Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Развитие микрои наиоэлектроиики и получение прецизионных многослойных наноструктур привело к созданию квантовых каскадных лазеров (KKJI). Физика внутризонных переходов позволяет получать генерацию до 10 мкм без охлаждения с мощностью излучения в одной моде более 1 Вт и потенциально расширить диапазон до 300 мкм (терагерцовый диапазон). В настоящее время уже показана возможность применения KKJI… Читать ещё >

Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ПЕРЕЧЕНЬ СОКРАЩЕНИЙ
  • 1. МЕТОД ДЛС ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ СЛЕДОВЫХ КОНЦЕНТРАЦИЙ ГАЗОВЫХ ПРИМЕСЕЙ
    • 1. 1. Регистрация газовых примесей в атмосфере
      • 1. 1. 1. Методы регистрации газовых примесей в атмосфере
      • 1. 1. 2. Модельные расчеты спектров газов в атмосфере
    • 1. 2. Одночастотный перестраиваемый гетеролазер
      • 1. 2. 1. Современное состояние и пути создания одночастотных полупроводниковых гетеролазеров
      • 1. 2. 2. Генерация излучения гетеролазера
      • 1. 2. 3. Применение гетеролазеров для мониторинга следовых количеств газовых примесей в атмосфере
    • 1. 3. Основные типы одночастотных гетеролазеров
      • 1. 3. 1. Одночастотный режим генерации полупроводникового лазера
      • 1. 3. 2. Полупроводниковые гетеролазеры с распределенной обратной связью (РОС)
      • 1. 3. 3. Полупроводниковые гетеролазеры с распределенным брэгговским отражателем (РБО)
      • 1. 3. 4. Полупроводниковый лазер с вертикальным резонатором
      • 1. 3. 5. Квантовый каскадный лазер
    • 1. 4. Фотоприемники для системы регистрациигазов
    • 1. 5. Шумы и методы исследования характеристик оптического и электронного трактов
      • 1. 5. 1. Шумы излучения лазера
      • 1. 5. 2. Шумы фотоприемника
      • 1. 5. 3. Анализ фурье-преобразования сигнала
      • 1. 5. 4. Анализ дисперсии Аллана
  • Выводы
  • 2. РАЗРАБОТКА ТРЕХКАНАЛЬНОЙ ОПТИКО-ОЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЫ И ИССЛЕДОВАНИЯ ОСНОВНЫХ ЕЕ ЭЛЕМЕНТОВ
    • 2. 1. ОЭС газоанализатора на базе телескопа МСТ 180/
      • 2. 1. 1. Принципиальная блок-схема
      • 2. 1. 2. Электронный блок сопряжения
      • 2. 1. 3. Оптическая схема
    • 2. 2. Исследование режимов генерации одномодового гетеролазера
      • 2. 2. 1. Методы исследования режимов генерации
      • 2. 2. 2. Исследование перестройки по частоте спектра генерации гетеролазера
      • 2. 2. 3. Температурная перестройка спектра излучения
  • РОС гетеролазера
    • 2. 2. 4. Токовая перестройка спектра излучения
  • РОС гетеролазера
    • 2. 2. 5. Частотная развертка лазерного импульса
    • 2. 3. Исследование характеристик фотоприемного модуля
    • 2. 3. 1. Чувствительность фотоприемника
    • 2. 3. 2. Интерференционные оптические фильтры
  • Выводы
    • 3. АЛГОРИТМ РЕГИСТРАЦИИ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ
    • 3. 1. Модельные расчеты и выбор аналитических линий с учетом пропускания атмосферы
    • 3. 2. Регистрация линий слабого поглощения
    • 3. 2. 1. Алгоритм регистрации
    • 3. 2. 2. Определение концентрации
    • 3. 2. 3. Режим временного мультиплексирования трехканальной ОЭС
    • 3. 3. Программы для ОЭС
    • 3. 3. 1. Рабочая программа регистрации
    • 3. 3. 2. Программа для анализа быстрого фурье преобразования сигнала
    • 3. 3. 3. Программа анализа дисперсии Алана
  • Выводы
    • 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ШУМОВ ОСНОВНЫХ УЗЛОВ ОЭС
    • 4. 1. Характеристики и шумы лазерного модуля
    • 4. 1. 1. Система температурной стабилизации частоты
    • 4. 1. 2. Применение генератора высокочастотного широкополосного шума для подавления интерференционных помех
    • 4. 1. 3. Спекл-шум
    • 4. 2. Шумы фотоприемного модуля
    • 4. 2. 1. Шумы фотоприемника
    • 4. 2. 2. Шумы предусилителя
    • 4. 3. Исследование характеристик электроники управления ОЭС
    • 4. 3. 1. Характеристики платы ввода вывода PXI-6289M
    • 4. 3. 2. Характеристики электронного блока управления
    • 4. 3. 3. Калибровка каналов регистрации при абсолютных измерениях концентрации газов
    • 4. 3. 4. Предельная дальность работы системы с топографическим отражателем
  • Выводы
    • 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ И ДАЛЬНОСТИ ДИСТАНЦИОННОГО ОБНАРУЖЕНИЯ ГАЗОВ С02, СН4, NH
    • 5. 1. Эксперимент по одновременной регистрации трех газов
    • 5. 2. Дистанционное обнаружение следов газов в автомобиле
    • 5. 3. Дистанционное обнаружение присутствия людей
    • 5. 4. Измерение пространственного распределения метана с помощью дистанционного измерителя
  • Выводы

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ

.

Дистанционное обнаружение следовых концентраций различных газовых примесей в атмосфере является актуальной задачей научного и прикладного приборостроения. Актуальность создания многоканального детектора (т.е. с возможностью обнаружения нескольких газовых примесей одновременно -«Электронного носа», разработке которого посвящено ряд работ кафедры Полупроводниковая электроника [1]) обосновывается задачами, когда решение принимается по совпадению сразу нескольких характерных признаков. В частности для данной работы были выбраны три молекулярных объектабиомаркера химического поля человека: СО2, СН4 и NH3, как наиболее универсальные из продуктов жизнедеятельности человека. Эти молекулярные объекты так же являются продуктами распада целого ряда взрывчатых веществ относящиеся к аммиачно-селитренным взрывчатым веществам. Они могут быть идентификаторами некоторых ядовитых веществ и наркотиков.

В данной работе представлен лазерно-спектроскопический метод, основанный на перестраиваемых по частоте полупроводниковых гетеролазерах, получивший название диодная лазерная спектроскопия (ДЛС). В нашей стране первые молекулярные спектры высокого разрешения были получены практически одновременно тремя научными коллективами ИОФАН, НИИ ПФ и ИСИАН [2,3,4] но приборов, способных регистрировать одновременно несколько молекулярных объектов, созданных на гетеролазерах ближнего ИК диапазона нам неизвестно.

ЦЕЛЬ ДИССЕРТАЦИИ состояла в разработке опытного образца оптико-электронной системы (ОЭС) для одновременной дистанционной регистрации следовых количеств нескольких молекулярных объектов, позволяющей оценить качественные и количественные характеристики объектов.

Для осуществления работы необходимо решить несколько задач: 1. Выбрать оптимальную спектральную область аналитических линий поглощения искомых газов.

2. Провести анализ и исследовать различные типы полупроводниковых лазеров и приемников излучения и выбрать оптимальные для применения в оптико-электронной системе.

3. Разработать программное обеспечение для управления оптико-электронной системой с подавлением собственных механических помех, а также для тестирования системы и элементов, входящих в ОЭС.

ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ.

Как уже было сказано, были выбраны три молекулярных объектабиомаркера химического поля человека: СО?, СН4 и NH3.

Для достижения поставленной задачи.

• проведен детальный анализ спектров поглощения для данных газов с учетом пропускания атмосферы и выбраны рабочие линии поглощения для газов-биомаркеров;

• проведены комплексные исследования перестраиваемых одночастотных гетеролазеров с распределенной обратной связью (РОС) с волоконным выводом излучения, включающие исследование особенностей частотной перестройки и шумов излучения гетеролазеров;

• проведены исследования и найдено решение по устранению интерференционных помех в оптическом тракте ОЭС путем добавления в ток накачки гетеролазера нормальной шумовой составляющей;

• исследована структура ближнего поля излучения гетеролазера, которая определяет структуру дальнего поля рассеиваемого диффузным отражателем и определяет спекл-шум;

• исследованы характеристики фотоприемников, которые могут быть использованы в системе, включая их спектральные, шумовые и пороговые характеристики;

• исследованы характеристики ОЭС, включающей телескоп МСТ 180/1800 с оптической схемой Максутова-Кассегрена для сбора отраженного от топографического отражателя сигнала и электронного тракта обработки информации;

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ.

1. Впервые показана возможность одновременного обнаружения трех различных газов ОЭС на базе полупроводниковых лазеров и фотоприемников, позволяющей получить чувствительность на уровне 300 ppb для СН4, 500 ppb для NH3 и 30 рргп для С02 на трассе до 100 м в атмосфере.

2. Проведены комплексные исследования перестраиваемых одночастотных РОС гетеролазеров на основе InGaAs с волоконным выводом излучения и характеристик полупроводниковых квантовых фотоприемников ближнего ИК-диапазона, применяемых для обнаружения следовых количеств газов, позволившие выйти на уровень чувствительности порядка 0,1 ррш.

3. Исследованы зависимости ширины запрещенной зоны РОС гетеролазеров ближнего ИК — диапазона от температуры лазерного кристалла и тока накачки гетеролазера.

4. Впервые показано, что введение дополнительной модуляции в трапециевидный сканирующий импульс генерации гетеролазера и применение корреляционных методов обработки сигнала позволяет значительно повысить устойчивость системы к механическим воздействиям и вести регистрацию линий поглощения на первой гармонике.

5. Впервые реализованная система частотной стабилизации гетеролазера с двумя контурами обратной связи, обеспечивающая стабильность температуры на уровне 10″ 5оС, позволила производить стабилизацию частоты РОС гетеролазера как по температуре, так и по реперной линии поглощения.

6. Добавление в ток питания РОС гетеролазера высокочастотного нормального шума с полосой генерации 30 МГц впервые позволило эффективно сбивать интерференцию в оптическом тракте и повысить чувствительность системы более чем на порядок, что обеспечивает чувствительность на уровне 0,1 ррш.

7. Из исследований структуры ближнего поля излучения гетеролазера отмечено, что тонкая структура топографического отражателя не оказывает заметного влияния на характеристики регистрируемого сигнала, которые определяются статистическими свойствами рассеивающей поверхности.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ работы заключается в следующем:

1. Впервые разработан и успешно испытан образец трехканального детектора следов газов в атмосфере на основе трех РОС гетеролазеров InGaAs с волоконными выводами излучения и телескопа МСТ 180/1800 для одновременного мониторинга трех газовых примесей с высокой чувствительностью и дальностью обнаружения, адекватной для применения в вертолетном варианте базирования.

2. По ходу работы создано семейство одноканальных детекторов следов газов для работы с различными газами и в различных условиях.

3. Написаны программы для исследования характеристик гетеролазеров, фотоприемников и оптико-электронных характеристик системы в целом в среде графического программирования Lab VIEW 7.1.

ОБОСНОВАННОСТЬ НАУЧНЫХ ПОЛОЖЕНИЙ основывается на практической реализации и проведенном комплексном анализе полученных результатов.

ДОСТОВЕРНОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ подтверждается непротиворечивостью полученных результатов публикациям других авторов, а также сопоставлением экспериментальных данных с теоретическими расчетами.

РЕАЛИЗАЦИЯ РЕЗУЛЬТАТОВ.

Результаты исследований в виде программ, инженерных моделей, технических решений, методик испытаний и др. используются в ЦЕНИ ИОФ РАН им. А. М. Прохорова (г. Москва), ИМФ РНЦ «Курчатовский институт», ФГУП «НПП Салют» (г. Н-Новгород), Институте оптики атмосферы СО РАН (г. Томск).

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ.

Основные положения и результаты диссертации докладывались и обсуждались на II, III, V, VI Общероссийских семинарах по диодной лазерной спектроскопии (ДЛС) (Москва, 2004, 2005, 2006 гг.) — Международных научно-методических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 2004, 2005 г.) — Международной научно-технической конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2004 г.) — VI Международной конференции «Прикладная оптика» (Санкт-Петербург, 2004 г.) — Всероссийской конференции «Аналитика России» (Москва, 2004 г.) — Международных научно-технических конференциях «Информационные технологии в науке, технике и образовании» (Пицунда, 2005, 2006 гг.) — Седьмом Всероссийском семинаре «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики» (Москва, 2005 г.) — 5th International Conference on Tunable Diode Laser Spectroscopy (Florence, 2005) — Международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые — науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2005 г.) — III Научно-технической конференции «Системы наблюдения, мониторинга и дистанционного зондирования земли» (Сочи, 2006 г.) — XVth Symposium on high resolution molecular spectroscopy HighRus-2006 (Tomsk, 2006 г.).

ПУБЛИКАЦИИ.

Основное содержание диссертации отражено в 6-ти печатных работах, и 13 тезисах докладов.

В большинстве работ, выполненных в соавторстве, постановка проблемы и интерпретация результатов эксперимента, выполнены диссертантом, расчеты проведены совместно с соавторами.

ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ, ВЫНОСИМЫЕ НА ЗАЩИТУ 1. На основе проведенного анализа параметров гетеролазеров и приемников оптического излучения, а также условий эксплуатации систем мониторинга, предложено использовать для детектирования наличия заданных газов в атмосфере не основные линии поглощения, расположенные в дальней ИК области, а более слабые составные и комбинационные в области 1,5. 1,7 мкм. (NH3 (1,51 мкм), С02 (1,60 мкм) и СН4 (1,65 мкм)).

2. В соответствии с выбором спектрального диапазона, показана целесообразность использования в качестве источников излучения РОС гетеролазеры на основе InGaAs, а в качестве фотоприемников — неохлаждаемый фотодиод на основе InGaAs для аналитического канала и фотодиоды на основе Ge для реперных каналов ОЭС. При этом значительное повышение чувствительности системы достигается за счет осуществления перестройки излучения лазера по частоте специальным импульсом тока накачки и применением корреляционных методов обработки сигнала.

3. Реализация системы частотной стабилизации гетеролазера с двумя контурами обратной связи обеспечивающая стабильность температуры на уровне 10'5оС, позволяет производить стабилизацию частоты РОС гетеролазера как по температуре, так и по реперной линии поглощения.

4. С учетом выше сказанного впервые создана оптико-электронная система, позволяющая не только качественно детектировать наличие указанных газов на оптическом пути, но и уверенно определять их концентрацию с высокой чувствительностью и дальностью обнаружения, адекватной для применения в вертолетном варианте базирования.

Обнаружение следовых концентраций различных газовых примесей в атмосфере является актуальной задачей в наш век урбанизации жизни. В проблеме «Электронного носа» наряду с другими методами, разрабатываемыми на кафедре Полупроводниковая электроника [1], очень перспективным является альтернативный лазерно-спектроскопический метод, основанный на перестраиваемых по частоте полупроводниковых лазерах, получивший название диодная лазерная спектроскопия (ДЛС) [5, 6]. Этот метод имеет ряд неоспоримых преимуществ перед другими оптическими и физико-химическими методами по скорости измерений и чувствительности. Это и дистанционное обнаружение присутствия людей по химическому полю человека, и обнаружение взрывчатых веществ по их летучим компонентам, и утечек метана в газопроводах, и во многих других прикладных задачах.

Одним из уникальных свойств полупроводниковых лазеров является их способность к перестройке по частоте в достаточно широких пределах. Работа Хинкли (Е. D. Hinkley) [7] положила начало применению перестраиваемых диодных лазеров в молекулярной спектроскопии высокого разрешения. В нашей стране первые молекулярные спектры высокого разрешения были получены практически одновременно тремя научными коллективами ИОФАН, НИИ ПФ и ИСИАН [2, 3, 4], а дальнейшая история развития ДЛС представлена в [8].

Касаясь истории развития инжекционных лазеров нельзя не отметить, что именно профессор МЭИ В. А. Фабрикант еще в 1938 г. четко сформулировал квантовый способ усиления электромагнитных волн в средах и ввел понятие отрицательной температуры [9]. Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М Поповым [10]. На полупроводниках режим генерации был реализован в 1962 г в лаборатории Холла (Hall R.N.) [11].

Дальнейшее прогрессивное развитие полупроводниковых лазеров связано с именем Ж. И. Алферова [12, 13] и с гетероструктурами на основе твердых растворов AmBv и AIVBVI [14.28]. В настоящее время гетеролазерами перекрыт спектральный диапазон от ближнего УФ до дальнего ИК [8, 14, 29].

Наиболее многообещающей областью ДЛС представляется применение гетеролазеров для аналитических и диагностических целей при анализе газовых смесей, для детектирования молекулярных микропримесей, при исследовании современных технологических процессов, в медицинской и криминалистической диагностике и т. д. Перспективность применения гетеролазеров для аналитических и диагностических целей была отмечена на первых же этапах развития этого направления. Первой демонстрацией таких применений был измеритель содержания СО в открытой атмосфере [30]. А в 1985 г. А. Д. Бритов, А. И. Надеждинский и др. были удостоены Государственной Премии за работу: «Перестраиваемые лазеры на полупроводниках AIVBVI и молекулярная спектроскопия высокого разрешения на их основе». В дальнейшем работы по ДЛС в нашей стране стали развиваться в ИОФАНе при поддержке академика А. М. Прохорова в отделе ДЛС под руководством профессора А. И. Надеждинского при активном участии профессора А. Д. Бритова и ряде других институтов. Работы по созданию гетеролазеров в настоящее время ведутся в ФТИ им. Иоффе (г. Санкт-Петербург) и НПО «Полюс» (г. Москва).

Уход от глубокого охлаждения и переход к аналитическим линиям в ближнем ИК диапазоне способствовало дальнейшему развитию работ в области ДЛС в ИОФАНе. Именно в этой области на основе одночастотных инжекционных гетеролазеров InGaAs и развивается диссертация, завершившаяся созданием образца трехканального детектора дистанционного обнаружения следов газов в атмосфере на основе перестраиваемых РОС гетеролазеров с оптоволоконным выводом излучения и на базе телескопа МСТ 180/1800 (оптическая схема Максутова-Кассегрена).

Развитие микрои наиоэлектроиики и получение прецизионных многослойных наноструктур [14, 31] привело к созданию квантовых каскадных лазеров (KKJI) [32]. Физика внутризонных переходов позволяет получать генерацию до 10 мкм без охлаждения с мощностью излучения в одной моде более 1 Вт и потенциально расширить диапазон до 300 мкм (терагерцовый диапазон). В настоящее время уже показана возможность применения KKJI в лазерной спектроскопии. Однако их применение, ввиду высокой стоимости, сложности технологии и недостаточной надежности, пока относится к будущему лазерной спектроскопии.

Диссертация посвящена решению задач создания опытного образца прибора для одновременной дистанционной регистрации следовых количеств нескольких молекулярных объектов. Это необходимо для ситуации, когда решение принимается по совпадению сразу нескольких характерных признаков. В частности для данной работы были выбраны три молекулярных объектабиомаркера химического поля человека: С02, СНЦ и NH3, как наиболее универсальные из всех продуктов жизнедеятельности человека. Необходимо отметить, что работы по регистрации и исследованию химического поля человека активно поддерживаются академиком Ю. В. Гуляевым [33]. Так же эти молекулярные объекты являются продуктами распада целого ряда взрывчатых веществ относящиеся к аммиачно-селитренным взрывчатым веществам (аммониты, аммоналы, динамоны, амматолы и др). Так же они могут быть идентификаторами некоторых ядовитых веществ и наркотиков.

Очевидно, что дистанционная регистрация этих биомаркеров с высокой чувствительностью актуальна в решении различных прикладных задач и особенно вопросов безопасности окружающей среды и жизнедеятельности человека. К тому же в мире не существует широко известных альтернативных приборов способных регистрировать одновременно несколько молекулярных объектов созданных на гетеролазерах ближнего ИК диапазона.

Выводы.

1. В результате проведенных лабораторных и полевых испытаний подтверждена эффективность работы трехканальный детектор на основе рос гетеролазеров InGaAs для мониторинга.

2. Получены следующие результаты по чувствительности регистрации ОЭС следовых концентраций газовых примесей в атмосфере на оптической трассе до 100 м.:

— определение СН4 — 20 ppb.

— определение NH3 — 50 ppb.

— определение СО2, — ЗООррЬ.

3. Подтверждена устойчивость системы регистрации к механическим вибрациям и помехам.

4. Подтверждена эффективность алгоритма регистрации с исключением фоновой засветки методом введения интерференционных фильтров и программной обработки сигнала.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Впервые создана система мониторинга атмосферы с детектированием содержания трех заданных газов одновременно с чувствительностью на уровне 300 ppb для СН4, 30 ррт для С02 и 0,5 ррт для NH3 на трассе до 100 м.

2. В основе системы мониторинга лежит детектирование более слабых линий поглощения указанных газов в ближней Ж области спектра, позволившее использовать гетеролазеры и приемники излучения на основе InGaAs, работающие без использования охлаждения жидким азотом, что обеспечивает экономичность и перспективность широкого применения разработанной системы.

3. Для регистрации оптических сигналов, связанных с относительно низким поглощением указанных линий, использован метод сканирования частоты, путем изменения во времени тока накачки лазеров.

4. Разработан алгоритм регистрации позволяющий не только эффективно детектировть наличие газов на трассе регистрации до 100 м в режиме реального времени с чувствительностью до 0,1 ррт, но и эффективно исключать фоновую подсветку и отфильтровать фликкерную составляющую шумов, включающую также различные механические вибрации и турбулентность атмосферы.

5. На базе языка графического программирования National Instruments Lab VIEW 7.1 написана программа при помощи которой производится управление сигналами лазеров, температурной стабилизацией лазерного модуля, прием и обработка сигналов с фотоприемников и осуществляется алгоритм вычислений в параллельном режиме для каждого из каналов, что позволяет получать результат значения концентрации в каждом из лазерных каналов менее чем за 0,25 с с оптимальным накоплением сигнала.

6.

Введение

системы частотной стабилизации с двумя контурами обратной связи позволило получить стабильность температуры на уровне 10° °С и осуществлять стабилизацию частоты РОС гетеролазера как по температуре, так и по реперной линии поглощения.

7. Впервые предложен и реализован алгоритм подавления интерференционной помехи лазерного излучения путем добавления в ток питания лазера нормального высокочастотный шума с шириной полосы 30 МГц.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Анализатор атмосферы на основе матрицы резистивных газовых сенсоров / A.M. Гуляев, О. Б. Мухина, Сарач О. Б. и др. // Измерительная техника. 2006. — № 2 — С. 59−61.
  2. А.Д.Бритов, С. М. Караваев, Г. А. Калюжная и др.//Опто-механическая промышленность, 1978. № 7. — С.13−19.
  3. А.И.Надеждинский, В. Б. Анзин, М. В. Глушков и др.// Краткие сообщения по физике (ФИАН), 1978, № 4, С.18−21.
  4. Г. В. Веденеева, И. И. Засавицкий, В. Г. Колошников и др., Письма ЖТФ, 1978, Т.4, С.927−935.
  5. Электронный нос и проблемы безопасности / А. Г. Березин, А. Д. Бритов, Д. Ю. Наместников и др. // Наука и технологии в промышленности, 2005, № 3 спецвыпуск (конгресс по безопасности), С.31−35.
  6. Оптико-электронный детектор утечек метана / А. Г. Березин, А. Д. Бритов, А. И. Надеждинский, Д. Ю. Наместников // Материалы международной научн.-техн. конференции «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения», Ч. 1, Москва-2004, С. 2091−2096.
  7. E.D.Hinkley, Appl.Phys.Lett., 16, 351 (1970).
  8. A.Nadezhdinskii, A. Prokhorov (Ed.) «Tunable Diode Laser Applications», Proceedings SPIE, 1992, 1724, P 364−378.
  9. Московский энергетический институт. Документы on-line. Радиотехника, электроника, автоматика и вычислительная техника, Фабрикант Валентин Александрович // http://www.mpei.ru/ lang/rus/main/aboutuniversity/science/scienceschools/radioeng/fabrika ntva. asp
  10. Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю. М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных волн // ЖЭТФ. 1959. Т.37. — № 2. — С.587−589.
  11. Hall R.N., Fenner G.E., Kingley J.D., SoltysT.J., Carlson R.O. Phys. Rev. Lett., 1963, 9 (9), P 366−372.
  12. Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, E.JI. Портной и др. / Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре // ФТП, 1969, Т. З, С. 1328−1332
  13. Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs-GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного редима генерации при комнатной температуре /
  14. П.Г. Елисеев. Полупроводниковые лазеры от гомопереходов до квантовых точек. «Квантовая электроника», 2002. В. 32. -№ 12. — С. 1085−1 103.
  15. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в оптоэлектронике / Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, Л. М. Долгинов, П. Г. Елисеев. // Вестник АН СССР, 1978, № 4, С. 31−36
  16. Инжекционные гетеролазеры в системе InGaAsP с длинной волны излучения 1,3−1,5 мкм / Ж. И. Алферов, А. Т. Гореленок, В. Н. Колышкин и др. // Письма ЖТФ, 1978, Т.4, В.22, С. 1329−1333
  17. К.И. Технология изготовления и исследование одночастотных полупроводниковых лазеров с волоконно-брэгговской решеткой: Дис. канд. техн. наук. М.2005
  18. Спонтанно формирующиеся периодические InGaAsP структуры с модулированным составом / Н. А. Берт, Л. С. Вавилова, И. П. Ипатова, В. А. Капитонов и др. //ФТП, 1999, Т. ЗЗ, В.5, С.544−548
  19. .И., Андреев В. М., Корольков В. И., Портной Е. Л., Третьяков Д. Н. / Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе // ФТП, 1968, 2, С. 15 451 549
  20. Capasso F., Gmachl С, Paiella R et al. // IEEE J. Select. Topics Quantum Electron. 2000, 6 (6), P.931
  21. Namjou K., Cai S., Whittaker E.A., Faist J., Gmachl C, Capasso F., Sivco D.L., Cho A.Y. // Opt. Lett. 1998, 32 (3), P.219.
  22. Shoen J.H., Kloc C, Batlogg B. // Science, 2000, 288, P.2338.
  23. .И., Казаринов // Р.Ф.А., 1963№ 181, 737 с.
  24. Рекомбинационное излучение арсенида галлия / Д. Н. Наследов, А. А. Рогачев, С. М. Рывкин, Б. В. Царенко. // ФТТ, 1962, 4, С. 1062−1065
  25. Н. Г., Богданкевич О. В., Девятков А. Г. Оптический квантовый генератор на кристалле CdS с возбуждением быстрыми электронами. ДАН СССР, 1964, 155, № 4, 78.
  26. Ж.И. Алферов, В. М. Андреев, В. И Бородулин и др. // ФТП, 1971, 5, № 5, С. 972.
  27. О.В., Елисеев П. Г., Дарзнек С. А. Полупроводниковые лазеры, М.: Наука, 1976 г., 115 с.
  28. R.T.Ku, E.D.Hinkley, J.О.Sample / Monitoring of the Atmosphere // Appl.Opt., 1975, 14, 854−860.
  29. М.Херман Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ.-М.: Мир, 1989.- 240 с.
  30. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, et al. //Chyo. Science, 1994. V.264. P. 553−559. '
  31. Ю.В. Гуляев, Человек «выдает» себя полями и излучениями// Индустрия (инженерная газета), 2005, № 34(1309), Том 61, С 1.
  32. Е.В. Степанов / Методы высокочувствительного газового анализа молекул-биомаркеров в исследованиях выдыхаемого воздуха // Труды института общей физики им. А. М. Прохорова, Том 61, 2005 стр. 5−47
  33. Байерман К./ Определение следовых количеств органических веществ // М.: Мир, 1987. 462 с.
  34. Multigas monitors for air quality evaluation. Part 1. Principles of detection / Arenas R.V., Carney K.R., Overton E.B. Portable, // Amer. Lab. 1992. V. 24. P. 17−28.
  35. H. / Physics and applications of IV-VI compound semiconductor lasers // Semicond. Sci. Technol. 1990. Vol. 5. P. S12-S20.
  36. Е.Д., Нилл К. В., Блум Ф. А. / Инфракрасная спектроскопия с использованием перестраиваемых лазеров // Лазерная спектроскопия атомов и молекул / Под ред. Г. Вальтера. М.: Мир, 1979. С. 155−235.
  37. Ю.А. Инфракрасная спектроскопия с инжекцион-ными лазерами. Лазерная аналитическая спектроскопия. Под общей редакцией B.C. Летохова. М.: Наука, 1986. С. 120−173.
  38. И. И., Введение в теорию атомных спектров, 2 изд., М., 1977.
  39. HITRAN (vll.0) // http://cfa-www.harvard.edu/hitran
  40. L.S.Rothman, et. al, The HITRAN molecular spectroscopic database: edition of 2000 including uptates through 2001, JQRST, 82, P. 5−44 (2003)
  41. В., Квантовая теория излучения, пер. с англ., М., 1956-
  42. R. Н. Hall, G. Е. Fenner, J. D. Kingsley et al. / «Coherent light emission from GaAs junction» // Phys. Rev. Lett, 1962, 9, P. 366−378
  43. N.G. BASOV Semiconductor lasers, Nobel Lecture, December 11, 1964- N.G. Basov, B. M Vul and Yu.M. Popov // Soviet JETP (U.S.S.R.), 1959, 37, 585
  44. Камия Т.: «Физика полупроводниковых лазеров». М. Мир, 1989.
  45. D. N. Nasledov, A. A. Rogachev, S. М. Ryvkin, В. V. Tsarenkov / Recombination radiation of galium arsenic // Fiz. Tverd. Tela, 1962, 4, P. 1062−1065-
  46. Г. С. Оптика M.Наука, 1976, гл. IX, § 46.
  47. Н.Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-п-переходах вырожденных полупроводников. ЖЭТФ. 1961. Т.40. — № 2, 1879−1880.
  48. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n junctions / M. I. Nathan, W. P. Dumke, G. Burns et al. «// Appl. Phys. Lett, 1962, 1, P. 62−64.
  49. N. Holonyak Jr., S. F. Bevacgua. Coherent (visible) light emission from Ga (Asj. Fg junctions. Appl. Phys. Lett, 1962, 1, P.83−83.
  50. B.C. Кинетическая теория лазеров, Наука, М: Наука, 1971
  51. Morthier G., Vankwikelberge P., Handbook of distributed feedback laser diodes, Artech House, Boston, 1997.
  52. Ю.И. Использование соотношений Крамерса-Кронига для определения оптических и электрофизическиххарактеристик поверхности твердых тел // Вестн. Сиб. геодез. акад. 2000. Вып. 5. С. 126−129.
  53. В. П. Полупроводниковые лазеры, Университетское, Минск, 1988.
  54. Ж. Панков Оптические процессы в полупроводниках /Под ред. Ж. И. Алферова и B.C. Вавилова. М.: Мир, 1973. 156 с.
  55. H.Statz, С. Tang, J. Lavine, J.Appl.Phys. 1964, 35, P. 2581.
  56. Morthier G., Vankwikelberge P., Handbook of distributed feedback laser diodes, Artech House, Boston, 1997.
  57. В.Б., Акчурин P. X. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии.- М.: Металлургия, 1983.
  58. А. Л. «Нанотехнологии в полупроводниковой электронике». Новосибирск, 2004.
  59. J.Reid, J. Shewchun, B.S.Garside, and A.E.Ballik, Appl.Opt. 1978, 17, P. 300
  60. H.I.Schiff, G.I.Mackay, J. Bechara, / Air Monitoring by Spectroscopic Techniques / M.W.Sigrist, 1994 (Ed.), Wiley, N. Y,.
  61. C.Webster, R. Menzies, E. Hinkley / Infrared Laser Absorption: Theory and Applications, in Laser Remote Chemical Analysis, // ed. R. Measures (Wiley, NY, 1988), p. 163
  62. E.Hinkley, R. Ku, P. Kelley, / Laser monitoring of atmosphere, // (Springer Verlag, Berlin 1976), 237−295
  63. Ю.А., в сб. «Лазерная аналитическая спектроскопия» под ред. В. В. Летохова, 1986, М., Наука, С.120−173
  64. D.Brassington, R. Hester, R. Clark / Spectroscopy in Environment Science // Advances in Spectroscopy, 1994, vol 24, Wiley, Chichester, p.85−148.
  65. D., / Spectroscopy in Environment Science // R. Clark, R. Hester (eds.), Wiley, NY, 85−147 (1995)
  66. Werle P., Spectrochimica Acta A, 1998, 54, P. 197−236
  67. F.Tittel, D. Richter, A. Fried, / Solid-State Mid-IR Laser Sources // T. Sorokina, K. Vodopyanov (eds), Topics Appl.Phys. 2003, 89, P. 445−510
  68. L.Rothman, et.al., HITRAN Database, JQRST, 60 (1998) 665.
  69. Особенности фокусировки выходного излучения в лазере с распределенным брэгговским зеркалом с искривленными штрихами /Г.С. Соколовский, В. В. Дюделев, И. М. Гаджиев и др. // Письма в ЖЭТФ, Т. 31, В. 19, С. 28.
  70. Одночастотный полупроводниковый лазер на X = 1,06 мкм с распределенным брэгговским зеркалом в волоконном световоде. / Дураев В. П., Неделин Е. Т., Недобывайло Т. П и др. // «Квантовая электроника», 1998, т.25, N40, с.301−302.
  71. Appl. Phys. Lett., 1978, V32, pp.647−649.
  72. Sale Т. E. Vertical Cavity Surface Emitting Lasers. NY: John Wiley & Sons Inc., 1995.
  73. Wilsmen C. W., Temkin H., Coldren L. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers- Design, Fabrication, Characteriza tion and Application / Cambridge: University Press, 1999.
  74. Cheng J., Dutta N. K. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers: Technology and Applications, Gordon and Breach Science Publishers. 2000.
  75. Li H. E., Kenichi Iga. Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers, Devices. Berlin: Springer Verlag, 2002.
  76. И. И. Засавицкий, Квантовые каскадные лазеры. Учебное пособие к спецкурсу «Полупроводниковые гетероструктуры», Москва 2002 г.
  77. Р. Ф. Казаринов, Р. А. Сурис. ФТП, 5, 797 (1971).
  78. Alpes Lasers, Boston Electronics Corporation, 91 Boylston Street, Brookline, Massachusetts, 2 445 USA (800)347−5445 or (617)566−3821 fax (617)731−0935, www.boselec.com
  79. A. A Kosterev, R. F. Curl, F. K. Tittel et al. // Laser Phybics, 2001, 11, P. 39
  80. И.Н. Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия: Дис. доктора техн. наук. М. 2005.
  81. В.Н. Электронные приборы, 1977, 424 с.
  82. Handbook of optics/sponsored by the Optical Society of America- M. Bass, editor in chief. 2nd ed. McGraw-Hill, Inc., NY, 1995.
  83. Физика микросхем: учеб. Пособие / В. А. Гридчин, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2006 — 496. — («Учебники НГТУ». 4.2)
  84. С.Г. Современные методы диагностики в твердотельной электронике. // Конференция Соросовских учителей
  85. Klauder J.R. and Sudarshan E.C.G., Fundamentals of Quantum Optics, W.A.Bengamin, Inc., NY, Amsterdam, 1968- русский перевод Дж. Клаудер, Э. Сударшан, Основы квантовой оптики, ред. С. А. Ахманов, «Мир», М, 1970
  86. C.H.Townes, Nuovo Cimento Suppl., 5, 222 (1957).
  87. Glauber R.J., Quantum Optics and Electronics, ed. C. DeWitt, A. Blandin, C. Cohen-Tannoudji, NY, 1964- русский перевод в сборнике «Квантовая оптика и квантовая радиофизика», Мир, 1966.
  88. Lax М., Phys.Rev., 160, Р. 290, 1967.
  89. Allan D. Proc. IEEE, 1966, 54, 221.
  90. Werle P., Mucke R., Slemr F., Appl. Phys. B, 1993, 57, P.131−139
  91. А.П.Астахова, Т. Н. Данилова, А. Н. Именкова, Ю. П. Яковлев: Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры для диодно-лазерной спектроскопии // Физика и техника полупроводников, 2003, том 37, вып. 8
  92. А.К. Лазерная спектроскопия, ограниченная доплеровским уширением // Сорсовский образовательный журнал № 3, 1998
  93. A.Nadezhdinskii, Diode laser frequency tuning, Spectrochimica Acta, 1996, A52, P. 959−965
  94. П., Оптический трактат о градации света, пер. с франц., М., 1950-
  95. Ю.В.Косичкин, А. И. Кузнецов, А. И. Надеждинский и др. // Квантовая электроника, 9, № 4, 822−825 (1982)
  96. И.И.Засавитский,. А. И. Надеждинский, и др. // Письма в ЖТФ, 8, № 10, 1168−1171 (1982)
  97. Smith R., Jones F., Chasmar R., Detection and measurement of infrared radiation, Oxford University, London, (1957)
  98. Трехканальная оптоэлектронная система дистанционного обнаружения следов газов на базе диодных полупроводниковых лазеров / А. Г. Березин, И. Е. Вязов,. Д. Ю. Наместников и др. // VI
  99. А.Д. Бритов, И. Н. Мирошникова, А. И. Надеждинский, Д. Ю. Наместников / Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров для мониторинга следов газов. // «Вестник МЭИ», 3/2007, Москва
  100. Сайт производителя отоэлектронного оборудования (приемники и источники излучения в широком спектре) // http://sales.hamamatsu.com
  101. Оптоэлектронная система определения следов газов. / А. Г. Березин, А. Д. Бритов,. Д. Ю. Наместников и др. / / Седьмой Всероссийский семинар «Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики», май 2005, Москва, Тезисы докладов.
  102. Электронный нос и проблемы безопасности / А. Г. Березин, А. Д. Бритов. Д. Ю. Наместников и др. // Наука и технологии в промышленности, 3/2005, конгресс по безопасности, спецвыпуск, стр. 3 1
  103. Дистанционное детектирование ВВ методами диодной лазерной спектроскопии (ДЛС) / А. Г. Березин, С. Л. Малюгин,
  104. Remote helicopter-borne detector for searching of methane leaks / A.G. Berezin, S. V Malyugin,. D.Yu. Namestnikov et al. // Spectrochimica Acta Part A 66 (2007) p. 803−806
  105. Физические величины, Справочник, ред. И. С. Григорьев, Е. З. Мелихов, М., Энергоатомиздат, (1991).
Заполнить форму текущей работой