Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией
Диссертация
Было установлено, что благодаря развитой пористой структуре с огромной удельной площадью поверхности (до 1000 м2/см3) пористые слои обладают высокой химической активностью, что значительно ускоряет протекание таких важных технологических процессов как диффузия, окисление, эпитаксия, геттерирование и т. д. На ПК методом осаждения из газовой фазы при низких температурах (< 850°С) могут быть… Читать ещё >
Список литературы
- Uhlir A. Electropolishing of silicon // Bell Syst. Tech. J. 1956. — Vol. 35. — P.333−338.
- Turner D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem. Soc. -1958.-Vol. 5. P.402−405.
- Imai K., Unno H. FEPOS (full isolation by porous oxidized silicon) technology and its application to LSI’s //IEEE Trans. Elect. Dev. 1994. — Vol.31, № 3 -P.297−302.
- McDaid L. J., Hall S., Mellor P. H, Eccleston W., Alderman J. C. Explanation of the negative differential resistance in SOI MOSFETs // Proc. European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) Berlin, Germany 1989. — P.885−888.
- Le Neel O., Haond M. Electrical transient study of negative resistance in SOI MOS transistors//Electronics Letters 1990. — Vol.26, № 1 — P.73−74.
- Taliercio Т., Dilhan M., Massone E., Foucaran A., Guer A.M., Bretagnon Т., Fraisse В., Montes L. Porous silicon membranes for gas-sensor applications/ / Sensors and Actuators A 1995. — Vol. 46−47. — P. 43−46.
- Lang W., Steiner P. Porous silicon technology for thermal sensors // Sensors Mater. -1996. Vol.8, № 6. -P.327—344.
- П.Зимин С. П. Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. -2000. Т. 34, вып. 6. -С. 359 — 363.
- Memming R., Sckwandt G. Anodic dissolution of silicon in hydrofluoric acid solutions // Surface Science 1966. — Vol.4, № 2. — P. 109- 124.
- Arita Y., Sunahara Y. Formation and properties of porous silicon films H J. Electrochem. Soc. 1977. — Vol.124, № 2. — P. 285 — 295.
- Unagami T. Formations mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solutions // J. Electrochem. Soc. 1980. — Vol.127, № 2 — P. 476 — 483.
- Завялец Я.Г., Карпенко В. Б., Сорока И. И. Исследование кинетики процесса образования и состава ПК, сформированного на кремнии р-типа / В. сб. Активирующие процессы технологии микроэлектроники. Таганрог, 1979. -Вып.5. — С. 121 -129.
- Chazalveii J.-N. The silicon/electrolyte interface/ Porous silicon science and technology / Eds. J.-C. Vial and J. Derrien (Springer, Berlin/Les Editions de Physique, France). 1995. -P. 17−32.
- Lehmann V., Goselle U. Porous silicon formation: a quantum wire effect // Appl. Phys. Lett. 1991. — Vol.58, № 8. — P.856 — 858.
- Lust S., Levy-Clement C. Macropore formation on medium doped p-type silicon // Phys. Stat. Sol. (a) 2000. — Vol. 182. — P. 17 — 21.
- Thieb W. Optical properties of porous silicon // Surface Science Reports. 1997. — Vol. 29-P. 91−192.
- Beale M.I.J., Benjamin J.D., Uren M.J., Chew N.G., Cullis A.G. An experimental and theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon II J. Crystal Growth. 1985. — Vol.73. — P.622 — 636.
- Gaspard F., Bsiesy A., Ligeon M., Muller F. and Herino R. Charge exchange mechanism responsible for p-type silicon dissolution during porous silicon formation // J. Electrochem. Soc. 1989. — Vol.136, № 10. -P.3043 — 3046.
- Zhang X. G, Collins S.D., Smith R.L. Porous silicon formation and electropolishing of silicon by anodic polarization inHF solution // J. Electrochem. Soc. 1989. — Vol.136, № 5. -P.1561 -1565.
- Foil H., Carstensen J., Christiohersen M., Hasse G. A new view of silicon electrochemistry // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. — Vol. 182. — P. 7 — 16.
- Горячев Д.Н., Беляков Л. В., Сресели О. М. О механизме образования пористого кремния // ФТП. 2000. — Т. 34, вып.9. — С. 1130−1134.
- Salonen J., Bjorkqvist М., Laine Е., Niinsto L. Effect of fabrication parameters on porous n-type silicon morphology U Phys. Stat. Sol. (a). 2000. — Vol. 182. P. 249 — 254.
- Christophersen M., Carstensen J., Foil H. Crystal orientation dependence of macropore formation in p-type silicon using organic electrolytes // Phys. Stat. Sal. (a). 2000. — Vol. 182.-P. 103−107.
- Астрова E.B., Ратников B.B., Витман Р Ф., Лебедев А. А., Ременюк А. Д., Рудь Ю. В. Структура и свойства пористого кремния, полученного фогшанодированием // ФТП -1997. Т. 31, № 10. — С. 1261 — 1268.
- Watanabe Y., Arita Y et ai. Formation and properties of porous silicon and its application II J. Electrochem. Soc. -1975. Vol. 127, № 10. — P. 1351 — 1355.
- Николаев K.H., Нимировский Л. Н., Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике // Электр, техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. — 1989. — Вып. 9. — С. 1 — 59.
- Levy-Clement С. Characteristics of porous n-type silicon obtained by photoelectrochemical etching / Eds. J.-C. Vial and J. Derrien (Springer, Berlin/Les Editions de Physique, France). 1995. — P. 329 — 344.
- Лабунов В. А, Глиненко Л. К., Пархутин В. П. и др. Кинетика пористого анодирования в гальваностатическом режиме// Докл. АНБССР. 1983. — Т.27, N 5. — С. 406 — 408.
- Лабунов В.А., Бондаренко В. П., Глиненко Л. К. Формирование ПК на кремнии п-типа проводимости//Изв. АН БССР. 1983. -N1. — С. 55 — 59.
- Лабунов В.А., Бондаренко В. П., Глиненко Л. К., Басманов И. Н. Исследование процесса формирования ПК и автоэпитаксии на его поверхности // Ж. Микроэлектроника 1983. — Вып. 1. -г С. 11−16.
- Meek R.L. Electrochemically thinned n/n+ epitaxial silicon-method and application U J. Electrochem. Soc. 1971.-Vol. 118, .№ 7.-P. 1240−1246.
- Arita Y. Formation and oxidation of porous silicon by anodic reaction 11 J. Crystal Growth. 1978. — Vol. 45. — P. 383 — 392.
- Kuranari K., Arita Y. A mesa diode formation by oxidized porous silicon // Jap. J. Appl. Phys. — 1976. — Vol. 15, № 11. — P. 2279 — 2280.
- Николаев К Н., Нимировский П. Н., Новицкий В. М. и др. Особенности формирования ПК на слаболегированных подложках из кремния n-типа проводимости // Электр, техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1985. — Вып. 3. — С. 81 — 85.
- Allongue P. Porous silicon formation mechanism / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. Dera Malvern, UK. 1997. — P. 3 — 11.
- Zimin S.P., Ovchinikova L.A., Vorobyev V.V., Prokaznikov A.V., Vinke A.L., Palashov V.N. /Book of summaries. Int. Con? ALT-92. — Moscow. -Part3. -P. 71 -73.
- Loni A. Copping of porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. Dera Malvern, UK. 1997. — P. 51 — 58.
- Вегнер Е.Ф., Горбач Т. Я., Кириллова СИ, Примаченко В.Е., Чернобай В. А. Изменение свойств системы <пористый Si>/Si при постепенном стравливании слоя пористого Si // ФТП. 2002. — Т. 36, вып. 3. — С. 349 — 354.
- Albu-Yaron A., Bastide §., Maurice J.L., Levy-Clement С. Morphology of porous n-type silicon obtained by photoelectrochemical etching II // J. of Luminescence. 1993. — Vol. 57.-P. 67−71.
- Bardeleben H.J., Ortega С., Grosmati A., Morazzani V., Siejka J., Stievenard D. Defect and structure analysis of a± p± and p-type porous silicon by electron paramagnetic resonance technique // J. of Luminescence. 1993. — Vol. 57. — P. 301 — 313.
- Canham L. Pore type, shape, size, volume and surface area in porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. Dera Malvern, UK. 1997. — P. 83 — 88.
- Berbezier I., Halimaoi A. A microstructural study of porous silicon If J. Appl. Phys. -1993. Vol. 74, № 9. — P. 5421 — 5425.
- Halimaoui A. Porous silicon: material processing, properties and applications / Eds. Vial J.-C. and Derrien J. Porous silicon science and technology. Springer, Berlin/ Les Editions de Physique, France. 1995. — P. 33−52.
- Gelloz В., Bsiesy A., Herino R. Light-induced porous silicon photoluminescence quenching // J. of Luminescence. 1999. — Vol. 82. — P. 205 — 211.
- Булах Б.М., Джумаев Б. Р., Корсунская H.E., Литвин ОС., Торчинская Т В., Хоменкова Л. Ю., Юхимчук В. А. Взаимосвязь морфологии пористого кремния с особенностями спектров комбинационного рассеяния света // ФТП. 2002. — Т. 36, вып. 5.-С. 587−592.
- Metzger Н., Franz Н., Binder М., Peisl J., Petrova-Koch V. X-ray investigation of porous silicon under angles of grazing incidence and exit // J. of Luminescence. 1993. — Vol. 57.-P. 201 -204.
- Зимин С. П., Комаров Е. П. Влияние кратковременного отжига на проводимость пористого кремния и переходное сопротивление контакта алюминий-пористый кремний // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24, вып. 6. — С. 45 — 51.
- Белогорохов А.И., Белогорохова Л. И. Оптические свойства слоев пористого кремния, полученных с использованием электролита HCLHF^HsOH // ФТП. -1999. Т. 33, вып. 2. — С. 198 — 204.
- Stewart М. P., Buriak J. М. Exciton-mediated hydrosilylation on photoluminescent nanocrystalline silicon //J. Am. Chem. Soc. -2001. Vol. 123. P. 7821 — 7830.
- Vasiliev I., О git S., Chelikowsky J. R. Ab initio absorption spectra and optical gaps in nanocrystalline silicon // Phys. Rev. Lett. -2001. Vol. 86, № 9. — P. 1813 — 1816.
- Jayachandran M., Paramasivam M., Murali K. R., Trivedi D. C., Raghavan M. Synthesis of porous silicon nanostructures for photoluminescence devices П Mater. Phys. Mech. -2001. Vol. 4. — P. 143 — 147.
- Копылов A. A, Холодилов A.H. Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол // ФТП. 1997. — Т. 31, вып. 5. — С. 556 — 558.
- Chazalveil J.-N., Ozanam F. Surface modification of porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. Dera Malvern, UK. 1997. — P. 59 — 65.
- Grosman A., Ortega C. Chemical composition of «fresh» porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. DeraMaLvera, UK 1997. — P. 145 — 153.
- Ortega C., Grosman A., Morazzani V. Ion beam analysis of thin films. Applications to porous silicon / Eds. J.-C. Vial and J. Derrien (Springer, Berlin/Les Editions de Physique, France). 1995. — P. 157 — 187.
- Grosman A., Ortega C. Dopants in porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. Dera Malvern, UK. -1997. P. 328−335.
- Polisski G., Dollmger G., Bergmaier A, Kovalev D., Heckler H., Koch F. Acceptor depletion in p-type porous silicon //Phys. Stat. Sol. (a). 1998. — Vol. 168. -P. R1 — R2.
- Pankove J. I.,. Zanzucchi P. J,. Magee C. W Hydrogen localization near boron in silicon // Appl. Phys. Lett. -1985. Vol 46, № 4. -P. 421 -423.
- Thewalt M. L. W., Lightowlers E. C. Photoiuminescence studies of the neutralization of acceptors in silicon by atomic hydrogen // Appl. Phys. Lett. 1985. — Vol. 46, № 7. — P. 689−691.
- Srivastava P. C., Singh U.P. Hydrogen in semiconductors // Bull. Mater. Sci. 1996. -Vol. 19, № 1. -P. 51 -60.
- Unagami Т., Seki M. Structure of porous silicon and heat-treatment effect // J. Electrochem. Soc. 1978. — Vol. 125, № 8. -P. 1339 — 1344.
- Биленко Д.И., Абаньшин Н. П. и др. Электрофизические и оптические свойства пористого кремния // ФТП. 1983. — Т. 17, вып. 11. — С. 2090 — 2092.
- Read A.J., Needs R.J., Nash K.J., Canham L.T., Calcott P.D.J., Qteish A. First-principles calculations of the electronic properties of silicon quantum wires // Phys/ Rev. Lett. J1992. Vol. 69, № 8. — P. 1232 — 1235.
- Tsu R., Babic D. Doping of a quantum dot // Appl. Phys. Lett. 1994. — Vol. 64, № 14. -P. 1806−1808.
- Lehmann V., Hofmann F., Muller F., Gruning U. Resistivity of porous silicon: a surface effect // Thin Sol. Films. 1995. — Vol. 255. — R 20 — 22.
- Deresmes D., Marissael V., Stievernard D., Ortega C. Electrical behaviour of aluminium-porous silicon junctions // Thin Solid Films. 1995. — Vol. 255. — P. 258 — 261.
- Timoshenko V. Yu., Lysenko V., Dittrich Th., Koch F Electrical conductivity of meso-porous Si: effect of the condensation of polar liquids // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. — Vol. 182.-P. 163- 168.
- Ben-Chorin M., Moller F., Koch F. Nonlinear electrical transport in porous silicon // Physical Review B. 1994. — Vol. 49, № 4. P. 2981 — 2984.
- Mathur R.G., Vivechana, Mehra R.M., Mathur P C., Jain V.K. Electron transport in porous silicon // Thin Solid Films. 1998. — V. 312. — P. 254 — 258.
- Ben Chorin M., Moller F., Koch F. AC conductivity in porous silicon ft J. of Lumin. -1993.-Vol. 53.-P. 159−162.
- Ben-Chorin M., Moller F, Koch F., Schirrnacher W., Eberhard M. Hopping transport on a fractal: ac conductivity of porous silicon // Physical Review B. 1995. — Vol. 51, № 4. -P. 2199−2213.
- Parkhutik V.P. Residual electrolyte as a factor influencing the electrical properties of porous silicon // Thin Solid Films. 1996. — Vol. 276. — P. 195 — 199.
- Fejfar A., Pelant I., Sipek E., Kocka J., Juska G, Matsurnoto Т., Kanemitsu Y. Transport study of self-supporting porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 66, № 9. — P. 1098 -1100.
- Pennelli G. Transient voltage behavior of free-standing porous silicon layers // J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80, № 9. — P. 5116 — 5120.
- Lubianiker Y., Balberg I. Two Meyer-Neldel rules in porous silicon II Phys. Rev. Lett. -1997. Vol.78, № 12. -P.2433 — 2436.
- Balberg I., Lubianiker Y., Shinar J., Partee J., Shapira Y., Burstein L., Weisz S.Z., Gomez M. The relation between phototransport and photoluminescence in porous silicon // J. of Lumin. 1997. — Vol. 72−74. — P. 314−315.
- Lubianiker Y., Balberg I. A comparative study of the Meyer-Neldel rule in porous silicon and hydrogenated amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids. 1998. — Vol.227 — 230. — P. 180 -184.
- Balberg I. Transport in porous silicon: pea-pod model If Philosophical Magazine B. -2000. Vol. 80,. № 4. — P. 691 — 703.
- Зимин С П. Концентрация носителей заряда в монокристаллической матрице пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1995. — Т. 21, вып.24. — С. 46 — 50.
- Zimin S. P., Kuztetsov V. S., Prokaznilov А. V. Electrical characteristics of aluminum contacts to porous silicon// Appl. Surf. Sci. 1995. — Vol. 91. — P. 355−358.
- Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Investigations of the electrical properties of porous silicon//1. Electrochem. Soc. 1991. — Vol. 138, № 11. -P. 3406−3411.
- Зимин С.П. Эффект Холла в низкоомном пористом кремнии // Письма в ЖТФ. -1994. Т. 20, вып.7. — С. 55 — 59.
- Зимин С.П., Кузнецов B.C., Перч П. В., Проказников А. В. К вопросу о механизме токопрохождения в структурах с пористым кремнием // Письма в ЖТФ. 1994. — Т. 20, вып. 22. — С. 22 — 26.
- Timoshenko V. Yu., Dittrich Th., Koch F. Infrared free carrier absorption in mesoporous silicon//Phys. Stat. Sol. (b). 2000. — Vol. 222. -P. RI -R2.
- Kunz R.R., Nitishin P. M., Clark H. R, Rothchild ML, Ahern B. Observation of nanocrystalline-to-amorphous phase transmission in luminescence porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1995. — Vol. 67, № 12. — P. 1766 — 1768.
- Астрова E.A., Воронков В. Б., Ременюк А. Д., Толмачев В.А, Шуман В. Б. Изменение параметров и состава тонких пленок пористого кремния в результате окисления. Эллипсометрические исследования // ФТП. 1999. — Т. 33, вып. 10. — С. 1264 — 1270.
- Dacenko O. I, Makara V.A., Naumenko S.M., OstapchukT.V., Rudenko O.V., Shevchenko V.B., Vakulenko O.V., Boltovets M.S. Evolution of the porous silicon sample properties in the atmospheric ambient if J. of Lumin. -1999. Vol. 81. — P. 263 — 270.
- Salonen J., Lehto V.-P., Laine E. The room temperature oxidation of porous silicon // Appl. Surf. Sci. 1997. — Vol. 120. — P. 191 — 198.
- Fauchet P.M., Behren J.V., Hirschman K.D., Tsybeskov L., Dutlagupta S.P. Porous silicon physics and device application: status report // Phys. Stat. SoL (a). 1998. — Vol. 165, № 1.-P. 3−13.
- Labunov V., Bondarenko V., Glmenko L., Dorofeev A., Tabulina L. Heat treatment effect on porous silicon // Thin Solid Films. 1986. — Vol. 137. — P 123 — 134.
- Bai G., Kim К.И., Nicolet M.-A. Strain in porous Si formed on a Si (100) substrate // Appl. Phys. Lett. 1990. — Vol. 57, № 21. — P. 2247 — 2249.
- Herino R., Perio A., Barla K., Bomchil G. Microstructure of porous silicon and its evolution with temperature // Mater. Lett. 1984. — Vol. 2, № 6A&B. — P. 519 — 523.
- Tsai C., Li K.-H., Sarathy J., Shin S., Campbell J C, Hance B.K., White J.M. Thermal treatment studies of the photoluminescence intensity of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1991.-Vol. 59, № 22.-P. 2814−2816.
- Лабунов B.A., Бондаренко В. П., Борисенко B.E. Пористый кремний в полупроводниковой электронике // Зар. электр. техника. 1978. — № 15. — С. 19−25.
- Laiho R., Vlasenko L.S., Electron paramagnetic resonance of dangling bond centers in vacuum-annealed porous silicon // J. Appl. Phys. 1995. — Vol. 78. — P. 2857 — 2859.
- Kimoto K., Arai T. Photoluminescence of rapid thermal treated porous Si in nitrogen atmosphere // Phys. Stat. Sol. (a). -2000. Vol. 182. — P. 133 — 137.
- Freid M., Wormeester H., Zoethout E., Lohner Т., Polgar O., Barsony I. In situ spectroscopic ellipsometric investigation of vacuum annealed and oxidized porous silicon layers // Thin Solid Films. 1998. — Vol. 313 — 314. — P. 459 -463.
- Гайворон В. Г, Огрин Ю. В., Калмыкова Т. П., Сидоров В. И. Температурный гистерезис фотолюминесценции пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1994. — Т. 20, вып. 8. — С. 70−73.
- Kovalev D, Polisski G., Ben-Chorin M., Diener J., Koch F. The temperature dependence of the absorption coefficient of porous silicon/ / J. Appl. Phys. 1996. — Vol. 80, № 10.-P. 5978 — 5983.
- Кашкаров П.К., Константинова E.A., Петрова C.A., Тимошенко В. Ю., Юнович А. Э. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // ФТГГ. 1997. — Т. 31, вып. 6. — С. 745 — 748.
- Шелонин Е.А., Найденкова MB., Хорт А. М., Яковенко А. Г., Гвелесиани А. А., Марончук И. Е. Влияние термических отжигов и химических воздействий на фотолюминесценцию пористого кремния /У ФТП. -1998. Т. 32, вып. 4. — С. 494 — 496.
- Киселев В.А., Полисадин С. В., Постникова А. В. Изменение оптических свойств пористого кремния вследствие термического отжига в вакууме // ФТП. 1997. — Т. 31, вып. 7.-С. 830−832.
- Костишко Б.М., Пузов И. П., Нагорнов Ю. С. Стабилизация свегоизлучающих свойств пористого кремния термовакуумным отжигом // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 1.-С. 50−54.
- Лисаченко А.А., Апрелев A.M. Влияние адсорбционных комплексов на электронный спектр и люминесценцию пористого кремния И Письма в ЖТФ. -2001. Т. 27, вып. 4. — С. 4 — 11.
- Король Е.Б., Киккарин С. М. Влияние отжига в различных атмосферах на фотолюминесценцию пористого кремния // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 6. -С. 1−4.
- Лебедев А.А., Иванов А. М., Ремешок А. Д. и др. Влияние а-облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ФТП.- 1996. Т.30. — С. 188 -190.
- Астрова Е.В., Емцев В. В., Лебедев А. А. и др. Деградация фотолюминесценции пористого кремния под действием у-облучения 6йСо // ФТП 1995.- Т.29. — С. 1301 — 1305.
- Астрова Е.В., Витман Р. Ф., Емцев В. В. и др. Влияние у-облучения на свойства пористого кремния Н ФТП. 1996. — Т.30. — С. 507 — 514.
- Агекян В.Ф., Емцев В. В., Лебедев А. А., Полоскин Д. С., Ременюк А. Д., Степанов Ю. А. Влияние у-облучения на кинетику фотолюминесценции пористого кремния У/ ФТП. 1999. — Т. 33, вып. 12. — С. 1462 — 1464.
- Ушаков В.В., Дравин В. А., Мельник НН. Караванский В. А., Константинова Е. А., Тимошенко В.КХ Радиационная стойкость пористого кремния // ФТП. 1997. -Т. 31, № 9. -С. 1126- 1129.
- Куликов А.В., Перевощиков В. А., Скупов В. Д. и др. Низкотемпературное радиационно-стимулированное геттерирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23, вып. 13. — С. 27 — 31.
- Перевощиков В. А., Скупов В. Д. Дальнодействующее геттерирование микродефектов в монокристаллах кремния при формировании на их поверхности слоев пористого кремния и ионном облучении //Письмав ЖТФ. 1999. — Т.25, вып. 8. — С. 50−54.
- Maurice J.-L., Riviere A., Alapini A., Levy-Clement С. Electron beam irradiation of n-type porous silicon obtained by photoelectrochemical etching // Appl. Phys. Lett. -1995. Vol. 66, Jfe 13. — P. 1665 -1667.
- Костишко Б.М., Орлов AM., Фролов В. А. Энергия активации электронно-стимулированного гашения фотолюминесценции пористого кремния п-типа // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23, № 18. — С. 44 — 50.
- Костишко Б.М., Орлов A.M. Влияние последовательного электронного и лазерного облучения на фотолюминесценцию пористого кремния // ЖТФ. 1998. -Т. 68, № 3.- С. 58−63.
- Костишко Б.М., Нагорнов Ю. С. Механизмы гашения фотолюминесценции пористого кремния электронным облучением различной интенсивности // Письма в ЖТФ. 2001. — Г. 27, вып. 19. — С. 58 — 65.
- Calliari L., Anderle М., Ceschini М. et al. Electron bombardment effects on light emitting porous silicon // J. ofLumin. 1993. — V. 57. — P. 83 — 87
- Бучин Э.Ю., Проказников А. В., Чурилов А. Б., Образцова Е.Д, Ушаков В. В. Особенности формирования пористого кремния при механической деформации // Микроэлектроника. 1996. — Т. 25, № 4. — С. 303 — 310.
- Dolino G., Bellet D. Strain in porous silicon / Edited by Canham L. Properties of porous silicon. DERA, Malvern, UK 1997. -P. 318 -123.
- Компан M.E., Кузьминов Е. Г., Кулик В. Б., Новак И. И., Беклемышев В. И. Обнаружение сжатого состояния материала квантовых проволок пористого кремния методом комбинационного рассеяния света// Письма в ЖЭТФ. 1996. — Т. 64, вып. 10. — С. 695−700.
- Холявкин М.Н., Заводинский В.Г, Влияние одноосного сжатия на упругие свойства и электронную структуру кремниевых наяочастиц, терминированных водородом / Молодежная конференция по физике полупроводников, 1999. С. Пб. С. 101.
- Зимин С.П., Комаров Е. П. Конструктивные особенности тензорезистивных датчиков и MSM фотопреобразователей на основе пористого кремния / Тезисы VII Всеросс. науч.-технич. конф. «Датчик-95″. 1995. — Крым, Россия. — С. 492−493.
- Гусев С.А., Короткова Н. А., Розенштейн Д. Б., Фраерман А. А., Шенгуров В. Г. Получение и исследование ферромагнитных нитей в матрице пористого кремния // Письма в ЖТФ. 1994. — Т. 20, вып. 11. — С. 50 — 53.
- Balagurov L.A., Yarkin D.G., Petrova Е.А. Electronic transport in porous silicon of low porosity made on p+ substrate // Materials Science and Engineering. 2000. — Vol. B69−70.-P. 127−131.
- Батавин B.B., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. -М.: Радио и связь, 1985. 264с.
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1975. — 206с.
- Малышев В.А. Оценка качества четырехзондовой головки для измерений поверхностного сопротивления // Зав. лаб. 1983. — № 9. — С. 60−63.
- Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990, — 264с.
- Орлов А.М., Скворцов А. А., Клементьев А. Г. л др. Адсорбционные изменения на поверхности пористого кремния в процессе естественного и высокотемпературного старения // Письма в ЖТФ. 2001. — Т.27, вып.2. — С. 76 — 83
- Попов В.Ф., Горин Ю Н. Процессы и установки электронно-ионной технологии.- М.: Высшая школа, 1988. 255с.
- Коноплева Р.Ф., Литвинов В. Л., Ухин Н. А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. М.: Атомиздат, 1971.- 176с.
- Вавилов B.C., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С. Действие излучений на полупроводники. -М.:Наука, 1988. 192с.
- Дайчик М.Л., Пригоровский Н. И., Хуршудов Г. Х. Методы и средства натурной тензометрии. -М.: Машиностроение, 1989. -267с.
- Wagner P., Hage J. Thermal double donors in silicon //Appl Phys. A. 1989. — V. A49. — P. 123 -138.
- Pearton S.J., Corbett J.W., Shi T.S. Hydrogen in crystalline semiconductors // Appl. Phys. A. 1987. — Vol. 43. — P. 153 — 195.
- Juretschke H. J., Landauer R., Swanson J. A. Hall effect and conductivity in porous media// J. Appl. Phys. 1956. — Vol.27, № 7. — P.838 — 839.
- Зи С М. Физика полупроводниковых приборов. -M: Мир, 1984. 456 с.
- Kaiser W., Frisch H.L., Reiss Н. Mechanism of the formation of donor states in heat-treated silicon //Phys. Rev. 1958. — V.112. — P. 1546- 1552.
- Pesola M., Boehm J., Nieminen R.M. Vibration of» the interstitial oxygen pairs in silicon // Phys. Rev. Lett. 1999. — Vol. 82, № 20. — P. 4022 — 4025.
- Pesola M., Lee Y. J., Boehm J., Kaukonen M., Nieminen R. M. Structures of thermal double donors in silicon // Phys. Rev. Lett. -2000. Vol. 84, № 23. — P. 5343 — 5346.
- Cazcarra V, Zunino P. Influence of oxygen on silicon resistivity U J. Appl. Phys. -1980,-V.51.-P. 4206−4209.
- Батавин B.B., Сальник З. А. Природа термодоноров в кремнии, содержащем кислород // Неорганические материалы. 1982. — Т.18, вьш.2. — С.185 — 191.
- Неймаш В.Б., Сирацкий В. М., Крайчинский А. Н. и др. Электрические свойства кремния, термообработанного при 530 °C и облученного электронами // ФТП. -1998. -Т.32, № 9. С. 1049−1053.
- Бабич В.М., Баран Н. П., Доценко Ю. П., Зотов К. И., Ковальчук В. Б., Максименко В. М. Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже 550 °C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского У/ ФТП. 1992. — Т.26, вып. 3. — С, 447−453.
- Вавилов B.C., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. -М.: Наука, 1990. 216с.
- Курова И.А., Мелешко Н. В., Ларина Э. В., Хлебникова О.П, Громадин АЛ. Влияние высокотемпературного отжига на электрические и фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H, легированных фосфором/У ФШ -1996. Т. 30, вып. 1. -С. 12- 16.
- Антонова И.В., Стась В. Ф., Попов В. П., Ободников В. И. Гутаковский А.К. Проводимость структур кремний-на-изоляторе, полученных сращиванием пластин кремния с подложкой с использованием имплантации водорода II ФТП. 2000. — Т. 34, вып. 9.-С. 1095−1098.
- Винке А.Л., Зимин СЛ., Палашов В. Н. Патент РФ № 2 054 746, приоритет 13.01.93, зарегистрировано 20.02.96.
- Robinson MB., Dillon A.C., Haynes D.R., George S.M. Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl Phys. Lett. 1992. -Vol. 61, № 12.-P. 1414−1416.
- Buuren Т., Tiedje Т., Patitsas S.N. Effect of thermal annealing of conduction-and valence-band quantum shifts in porous silicon П Physical Review B. 1994. — Vol. 50, № 4.-P. 2719−2722.
- Ельцов K. H, Караванский B.A., Мартынов B.B., Модификация пористого кремния в сверхвысоком вакууме и вклад нанокристаллитов графита в фотолюминесценцию // Письма в ЖЭТФ. 1996. — Т. 62, вып. 2. — С. 106 — 111.
- Polisski G., Kovalev D., Dollinger G., Suiima Т., Koch F. Boron in mesoporous Si -where have all the carriers gone? // Physica B: Condensed Matter. 1999. — Vol. 273 -274, № 1−4.-P. 951 -954.
- Комаров Е.П. Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористог кремния различной морфологии и пористости I Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Ярославль, 2002. — 23с
- Kurmaev E.Z., Galakhov V.R., Shamin S.N., Hummel R.E., Ludwig M.H. Local structure of porous silicon studied by means of X-ray emission spectroscopy // Appl. Phys. A. 1997. — Vol. 65. — P. 183 — 189.
- Курова И.А., Ормонт H.H., Теруков Е. И., Трапезникова И. Н., Афанасьев В. П., Гудовских АС. Электрические л фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si:H и влияние на них термического отжига // ФТП. 2001. — Т. 35, вып. 3. — С. 367 — 370.
- Курова И. А, Ларина Э.В., Ормонт Н. Н., Сенашенко Д. В. Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si:H при повышенных температурах 1J ФТП 1997. — Т. 31, № 12.-С. 1455- 1459.
- Курова И.А., Ормонт Я. Н., Голикова О. А., Казанин М. М. Релаксация фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H, выращенных при высоких температурах // ФТП. 1998. — Т. 32, вып. 10. — С. 1269 — 1271.
- Курова И. А., Ларина Э. В., Ормонт Н. Н. Особенности релаксации термоиндуцированных и фотоиндуцированных метастабильных состояний в пленках a-Si:H
- // ФТП. 2000. — Т. 34, вып. 3. — С. 364 — 368.
- Курова И.А., Лупачева АН., Мелешко Н. В., Ларина Э. В. Влияние теплового отжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H // ФТП. 1994.-Т.28,№ 6.-С. 1092- 1096.
- Yang S.H., Lee С. Mechanism of high temperature conductivity kinks in hydrogenated amorphous silicon // Philosophical Magazine B. 1986. — Vol. 53, № 4. -P. 293 — 300.
- Zellama K., Germain P., Picard C., Bourdon B. A theoretical study of hydrogen exodiffusion in a~Si:H, comparison with conductivity measurements // Journal de Physique Colloque C4. 1981. — Vol. 42. — P. C4−815 — C4−818.
- Курова И.А., Мирошник O.H., Ормонт H.H. Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H содержащих бор и фтор // ФТП. 1996. — Т. 30, вып. 4. — С. 727 — 729.
- Jackson W.B. Microscopic mechanism for dopant activation in hydrogenated amorphous silicon//Physical Review B. 1990. — Vol. 41, № 17. — P. 12 323 — 12 326.
- Голикова O A., Казанин M.M. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью // ФТП. 1999. — Т. 33, № 1. — С. 110 — 113.
- Казанский А.Г., Миличевич Е.1Т. Дефектообразование в a-Si:H при дегидрогенизации и оптической деградации I/ ФТП. 1989. — Т. 23, вып. 11. — С. 2027−2029.
- Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под ред. Дж. Джоунопулоса и Дж. Люковски. М.: Мир, 1988. — 448с.
- Аблова М.С., Куликов Г. С., Першеев С. К. метастабильные состояния нелегированного аморфного гидрогенизированного кремния, создаваемые у-облучением И ФТП 2002. — Т. 36, выл. 8. — С 1001 -1005.
- Кузнецов Н.В., Соловьев ГГ. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989. — 96с.
- Емцев В.В., Машовец Т. В., Абдусаттаров А. Г. Взаимодействие собственных точечных дефектов с примесными атомами фосфора в кремнии n-тига при электронном импульсном облучении// ФТП. 1987. — Т. 21. — С. 2106 — 2109.
- Емцев В В., Клингер П. М., Машовец Т В. Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии // ФТП. 1991. -Т. 25, вып. 1. — С. 45−49.
- Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига А-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах п-кремния 11 ФТП. 2002. — Т. 36, вып. 10.-С. 1159−1162.
- Конозенко И.Д., Семенюк АХ, Хиврич В.И. Радиационные дефекты в кремнии. К.: Наукова думка, 1974. — 200с.
- Левчук Л.В., Галушка А. П., Конозенко И. Д. Материалы симпозиума «Радиационные дефекты в полупроводниках», Минск, БГУ, 1972. С. 76 -77.
- Шнайдер У., Шредер Б. Метастабильные дефекты в гидрированном аморфном кремнии, создаваемые электронным облучением / В кн.: Аморфный кремний и родственные материалы. Под ред. Фрицше X. М.: Мир, 1991. — С. 290 — 314.
- Казанский А.Г., Король А. С., Мшшчевич Е. П., Чукичев М. В. Влияниеоблучения электронами на фотопроводимость аморфного гидрогенизированного -jкремния // ФТП. 1986. — Т. 20, вып. 9. — С. 1594 — 1597. j
- Street R., Biegelsen D., Stuke J. Detect in bombarded amorphous silicon // Philosophical Magazine В. 1979. — Vol. 40, № 2. — P. 451 — 464.
- Voget-Grote U., Kummerle W., Fischer R., Stuke J. The influence of spin defect on recombination and electron transport in amorphous silicon // Philosophical Magazine B. -1980.-Vol. 41, № 1,-P. 127−140.
- Кашкаров ПК. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах // Соросовский образовательный журнал. 1999. — № 1. — С. 105 -112.
- Бару В.Г., Волькенштейн Ф. Ф., Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978. — 360с.
- Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. -М.: Наука, 1981. 368с.
- Вавилов B.C., Ухин Н. А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. — 312с.
- Yacobi B.G., Roedern В. Electrical conductivity of electron-irradiated hydrogenated amorphous silicon// J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 59. — P. 2590−2591.
- Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Effect of electron irradiation on the dark and photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon // Phys. Rev. B. 1981. -Vol. 24.-P. 7443−7446.
- Navkhandewala R.V., Narashimhan K.L., Guha S. Electron irradiation in hydrogenated silicon// J. DePhysique. 1981. — Vol. 42. — P. C4−803 -C4−806.
- Голикова О.А. Дефекты в пленках a-Si:H, наведенные ионной имплантацией кремния //ФТП. 1999. -Т.ЗЗ, вып. 4. — С. 464 — 467.
- Ильинская Л.С., Подмарьков А. Н. Полупроводниковые тензодатчики. М.-Л.: Энергия, 1966.- 119с.
- Запорожский В.П., Лапшинов Б. А. Обработка полупроводниковых материалов. -М.: Высш. шк., 1988. 184с.
- Захаров Н.П., Багдасарян А. В. Механические явления в интегральных структурах. М.: Радио и связь, 1992. — 144с.
- Бочкин О.И., Брук В. А., Никифорова-Денисова С.Н. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высш. шк, 1977. — 152с.
- Бир ГЛ., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. -М.: Наука, 1972. 584с.
- Астрова Е.В., Ремешок А. Д., Ткаченко А. Г., Шульпина И. Л. Неразрушающий контроль микроканального (макропористого) кремния с помощью рентгеновской топографии // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, вып. 24. — С. 31 — 38.
- Астрова Е.В., Ратников ВВ., Ременюк АД., Ткаченко А. Г., Шульпина И. Л. Рентгенодифракционное исследование реальной структуры микроканального кремния // Письма в ЖТФ. 2001. — Т. 27, вып. 2. — С. 1 — 8.
- Астрова Е.В., Ратников В. В., Ременюк А. Д., Шульпина ИЛ. Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния Н ФТП. 2002. — Т. 36, вып. 9. — С. 1 111 — 1121.
- Антипов С.А., Батаронов И. А., Дрожжин А. И., Ращупкин А. М. Изменение электросопротивления тензорезисторов при изгибе // ФТП. 1993. — Т. 27, вып. 6. -С. 937 — 943.
- Gleskova Н., Wagaer S., Suo Z. a-Si:H thin film transistors after very high strain // J. of Non-Crystalline Solids. 2000. — Vol. 266 — 269. — P. 1320 — 1324.