Механизмы деградационных процессов и оплавления в системах металлизации на кремнии при импульсных токовых воздействиях

Актуальное!ь 1смы. Разрушение слоев метллизации и кошакюн ме1алл-нолуиро1юдник являек’я последним звеном необрашмою ошпа полупроводниковых Сфук1ур [ 1 -3 ]. Оюму иредшес1вую1 элек формулированные дефадационные явления, коюрые, как правило, начинаю1ся на иере1ибах метллических плёнок, меешх локализации механических и С1рук1урных дефекюв |4−5]. Дальнейшее их развише приводи I к кон ¡-ак1 ному плавлению на межфазных фаницах, а ткже локальному оплавлению металлических пленок не юлько при стационарном иро1екании элекфическою юка, но и при воздейспзии юковых импульсов различной формы. К примеру, в мощных полупроводниковых приборах дли1ельнос1И импульсов соаавляю! 100 1000 не, а пл01н0сги токов дос1И1аю1 значений 6 1()п Л/м2 [6]. При 1аких соо1 ношениях между временем разви1ия процесса и амили1удой юка, малейшее ошюнение 01 нормального режима рабопл може1 приводи 1ь к дефекюобразованию и акшвно развивающимся дефадационным процессам как в объеме, гак и на поверхносш крисшша. Несмофя на ж), механизмы 1епловой дефадации в подобных Сфук1урах оааююя пракшчески нерассмофенными, либо анализирую 1ся мем одами численною моделирования [7−8].

Особую ос фоту эта проблема приобретаем в настоящее время, ко1да высокая интефация современных полупроводниковых приборов нредиола1ае1 уменьшение минимальною 1оиоло1ическою размера компонешов в проекшых нормах до 0,11−0,13 мкм [9|, наличие 6−8 уровней межсоединений [10], чю приводи! к увеличению плопюсж юка влиниях, а ткже акшвизации взаимною влияния соседних слоев мешшизации.

Не менее значимо влияние электроде! радационных процессов на мощные полупроводниковые приборы и изделия силовой) лекфоники. Возникающие в них ¡-ермоудары и 1емпера1урные 1радиеты способе 1вую1 образованию псчлевых дислокаций, сравнимых с 1лубиной зале1ания мелких рп-переходов. Подобные «проколы» рп-нерехода дислокационной петлей приводя I к резкому возрас1анию юков у1ечки, локализации силовых линий (нарушение распределения полей, потенциалов).

Таким образом, элек1роде1радационные процессы в слоях мешишзации и контакшых системах металл-полупроводник продолжают ос1ава1ься важной и ак1уальной проблемой 1вердо1ельной) лекфоники и фишки конденсированною сосюяния.

Цель диссещанионной пабоил заключаемся в [еорежческом и экспериментальном изучении I силовых режимов рабош и /градационных процессов в слоях ме1аллизации и кошакшых системах ме1алл-полупроводник при воздейсиши различных (но форме и электрической мощное I и) импульсов тока, а ¡-акже анализе дефектообразования в полупроводнике при наличии локальных ¡-еиловых источников.

Для дос жжения указанной цели было необходимо решип> следующие задачи:• Рассчитать гемпера1урные поля в полупроводниковой плаежне, создаваемые прямоугольным слоем мешишзации при воздейепшина него импульса тока с линейно нарасшющим фронтом.

Разрабо1а1ь и программно реализован^ алюриш расчет1смпсра1уры на поверхности и в обьеме полупроводника при наличии локальною Iсиловою исючника.• Дс1ально изучи 1Ь дарадационные процессы и оплавление (локальное зарождение жидкой фазы и направленное ее распросгранение) при прохождении импульсов юка с линейно нарастающим фрошом в юнкой ме1аллической пленке (юлщиной до 5 мкм), нанесенной на кремниевую пласшну (юлщиной до 500 мкм).• Разрабогам" меюдику определения обласш безенказной рабоил исследуемой сис1емы при изменении амнлшудно-временных парамефов юковых импульсов.• Провесш анализ влияния формы и рашеров мсчаллической дорожки на значения кришческих пломюсюй юков, а шкже механизмов дефадации в сис1емах метлл-полупроводник при наличии юнких диэлекфических нленок оксида кремния.• Эксперимешальным и расчетным ну1ем определим" условия образования дислокационных нолунешль в кремниевых пласшнах вблизи исючника юрмоудара.

Научная новизна-1. Рассчишна динамика формирования ¡-силовых полей в полупроводниковой нласшне, создаваемых прямоугольным слоем мешшизации при воздейемзии на нею импульса с линейно нарастающим фронтом.

2. Эксиеримен1ально изучен процесс конткшою плавления сфук|ур мешлл-полуироводник при воздейемши импульсов юка с линейно нарасшющим фрошом (су/с11> 1,5−1011 Л/м2-с). Показано, чюнеобра шмыс деградационные процессы в рассмафиваемых системах при импульсном юковом возмущении связаны с локальным зарождением жидкой фазы и направленным ее расироаранением под дейспзием элекфическою юка.

3. Проведен анализ влияния формы и размеров мсмаллической дорожки на значения кригических илоиюс1ей юков. Эксперимешальным и расчетным путем показано, чю при уменьшении рашеров дорожки ме1аллизации (ширина или юлщина) впло1Ь до 1 мкм кришческие плотноеIи юка осткмся одинаковыми, а 1емпера1урные поля в подложках — подобными.

4. Экспериментально обнаружено зарождение поверхностью дислокаций вдоль дорожки мешллизации. Опышым иу1ем определены условия образования линейных дефекюв вблизи исючника 1ермоудара. Наблюдаемыежепериметальные резулыаш иод1верждаю1ся расчеюм 1ермоупру[их напряжений в кремнии.

Практическая значимое! ь:1. Результаты исследований являкнея основой для вырабо1КИ меюдов повышения де1радационной сюйкосчи конгакшых сисмем мечалл-полуироводник, а (акже подавления процессов образования расплавленных облас1ей и дислокационных иолупе1ель вблизи исючника юрмоудара.

2. Разработан и программно реализован алюриш расче1а 1емиера1уры кошакпюй сисюмы ме1алл-иолупроводник при нафевании мемалла токовым импульсом произвольной формы.

3. Впервые разрабо1ана меюдика определения облаем и допуешмых изменений амплитудно-временных парамефов юковоюимпульса (ирямоуюльной формы и с линейно нарааающим фронюм) для обеспечения безо ¡-казной рабош исследуемых структур.

Основные положении, выносимые на защи! у:1. При прохождении одиночных юковых импульсов с линейно нарастающим фронюм (ф/сН>1,5−1014 Л/м2-с и ]>4,М01(| Л/м2) через алюминиевую дорожку металлизации на фанице раздела алюминий-кремний развивакмея «конкурирующие» де1 радационные процессы, связанные с локальным зарождением жидкой фазы (в кч. направленным ее распространением под дейемзием элек|рическою юка) и механизмом кошакшо1 о плавления в системе А1−8к2. Анализ воздействия импульсов юка на учасюк метллизации по осцилло1 раммам включения позволяе1 определим, кршическую энергию прямоугольного импульса юка 0к1=1,т1=ул/т1 =50−170 мДж, превышение ко юрой приведе1 к началу необрашмых ишенений в кошакмюй паре АЬБк3. В условиях нестационарною на! рева слоя мааллизации прямоу1 ольным импульсом юка (ампли1удой до 6−1010 А/м2 и длшельноемж) 01 50 до К)3 мке) и юковыми импульсами с линейно нарааающим фронтом ((4,1 -6,27)-1010 А/м2, ф/(и>1,5−10п А/м2-с) проведен расчет термоупругих напряжений а, возникающих в кремниевой подложке. Показано, что при подобном воздейемзии возникающие о превышаки характерные механические напряжения зарождения дислокаций в кремнии.

4. Образование линейных дефекюв в кремнии вблизи исючиика 1ермоудара носит пороговый харак! ер с кришческим значениемQk=90 мДж, чю соответствует длительности т=300 мкс и амили1удс• 10 2 юк0в01 о импульса jk=4,8 10 А/м.

Апробация раб (пы. Основные регулы ai ы раб ()1ы докладывались на VI Международной конференции «Математическое моделирование физических, технических, экономических, социальных систем и процессов» (Ульяновск, 2005), VII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой отои наноэлек тропике, (Санкт-Пе1ербург, 2005), VIII международной конференции Ошонаноэлекгроника, nanoiexnojioiии и микросистемы (Ульяновск, 2006).

Личный вклад. Постановка задач осуществлялась научным руководиiejicm д.ф.-м.н. Скворцовым Л. Л. Разработка алюриша расчекц ею про1раммная реализация, экспериментальные исследования i силовых режимов рабогы структур Al-Si выполнены авюром самосюя1елыю. Авюр использует резулыаш полученные им лично и в соавторстве с научным руководи 1елем.

Публикации. По ма1ериалам диссертации опубликовано 10 печатных работ, из них 3 сгап>и в журналах и? списка ВАК и 7 докладов на международных и всероссийских конференциях.

Работ выполнена при часшчной поддержке i pama президент РФ поддержки ученых-молодых докюров наук №МД-171 1.2005.2.

Сщуюура и объем диссертации. Работ cociohi из 4 глав, введения, заключения, 40 рисунков, 2 тблиц, содержи! 110 араниц текста, включая оглавление и списка литературы из 90 наименований.

Выводы.

1. Из анализа тепловых полей в кремнии с поверхносшым тепловым источником в виде слоя металлизации noci роено решение [силовой задачи о температурных режимах работы слоя металлизации при воздействии импульсов тока с линейно нарастающей нагрузкой. Экспериментально изучено поведение систем алюминиевая пленка-кремниевая пластина (Al-Si) с кремниевым подслоем.

2. Впервые детально проанализировано воздействие юковых импульсов с линейно нарастающим фронюм и максимальным значением j~5 К)10 А/м на системы металл-полупроводник различной геометрии. Показано, что деградационные процессы в системах Al-Si при рассматриваемых токовых возмущениях связаны с локальным зарождением жидкой фазы и направленным ее распространением иод действием электрического тока.

3. Экспериментально установлены начальные этапы разрушения слоя металлизации при различных длительностях прямоугольных юковых импульсов т^ и амплитудах импульса тока ji, (критические значения параметров). Предложена меюдика диапюсшки кошакшых систем и определения их области безотказной работы по критическим значениям jk и тк.

4. На основании расчетов i силовых полей, возникающих в кремниевой нласшне при воздействии токового импульса с линейно нарастающим фронтом, показана возможность не только образования, но и последующей динамики дислокаций в процессе гермоудара. Экспериментально зафиксировано зарождение поверхносшых дислокаций, но периметру алюминиевой металлизации, определены условия их образования вблизи контакта металл полупроводник.

Заключение

.

Автор выражает признательность коллективу кафедры физическою материаловедения УлГУ за содействие в проведении экспериментов, проф. Орлову A.M. за ценные замечания в разработке математической модели, доц. Балашову А.II. за идею подобия, доц. Соловьеву A.A. за консультации в металлографических исследованиях, инженеру Шмелеву IO.II. за помощь в разработке формирователя импульсов и техническую поддержку.

Автор искренне блаюдарен научному руководителю д.ф.-м. н. Скворцову A.A. за всестороннее учасгие в получении и обсуждении результатов.

Ли i ера гу pa.

1. Wayner P. Silicon in reverse. //Byte. 1994. № 8. p. 67−74.

2. Мильвидский М. Г. Полупроводниковый кремний на nopoie XXI века. //Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. № 1. 2000. С.4−14.

3. Орлов A.M., Костишко Б. М., Скворцов А. А. Транспоршые процессы в юнкопленочной системе Al-Si с ме1аллическим подслоем. //Поверхность. Рентгеновские, синхрофонные и нейфонные исследования. 1997. № 1.С.80−84.

4. Battat В. Accelerated degradation // Material Ease, 2001, v. 13, p.

11−15.

5. Lloyd J. R. lilectromigration in integrated circuit conductors // J. Phys. D: Appl. Phys., 1999, v. 32, p. 109−118.

6. Banerjee K., Kim D., Amerasekera A. Microanalysis of VLSI interconnect failure modes under shoi^pulse stress conditions // 38th IHHH Annual International Reliability Physics Symposium Proceedings (IRPS), 2000, pp. 283−288.

7. Абрамов И. И., Ивкин B.M., Горбач В. Б. Меюдика численною моделирования распределения температуры в кремниевых БИС. //Элекфонная техника. Серия З.Микроэлекфоника. Вып.4. 1992. С.28−30.

8. Бубенников A.II. Моделирование ишефальных микротехнологий, приборов и схем.- М.:Вымш. шк., 1989.-320 с.

9. Орлов С., Курляндский А. Этот безумный, безумный рынок полупроводников. // Живая электроника России, 2004, Т. 1., С. 23−27.

10. Горнев Е. Перспективы развития отечественных субмикронных 1ехноло1 ий //Живая электроника России, 1999, i.l.

11. Lin S-C., Srivastava N., Banerjee K. A 'Ihermally aware methodology for design-specific optimization of supply and threshold voltages in nanometer scale // ICs international conference on computer design (ICCD), San Jose, 2005, p. 411−416.

12. Орлов A.M., Костишко Б. М., Скворцов А. А. Разрушение мноюслойных юнкопленочных сфуктур в импульсном юковом режиме. //Извесшя РАН. Неорганические маюриалы. Т.31. № 5. 1995. С.668−672.

13. Ройзин Н. М., Мосгавлянский Н. С. Исследование физических процессов в мощных транзисторах, определяющих их надежное п> в импульсных режимах. //Полупроводниковые приборы и их применение. Вып. 10. М.: Сов. радио. 1963. С. 131−166.

14. Cenut М., Li Z., Baner C.L., Mahajan S. Characterisation of the early steges of electromigration at grain boundary triple junctions. // Appl. Phys. Lett., 1991. v.21., p. 2354−2356.

15. Chandrakasan A. P., Brodersen R. W. Low power digital CMOS design // Kluwer Academic Publishers, 1995.

16. Banerjee K. 'Ihermal effects in deep sub-micron VLSI interconnects and implications for reliability and performance // Ph.D. dissertation, University of California at Berkeley, 1999.

17. Banerjee K., Mehrotra А., Ни C. On thermal effects in deep submicron VLSI interconnects // 36th ACM Design automation conf., 1999, p. 885−891.

18. Banerjee K., Mehrotra A., Hunter W. Qualitative projections of reliability and performance for low-k/Cu interconnect systems // Annu. Int. reliability physics symp., 2000, p. 354−358.

19. Banerjee K., Pedram M., Ajami A. II. Analysis and optimization of thermal issues in high-performance VLSI // ACM/SIGDA international symposium on physical design (ISPD), 2001, p. 230−237.

20. Davis J., Venkatesan R., Banerjee K. Interconnect limits on gigascale integration (GSI) in the 21st Century // Proceedings of the ШЕП, special issue on limits of semiconductor technology, 2001, v. 89, №. 3, p. 305 324.

21. Im S., Banerjee K. Full chip thermal analysis of planar (2-D) and vertically integrated (3-D) high performance ICs // Tech. Dig. IHDM, 2000, p. 727−730.

22. Liew В. К., Cheung N. W., IIu С. Projecting interconnect electromigration lifetime for arbitrary current waveforms // IEEE Trans, electron devices, 1990, v. 37, p. 1343−50.

23. Ida J. Reduction of wiring capacitance with new low dielectric SiOF interlayer film for high speed/low power sub-half micron CMOS // Tech. Dig. VLSI Symp., 1994, p. 59−60.

24. Shieh В., Saraswat К. C., McVittie J.P. Air-Gap formation during ILD deposition to lower interconnect capacitance // IEEE electron device lett., 1998, v. 19, №. l, p. 16−18.

25. Banerjee K., Amerasekera A., and Ни С. The effect of interconnect scaling and low-k dielectric on the thermal characteristics of the 1С metal // Tech. Dig. IEDM, 1996, p. 65−68.

26. Banerjee K. Trends for ULSI interconnections and their implications for thermal, reliability and performance issues // Seventh international dielectrics and conductors for ULSI multilevel interconnection conference (DCMIC), 2001, p. 38−50.

27. Banerjee K., Mehrotra A. An interconnect scaling scheme with constant on-chip inductive effects international // Journal of analog integrated circuits and signal processing, 2003, v. 35, p. 97−105.

28. Материалы микроэлектронной ¡-ехники./ B.M. Андреев, M. I I. Бронгулеева, С. Н. Дацко, л.В. ЯмановаПод ред. В. М. Андреева — М. Радио и связь, 1989—352с.

29. Banerjee К., Rzepka S., Amerasekera A. Thermal analysis of the fusion limits of metal interconnect under short duration current pulses // IEEE International Integrated Reliability Workshop (IRW), 1996, p. 98−102.

30. Iliraoka K. Effects of the aspect ratio on stress-induced open failure in an aluminum line of LSI interconnects // Jpn. j. appl. phys., 1994, v. 33 (2), № IB, p. L87-L90.

31. Shen Y.-L. Modeling of thermal stresses in metal interconnects: Effects of line aspect ratio //J. of Appl. Phys., 1997, v. 82, Issue 4, p. 15 781 581.

32. Frost H.J. Microstructural evolution in thin films // Mater. Charact. 1994. № 4. p.67−74.

33. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир. 1984.475 с.

34. Волков А. Ф., Зайцев I I.A., Суровиков М. В. Влияние 1ермических операций на характеристики кремния. Обзоры по элекфонной технике. Серия 6. Материалы. Выпуск 10(992). 28 с.

35. Технология СБИС. Кн.1. Под.ред. С.Зи. 1986. 404 с.

36. Технология СБИС. Кн.2. Под.ред. С.Зи. 1986. 453 с.

37. Christou, A. Electromigration and Hlectronic Device Degradation. New York, John Wiley & Sons Inc., 1994.

38. Attardo M. J., Rosenberg, R. Electromigration damage in aluminum film conductors,//J. of Appl. Phys., 1970, № 41(6), p.2381−2386.

39. Ho P. S., Li С. Y., Totta P. Single-crystal aluminum lines and its limitation. // Stress Induced Phenomena in Metalization: A.I.P. Conference, p. 179−194.

40. Penney R. V. Current-induced mass transport in aluminum. // Journal of Physics and Chemistry of Solids, 1964, v. 25, p. 335−345.

41. Gardner D. S., Meindl J. D., Saraswat К. C. Interconnection and Electromigration Scaling Theory. // IIIEE Transactions on Electron Devices, 1987, ED-34, p. 633−643.

42. Chaug Y.-S., Huang H. L. Temperature distribution on thin-film metallizations. //J. of Appl. P., 1976, № 47(5), p. 1775−1779.

43. Ho P. S. Motion of inclusion induced by a direct current and a temperature gradient. // J. of Appl. Phys., 1970, № 41, p. 64−68.

44. Marieb T. Observation of void nucleation and growth in passivated metal lines. // Ph.D. thesis, Stanford University, 1994.

45. Sigsbee R. A. Electromigration and metal i/ation lifetimes. //J. of Appl. Phys., 1973, № 44(6), p. 2533−2540.

46. Saka M., Sasagawa K., Abe II. Theoretical analysis of electrothermal crack problem considering thomson effect. // ASME Meeting, AMD-193, 1994, pp. 53−59.

47. Bastawros A.-F., Kim K.-S. Experimental study on electric-current induced damage evolution at the crack tip in thin film conductors. // Journal of Electronic Packaging, 1998, № 120, p. 345−359.

48. Bower A. F., Freund E. B. Finite element analysis of electromigration and stress induced diffusion in deformable solids. // Materials reliability in microelectronics «V», MRS Meeting, 1995.

49. Maroudas D., Pantelides S. Theory and computer simulation of grain-boundary and void dynamics in polycrystalline conductors. // Materials reliability in microelectronics «V», MRS Meeting, 1995.

50. Hau-Riege S.P., Thompson C.V. Experimental studies of the reliability of interconnect trees. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 2000, v. 612.

51. Shen Y. L., Guo Y.L. Designing test interconnect structures for micro-scale stress measurement: An analytical guidance. // J. Vac. Sci. Technol., 1999, В 17(2), p. 448−454.

52. Бондаренко ГЕН., Емельянов О. А. Эксперимет ал ыюе изучение гоковою разрушения mci авизированных полимерных пленок // Письма в ЖТФ, 2005, том 31, выи. 14, С. 67−72.

53. Qi X., Boggs S. Electrothermal failure of metallized film capacitor end connections-computation of temperature rise at connection spots // J. of Appl. Phys., 2003, v. 94, № 7, p. 4449−4456.

54. Banerjee K., Amerasekera A., Cheung N. High-current failure model for VLSI interconnects under short-pulse stress conditions // IEEE electron device letters, 1997, v. 18, №. 9.

55. Орлов A.M., Костишко Б. М., Скворцов А. А. Трансиоршые процессы в юнкопленочной системе Al-Si с метллическим подслоем. //Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. № 1.С.80−84.

56. Скворцов А. А., Орлов A.M., Саланов А. А. Деградационные процессы в сисюме алюминий-кремний при импульсных электрических воздейс1виях. //Письма в ЖТФ. 2001. Т.27. Выи. 19. С.76−84.

57. Орлов A.M., Пирогов А. В., Емельянова Т. Г. Разрушение слоев металлизации в импульсном токовом режиме. //Неорганические материалы. 1993. Т. 29. Вып. 11. С. 1559−1562.

58. Орлов A.M., Костишко Б. М., Скворцов А. А. Разрушение многослойных юнкоиленочных cipyKiyp в импульсном юковом режиме. //Извесшя РАН. Неорганические маюриалы. 1995, Т.31., № 5, С.668−672.

59. Орлов A.M., Скворцов А. А., Ли1виненко О. В. Генерация изгибных колебаний полупроводниковых нласшн локальными Шиловыми источниками. // Письма в ЖТФ., 2003., Т.73., № 6., С.78−81.

60. Keller R., Geiss R., Cheng Y. Electric current induced thermomechanical fatigue testing of interconnects // Characterization and Metrology for ULSI Technology 2005, AIP Conference Proc., v. 788, p. 491 495.

61. Гогра 3. Ю., Николаев И. M. Контроль качесгва и надежное ib микросхем. // М.: Радио и связь, 1989, 169 с.

62. Danso К. A., Tullos L. Thin-film metallization, studies and device lifetime predition using Al-Si and Al-Cu-Si conductors test bar // Microelectronics and reliability., 1981, v. 21, № 4. p. 513−527.

63. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. 11од. ред. 1 Ioyia Дж, Ту К., Мейера Дж. ИМ.: Мир., 1982., 576 с.

64. Gui X., Haslelt J. W., Dew S. K. Simulation of temperature cycling effects on electromigration behavior under pulsed current stress. // IEEE transactions on electron, 1998, v. 45, №. 2.

65. Murguia J. E., Bernstein J. B. Short-time failure of metal interconnect caused by current pulses. // IEEE electron device lett., 1993, vol. 14, p. 481^*83.

66. John H. Lienhard IV, John H. Lienhard V A heat transfer textbook.,.

2003.

67. В. С. Швыдкий, M. Г. Ладьи ичев, В. С. Шаврин. Маюмагические методы теплофизики: Учебник для ву job. — М.: «Машиностроение», 2001.-232 с.

68. Лыков А. В. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967. 600 с.

69. Охотин A.C., Пушкарский A.C., Горбачев B.B. Теплофизические свойс1ва полупроводников. //М.: Агомиздаь, 1972. 187 с.

70. Д.Кирьянов. MathCAD 11. Самоучи iель. С-Пб.:БХВ-Неюрбург, 2003.

71. Епанешников А. М., Епанешников В. A. I Ipoi раммирование в среде DELPHI 2.0: Учебное пособие в 4-х ч. Ч. 2. Язык Object Pascal 9.0. М.: Диалог-Мифи, 1997, 319 с.

72. Бобровский С. Delphi 5: учебный курс. СПб.: Пшер, 2001, 640 с.

73. Физические величины. Справочник. 11од. ред. Гри1 орьева И.С., Мейлихова Е.З.//М.: Энергоаюмиздаг., 1991. 1232 с.

74. Гофа ЗЛО. Справочник, но технологии микроэлекфонных усфойспз. //Львов: Каменяр., 1986. 287 с.

75. Черняев В. П. Техноло1 ия призводсгва ишегральных микросхем и микропроцессоров. //М.: Радио и связь., 1987. 464 с.

76. Измерения в элекфонике: Справочник. 11од ред. В. А. Кузнецова//М. Энергоаюмиздаг, 1987. 512 с.

77. Диа1 рамма сос i ояния.

78. Скворцов А. А., Орлов А. М., Рыбин В. В. К вопросу диагностики деградационных процессов в системе алюминий-кремний при импульсных электрических воздейсжиях // Письма в ЖТФ, 2006, юм 32, вып. 6, С. 18−23.

79. Коренев Б. Г. Задачи юплоироводносж и юрмоупруюаи: решения в Бесселевых функциях. М.: Изд.-во физ.-маь лик, 1980. 400 с.

80. Коротков П. К., Орквасов Т. А., Созаев В. А. Размерный эффект контактного плавления металлов // Письма в ЖТФ, 2006, юм 32, выи. 2, С. 28−32.

81. Резисюрные и конденсаюрные микросборки/Ю.В. Зайцев, А. Т. Самсонов, U.M. решешиков и др.- М.: Радио и свя $ь, 1991.-200 с.

82. Nishiwaki S., Boggs S., Kuang J. Scaling of I Iigh Current GIS Contact Thermal Stability.

83. Скворцов Л. Л., Рыбин В. В., Романенко И. 11. Де1 радационные процессы в системах металлизации на кремнии при нестционарных элекфических воздейспшях // Письма в ЖТФ, 2006, юм 32, выи. 17, С. 6065.

84. Ландау Л. Д., Лифшиц Н. М. Теория унруюсги. М.: Наука, 1987., 248 с.

85. Захаров Н. П., Багдасарян A.B. Механические явления в ин игральных структурах — М.: Радио и связь, 1992.-144 с.

86. Шаскольская М. П. Кристаллофафия. М.: Высшая школа., 1984., 376 с.

87. Скворцов А. А., Орлов А. М., Рыбин В. В. Образование неглевых дислокаций в кремнии вблизи локальных 1еиловых исючников // Неорганические материалы, 2006, юм 41, № 6, С. 1−5.

88. Лепендин В. И. Акустика. М.: Наука, 1978., 342 с.

89. Лямшев JI. М. Радиационная акусшка. М.: Паука, 1989., 240 с.

90. Домаркас В. И., Кажис Р. — И. 10. Кон фольно — измери юльные пьезоэлектрические преобразователи. Вильнюс: Миншс, 1975., 255 с.