. 89 — 101.
- Ефремов, A.M. О механизмах взаимодействия плазмы смесей хлор -аргон с металлами и полупроводниками / A.M. Ефремов, В. И. Светцов, H.JI. Овчинников // Известия Академии Наук. Серия физическая. 1998. — Т.62. — № 10. — С. 2090 — 2093.
- Semura, S. Hydrogen mixing effect on reactive ion etching of GaAs in chlorine-containing gases / S. Semura, H. Saitoh // J. Vac. Sci. Technol. -1984. V. A (2). — P. 474.
- Senga, T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Mastumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. 1996. -V. B14(5). -P. 3230−3238.
- Jenichen, A. Etching of GaAs (100) surfaces by HC1: density functional calculations to the mechanisms/ A. Jenichen, C. Engler // Surface Science. -2001.-V. 475.-P. 131−139.
- Yoon, S.F. / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Thin Solid Films. 2001. -V.394.-P. 250−255.
- Yoon, S.F. / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Mater. Sci. Semicond. Process. 2000. — V.3. — P. 207.
- Куприяновская, А.П. Закономерности образования активного хлора и его взаимодействия со стеклом и некоторыми металлами: автореферат / Куприяновская А. П. М., 1985. — 16 с.
- Корякин, Ю.В. Чистые химические вещества / Ю. В. Корякин, И. И. Ангелов. М.: Химия, 1974. — 408 с.
- Иванов, Ю.А. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии / Ю. А. Иванов, Ю. А. Лебедев, Л. С. Полак. М.: Наука, 1981.-142 с.
- Максимов, А.И. Измерение температуры газа в тлеющем разряде термопарным методом / А. И. Максимов, А. Ф. Сергиенко, Д. И. Словецкий // Физика плазмы. 1978. -Т. 4.-№ 2.-С. 347−351.
- Рохлин, Г. Н. Газоразрядные источники света / Г. Н. Рохлин. М.-Л.: Энергия. — 560 с.
- Lochte-Holtgreven, W. Plasma Diagnostics / W. Lochte-Holtgreven- AIP Press. New York, 1995. — 928 p.
- Бабичев, А.П. Физические величины: справочное издание / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский- под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергоатомиздат, 1991. — 1232 с. — ISBN 5−28 304 013−5.
- Таблицы физических величин. Справочник / под ред. И. К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
- Efremov, A.M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HC1 direct current glow discharges / A.M. Efremov, V.I. Svettsov, D.V. Sitanov, D.I. Balashov // Thin Solid Films. 2008. — V. 516.-P. 3020−3027.
- Seebocka, R. Surface modification of polyimide using dielectric barrier discharge treatment // R. Seebocka, H. Esroma, M. Charbonnierb, M. Ro-mandb, U. Kogelschatzc // Surface and Coatings Technology, 2001. — V. 142−144.-P. 455−459.
- Ефремов, A.M. Вероятности гибели атомов и концентрации активных частиц в плазме хлора / A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2004. — Т. 47. — № 2. — С. 104−107.
- Балашов, Д.И. Потоки УФ квантов на поверхность в условиях плаз-мохимического травления в хлоре/ Д. И. Балашов, Ю. В. Кириллов // Химия высоких энергий. 1998. — Т.32. — № 4. — С. 346 — 348.
- Ефремов, A.M. Математическое моделирование разряда в хлороводо-роде / A.M. Ефремов, Д. И. Балашов, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и Хим. Технология. 2003. — Т.46. -№ 3. — С. 118−122.
- Roosmalen, A.J. Dry etching for VLSI / A.J. Roosmalen, J.A.G. Bagger-man, S.J.H. Brader- Plenum Press. New-York, 1991. — P. 450.
- Keaton, A. Landauer. Temperature and flow effects in aluminum etching using bromine-containing plasmas / A. Landauer Keaton, D.W. Hess. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. — V. 6. — № 1.
- Ефремов, A.M. Травление меди в хлоре / A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Микроэлектроника. 2002. — Т. 31. — № 3. — С. 211−226.
- Словецкий, Д.И. Механизмы плазмохимического травления материалов. Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Д.И. Словецкий- под редакцией В. Е. Фортова. М.: Майк «Наука/интерпериодика», 2000. -T.III.-345−374 с.
- Ефремов, A.M. Кинетика и механизмы плазмохимического травления меди в хлоре и хлороводороде / A.M. Ефремов, P.M. Еремеев, С.А.133
- Пивоваренок // Сборник трудов IV Международного симпозиумума по теоретической и прикладной плазмохимии. Иваново, 2005. — Т.1. -668 с.
- Seabaugh, A. Selective reactive ion etching of GaAs on AlGaAs using CC12F2 and He / A. Seabaugh // J. Vac. Sci. Technol. 1985. — V. B6(l). — P. 77 -81.
- Scherer, A. Gallium arsenide reactive ion etching in boron trichloride/argon mixture / A. Scherer, H.G. Craighead, E.D. Beebe // J. Vac. Sci. Technol. -1987.-V. B5(6). P. 1599.
- Ефремов, A.M., Овчинников H.JI., Светцов В. И. Плазмохимическое травление арсенида галлия в хлоре / A.M. Ефремов, H.JI. Овчинников, В. И. Светцов // ФХОМ. 1997. — № 1. — С. 47−51.
- Pearse, R.W.B. The identification of molecular spectra. Fourth edition / R.W.B. Pearse, A.G. Gaydon. New York: John Wiley & Sons, inc, 1976. -407p.
- Стриганов, A.P. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов / А. Р. Стриганов, Н. С. Свентицкий. — М.: Атомиздат, 1966.-899 с.
- Дунаев, А.В. Кинетика травления GaAs в хлорной плазме / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Изв ВУЗов. Химия и хим. технология. 2010. — Т.53. — Вып. 5. С. 53 — 56.
- Efremov, A.M. Plasma parameters and etching mechanisms of metals and semiconductors in hydrogen chloride / A.M. Efremov, S.A. Pivovarenok, V.I. Svettsov // Russian Microelectronics. 2009. — V.38. — № 3. — P. 147−159.