Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью
Диссертация
Достоверность результатов исследований заключается в следующем: работа представляет собой комплексное теоретическое и экспериментальное исследование. Теоретические положения базируются на фундаментальных положениях физики полупроводников и полупроводниковых приборов, структур металл — диэлектрик — полупроводник. Экспериментальные исследования выполнены с использованием традиционных оптических… Читать ещё >
Список литературы
- Lin T.L., Park J.S., Gunapala S.D., Jones E.W. and Del Castillo H.M., «Doping-spike PtSi Schottky infrared detectors with extended cutoff wavelengths» // IEEE Trans. Electron Devices, v. 42, 1995, p. 1216−1220
- Kosonocky W.F., Shallcross F.V., Villani T.S. and Groppe J.V., «160×244 element PtSi Schottky-barrier IR-CCD image sensor» // IEEE Trans. Electron Devices, v. ED-32, 1995, p. 1564−1572
- Villani T.S., Esposito B.J., Pletcher T.J., Sauer D.J., Levine P.A., Shallcross F.V., Meray G.M., Tower J.R., «Performance of generation III 640×480 PtSi MOS array» // Proc. SPIE, v. 2225, 1994, p. 2−10
- Shoda M., Akagawa K. and Kazama T., «A 410k pixel PtSi Schottky-barrier infrared CCD image sensor» // Proc. SPIE, v. 2744, 1996, p. 23−32
- Kurianski J., Vermeiren J., Claeys C., Stessens W., Maex K. and Keersmaecker R. De, «Development and evaluation of CoSi2 Schottky barrier infrared detectors» // Proc. SPIE, v. 1157, 1989, p. 145−152
- Kurianski J., Dammer J. Van, Vermeiren J., Maex M. and Claeys C., «Nickel silicide Schottky barrier detectors for short wavelength infrared applications» // Proc. SPIE, v. 1308, 1990, p. 27−34
- Elabd H., Villani T.S. and Tower J.R., «High density Schottky-barrier infrared charge-coupled device (IRCCD) sensors for short wavelength, infrared (SWIR) application at intermediate temperature» // Proc. SPIE, v. 345, 1982, p. 161−171
- Elabd H., Villani T. and Kosonocky W., «Palladium-silicide Schottky-barrier IR-CCD for SWIR applications at intermediate temperatures» // IEEE Electron Device Lett., v. EDL-3, 1982, p. 89−90
- Tower J.R., Cope A.D., Pellon L.E., McCarthy B.M., Strong R.T., Kinnard K.F., Moldovan A.G., Levine P.A., Elabd H., Hoffman D.M.,
- Kramer W.M., Longsderff R.W., Kennerly R.E. and Calvine W.M., «Development of multispectral detector technology» // Proc. SPIE, v. 570, 1985, p. 172−183
- Tower J.R., Pellon L.E., McCarthy B.M., Elabd H., Moldovan A.G., Kosonocky W.F., Kakshoven J.E. and Tom D., «Shortwave infrared 512×2 line sensor for earth resources applications» // IEEE Trans. Electron Devices, v. ED-32, 1985, p. 1574−1583
- Sauer D.J., Shallcross F.V., Hsueh F.L., Meray G.M., Levine PA., Gilmartin H.R., Villani T.S., Esposito B.J. and Tower J.R., «640×480 MOS PtSi IR sensor» // Proc. SPIE, v. 1540, 1991, p. 285−296
- Gates J.L., Connelly W.G., Franklin T.D., Mills R.E., Price F.W. and Wittwer T.Y., «488×640-element platinum silicide Schottky focal plane array» // Proc. SPIE, v. 1540, 1991, p. 262−273
- Pellegrini P.W., Golubovic A. and Ludington C.E., «A comparison of iridium silicide and platinum silicide photodiodes» // Proc. SPIE, v. 782, 1987, p. 93−98
- Рюхтин В. В., Добровольский Ю. Г., Шимановский А. Б., «Кремниевые р-п-фотодиоды для ультрафиолетовой области спектра» // ТКЭА, № 4−5, 2001, с. 44−46
- Ascheulov A. A., Godovanjuk V. M., Dobrovolsky Yu. G. and oth., «Silicon р-г'-я-photodiode with little value of dark proceed» // SPIE, v. 3890, 1999, p. 119−124
- Астахов В. П., Гиндин Д. А., Карпов В. В., Сорокин К. В., «О влиянии сопротивления поверхностного канала на темновой ток квадрантных p-i-n фотодиодов на кремнии» // Прикладная физика, № 2, 1999, с. 79−85
- Pecz В., «Contact formation in SiC devices» // Appl. Surf. Sci., v. 153, 2001, p. 1−8
- La Via F., Roccaforte F., Makhtari A., Raineri V., Musumeci P., Calcagnom L., «Structural and electrical characterization of titanium and nickel silicide contacts on silicon carbide» // Microectron. Eng., v. 60, 2002, p. 269−282
- Defives D., Durand O., Wyczick F., Noblanc O., Brylinski C., Meyer F., «Electrical behavior and microstructural analysis of metal Schottky contacts on 4H-SiC» // Microectron. Eng., v. 55, 2001, p. 369−374
- Афанасьев А.В., Ильин B.A., Коровкина H.M., Савенко А. Ю., «Особенности технологий и свойств фотодетекторов на основе структур металл пористый карбид кремния» // Письма в ЖТФ, том 31, вып. 15, 2005, с. 1
- Рогальский А., «Инфракрасные детекторы» // Пер. с англ. под ред. А. В. Войцеховского, Новосибирск: Наука, 2003, 636 с.
- Носов Ю.Р., Шилин В. А., «Полупроводниковые приборы с зарядовой связью» // М.: Сов. радио, 1976, 280 с.26