Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Наноразмерные дефекты на поверхности монокристаллов Al2O3 и MgO, вызванные тяжелыми ионами высоких энергий

Диссертация: Наноразмерные дефекты на поверхности монокристаллов Al2O3 и MgO, вызванные тяжелыми ионами высоких энергий
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

V. Рассмотрены вероятные механизмы формирования наноразмерных структур в виде хиллоков на поверхности А1203 и MgO. Показано, что пороговая плотность ионизации, начиная с которой происходит образование хиллоков на поверхности, коррелирует со степенью ионности в межатомном взаимодействии монокристаллов оксидов. Предполагается, что механические напряжения, следствием которых является пластическая… Читать ещё >

Наноразмерные дефекты на поверхности монокристаллов Al2O3 и MgO, вызванные тяжелыми ионами высоких энергий (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В ДИЭЛЕКТРИКАХ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ТЯЖЕЛЫМИ ЗАРЯЖЕННЫМИ ЧАСТИЦАМИ ВЫСОКИХ ЭНЕРГИЙ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Основные характеристики первичных радиационных повреждений, создаваемых тяжелыми заряженными частицами
    • 1. 2. Структурные эффекты ионизации в твердых телах
      • 1. 2. 1. Модель кулоновского взрыва
      • 1. 2. 2. Образование структурных нарушений в модели термического пика
      • 1. 2. 3. Радиационные повреждения в модели ударных волн
    • 1. 3. Наноразмерные дефекты на поверхности материалов, вызываемые тяжелыми ионами высоких энергий
    • 1. 4. Постановка задачи диссертационной работы
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Устройство облучения образцов высокоэнергетическими ионами на циклотроне У
    • 2. 2. Метод атомно-силовой микроскопии в экспериментах по изучению изменения топографии поверхности твердых тел
    • 2. 3. Методика подготовки образцов для облучения и послерадиационных исследований
  • ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Изменение рельефа поверхности А1203 и MgO при различных условиях облучения
      • 3. 1. 1. Параметры дефектов на поверхности сапфира в зависимости от энергии и вида ионов
      • 3. 1. 2. Радиационные повреждения поверхности MgO и MgAl204 при облучении высокоэнергетическими ионами
      • 3. 1. 3. Зависимость формы дефектов на поверхности А1203 от угла падения ионов
      • 3. 1. 4. Влияние температуры мишени на параметры дефектов на поверхности сапфира
      • 3. 1. 5. Зависимость морфологии нарушений поверхности А120з от флюенса облучения
      • 3. 1. 6. Изменения рельефа поверхности кристаллов А1203 с существующей дефектной структурой
      • 3. 1. 7. Структурные нарушения в объеме А1203 при облучении ионами висмута
    • 3. 2. Механизмы формирования наноразмерных дефектов на поверхности А12Оз и MgO
      • 3. 2. 1. Оценка температуры в области ионного трека в модели термического пика
      • 3. 2. 2. Влияние термоупругих напряжений и ударной волны в области ионного трека на формирование дефектов
      • 3. 2. 3. Формирование дефектов на поверхности в модели кулоновского взрыва

АКТУАЛЬНОСТЬ ПРОБЛЕМЫ. Последние достижения техники атомно-силовой микроскопии (АСМ) позволили выделить в радиационной физике твердого тела новое направление, связанное с исследованием структурных нарушений поверхности, вызываемых воздействием единичных ионов высоких энергий (Е >. 1 МэВ/а.е.м.), и их связи с радиационными повреждениями в объеме материала. Эти работы представляют значительный интерес, поскольку характерный для подобного облучения высокий уровень удельных ионизационных потерь энергии, достигающий нескольких десятков кэВ/нм, может служить источником специфических структурных нарушений, не наблюдаемых при бомбардировке другими ядерными частицами. К таким эффектам относятся, прежде всего, структурно-фазовые превращения и формирование латентных треков в объеме, и образование наноразмерных дефектов на поверхности мишени. Несмотря на постоянно растущее число экспериментальных и теоретических работ, посвященных данной тематике, в настоящее время нет единого представления о микроскопических механизмах дефектообразования и эволюции дефектной структуры в твердых телах при такой высокой плотности ионизации.

К числу материалов, в которых эффекты ионизации практически не изучены, относятся монокристаллы и керамики оксидов, карбидов и нитридов, такие, как MgO, А120з, MgAl204, SiC, TiC, A1N, Si3N4, являющихся одними из наиболее радиационно-стойких диэлектриков. Исследования их структурного отклика на воздействие высокоэнергетического ионного облучения имеет большое практическое значение для моделирования эффектов, вызываемых осколками деления, т. е. атомами с массой от 80 до 155 а.е.м. и энергией около ста МэВ, в инертных разбавителях (матрицах) композитного ядерного топлива. Необходимо отметить, что процессы, происходящие в треках осколков деления, не могут быть смоделированы с использованием достаточно широко доступных пучков тяжелых ионов с энергиями в несколько МэВ, поскольку для получения корректных результатов необходимо учитывать эффекты высокой плотности ионизации. Это возможно только при использовании высокоэнергетического ионного облучения в широком интервале масс и энергий, позволяющих варьировать различные уровни ионизационных и ядерных потерь энергии для моделирования воздействия продуктов деления.

Создание и исследование свойств наноразмерных структур на поверхности на поверхности твердых тел с помощью тяжелых ионов высоких энергий представляет интерес также для решения задач нанотехнологии. Уменьшение размеров микроэлектронных элементов требует разработки новых методов формирования элементов с характерными размерами в десятки нанометров, и управляемое создание структурных радиационных дефектов является одним из перспективных направлений в данной области. Следует заметить, что на момент начала исследований, результаты которых представлены в настоящей работе, существовало весьма ограниченное число работ по исследованиям наноразмерных радиационных дефектов, создаваемых на поверхности высокоэнергетическими ионами. Для радиационно-стойких диэлектриков отдельные эксперименты проводились только с использованием пучков ионных кластеров.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ. — экспериментальное исследование структурных нарушений поверхности монокристаллов А1203 и MgO, вызванных бомбардировкой тяжелыми ионами с энергиями в диапазоне 0,6−3,5 МэВ/а.е.м.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА: В ходе выполнения диссертационной работы были впервые рассмотрены и решены следующие задачи:

Впервые методами АСМ на поверхности монокристаллов А1203 и MgO исследованы закономерности формирования наноразмерных структурных дефектов, индуцированных высокоэнергетичными тяжелыми ионами, и определены пороговые значения плотности ионизации, начиная с которых наблюдаются изменения топографии поверхности данных кристаллов.

Установлено, что образование наноразмерных дефектов па поверхности происходит при плотности ионизации меньше порога образования латентных аморфных треков в объеме материала и не связано с процессами структурно-фазовых превращений (перехода кристаллической фазы в аморфную) в ионных треках.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ РАБОТЫ. Полученные в работе результаты могут быть использованы при решении задач физики радиационных повреждений, связанных с моделированием эффектов, вызываемых осколками деления в инертных разбавителях композитного ядерного топлива и других диэлектрических материалах, являющихся элементами конструкций ядерно-энергетических установок, а также при разработке технологий высокоэнергетической ионной имплантации.

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ. Основные результаты и отдельные положения диссертации докладывались на международной конференции «Nuclear Tracks in Solids», Portoroz, Slovenia, August 28 — September 1, 2000, «Scanning Probe Microscopy», международном совещании «Scanning Probe Microscopy -2001» Nizhny Novgorod, February 26 — March 1, 2001, XI международной конференции «Scanning Tunneling Microscopy», 2001, Toronto, Canada, международном совещании «EuNITT Workshop on Ion Track Technology», 25−26 February, 2002, Caen, France, XIV международном совещании «Inelastic Ion-Surface Collisions», Ameland, Netherlands, September 8−13, 2002, 13th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams, September 21 -26, 2003, San Antonio, Texas, USA, V международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом», Минск, Беларусь, 6−9 октября 2003, семинарах Центра прикладной физики Лаборатории ядерных реакций ОИЯИ.

ПУБЛИКАЦИИ: Основные результаты диссертации изложены в 4 статьях в научных журналах и 2 докладах в сборниках материалов совещаний и конференций.

СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ: Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. Объем диссертации — 107 страниц машинописного текста, включая 30 рисунков, 3 таблицы и библиографический список из 98 наименований.

Основные результаты настоящей диссертационной работы состоят в следующем:

I. Впервые методами АСМ проведено исследование поверхности монокристаллов А1203 и MgO, MgAl204, SiC, облученной ионами Bi и Кг с энергиями в интервале 0,6-КЗ, 5 МэВ/а.е.м. Установлено, что результатом воздействия единичных ионов является образование на поверхности оксидов магния и алюминия и шпинели наноразмерных структурных дефектов в виде конических хиллоков, геометрические размеры которых зависят от уровня удельных ионизационных потерь энергии тяжелых ионов. Изменения рельефа поверхности образцов SiC, которые можно было бы ассоциировать с воздействием высокоэнергетических ионов криптона или висмута в проведенных экспериментах не обнаружены. И. Определены верхние границы значений плотности ионизации в приповерхностном слое образцов, начиная с которых регистрируются радиационно-стимулированные изменения в профиле поверхности данных кристаллов. Эти пороговые значения составляют 25,4 кэВ/нм для сапфира, 15,8 кэВ/нм для оксида магния и 15,5 кэВ/нм для шпинели. 111. Вариация экспериментальных условий — температуры мишеней в процессе облучения, угла падения ионного пучка и степени разупорядочения кристаллической решетки в исходных образцах, позволила получить следующие данные:

1. Радиационные дефекты в на поверхности монокристаллов А1203, облученных ионами висмута с энергией 710 МэВ, регистрируются независимо от температуры мишеней в интервале 80 -ь 300 К, т. е. в условиях, когда коэффициент теплопроводности изменяется от ~ 1000 Вт/м К до ~ 30 Вт/м К.

2. Не обнаружены существенные различия в геометрических параметров хиллоков, детектируемых на образцах сапфира последовательно облученных ионами гелия (17 кэВ) до уровня повреждений ~ 1-^5*10″ 2 смещений на атом и висмута (710 МэВ, 2хЮ10 ионов/см2) по сравнению с неимплантированным материалом.

3. Перекрытие дефектов па поверхности наблюдается, начиная с флюенса.

11 2.

1x10 ион/см, причем высота перекрывающихся хиллоков возрастает примерно вдвое. При флюенсе, большем 1хЮ12 ион/см2 все хиллоки уже полностью перекрываются, образуя на поверхности сплошной разупорядоченный слой с повышенной нерегулярностью рельефа.

4. Зависимость формы хиллоков от угла падения ионов проявляется только при значительном отклонении от нормали к поверхности образца, более чем на 60 градусов.

IV.Впервые по результатам электронно-микроскопических исследований микроструктуры образцов монокристаллов А1203, облученного ионами висмута с энергией 710 МэВ обнаружено, что разупорядоченные области вокруг ионных траекторий сохраняют кристаллическую структуру при (dE/dx)10n <41 кэВ/нм. Таким образом, установлено, что образование наноразмерных радиационных дефектов на поверхности А1203 не связано с процессом перехода кристаллической фазы в аморфную в треках высокоэнергетйческих ионов в объеме кристалла.

V. Рассмотрены вероятные механизмы формирования наноразмерных структур в виде хиллоков на поверхности А1203 и MgO. Показано, что пороговая плотность ионизации, начиная с которой происходит образование хиллоков на поверхности, коррелирует со степенью ионности в межатомном взаимодействии монокристаллов оксидов. Предполагается, что механические напряжения, следствием которых является пластическая деформация материала в месте входа иона в мишень, обусловлены увеличением локального объема в приповерхностной области за счет радиационных дефектов, образованных по механизму кулоновского взрыва.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю, Скуратову Владимиру Алексеевичу, за постановку задачи и помощь в работе, руководству НТ МДТ и Лаборатории ядерных реакций им. Г. Н. Флерова за возможность проведения исследований и постоянное внимание к работе, сотрудникам НТ МДТ и ЛЯР ОИЯИ Волкову А. Д. и Евплову Д. А, Иванову О. М, Шмаровозу В. Г. за помощь и поддержку при проведении экспериментов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образованиеэлементарных дефектов -Атомиздат, Москва, 1979, 296 с.
  2. Ziegler J.F., Biersak J.P., Littmark U. The Stopping and Range of Ions in Solids -Pergamon Press, New York, 1985.
  3. В.А. Вклад ядерных реакций в образование радиационных дефектов тяжелыми ионами В сб.: Конференция молодых ученых и специалистов Лаборатории ядерных реакций ОИЯИ, 1986, Р13,15−86−413, Дубна, 1986, с.32−39.
  4. Toulemonde М. Nanometric phase transformation of oxide materials under GeV energy heavy ion irradiation Nucl. Instr. Meth., 1999, В156, p. 1−11.
  5. A. M. Теоретические представления о формировании и эволюции треков заряженных частиц. УФН, т. 172, № 10 2002, с. 1131−1164.
  6. R. L., Price Р. В., Walker R. M. The Ion Explosion Spike Mechanism for formation of Charged Particle Tracks in Solids. -J. Appl. Phys., 1965, 36, p. 36 453 654.
  7. Ю. П., Марков Б. Н., Перелыгин В. П. Регистрация и спектрометрия осколков деления. М.: Энергоатомиздат, 1992, -312 с.
  8. Р. Л., Прайс П. Б., Уокер Р. М. Треки заряженных частиц в твердых телах. Принципы и приложения. В 3-х ч. Ч. 1. Методы исследования треков. -М.: Энергоатомиздат, 1981, -152 с.
  9. Ritchic G. G., Claussen С. A core plasma model of charged particle track formation in insulators. Nucl. Instr. Meth., 1982, 198, p. 133−138.
  10. Ю.Баранов И. А., Мартыненко Ю. В., Цепелевич С. О., Явлинский Ю. Н. Неупругое распыление твердых тел ионами УФН, 1988, т. 156, в. 3, с. 477−511.
  11. А. И., Лазурик В. Т. Акустические импульсы, порождаемые осколками деления и быстрыми нейтронами в веществе. В сб.: Радиационная акустика, отв. ред. Л. М. Лямшев, М., Наука, 1987, с. 27−35.
  12. Я. Е., Каганов М. И., Лифшиц И. М., Влияние длины свободного пробега электронов на образование трека вокруг траектории заряженных частиц в металле ФТТ, 1973, т. 15, в. 8, с. 2425−2428.
  13. Yavlinslcii Yu. N. Track formation in amorphous metals under swift heavy ion bombardment. Nucl. Instr. Meth. B, 1998, v. 146, p. 142−146.
  14. Szenes G. General features of latent track formation in magnetic insulators irradiated with swift heavy ions. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 8026−8029.
  15. Szenes G. Ion-velocity-dependent track formation in yttrium iron garnet: A thermal spike analysis. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, p. 6154−6157.
  16. Szenes G. Formation of columnar defects in high-Tc superconductors by swift heavy ions Phys. Rev. B, 1996, v. 54, pp 12 458−12 463
  17. Szenes G. Amorphous tracks in insulators induced by monoatomic and cluster ions -Phys. Rev. B, 1999, v. 60, p. 3140−3147.
  18. Szenes G. Analysis of tracks induced by cluster ions in CaF2. Phys. Rev. B, 2000, Vol.61, p. 14 267−14 270.
  19. Szenes G., Paszti F., Peter A., Popov A. I. Tracks induced in Tc02 by heavy ions at low velocities. Nucl. Instr. Meth., 2000, В 166−167, p. 949−953
  20. Szenes G. Formation of amorphous latent tracks in mica. Nucl. Instr. Meth., 1996, В 107, p.146−149.
  21. Szenes G. Thermal spike model of amorphous track formation in insulators irradiated by swift heavy ions. Nucl. Instr. Meth., 1996, В 116, p. 141−144
  22. Szenes G. Amorphous track formation in Si02. Nucl. Instr. Meth., 1997, В 122, p. 530−533.
  23. Szenes G. The anisotropic growth in amorphous materials and the latent tracks formation induced by energetic ion bombardment. Nucl. Instr. Meth., 1996, В 107, pp.150−154.
  24. Szenes G. Monoatomic and cluster ion irradiation induced amorphous tracks in yttrium iron garnet. Nucl. Instr. Meth., 1998, В 146, p. 420−425.
  25. Szenes G. Information provided by thermal spike analysis on the microscopic processes of track formation. Nucl. Instr. Meth., 2002, В 191, p. 54−58.
  26. Szenes G. Mixing of nuclear and electronic stopping powers in the formation of surface tracks on mica by fullerene impact. Nucl. Instr. Meth., 2002, В 191, p. 2731.
  27. Toulemonde M., Dufour Ch., Meftah A., Paumier E. Transient thermal processes in heavy ion irradiation of crystalline inorganic insulators. Nucl. Instr. Meth., 2000, B166−167, p. 903−912.
  28. Metfah A., Brisard F., Constantini J. M., Dooryhee E., Hage -Ali M., Hervieu M., Stoquert J. P., Studer F., Toulemonde M. Track formation in SiC>2 quartz and the thermal spike mechanism Phys. Rev. B, 1994, v. 49, p. 12 457−12 463.
  29. Toulemonde M., Paumier E., Dufour Ch. Thermal spike model in the electronic stopping power regime. Radiat. Eff., 1993, v. 56, p. 201−206.
  30. Wang Z. G., Dufour Ch., Paumier E., Toulemonde M. The Se sensitivity of metals under swift-heavy-ion irradiation: a transient thermal process. J. Phys. Condens. Matter, 1994, v. 6, p. 6733−6750.
  31. Metfah A., Djebara M., Stoquert J. P., Studer F., Toulemonde M. Electronic stopping power threshold of sputtering in yttrium iron garnet. Nucl. Instr. Meth, 1996, B107, p. 242−245.
  32. Toulemonde M., Dufour Ch., Paumier E., Transient thermal process after a high-energy heavy-ion irradiation of amorphous metals and semiconductors. Phys. Rev. B, 1992, v. 46, No. 22, p. 14 362−14 369.
  33. IO. H. Релаксация электронного возбуждения в диэлектриках при облучении быстрыми многозарядными ионами. В сб.: Матер. 15-й Межд. конф. «Взаимодействие ионов с поверхностью», 2001, т. 1, с. 406−409.
  34. В. И., Ланцбург Е. Я., Ямпольский П. А. О гидродинамическом эффекте при прохождении осколков деления через конденсированное вещество. Письма в ЖЭТФ, 1975, т. 21, с. 365−366.
  35. Vorobyova I. V. Three kinds of high-energy Pb ion tracks on the LiF crystal surface at grazing angles of incidence. Nucl. Instr. Meth., 2002, B198, p. 119−128.
  36. Vorobyova I. V., Kopniczky J. Track formation on LiF single crystal surface induced by high-energy Xe ions. Nucl. Instr. Meth., 2003, В 211 p. 374−382.
  37. Thompson D. A. High density cascade effects. Radiat. Eff., 1981, 56, p. 105−108.
  38. Fast Transport of Fission Energy through Shock Waves.- ITU Activity Report 2001 (EUR20252), p. 10−11.
  39. Aumayr F., Burgdorfer J., Hayderer G., Varga P., Winter H. P. Evidence against the «Coulomb Explosion» Model for Desorption from Insulator Surfaces by Slow Highly Charged Ions. Physica Scripta, 1999, v. T80, pp. 240−242.
  40. Jollet F., Duraud J. P., Noguera C., Dooryhee E., Langevun Y. Surface modifications of crystalline Si02 and A1203 induced by energetic heavy ions. Nucl. Instr. Meth. B, 1990, 46, p. 125−126.
  41. Canut В., Ramos S. M. M., Thevenard P., Moncoffre N., Benyagoub A., Marest G., Metfah A. High-energy heavy ion irradiation effects in a-Al203. Nucl. Nucl. Instr. Meth, 1993, В 80/81, p. 1114−1118.
  42. Canut B, Benyagoub A, Marest G, Metfah A, Moncoffre N, Ramos S. M. M, Studer F, Thevenard P, Toulemonde M. Swift-uranium-ion-induced damage in sapphire. Phys. Rev. B, 1995, v. 51, N18, p. 12 194.
  43. Ramos S.M.M., Bonardi N, Canut B. Latent tracks in sapphire induced by 20-MeVfullerene beams. Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N1, p. 189−193.
  44. Ramos S. M. M, Bonardi N, Canut B, Bouffard S, Della-Negra S. Damage creation in a- A1203 by MeV fullerene impacts. Nucl. Instr. Meth, 1998, B143, p. 319−332.
  45. Muller A, Neumann R, Swartz K, Trautmann C. Scanning probe microscopy of heavy-ion tracks in lithium fluoride. Nucl. Instr. Meth, 1998, B146, p. 393−398.
  46. Trautmann C, Swartz K, Constantini J. M, Steckenreiter T, Toulemonde M. Radiation effects in lithium fluoride induced by heavy ions. Nucl. Instr. Meth, 1998, B146, p. 367−378.
  47. Swartz K, Trautmann C, Steckenreiter T, Geiss O, Kramer M. Damage and track morphology in LiF crystals irradiated by GeV ions. Phys. Rev. B, 1998, v. 58, No. 17, p. 11 232−11 240.
  48. Schwartz К., Trautmann С., Neumann R. Electronic excitations and heavy-ion-induced processes in ionic crystals. Nucl. Instr. Meth., 2003, B209, p. 73−84.
  49. Thevenard P., Dupin J. P., Vu Thien Binh, Purcell S. Т., Semet V., Guillot D. Electron emission devices formed by energetic cluster impacts on ТЮ2 rutile. -Nucl. Instr. Meth., 2000, В166−167, p. 788−792.
  50. Colin J., Lesueur D., Grilhe J. Free-surface deformation of irradiated solids -Philosophical Magazine A, 2001, v. 81, No. 4, p. 857−866.
  51. Girard J.C., Michel A., Tromas C., Jaouen C., Della-Negra S. Track formation in amorphous Fe0 55Zro45 alloys irradiated by MeV Сбо ions: influence of intrinsic stress on induced surface deformations. Nucl. Instr. Meth., 2003, В 209, p. 85−92.
  52. Д.В., Дидык А. Ю., Скуратов B.A. Люминесценция кристаллов под действием тяжелых ионов с энергией 1 МэВ/а.е.м. Краткие сообщения ОИЯИ N 906, Дубна, 1989, с. 48−55.
  53. Bining G., Rohrer H. Scanning Tunneling Microscope. US Patent 4,343,993 Aug. 10, 1982. Filed: Sep. 12, 1980.
  54. Binnig G., Quate C.F., Gerber Ch. Atomic force microscope. Phys. Rev. Lett., 1986, 56 (9), p. 930−933.
  55. Ducker W.A., Cook R.F., Clarke D.R. Force measurement using an AC atomic force microscope. J. Appl. Phys., 1990, 67 (9), c. 4045−4052.
  56. Ueyama H., Ohta M., Sugawara Y., Morita S. Atomically resolved InP (l 10) surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope. -Jpn. J. Appl. Phys. 1995, v. 34, p. 1086−1088.
  57. Griffith J.E., Grigg D.A. Dimensional metrology with scanning probe microscopes/ J. Appl. Phys., 1993, 74, R83-R109.
  58. Markiewicz P., Goh M.C. Atomic force microscopy probe tip visualization and improvement of images using a simple deconvolution procedure. Langmuir, 1994, v. 10, p. 5−7.
  59. Williams P.M., Shakesheff K.M., Davies M.C., Jackson D.E., Roberts C.J., Tendler S.J.B. Blind Reconstruction of scanning probe image data. J. Vac. Sci. Technol. B, 1996, v. 15, p. 1557−1562.
  60. Xu S., Arnsdorf M.F. Calibration of the scanning (atomic) force microscope with gold particles/ J. Microsc., 1994, v. 173, p. 199−210.
  61. Villarrubia J.S. Algorithms for scanned probe microscope image simulation, surface reconstruction, and tip estimation. J. Res. Natl. Inst. Stand. & Technol., 1997, 102(4), p. 425−453.
  62. Skuratov V. A., Zagorski D. L., Efimov A. E., ICluev V. A., Toporov Yu. P., Mchedlishvili В. V. Swift heavy ion irradiation effect on the surface of sapphire single crystals. Radiation Measurements, 2001, v. 34/1−6, p. 571−576.
  63. В. А., Ефимов A.E., Загорский Д. Л. Модификация поверхности А1203 высокоэнергетическими ионами висмута. ФТТ, 2002, т. 44, вып. 1, с. 165−169.
  64. Skuratov V.A., Nagy P., Efimov A.E., Havancsak К. Surface response of A1203 single crystals on hundred MeV heavy ion irradiation. Abstracts of EuNITT Workshop on Ion Track Technology, Feb. 25−26, 2002 Caen, France, p. 24.
  65. Skuratov V.A., Zinkle S.J., Efimov A.E., Havancsak K. Swift heavy ion-induced modification of A1203 and MgO surfaces. Nucl. Instr. Meth. 2003, В 203, p. 136 140.
  66. Thibaudau F., Cousty J., Balanzat E., Bouffard S. Atomic-force-microscopy observations of tracks induced by swift Kr ions in mica. Phys. Rev. Lett., 1991, 67, p. 1582.
  67. Ackermann J., Angert N., Neumann R., Trautmann C., Dischner M., Hagen Т., Sedlacek M. Ion track diameters in mica studied with scanning force microscopy -Nucl. Instr. Meth., 1996, В 107, p. 181 184.
  68. Muller C., Granney M., El-Said A., Ishikawa N., Iwase A., Lang M., Neumann R. Ion tracks on LiF2 and CaF2 single crystals characterized by scanning force microscopy .-Nucl. Instr. Meth., 2002, В 191, p. 246 250.
  69. Dobeli M., Ames F., Musil C. R., Scandella L., Suter M., Synal H. A. Surface tracks by MeV C6o impacts on mica and PMMA. Nucl. Instr. Meth., 1998, В 143, p. 503 -512.
  70. Khalfaoui N., Rotam C.C., Bouffard S., Jacquet E., Lebius H., Toulemonde M. Study of swift heavy ion tracks on crystalline quartz surfaces. Nucl. Instr. Meth., 2003, В 209, p. 165−169.
  71. Itoh N., Stoneham A. M. Excitonic model of track registration of energetic heavy ions in insulators. Nucl. Instr. Meth., 1998, B146, p. 362−366.
  72. Zinkle S. J., Skuratov V. A. Track formation and dislocation loop interaction in spinel irradiated with swift heavy ions. Nucl. Instr. Meth., 1998, В 141, p.737−746.
  73. Caulfield K.J., Cooper R., and Boas J. F. Threshold for displacement defect production in electron-irradiated alumina. J. Nucl. Mater. 184, 1991, p. 150−151.
  74. Caulfield K. J., Cooper R., Boas J. F. Luminescence from electron-irradiated sapphire. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, p. 55−61
  75. EerNisse E.P., Picraux S.T., Role of integrated lateral stress in surface deformation of He-implanted surfaces.- J. Appl. Phys., 1977, N1, v. 48, p. 10−17.
  76. A.A., Калин Б. А., Конопленко В. П. Напряженное состояние в поверхностном слое материала, облученного ионами гелия.- Поверхность. Физика, химия, механика. 1986, т.1, с. 112−116.
  77. EerNisse E. P., Compaction of ion-implanted fused silica.- J. Appl. Phys., 1974, N1., v. 45, p. 167−174.
  78. Arnold G.W., Kreft G.B., and Norris C.B. Atomic displacement and ionization effects on the optical absorption and structural properties of ion-implanted AI2O3.-Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, p. 540−542
  79. Рубин и сапфир, отв. ред. Беляев JI. М. М.: Наука, 1974, — 236 с.
  80. Zinkle S.J., Skuratov V.A., Hoelzer D.T. On the conflicting roles of ionizing radiation in ceramics. Nucl. Instr. Meth. 2002, В 191,1−4, p. 758−766.
  81. Wang Z. G., Dufour Ch., Cabeau В., Dural J., Fuchs G., Paumier E., Pawlak F., Toulemonde M., Velocity effect on the damage creation in metals in electronic stopping power regime. Nucl. Instr. Meth. 1996, В 107, p. 175−180.
  82. Metfah A., Brisard F., Constantini J. M., Hage-Ali M., Stoquert J. P., Studer F., Toulemonde M. Swift heavy ions in magnetic insulators: A damage-cross-section velocity effect. Phys. Rev. B, 1993, v. 48, No. 2, p. 920−925.
  83. Dufour C., Stoquert J. P., Toulemonde M. A code for transient thermal processes in insulators. Abstracts of EuNITT Workshop on Ion Track Technology, February 2526, 2002 Caen, France, p. 46.
  84. Yavlinskii Yu. N. Electron exitation in wide-gap single crystal insulators under swift heavy-ion irradiation.- Nucl. Instr. Meth., 2000, B166−167, p. 35−39.
  85. Valbis J., Itoh N. Electronic excitations, luminescence and lattice defect formation in a-Al203 crystals. Radiat. Eff., 1991, v. 166, p. 171−189.
  86. Itoh N. Self-trapped exciton model of heavy ion track registration.- Nucl. Instr. Meth., 1996, BI 16, p. 33−36.
  87. Kambara Т., Kageyama K., Kanai Y., Kojima T.M., Nanai Y., Yoneda A., Yamazaki Y. Elastic wave from fast heavy ion irradiation in solids. Nucl. Instr. Meth., 2002, В 193, p.371−375.
  88. Kambara Т., Kanai Y., Kojima T.M., Nakai Y., Yoneda A., Kageyama K., Yamazaki Y. Acoustic emission from fast heavy ion irradiation in solids Nucl. Instr. Meth., 2002, В 164−165, p. 415−419.
  89. Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978, 792 с.
  90. А.А., Воробьев А. А., Ульянов B.JL- Радиационная физика ионных кристаллов. М., Атомиздат, 1980, — 207 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!