Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Метод переходного состояния в базисе функций Ванье для расчета электронной структуры кристаллических твердых тел

Диссертация: Метод переходного состояния в базисе функций Ванье для расчета электронной структуры кристаллических твердых тел
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Как было сказано выше, теоретические спектры одноэлектрон-ных возбуждений в кристалле, полученные в приближение локальной плотности, не всегда корректно описывают экспериментально наблюдаемые фотоэмиссионные спектры. Для расчета энергий возбуждений и, как следствие, спектральных характеристик системы, в рамках приближения локальной плотности Слэтср предложил использовать метод переходного… Читать ещё >

Метод переходного состояния в базисе функций Ванье для расчета электронной структуры кристаллических твердых тел (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Методы расчета электронной структуры кристаллических твердых тел
    • 1. 1. Основные положения теории функционала плотности
    • 1. 2. Приближение локальной плотности
    • 1. 3. Вычислительные схемы, выходящие за рамки приближения локальной плотности
  • Глава 2. Метод обобщенного переходного состояния
    • 2. 1. Метод переходного состояния Слэтера
    • 2. 2. Формализм функций Вапье
    • 2. 3. Обобщение переходного состояния Слэтера
  • Глава 3. Апробация метода обобщенного переходного состояния: расчет электронной структуры и полной энергии
    • 3. 1. Электронная структура различных типов диэлектриков в методе ОПС
      • 3. 1. 1. Диэлектрик с ионной связью MgO
      • 3. 1. 2. Полупроводник с ковалентной связью S
      • 3. 1. 3. Пайерлсовский диэлектрик ВаВЮз
      • 3. 1. 4. Диэлектрик с режимом переноса заряда NiO. 64 3.2 Спиновый переход в гематите Рс20з
      • 3. 2. 1. Кристаллическая структура и параметры метода ОПС для модели всестороннего сжатия
      • 3. 2. 2. Расчет электронной структуры гематита под давлением
  • Глава 4. Формирования диэлектрического состояния в моноклинной фазе VO2 и в ТЧгОз
    • 4. 1. Диэлектрическое состояние VO2 в моноклинной фазе
      • 4. 1. 1. Расчет электронной структуры VO2 в моноклинной фазе в приближении локальной плотности
      • 4. 1. 2. Расчет электронной структуры VO2 в моноклинной фазе методом обобщенного переходного состояния
    • 4. 2. Диэлектрическое состояние Т^Оз
      • 4. 2. 1. Расчет электронной структуры Т^Оз в приближении локальной плотности
      • 4. 2. 2. Расчет электронной структуры Т^Оз методом обобщенного переходного состояния
  • Глава 5. Переход металл-диэлектрик в тригидриде лантана ЬаНз-г при изменении концентрации водорода
    • 5. 1. Расчет электронной структуры стехиометрического тригидрида лантана
    • 5. 2. Расчет электронной структуры тригидрида лантана при наличии водородных вакансий
    • 5. 3. Описание перехода металл-диэлектрик в тригидриде лантана ЬаНзх

Численные расчеты электронной структуры кристаллических твердых тел стали неотъемлемой частью современной физики конденсированного состояния. В первую очередь это связано с тем, что большинство уравнений, описывающих поведение электронов, невозможно решить аналитически. Кроме того, численный «эксперимент» намного проще организовать и контролировать. Увеличение быстродействия вычислительных машин, а также появление эффективных расчетных схем в зонной теории позволили существенно продвинуться в объяснении и предсказании свойств твердых тел.

К настоящему времени отправной точкой в исследованиях электронной структуры кристаллических твердых тел стала теория функционала электронной плотности (DFT). Основным положением данной теории является теорема Хоэпберга и Кона [1], согласно которой полная энергия основного состояния системы взаимодействующих электронов является однозначным функционалом электронной плотности. Дальнейшее развитие теория получила в работе Кона и Шэма [2], в которой авторы предложили выражение для функционала электронной плотности, а также способ его минимизации и поиска электронной плотности основного состояния системы. Согласно Кону и Шэму, функционал плотности можно записать в виде суммы известных функционалов кинетической энергии, потенциальной энергии электронов во внешнем поле и энергии Хартри электроп-электронпого взаимодействия, а также неизвестного функционала обменно-корреляциоппой энергии. Так как точное выражения для обменно-корреляционного функционала неизвестно, то для практических расчетов используются некоторые приближения. Наиболее простым и самым распространенным является приближение локальной электронной плотности (LDA).

Многочисленные расчеты фононных спектров и расчеты по релаксации кристаллической структуры (расчеты, в которых требуется вычислять полную энергию системы), выполненные в рамках LDA, дают результаты, хорошо согласующиеся с экспериментальными данными [3,4]. Однако LDA расчеты спектров одпоэлектрон-ных возбуждений кристаллов указывают на то, что данное приближение является адекватным при описании электронной структуры систем с делокализованными слабокоррелированными sили рэлектронами (например, щелочные металлы) [5] и не подходит для описания спектров систем, в которых наблюдаются многочастичные (корреляционные) эффекты (например, оксиды переходных металлов) [6]. Это связано с тем, что приближение локальной электронной плотности основано на модели однородного взаимодействующего газа, поэтому оно не всегда корректно воспроизводит электронную структуру веществ, в которых зарядовая плотность имеет существенно неоднородное распределение, и где корреляционные эффекты играют немаловажную роль. Кроме того, существует принципиальное ограничение самой теории функционала плотности, способной точно описать только свойства основного состояния системы.

К настоящему времени разработаны различные вычислительные методы, выходящие за рамки приближения LDA, которые способны корректно (качественно и количественно) описать электронные спектры широкого класса соединений, таких как зонные диэлектрики, полупроводники, оксиды переходных металлов, высокотемпературные сверхпроводники, материалы с колоссальным магнетосопротивлеиием. Среди наиболее широко используемых современных методов следует отметить: GGA — метод обобщенной градиентной поправки [7], SIC — метод с поправкой на самодействие [8], GW-метод, основанный на многочастичной теории возмущений [9], LDA+U — метод учета кулоновского взаимодействия на узле [10]. Поскольку у каждого из перечисленных методов есть своя область применимости, то поиск новых универсальных вычислительных схем продолжается.

Как было сказано выше, теоретические спектры одноэлектрон-ных возбуждений в кристалле, полученные в приближение локальной плотности, не всегда корректно описывают экспериментально наблюдаемые фотоэмиссионные спектры [6]. Для расчета энергий возбуждений и, как следствие, спектральных характеристик системы, в рамках приближения локальной плотности Слэтср предложил использовать метод переходного состояния [И]. Идея метода заключается в том, что энергию ионизации системы, равную разности полных энергий системы в возбужденном и основном состояниях, можно вычислить через одноэлектроиную энергию орбита-ли в переходном состоянии с полуцелой заселенностью. Расчеты энергий возбуждения атомов и молекул методом переходного состояния действительно дали значения, близкие к наблюдаемым в эксперименте [И].

В данной диссертационной работе предлагается обобщение переходного состояния Слэтера на случай бесконечных периодических систем. Самой главной проблемой при этом становится выбор базисных орбиталей, на которых предстоит рассматривать электронные возбуждения в системе. Хорошо известно, что «естественным» базисом для описания электронных состояний в кристалле являются блоховские функции. Блоховское представление является удобным при рассмотрении делокализованных состояний в кристалле, например, валентных электронов в металлах. Однако для диэлектриков, где электроны стремятся к локализации вблизи положительно заряженных ионов кристалла, или при исследовании локальных эффектов в твердых телах, в частности, одноузельных электронных корреляций, анализ электронных возбуждений и интерпретация результатов в терминах блоховских функций являются затруднительными. Для таких задач физически правильным базисом будет базис локализованных атомоподобпых орбиталей. Еели электроны хорошо локализованы, как например 4/-состояпия редкоземельных элементов, то атомные орбитали составляют подходящий базис. Однако в задачах, связанных с переходом металл-диэлектрик, рассматриваемые состояния становятся частично проводящими и существенно протяженными в пространстве. Ошибка, появляющаяся при использовании атомных орбиталей, наиболее велика в случае материалов с сильными ковалентными эффектами (например, оксиды переходных металлов, где частично заполненные зоны формируются как d-состояниями металла так и р-состояпиями кислорода). Таким образом, для описания электронных возбуждений в кристалле необходимо построить базис, удовлетворяющий следующим физическим условиям: (i) орбитали должны быть локализованными, атомоподобными и центрированными на узлах кристаллической решетки, (и) орбитали должны отражать симметрию локального окружения и направления химических связей, (iii) орбитали должны быть базисом разложения зарядовой плотности системы. Данными свойствами обладают функции Ванье [12], которые являются альтернативным (блоховскому) представлением электронных состояний в кристалле.

Для обобщения метода переходного состояния Слэтера на случай кристаллических твердых тел делается физически обоснованное предположение, что возбуждения в кристалле происходят па локализованных состояниях, волновые функции которых выбираются в виде функций Ванье (ФВ) [12]. Исходя из данного предположения, для энергий ФВ вводятся поправки, такие, что разность энергий ФВ становится равной энергии возбуждения электрона па соответствующих состояниях. Поправки к энергиям ФВ вычисляются с использованием переходного состояния Слэтера.

Поскольку в методе обобщенного переходного состояния в явном виде не закладывается учет электронных корреляций, то можно предположить, что данный метод будет одинаково применим как к обычным полупроводникам и диэлектрикам, так и к сильно коррелированным системам. Это обуславливает выбор систем для апробации метода обобщенного переходного состояния и объектов исследования данной диссертационной работы: выбранные системы представляют собой совершенно различные классы соединений, для которых (i) стандартный метод LDA не способен воспроизвести экспериментально наблюдаемые спектральные особенности, (п) электронная структура не может быть рассчитана в рамках только одного из современных вычислительных методов. Для апробации метода ОПС были выбраны соединения, хорошо изученные теоретически и экспериментально, а именно: диэлектрик с ионным типом связи MgO, полупроводник с ковалентным типом связи Si, пай-ерлсовский диэлектрик ВаВЮз, а также диэлектрики с механизмом формирования запрещенной щели за счет режима зарядового переноса NiO и гематит РегОз. В качестве объектов исследования методом обобщенного переходного состояния были выбраны следующие соединения: диоксид ванадия VO2 в низкотемпературной моноклинной фазе Mi, оксид титана Т^Оз и тригидрид лантана ЬаНз-д-. Для объяснения природы перехода металл-диэлектрик в.

LaH3 -x дополнительно привлекается метод LDA+DMFT, который позволяет корректно описать парамагнитную фазу данного соединения.

На защиту выносятся следующие основные положения:

• Метод обобщенного переходного состояния в базисе функций Ванье для расчета электронной структуры кристаллических твердых тел, корректно описывающий особенности одноэлек-тропиого спектра широкого класса соединений.

• Особенности кристаллической структуры обуславливают формирование диэлектрического состояния в диоксиде ванадия VO2 в низкотемпературной моноклинной фазе Mi и в оксиде титана Т^Оз.

• Стехиометрический гидрид лантана ЬаНз является зонным диэлектриком. При отклонении от стехиометрии у дна зоны проводимости возникает частично заполненная вакансионная зона. Явный учет электронных корреляций в вакаисиоппой зоне позволяет описать переход металл-диэлектрик в данной системе.

Работа выполнена в лаборатории оптики металлов Института физики металлов УрО РАН, а также частично в Институте теоретической физики Федерального политехнического института г. Цюриха (Швейцария).

Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. В первой главе дается обзор совре.

Основные результаты и выводы.

• Предложен метод обобщенного переходного состояния, использующий в качестве базисных орбиталей максимально локализованные функции Ванье. В основе метода лежит физическое предположение о том, что электронные возбуждения происходят на локализованных состояниях, описываемых функциями Ванье. Энергии функций Ванье модифицируются таким образом, чтобы они были равны энергиям ионизации электрона с данных состояний, что позволяет корректно описать одиоэлектронпый спектр системы.

• Применимость метода продемонстрирована на примере расчета электронной структуры различных типов диэлектриков: диэлектрика с ионным типом связи MgO, полупроводника с ковалентным типом связи Si, пайерлсовского диэлектрика ВаВЮз и диэлектриков с режимом переноса заряда NiO и а-РегОз. Результаты расчетов, полученные с использованием метода обобщенного переходного состояния, хорошо согласуются с экспериментальными данными.

• Исследована электронная структура VO2 в Mi фазе и переход металл-диэлектрик в Т^Оз при изменении температуры. Показано, что оба соединения являются зонными диэлектриками. Диэлектрическое состояние возникает за счет образования связывающей и разрыхляющей зон вследствие димериза-ции атомов ванадия или титана. Переход металл-диэлектрик в ТЧгОз обусловлен изменением параметров кристаллической структуры при понижении температуры.

• Исследована электронная структура ЬаНзх. Получено, что стехнометрическнй ЬаНз является зонным диэлектрикомпри отклонении от стехиометрии у дна зоны проводимости возникает частично заполненная вакансионпая зона. Показана важность учета динамических электронных корреляций в частично заполненной вакансионной зоне для описания перехода металл-диэлектрик при изменении концентрации водорода.

Автором написаны все блоки компьютерных программ, реализующих метод обобщенного переходного состояния. Все расчеты, результаты которых представлены в данной работе, выполнены автором лично. Постановка задач и обсуждение полученных результатов сделаны совместно с научным руководителем.

Полученные в настоящей работе результаты представляют не только самостоятельный интерес, но и могут служить отправной точкой для дальнейших исследований и построения новых теоретических моделей.

Автор выражает глубокую признательность своему научному руководителю доктору физико-математических наук Коротину Михаилу Аркадьевичу, а также заведующему лабораторией оптики металлов профессору доктору физико-математических наук Ани-симову Владимиру Ильичу за внимание и бесконечное терпение, проявленные в ходе выполнения данной работы.

Также хотелось бы поблагодарить всех сотрудников лаборатории оптики металлов, родителей и друзей за поддержку, оказанную в ходе работы над диссертацией.

Заключение

.

Расчеты электронной структуры «из первых принципов» играют важную роль в объяснении и предсказании свойств различных соединений. В основе современных методов зонных расчетов лежит теория функционала электронной плотности в приближении локальной плотности и ее модификации, позволяющие корректно описывать спектр возбуждений системы. Поскольку у каждого метода существуют свои ограничения и область применимости, то поиск универсального вычислительного метода продолжается. В данной работе предложен новый метод — метод обобщенного переходного состояния в базисе функций Ванье и продемонстрировано его применение к исследованию физических особенностей различных систем. Все соединения, представленные в данной работе, в той или иной степени уже подвергались теоретическим исследованиям с применением различных методов (LDA, LDA+U, GGA, SIC, GW), однако впервые в данной диссертационной работе они были изучены в рамках одного метода — метода обобщенного переходного состояния.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Kohn W., Sham L. J. Self-consistent equations including exchange and correlation effects // Phys. Rev. -1965. -V. 140. 4A. -P. A1133-A1138.
  2. Kohn W. Nobel Lecture: Electronic structure of matter-wave functions and density functionals // Rev. Mod. Phys. -1999. -V. 71. 5. -P. 1253.
  3. Baroni S., de Gironcoli S., Corso A. D., Giannozzi P. Phonons and related crystal properties from density-functional perturbation theory // rev. Mod. Phys. -2001. -V. 73. Jf° 2. -P. 515−562.
  4. R. 0., Gunnarsson 0. The density functional formalism, its applications and prospects // Rev. Mod. Phys. -1989. -V. 61. N- 3. -P. 689−746.
  5. Perdew J. P., Zunger A. Self-interaction correction to density-functional approximations for many-electron systems // Phys. Rev. B. -1981. -V. 23. № 10. -P. 5048−5079.
  6. Hedin L. New Method for Calculating One-Particle Green’s Function with Application to the Electron-Gas Problem j j Phys. Rev. -1965. -V. 139. -N- ЗА. -P. A796-A823.
  7. Anisimov V., Zaanen J., Andersen 0. Band theory and Mott insulators: Hubbard U instead of Stoner J // Phys. Rev. B. -1991. -V. 44. N- 3. -P. 943−954.
  8. J. С. Quantum theory of molecules and solids, Vol. IV // New York, 1974.
  9. Wannier G. II. The Structure of Electronic Excitation Levels in Insulating Crystals // Phys. Rev. -1937. -V. 52. Ms 3. -P. 191−197.
  10. Sham L.J., Kohn W. One-particle properties of an inhomogeneous interacting electron gas 11 Phys. Rev. -1966. -V. 145. M- 2. -P. 561−567.
  11. Hedin L., Lundqvist В. I. Explicit local exchange-correlation potentials // J. Phys. C.: Solid State Phys. -1971. -V. 4. N° 14. -P. 2064−2083.
  12. Becke A. Density-functional exchange-energy approximation with correct asymptotic behavior // Phys. Rev. A. -1988. -V. 38. Я- 6. -P. 3098−3100.
  13. Almeida L. M., Fiolhais C., Causa M. Properties of simple metals beyond the local density approximation of density functional theory // International Journal of Quantum Chemistry -2002. -V. 91. Ms 2. -P. 224−229.
  14. Dufek P., Blaha P., Sliwko V., Schwarz K. Generalized-gradient-approximation description of band splittings in transition-metal oxides and fluorides // Phys. Rev. B. -1994. -V. 49. Ms 15. -P. 10 170−10 175.
  15. Hybertsen M. S., Louie S. G. Electron correlation in semiconductors and insulators: Band gaps and quasiparticle energies // Phys. Rev. B. -1986. -V. 34. Ms 8. -P. 5390−5413.
  16. Anderson P. W. Localized Magnetic States in Metals // Phys. Rev. -1961. -V. 124. -Ms 1. -P. 41−53.
  17. Janak J. F. Proof that дЕ/дщ = Cj in density-functional theory // Phys. Rev. B. -1978. -V. 18. M* 12. -P. 7165−7167.
  18. Hubbard J. Electron correlations in narrow energy bands // Proc. Roy. Soc. A. -1963. -V. 276. М2- 1365. -P. 238−257.
  19. Georges A., Kotliar G., Krauth W., Rozenberg M. J. Dynamical mean-field theory of strongly correlated fermion systems and the limit of infinite dimensions // Rev. Mod. Phys. -1996. -V. 68. М- 1. -P. 13−125.
  20. Metzner W., Vollhardt D. Correlated Lattice Fermions in d=oo Dimensions // Phys. Rev. Lett. -1989. -V. 62. M- 3. -P. 324−327.
  21. Held K, Nekrasov I. A., Keller G., Eyert V., Blumer N., McMahan A. K., Scalettar R. Т., Pruschke Т., Anisimov V. I, Vollhardt D. The LDA+DMFT Approach to Materials with Strong Electronic Correlations // arXivicond-mat/112 079. -2001.
  22. Рид M., Саймон Б. Методы современной математической физики. Том 4. Анализ опереторов // М.: Мир 1981 (426 страниц).
  23. Kohn W. Analytic Properties of Bloch Waves and Wannier Functions // Phys. Rev. -1959. -V. 115. 4. -P. 809−821.
  24. Marzari N., Vanderbilt D. Maximally localized generalized Wannier functions for composite energy bands I j Phys. Rev. B. -1997. -V. 56. N° 20. -P. 12 847−12 865.
  25. Wei K., Rosner H., Pickett W. E., Scalettar R. T. Insulating Ferromagnetism in La4Ba2Cu20io: An Ab Initio Wannier Function Analysis // Phys. Rev. Lett. -2002. -V. 89. -P. 167 204 (4 pages).
  26. Solovyev I. V., Pchelkina Z. V., Anisimov V. I. Construction of Wannier functions from localized atomiclike orbitals // Phys. Rev. B. 2007. V. 75. -№¦ 45 110.
  27. О. К Linear methods in band theory // Phys. Rev. B. -1975. -V. 12. N- 8. -P. 3060−3083.
  28. Whited R. C., Flaten C. J., Walker W. C. Exciton thermoreflectance of MgO and CaO 11 Solid State Commun. -1973. -V. 13. Л^ 11. -P. 1903−1905.
  29. Physics of Group-IV Elements and III-V Compounds, Landolt-Bornstein, Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, New Series. -1982. -V. 17a.
  30. Meregalli V., Savrasov S. Y. Electron-phonon coupling and properties of doped ВаВЮз // Phys. Rev. B. -1998. -V. 57. 22. -P. 14 453−14 469.
  31. Takagi H., Uchida S., Tajima S., Kitazawa K., Tanaka S. Proceedings of International Conference on the Physics of Semiconductors -1986. -P. 1851.
  32. Fender В. E. F., Jacobson A. J., Wegwood F. A. Covalency parameters in MnO, a-MnS, and NiO // J. Chem. Phys. -1968. -V. 48. Af- 3. -P. 990.
  33. A. K., Hope D. A. 0. Magnetic ordering and exchange effects in the antiferromagnetic solid solutions MnxNiixO // Phys. Rev. B. -1983. -V. 27.- Af- 11. -P. 6964−6967.
  34. Hiifner S., Osterwalder J., Riesterer Т., Hulliger F. Photoemission and inverse photoemission spectroscopy of NiO // Solid State Commun. -1984. -V. 52. Jf- 9. -P. 793−796.
  35. Sawatzky G. A., Allen J. W. Magnitude and Origin of the Band Gap in NiO 11 Phys. Rev. Lett. -1984. -V. 53. 24. -P. 2339−2342.
  36. Oliver P. M., Parker S. C., Mackrodt W. C. Computer simulation of the crystal morphology of NiO // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. -1993. -V. 1. Afs 5. -P. 755−760.
  37. V. I., Solovyev I. V., Korotin M. A., Czyzyk M. Т., Sawatzky G.
  38. A. Density-functional theory and NiO photoemission spectra j I Phys. Rev.
  39. B. -1993. -V. 48. Afz 23. -P. 16 929−16 934.
  40. Pauling L., Hendricks S. B. The crystal structures of hematite and corundum 11 J. Am. Chem. Soc. -1925. -V. 47. -P. 781−790.
  41. Shull C.G., Strauser W.A., Wollan E.O. Neutron diffraction by paramagnetic and antiferromagnetic substances // Phys. Rev. -1951. -V. 83. N1 2. -P. 333−345.
  42. Kren E., Szabo P., Konczoc G. Neutron diffraction studies on the (l-x)Fe203-xRh203 system // Phys. Lett. -1965. -V. 19. -P. 103−104.
  43. Coey J. M. D., Sawatzky G. A. A study of hyperfine interactions in the system (FeixRhx)203 using the Mossbauer effect (Bonding parameters) // J. Phys.
  44. C.-1971.-V. 4.-P. 2386−2407.
  45. Benjelloun D., Bonnet J.-P., Dournerc J.-P., Launay J.~C., Onillon M., Hagenmuller P. Anisotropic dcs proprictes electriqucs dc l’oxydc dc fer Fe203a // Mater. Chem. Phys. -1984. -V. 10. N° 6. -P. 504−518.
  46. Liu H., Caldwell W. A., Benedetti L. R., Panero W. Jeanloz R. Static compression of а-Ре20з: linear incompressibility of lattice parameters and high-pressure transformations 11 Phys. Chem. Min. -2003. -V. 30. N° 9. -P. 582−588.
  47. Rozenberg G. Kh., Dubrovinsky L. S., Pasternak M. P., Naaman O., Le Bihan Т., Ahuja R. High-pressure structural studies of hematite Fe203 // Phys. Rev. B. -2002. -V. 65. № 6. -P. 64 112 (8 pages).
  48. Badro J., Fiquet G., Struzhkin V. V., Somayazulu M., Mao H., Shen G., Le Bihan T. Nature of the high-pressure transition in Fe203 hematite // Phys. Rev. Lett. -2002. -V. 89. N° 20. -P. 205 504 (4 pages).
  49. Rollmann G., Rohrbach A., Entel P., Hafner J. First-principles calculation of the structure and magnetic phases of hematite // Phys. Rev. B. -2004. -V. 69. -P. 165 107 (12 pages).
  50. Punkkinen M. P. J., Kokko K., Hergert W., Vdyrynen J. J. Fe203 within the LSDA+U approach // J. Phys.: Condens. Matter. -1999. -V. 11. N° 11. -P. 2341−2349.
  51. A., Velev J., Butler W. II., Karker S. К., Bengone O. Effect of electron correlations on the electronic and magnetic structure of Ti-doped a-hematite // Phys. Rev. B. -2004. -V. 69. -P. 174 429 (8 pages).
  52. Mazurenko V. V., Anisimov V. I. Weak ferromagnetism in antiferromagnets: a-Fe203 and La2Cu04 11 Phys. Rev. B. -2005. -V. 71. -P. 184 434 (8 pages).
  53. Morin F. J. Oxides which show a metal-to-insulator transition at the Neel temperature // Phys. Rev. Lett. -1959. -V. 3. N° 1. -P. 34−36.
  54. Van Zandt L. L., Honig J. M., Goodenough J. B. Resistivity and Magnetic Order in Ti203 11 J. Appl. Phys. -1968. -V. 39. N° 2. -P. 594−595.
  55. Goodenough J. B. The two components of the crystallographic transition in V02 j j J. Solid State Chem. -1971. -V. 3. N° 4. -P. 490−500.
  56. Wentzcovitch R. M., Schulz W. W., Allen P. B. V02: Peierls or Mott-Hubbard? A view from band theory // Phys. Rev. Lett. -1994. -V. 72. -N° 21. -P. 3389−3392.
  57. Eyert V. The metal-insulator transitions of V02: A band theoretical approach j I Annalen der Physik. -2002. -V. 11. № 9. -P. 650−704.
  58. Pouget J. P., Launois H., D’Haenens J. P., Merenda P., Rice Т. M. Electron localization induced by uniaxial stress in pure V02 // Phys. Rev. Lett. -1975. -V. 35. № 13. -P. 873−875.
  59. Zylbersztejn A., Mott N. F. Metal-insulator transition in vanadium dioxide // Phys. Rev. B. -1975. -V. 11. № 11. -P. 4383−4395.
  60. Imada M., Fujimori A., Tokura Y. Metal-insulator transitions // Rev. Mod. Phys. -1998. -V. 70. 4. -P. 1039−1263.
  61. M. А., Скориков H. А., Аписимов В. И. Изменение орбитальной симметрии локализованного 3d1^eKTpoHa иона V4+ при переходе металл-изолятор в V02 // ФММ. -2002. -Т. 94. N° 1. -с. 22−29.
  62. Liebsch A., Ishida Н., Bihlmayer G. Coulomb correlations and orbital polarization in the metal-insulator transition of V02 // Phys. Rev. B. -2005. -V. 71. № 85 109 (5 pages).
  63. Bierrnann S., Poteryaev A., Lichtenstein A. I., Georges A. Dynamical Singlets and Correlation-Assisted Peierls Transition in V02 // Phys. Rev. Lett. -2005. -V. 94. №¦ 26 404.
  64. Sawatzky G. A., Post D. X-ray photoelectron and Auger spectroscopy study of some vanadium oxides // Phys. Rev. В -1979. -V. 20. A/" — 4. -P. 1546−1555.
  65. Honig J. M., Van Zandt L. L. The Metal-Insulator Transition in Selected Oxides j j Annu. Rev. Mater. Sci. -1975. -V. 5. -P. 225−278.
  66. Moon R.M., Riste Т., Koehler W. C., Abrahams S. C. Absence of Antiferromagnetism in Ti203 // J. Appl. Phys. -1969 -V. 40. N° 3. -P. 1445−1447.
  67. J. М., Reed Т. В. Electrical Properties of Ti203 Single Crystals I j Phys. Rev. -1968. -V. 174. N° 3. -P. 1020−1026.
  68. Chi Т. C., Sladek R. J. Elastic Constants and the Electrical Transition in Ti203 // Phys. Rev. В -1973. -V. 7. N- 12. -P. 5080−5085.
  69. Barros H. L. C., Chi Т. C., Chandrashekhar G. V., Honig J. M., Sladek R. J. Specific Heat of Single-Crystal Undoped and V-Doped Ti203 I j Phys. Rev. В -1973. -V. 7. N° 12. -P. 5147−5152.
  70. Shin S. H., Chandrashekhar G. V., Loehman R. E., Honig J. M. Thermoelectric Effects in Pure and V-Doped Ti203 Single Crystals // Phys. Rev. В -1973. -V. 8. № 4. -P. 1364−1372.
  71. Luckovsky G., Allen J. W., Allen P. Inst. Phys. Conf. Ser. -1979. -V. 43. -P. 465.
  72. Rice С. E., Robinson W. R. High-temperature crystal chemistry of Ti203: structural changes accompanying the semiconductor-metal transition // Acta Crystallogr. B. -1977. -V. 33. N- 5. -P. 1342−1348.
  73. Poteryaev A. I., Lichtenstein A. I., Kotliar G. Nonlocal Coulomb Interactions and Metal-Insulator Transition in Ti203: A Cluster LDA+DMFT Approach // Phys. Rev. Lett. -2004. -V. 93. N° 86 401.
  74. Fukai Y. The Metal-Hydrogen System Springer, 2 edition. 2005 (380 pages).
  75. Iluiberts J. N., Griessen R., Rector J. II., Wijngaarden R. J., Dekker J. P., de Groot D.G., Koeman N. J. Yttrium and lanthanum hydride films with switch able optical properties // Nature (London) -1996. -V. 380. M- 6571. -P. 231−234.
  76. Wang Y., Chou M. Y. Peierls distortion in hexagonal YH3 // Phys. Rev. Lett. -1993. -V. 71. N- 8. -P. 1226−1229.
  77. Wang X. W., Chen C. Nature of the insulating state in ЬаНз // Phys. Rev. В -1997. -V. 56. Af- 12. -P. R7049-R7052.
  78. Ng К. K., Zhang F. C., Anisimov V. I., Rice Т. M. Theory for metal hydrides with switchable optical properties // Phys. Rev. В -1999. -V. 59. Af- 8. -P. 5398−5413.
  79. Alford J. A., Chou M. Y., Chang E. K., Louie S. G. First-principles studies of quasiparticle band structures of cubic YH3 and ЬаНз // Phys. Rev. B. -2003. -V. 67. Af- 12. -P. 125 110 (7 pages).
  80. Wu Z., Cohen R. E., Singh D. J., Gupta R., Gupta M. Weighted-density-approximation description of rare-earth trihydrides // Phys. Rev. B. -2004. -V. 69. Af- 85 104 (6 pages).
  81. Misemer D. K., Harmon B. N. Self-consistent electronic structure of lanthanum dihydride and lanthanum trihydride // Phys. Rev. В -1982. -V. 26. Af- 10. -P. 5634−5644.
  82. Leyer S., Heck S., Kaiser A., Dormann E., Barnes R. G. Mctal-nonmetal transition of lanthanum hydrides, analyzed by 139La hyperfine interaction // Phys. Rev. B. -2005. -V. 72. Af- 125 115 (10 pages).
  83. Anisimov V.I., Gunnarsson 0. Density-functional calculation of effective Coulomb interactions in metals // Phys. Rev. B. -1991. -V. 43. Af- 10. -P. 7570−7574.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!