Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца

Диссертация: Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В случае структуры олово-свинец-кремний оксиды олова, которые формируются на внешней границе раздела, при взаимодействии с металлическим свинцом, полученным самораспылением расплава, приводят к образованию станнатов свинца уже при температуре Т = 873 К. Это становится возможным потому, что свинец, напыленный из жидкой мишени, текстурирован и в связи с этим не окисляется вплоть до Т = 873 К… Читать ещё >

Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Фазовые превращения в тонкопленочных системах, содержащих станнаты свинца, титанаты свинца и их твердые растворы
    • 1. Особенности синтеза РЬТЮз, РЬБпОз и твердых растворов в данной системе
    • 2. Нелинейные диэлектрические свойства сегнетоэлектрических соединений АВОз и твердых растворов на их основе
    • 3. Сравнительная характеристика химической связи и кристаллической структуры в оксидах титана, свинца и олова
      • 3. 1. Химические и некоторые физические свойства простых оксидов титана, свинца и олова
      • 3. 2. Термическая устойчивость оксидов титана, свинца и олова
      • 3. 3. Нестехиометрия и дефекты структуры в оксидах титана, свинца и олова
  • Глава II. Получение тонких пленок станнатов-титанатов свинца и методы исследования
    • 1. Подготовка исходных подложек
    • 2. Метод магнетронного напыления
    • 3. Отжиг тонких пленок в печи резистивного нагрева
    • 4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода и фотонном нагреве подложек
    • 5. Методики исследования образцов
      • 5. 1. Осциллографический метод исследования петель гистерезиса
      • 5. 2. Измерения на переменном токе
  • Глава III. Синтез и фазовый состав тонких пленок станнатов свинца
    • 1. Взаимодействие в тонкопленочных структурах свинца с оксидами олова и олова с оксидами свинца
    • 2. Фазовые превращения в тонкопленочных структурах, содержащих свинец и олово на монокристаллическом кремнии, в процессе отжига в потоке кислорода
      • 2. 1. Отжиг гетероструктур с межфазными границами олово-свинец-кремний
      • 2. 2. Отжиг гетероструктур с межфазными границами свинец-олово-кремний
  • Глава IV. Фазовый состав и микроструктура тонких пленок станнатов-титанатов свинца
    • 1. Особенности взаимодействия в гетероструктуре РЬ/ВпАЛ/Б! при самораспылении свинца из собственного расплава
    • 2. Зависимость состава и структуры формируемых пленок. от межфазных границ в исходной тонкопленочной гетероструктуре
    • 3. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от температуры отжига
    • 4. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от содержания олова
  • Глава V. Электрофизические свойства твердых растворов станнатов-титанатов свинца
    • 1. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от последовательности металлических слоев в исходной тонкопленочной гетероструктуре
    • 2. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от температуры отжига
    • 3. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от содержания олова

Актуальность. Тонкие пленки сегнетоэлектрических фаз — один из актуальных объектов исследования в современной химии твердого тела, так как в этом случае решается важнейшая задача химии: изучение фундаментальных основ управляемого синтеза, заключающегося в установлении зависимости между составом, структурой и свойствами химических соединений. Настоящая работа развивает исследования сегнетоэлектрических тонких слоев на основе титаната свинца. Класс сложных оксидов, к которому относится титанат свинца, отличается разнообразием и многочисленностью родственных соединений, технологичностью, широтой технических применений. Однако, в силу высокой температуры Кюри РЬТЮз не может рассматриваться как функциональный материал современной электроники, поэтому актуальной является задача поиска подходящей легирующей примеси для варьирования электрофизических свойств в широких пределах. Хорошо известно, что почти любое замещение РЬ или Тл атомами других элементов, которые могут образовывать перовскитовую решетку, приводит к снижению точки Кюри, так как происходит деформация элементарной ячейки, вызывающая изменение характера химической связи. В этом отношении перспективным является олово, которое может замещать титан, т. к. имеет с ним близкие физико-химические параметры. Применение олова в качестве элемента, замещающего титан, приводит к образованию изоморфных структур РЬТьЗп^Оз, а механизм этого процесса изучен не достаточно.

Цель работы: изучение взаимосвязи состава, структуры и свойств тонкопленочного твердого раствора станната-титаната свинца, а также механизмов взаимодействия металлов и их оксидов друг с другом при синтезе веществ с заранее заданными свойствами.

Для достижения цели были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Изучение взаимодействий в тонкопленочной гетероструктуре, содержащей свинец, олово и их оксиды на монокристаллическом кремнии, при термообработке в атмосфере кислорода и в вакууме.

2. Получение тонкопленочных твердых растворов станната-титаната свинца состава РЬ (8п0.50.5)Оз, обладающего нелинейными диэлектрическими свойствами.

3. Исследование физико-химических свойств (химического состава, кристаллической и микроструктуры) полученных пленок в зависимости от условий синтеза методами рентгенофазового анализа и растровой электронной микроскопии.

4. Изучение зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования электрофизическими методами.

Методы исследования. Изучение физико-химических свойств тонкопленочных гетероструктур, содержащих оксида свинца, титана, олова, а также станнаты свинца и твердый раствор станната-титаната свинца на подложке монокристаллического кремния, проводили с применением комплекса современных методов и надежной статистической обработкой результатов измерений. Фазовый состав определялся методом рентгенофазового анализа, поверхностная морфология — методом растровой электронной микроскопии. Достоверность существования нелинейных диэлектрических свойств обеспечивалась применением совокупности электрофизических методов: измерением температурной зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности на переменном токе, используя электрическую схему типа моста Уинстонанаблюдением петли диэлектрического гистерезиса с применением модернизированной схемы Сойера — Тауэра, а также совпадением в частных случаях данных с известными из литературы.

Научная новизна:

— впервые синтезированы тонкие пленки станната свинца отжигом в вакууме при Г = 873 К гетероструктуры Pb/Sn (VSi, в которой слой олова был сформирован методом магнетронного напыления и подвергнут термическому оксидированию в потоке кислорода, после чего на полученный оксид олова был нанесен свинец;

— впервые синтезированы тонкие пленки твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb (Sno.55Tio.45)03 отжигом в потоке кислорода при Т = 473 К, Т2 = 973 К в течение 10 минут гетероструктуры с межфазными границами Sn/Pb/Ti/Si;

— установлен механизм формирования станната свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb (Sno.55Tio.45)03> заключающийся во взаимодействии металлического свинца с оксидами олова в гетероструктуре, содержащей титан;

— разработаны основы управляемого синтеза, позволяющие установить взаимосвязь между конфигурацией межфазных границ, составом, структурой и электрофизическими свойствами сформированных пленок.

Практическое значение. Разработаны условия управляемого синтеза станнатов свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb (Sno.55Tio.45)03 на кремнии, обладающего полным набором сегнетоэлектрических свойств и несколькими фазовыми переходами, что позволяет их использовать в качестве элементов памяти оперативных запоминающих устройств и высокоскоростных многопозиционных переключателей.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на двух Международных и трех Всероссийских научных конференциях: Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems, and Head Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 1999) — IX.

Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2000» (Москва, 2000) — Fourth International Conference Single Crystal Growth and Head & Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 2001) — I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2002» (Воронеж, 2002) — X национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (Москва, 2002).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 17 публикациях, в том числе 7 статьях в рецензируемых научных журналах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 150 наименований. Работа изложена на 143 страницах текста, иллюстрирована 57 рисунками и содержит 12 таблиц.

ВЫВОДЫ.

1. Установлен механизм взаимодействия компонентов в гетероструктурах РЬ/БпО* и 8п/РЮ на монокристаллическом кремнии. Показано, что станнат свинца формируется при взаимодействии свинца с оксидом олова: 2РЬ + 38п02 —> 2РЬБпОз + Бп. При взаимодействии олова с оксидом свинца происходит окисление олова и восстановление свинца из его оксида: 2РЮ + Бп 8п02 + 2РЬ.

2. Тонкие пленки, содержащие станнаты свинца, титанаты свинца и твердый раствор состава РЬ (8п0.55Т10.45)Оз, полученные при отжиге гетероструктур 8п/РЬЛП/81 (свинец напылялся из собственного расплава), проявляют нелинейные диэлектрические свойства. Обнаружены два фазовых перехода при температурах Т = 493 К и Т2 = 698 К, относящиеся к твердому раствору станната-титаната свинца и станнату свинца соответственнокоэрцитивное поле составило Ес = 232,07 кВ/см, а вектор Л остаточной поляризации Р0 = 0,103 мкКл/см .

3. Установлены закономерности, связывающие между собой состав, структуру, электрофизические свойства пленок, содержащих твердый раствор станната-титаната свинца, и условия синтеза, определяемые характером межфазных границ металлических слоев на поверхности монокристаллического кремния и способом распыления свинца. Доказано, что твердый раствор станната-титаната свинца формируется в том случае, когда в исходной гетероструктуре была следующая последовательность металлических слоев Би/РЬ/П/Б! и свинец распылялся из собственного расплава.

4. Изучены зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования. При избытке титана (Бпо^/РЬЛПоУЗ!) формируются преимущественно титанаты свинца и диэлектрические характеристики отвечают именно этой фазе (квадратная петля сегнетоэлектрического гистерезиса, точка Кюри). Увеличение содержания олова приводит к образованию гетерофазных смесей, в которых присутствуют и твердые растворы станната-титаната свинца: при этом петля сегнетоэлектрического гистерезиса «растягивается» и приобретает насыщение, а на температурной зависимости диэлектрической проницаемости обнаруживаются два (Т = 493 К и Тг = 698 К), а в некоторых случаях и три (Т = 503 К, Т2 = 653 К, Г3 = 773 К) максимума, отвечающих разным фазам. При избытке олова в полученной пленке доминирует либо станнат свинца, либо оксид олова (IV). Варьируя состав и структуру, можно целенаправленно изменять температуру фазового перехода.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании полученных в работе результатов установлена зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих станнат свинца и твердый раствор станната-титаната свинца от особенностей химического взаимодействия, обусловленного различным способом напыления свинца в исходные гетероструктуры при их отжиге в потоке кислорода.

В случае структуры олово-свинец-кремний оксиды олова, которые формируются на внешней границе раздела, при взаимодействии с металлическим свинцом, полученным самораспылением расплава, приводят к образованию станнатов свинца уже при температуре Т = 873 К. Это становится возможным потому, что свинец, напыленный из жидкой мишени, текстурирован и в связи с этим не окисляется вплоть до Т = 873 К. Если же свинец был получен распылением твердой мишени при сохранении последовательности металлических слоев в исходной гетероструктуре, температура формирования станната свинца увеличивается до 1123 К. Это связано с тем, что при более низкой температуре (Г = 873 К) происходит практически независимое образование оксидов олова и свинца с последующим их взаимодействием, приводящим к синтезу станната свинца. Очевидно, что для формирования станната свинца из оксидов свинца и олова, требуется более высокая температура. Следовательно, формирование станната свинца происходит при взаимодействии оксидов олова с металлическим свинцом. Кроме того, установлено, что для образования твердого раствора станната-титаната свинца необходимо присутствие оксидов олова и металлического свинца в гетероструктуре, содержащей титан.

Таким образом, изменяя конфигурацию и свойства межфазных границ, можно управлять составом, структурой и свойствами пленок, образующихся в процессе синтеза при термообработке исходных гетероструктур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В. А. Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов: Дис.. канд. хим. наук / В. А. Логачева. — Воронеж, 2001. — 153 с.
  2. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами / А. М. Ховив, А. С. Сидоркин, С. О. Яценко и др. II Неорганические материалы. 1998. — Т. 34, № 4. — С. 462−463.
  3. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив. и др. II ФТТ. — 2000. -Т. 42,№.4.-С. 727−732.
  4. Выращивание сегнетоэлектрических пленок титаната свинца на кремнии / О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Е. А. Туренко и др. // IX Национальная конференции по росту кристаллов, Москва, 16−20 октября 2000 г.: Тез. докл. Москва, 2000. — С. 344.
  5. Термическое оксидирование тонких пленок Ti и РЬ, напыленных на монокристаллический кремний / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 5. -С. 560−563.
  6. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив и др. II ФТТ. 2002. — Т. 44, № 4.-С. 745−749.
  7. А. М. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2002. № 3. — С. 90−93.
  8. Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане- Пер. с англ. JI. А. Фейгина и Б. К. Севастьянова- Под ред. JI. А.Шувалова. М.: Мир, 1965.-555 с.
  9. Физика сегнетоэлектрических явлений I Г. А. Смоленский, В. А. Боков,
  10. B. А. Исупов и др. Л.: Наука, 1985. — 396 с.
  11. Ю. Н. К вопросу о метастаннате свинца PbSn03 / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Журнал физической химии. 1956. — Т. 30, вып. 6. — С. 1324−1326.
  12. Ю. Н. Рентгеноструктурное исследование твердых растворов сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1956. — Т. 20, № 2.1. C. 178−184.
  13. Ю. Н. Рентгенографическое исследование системы PbTi03-«PbSn03″ / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, Т. Н. Шендрик II Кристаллография. 1956. — Т. 1, № 6. — С. 657−665.
  14. Ю. Н. Влияние различных факторов на температуру Кюри сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, С. П. Соловьев II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1958. -Т. 22,№ 12.-С. 1476−1482.
  15. В. Г. Характер химических связей в сегнетоэлектрических кристаллах АВ03 со структурой типа перовскита I В. Г. Грановский II Кристаллография. 1962. — Т. 7, вып. 4. — С. 604−607.
  16. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Pb, Ba) Sn03, Pb (Ti, Sn)03 и Pb (Zr, Sn)03 I Г. А Смоленский., А. И. Аграновская, A. M. Калинина и др. IIЖТФ. 1955. — Т. 25, вып. 12. — С. 2134−2142.
  17. Fujumoto S. Application of phenomenological analysis to ferroelectric stannated lead titanate under hydrostatic pressure (2) / S. Fujumoto, K. Kanai I I Ferroelectrics. 1994. -V. 154. — Issue 1−4, part 4. — P. 71−76.
  18. Samara G. A. The relaxational properties of compositionally disordered AB03 perovskites / G. A. Samara II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. — V. 15. — P. 367−411.
  19. Bellaiche L. Virtual crystal approximation revisited: Application to dielectric and piezoelectric properties of perovskites / L. Bellaiche, D. Vanderbilt II Physical review B. 2000. — V. 61, № 12. — P. 7877−7882.
  20. Prosandeev S. A. On the average charge of the oxygen vacancy in perovskites necessary for kinetics calculations / S. A. Prosandeev II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. — V. 14. — P. 745−748.
  21. Direct current field adjustable ferroelectric behavior in (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 antiferroelectric thin films / J.-W. Zhai, H. Chen, E. V. Colla et al. II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. — V. 15. — P. 963−969.
  22. Viehland D. Incommensuration in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / D. Viehland, Z. Xu, D. A. Payne II Ferroelectrics. 1994. — V. 151.-Issue 1−4,part l.-P. 151−157.
  23. Xu Z. Incommensurate-commensurate phase transformation in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / Z Xu, D. Viehland, D. A. Payne II Journal of Materials Research. 1995. — V. 10. — Issue 2. — P. 453−460.
  24. Yang T. Effects of compositional variations on antiferroelectric-ferroelectric phase transition of PZST ceramics / T. Yang, X. Yao, L. Zhang II Journal of Inorganic Materials. 2000. — V. 15. — P. 807−814.
  25. Ellis D. E. Theoretical interpretation of metal substitution effects in PZT and PZST / D. E. Ellis, O. V Gubanova II Ferroelectrics. 1994. — V. 153. — Issue 1−4, part 3.-P. 61−66.
  26. Ki H. Y. Electric fatigue and leakage characteristics in Sn modified lead zirconate titanate thin films IKY. Ki, J. H. Jang II Key Engineering Materials. 2002. — V. 214−215. — P. 95−100.
  27. Hyuk Jang J. Electric fatigue in antiferroelectric and ferroelectric Pb (Zr, Sn, Ti) Nb03 thin films prepared by sol-gel process / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Japanese Journal of Applied Physics. 1998. — V. 37. — Issue 9B, part 1.-P. 5162−5165.
  28. Hyuk Jang J. Effect of antiferroelectric buffer on electric fatigue and leakage in ferroelectric Pb (Zr, Sn, Ti) Nb03 thin films / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Thin Solid Films. 2001. — V. 401. — P. 67−72.
  29. Pai N. Compositional dependence of electrical properties in PLZST thin films / N. Pai, B. Xu, L. E. Cross I I Integrated Ferroelectrics. 1998. — V. 22. -Issue 1−4, part2.-P. 501−513.
  30. В. В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Zr, Sn, Ti)03 / В. В. Шварцман, С. Е. Аксенов, Е. Д. Политова IIЖТФ. 2000. — Т. 70, вып. 11. — С. 427.
  31. Хи В. Synthesis of lead zirconate titanate stannate antiferroelectric thick films by sol-gel processing / B. Xu, L. E. Cross, D. Ravichandran II Journal of the American ceramic Society. 1999. — V. 82. — Issue 2. — P. 306−312.
  32. Akiyama Y. Field-induced antiferroelectric-to-ferroelectric phase transition of lead niobium zirconate titanate stannate ceramics / Y. Akiyama, E. Fujisawa II Japanese Journal of Applied Physics. 1997. — V. 36. — Issue 9B, part 1. -P. 5997−6000.
  33. Nam Y. W. Effect of PbO content on dielectric and electric field induced strain properties in Y-modified lead zirconate titanate stannate / Y. W. Nam, К. H. Yoon II Materials Research Bulletin. 1998. — V. 33. — Issue 2. -P. 331−339.
  34. Akiyama Y Development of (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 film using a sol-gel process and resulting antiferromagnetic properties / Y Akiyama, S. Kimura, I. Fujimura II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. — V. 32. — Issue 9B, part 1. -P. 4154−4157.
  35. Lee S. G. Pyroelectric properties of lead antimony stannate-lead titanate-lead zirconate ceramics modified with La and Mn / S. G. Lee, Y. H. Lee, C. Y Park II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. — V. 32. — Issue 5S, part 1. — P. 2014−2019.
  36. De Graef M. In situ domain multiplication and migration in the antiferroelectric ceramic PLSnZT / M. De Graef, D. R. Clarke, J. S. Speck II Regular paper.
  37. В. А. Синтез и свойства тонких слоев в системе Si-Ti-Pb /
  38. B. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Химия. Теория и технология: Сб. научных статей молодых ученых, аспирантов, соискателей, магистров и студентов хим. факультета. — Воронеж: ВГУ. — 2000. — Вып. 3. —1. C. 112−116.
  39. Е. А. Влияние постростовой дефектной системы на ориентацию плоской межфазной границы в кристаллах РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, В. Г. Гаврилянченко И Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23, № 21. — С. 40−44.
  40. Бесконечная анизотропия пьезоэффекта в сегнетокерамике на основе РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, Л. И. Гребенкина, Д. И. Макаръев и dp. II Письма в ЖТФ. 1999. -Т. 25, вып. 22. — С. 21−25.
  41. Размерный эффект в изометрических кристаллах PbTi03 / В. Г. Гаврилянченко, В. Д. Комаров, А. В. Лейдерман и др. II ФТТ. — 1998. -Т. 40,№ 8.-С. 1546−1547.
  42. Влияние кристаллохимических особенностей на электрические свойства титаната свинца / С. В. Титов, Л. А. Шилкина, О. Н. Разумовская и др. II Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 7. — С. 849−856.
  43. Probing the polarity of ferroelectric thin films with x-ray standing waves / M. J. Bedzyk, A. Kazimirov, D. L. Marasco et al. II Physical review B. 2000. — V. 61, № 12. — P. 7873−7876.
  44. Ai R. Influence of speeds of cooling on crystalline orientation of sputtered pellicles PbTi03 and (Pb, La) Ti03 / R. Ai, K. Wasa, Y. Ichikawa II Hyomen kagaku. 2000. — V. 21, № 8. — P. 456−461.
  45. M. Д. Динамическая диэлектрическая восприимчивость сегнетоэлектрических тонких пленок и их многослойных структур / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович II ФТТ. — 2002. Т. 44, вып. 5. -С. 912−922.
  46. Особенности строения, диэлектрических и оптических свойств CdTiOj / Ю. В. Кабиров, М. Ф. Куприянов, Я. Дец и dp. II ФТТ. 2000. — Т. 42, вып. 7.-С. 1291−1295.
  47. Ю. В. Структурные фазовые переходы CdTi03 / Ю. В. Кабиров, Б. С. Кульбужев, М. Ф. Куприянов И ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 10. -С. 1890−1893.
  48. Т. Б. Влияние тепловых эффектов на нелинейность планарных конденсаторов на основе пленок титаната стронция на сапфире в поле СВЧ / Т. Б. Самойлова, К. Ф. Астафьев И ЖТФ. 2000. — Т. 70, вып. 6. -С. 90−97.
  49. Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры БгТЮз/АЬОз I A.M. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 9. С. 8−12.
  50. Влияние отжига на диэлектрическую проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTi03/Al203 / А. М. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1998. — Т. 40, № 8. — С. 1473−11 478.
  51. А. И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция /
  52. A. И. Дедык, Л. Т. Тер-Мартиросян II ФТТ. 1998. — Т. 40, № 2. -С. 245−247.
  53. Свойства титаната стронция в многослойной структуре ЗгТЮз/СеОг/АЬОз / А. М. Прудан, Е. К. Голъман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1997. — Т. 39, № 6. — С. 1024−1029.
  54. О. Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. 77. Зубко // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67, № 3. — С. 29−33.
  55. ЭПР-исследование примесей в пленках титаната стронция / М. Д. Глинчук, И. 77. Быков, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 5.-С. 809−812.
  56. Критические концентрации в виртуальном сегнетоэлектрике 8гТЮ3 с примесью Ва / М. Е. Гужва, В. Клееман, В. В. Леманов и др. И ФТТ. — 1997. Т. 39, № 4. — С. 704−710.
  57. М. Е. Спонтанная фоторефракция в Бг^СаДЮз (д: = 0,014) / М. Е. Гужва, В. Клееман, П. А Марковин II ФТТ. 1997. -Т. 39, № 4. -С. 711−713.
  58. В. В. Фазовые переходы в твердых растворах на основе ЗгТЮз /
  59. B. В. Леманов II ФТТ. 1997. — Т. 39, № 9. — С. 1645−1651.
  60. М. Е. Диэлектрические исследования фазовых переходов в сегнетоэлектрике СсШ03 и твердом растворе Зг^СёДЮз / М. Е. Гужва,
  61. B. В. Леманов, П. А Марковин II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 11.1. C. 2058−2065.
  62. В. В. Материалы с особыми диэлектрическими свойствами (сегнетоэлектрики АпВ1У03): Учеб. Пособие / В. В. Приседский, А. Г. Петренко. Киев: УМК ВО, 1988. — 76 с.
  63. О. Е. Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах / О. Е. Квятковский IIФТТ. — 1997. -Т. 39, № 4.-С. 687−693.
  64. Dorfman S. Comparative study of 001. surface relaxations of perovskite titanates / S. Dorfman, D. Fuh, E. Kotomin II Thin Solid Films. 1998. -V. 318.-P. 65−68.
  65. Полярное состояние в твердом растворе SrTi03 КТа03 / В. В. Леманов,
  66. B. А. Трепаков, П. П. Сырников и др. II ФТТ. 1997. — Т. 39, № 10.1. C. 1838−1840.
  67. Диэлектрическая проницаемость и фазовые переходы в системе 8гТЮз-КТаОз / В. А. Трепаков, В. С. Вихнин, П. П. Сырников и др. II ФТТ. 1997. — Т. 39, № 11. — С. 2040−2045.
  68. О. Е. Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках / О. Е. Квятковский II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып 8. — С. 1345−1362.
  69. В. В. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SrTi03-PbTi03 / В. В. Леманов, Е. П. Смирнова, Е. А. Тараканов II ФТТ. -1997. Т. 39, № 4. — С. 714−717.
  70. А. Н. Пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках / А. Н. Павлов, И. П. Раевский И ФТТ. -2002. Т. 44, вып. 9. — С. 1671−1675.
  71. А. В. Положительный температурный коэффициент сопротивления в свинецсодержащей керамике титаната бария /
  72. A. В. Мясоедов, С. Р. Сырцов IIЖТФ. 1997. — Т. 67, № 9. — С. 126−127.
  73. Свойства пленок Ва^г^/ГЮз, выращенных методом ВЧ магнетронного распыления на сапфире с подслоем SrTi03 / Е. К. Гольман,
  74. B. И. Голъдрин, В. Е. Логинов и др. II Письма в ЖТФ. 1999. — Т. 25, вып. 14.-С. 1−5.
  75. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. В. Пронина и др. // ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 11.-С. 2052−2057.
  76. В. Ю. Эффективные электромеханические свойства сегнетопьезоактивных композитов „кристалл-керамика“ на основе (PbixCajn03 / В. Ю. Тополов, С. В. Глушанин II Письма в ЖТФ. 2002. -Т. 28, вып. 7.-С. 38−45.
  77. Мягкие полярные моды и фазовые состояния твердых растворов Са^РЬДЮз / А. А. Волков, Г. А. Командин, Б. П. Горшунов и др. II ФТТ. — 2004. Т. 46, вып. 5. — С. 899−912.
  78. Sicron N. The relation between the local and the average structure of rhombohedral ferroeletric PbHfo.9Tio.1O3 / N. Sicron, E. A. Stern, Y. Yacoby II Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. — V. 61. — P. 243−249.
  79. А. Т. Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава PbTi03 и Pb(Zr, Ti)03 / А. Т. Козаков, А. В. Никольский, И. В. Новиков II Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23, № 16.-С. 55−61.
  80. Влияние нейтронного облучения на температуру Кюри-Вейсса антисегнетоэлектрической пленки цирконата свинца / Д. В. Куликов, Д. А. Лесных, Ю. В. Трушин и др. II Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28, вып. 15.-С. 17−23.
  81. Дипольное упорядочение и устойчивость сегнетоэлектрического и антисегнетоэлектрического состояний в цирконате свинца / А. В. Лейдерман, И. Н. Леонтьев, О. Е. Фесенко и др. II ФТТ. 1998. -Т. 40, № 7.-С. 1324−1327.
  82. Электронный парамагнитный резонанс на энантиоморфных центрах в кристаллах PbZr03: Gd3+ / А. В. Лейдерман, В. Г. Залетов, О. Е. Фесенко и др. И ФТТ. -1999. -Т. 41, вып. 7.-С. 1279−1281.
  83. Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT / В. В. Лагута, М. Д. Глинчук, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. 2000. — Т. 42, вып. 12.-С. 2190−2196.
  84. Electric-field temperature phase diagram of the relaxor ferroelectric lanthanum-modified lead zirconate titanate / V. Bobnar, Z. Kutnjak, R. Pirc et al. II Physical review B. — 1999. — V. 60, № 9. — P. 6420−6427.
  85. Д. M. Исследование условий селективного лазерного спекания керамических порошковых материалов системы цирконата-титаната свинца / Д. М. Гуреев, Р. В. Ружечко, И. В. Шишковский II Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 6. — С. 84−89.
  86. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца / В. Я. Шур, Н. Ю. Пономарев, Н. А. Тонкачева и др. И ФТТ. 1997. -Т. 39, № 4.-С. 694−696.
  87. Growth of highly oriented of Pb (Zr<, Tii^)03 film on porous silicon / Q. Chen, W. B. Wu, C. L. Mak et al. И Thin Solid Films. 2001. — V. 397. — P. 1−3.
  88. Park S. M. Laser ablation of a Pb (Zr^Ti|J03 target in a pulsed oxygen jet / S.M. Park, J. Y. Moon II Applied Surface Science. 2001. — V. 174. -P. 87−92.
  89. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов / В. М. Мухортое, Г. Н. Толмачев, Ю. И. Головко и др. II ЖТФ. 1998. — Т. 68, № 9.-С. 99−103.
  90. А. М. Влияние доменной структуры на электромеханические свойства сегнетокерамики ЦТС и МНВТ / А. М. Антоненко, А. Ю. Кудзин, М. Г. Гавшин II ФТТ. 1997. — Т. 39, № 5. — С. 920−921.
  91. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. II ФТТ. 2002. — Т. 44, вып. 4. — С. 739−744.
  92. Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. IIФТТ. 2002. — Т. 44, вып. 9. — С. 1659−1664.
  93. В. К. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл / В. К. Ярмаркин, С. П. Тесленко II ФТТ. 1998. — Т. 40, № 10.-С. 1915−1918.
  94. Lee J. Y Orientation control and electrical properties of sputtered Pb (Zr, Ti)03 / J. Y Lee, B. S. Lee II Materials Science and Engineering. 2001. — V. B79. -P. 86−89.
  95. Development of PZT sputtering method for mass-production / T. Masuda, Y Miyaguchi, M. Tanimura et al II Applied Surface Science. 2001. -V. 169−170.-P. 539−543.
  96. Кинетика фазовых превращений при термическом отжиге в тонких золь-гель пленках PZT / В. Я. Шур, Е. Б. Бланкова, А. Л. Субботин и др. II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 5. — С. 869−873.
  97. Шур В. Я. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации / В. Я. Шур, С. А. Негашев, A. Л. Субботин И ФТТ. 1999. — Т. 41, вып. 2. -С. 306−309.
  98. . М. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин, В. В. Леманов И ФТТ. 2000. -Т. 42, вып. 6. — С. 1083−1086.
  99. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанин и др. II ФТТ. 2000. — Т. 42, вып. 3. — С. 511−516.
  100. Zr/Ti ratio dependence of the deformation in the hysteresis loop of Pb (Zr, Ti)03 thin films / E. G. Lee, J. K. Lee, J.-Y. Kim et al I I J. Mater. Sci. Lett. 1999. -V. 18.-P. 2025−2028.
  101. Cho S. M. Effect of annealing conditions on the leakage current characteristics of ferroelectric PZT thin films grown by sol-gel process / S. M. Cho, D. Y. Jeon II Thin Solid Films. 1999. — V. 338, № 1−2. — P. 149−154.
  102. Highly (111) oriented lead zirconate titanate thin films deposited using a non-polymeric route / M. H. M. Zai, A. Akiba, H. Goto et al. II Thin Solid Films. -2001.-V. 394.-P. 97−101.
  103. Kim W. S. Influence of preferred orientation of lead zirconate titanate thin film on the ferroelectric properties / W. S. Kim, J.-K. Yang, H.-H. Park II Applied Surface Science. 2001. — V. 169−170. — P. 549−552.
  104. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе цирконата-титаната свинца / А. И. Бурханов, А. В. Шилъников, Ю. Н. Мамаков и др. И ФТТ. 2002. — Т. 44, вып. 9. — С. 1665−1670.
  105. Рентгеноструктурные и оптические исследования монокристаллов PbZr0.958Tio.o4203 в электрических полях до 4−10 V/m / А. В. Лейдерман, КН. Леонтьев, В. Ю. Тополов и др. II ФТТ. 1998. — Т. 40. № 2. -С. 327−329.
  106. В. А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В. А. Исупов II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 12. — С. 2166−2169.
  107. Monoclinic-tetragonal phase transition in Pb (Zr!^TiJ03 studied by infrared spectroscopy / E. B. Araujo, K. Yukimitu, J.C. S. Moraes et al II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. — V. 14. — P. 5195−5199.
  108. Hoon Oh S. Two-dimensional thermodynamic theory of epitaxial Pb (Zr, Ti)03 thin films / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun I I Physical review B. 2000. — V. 62, № 22.-P. 14 757−14 765.
  109. Hoon Oh S. Epitaxial Pb (Zr, Ti)03 thin films with coexisting tetragonal and rhombohedral phases / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun 11 Physical review B. -2001.-V. 63.-P. 1−4.
  110. В. Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердых растворах PbZr^TlA / В. Ю. Тополов, А. В. Турик IIФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 8.-С. 1525−1527.
  111. Kang M.-G. Recovery of plasma-induced damage in PZT Thin Film with 02 gas annealing / M.-G. Kang, K.-T. Kim, C.-l Kim II Thin Solid Films. 2001.- V. 398−399. P. 448−453.
  112. Design and fabrication of aspherical bimorph PZT optics / Т. C. Tseng, S.-J. Chen, Z. C. Yeh et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -2001. -V. 46768. P. 294−297.
  113. M. Д. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 5. — С. 882−887.
  114. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в твердых растворах релаксоров в рамках теории случайных полей / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович и др. II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 7. -С.1247−1254.
  115. Электрофизические свойства твердых растворов систем Pb (Ti, Zr)034(PbB', aB"a03)» / Л. А. Резниченко, С. И. Дудкина, А. Я. Данцигер и др.1. Л=1
  116. Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 10. — С. 1250−1253.
  117. В. Ю. Межфазные границы и высокая пьезоактивность кристалла *PbTi03-(l-*)Pb (Zn1/3Nb2/3)03 / В. Ю. Тополов, А. В. Турик II ФТТ. 2001.- Т. 43, вып. 6. С. 1080−1085.
  118. Р. Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р. Ф. Мамин II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып. 7. — С. 1262−1267.
  119. А. А. Кинетика фазовых переходов в твердых телах под нагрузкой / А. А. Вакуленко, С. А. Кукушкин // ФТТ. 2000. — Т. 42, вып. 1. -С. 172−175.
  120. А. Л. Аномальная диффузия света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом / А. Л. Корженевский, Л. С. Камзина II ФТТ.-1998.-Т. 40, № 8.-С. 1537−1541.
  121. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках / В. Н. Децик, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин и др. II ФТТ. — 1997. Т. 39, № 1. — С. 121−126.
  122. В. В. Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава / В. В. Слезов, Ю. П. Шмельцер II ФТТ. 2001. — Т. 43, вып 6. — С. 1101−1109.
  123. В. Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин Отв. редактор И. В. Тананаев. М.: Наука, 1983. — 239 с.
  124. Р. Неорганическая химия: В 2 т. / Р. Рипан, И. Четяну- Пер. с румынского И. Б. Берсукера и Н. И. Беличука- Под ред. В. И. Спицина и И. Д. Колли.-М.: Мир, 1971.-Т. 1.-560 с.
  125. В. Б. Аналитическая химия олова: Серия «Аналитическая химия элементов» / В. Б. Спиваковский- Главный редактор А. П. Виноградов. М.: Наука, 1975. — 252 с.
  126. В. Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин Отв. редактор Н. М. Жаворонков. М.: Наука, 1979. — 168 с.
  127. У гай Я. А. Введение в химию полупроводников: Учеб пособие для вузов. /Я. А. У гай. 2-е изд., перераб и доп. — М.: Высшая школа, 1975. — 302 с.
  128. У гай Я. А. Общая и неорганическая химия: Учеб для вузов. 2-е изд., испр. /Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 2000. — 527 с.
  129. . Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. 2-е изд., перераб и доп. — М.: Высшая школа, 1973. — 656 с.
  130. Физические величины: Справочник. / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина,
  131. A. М. Братковский и др.', Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  132. Физико-химические свойства окислов: Справочник. / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1969. — 456 с.
  133. Нестехиометрические соединения / Под ред. Л. Манделькорна- Пер. с англ. под ред. К. В. Астахова. — М.: Химия, 1971. 608 с.
  134. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад- Пер. с англ. О. Е. Каширенинова- Под ред. Н. Н. Семенова. М.: Мир, 1975. — 399 с.
  135. Ю. Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю. Д. Третьяков. — М.: Изд-во Московского ун-та, 1974. — 364 с.
  136. Равновесие собственных дефектов в диоксиде олова / К. 77. Богданов, Д. Ц. Димитров, О. Ф. Луцкая и др. II Физика и техника полупроводников. 1998. — Т. 32, № 10. — С. 1158−1160.
  137. М. Структура двойных сплавов: Справочник: В 2 т. / М. Хансен, К. Андерко- Пер. с англ. П. К. Новикова и др.- Под ред. И. Л. Гогельберга. 2-е изд., перераб. М.: Металлургиздат, 1962. — Т. 2. — 609 с.
  138. И. И. Диаграммы равновесия металлов IV группы титана, циркония и гафния / И. И. Корнилов, 77. Б. Будберг И Диаграммы состояния металлических систем: Обзор исследований. — М.: Наука, 1968. -С. 125−136.
  139. . С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин,
  140. B. К. Сырчин. М.: Радио и связь. 1982. — 72 с.
  141. Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е. Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. — 248 с.
  142. А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. / А. Вест- Пер. с англ. А. Р. Кауля и И. Б. Куценка- Под ред. Ю. Д. Третьякова. М.: Мир, 1988.-4.2.-336 с.
  143. Ю. Д. Твердофазные реакции / Третьяков Ю. Д. М.: Химия, 1978.-С. 40−41.
  144. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А. А. Равделя и А. М. Пономаревой. 8-е изд., перераб. — Л.: Химия. Ленинградское отделение, 1983. — 232 с.
  145. . П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводность моноокиси олова / Б. П. Крыжановский,
  146. A.Я.Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. — Т. 35, № 1. — С. 80−83.
  147. Взаимодействие свинца и олова с тонкими пленками их оксидов на поверхности монокристаллического кремния / А. М. Ховив, О. Б. Яценко,
  148. B. А. Логачева и др. II Неорганические материалы. 2004. — Т. 40, № 4.1. C. 400−403.
  149. Формирование тонких слоев станнатов свинца на монокристаллическом кремнии / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2003. — Т. 39, № 10. — С. 1251−1259.
  150. М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс- Пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981.-736 с.
  151. А. М. Фазовые переходы в тонких пленках твердых растворов титаната-станната свинца / А. М. Ховив, Ю. 77. Афиногенов, В. А. Логачева и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. — Т. 6, № 1.-С. 107−112.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!