Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами
Диссертация
ТГц диапазон, столь перспективный для активного использования, остается до последнего времени одним из слабо оснащенных технически участков спектра. Интенсивность характерных для инфракрасной области спектра источников теплового излучения здесь очень мала. Существующие в настоящее время системы ТГц излучателей не удовлетворяют предъявляемым требованиям к промышленно выпускаемым приборам. Так… Читать ещё >
Список литературы
- ИК-изображения флип-чип-диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм / Закгейм A. JL, Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и т. д. // Прикл. Физика 2008.- № 6. — С. 143 — 149.
- Tonouchi М. / Cutting-edge terahertz technology // Nature Photonics 2007. -Vol. 1,-P. 97- 105.
- High-Temperature Operation of Terahertz Quantum Cascade Laser Sources / Belkin M.A., Wang Q.J., Pflugl C., et al. // IEEE J. of Selected Topics in Quantum Electronics 2009. — Vol. 15. — P. 952 — 966.
- Room temperature terahertz emission from grating coupled two-dimensional plasmons / Meziani Y.M., Handa H., Knap W., et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. -Vol. 92.-P. 20 1108(3).
- Evan O. Kane / «Band structure of indium antimonide» // J. Phys. Chem. Solids -1957.-Vol. 1-P. 249−261.
- Ivchenko E.L. and Pikus G.E. / Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and optical phenomena, 2nd ed. // Springer. 1997. — 370 p.
- Effects of Non-stoichiometry and Compensation on Fundamental Parameters of Heavily-doped InN / Shubina T.V., Glazov M.M., Ivanov S.V., et al. // Phys. Stat. Sol. 2007. — Vol. 7. — P. 2474 — 2477.
- Панков Ж. / Оптические процессы в полупроводниках, пер. с англ. // Москва, «Мир» 1973. — 456 с.
- Мосс Т. / Оптические свойства полупроводников, пер. с англ. // Москва, «Мир" — 1961.-304 с.
- Su-Huai Wei, А/ Zunger/ InAsSb/InAs: A type-I or a type-II band alignment // Phys.Rev.B. 1995. — Vol. 52. — P. 12 039 — 12 044.
- Toropov A.A., Lyublinskaya O.G., Solov’ev V.A., Ivanov S.V. / Sb-based nanostructures for mid-IR optoelectronics // III-V Semiconductor Heterostructures:
- Physics and Devices, ed. by W.Z. Cai Researsch Signpost (Keraia) — 2003. — P. 169 -200.
- Molecular beam epitaxy growth and characterization of mid-IR type-II «W» diode lasers / Canedy C.L., Bewley W.W., Boishin G.I., Kim C.S. et al. //
- J.Vac.Sci.Technol.B. 2005. — Vol.23. — P. 1119 — 1124.
- InSb Quantum Dots in an InAsSb Matrix Grown by Molecular Beam Epitaxy / Semenov A.N., Solov’ev V.A., Meltser B.Ya., Lyublinskaya O.G., Terent’ev Ya.V., et al. // Acta Physica Polonica A. 2005. — V. 108. — P. 859 — 865.
- Asymmetric AlAsSb/InAs/CdMgSe quantum wells grown by molecular-beam epitaxy / Ivanov S.V., Lyublinskaya O.G., Vasilyev Yu.B., Kaygorodov V.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. — Vol. 4. — P. 4777 — 4779.
- Инжекционный ИК лазер на основе гибридной III-V/II-VI гетероструктуры с InSb субмонослойными вставками / Соловьёв В. А., Седова И. В., Люблинская О. Г. и др. //Письма в ЖТФ. 2005. — Т. 31. — С. 37 — 42.
- Dyakonov M.I., and Shur M.S. / Shallow water analogy for a ballistic field effect transistor: New mechanism of plasma wave generation by dc current //Phys. Rev. Lett. 1993.-Vol. 71.-P. 2465 -2468.
- Terahertz electroluminescence of surface plasmons from nanostructured InN layers / Shubina T.V., Andrianov A.V., Zakhar’in A.O., et al. // Appl. Phys. Lett. -2010.-Vol. 96.-P. 18 3106(3).
- Mid-infrared (3−5 jLim) LED as sources for gas and liquid sensors / Matveev B.A., Gavrilov G.A., Evstropov V.V., Zotova N.V. // Sens. Actuators В 1997. -Vol. 38−39.-P. 339 — 343.
- Nondispersive and multichannel analyzers based on mid-IR LEDs and arrays / Malinen J., Hannula Т., Zotova N.V., et al. // Pros. SPIE (Optical Methods for Chemical Process Control). 1993. — Vol. 2069. — P. 95 — 101.
- Жидкофазная эпитаксия диодных структур на основе InAs / Билинец Ю. Ю., Кондратьева В. Г., Качур А. А., Штец О. М. // Электрон, техн. 1990. -Вып. 1 — С. 91 -95.
- Design and fabrication of 2xD light emitting device arrays for IR scene projection / Das N.C., Simonis G., Bradshaw J., et al. // Proc. SPIE. 2004. — Vol. 5408.-P. 136- 143.
- Распределение деформации в двойных гетероструктурах InAsSbP/InGaAsSb / Аргунова Т. С., Кютт Р. Н., Матвеев Б. А., и др. // ФТТ -1994.-Т. 36.-С. 3071 -3078.
- Krier A., Sherstnev V.V., Gao H.H. / A novel LED module for the detection of H2S at 3.8 pm/J. Phys. D: Appl. Phys. 2000. — Vol. 33. — P. 1656 — 1661.
- Разработка свободных оптических фильтров на область спектра 12−15 nm для источника излучения нанолитографа / Белик В. П., Задиранов Ю. М., Ильиская Н. Д. и др. // Письма ЖТФ 2007. — Т. 33. — Вып. 12. — С. 29 — 36.
- High sensitive submillimeter InSb photodetector / Vasilyev Yu.B., Usikova A.A., Il’inskaya N.D., et al. // Semiconductors 2008. — Vol. 42. — P. 1234 — 1236.
- Моро У. / Микролитография. 4.1,2. // Москва, Мир, 1990. — 1239 с.
- Long V, Neman J. / Image Reversal techniques with a Standard Positive Photoresist // SPIE Advances in Resist Technology. 1984. — Vol. 469. — P. 1084 -1092.
- Bowden M.J. / The physics and chemistry on the lithographic process // Electrochem. Soc. 1981 — Vol. 128. — P. 195 — 214.
- Березин Г. Н., Никитин A.B., Сурис P.A. / Оптические основы контактной фотолитографии // «Радио и связь» 1982. — 103 с.
- Klose Н., Sigush R., Arden W. / Image reversal at photoresists- characterization and modeling // IEEE Transactions on electron devices 1985. — Vol. ED-32. — P. 1654- 1661.
- Айнспрук H., Браун Д. / Плазменная технология в производстве СБИС // Москва, Мир 1987. — 469 с.
- Светоизлучающая диодная линейка (=3.7 мкм) на основе InGaAsSb / Закгейм А. Л., Зотова Н. В., Ильинская Н. Д. и др. // ФТП 2009. — Т. 43. — С. 531 — 536.
- Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия / Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., и др. // ФТП 2008. — Т/ 42. — С. 641 — 657.
- Radiative recombination in type II GaSb/GaAs quantum dots /
- Hatami F., Ledentsov N.N., Grundmann M. et al.// Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67. P. 656 — 658.
- Molecular beam epitaxy of type II InSb/InAs nanostructures with InSb sub-monolayers / Ivanov S.V., Semenov A.N., Solov’ev V.A., et al // J. Cryst. Growth -2005.-Vol. 278.-P. 72−77.
- MBE growth and photoluminescence properties of strained InAsSb/AlSbAs quantum wells / Solov’ev V.A., Terent’ev Ya.V., Toropov A.A., et al. // J. Cryst. Growth 2003. — Vol. 251. — P. 53 8 — 542.
- Наноструктуры InSb/InAsSb для оптоэлектроники среднего ИК-диапазона / Иванов С. В., Соловьев В. А., Семенов А. Н., и др. // Изв. РАН, сер. физ. 2007 -Т. 71.-С. 85 — 88.
- Room-temperature midinfrared electroluminescence from asymmetric AlSbAs/InAs/CdMgSe heterostructures grown by molecular beam epitaxy / Ivanov S.V., Solov’ev V.A., Moiseev K.D., et al. // Appl. Phys. Lett. 2001. — Vol. 78. — P. 1655 — 1657.
- A 2.78-pm laser diode based on hybrid AlGaAsSb/InAs/CdMgSe double heterostructure grown by molecular-beam epitaxy / Ivanov S.V., Kaygorodov V.A., Sorokin S.V., et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. — Vol. 82. — P. 3782 — 3784.
- Ichikava H., Baba T. / Efficiency enhancement in a light-emitting diode with a two-dimensional surface grating photonic crystal // Appl. Phys. Lett., 2004. — Vol. 84.-P. 457−459.
- Photonic crystal enhanced narrow-band infrared emitters / Pralle M.U., Moelders N., McNeal M.P., et al. // Appl. Phys. Lett., 2002. — Vol. 81. — P. 4685 -4687.
- Midinfrared luminescence imaging and its application to the optimization of light-emitting diodes / Weik F., Tomm J.W., Glatthaar R. et al. // Appl. Phys. Lett. -2005 Vol. 86. — P. 4 1106(3).
- Three-dimensional numerical modeling of emission from InSb light-emitting diodes with patterned surfaces / Buss I.J., Nash G.R., Rarity J.G., et al. // J. Opt. Soc. Am. B 2008. — Vol. 25.-P. 810−817.
- Anisotropy of light extraction from GaN two-dimensional photonic crystals / Chun-Feng Lai, Jim-Yong Chi, Hao-Chung Kuo, et al. // Opt. Express 2008. — Vol. 13.-P. 7285 — 7294.
- Theory of subwavelength hole arrays coupled with photonic crystals for extraordinary thermal emission / Biswas R., Ding C.G., Piscasu I., et al. // Phys. Rev. B 2006. — Vol. 74. — P. 4 5107(6).
- Photonic-crystal GaN light-emitting diodes with tailored guided modes distribution / David A., Fujii T., Sharma R., et al. // Appl. Phys. Lett. 2006. — Vol. 88.-P. 6 1124(3).
- Light extraction enhancement from nano-imprinted photonic crystal GaN-based blue light-emitting diodes / Cho H.K., Jang J., Choi J.H., et al. // Opt. Express 2006. -Vol. 14.-P. 8654- 8660.
- Riyopoulos S. / Supercritical angle transmission through quasi-randomsub wavelength-feature interfaces: integral approach via effective surface currents // J. Opt. Soc. Am. A 2005. — Vol. 22. — P. 2859 — 2871.
- Enhanced light extraction efficiency from AlGalnP thin-film light-emitting diodes with photonic crystals / Bergenek K., Wiesmann Ch., Wirth R., et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. — Vol. 93. — P. 4 1105(3).
- Midinfrared (lambda = 3.6 jam) LEDs and arrays based on InGaAsSb with photonic crystals / Matveev B.A., Zadiranov Yu.M., Zakheim A.L., et al. // Photonic and Photonic Crystals Materials and Devices IX, Proc. SPIE. 2009. — Vol. 1. — P. 7223 IB.
- Светодиоды (A,=3.6 mum) с оптическим возбуждением на основе фотонных кристаллов в арсениде индия / Задиранов Ю. М., Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и др. // Письма в ЖТФ 2008. -Vol. 34. — С. 1 — 7.
- Dixon J.R., Ellis J.M. / Optical Properties of «-Type Indium Arsenide in the Fundamental Absorption Edge Region // Phys. Rev. 1961. — Vol. 123. — P. 1560 -1566.
- InGaAsSb LEDs and arrays (lambda = 3.7 цт) with photonic crystals / Matveev B.A., Zadiranov Yu.M., Zakheim A.L., et al. // Photonic and Photonic Crystals Materials and Devices X, Proc. SPIE. 2010. — Vol. 1. — P. 760 901.
- Многомудольное линейчатое фотоприемное устройство 4х (2×192) на основе InAs МДП-структур для систем теплогенерации / Базовкин В. М., Гузев А. А., Ковчавцев А. П., и др. // Прикл. Физика 2011. — Т. 2. — С. 67 — 72.
- ИК-изображения флип-чип диодов на основе InAsSbP в спектральной области 3 мкм / Закгейм A. JL, Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и др. // Прикладная физика 2008. — Т. 6. — С. 143 — 148.
- Malyutenko V.K., Malyutenko O.Yu. and Zinovchuk A.V. / Room-temperature InAsSbP/InAs light emitting diodes by liquid phase epitaxy for midinfrared (3−5 (лт) dynamic scene projection // Appl. Phys. Lett 2006. — Vol. 89. — P. 20 1114(3).
- Иванов-Омский В.И., Матвеев Б. А. / Отрицательная люминесценция и приборы на ее основе // ФТП 2007. — Т. 41. — С. 257 — 268.
- Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (Cutoff =4.5 мкм) / Закгейм А. Л., Зотова Н. В., Ильинская Н. Д., и др. // ФТП -2009.-Т. 43. -С. 412−417.
- Chaplik A.V. and Vitlina R.Z. / Interaction, damping and possible amplification of 2D plasmons in asymmetric bilayer structures // Superlattices and Microstructures -2003.-Vol. 33.-P. 263 -270.
- Mikhailov S.A., Volkov V.A. Theory of electromagnetic response and collective excitations in antidotes // Phys. Rev. В 1995. — Vol. 52. — P. 17 260 — 17 268.
- Allen S .J., Tsui D.C., Logan R.A. / Observation of the Two-Dimensional Plasmon in Silicon Inversion Layers // Phys. Rev. Lett. 1977. — Vol. 38. — P. 980 -983.
- Ralph A. Hopfel, Erich Vass, Erich Gornik / Thermal Excitation of Two-Dimensional Plasma Oscillations // Phys. Rev. Lett. 1982. — Vol. 49. — P. 1667 -1671.
- Coherent emission of light by thermal sources /J.-J. Greffet, R. Carminati, K. Joulain, et al. // Nature 2002. — Vol. 416. p. 61−64.
- Климов В. В. / Наноплазмоника // Москва, Физматлит 2009. — 480 с.
- Mie Resonances, Infrared Emission, and the Band Gap of InN / Shubina T.V., Ivanov S.V., Jmerik V.N., et al. // Phys. Rev. Letters 2004. — Vol. 92. — P. 11 7407(4).
- Inconsistency of basic optical processes in plasmonic nanocomposites / Shubina T.V., Kosobukin V.A., Komissarova T.A., et al. // Phys. Rev. B. 2009. — Vol. 79. -P. 15 3105(4).
- Burke J.J., Stegeman G.I., Tamir T. / Surface-polariton-like waves guided by thin, lossy metal films // Phys. Rev. В 1986. — Vol. 33. — P. 5186 — 5201.
- Yang F., Sambles J.R., Bradberry G.W. / Long-range surface modes supported by thin films // Phys. Rev. В 1991. — Vol. 44. — P. 5855 — 5872.
- Intrinsic Electron Accumulation at Clean InN Surfaces / Mahboob I., Veal T.D., McConville C.F., et al. // Phys. Rev. Lett. 2004. — Vol. 92. — P. 36 804.
- Terahertz radiation due to random grating coupled surface plasmon polaritons / Shubina T.V., Gippius N.A., Shalygin V.A., et al. // Phys. Rev. В 2011. — Vol. 83. -P. 165 312.
- Abnormal magnetic-field dependence of Hall coefficient in InN epilayers / Komissarova T.A., Shakhov M.A., Jmerik V.N., et al. // Appl. Phys. Lett. 2009 -Vol. 95.-P. 1 2107(3).
- Identification of different contributions to conductivity of epitaxial InN / Komissarova T.A., Jmerik V.N., Ivanov S.V., et al. // Phys. Rev. В 2011. — Vol. 84. — P. 35 205,
- Эмиссия терагерцевого излучения из GaN при ударной ионизации доноров в электрическом поле / Shalygin V.A., Vorob’ev L.E., Firsov D.A., и др. // Известия Ран. Серия Физическая 2010. — т. 74. — № 1. — С. 95 — 97.