Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование физических механизмов и динамики анизотропного локального плавления поверхности кремния при импульсном световом облучении

Диссертация: Исследование физических механизмов и динамики анизотропного локального плавления поверхности кремния при импульсном световом облучении
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Несмотря на довольно большое количество статей, к моменту начала данной работы не было ясности в понимании физического механизма возникновения этого важного эффекта и его основных закономерностей даже в монокристаллах, не говоря уже об ИЛС. Хотя многие экспериментальные результаты изучения эффекта анизотропного локального плавления на монокристаллическом кремнии, полученные в то время… Читать ещё >

Исследование физических механизмов и динамики анизотропного локального плавления поверхности кремния при импульсном световом облучении (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ И ИМПЛАНТИРОВАННЫЙ КРЕМНИЙ
    • 1. 1. Общая характеристика различных режимов импульсного отжига
    • 1. 2. Анизотропное локальное плавление монокристаллического и имплантированного кремния
    • 1. 3. Расчеты температурных полей при ИСО
    • 1. 4. Дефектность имплантированного и отожженного кремния
    • 1. 5. Термопластические эффекты в полупроводниках в процессе импульсного светового отжига
    • 1. 6. Методики исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников при импульсных световых обработках
      • 1. 6. 1. Методика зондирования, основанная на изменении интенсивности отраженного от поверхности образца излучения зондирующего лазера
      • 1. 6. 2. Исследование динамики процессов с помощью киносъемки
    • 1. 7. Краткие
  • выводы из анализа литературы
    • 1. 8. Задачи диссертационной работы
  • ГЛАВА II. ТЕХНИКА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Подготовка образцов и техника ионной имплантации
    • 2. 2. Обработка образцов импульсным некогерентным излучением
    • 2. 3. Техника импульсной твердофазной диффузии
    • 2. 4. Методика исследования кристаллической структуры и микрорельефа поверхности кремния
    • 2. 5. Методика исследования электрофизических параметров ионнолегированных слоев
    • 2. 6. Установка для исследования динамики зарождения и роста ЛОП
    • 2. 7. Установка для исследования динамики структурных и фазовых переходов на поверхности ионно-имплантированных слоев кремния
  • ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА АНИЗОТРОПНОГО ЛОКАЛЬНОГО ПЛАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО И ИМПЛАНТИРОВАННОГО КРЕМНИЯ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ИМПУЛЬСНОГО СВЕТОВОГО ОБЛУЧЕНИЯ
    • 3. 1. Исследование эффекта анизотропного локального плавления в монокристаллическом кремнии
    • 3. 2. Исследование эффекта анизотропного локального плавления в имплантированном кремнии
    • 3. 3. Исследование трансформации кристаллической структуры ионнолегированных слоев кремния

Современные технологии развития микроэлектроники связаны с разработкой и производством сверхбольших (СБИС) и сверхскоростных (ССИС) интегральных схем [1,2]. Переход к созданию СБИС и ССИС с субмикронными размерами элементов требует привлечения самых современных технологий, в частности, ионной имплантации (ИИ) и импульсного светового отжига (ИСО).

Ионная имплантация, основанная на внедрении в твердое тело ускоренных в электростатическом поле ионизованных атомов и молекул, является основным методом введения примеси в полупроводниковые материалы при изготовлении приборов микроэлектроники [3]. В процессе замедления имплантированных ионов в полупроводнике образуются радиационные дефекты. Поэтому технологический цикл изготовления изделий полупроводниковой микроэлектроники включает в себя высокотемпературный отжиг, используемый для устранения радиационных дефектов и электрической активации примеси, введенной ионной имплантацией [3,4]. Диапазон длительностей термообработок, используемых в настоящее время, изменяется от наносекунд до десятков минут, а температуры — от сотен градусов Цельсия до температуры плавления полупроводника. N.

В настоящее время в промышленности вместо традиционного термического широко используется импульсный световой отжиг, хотя многие физические аспекты протекающих при этом процессов изучены недостаточно [5,6].

В последнее время заметный интерес вызывает эффект анизотропного локального плавления поверхности монокристаллических и имплантированных полупроводников, который при определенных режимах сопутствует процессу импульсного светового облучения (ИСО). Суть этого интересного физического эффекта заключается в том, что при однородном облучении поверхности и определенных для каждого полупроводника сочетаниях параметров импульса светового излучения на исходной идеально гладкой поверхности полупроводника образуются локальные области плавления, разделенные участками нерасплавившегося материала [13−27].

Интерес к эффекту обусловлен следующим. Во-первых, изучение механизма и основных закономерностей локального плавления позволяет получить ценную физическую информацию о свойствах полупроводника и процессах, протекающих в образце во время и после действия мощного импульса света. Во-вторых, эти исследования непосредственно связаны с решением важной прикладной проблемы — оптимизацией режимов импульсного светового1 отжига ионно-легированных слоев (ИЛС), импульсной твердофазной диффузии из поверхностного слоя, а также рекристаллизации аморфных и поликристаллических слоев на изолирующей подложке [44].

Несмотря на довольно большое количество статей, к моменту начала данной работы не было ясности в понимании физического механизма возникновения этого важного эффекта и его основных закономерностей даже в монокристаллах, не говоря уже об ИЛС. Хотя многие экспериментальные результаты изучения эффекта анизотропного локального плавления на монокристаллическом кремнии, полученные в то время, объяснялись моделью, предполагающей существование кратковременного метастабильного состояния, характеризуемого перегревом поверхности кремния в твердой фазе относительно равновесной температуры плавления, но тем не менее до сих пор еще нет единого мнения относительно доминирующего механизма. Кроме того, по результатам наших исследований и работ других авторов было установлено, что основные закономерности проявления эффекта на имплантированном кремнии требуют обязательного учета дополнительных факторов, таких как степень разупорядочения ионно-легированного слоя, особенности процессов рекристаллизации и вторичного дефектообразования в процессе ИСО и др.

С учетом вышеизложенного, настоящая диссертационная работа посвящена более глубокому и детальному изучению влияния различных режимов обработки полупроводников на особенности проявления анизотропного локального плавления, исследованию динамики процесса анизотропного локального плавления в монокристаллических и имплантированных полупроводниках. Это позволит ответить на дискуссионный вопрос о доминирующем физическом механизме, лежащем в основе эффекта анизотропного локального плавления при импульсном световом облучении полупроводников и тем самым эффективно управлять этим эффектом.

Данные этих исследований особенно необходимы при разработке физических основ новых технологических процессов в производстве интегральных схем и других приборов микрои оптоэлектроники.

Диссертация состоит из введения, 4-х глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные результаты и выводы.

1. Выявлены основные закономерности и особенности проявления эффекта анизотропного локального плавления в монокристаллическом и имплантированном кремнии при воздействии на них мощных импульсов светового излучения с длительностью в диапазоне миллисекунд-секунд. Впервые получены систематизированные зависимости основных характеристик эффекта (плотности, размеров и формы локальных областей плавления) от параметров ионного пучка (дозы, энергии, типа иона) и светового импульса (плотности мощности и длительности).

2. Впервые исследована динамика процесса зарождения и роста локальных областей плавления в кремнии при импульсном световом воздействии. Установлен физический механизм эффекта локального плавления полупроводников, основанный на возникновении перегрева поверхности полупроводника относительно равновесной температуры плавления.

3. Изучена динамика структурно-фазовых переходов аморфное состояние-монокристалл в имплантированном кремнии и определены важнейшие характеристики протекающих физических процессов (длительность стадии твердофазной рекристаллизации, момент достижения температуры плавления аморфного р монокристаллического и кремния, длительность существования жидкой фазы).

4. Установлены оптимальные параметры (длительность, количество импульсов, атмосфера) импульсного светового отжига, обеспечивающие снижение уровня остаточных макроскопических дефектов в имплантированных слоях кремния.

5. Разработаны бесконтактные оптические методики и созданы оригинальные установки для исследования in situ процессов зарождения и роста локальных областей плавления и структурно-фазовых переходов на поверхности монокристаллических и имплантированных слоев кремния.

6. На основе обнаруженных и изученных физических закономерностей эффекта анизотропного локального плавления предложены:

1) способ формирования на поверхности двумерной периодической структуры локальных областей плавления;

2) способ повышения дифракционной эффективности голограмм, записанных на кремнии, защищенный Патентом РФ.

В заключение выражаю искреннюю благодарность своим научным руководителям члену-корреспонденту РАН, профессору И. Б. Хайбуллину и кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику Я. В. Фаттахову за постановку задачи и внимательное руководство работой и большую помощь при ее выполнении.

Выражаю глубокую признательность кандидату физико-математических наук, старшему научному сотруднику М. Ф. Галяутдинову за помощь в осуществлении работы, ценные советы и замечания.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития. -М.: Наука, 1986.- 142 с.
  2. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. l./Под ред. Зи С. М.: Мир, 1986. — 404 с.
  3. Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. — 296 с.
  4. X., Руге И. Ионная имплантация. М.: Наука, 1983. — 360 с.
  5. А.В., Ка**урин Г.А., Нидаев Е. В., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводниковых материалов//- М.: Наука, 1982. 208 с.
  6. И.Б., Смирнов Л. С. Импульсный отжиг полупроводников. Состояние проблемы и нерешенные вопросы. Обзор // Физика и техника полупроводников. 1985. -Т. 19, вып.4. -С.569−591.
  7. Borisenko V.E., Gribkovskii V.V., Labunov V.A., Yudin S.G. Pulsed heating ofsemiconductors/ Phys. Stat. Sol. (A). 1984. — V.86. — P.573−583.
  8. Импульсные источники света/ Под ред. И. С. Маршака, -М: Энергия, 1978. -472 с.
  9. Correra L., Pedulli L. Annealing of phosphorus implanted silicon by incoherent light scanning// Radiat. Eff. 1982. — V.63, N 1−4. — P.187−190.
  10. П.Педулли Л., Коррера Л. Облучение некогерентным светом как метод отжига имплантированного фосфором кремния // Шестая Всес. конф. по взаимодействию атомн. частиц с тв. телом. Минск, 1981. Ч.З. — С.55−69.
  11. Klabes R., Matthai J., Voelskow M., Kachurin G.A., Nidaev E.V., Bartsch H. Flash-lamp annealing of arsenic implanted silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1981. -V.66, N 1. — P.261−266.127
  12. Heinig K.-H. Effects of local melting on semiconductor surfaces// Proc. 1st Internat. Conf. On Energy Pulse Modification of Semiconductors and Related Materials. Pt 1. Dresden: Zentralinstitut fur Kernforschung, 1985. — P.265−279.
  13. Celler G.K., Robinson Mc.D., Trimble L.E., Lishner DJ. Spatial melt instabilities in radiatively melted crystalline silicon// Appl. Phys. Lett.- 1983. -V.43, N 9. P. 868−871.
  14. Preston J.S., Van Driel H.M., and Sipe J.E. Order-disorder transitions in the melt morphology of laser-irradiated silicon// Physical Review Letters. 1987. -V.58. P.69−72.
  15. Von Almen M., Luthy W., and Affolter K. Anisotropic melting and epitaxial regrow of laser-irradiated silicon// Applied Physics Letters. 1978. — V.33. -P.824−825.
  16. В.П., Имас Я. А., Либенсон M.H., Шандыбина Г. Д., Яковлев Е. Б. Формирование регулярных структур на поверхности кремния под действием миллисекундного импульса неодимового лазера// Изв. АН СССР, сер. Физ. -1985. Т.49, N 6. — С.1236−1239.
  17. А.Ю., Гафийчук В. В., Кияк С. Г., Савицкий Г. В. Морфологияповерхности полупроводников при воздействии импульсов лазерногоизлучения миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. -1986. N 5. — С.142−144.128
  18. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Гоноров С. Ж., Южанин А.Г.
  19. Анизотропное плавление полупроводников под действием импульсногоiлазерного излучения// Докл. АН Укр. ССР. Сер. А. Физ.-мат. и техн. науки. 1987. — N 5. — С.61−65.
  20. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Южанин А. Г. Формирование регулярного рельефа на поверхности полупроводников под действием миллисекундных лазерных импульсов// Укр. Физ. Журнал. 1987. — Т.32, N 7. — С.1079−1083.
  21. С.Г., Бончик А. Ю., Гафийчук В. В., Южанин А. Г., Тыслюк И. В., Похмурская A.B. Формирование периодических структур на поверхности полупроводников под действием лазерного излучения// Изв. АН СССР. Сер. Физ. 1988. — Т.52, N 11. — С.2276−2281.
  22. A.B., Данилович Н. И., Лабунов В. А., Пристрем A.M. Локальное плавление кремния лазерным излучением миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1987. -N 12. — С.89−97.
  23. A.B., Данилович Н. И., Лабунов В. А., Пристрем A.M. Образование и развитие поверхностных периодических структур на кремнии при воздействии лазерного излучения миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988. — N 1. — С.106−114.
  24. Fattachov Ya.V., Khaibullin I.B., Bayazitov R.M., Misyryov E.M. Anisotropic local melting of semiconductors by incoherent light pulses// Phys. Stat. Sol. (a). -1989. V.112,N2 — P.699−702.
  25. Gautier В., Moeglin J.P. Laser induced damages on IR windows and detector materials// Proc. SPI -Int. Soc. Opt. Eng. (USA) -1995.- V.2502. P.737−743.
  26. В.П., Данилов Ю. А., Дудник В. Я., Питиримова Е. А. Особенности импульсного фотонного отжига антимонида индия// Физика и химия обработки материалов. 1988. — N 1. — С.34−38.
  27. В.И., Кашкаров П. К., Чеченин Н. Г., Дитрих Т. Образование периодических структур дефектов на поверхности полупроводников при импульсном лазерном облучении// ФТТ. 1988. — Т.30, Вып.8 — С.2259−2263.
  28. А.И., Рембеза С. И., Логинов В. А., Дорофеев А. П. Анизотропное локальное плавление ионно-имплантированного кремния// ' Кристаллография. 1990. — Т.35, Вып.6. — С. 1523−1526.
  29. А.И., Рембеза С. И., Логинов В. А. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированных ионами бора// Физика и химия обработки материалов. -1991. -N2. С.122−125
  30. А.И. Образование поверхностных структур на кремнии при воздействии некогерентного излучения// Поверхность. Физ. Хим. Мех. -1991. N 8. — С.106−112.
  31. ЕшеГуапоу V.l. Generation-Diffusion-Deformational Instabilities and Formation of Order Defect Structures on Surfaces of Solids under the Action of Strong Laser Beam// Laser Physics. 1992. — V.2, N 4. — P.389−466.
  32. Емельянов В. И" Кашкаров П. К., Чеченин Н. Г., Дитрих Т. Образованиепериодических структур дефектов на поверхности полупроводников при1импульсном лазерном облучении// Физика твердого тела. 1988. — Т.30, вып. 8. — С.2259−2263.
  33. Я.В., Хайбуллин И. Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е. М., Гретчел Р. Анизотопное локальное плавление монокристаллического иjимплантированного кремния импульсами некогерентного света// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1989. — N 11. — С.61−69.
  34. Я.В., Хайбуллин И. Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е. М. Влияние длительности светового импульса на анизотропное локальное плавление кремния// Письма в ЖТФ. 1988. — Т.14, вып.16. — С.1474−1478.130
  35. С.П., Герасименко H.H., Мясников A.M. Анизотропное локальное плавление на дефектах структуры кремния// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1988. — N 5. — С.69−73.
  36. В.П., Данилов Ю. А., Дудник В. А., Питиримова Е. А. Особенностиимпульсного фотонного отжига антимонида индия// ФИЗХОМ. 1988. — Ni1. С.34−88.
  37. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В. Плавление и кристаллизация полупроводников при импульсном лазерном воздействии// Рост кристаллов, Т.17 М.: Наука, 1988. — С. 18−31.
  38. Ю.В., Перевертайло В. М., Григоренко Н. Ф. Капиллярные явления в процессах роста и плавления кристаллов. Киев: Наукова Думка, 1983. -100 с.
  39. К.С., Поваляев А. Д., Грошиков A.M., Мещеряков В. М., Исаев Б. Н. Распределение дефектов по глубине в имплантированном бором кремнии// Изд. Воронежского ГУ. 1983. — С.70−73.
  40. И.В., Красулин Ю. Л., Рыкалин H.H. и др. О механизме проплавления кристаллических твердых тел электронным лучом// Докл. АН СССР. 1967. — Т. 174, N 1 — С.76−79.
  41. Е.И. Искусственная эпитаксия//М.: Наука, 1988.- 175 с.
  42. B.C., Логинов В. А., Плотников А. И., Рембеза С. И. Особенности локального плавления кремния при электронно-лучевом нагреве// Физика и химия обработки материалов. 1990. — N 2. — С. 138−139.
  43. Г. В., Мышляев М. М., Северин Н. В., Чередниченко Д. И. Электронно-микроскопические исследования дефектов в кремнии после электронно-лучевой термообработки// Изв. Ан СССР. Сер. Физ. 1972. -Т.36, N 6. — С.1371−1374.
  44. Balandin V.Yu., Aleksandrov L.N., Dvurechenskii A.V., Kulyasova O.A. Interference effects at laser pulse heating of multilayer structures// Phys. Stat. Sol. (a). 1994. — V. 142. — P.99−105.131
  45. Aleksandrov L.N. Structural transformation in silicon by pulse heating// Prog. Crystal Growth and Charact.- 1992. V.24. — P.53−105.
  46. E.B., Смирнов' Л.С. Импульсный отжиг. Проблемы и достижения// Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1981. — Вып.5. -С.50−59.
  47. McMahon R.A., Ahmed Н., Dobson R.M., Speight J.D. Characterization of multiple-scan electron beam annealing method// Electron. Lett. 1980.- V.16, N 8. — P.259−298.
  48. Thornton J., Hemment P.L.F., Wilson I.H. Amorphization of silicon by bombardment with group IV ions// Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. Sect. B. 1987. — V. 19/20, pt.1. — P.307−311.
  49. Bentini G., Correra L., Donolato C. Defects introduced in silicon wafers during rapid isothermal annealing: thermoelastic and thermoplastic effects// J. Appl. Phys. 1984. — V.56, N 10. — P.2922−2929.
  50. B.E., Юдин С. Г. Термоупругие напряжения и термопластические эффекты в полупроводниковых пластинах при импульсном нагреве излучением// Зарубежная электронная техника. 1989. -N 1(332).-С.67−82.
  51. Webber Н.С., Cullis A.G., Chew N.G. Computer simulation of high speed melting of amorphous silicon// Appl. Phys. Lett. 1983. — V. 43, N 7. — P.669−671.
  52. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Поута Дж. М.: Машиностроение, 1984.424 с.
  53. И.Б., Штырков Е. И., Зарипов М. М., Галяутдинов М. Ф., Баязитов P.M. Отжиг ионно-легированных слоев под действием лазерного излучения. Казань, 1974. — 32 с. — Деп. в ВИНИТИ. — N 2061−74.
  54. P.M., Ибрагимова М. И., Хайбуллин И. Б. Методы расчетов температурных полей при импульсном световом облучении полупроводниковых ионно-легированных слоев/ АН СССР. Казан. Фил. ФТИ. М.: 1981. 21 с. — Деп. в ВИНИТИ. — N 4714−81.
  55. Bentini G.G. Solid state annealing of ion implanted silicon by incoherent light pulses and multiscan electron beam// Rad. Eff. 1982. — V.63, N 1−4. — P. 125 131.
  56. A.A. Введение в теорию разностных схем. М: Наука, 1971. -55 с.
  57. И.Б. Лазерный отжиг ионно-легированных полупроводников. -Диссерт. на соиск. уч. степ, д.ф.-м.н. по спец. 01.04.07 физика тв. тела в форме научного доклада, М.: 1984, — 58 с.
  58. Дж. Импульсный лазерный отжиг полупроводников. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. М.: Мир, 1980. -С. 131−145.
  59. P.M. Импульсный нагрев и кристаллизация ионно-легированных полупроводников. Фундаментальные вопросы ионной имплантации: Материалы III Всесоюзной школы. Алма-Ата, 1987. — С. 107−116.
  60. A.C., Пушкарский A.C., Горбачев В. В. Теплофизические свойства полупроводников. М.: 1972. — 200 с.
  61. Baither D., Panknin D., Wieser E. Residual defects after light pulse annealing of implanted silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1987. — V.102, N 2. — P.679−685.
  62. Дж. Ф. Экспериментальные основы механики деформируемых твердых тел в 2-х ч. Ч. II. -М.: Наука, 1984. 432 с.
  63. Э., Паркус Г. Термоупругие напряжения, вызываемые стационарными температурными полями. -Москва: Физматлит, 1958. 167 133
  64. Н.С. Дислокации и пластичность. -Минск: Изд-во Акад. Наук БССР, 1961.- 109 с.
  65. Ф.Ф., Новиков А. П., Соловьев B.C., Ширяев С. Ю. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. -Минск: Университетское, 1990.-С.320.
  66. Liu J.M., Kurz Н., Bloembergen N. Picosecond time-resolved plasma and temperature induced changes of reflectivity and transmission in silicon// Appl. Phys. Lett. 1982.- V.41, N 7. — P.643−646.
  67. Von der Linde D., Fabricius N. Observation of an electronic plasma inipicosecond laser annealing of silicon //Appl. Phys. Lett. 1982. — V.41, N 10, -P.991−993.
  68. М.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В., Смолинский О. В. Динамика коэффициента отражения кристаллических Si и GaAs при воздействии пикосекундных лазерных импульсов// Письма в ЖТФ. 1985. -Т. 11, вып.12. — С.761−765.
  69. Shank C.V., Yen R, Hirliman С. // Phys. Rev. Lett. 1983. — V.51, N 10. -P.900−902.
  70. C.A., Галяутдинов М. Ф., Коротеев Н. И., Пайтян Г. А., Хайбуллин И. Б., Штырков Е. И., Шумай И. Л. Генерация второй гармоники при лазерном отжиге поверхности арсенида галлия// Квантовая электроника. -1983. Т.10, N 6. — С.1077−1078.
  71. С.А., Емельянов В. И., Коротеев Н. И., Семиногов В. Н. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхностьполупроводников и металлов: нелинейно-оптические эффекты нелинейно-оптическая диагностика// УФН. 1985. — Т. 147, вып.4. — С.675−745.
  72. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В. Плавление полупроводников под действием импульсного лазерного излучения// ФТП. -1986. Т.20, вып. 11. — С.1945−1969.
  73. JI.H. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Новосибирск: Наука, 1985. 224 с.
  74. Combescot М., Bok J., Benoit С., Benoit a la Guillaume С. Instability at the melting threshold of laser-irradiated silicon// Phys. Rev. B. 1984. — V29, N11.-P.6393−6395.
  75. A.B., Лабунов B.A. Перекристаллизация кремниевых слоев с неоднородным рельефом поверхности лазерным излучением наносекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990. N 6. -С.87−93.
  76. Batische S.A., Demchuk A.V., Kuz’muk A.A., Labunov V.A., Mostovnicov V.A., Tatur G.A. Crystallization features of silicon layers on thermo-insulated substrates under nanosecond laser radiation// Appl. Phys. A. 1990. — V.50. -P.321−324.
  77. A.B., Пристрем A.M., Данилович Н. И., Кравченко A.M. Твердофазная рекристаллизация кремниевых слоев на аморфных диэлектрических подложках сканирующим лазерным излучением// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1986. — N 11. — С.86−89.
  78. Licoppe С. and Nissim Y.I. In situ time-resolved reflectivity measurements of growth kinetics during solid phase epitaxy: a tool to estimate interface non planarity during growth// Pittsburg, PA, USA: Matter. Res. Soc., 1986. P. 167 172.
  79. Bosch M.A. and Lemons R.A. Laser-induced melt dynamics of Si and silica// Phys. Rev. Lett. -1981. -V.47,N 16. P. l 151−1155.
  80. Olson G.L., Kokorowski S.A., Mc Farlane R.A., and Hess L.D. Direct observation of laser-induced solid phase epitaxial crystallization by timeresolved optical reflectivity// Appl. Phys. Lett. 1980. — V.37, N 11. — P. 10 191 021.
  81. Hess L.D., Forber R.A.,< Kokorowski S.A., and Olson G.L. CW laser annealing of ion-implanted silicon//Proc. SPIE USA, 1979. V.198. — P.31−34.
  82. Bertolotti M. and Sibilia C. Depth and velocity of the laser-melted front from an analitical solution of the heat conduction equation// Journal of Quantum Electronics. -1981. V. QE-17, N10. — P1980−1989.
  83. Bell R.O., Toulemonde M., and Siffert P. Caculated temperature distribution during laser annealing in silicon and cadmium telluride// Appl. Phys. -1979. -V.19. P.313−319.
  84. Bell A.E. Review and analysis of laser annealing// RCA Review. 1979. — V.40. — P.295−338.
  85. Cesari C., Nihoul G., Marfaing J., Marine W., Mutaftschiev B. Amorphous-crystalline interfaces after laser induced explosive crystallization in amorphous germanium// Surface Science. 1985. — V.162, — P.724−730.
  86. P.M., Ивлев Г. Д., Хайбуллин И. Б., Малевич В.JI., Саинов Н. А. Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния// ФТП. -1988. Т.22, вып.1. — С.79−83.
  87. Г. Д. Динамика отжига ионно-имплантированного кремния моноимпульсным излучением рубинового лазера// Письма в ЖТФ. 1982. -Т.8, вып.8. — С.468−472.
  88. Goldsmid H.J., Kaila М.М., Paul G.L. Thermal conductivity of amorphous silicon// Phys. St. Sol. (a). 1983. — V.76, N1. — Р. КЗ 1-K33.
  89. Balandin V.Yu., Dvurechenskii A.V., Aleksandrov L.N. Intermediate and self-sustaining crystallization of a-Si layers during pulsed electron beam annealing// Phys. St. Sol. (a). 1986. — V.93, N 2. — P. K105-K109.
  90. Г. Д., Гацкевич Е. И. Температурное изменение оптических свойств жидкой фазы кремния при наносекундном лазерном плавлении кремния и германия// ФТП. 1996. — Т. ЗО, вып.11. — С.2097−2107.iI
  91. Auston D.N., Surko C.M., Vekatesan T.N.C., Slusher R.F., Golovchenko J.A. Time-resolved reflectivity of ion-implanted silicon during laser annealing// Appl. Phys. Lett. 1978. — V.33. — P.437−440.
  92. B.A., Ивлев Г. Д., Малевич BJL, Жидков В.В. Пирометрическое измерение температуры кремния при наносекундном лазерном отжиге// Письма в ЖТФ. 1983. — N 9, вып.10. — С.594−598.
  93. Kemmler М., Wartman G., von der Linde D. Thermal radiation from laser heated silicon and pyrometric temperature measurements// Appl. Phys. Lett.1984. V.45, N 2. — P.159−161.
  94. С.Ю., Ковальчук Ю. В., Погорельский Ю. В. Итоги науки и техники. Физические основы лазерной и пучковой технологии. М.:, 1988. -т.1. 181с.
  95. Ivlev G.D., Malevich V.L., Zidkov V.V. Melting temperature of amorphized silicon heated by nanosecond laser radiation// Phys. St. Sol. (a). 1988. — V.106, N2. — P. kl23-kl27.
  96. Г. Д., Баязитов P.M., Гайдук П. И., Соловьев B.C., Хайбуллин И. Б., Жидков В. В. Модифицирование имплантационных слоев кремния моноимпульсным воздействием лазерного излучения// Поверхность. Физ. Хим. Мех. 1990.-N 1. — С.65−71.
  97. П.К., Каменев Б. В., Константинова Е. А., Ефимова А. И., Павликов А. В., Тимошенко В. Ю. Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях // УФН. 1998. Т. 168, N 5. — С. 577−582.
  98. С.А., Данилович Н. И., Демчук А. В., Лабунов В. А., Мостовников В. А., Татур Г. А. Динамика перекристаллизации кремниевых слоев импульсным лазерным излучением миллисекундной длительности// Поверхность. Физ. Хим: Мех. 1988. — N 1. — С. 115−123.
  99. В.Т., Любов Б. Я., Темкин Д. Е. О расчете кинетики затвердевания Металлического слитка при различных температурных условиях на его поверхности// Доклады АН СССР. 1955. — Т. 104, N 2 -С.223−226.
  100. .Я. Теория кристаллизации в больших объемах. М.: Наука, 1975. -256 с.
  101. Black J.G., Hawkins W.G., and Griffiths C.H. Thin film crystal growth of Si on fused slilca: Effects of growth front dynamics on crystallography// J. Appl. Phys.-1983. Y.54. — P.5764−5770.
  102. Dutartre D. In-situ observation of lamp zone melting of Si films on patterned Si02// Appl. Phys. Lett. 1986. — V.48. — P. 350−352.
  103. Inoue T. and Hamasaki T. Direct observation of growth front movement in electron beam recrystallization of silicon layer on insulator// Appl. Phys. Lett. -1987. V.50, N 15. — P.971−973.
  104. Johnson C.M., Ridgway M.C., Guararie V. Irradiation-induced cracking/uncracking of silica// Proc. 11 th Intern. Conf. on Ion Beam Modification of Materials. Holland, 1998. P.60−61.
  105. A.H., Баграев H.T., Клячкин Л. Е., Робозеров С. В., Фараджев Н. С. Электронно-лучевая диагностика приповерхностных р-n -переходов в кремнии// ФТП. 1994. — Т.28, N 11. С.2049−2055.
  106. А.Н., Баграев Н. Т., Клячкин Л. Е., Робозеров С. В., Фараджев Н. С. Сверхмелкие р±п -переходы в кремнии (100): электронно-лучевая диагностика приповерхностной области// ФТП. 1998. — Т.32, N 2. С. 137 143.
  107. В.М., Климовский И. И., Селезнева Л. А. Исследование поверхностей электродов угольной дуги во время ее горения// Доклады АН СССР. 1988. — Т.303, N 4. — С.857−860.
  108. В.А., Смирнов B.C. Состояние материала и его параметров в зоневзаимодействия луча при лазерной сварке с глубоким проплавлением//
  109. Физика и химия обработки материалов. 1989. — N 2. — Р. 104−115.
  110. Е.А., Лопота В. А., Горный С. Г. Динамика формирования шва при сварке СОг-лазером// Автоматическая сварка. 1982. — N2(347). — С.22−25.
  111. Е.А., Локшин В. Е. Динамика формирования шва в условияхIэлектроннолучевой сварки// Автоматическая сварка. 1980. — N 8. — С. 11−12.
  112. П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. -М.: Мир, 1986. с.
  113. В.К. Статистические методы анализа и планирования экспериментов. -М.: МГУ, 1975. 128 с.
  114. Ю.В. Интерферометры. Ленинград: Машиностроение, 1976.-295 с.
  115. Ю.В., Духопел И. И., Инюшин А. И., Артемьев И. В. Оптические приборы для измерения линейных и угловых величин в машиностроении. -М.: Машиностроение, 1964. 255с.
  116. Van der Pauw L.J. A method of measuring specific resistivity and Hall effect of discs of arbitrary shape// Philips Res. Rep.- 1958. V.13, N 1. — P. 1−9.
  117. Johansson N.G.E., Mayer J. W, Marsh O.J. Technique used in Hall effect analysis of ion implanted Si and Ge// Solid State Electron. 1970. V. 13, N 4. -P. 317−335.
  118. В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Советское Радио, 1976. — 103 с.
  119. Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. — 207 с.
  120. Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987. — 240 с.
  121. Tsaur B.-Y., Donnelly J.P., Fan J.C.C., Geis M.W. Transient annealing of arsenic-implanted silicon using a graphite strip heater// Appl. Phys. Lett. -1981.-V. 39, N 1. -P. 93−95.
  122. A.B., Серяпин В. Г. Анодное окисление кремния. -Препринт ИФП СО АН СССР, Новосибирск, 1977. 25 с.139
  123. Sze S.M. and Irvin J.C. Resistivity, mobility and impurity levels in GaAs, Ge, and Si at 300 K// Solid-State Electron. 1968. V. 11, N 6. — P. 599−602.
  124. Скоростная киносъемочная камера. Паспорт.
  125. Я.В., Хайбуллин И. Б., Баязитов P.M., Мисюрев Е.М., Васильева
  126. Львова) Т. Н. Кинетика твердофазной рекристаллизации на начальной1стадии импульсного отжига//1-я Всесоюзная конференция по физическим основам твердотельной электроники. Тез. докл. Ленинград. -1989. — Т. В. -С.238−239.
  127. Я.В., Васильева Т. Н., Хайбуллин И. Б. Анизотропное локальное плавление имплантированного кремния: структурные и термопластические эффекты// Письма в ЖТФ. 1990. — Т. 16, вып.2. — С.47−53.
  128. Васильева (Львова) Т.Н., Фаттахов Я. В. Анизотропное плавление имплантированного кремния// Материалы конференции молодых ученых КФТИ-90.-Казань.-1990.-С.37−41.
  129. Fattakhov Y.V., Khaibullin I.B., VasiFyeva (L/vova) T.N. The influence of the ion type on the anisotropic local melting of implanted silicon// Nuclear1401. struments and Methods in Physical Research. -1991. Part В. — V. 59/60. -P. 1072−1076.
  130. Я.В., Львова Т. Н., Хайбуллин И. Б. О некоторых особенностях анизотропного локального плавления имплантированного кремния// Российская конференция с участием зарубежных ученых «Микроэлектроника 94». Тез. докл. -Звенигород. -1994. -С. 257−258.
  131. Fattakhov Y.V., Bayazitov R.M., Khaibullin I.B., L’vova T.N. Anisotropic melting of semiconductors at irradiation by powerful light pulses// High PowerI1. sers Science and Engineering. NATO ASI Series. -1995 -V.7. — P. 533−548.
  132. Я.В., Баязитов P.M., Хайбуллин И. Б., Львова Т. Н., Еремин Е. А. Плавление полупроводников при быстром однородном нагреве оптическим излучением// Изв. АН. Сер. Физич. 1995. — Т.59, N 12. — С.136−142.
  133. Я.В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И. Б. Формирование периодической структуры локальных областей плавления на поверхности кремния при импульсном световом облучении// Журнал технической физики. 1997. — Т.67, N 12. — С.97−99.
  134. Р., Беркхарт К., Лин Л. Оптическая голография. -М.: Мир, 1973. -686с.
  135. И.Б., Зарипов М. М., Штырков Е. И., Галяутдинов М. Ф., Туриянский Е. А. // А.С. СССР N 490 368, кл. G03H1/04, 1974, Бюлл. изобр. -1976.-N11.-с. 1.99.
  136. Применение голографии. Под ред. Дж. Гудмена. М.: 1973. — 80 с. I
  137. В.И., Коротеев Н. И., Яковлев В. В. Индуцирование квадратичных оптических восприимчивостей в центросимметричных кристаллах за счет неоднородной деформации// Оптика и спектроскопия. -1987. Т.62, вып.5. — С.1188−1190.
  138. Usenko A. Y. Localized melting induced by rapid annealing correlated with the space distribution of A type microdefects in silicon Czhochralski grown wafers// J. Materials Science: Materials in Electronics. — 1993. — V.4. — P.89−92.
  139. Хафизов P.3., Ладыгин E.A., Усенко А. Ю. Особенности формы и распределения рельефных фигур, оразующихся при импульсной фотонной обработке на поверхности кремниевых пластин// Фихика и химия обработки материалов.-1991 .-Т.4.-С.46−52.
  140. Авакянц Л. П, Ивлев Г. Д, Образцова Е. Д. Комбинационное рассеяние света в лазерно-кристаллизованном кремнии// ФТТ. 1992. — Т.34, N11.-С.3334−3337. .
  141. Meyer J. R., Kruer M.R. and Bartoli F.J. Optical heating in semiconductors: laser damage in Ge, InSb, and GaAs// J. Appl. Phys. 1980, — v.51, N 10. -P.5513−5522.
  142. Tsu R., Paeslen M.A., Sayers D.// J. Non-Cryst. Solids. -1989. V. l 14, N 1. -P. 199−201.
  143. B.A., Борисенко B.E., Грибковский. Импульсная термообработка материалов полупроводниковой электроники некогерентным светом// Зарубежная электронная техника. 1983. — N 1 (259). — С.3−58.
  144. Я.В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И. Б. Динамика плавления кремния мощными импульсами некогерентного света// Оптика атмосферы и океана. -1998. T. l 1. — № 2−3. -С. 264−268.
  145. Fattakhov Y.V., Galyautdinov M.F., L’vova T.N.,. Khaibullin I.B. The dinamics of recrystallization and melting of implanted silicon irradiation by powerful light pulses// Vacuum. 1998. — V 51. — № 2. — P.255−259.
  146. Я.В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И.Б. In situ дифракционные исследования структурных и фазовых переходов на поверхности полупроводников при облучении мощными импульсами света// Известия РАН. 1999. — Т. 63. -№ 6. — С. 1215−1221.
  147. Я.В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И.Б.
  148. Исследование in situ структурных и фазовых переходов на поверхностимонокристаллического и имплантированного кремния при импульсных фотонных обработках. «Микро- наноэлектроника».- Москва. -1999. -Тез. докл. -Р1−12.
  149. Н.С., Гнатовский А. В., Данилейко М. В., Захаров В. П., Козлов А. В., Шпак М. Т. Запись оптической информации на аморфных144пленках полупроводниковых соединений // Письма в ЖЭТФ. 1972. — Т. 15, вып.4. — С. 198−200.
  150. Н. С. Гнатовский А.В., Данилейко М. В., Захаров В. П., Шпак М. Т. Голографическая запись информации на аморфных полупроводниковых пленках // Доклады АН СССР. -1973. -Т.209, N 2. -С.330−332.
  151. Я.В., Галяутдинов М. Ф., Львова Т. Н., Хайбуллин И. Б. Заявка на изобретение. Способ получения голограмм на кремнии. Патент РФ на изобретение № 2 120 653, опубл. 20.10.98. Бюл. № 29.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!