Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Получение и исследование материалов на основе углерода и азота

Диссертация: Получение и исследование материалов на основе углерода и азота
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработанное устройство и способ ввода реагентов предварительно апробированы и применены при синтезе полупроводниковых нитридов галлия и индия. Изучено влияние галогена на формирование указанных нитридов. Показано, что в ряду 1→Вг-+С1 возрастает благоприятное воздействие галогена на выход готового нитрида. Установлено, что введение в реакцию Li3N снижает I температуру синтеза. При этом аммиакат… Читать ещё >

Получение и исследование материалов на основе углерода и азота (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ
    • 1. 1. Молекулярные CNX соединения
    • 1. 2. Кристаллический нитрид углерода C3N
    • 1. 2. Методы синтеза углерод-азотных соединений
      • 1. 2. 1. Методы осаждения из газовой фазы
      • 1. 2. 2. Методы, основанные на высоких давлениях
      • 1. 2. 3. Пиролитические методы
    • 1. 3. Постановка задачи
  • 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 2. 1. Характеристика исходных реагентов и материалов
      • 2. 1. 1. Пиролиз тиоцианатов щелочных металлов
      • 2. 1. 2. Синтез нитридов в замкнутом объеме
    • 2. 2. Методы исследования
      • 2. 2. 1. Фурье ИК-спектрометрия
      • 2. 2. 2. Масс-спектрометрический метод
      • 2. 2. 3. Рентгеноструктурный анализ '
      • 2. 2. 4. Электронная микроскопия
      • 2. 2. 5. Количественный анализ на азот и углерод
  • 3. РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПРОЦЕССА ПИРОЛИЗА ТИОЦИАНАТОВ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Формирование CN фрагментов при пиролизе тиоцианатов
    • 3. 2. Структура и особенности образования материала на основе углерода и азота, полученного в результате пиролиза тиоцианатов
    • 3. 3. Характеристика полученных нитридов углерода
      • 3. 3. 1. Термодеструкция полученных нитридов на основе масс-спектрометрии (МТА)
      • 3. 3. 2. Характеристика обнаруженных функциональных групп
  • 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ФОРМИРОВАНИЯ МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ УГЛЕРОДА И АЗОТА В ЗАМКНУТОЙ СИСТЕМЕ
    • 4. 1. Исследование состава газовой фазы, образующейся при термодеструкции в вакууме нитрида углерода, методом масс-спектрометр ии
    • 4. 2. Инфракрасный анализ полученных структур
    • 4. 3. Влияние параметров процесса синтеза на содержание азота в полученных материалах
    • 4. 4. Модельная схема масс-спектрометрического исследования материала на основе углерода и азота
  • 5. АПРОБАЦИЯ МЕТОДОВ И РЕЖИМОВ СИНТЕЗА НА НИТРИДАХ ИНДИЯ И ГАЛЛИЯ
    • 5. 1. Термодинамический анализ процессов получения нитридов галлия и индия
    • 5. 2. Влияние галогена и параметров синтеза на выход конечного нитрида

Разработка новых методов синтеза с заданным набором физических свойств — это важная проблема химии, представляющая большой интерес и для физики, биологии геологии, медицины, а также различных технических наук. Одну из главенствующих ролей в этой области занимают материалы на основе углерода и азота (в том числе полимеры), такие элементы как бор, алюминий, кремний, фосфор образуют с ними нитриды и карбонитриды, из которых получают ценные керамические материалы. При этом свойства твердых веществ зависят от того, какова их структуракристаллическая или аморфная, к какой полиморфной модификации принадлежат их кристаллы, каковы размеры формы кристаллов, характер и концентрация в них дефектов, природа, количество и состояние примесей, находящихся в объеме или на поверхности кристаллов, особенности взаимного связывания отдельных кристаллов в агрегаты (конгломераты), структурная организация (морфология) этих конгломератов (пленки, керамики, пористые системы, волокна).

Из сказанного ясно, что синтез материалов на основе углерода и азота не может в большинстве случаев ограничиться просто получением вещества какого-то конкретного состава. Важной задачей является получение вещества с ковалентными связями между зр3-гибридными атомами углерода с азотом, которые могут найти широкое применение ввиду их предполагаемых полезных свойств: высокой твердости, теплопроводности, износоустойчивости.

При синтезе таких материалов имеют место принципиальные трудности, связанные с низкой термодинамической устойчивостью соединений с sp — гибридизацией атомов углерода. Тем не менее, то, что это состояние не является термодинамически устойчивым, не налагает абсолютного запрета на поиск путей их получения.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1.Разработаны способы получения материалов на основе углерода и азота с тетраэдрическими связями, позволяющие синтезировать указанные материалы в достаточных макроколичествах для исследования из доступных реагентов.

2.Изучены механизмы пиролиза тиоцианатов натрия и калия и их особенности. Приведено и обосновано уравнение пиролиза для указанных веществ.

3.Разработаны оптимальные температурно-временные режимы синтеза материалов на основе углерода и азота, а также нитридов галлия и индия.

4.Получены и выделены углерод-азотные составы, не содержащие дополнительных примесей в аморфной и кристаллической модификациях.

5.На основании масс-спектрометрического, инфракрасного, рентгенофазового, количественного анализов сделан вывод о механизме термодесорбции, существовании и устойчивости различных фрагментов в газовой фазе.

6.Разработано оригинальное устройство и способ ввода реагентов, позволившее провести реакцию обмена между тетрахлоридом углерода и аммиаком в изолированной системе. Показана возможность её протекания по пути образования нитрида углерода, минуя стадию получения хлорида аммония.

7.Разработанное устройство и способ ввода реагентов предварительно апробированы и применены при синтезе полупроводниковых нитридов галлия и индия. Изучено влияние галогена на формирование указанных нитридов. Показано, что в ряду 1->Вг-+С1 возрастает благоприятное воздействие галогена на выход готового нитрида. Установлено, что введение в реакцию Li3N снижает I температуру синтеза. При этом аммиакат галогенида металла повышает выход продукта по сравнению с галогенидом того же металла. Оптимальный состав аммиаката составляет (МеГ3) 0r4 (NH3) 0, б ¦

Показать весь текст

Список литературы

  1. D.N. Dhar. The chemistry of tetracyanoethylene // Chem. Rev, 1967, V. 67, P. 611.
  2. N.S. Zefirov, D.I. Makhon’kov. Advances in the Chemistry of Pernitriles // Russ. Chem. Rev., 1980, V. 49, P. 337 356.
  3. R.P. Subrayan, P.G. Rasmussen. An overview of materials composed of carbon and nitrogen // Trends Polym Sci., 1995, V. 3, P. 165 172.
  4. M.-H. Whangbo, R. Hoffmann, R.B. Woodward. Conjugated One and Two Dimensional Polymers // Proc. R. Soc. Lond. A, 1979, V. 366, P. 23 46.
  5. Б. Jl. Корсунский, В. И. Пепекин. На пути к нитриду углерода // Успехи химии, 1997, Т. 66, № 11, С. 10 041 012 .
  6. A.M. Halpern, М.А. Rossman, R.S. Hosmane, N.J. Leonard. Photophysics of the S1."-«S0. transition in tri-s-triazine // J. Phys. Chem., 1984, V. 88, P. 4324 -4326 .
  7. M.A. Rossmann, N.J. Leonard, S. Urano, P.R. LeBreton. Synthesis and valence orbital structures of azacycl 3.3.3. azines in a systematic series // J. Am.
  8. Chem. Soc., 1985, V. 107, P. 3884 3890.
  9. В. В. Свиридов. Новые направления синтеза неорганических твердых веществ // Соросовский образовательный журнал, 1997, № 12, С. 35−36-
  10. M.L.Cohen. Calculation of bulk moduli of diamond and zinc-blende solids // Phys. Rev. B, 1985, V. 32, P. 7988 7991.
  11. M.L.Cohen. Predicting Useful Materials // Science, 1993, V. 261, P. 307 308.
  12. T. Hughbanks, Y. Tian. On the Structure and Composition of Carbon Nitride // Solid State Commun., 1995, V. 96, P. 321 325.
  13. Y.Guo, W. A. Goddard III, Is Carbon Nitride Harder than Diamond? No, but its Girth Increases When Stretched Chem. Phys. Lett., 1995, V. 237, P. 321.
  14. A.Y. Liu, R.M. Wentzcovich. Stability of carbon nitride solids // Phys. Rev. B, 1994, V. 50, P. 10 362 10 365.
  15. D.M.Teter, R.J. Hemeley. Low-Compressibility Carbon Nitrides // Science, 19 963, V. 271, P. 53 55.
  16. P. Kroll. Pathways to Metastable Nitride Structures // J. Solid State Chem., 2003, V. 176, P. 530.
  17. J. Kouvetakis, A. Bandari, M. Todd, B. Wilkens, N. Cave. Novel Synthetic Routesto Carbon-Nitrogen Thin Films // Chem. Mater., 1994, V. 6, P. 811 814.
  18. A. Reyes-Serrato, D.H. Galvan, I.L. Garzon. Ab initio Hartree-Fock study of structural and electronic properties of (3-Si3N4 and (3-C3N4 compounds // Phys. Rev. B, 1995, V. 52, P. 6293 6300.
  19. S.-D. Mo, L. Ouyang, W.Y. Ching, I. Tanaka, Y. Koyama, R. Riedel. Interesting Physical Properties of the New Spinel Phase of Si3N4 and C3N4 // Phys. Rev. Lett., 1999, V. 83, P. 5046 5049.
  20. J. Ortega, O.F. Sankey. Relative stability of hexagonal and planar structures of hypothetical C3N4 solids // Phys. Rev. B, 1995, V. 51, P. 2624 2627.
  21. Chen Yan- Wang En Ge- Guo Liping. Crystalline alpha-and beta-phase carbon nitride thin film material and prepn thereof. Chin. Patent CN 1 151 386 (1997).
  22. Nozue Tatsuhiro: Inagawa Konosuke. Method for forming hard carbon nitride film. Jpn. Patent JP 2 004 084 005 (2004) .
  23. Joachim Wunning. Preparation of carbon nitride surface layer on ferrous metal parts. US Patent US 4 003 764 (1997) .
  24. Zhou Zhibin- Cui Rongqiang- Cai Yanhui. Method for preparing high photoconductive gain carbon nitride film. Chin. Patent CN 1 443 870 (2003)
  25. Kirchhoff Markus- Kurtenbach Andreas- Drescher Dirk- Vogt Mirko. Forming hard etching mask from carbonaceous layer deposited on semiconductor, implants ions of carbon or nitrogen to form diamond or carbon nitride. Patent DE 10 224 215 (2003).
  26. Galan Estella Luis- Montero Herrero Isabel- Rueda Sanchez Fernando. Carbon nitride coating applicable to prevent the multipactor effect. Span. Patent ES 2 138 884 (2000) .
  27. Watanabe Toshiya- Yamashita Nobuki- Hoshina Ryosuke. Production of carbon nitride film. Jpn. Patent JP 11 323 530 (1999).
  28. Watanabe Toshiya. Production of carbon nitride film. Jpn. Patent JP 11 229 118 (1999).
  29. Watanabe Toshiya. Production of carbon nitride film and device for production it. Jpn. Patent JP 11 209 868 (1999) .
  30. Charles M. Lieber, John Zhang, Chunming Niu. Covalent carbon nitride material comprising C2N and formation method. US Patent US 5 840 435 (1998).
  31. Kenneth G. Kreider. Process for Producing Transparent carbon nitride films. US Patent US 5 618 389 (1997).
  32. P. Diehl. Shuttle for sewing machines. US Patent US 573 864 (1896).
  33. Chu Xi- Zhang Bing. Carbon nitride overcoat layer and method for forming. Patent AU 5 168 100 (2000).
  34. Chu Xi- Zhang Bing. Caron nitride overcoat layer and method for method for forming. World Patent WO 72 315 (2000) .
  35. Zou Qinghua. Carbon nitride ultrahard film plated target material and preparation method thereof. Chin. Patent CN 1 385 552 (2002).
  36. Tian Zhongzhuo- Yuan Lei- Gu Yousong. Syntesis method of crystalline phase carbonitride film by microwave plasm chemical gas-phase deposition. Chin. Patent CN 1 219 604 (1999).
  37. Grueger Heinrich- Leonhardt Albrecht Dr- Wolf Erich Prof- Selbmann Dietmar Dr. Producing hard Carbonitride coatings. Patent DE 19 604 334 (1996).
  38. Kakudate Youzou- Fujiwara Shuzo- Ideno Yutaka- Sugiyama Shuichi. Production of carbon nitride compound. Jpn. Patent JP 2 001 059 156 (2001).
  39. Kamijo Eiji- Tani Yoji- Ohara Hisanori- Tsujioka Masanori. Forming method of crystalline carbon nitride film. Jpn. Patent JP 2 000 072 415 (2000).
  40. Aizawa Koichi- Nitta Shoji. Amorphous carbon nitride composition and its manufacture. Jpn. Patent JP 11 238 684 (1999).
  41. Kanda Kazutaka- Ito Haruhiko- Saito Hidetoshi. Method for synthesizing hard carbon nitride film. Jpn. PatentV1. JP 11 229 147 (1999).
  42. Kakudate Youzou- Fujiwara Shuzo- Ideno Yutaka- Sugiyama Shuichi. Carbon allotrope with pseudo-one-dimensional structure and production of carbon nitride compound. Jpn. Patent JP 10 182 116 (1998).
  43. Okada Takuya- Yamada Suzuhisa- Wada Tetsuya. Thin carbon nitride film and its formation. Jpn. Patent JP 8 158 040 (1996).
  44. Val L. Lieberman, J. Hans Richter Yamazaki. Carbon nitride coating for optical media discs. US Patent US 6 658 895 (2003).
  45. Ito Haruhiko- Saito Hidetoshi- Kanda Kazutaka. Method for synthesizing hard carbon nitride film. Jpn. Patent JP 2 002 038 269 (2002) .
  46. Fuchigami Kenji- Wazumi Koichiro- Nakai Hiroshi- Shinohara Joshi. Formation of carbon nitride film. Jpn. Patent JP 2 000 239 845 (2000).
  47. Nishino Hitoshi- Tada Shinichi- Morikawa Shigeru- Inoue Naoki- Fujii Takamitsu. Production of carbon nitride and carbon nitride obtained by same method. Jpn. Patent JP 10 018 040 (1998).
  48. Nishino Hitoshi- Tada Shinichi- Inoue Naoki- Fujii Takamitsu. Production of carbon nitride and carbon nitride. Jpn. Patent JP 10 008 257 (1998).
  49. Uchiumi Yoshiharu- Imai Takahiro- Okamoto Akira. Member coated with carbon nitride single crystal film and its production. Jpn. Patent JP 9 184 062 (1997).
  50. Uchiumi Yoshiharu- Imai Takahiro- Okamoto Akira. Member covered with oriented carbon nitride film and its production. Jpn. Patent JP 9 175 900 (1997).
  51. Tomikawa Tadashi- Fujita Nobuhiko. Method for synthesizing carbon nitride thin film. Jpn. Patent JP 3 240 959 (1991).
  52. Ming-Show Wong- Dong Li- Yip-Wah Chung- William D. Sproul- Xi Chu- Scott A. Barnett. Superhard composite materials including compounds of carbon and nitrogen deposited on metal and metal nitride, carbide and carbonitride. US Patent US 5 776 615 (1998).
  53. Ming-Show Wong, Dong Li, Yin-Wah Chung, William D. Sproul, Xi Chu, Scott A. Barnett. Superhard composite materials including compounds of carbon and nitrogen deposited on metal and metal nitride carbide and carbonitride. US Patent US 5 725 913 (1998).
  54. Uchiumi Yoshiharu- Imai Takahiro. Carbon nitride single crystal film. Jpn. Patent JP 9 227 298 (1997).
  55. Eugene E. Haller- Marvin L. Cohen- William L. Hansen. Hard carbon nitride and method for preparing same. US Patent US 5 110 679 (1992).
  56. Yamashita Nobuki- Watanabe Toshiya. Device for forming thin film of carbon nitride and its method. Jpn. Patent JP 11 350 140 (1999).
  57. Gary Steven Tompa. Method for producing carbon nitride films. US Patent US 5 650 201 (1997).
  58. Zhou Zhibin- Cui Rongqiang- Cai Yanhui. Method for preparing high photoconductive gain carbon nitride film. Chin. Patent CN 1 443 870 (2003).
  59. Kenneth G. Kreider. Transparent carbon nitride films and compositions of matter composing transparent carbon nitride films. US Patent US 5 573 864 (1996).
  60. Pao-Hsien Fang. Method and apparatus for production of a carbon nitride. US Patent US 5 405 515 (1995).
  61. Alexandrescu Rodica- Cireasa Raluca- Crunteanu Aurelian- Pugna Valeria Gabriela- Petcu Stela- Morjan Ion. Process for preparing thin layers of CN$X$ type carbon nitride by means of laser. Patent RO 113 231 (1998) .
  62. Alexandrescu Rodica- Pugna Valeria Gabriela- Crunteanu Aurelian- Petcu Stela- Cireasa Raluca- Morjan Ion- Dumitras Dan Constantin. Process for producing ultrafine crystalline carbon nitride powders by laser. Patent RO 115 621 (2000).
  63. David M. Teter, Russell J. Hemley. Low compressibility carbon nitrides. US Patent US 5 981 094 (1999).
  64. Riedel Ralf Prof Dipl Chem Dr- Kroke Edwin Dipl Chem Dr- Greiner Axel Dipl Chem. Neue carbodiimide polymereals vorstufen for C/N and B/C/N werkstoffe. Patent DE 19 706 028 (1998).
  65. Kawaguchi Masayuki- Nozaki Koji- Kida Yasushi. Transition metal salt compound of carbon nitride and its preparation. Jpn. Patent JP 3 014 834 (1991).
  66. Kawaguchi Masayuki- Nozaki Koji- Kida Yasushi. Derivative prepared by treating carbon nitride with acid and it production. Jpn. Patent JP 2 300 233 (1990).
  67. Kawaguchi Masayuki- Kida Yasushi- Yamamoto Kayoko- Nozaki Koji. Carbon nitride and production thereof. Jpn. Patent JP 2 022 328 (1990).
  68. Valery N. Khabashesku- John L. Margrave- John L. Zimmerman. Powder synthesis and characterization of amorphous carbon nitride, A-C3N4. US Patent US 6 428 762 (2002) .
  69. Ralf Riedel, Edwin Kroke, Axel Greiner. Carbodiimide polymers as precursors for C/N and B/C/N materials. US Patent US 6 127 510 (2000).
  70. John Kouvetakis, Michael Todd. Carbon nitride and its synthesis. US Patent US 5 606 056 (1997).
  71. A. Y. Liu, M. L. Cohen. Structural properties and electronic structure of low-compressibility materials: (3-Si3N4 and hypothetical (3-C3N4 // Phys. Rev. B, Condens Matter, 1990, V. 41, P. 10 727−10 734.
  72. D. M. Teter, R. J. Hemley. Low-Compressibility Carbon Nitrides // Science, 1996, V. 271, P. 53−55.
  73. L. Maya, D. R. Cole, E. W. Hageman. On the way to carbon nitride // J. Am. Ceram. Soc., 1991, V. 74, P. 1686 .
  74. Т. Sekine, Н. Kanda, Y. Bando, M. Yokoyama, K. Hojou. A graphitic carbon nitride // J. Mater. Sci. Lett., 1990, V. 9, P. 1376.
  75. L. Maya. Paracyanogen reexamined // J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem., 1993, V. 31, P. 2595 2600.
  76. M. R. Wixom. Chemical preparation and shock wave compression of carbon nitride precursors // J. Am. Ceram. Soc., 1990, V. 73, P. 1973 1978 .
  77. J. H. Nguyen, R. Jeanloz // Mater. Sci. Eng. A, 4, 1093 (1996).
  78. Б. JI. Корсунский, В. И. Пепекин. На пути к нитрилу углерода // Успехи химии, 1997, Т.66, № 11 С. 1003 -1014 .
  79. О.В. Кравченко, К. П. Бурдина, С. А. Трашин, Ю. Я. Кузяков, В. Н. Леднев, Р. Д. Воронина, Н. Б. Зоров. Термобарический синтез объемных образцов кристаллического нитрида углерода / / Химия, 2006, Т. 47, № 4, С. 266−268.
  80. Yunle Gu, Luyang Chen, Liang Shi, Jianhua Ma, Zeheng Yang, Yitai Qian. Synthesis of C3N4 and graphite by reacting cyanuric chloride with calcium cyanamide / / Lett Edit., 2003, V. 41, P. 2653 -2689.
  81. E.C. Franclin. The ammono carbonic acids // J. Am. Chem. Soc., 1922, V. 44, P. 486 509.
  82. Руководство по неорганическому синтезу. т. З под ред. Брауэра Г. М.: Мир, 1985, стр. 682−684
  83. Способ получения нитрида углерода. А. В. Семенча, В. А. Ананичев, JI.H. Блинов. Заявка на патент РФ № 2 007 110 274/15 от 20.03.2007.
  84. P. A. Redhead, Thermal desorption of gases // Vacuum, 1962, V. 12, N4, P. 203−213.
  85. Я.С.Уманский, Скаков Ю. А., Иванов А. Н., Расторгуев JI. H Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: «Металлургия», 1982 г., 632 с.
  86. Eugene Е. Hallen, Marvin L. Cohen, William L. Hansen.
  87. Hard carbon nitride and method for preparing same. US Patent US 511 0679A (1992).
  88. QixunGuo, Yi Xie, Xinjun Wang, Shichang Lv, Tao Hou,
  89. Xianming Liu. Characterization of well-crystallized graphitic carbon nitride nanocrystallites via a benzene-thermal route at low temperatures // Chemical Physics Letters. 2003. V. 380. P. 84−87.
  90. Chao Li, Chuan-Bao Cao, He-Sun Zhu. Graphitic carbon nitride thin films deposited by electrodeposition // Materials Letters. 2004. V. 58. P. 1903- 1906.
  91. A. Al Khawwam, C. Jama, P. Goudmand, O. Dessaux, A.
  92. El Achari, P. Dhamelincourt, G. Patrat. Characterization of carbon nitride layers deposited by IR laser ablation of graphite target in a remote nitrogen plasma atmosphere: nanoparticle evidence // Thin Solid Films. 2002. V. 408. P. 15−25.
  93. Chuan-Bao Cao, Qiang Lv, He-Sun Zhu. Carbon nitride prepared by solvothermal method // Diamond and Related Materials. 2003. V. 12. P. 1070−1074.
  94. C.A. Иванов. Электронная микроскопия. Учеб. пособие СПб.: ЛГТУ, 1991 г., 92с.
  95. О.Ф. Поздняков, Л. Н. Блинов, Моххамад Ариф, А. О. Поздняков, А. В. Семенча. Масс-спектрометрическоеисследование нитрида углерода C3N4 // Письма в ЖТФ. 2005. Том 31. Вып. 23. С. 17−23.
  96. Z.Q. Li, J.Y. Zhou, J. Zhang, Т.В. Chen, J. Yuan. Carbon nitrides synthesized by glow discharge method // J. of All. and Compounds, 2002, V. 346, P. 230−234.
  97. J. Peng, P. Zhang, Y.P. Guo, G.H. Chen. Synthesis of carbon nitride films by hot filament assisted plasma sputtering // Mater. Lett., 1996, V. 29, P. 191−194.
  98. P. Hammer, M.A. Baker, C. Lenrdi, W. Gissler. Synthesis of carbon nitride films at low temperatures // J.Vac. Sci. Technol, 1997, V. 15, P. 107−112.
  99. Z. Zhang, Y. Li, S. Xie, G.Yang. Polycrystalline fi-C3N4 thin films // J. Mater. Sci. Lett., 1995, V. 14, P. 1742−1744.
  100. S.R.P. Silva, J. Robertson, G.A.J. Amaratunga, B. Rafferty, L.M. Brown, J. Schwan, D. F. Franceschini, and G. M. Mariotto, Nitrogen modification of hydrogenated amorphous carbon films // J. Appl. Phys., 1997, V. 81, P. 2626.
  101. A. Fernandez, P. Prieto, C. Quiros, J.M. Sanz, J.-M. Martin, B. Fraboni. Characterization of carbon nitride thin films prepared by dual ion beam sputtering // Appl. Phys. Lett., 1996, V. 69, P. 764−766.
  102. A. Bousetta, M. Lu, A. Bensaoula, A. Schultz. ECR Assisted Evaporation of cBN Thin Films, XPS' and FTIR Investigation // Appl. Phys. Lett., 1994, V. 65, P. 696 .
  103. M.Daini, A. Mansour, L. Kubler, J.L. Bischoff, D. Bolmont. Search for carbon nitride CNx compounds with ahigh nitrogen content by electron cyclotron resonance plasma deposition // Diam. Relat. Mater., 1994, V. 3, P. 264−269.
  104. F. Rossi, B. Andre, A. van Veen, P.E. Mijnarends, H. Shut, F. Labohm, M.P. Delplancke, H. Dunlop, E. Anger. Physical properties of nitrogenated amorphous carbon films produced by Ion Beam assisted deposition // Thin Solid Film, 1994, V. 253, P. 85−89.
  105. T.Okada, S. Yamada, Y. Takeuchi, T. Wada. Formation of carbon nitride films with high N/C ratio by high-pressure radio frequency magnetron sputtering // J. Appl. Phys., 1995, V. 78, P. 7416−7418.
  106. J.J. Cuomo, P.A. Leary, D. Yu, W. Reuter, M. Frich. Reactive sputtering of carbon and carbide targets in nitrogen // J. Vacuum Sci. Technol. A., 1976, V. 16, P. 299−302.
  107. N. Axen, G. A. Bptton, R.E. Somekh, I.M. Xutchings. Effect Of Deposition Conditions On the Chemical Bonding In Sputtered Carbon Nitride Films // Diam. Relat. Mater., 1996, V. 5, P. 163.
  108. Z.-M.Ren, J.-C.Du, Y, Qiu, X.-X.Xiong, J.-D. Wu, F.-M. Li. Carbon nitride films synthesized by combined ion-beam and laser-ablation processing // Phys. Rev. B, Condens Mater, 1995, V. 51, P. 5274−5277.
  109. S. Veprek, J. Weidmann, F. Glatz. Plasma chemical vapor deposition and properties of hard C3N4 thin films
  110. J. Vacuum Sci. Technol. A., 1995, V. 13, P. 2914−2919.
  111. A.B. Семенча, О. Ф. Поздняков, А. О. Поздняков, JI.H. Блинов. Изучение структуры углерод-азотных соединений // Физика и химия стекла. 2 008. Т.38. № 1.
  112. Wolfgan Schnick. Carbon (IV) Nitride C3N4 A New Material Harder Than Diamond //Chem. INt. Ed. Engl., 1993, V. 32 No. 11, P. 1580−1581.
  113. С.И. Степанов, Д. В. Цветков, А. Е. Черенков. Установка для выращивания слоев GaN на подложках большой площади методом газофазной хлоридно-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 20, с. 58−65.
  114. L. Zhang, S.L. Gu, R. Zhang, D.M. Hansen, M.P. Boleslawski, T.F. Kuech. Lateral epitaxial overgrowth of GaN using diethyl gallium chloride in metal organic vapor phase epitaxy // J. Crystal Growth 235(2002) pp. 115−123 .
  115. Г. В. Самсонов, О. П. Кулик, B.C. Полищук. Получение и методы анализа нитридов. Киев «Наукова Думка», 1978, с. 316 .
  116. Д.М. Исследование условий образования и некоторых свойств слоев нитридов и окси-нитридов алюминия и галлия // Дисс. На соиск. уч. ст. канд. техн. наук. Л.: ЛПИ. 1980. с. 15−16.
  117. Мохаммад Ариф, Семенча А. В., Блинов Л. Н. Перспективные материалы для получения на их основе нитрида галлия // Материалы XII Международной конференции. С-Петербург, Издательство политехнического университета. Т.1. 2005. с. 316−317.
  118. Способ получения кристаллического нитрида галлия. Л. Н. Блинов, А. В. Семенча, В. А. Ананичев, С.Е.
  119. S.H. Lee, S.H. Ahn, К. С. Kim, Е.К. Suh, K.S. Nahm. Growth of Mg-doped GaN micro-crystals using MgCl2 in direct reaction of Ga and NH3 // J. Crystal Growth 249 (2003) pp. 396−403.
  120. S.Y. Bae, H.W. Seo, D.S. Han, M.S. Park, W.S. Jang, C.W. Na, J. Park, C.S. Park. Synthesis of gallium nitride nanowires with uniform 001. growth direction // J. Crystal Growth 258 (2003) pp. 296−301.
  121. Zhihong Zhang, Kurt Leinenweber, Matt Bauer, Laurence A. J. Garvie, Paul F. McMillan, and George H. Wolf. High-Pressure Bulk Synthesis of Crystalline C6N9H3•HCl: A Novel C3N4 Graphitic Derivative // J. Am. Chem. Soc., 2001, 123 (32), P. 7788−7796.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!