Механохимические аспекты активации и получение керамических материалов на основе карбида кремния

146 ВЫВОДЫ.

1. Разработаны технологические приемы создания керамических материалов в системе SiC-AIN с регулируемыми эксплуатационными характеристиками, основанные на применении механоактивации компонентов и использовании их в различном дисперсном состоянии.

2. Квазигидростатическое обжатие при Р=7 ГПа в КСВД (механоактивация) обеспечивает наведение повышенной концентрации дефектов в SiC и A1N и рост активности порошков, что при последующем спекании позволяет интенсифицировать диффузионные процессы, ответственные за образование ТР SiC-AIN, так как порошки остаются «активными» в используемом интервале температур спекания. Для SiC критическое давление, с которого фиксируется начало микродеформации, выше чем у AINрост дисперсности обоих материалов приводит к росту Ркр. Размер блоков мозаики уменьшается незначительно, что свидетельствует о затрудненности генерирования дислокаций.

3. С использованием комплекса физико-химических методов анализа установлены закономерности эволюции фазового состава и структуры спеченных материалов системы SiC-AIN: композиции из механоактивированных порошков образуют при термообработке ТР на основе Я-политипов SiC (преимущественно 4Н), материалы из недеформированных порошков, кроме случая с SiC (d:iCpna=0.5-l мкм), оставались двухфазными. В материалах с содержанием A1N>20% обнаружен ТР на базе 2//-A1N.

4. Разработана технология получения плотной керамики в системе SiC-AIN, основанная на введении активирующей спекание добавки Y203, приводящей к образованию при Т=1850−2000°С жидкой фазы, что позволяет получить керамику с прочностью 500−900 МПа. Разработаны технологические приемы получения высокотемпературных полупроводниковых материалов с регулируемыми в широких пределах электрофизическими характеристиками (рул -10″ ' - 104 Омхсм, пи р-типом проводимости, увеличенной шириной запрещенной зоны).

5. Установлено, что системы SiC-TiC и SiC-VC являются квазибинарными ниже температуры разложения SiC и описываются диаграммами состояния эвтектического типа, с температурами эвтектик соответственно 2320 °C и 2220 °C. Состав эвтектик в системах соответствует композициям со следующим мольным соотношением компонентов: SiC (55%) — TiC (45%), SiC (40%) — VC (60%).

6. На основе системы SiC-TiB2 разработана технология ГП-керамики, позволяющая получать материалы, с псевдоэвтектической структуройтакая керамика обладает высокой твердостью, прочностью — 450 МПа и повышенной окалиностойкостью в интервале Т=1000−1300°С. Показано, что у керамики с псевдоэвтектической структурой прочность при Т=1600°С возрастает до 510 МПа в защитной среде (более чем двукратное увеличение прочности по сравнению с таковой у керамики из индивидуальных соединений).

7. Установлено, что материалы системы SiC-TiB2 перспективны для создания керамических композиций инструментального назначения (в качестве связки для кубического BN). Разработаны композиционные резцы, превосходящие по своим режущим свойствам выпускаемый промышленностью композит — 05ИТ.

1. Карбид кремния. Под ред. Г. Хениша, Р. Роя. М.: Мир, 1972. 349 с.

2. Карбид кремния. Под ред. И. Н. Францевича. Киев: «Наукова думка», 1966. 360 с.

3. Гнесин Г. Г. Карбидокремниевые материалы. М.: «Металлургия», 1977.215 с.

4. Церцвадзе А. А., Чхартшвилли Ю. В., Качлишвили З. С. Расчет ионной и атомной долей связи в кристаллах карбида кремния //Физика твердоготела. 1962, т.4, № 7. с. 1743−1747.

5. Гольдшмидт X. Дж. Сплавы внедрения. Т. 2. М.: Мир, 1971. 310 с.

6. Ормонт Б. Ф.

Введение

в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1968. 487 с.

7. Silicon carbide a high temperature semiconductor. Process conference, Oxford New York — London — Paris.: Pergamon press, 1960. p. 312.

8. Неметаллические тугоплавкие соединения /Т. Я. Косолалова, Т. В. Андреева, Т. Б. Бартницкая и др. // М.: Металлургия, 1985. 224 с.

9. Knippenberg W. F. Phase relationship in the silicon carbon system II Philips research report. 1963, № 18. p. 161−274.

10. Ягодзинский X. Переход от кубического SiC к гексагональному как реакция в твердом состоянии // Кристаллография. 1971. т. 16, № 6. с.1235−1246.

11. Верма А. Рост кристаллов и дислокаций. М.: Мир, 1958. 216 с.

12. Das dreistoff system molybdan silizium — kohlenstoff / Novotny H., Parthe H., Kiffer R. u. a. // Montash. Chem. 1954. Bd. 85, № 1. p.255−267.

13. Брохин И. С., Функе B.C. Твердые сплавы. (Сб. ВНИИТС вып.1) М.: «Металлургия», 1969. с.226−239.14. «Кингери У .Д.

Введение

в керамику. М.: Стройиздат, 1967. 499 с.

14. Войтович Р. Ф. Тугоплавкие соединения. Термодинамические характеристики. Киев: «Ыаукова думка», 1971. 220 с.

15. Конструкционные материалы и изделия на основе углерода / М. А. Авдеенко, В. Д. Белгородский, Г. Н. Багров и др. // М.: Металлургия, 1970.64 с.

16. Кайнарский И. С., Дегтярева Э. В. Карборундовые огнеупоры. М.: Металлургиздат, 1963. 252 с.

17. Гнесин Г. Г. Бескислородные керамические материалы. Киев. Техника, 1987. 152 с.

18. Гегузин Я. Е. Физика спекания. М.: «Наука», 1984. 312 с.

19. Keishi Negita. Effective sintering aids for silicon carbide ceramics: reactivities of silicon carbide with various additives II J. Amer. Ceram. Soc.1986. Y.69, № 12 C-308 C-310.

20. Maddrell E. R. Pressureless sintering of silicon carbide./'/' J. Mater. Sci. Lett.1987. Y.6, № 4, p. 486—488.

21. Заявка 63−60 157 Япония, МКИ4 С 04 В 35/56, Керамика из Р-карбида кремния и способ ее получения./ Ямаути Хидэтоси, Хасэгава Харухиса, Хирамацу Сэйдзи (Яп.) — Ибидэн к. к. № 61−203 806- Заявл. 01.09.86- Опубл. 16.03.88 5с.

22. Microstructural developments in pressureless-sintered p-SiC materials with Al, B, and С additions / Shinzaki S., Williams Robert M., Juterbock B. N. et. all// Amer. Ceram. Soc. Bull. 1985. ?.64, № 10. p. 1318−1393.

23. Yo Tadjima, W. D. Kingery. Solid solubility of aluminum and boron in silicon carbide //J. Amer. Ceram. Soc. 1982. ?.65, № 2, C-27 C-29.

24. Takahashi Ken, Jimbou Ryutaro. Effect of uniformity on the electrical resistivity of SiC— ZrB2 ceramic composites // J. Amer. Ceram. Soc. 1987. ?.70, № 12, C-369- C-379.

25. Elastic properties and microcracking behavior of particulate titanium diboride silicon carbide composites / Ming-Jen Pan, Hoffman P.A., Green D.J., Hellmann J R. //1. Amer. Ceram. Soc. 1997. V.80, № 3, p.692−698.

26. Chae Ki-Woong, Niihara Koichi, Kim Doh-Yeon. Effect of Cr3C2 addition on the SiC-TiC composite // J. Amer. Ceram. Soc. 1996. V.79, № 12, p. 33 053 308.

27. Андреева Т. В., Горячев Ю. М. Диэлектрики и полупроводники /7 Киев: Высшая школа, 1974. вып. 6 с. 101−103.

28. Самсонов Г. В. Неметаллические нитриды. М.: Металлургия, 1969. 264 с.

29. Олейник Г. С., Шевченко О. А., Кузензсова М. А. Механизм формирования самоармированных AlN-материалов // Электронная микроскопия и прочность материалов. Киев: НАН Украины. ИПМ им. Францевича, 1994. с.78−93.

30. Rafaniello W., Cho К., Virkar A.V. Fabrication and characterization of SiC-A1N alloys / J. Mater. Sci. 1981. V.16, № 12. p. 3479−3478.

31. Суханек Г. П., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Оценка важнейших электрофизических параметров твердых растворов SiC нитриды АШВ¥- //Письма в ЖТФ. 1983. т.9,№ 12. с.29−33.

32. Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния / Сафаралиев Г. К., Суханек Г. П., Таиров Ю. М. и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986. т.22, № 11. с. 1839−1841.

33. Патент США № 4 141 740, МКИ2 С 04 В 35/58- С 04 В 35/58. Твердые растворы и процессы производства твердых растворов./ Cutler J.B., Miller P.D. (США) — № 880 414 Заявл. 23.02.78- Опубл. 27.02.79. НКИ 106/44. 8 с.

34. New materials in Si-C-Al-O-N and related systems /Cutler J.B., Miller P.D., Rafaniello W. et. all /'/' Nature. 1978. V.275, № 5679. p. 434−435.

35. Bensten L. D., Hasselman D.P.H., Ruh R. Effect of hot-pressing temperature on the thermal diffusivity/conductivity of SiC/AIN composites // J. Amer. Ceram. Soc. 1983. V.66, № 3. p. C-40-C-41.

36. Скороход В. В. Теория физических свойств пористых и композиционных материалов и принципы управления их микроструктурой в технологических процессах // Порошковая металлургия. 1995, № 1−2. с.53−71.

37. Sachet J. P., Laval J. Y., Bioussaud D. Thermal and electrical properties of sintered AIN-based ceramics relationships with the microstructure // Silicat. Ind. 1989. ?.54, № 7−8. p. 113−122.

38. Ruh R., Zangvil A. Composition and properties of hot-pressed SiC-AIN solutions // J. Amer. Ceram. Soc. 1982. ?.65, № 5. p.260−265.

39. Образование твердых растворов в системе SiC-AIN при спекании мелкодисперсных порошков / Н. Б. Рафаевич, В. Ф. Цветков, А. И. Комов, Лосевская С. Г // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. т.26, № 5. с.973−977.

40. Образование твердых растворов в процессе совместного синтеза SiC и A1N / Курдюмов А. В., Бритун В. Ф., Зелявский В. Б. и др. // Карбиды и материалы на их основе. Киев: НАН Украины. ИПМ им. Францевича.1995. с. 68−75.

41. Zangvil A., Ruh R. Solid solutions and composites in the SiC-AIN and SiC-BN systems // Mater. Sci. Eng. 1985. ?.71, № 5. p.159−164.

42. Tian Q., Virkar A.Y. Interdiffusion in SiC-AIN and AlN-Al2OC systems.// J. Amer. Ceram. Soc, 1996. ?.79, № 8. p.2168−2174.

43. Preparation of silicon carbide/aluminum nitride ceramics using organometallic precursors / Gzekaj C., Hackney M., Hurley Jr.W. et al.// J. Amer. Ceram. Soc 1990.. V.73, № 2. p.352−357.

44. Патент США № 4 687 657, МКИ4 С 04 В 35/64. Производство SiC-AlN-сплавов. / Clark J.T., Johnson R. Е. (США) — № 872 312 Заявл. 09.06.86- Опубл. 18.08.87. НКИ 423/412. 6 с.

45. Zangvil A., Ruh R. Phase relationships in the silicon carbide aluminum nitride system // J. Amer. Ceram. Soc, 1988. ?.71, № 10. p.884−890.

46. Бритун В. Ф., Курдюмов А. В. Формирование структурно-химических неоднородностей и развитие самоармирования в поликристаллах системы AIN-SiC-O / Электронная микроскопия и прочность материалов // Киев: НАН Украины. НИМ им. И. II. Францевича, 1994. с.85−89.

47. Образование длиннопериодных и одномерно разупорядоченных структур в системе SiC-AlN-0 / Бритун В. Ф, Курдюмов А. В., Бартницкая Т. С. и др. // Порошковая металлургия. 1994, № 5/6. с.97−101.

48. Состояние и кристаллическая структура продуктов взаимодействия SiC с Si02 /Хаенко Б.В., Прилуцкий Э. В., Михаилик А. А. и др.// Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995. т.31, № 3. с. 327−332.

49. Kuo S.Y., Virkar A.V. Morphology of phase separation in AIN-AbOC and SiC-AIN ceramics // J. Amer. Ceram. Soc. 1990. V.73, № 9. p.2640−2646.

50. Chen J., Tian Q., Virkar A.V. Phase separation in the SiC-AIN pseudobinary system: the role of coherency strain energy 11 J. Amer. Ceram. Soc. 1992. ?.75, № 4. p.809−821.

51. Microstructure and mechanical properties of hot-pressed silicon carbide-aluminum nitride compositions / Xu Y., Zangvil A., Landon M., Thevenot F.// J. Amer. Ceram. Soc. 1992 ?.75, № 2. p.325−333.

52. Huang J.L., Jih J.M. Investigation of SiC-AIN: Part II, mechanical properties //J. Amer. Ceram. Soc. 1996. ?.79, № 5. p.1262−1264.

53. Sintering behaviour and properties of SiCAlON ceramics / Huang J.L., Hurford A.C., Cutler R.A., Virkar A.?. // J. Mater. Sci. 1986. ?.21, № 4. p. 1448−1456.

54. Jou Z.C., Kuo S.Y., Virkar A.?. Evaluted-temperature creep of silicon carbide-aluminum nitride ceramics: role of grain size // J. Amer. Ceram. Soc.1986. ?.69, № 11. p. С-279—C-281.

55. Механические свойства материалов на основе карбида кремния и нитрида алюминия / В. К. Казаков, В. А. Мельникова, С. Н. Дуб, В. И. Мильнев // Сверхтвердые материалы. 1987, № 6. с. 29−32.

56. Изучение структуры и свойств керамики карбид кремния нитрид алюминия при высоких температурах / В. А. Мельникова, В. К. Казаков, П. С. Кислый, В. К. Сульженко // Сверхтвердые материалы. 1991, № 2 с.33−36.

57. Патент США № 4 753 903, МКИ4 С 04 В 35/56. Спеченное карбидокремниевое изделие и способ его производства / $акп А. (Яп.) — № 846 896 Заявл. 27.03.86- Опубл. 28.06.88. НКИ 423/412. 6 с.

58. Патент США № 4 569 922, МКИ4 С 04 В 35/56. Спеченное 8Ю-АШ изделие и процесс его производства./ Бигок. К. (Яп.) — № 558 896 Заявл. 07.12.83- Опубл. 11.02.86. НКИ 501/89. 9 с.

59. Патент США № 4 539 298, МКИ4 С 04 В 35/56, С 04 В 35/58. Высокотеплопроводный керамический материал. / Коп1еуа К., Тз^е А., 1поие Н., ОЫа Н.(Яп.) — № 443 955 Заявл.23.11.82- Опубл.03.09.85. НКИ 501/89. 5 с.

60. Заявка 59−107 975, Япония. МКИ С 04 В 35/56, С 04 В 35/58. Спеченное изделие на основе и способ его изготовления. / Сузоки Кэйитиро (Яп.) — № 57−213 984. Заявл. 08.12.82- Опубл. 22.06.84. 8 с.

61. Шипилова Л. А., Касьяненко А. А. Электрофизические свойства пористой карбидокремниевой керамики // Порошковая металлургия. 1993, № 4. с.85−89.

62. С. С. Орданьян. Закономерности взаимодействия в системах У1В2 //ЖПХ 1993. Т.66, вып. 11. а 2439−2444.

63. Система БЮ-ТШг основа высокотвердых износостойких материалов / С. С. Орданьян, А. И. Дмитриев, Е. К. Степаненко и др. // Порошковая металлургия. 1987, № 5. с. 32−34.

64. Орданьян С. С., Дмитриев А. И., Морошкина Е. С. Взаимодействие БЮ с ггВ2 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1989. Т. 25, № 10. с. 1752−1755.

65. Взаимодействие в системе SiC-HfB2 / С. С. Орданьян, А. И. Дмитриев, МЛ. Чесшокова, С. В. Вихман / ЖПХ, т.66.1993, № 5. с. 1141−1143.

66. Орданьян С. С., Дмитриев А. И., Капитонова И. М. Взаимодействие SiC с СгВ2/7 Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1991. Т. 27, № 1. с. 157.159.

67. Орданьян С. С. О закономерностях взаимодействия в системах LaB^-M1^ VB2 i! Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1988. Т.24, № 2. с. 235 238.

68. Ивановский А. Л., Гусев А. И., Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Тройные карбиды и нитриды переходных металлов и элементов Шб, IV6 подгрупп. Екатеринбург: Институт химии твердого тела УрО РАН, 1996. 339 с.

69. Орданьян С. С. О закономерностях взаимодействия в системах М^С-M1V, VB2 !! Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1980. Т. 16, № 8. с. 1407−1411.

70. Brewer L., Krikorian О. Reactions of refractory silicides with carbon and nitrogen//J. of Electrochem. Soc. 1956. ?.103, № 1. p. 38−50.

71. Nowotny H., Lux В., Kudielka H. Das verhalten einegen harten Carbide und hoch Schmelzender Metalle gegen Saure Aufschhusmittee // Monatsh. Chem. 1956. Bd 87. s.447−456.

72. Janney M. Microstructural development and mechanical properties of SiC and SiC-TiC composites // Amer. Ceram. Soc. Bull. 1986. ?.65, № 2. p. 357 362.

73. Wei G.C., Becher P.F. Improvements in mechanical properties in SiC by the addition of TiC particles //J. Amer. Ceram. Soc. 1984. ?.67, № 8. p.571−574.

74. In Situtoughened silicon carbide titanium carbide composites / Cho K.S., Kim Y.W., Choi H.J., Lee J.G. / J. Amer. Ceram. Soc. 1996. ?.79, № 6. p.1711−1713.

75. Баринов С. М. Трещиностойкость конструкционной машиностроительной керамики / Итоги науки и техники. Технология силикатных и тугоплавких неметаллических материалов. Т.1./ М.: ВИНИТИ 1988. с. 72 132.

76. In Situ enhancement of toughness of SiC-TiB2 composites / Cho K.S., Kim Y.W., Choi H.J., Lee J.G. / J. Mater. Sci. 1998. V.33, № 1. p.211−214.

77. Doan Ly Ngoc. Gefugeverstarkimg von SiC-Keramiken: Diss. Dokt. Naturwiss. Fak. Chem. Univ. Stuttgart, 1988. 168 c.

78. Tanaka H., Iyi N. Polytypes, grain growth, and fracture toughness of metal boride particulate SiC composites / J. Amer. Ceram. Soc. 1995. Y.78, № 5. p. 1223−1229.

79. Microstructure and material properties of SiC-TiB2 particulate composites/ McMurtry C.H., Boecker W.D., Seshadry S.G. at all / Amer. Ceram. Soc. Bull.1987. ?.66, № 2. p. 325−329.

80. Janney M. Mechanical properties and oxidation behavior of a hot-pressed SiC-15-vol%-TiB2 composite 11 Amer. Ceram. Soc. Bull. 1987. V.66, № 2. p. 322−324.

81. Ohya Y., Hoffmann M.J., Petzow G. Sintering of in-situ synthesized SiC-TiB2 composites with improved fracture toughness // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. V.75, № 9. p.2479−2483.

82. Эванс А. Г., Лэнгдон Т. Г. Конструкционная керамика. М.: «Металлургия», 1980. 256 с.

83. Akira К., Kikuo N., Akira К. Fabrication and properties of hot-pressed SiC whisker-reinforced TiB2 and TiC composites // J. Mater. Sci. Lett. 1989. V.8, № 5. p. 566−568.

84. Исследование физико-механических и трибо логических свойств гетерофазных материалов системы SiC-MeE^ / Ковальчук В. В., Юга А. И., Тимченко Р. Г. и др. / Порошковая металлургия. 1992, № 2. с.95−100.

85. Тугоплавкие бориды и силициды / Под ред. Г. В. Самсонова/ Киев: «Наумова думка», 1977. 1.64 с.

86. Magley David J., Winholtz R. A., Faber К. T. Residual stresses in a two-phase microcracking ceramic // J. Amer. Cerara. Soc. 1990. V73, № 6. p. 1641−1644.

87. Заявка 01−201 078 Япония, мки4 С 04 В 35/38. Керамика с высокой коррозионной стойкостью / Исодзаки Хироси, Мацунага Хигаку (Яп.) № 63−249 786- Заявл. 05.01.88. Опубл. 14.08.89. 4с.

88. Петров А. П., Левинский Ю. В. Активированное спекание керамических композиционных материалов системы Ti-B-Si-C // Цветные металлы. 1997, № 10 с. 57−61.

89. Патент США № 4 327 186, МКИ4 С 04 В 35/56, С 04 В 35/58. Спеченные карбидокремниевые диборидотитановые композиции и изделия из них / Miiratu Y. (Яп), Weber W. (США) — № 161 726 Заявл. 23.07.80- Опубл. 27.04.82. НКИ 501/92, 264/65. 4 с.

90. Properties of the electrical conductive silicon carbide-based ceramic composites / Ken Т., Ryutarou J., Yasuo M. at all./ J. Ceram. Soc. Jap., 1985. ?.93, № 3. p. 126−129.

91. Келин Ю. Н. Керамика в двигателестроении /У Огнеупоры. 1992, № 4. с. 34−38.

92. Заявка 62−278 166 Япония, МКИ4 С 04 В 35/56/ Способ получения спеченного сложного карбида. Муракава Норнхиро, Хогимура Ацуси, Судо Нобуюки (Яп) — № 61−119 280. Заявл. 26.05.86- Опубл. 03.12.87. 8 с.

93. Горелик С. С., Расторгуев Л. Н., Скоков Ю. Н. Рентгенографический и электроннооптический анализ. М. Металлургия, 1970.368 с.

94. Васильев Д. М. Дифракционные методы исследования структур. М.: Металлургия, 1977. 403 с.

95. Третьяков В. И. Основы металловедения и технологии производства спеченных твердых сплавов. М.: Металлургия, 1976. 325 с.

96. Пантелеев И. Б., Орданьян С. С. Количественный анализ пористости керамических материалов (с применением системы компьютерного анализа «Видеотест»). Уч. пос. СП (б).: Тип. СП (б)ГТИ, 1997. 88 с.

97. ГОСТ 18 898–73. Порошковая металлургия. Изделия. Методы определения плотности и пористости. М.: Издательство стандартов, 1988. 5 с,.

98. ГОСТ 25 172–82. Сплавы твердые спеченные. Метод определениятвердости по Виккерсу. М.: Издательство стандартов, 1982. 2 с.

99. Глаговский Б. А., Московенко И. Б., Славина Т. Я. Исследование физико-механических свойств синтетических высокотвердых материалов акустическим методом. Л.: Труды ВНИИАШ, 1978. с. 47−54.

100. Глаговский Б. А., Московенко И. Б. Низкочастотные акустические методы контроля в машиностроение. Л.: Машиностроение, 1977. 206 с.

101. Кац С. М. Высокотемпературные теплоизоляционные материалы. М.: Металлургия, 1981. 232 с.

102. ГОСТ 20 019–74. Сплавы твердые спеченные. Метод определения предела прочности при поперечном изгибе. М.: Издательство стандартов, 1986. 5 с.

103. Взаимосвязь электропроводности спеченных композиций и дисперсности исходных компонентов / Ю. П. Заричняк, С. С. Орданьян, А. Н. Соколов, Е. К. Степаненко / Порошковая металлургия. 1986, № 6. с.97−101.

104. Гасумянц В. Э. Электронные явления переноса в оксидных высокотемпературных сверхпроводниках в нормальной фазе.: Дис. канд. физ.-мат. наук. СП (б).: ФТИ им. Иоффе РАН, 1992. 216 с.

105. Степаненко E.K. Исследование взаимодействия между тугоплавкими бескислородными соединениями ниобия и разработка композиционных материалов на их основе.: Дис. канд. техн. наук. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1982. 175 с.

106. Кассандрова О. Н., Лебедев В. В. Обработка результатов измерений. М.: Наука, 1970. 104 с.

107. Орданьян С. С., Вихман C.B., Осмаков A.C. Активация процессов взаимодействия в системе SiC-AlN / ЖПХ 1997. т.70, № 5. с.717−721.

108. Диаграммы состояния тугоплавких оксидов. Двойные системы. Справочник / Под ред. Ф. Я. Галахова / Вып. 5, ч. 1. Л.: Наука, 1985. 284 с.

109. Орданьян С. С. Физико-химический базис создания композиционных материалов на основе тугоплавких соединений // Огнеупоры. 1992, № 910. с. 10−14.

110. Effect of impurity and carrier concentrations on electrical resistivity and thermal conductivity of SiC ceramics containing BeO / S. Ogihara, K. Maeda, Y. Takeda, K. Nakamura/ J. Amer. Ceram. Soc. 1985. V.68, №. p. C-16 -C-18.

111. Орданьян С. С. Особенности механических свойств спеченных композиций моделей эвтектик «грубого конгломерата» // Физика прочности композиционных материалов: Сб.науч.тр. / ФТИ им. Иоффе АН СССР. Л., 1980. с. 102−109.

112. Крылов С. О. Структурообразование и физико-механические свойства спеченных композиций на основе ультрадисперсных тугоплавких соединений.: Дис. канд. техн. наук. Л.: ЛТИ им. Ленсовета, 1989. 199 с.

113. Высокотемпературные неметаллические нагреватели / Кислый П. С., Бадян А. Х., Киндышева B.C., Гарибян Ф. С. / Киев: «Наукова думка», 1981. 160 с.

114. Эльбор в машиностроении / B.C. Лысанов, В. А. Букин, Б.А.

115. Глаговский и др. / Л.: Машиностроение, 1978. 280 с.

116. Пономаренко В. А. Разработка и внедрение технологии получения композиционных инструментальных материалов на основе кубического нитрида бора //Автореф. дис. канд. техн. наук. Минск: БПИ, 1990. 20 с.

117. Синтетические сверхтвердые материалы / под ред. Н. В. Новикова и др. / В 3-х т. Т.1. Киев: «Наукова думка», 1986. 280 с.

118. С. С. Орданьян, C.B. Вихман, В. А. Пономаренко. Износостойкая керамика на основе нитрида бора // ЖПХ 1998. т.71, № 1. с. 28−31.