Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетика и пространственная структура фотоиндуцированного рассеяния света в легированных кристаллах ниобата лития

Диссертация: Кинетика и пространственная структура фотоиндуцированного рассеяния света в легированных кристаллах ниобата лития
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Рассчитаны картины селективного ФИРС в кристалле ниобата лития, легированного родием, при различных ориентациях пучка накачки относительно оптической оси кристалла. Установлено, что для случаев, когда волновой вектор излучения накачки лежит в плоскости, перпендикулярной оптической оси кристалла, и составляет некоторый ненулевой угол с нормалью к кристаллической пластинке, селективное ФИРС можно… Читать ещё >

Кинетика и пространственная структура фотоиндуцированного рассеяния света в легированных кристаллах ниобата лития (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ПРОЦЕССЫ ФОТОИНДУЦИРОВАННОГО ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ. ДИНАМИЧЕСКАЯ ГОЛОГРАФИЯ В ФОТОРЕФРАКТИВНЫХ КРИСТАЛЛАХ
    • 1. 1. Фотоиндуцированный перенос зарядов в сегнетоэлектрических кристаллах
      • 1. 1. 1. Процессы формирования поля пространственного заряда в сегнетоэлектрических кристаллах
      • 1. 1. 2. Механизмы фотоиндуцированного переноса заряда в сегнетоэлектрических кристаллах
    • 1. 2. Фоторефрактивный эффект в сегнетоэлектрических кристаллах
      • 1. 2. 1. Экспериментальные исследования фоторефрактивного эффекта
      • 1. 2. 2. Модели фоторефрактивного эффекта
    • 1. 3. Фотоиндуцированное рассеяние света
    • 1. 4. Динамическая голография в фоторефрактивных кристаллах
      • 1. 4. 1. Запись голограмм в фоторефрактивных кристаллах
      • 1. 4. 2. Особенности динамической голографии в фоторефрактивных кристаллах
  • ГЛАВА II. КИНЕТИКА ИНТЕНСИВНОСТИ ФОТОИНДУЦИРОВАННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ, ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ И РОДИЕМ
    • 2. 1. Экспериментальная установка и методика проведения эксперимента
    • 2. 2. Кинетика фотоиндуцированного рассеяния света в легированных кристаллах ниобата лития при различных интенсивностях пучка накачки
      • 2. 2. 1. Расчет временных характеристик фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах LiNb03: Fe и LiNb03: Rh
      • 2. 2. 2. Оценка фотопроводимости кристаллов LiNb03: Fe и LiNb03: Rh
  • ГЛАВА III. УГЛОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИНТЕНСИВНОСТИ ФО-ТОИНДУЦИРОВАННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ
    • 3. 1. Экспериментальная установка и цифровой метод построения индикатрис ФИРС
    • 3. 2. Построение и анализ индикатрис ФИРС в легированных кристаллах ниобата лития
      • 3. 2. 1. Индикатрисы прямого и обратного ФИРС в кристаллах LiNb03: Fe и LiNb03: Rh при нормальном падении пучка накачки
      • 3. 2. 2. Индикатрисы прямого и обратного ФИРС в LiNb03: Fe и LiNb03: Rh при различных углах падения пучка накачки
  • ГЛАВА IV. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ СТРУКТУРА СЕЛЕКТИВНОГО ФОТОИНДУЦИРОВАННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛАХ НИОБАТА ЛИТИЯ
    • 4. 1. Селективное фотоиндуцированное рассеяние света при нормальном падении пучка накачки
      • 4. 1. 1. Экспериментальное исследование селективного ФИРС в кристаллах LiNb03: RhHLiNb03:Fe
      • 4. 1. 2. Модель селективного фотоиндуцированного рассеяния света в легированных кристаллах ниобата лития
      • 4. 1. 3. Расчет картины фотоиндуцированного рассеяния света в кристалле LiNb03: Rh
    • 4. 2. Селективное фотоиндуцированное рассеяние света для различных углов падения пучка накачки в плоскости xz
      • 4. 2. 1. Экспериментальное исследование селективного ФИРС в кристалле LiNb03: Rh
      • 4. 2. 2. Моделирование селективного ФИРС в кристалле LiNb03: Rh
    • 4. 3. Селективное фотоиндуцированное рассеяние света для различных углов падения пучка накачки в плоскости ху

В настоящее время интенсивное развитие лазерной техники, волоконной и интегральной оптики открывает широкие возможности для применения сегнетоэлектрических сред в качестве элементной базы оптических систем обработки, передачи и хранения информации [1—3].

К перспективным сегнетоэлектрическим кристаллам относится фоторефрактивный кристалл ниобата лития ЫМЮз, обладающий уникальным набором электрооптических, фотоэлектрических, нелинейнооптических свойств [1, 2, 4, 5]. Ценным качеством этого кристалла является и то, что его характеристики можно изменять в широком диапазоне путем варьирования состава за счет легирования или изменения стехиометрии [5−7]. Отметим, что ниобат лития является рабочей средой для когерентно-оптических систем обработки информации (фурье-процессоры, устройства пространственной фильтрации изображений, корреляторы [8]), акустических линий задержек, устройств модуляции и преобразования частоты оптического излучения, тепловизионных приборов и датчиков ядерного излучения. За счет фоторефрактивного эффекта (ФРЭ) в LiNb03 осуществляется запись поляризационно-фазовых голограмм, что позволяет использовать данный кристалл в устройствах голографической записи и хранения информации.

Впервые фоторефрактивный эффект (optical damage — оптическое повреждение) наблюдался в кристалле ниобата лития в 1966 году [9]. ФРЭ заключается в локальном изменении показателя преломления при прохождении через кристалл лазерного луча, обусловленном пространственным разделением фотоиндуцированных зарядов и возникновением электрических полей, которые и изменяют показатель преломления в освещенной области за счет электрооптического эффекта.

Одним из следствий ФРЭ является рассеяние оптического излучения на фотоиндуцированных мелкомасштабных неоднородностях показателя преломления, называемое фотоиндуцированным рассеянием света (ФИРС). ФИРС как один из примеров значительной деструкции лазерных пучков представляет собой серьезный недостаток и является ограничивающим фактором для применения фоторефрактивных кристаллов.

Изучение особенностей ФИРС в легированных кристаллах ниобата лития актуально по следующим причинам. Исследование факторов, влияющих на кинетику и структуру рассеяния, способствует выяснению причин возникновения ФИРС, что позволяет выявить условия для его подавления. Кроме того, фоторефрактивные свойства ниобата лития в значительной мере определяются родом и концентрацией примесей, поэтому изучение ФИРС способствует получению дополнительной информации о влиянии примесей на свойства кристаллов.

Целью работы является изучение кинетики и индикатрисы фотоиндуцированного рассеяния света при различных условиях эксперимента и определение величин, характеризующих фоторефрактивный эффект в легированных кристаллах ниобата лития. Для достижения данной цели в работе были поставлены и решены следующие задачи.

1. Исследовать кинетику интенсивности ФИРС в кристаллах ниобата лития, легированных железом и родием, при различных интенсивностях пучка накачки.

2. Получить и проанализировать люкс-амперные характеристики кристаллов LiNbC^iFe и LiNbC^.'Rh, определить наиболее согласующуюся с экспериментальными данными по ФИРС модель фотоиндуцированного переноса заряда в кристаллах ниобата лития, легированных родием.

3. Разработать методику построения индикатрис ФИРС, основанную на обработке цифрового фотоизображения программными средствами.

4. Выявить особенности формирования индикатрисы неселективного (широкоуглового) ФИРС в направлении прошедших и отраженных лучей в кристаллах LiNbC^rFe и LiNb03.'Rh при различных углах падения пучка накачки.

5. Провести анализ угловой зависимости коэффициента усиления ФИРС и оценить применимость существующих моделей ФИРС для описания фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах ниобата лития, легированных железом и родием.

6. Изучить особенности пространственной структуры селективного ФИРС в кристаллах ниобата лития, легированных родием, при различных углах падения пучка накачки.

7. В рамках модели четырехволнового взаимодействия сформулировать условия фазового синхронизма для селективного ФИРС и оценить величину фоторефрактивной чувствительности кристаллов ниобата лития, легированных родием.

Для решения поставленных в работе задач применялись экспериментальные и теоретические методы. В процессе постановки и проведения эксперимента использовались фотоэлектрический и фотографический методы, а также метод визуального наблюдения. Обработка и интерпретация результатов осуществлялись с использованием статистических методов, метода численного решения нелинейных алгебраических уравнений, цифровых методов анализа изображений.

В диссертационной работе были использованы образцы кристаллов ниобата лития с легирующими добавками железа и родия: LiNb03: Fe (0,03 вес. %), LiNb03: Fe (0,05 вес. %) и LiNb03: Rh (0,01 вес. %). Указанные примеси однородно распределены по объему кристаллов. Кристаллы были предоставлены И. Б. Барканом (Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск). Були, из которых вырезались образцы, выращены методом Чохральского. Грани кристаллов ориентированы вдоль кристаллофизических осей х, у и z. Полировка граней проводилась с учетом стандартных требований, предъявляемых к обработке оптических и лазерных элементов. Перед проведением измерений качество кристаллов было проверено с использованием коноскопической методики. Необходимость такой проверки связана с тем, что реальные кристаллы на микроскопическом уровне оптически неоднородны за счет наличия примесей и механических напряжений. Также возможна разориентация различных областей — блочность. Как следствие, в различных частях кристалла оптические оси могут иметь различную ориентацию относительно граней кристаллов. Для измерений отбирались образцы, прошедшие проверку качества.

Результаты, полученные автором в работе, могут быть использованы для разработки нелинейно-оптических элементов и создания на их основе новых оптических устройств обработки, передачи, записи и хранения информации. Метод построения индикатрис ФИРС, предложенный в работе, может применяться для анализа угловых зависимостей интенсивности излучения при решении различных исследовательских и прикладных задач оптики.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 115 наименований. Общий объем работы составляет 108 страниц, включая 38 рисунков.

выводы.

1. Предложена модель, описывающая поляризационно-изотропное селективное фотоиндуцированное рассеяние света в кристалле LiNbOs: Rh как результат вырожденного по частоте четырехволнового взаимодействия на особом типе кубической нелинейности, обусловленном фоторефрактивными свойствами ниобата лития.

2. В рамках предложенной модели выполнение условий фазового синхронизма для углов, в направлении которых осуществляется нелинейное преобразование излучения накачки в энергию рассеянного света, обуславливается наличием оптической анизотропии в кристалле и неоднородностью фотоиндуцированного изменения показателя преломления в освещенной области кристалла.

3. С использованием предложенной модели рассчитано значение фотоиндуцированного изменения показателя преломления необыкновенной волны, А пе{1) для направления, в котором распространяется накачка, и найдена величина фоторефрактивной чувствительности в кристалле LiNb03: Rh. Согласно расчетам, значение Апе (1) составляет Апе (/) = -4 • 1 (Г3, фоторефрактивная чувствительность 6−10 Дж/см. Знак и величина Апе (1), а также величина фоторефрактивной чувствительности удовлетворительно согласуются с литературными данными [62, 87]. Таким образом, предложенная модель позволяет рассчитать изменение показателя преломления в кристалле за счет фоторефрактивного эффекта в направлении, совпадающем с направлением пучка накачки, и оценить фоторефрактивную чувствительность исследуемого кристалла.

4. В рамках предложенной модели фотоиндуцированное рассеяние света в кристалле LiNb03: Rh в случае, когда волновой вектор накачки, нормаль к кристаллу и оптическая ось кристалла лежат в одной плоскости, и пучок накачки падает нормально или под некоторым углом на кристаллическую пластинку, удовлетворительно описывает попутная трехпучковая схема взаимодействия. Для случая, когда пучок накачки расположен в плоскости, перпендикулярной оптической оси и составляет некоторый угол с нормалью к кристаллу, селективное ФИРС удовлетворительно описывается встречной четырехпучковой схемой взаимодействия.

5. Экспериментально установлено, что дуги селективного ФИРС в кристалле ниобата лития, легированного родием, в случае, когда волновой вектор накачки лежит в плоскости xz, асимметричны: максимальный угловой размер верхней дуги больше максимального углового размера нижней. Полный угол конуса раскрытия ФИРС при отклонении пучка накачки от направления нормали к кристаллической пластинке на угол до ~15° уменьшается, а затем возрастает при дальнейшем увеличении угла падения. Причем угловой размер картины ФИРС по вертикали не превышает максимального угла раскрытия рассеяния для случая нормального падения пучка накачки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе получены следующие научные результаты.

1. Проведено экспериментальное изучение кинетики интенсивности фотоиндуцированного рассеяния света в кристаллах LiNbCbiFe и LiNbC^Rh при интенсивности пучка накачки, изменяющейся в диапазоне 1−5-7 кВт/см2 на длине волны 0,6328 мкм. Исследован характер изменения временных характеристик ФИРС в легированных кристаллах ниобата лития при заданных условиях эксперимента. Установлено, что коэффициент усиления ФИРС в кристаллах LiNbC>3:Fe и LiNb03: Rh не зависит от интенсивности излучения накачки в диапазоне 1−5-7 кВт/см на длине волны 0,6328 мкм, что обусловлено низкой темновой проводимостью исследуемых кристаллов.

2. Проведена оценка характерного времени перераспределения фотогенерированных носителей заряда в освещенной области кристалла и величины фотопроводимости в кристаллах LiNb03: Fe и LiNbC>3:Rh в диапазоне интенсивности излучения накачки 1−5-7 кВт/см, рассчитаны и построены люкс-амперные характеристики. Установлено, что фотопроводимость кристаллов LiNb03: Rh при интенсивностях излучения л накачки в диапазоне 1−5-7 кВт/см на длине волны 0,6328 мкм имеет квадратичную составляющую, что может быть объяснено наличием двух уровней захвата фотовозбужденных носителей заряда в кристаллах LiNb03: Rh.

3. Предложен новый метод построения индикатрис ФИРС в легированных кристаллах ниобата лития, основанный на обработке цифрового изображения программными средствами. Метод позволяет упростить анализ особенностей пространственной структуры ФИРС в исследуемых кристаллах за счет применения современных математических пакетов.

4. Проведено экспериментальное исследование и построены индикатрисы ФИРС в кристаллах ниобата лития, легированных железом и родием, при различных условиях порождения рассеяния. В результате анализа полученных индикатрис установлено, что в областях, близких к направлению распространения пучка накачки в исследуемых кристаллах имеет место значительная угловая зависимость коэффициента усиления ФИРС.

5. Экспериментально исследовано селективное ФИРС в кристаллах ниобата лития, легированных железом и родием, в направлении прошедших и отраженных лучей для различных углов падения пучка накачки на кристаллическую пластинку. Предложена модель, описывающая возникающее в кристалле селективное ФИРС как результат вырожденного по частоте четырехволнового взаимодействия еее-е типа на кубичной нелинейности. В модели предполагается, что выполнение условий фазового синхронизма для углов, в направлении которых наблюдается селективное ФИРС, обеспечивается неоднородностью фотоиндуцированного изменения показателя преломления в области пучка накачки и наличием у кристаллов оптической анизотропии.

6. В рамках предложенной модели проведена оценка следующих величин: оптически наведенного изменения показателя преломления Апе (1) для пучка накачки, распространяющегося в освещенной области кристалла, и фоторефрактивной чувствительности исследуемого кристалла. Результаты расчетов удовлетворительно согласуются с известными из литературы значениями максимального Апе{1) и фоторефрактивной чувствительности в легированных кристаллах ниобата лития.

7. Рассчитаны картины селективного ФИРС в кристалле ниобата лития, легированного родием, при различных ориентациях пучка накачки относительно оптической оси кристалла. Установлено, что для случаев, когда волновой вектор излучения накачки лежит в плоскости, перпендикулярной оптической оси кристалла, и составляет некоторый ненулевой угол с нормалью к кристаллической пластинке, селективное ФИРС можно описать схемой попутного трехпучкового взаимодействия. Если же волновой вектор накачки, оптическая ось кристалла и нормаль к входной грани, восстановленная из точки падения пучка накачки, лежат в одной плоскости, то селективное ФИРС описывается схемой встречного четырехпучкового взаимодействия.

8. В рамках предложенной модели при различных условиях порождения фотоиндуцированного рассеяния в кристалле ниобата лития, легированного родием, проведен расчет углов синхронизма, определяющих совокупность направлений, в которых имеет место нелинейное преобразование излучения накачки в энергию рассеянного света. Теоретически полученные значения углов достаточно хорошо согласуются с экспериментальными данными по наблюдению картин селективного ФИРС в исследуемом кристалле.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Ю.С. Ниобат и танталат лития — материалы для нелинейной оптики / Ю. С. Кузьминов. М.: Наука. — 1975. — 228С.
  2. , Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением / Ю. С. Кузьминов. М.: Наука. — 1982. — 400С.
  3. , Д. Оптическая обработка информации / Д. Кейсесент. М.: Мир.-1980.-208С.
  4. , Б.И. Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления / Б. И. Стурман, В. М. Фридкин. М.: Наука. — 1992. — 208С.
  5. , Н.В. Ниобат лития: дефекты, фоторефракция, колебательный спектр, поляритоны / Н. В. Сидоров, Т. Р. Волк, Б. Н. Маврин, В. Т. Калинников. М.: Наука, 2003. — 255С.
  6. Buse, К. Light-indused charge transport processes in photorefractive crystals I: Models and experimental methods / K. Buse // Appl. Phys. B. 1997. — В 64.-P. 273−291.
  7. K. Buse, H. Hesse, U. van Stevendaal, S. Loheide, D. Sabbert, E. Kratzig // Appl. Phys. A. 1994. — V. 59. — P. 563.
  8. , М.П. Фоторефрактивные кристаллы в когерентной оптике / М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко. СПб.: Наука, 1992. — 320С.
  9. Chen, F.S. Optically induced change of refractive indices in LiNb03 and Li-Ta03 / F.S. Chen // J. Appl. Phys. 1969. — V. 40. — № 8. — P. 3389−3396.
  10. Ishida, A. Rh-doped LiNb03 as an improved new material for reversible holographic storage / A. Ishida, O. Mikami, S. Miyazawa, M. Sumi // Appl. Phys. Lett. 1972. -V. 21. -№ 5. — P. 192−193.
  11. , Е.В. Явление фоторефракции в оптических кристаллах и перспективные фоторефрактивные материалы / Е. В. Данилова, В. А. Максименко // Бюллетень научных сообщений № 8 / Под ред. В. И. Строганова. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2003. — С. 77−82.
  12. Karpets, Yu. M. Calculation of the photorefraction light scattering indicatrix in LiNb03 crystals / Yu.M. Karpets, V.A. Maksimenko, E.V. Danilova / AP-COM 2004: proceedings of the International Conference. — Khabarovsk: DVGUPS, 2004. — P. 392 — 394.
  13. , E.B. Исследование характеристик рассеянного света / Е. В. Данилова, В. А. Максименко, B.C. Файчук // Материалы региональной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. -Владивосток: изд-во Дальневост. ун-та, 2004. С. 68−69.
  14. , Е.В. Фотоиндуцированное рассеяние света в кристаллах LiNb03:Fe, LiNb03: Rh / Е. В. Данилова, В. А. Максименко // Бюллетеньнаучных сообщений № 9 / Под ред. В. И. Строганова. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2005. — С. 59−62.
  15. Danilova, E.V. The kinetics of photorefraction light scattering in doped lithium niobate crystals / E.V. Danilova, V.A. Maksimenko // APCOM 2005: Technical digest of the International Conference. — Vladivostok, 2005. — P. 8.
  16. J. Garcia М., М.А. Mondragon, J.M. Hernandez A., J.L. Maldonado R. // Optical Materials. 1994. — V. 3. — P. 61.
  17. Glass A.M., von der Linde D., Negran T.J. High voltage bulk photovoltaic effect and photorefractive process // Appl. Phys. 1974. — V.25. — № 4. — P.233−235.
  18. Glass A.M., von der Linde D., Auston D.H., Negran T. Excited state polarisation and bulk photovoltaic effect // J. Electron. Mater. 1975. — V. 40. — № 5. -P. 915−943.
  19. , M. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, A.M. Глас. -М.: Мир, 1981. 736с.
  20. Kratzig, E. Photorefractive centers in electrooptic crystals / E. Kratzig, O.F. Schirmer // Topics in Appl. Phys. V. 62. Photorefractive materials and their applications. Berlin-Heidelberg: Springer Verlag. — 1989. — P. 131−166.
  21. O., Erdmann A., Wiskott L., Hertel P. // Phys. Stat. Solidi A. 1991. -V. 128.-P.K41.
  22. V.E., Hartmann N.F., Verber C.M. // Ferroelectrics. 1980. — V. 27. -P. 237.
  23. R., Rasch A., Karthe W. // SPIE. V. 1274. — Electrooptic and Mag-netooptic Materials II. — 1990. — V. 18.
  24. F., Otten J. // JOSA B. 1993. — 1993. — V. 10. — № 11. — P. 2085.
  25. F. Jariego, F. Agullo-Lopez: Appl. Opt. 30. — 4615. — 1991.
  26. R. Orlowski, E. Kratzig // Solid State Commun. 1978. — V. 27. — P. 1351.
  27. F. P. Strohkendl, J.M.C. Jonathan, R.W. Hellwarth // Opt. Lett. 1986. — V. 11.-P.312.
  28. M.C. Bashaw, T.-P. Ma, R.C. Barker, S. Mroczkowski, R.R. Dube // Opt. Soc. Simon M., Jermann F., Kratzig E. // Opt. Materials. 1994. — V. 3. — P. 101.
  29. G.C. Valley // Appl. Phys. 1986. — V. 59. — P. 3363.
  30. B.A. Wechsler, M.B. Klein // Opt. Soc. Am. 1988. — V. 5. — P. 1711.
  31. K. Buse, E. Kratzig // Appl. Phis. 1995. — V. 61. — P. 27.
  32. Ashkin A., Boyd G.D., Diedzic J.M., Smith R.G., Ballman A.A., Levinstein H.J., Nassau K. Optically induced refractive index inhomogeneities in LiNb03 // Appl. Phys. Letters. 1966. — V. 9. — P. 72−80.
  33. Chen F.S., Geusic Geusic J.E., Kurts S.K., Skinner J.G., Wemple S.H. Light modulation and beam deflection with potassium tantalat-niobate crystals // J. Appl. Phys. 1966. — V. 37. — № 1. — P. 388−398.
  34. Peterson, G.E. Control of the susceptibility of LiNb03 to laser induced refractive index changes / G.E. Peterson, A.M. Glass, T.I. Negran // Appl. Phys. Letters.-1971.-V. 19.-№ 5.-P. 130−132.
  35. Spinhirne, J.M. Sensitivity and fatigue of LiTa03 for holographic recording / J.M. Spinhirne, T.L. Estle // Appl. Phys. Letters. 1974. — V. 25. — № 1. — P. 38−39.
  36. Gunter, P. Photorefractive effects and photocurrents in KNb03: Fe / P. Gunter, F. Micheron // Ferroelecteics. 1978. — V. 18.-№ l.-P. 27−38.
  37. Huignard, J.P. High-sensitive read-write volume holographic storage in BSO and BGO crystals / J.P. Huignard, F. Micheron // Appl. Phys. Letters. 1976. -V. 29.-№ 9.-P. 591−593.
  38. Feinberg, J. Photorefractive effects end light-induced charge migration in Ba-ТЮ3 / J. Feinberg, D. Heiman, A.R. Tagnay et al. // J. Appl. Phys. 1981. -V. 52.-№ l.-P. 537.
  39. , A.P. Объемный фотовольтаический эффект и фотоиндуциро-ванное изменение спонтанной поляризации в кристаллах иодата лития /
  40. A.Р. Погосян, Е. М. Уюкин, А. П. Леванюк, Г. Ф. Добржанский // Физ. твердого тела. 1981. — Т. 23. — № 11. — С. 3280−3288.
  41. Pogosyan, А.К. Investigations of bulk photovoltaic and photorefractive effects in a-LiNb03 / A.K. Pogosyan, E.M. Uyukin, A.P. Levaniyk, G.F. Dobrjansky // Ferroelectrics. 1982. — V. 42. — P. 173−176.
  42. Jonston, W.D. Optical index damage in LiNb03 and other pyroelectric insula-tore / W.D. Jonston // J. Appl. Phys. 1970. — V. 41. — № 8. — P. 3279−3282.
  43. , А.П. Механизмы фоторефрактивного эффекта / А. П. Леванюк,
  44. B.В. Осипов // Изв. АН СССР, сер. физ. 1977. — Т. 41. — № 4. — С. 752 770.
  45. Amodei, J.J. Electron diffusion effects during hologram recording in crystals / J.J. Amodei // Appl. Phys. Letters. 1971. — V. 18. — № 1. — P. 22−24.
  46. Amodei, J.J. Analysis of transport processes during hologram recording in insulators / J.J. Amodei // RCA Review. 1971. — V. 32. — № 32. — P. 185−198.
  47. Staebler, D.L. Thermally fixed holograms in LiNb03 / D.L. Staebler, J.J. Amodei // Ferroelectrics. 1972. — V. 3. — №№ 2−4. — P. 107 — 113.
  48. , B.M. Фотосегнетоэлектрики / B.M. Фридкин. M.: Наука. -1979. -264C.
  49. , А.А. Фотосегнетоэлектрические эффекты в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа AVBVICVI1 с низкотемпературными фазовыми переходами / А. А. Греков, М. А. Малицкая, В. Д. Синицына, В. М. Фридкин // Кристаллография. 1970. — Т. 15. — № 3. — С. 500−509.
  50. Glass A.M., von der Linde D., Negran T.J. High voltage bulk photovoltaic effect and photorefractive process // Appl. Phys. 1974. — V.25. — № 4. — P.233−235.
  51. , С.Г. Обнаружение пространственно-осциллирующего фотогальванического тока в кристаллах ниобата лития, легированного железом / С. Г. Одулов // Письма в ЖЭТФ. 1982. — Т. 35. — № 1. — С. 10−12.
  52. , В.В. Процессы фоторефрактивного рассеяния света в кристаллах: Автореф. дис.. докт. физ.-мат. наук / В.В. Обуховский- Киев, 1989.
  53. Phyllips, W. Optical and holographic storage properties of transition metal doped lithium niobate / W. Phyllips, J.J. Amodei, D.L. Staebler // RCA Review. 1972. — V. 33. — P. 94 — 109.
  54. , В.В. Фотоиндуцированное релеевское рассеяние света / В. В. Обуховский, А. В. Стоянов // Оптика и спектроскопия. 1985. — Т. 12. — № 3. — С. 563−570.
  55. , В.В. Фотоиндуцированное рассеяние света на флуктуациях фотоэлектрических параметров среды / В. В. Обуховский, А. В. Стоянов, В. В. Лемешко // Квантовая электроника. 1987. — Т. 14. — № 1. — С. 113 121.
  56. , В.В. Природа фотоиндуцированного рассеяния света в сегнетоэлектрических кристаллах / В. В. Обуховский // Укр. физич. журн. -1989. Т. 34. — № 3. — С. 364 — 368.
  57. , Ю.М. Спекл-структура излучения, рассеянного фоторефрактив-ным кристаллом / Ю. М. Карпец, В. И. Строганов, Н. В. Марченков, А. В. Емельяненко // Оптика и спектроскопия. 1989. — Т. 67. — № 4. — С. 982 985.
  58. , Э.М. Поляризационно-анизотропное светоиндуцированное рассеяние в кристаллах LiNb03:Fe / Э. М. Авакян, К. Г. Белабаев, С. Г. Одулов // ФТТ. 1983. — Т. 25. — № 11. — С. 3274−3281.
  59. , Э.М. Вырожденное параметрическое рассеяние в ЫТаОз, обусловленное скалярными осциллирующими фотогальваническими токами / Э. М. Авакян, К. Г. Белабаев, С. Г. Одулов и др. // Укр. физ. журнал. -1984. Т. 29. — № 5. с. 790 — 792.
  60. Odulov, S. Degenerate simulated parametric scattering in LiTa03 / S. Odulov, K. Belabaev, I. Kiseleva//Opt. Lett. 1985.-V. Ю.-№ 1.-P.31−33.
  61. , К.Г. Новое параметрическое рассеяние света голографического типа в кристаллах танталат лития / К. Г. Белабаев, И. Н. Киселева, В. В. Обуховский и др. // Письма в ЖЭТФ. 1986. — Т. 44. — № 9. — С. 418−421.
  62. , В.В. Объемный заряд в сегнетоэлектриках как механизм фотоиндуцированного рассеяния света /В.В. Обуховский, А. В. Стоянов // ФТТ. 1987. — Т. 29. — № 10. — С. 2919 — 2926.
  63. , В.В. Четырехволновое кросс-рассеяние света в кристаллах / В. В. Обуховский, В. В. Лемешко // ПЖТФ. 1986. — Т. 12. — № 16. — С. 961−966.
  64. , В.В. Четырехволновое кросс-рассеяние света в кристаллах ниобата лития / В. В. Обуховский, В. В. Лемешко // Укр. физ. журн. -1987.-Т. 32.-№ 11.-С. 1663−1668.
  65. , В.В. Роль нелинейных процессов в формировании приповерхностного заряда / В. В. Брыскин, Л. И. Коровин // Физ. твердого тела. -1984. Т. 26. — № 11. С. 3415−3425.
  66. Grousson, R. Amplified backward scattering in LiNb03: Fe / R. Grousson, S. Mallick, S. Odulov // Opt. Comm. 1985. — V. 51. — № 5. p. 342−346.
  67. , А.Д. Взрывная неустойчивость и оптическая генерация в фоторефрактивных кристаллах / А. Д. Новиков, С. Г. Одулов, В. В. Обуховский, Б. И. Стурман // ПЖЭТФ. 1986. — Т. 44. — № 9. — С. 418−421.
  68. , И.Н. Фотоиндуцированная дисперсия света в кристаллах при бигармонической накачке / И. Н. Киселева, В. В. Обуховский, С. Г. Одулов, О. И. Олейник // Укр. физ. журнал. 1986. — Т. 31. — № 11. — С. 1682 -1686.
  69. , С.И. Дифракция света с поворотом плоскости поляризации на объемных голограммах в электрооптических кристаллах / С. И. Степанов, М. П. Петров, А. А. Камшилин // ПЖТФ. 1977. — Т. 3. — № 7. — С. 849 854.
  70. В.В. Домены в фотовозбужденном LiNb03:Fe / В. В. Лемешко,
  71. B.В. Обуховский // Физ. твердого тела. 1988. — Т. 30. — № 6. — С. 16 141 618.
  72. , Ю.С. Электрооптический и нелинейнооптический кристалл ниобата лития / Ю. С. Кузьминов. М.: Наука. — 1987. — 264С.
  73. Вул, Б. М. Проблемы современной кристаллографии / Б. М. Бул, Г. М. Гу-ро, И. И. Иванчик. М.: Наука, 1975. — 408С.
  74. , В.В. Автоволны фотоиндуцированного рассеяния света / В. В. Лемешко, В. В. Обуховский // Письма в ЖТФ. 1985. — Т. 11. — № 22.1. C. 1389−1393.
  75. , И.Ф. Эффекты индуцированного отражения и просветления в электрооптических кристаллах / И. Ф. Канаев, В. К. Малиновский, Б. И. Стурман // Журн. Эксп. теор. физики. 1978. — Т. 74. — № 5. — С. 15 991 603.
  76. Yeh, P. Electromagnetic propagation in photorefractive layered medium / P. Yeh// Jorn. Opt. Soc. Am.- 1983.-V. 73.-№ 10.-P. 1268−1271.
  77. , В.И. О нитевидной структуре света в нелинейных средах /
  78. B.И. Беспалов, В. И. Таланов / Письма в ЖТФ. 1966. — Т. 3. — № 12. — С. 471−476.
  79. , В.Л. Кинетика динамической самодифракции световых пучков в объемных средах с локальным откликом / В. Л. Винецкий, Н. В. Кухтарев, Т. И. Семенец // Квантовая электроника. 1981. — Т. 8. — № 1. —1. C. 217−220.
  80. Silverberg, Y. Instabilities, selfoscillation and chaos in simple nonlinear optical interaction / Y. Silverberg, I. Bar Joseph // Phys. Rev. Lett. 1982. — V. 48.-№ 22.-P. 1541−1543.
  81. Kanaev, I.F. Investigation on photoinduced scattering in LiNb03 crystals / I.F. Kanaev, V.K. Malinovski, B.I. Sturman // Opt. Comm. 1980. — V. 34. — № l.-P. 95−100.
  82. Chiao, R. Stimulated four-photon interaction and its influence on stimulated rayleigh-wing scattering / R. Chiao // Phys. Rev. Lett. 1966. — V. 17. — № 22. — P. 1158−1161.
  83. , М.П. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации / М. П. Петров, С. И. Степанов, А. В. Хоменко. Л.: Наука. — 1983. — 270С.
  84. , С.И. Усиление «бегущих» голограмм в кристаллах Bi^SC^o / С. И. Степанов, В. В. Куликов, М. П. Петров // Письма в ЖТФ. 1982. — Т. 8.-№ 9.-С. 527−531.
  85. , В.Л. Динамическая самодифракция когерентных световых пучков / В. Л. Винецкий, С. Г. Кухтарев, С. Г. Одулов, М. С. Соскин // УФН. 1979. — Т. 129.-Вып. 1.-С. 113−137.
  86. ЮО.Кондиженко, В. П. Нестационарный энергообмен в кристаллах с фото-вольтаическим эффектом / В. П. Кондиженко, В. Б. Марков, С. Г. Одулов, М. С. Соскин // Укр. физич. журн. 1978. — Т. 23. -№ 12. — С. 2039−2043.
  87. Lam, J.F. Spectral response of nearly degenerate four-wave mixing in photorefractive materials / J.F. Lam // Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 42. — № 2.-P. 155- 157.
  88. Fisher, B. Solvable optimized four-wave mixing configuration with cubic photorefractive crystals / B. Fisher, Sh. Weiss // Appl. Phys. Lett. 1988. — V. 53.-№ 4.-P. 257−259.
  89. Feinberg, J. Phase-conjugating mirror with continuous-wave gain / J. Feinberg, R.W. Hellwarth // Opt. Lett. 1980. — V. 5. — № 12. — P. 519−521.
  90. F., Kratzig Е. // Appl. Phys. А. 1992. — V. 55. — P. 114−118.
  91. M., Jermann F., Kratzig E. // Opt. Materials. 1994. — V. 3. — P. 101.
  92. , В.А. Селективное фоторефрактивное рассеяние света в кристалле LiNb03:Rh / В. А. Максименко, Ю. М. Карпец, В. И. Строганов // Оптика и спектроскопия. 2004. — Т. 97. — № 4. — С. 620−623.
  93. Ю.М. Кольцевые структуры при фоторефрактивном рассеянии света в кристалле LiNbC^Fe / Ю. М. Карпец, Максименко В. А., О. В. Скоблецкая, В. И. Строганов, А. В. Сюй // Оптика и спектроскопия. -2001. Т. 91. -№ 6. — С. 907−908.
  94. , В.А. Фотоиндуцированные изменения диэлектрической проницаемости и рассеяние света в кристаллах ниобата лития: Автореф. дис.. канд. физ.-мат. наук /В.А. Максименко- Хабаровск, 2002.
  95. , С.Г. Лазеры на динамических решетках / С. Г. Одулов, М.Н. Со-скин, А. И. Хижняк. -М.: Наука. 1990. — 272С.
  96. ПЗ.Авакян, Э. М. Особенности наведенной оптической неоднородности в кристаллах / Э. М. Авакян, В. А. Алавердян, К. Г. Белабаев, В. Х. Саркисов, К. М. Туманян // ФТТ. 1978. — Т. 20. — № 8. — С. 2428 — 2432.
  97. , С.А. Физическая оптика / С. А. Ахманов, С. Ю. Никитин. М.: Из-во Моск. ун-та. — 1998. — 656С.
  98. К. Buse, U. van Stevendaal, R. Pankrath, E. Kratzig // J. Opt. Soc. Am. -1996. -V. 13.-P. 1461.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!