Моделирование процессов транспорта и эмиссии электронов при заряжении поверхности диоксида кремния электронным пучком
Диссертация
Расчеты, выполненные методом Монте-Карло, адаптированном к физической модели, учитывающей заряжение приповерхностного слоя Si02 при электронной бомбардировке, позволили обнаружить существенное влияние электрического поля на параметры ЭРЭ в тех областях приповерхностного слоя, где напряженность F (x) достигает максимальных значений. При малых величинах F (x) определяющее воздействие на параметры… Читать ещё >
Список литературы
- Кортов В. С., Слесарев А. И., Рогов В. В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Наукова думка, 1986. 176 с.
- Шульман А. Р., Фридрихов С. А. Вторично-электронные методы исследования твердого тела. Изд. Наука, Москва, 1977. 551 с.
- Kortov V. S. Electron Transport Problem in Exoelectron Emission Mechanism. Proc. 9th Int. Symp. on Exoelectron Emission and Applications, Wroclaw, 1988. pp. 5−19.
- Fitting H.-J., Hecht D. Secondary Electron Field Emission. Phys. Stat. Sol. (a) 108, 265 (1988). pp. 265−273.
- Fischetti M. V., DiMaria D. J., Brorson S. D" Theis T. N. Kirtley J. R. Theory of High-Field Electron Transport in Silicon Dioxide. Phys. Rev. В v. 31 № 12, 1985. pp. 8124−8142.
- Крамер И. Применение остриевого счетчика и счетной трубки при поверхностных металлографических исследованиях. Сб. статей под ред. Кобозева Н. И. «Экзоэлектронная эмиссия», изд. ИЛ, Москва, 1962. с. 9−33.
- Kortov V. S., Mazurenko V. G. Multiphonon Processes in Exoelectron Emission Mechanisms. Proc. IIth Symp. Exoelectron emission and Applications, Glucholazy, 1994. pp. 13−22.
- Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W" Franke M., Miiller W. Electronen-strahlinduzierte Ladungstansport in Si02 schichten. Exper. Tech. Phys. v. 27 № 13, 1979. pp. 13−24.
- Fitting H.-J. Elektronenstrahlinduzierte Ladungstrager in Festkorper-targets. Dissertation zur Erlangung des Akademischen Grades Doktor der Wissenschaften. Wilhelm-Pieck Universitat, Rostock, 1978. 196 s.
- Исаков В. Г., Скотников В. А., Кортов В. С. Машинное моделирование зарядового состояния приповерхностного слоя при электронной бомбардировке. «Радиационно-стимулированные явления в твердых телах». Межвуз. сб., Свердловск: УПИ, 1988. с. 74−80.
- Зацепин А. Ф., Кортов В. С., Тюков В. В., Черлов Г. Б. Индуцированное электронной бомбардировкой заряжение приповерхностных упруго деформированных слоев диоксида кремния. Поверхность, № 4, 1991. с. 150−152.
- Кортов В. С., Слесарев А. И. Оценка величины изгиба зон вблизи поверхности ВеО из измерений термостимулированной электронной эмиссии. Физ. тв. тела, 1975. Т. 17. № 3. с. 926−927.
- Нассенштейн Г. Электронная эмиссия с поверхности твердого тела после механической обработки и облучения. // Экзоэлектронная эмиссия: сб. статей. М.: ИЛ, 1962. с. 72−95.
- Богун А., Дольежи Дж. Экзоэлектронная и термоэлектронная эмиссия с некоторых галоидных соединений. // Экзоэлектронная эмиссия: сб. статей. М.: ИЛ, 1962. с. 216−234.
- Brunsmann U., Scharmann A. Thermally Stimulated Exoelectron Emission of NaF. Electron Bombardment and Exoelectron Energy Investigation. Phys. Stat. Sol. (a) v. 43 № 2, 1977. pp. 519−528.
- Drenckhan S., Gross H., Glaefeke H. The Mechanism of Exoelectron Emission after Excitation with Electrons. Phys. Stat. Sol. (a) v. 2 № 1, 1977. pp. K51-K54.
- Кяэмбре X. Ф. Процессы экзоэмиссии ионных кристаллов. Дисс. докт. физ.-мат. наук: 01.04.07. Тарту: Ин-т физики АН СССР, 1990. 231 с.
- Колбановский Ю. А., Полак JI. С., Хаит Ю. Л., Шифрин В. П. Об одной физической модели экзоэлектронной эмиссии с поверхности катализаторов. Кинетика и катализ, 1973. Т. 14. № 3. с. 702−708.
- Fitting H.-J., Glaefeke Н., Wild W., Lange J. Energy and Angular Distribution of Exoelectrons. Phys. Stat. Sol. (a) v. 42 № 1, 1977. pp. K75-K77.
- Kortov V. S., Zolnikov P. P. Computation of the Energy and Angular Distribution of Exoelectrons by the Monte-Carlo Method. Phys. Stat. Sol. (a) v. 31 № 3, 1975. pp. 331−339.
- Кортов В. С., Исаков В. Г. Особенности формирования энергоспектров экзоэлектронов термостимулированной экзоэмиссии диэлектриков. Изв. АН СССР сер. физич. Т. 46 № 7, 1982. с. 1401−1406.
- Парилис Э. С. Эффект Ожэ. Ташкент: Фан, 1969. 210 с.
- Толпыго Е. И., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Оже-рекомбинация с участием носителей, связанных на различных центрах. Физ. тв. тела. Т. 7. № 6. 1965. с. 1790−1794.
- Толпыго Е. И., Толпыго К. Б., Шейнкман М. К. Оже-механизм электронной эмиссии из полупроводников и диэлектриков. Изв. АН СССР. Сер. физ. Т. 30. № 12. 1966. с. 1901−1905.
- Bichevin V., Kaambre Н. A Possible Manifestation of Auger Processes in Thermostimulated Electron Emission. Phys. Stat. Sol. (a) v. 4 № 3, 1971. pp. K235-K238.
- Соркин Б. А., Бичевин В. В., Кяэмбре X. Ф. Дырочно-индуцированная экзоэлектронная эмиссия. Изв. АН СССР. Сер. физ. Т. 46. № 7. 1982. с. 1407−1411.
- Kortov V. S., Shifrin V. P. Exoemission Properties of Zr02 Phys. Stat. Sol. (a) v. 25 № 2, 1974. pp. 377−385.
- Кортов В. С., Шифрин В. П., Гаприндашвили А. И. Экзоэлектронная спектоскопия полупроводников и диэлектриков. Микроэлектрон., вып. 8, 1975. с. 28−49.
- Bichevin V., Kaambre Н. Low-Temperature Thermo- and Photostimulated Exoemission (TSEE & PSEE) of KBr. Phys. Stat. Sol. (a) v. 115 № 1, 1989. pp. K109-K111.
- Gerasimov А. В., Dolidze G. M., Mizandari L. A., Tsertsvadze A. A. On the Physical Mechanism of Exoelectron Emission. Phys. Stat. Sol. (a) v. 35 № 2, 1976. pp. K131-K134.
- Бичевин В. В., Кяэмбре X. Ф. Электронная эмиссия при рекомбинации дефектов Френеля. Письма в ЖЭТФ. Т. 44, вып. 4. 1986. с. 177−179.
- Крылова И. В. Физико-химический механизм экзоэмиссии с возбужденной поверхности металлов и окислов. Активная поверхность твердых тел: Сб. статей. М.: Изд-во АН СССР, 1976. с. 22−34.
- Крылова И. В. Экзоэмиссия. Химический аспект. Успехи химии. Т. 55. № 12. 1976. с. 2138−2167.
- Демков Ю. Д., Островский В. И. Метод потенциалов нулевого радиуса в атомной физике. JL: Изд-во Ленингр. ун-та. 1975. 240 с.
- Кестер Г., Яссиевич И. Н. Термостимулированная эмиссия электронов в изоляторах. ФТТ, т. 25, № 6, 1983. с. 1855−1857.
- Мазуренко В. Г., Кортов В. С. О влиянии локализованных колебаний на процессы рассеяния электронов в диэлектриках. ФТТ, т. 35, № 11, 1993. с. 2965−2971.
- Вайнштейн И. А. Локализованные колебания и транспорт электронов в процессах экзоэмиссии кристаллов MgO. Дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. Екатеринбург, 1997. 125 с.
- Займан Дж. Электроны и фононы. Явления переноса в твердых телах. М.:ИЛ, 1962. 507 с.
- Llacer J., Garwin Е. L. Electron-Phonon Interaction in Alkali Halides: I. The Transport of Secondary Electrons with Energies between 0.25 and 7.5 el/. J. Appl. Phys. v. 40, № 7, 1969. pp. 2766−2775.
- Sparks M., Mills D. L., Warron R., Holstein Т., Maradudin A. A., Sham L. J., Loh E. jr., King D. F. Theory of electron-avalanche breakdown in solids. Phys. Rev. (b), v. 24 № 6, 1981. pp. 3519−3536.
- Fischetti M. V. Monte-Carlo Solution to the Problem of High-Field Electron Heating in Si02. Phys. Rev. Lett. v. 53 № 18, 1984. pp. 17 551 758.
- Kortov V., Isakov V., Gaprindashvily A., Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W. Untersuchung des Austritts von Exoelektronen aus geladenen Isolatorschichten mit Hilfe des Monte-Carlo-Verfahrens. Phys. Stat. Sol. (a) v. 54 № 4, 1979. pp. 633−638.
- Добрецов JI. H., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. 564 с.
- L. Malter. Phys. Rev. v. 49, 1936. p. 478.
- Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W. Electron Penetration and Energy Transfer in Solid Targets. Phys. Stat. Sol. (a) v. 43 № 1, 1977. pp. 185 190.
- Fitting H.-J. Transmission, Energy Distribution and SE Excitation of Fast Electrons in Thin Solid Films. Phys. Stat. Sol. (a) v. 26, 1974. pp. 525−535.
- Alig R. C., Bloom S. Electron-hole-pair creation energies in semiconductors. Phys. Rev. Lett. v. 35, 1975. pp. 1522−1525.
- Fitting H.-J., Friemann J.-U. Monte-Carlo studies of the electron-mobility in Si02. Phys. Stat. Sol. (a) v. 69, 1982. pp. 349−358.
- Fitting H.-J., Boyde J. Monte-Carlo calculation of electron attenuation in Si02. Phys. Stat. Sol. (a) v. 75, 1983. pp. 137−142.
- Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W., Neumann G. Multiple-scattering of Fast Electrons and Their Secondary Electron Generation within Semi-infinite Targets. Jr. of Physics D Appl. Phys. 9 (17), 1976. pp. 24 992 510.
- Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W. Creation Energies for Secondary Electrons. Kristall und Technik-Crystal Research and Technology, 14 (3), 1979. pp. K13-K17
- Ning Т.Н. High-Field Capture of Electrons by Coulomb-Attractive Centers in Silicon Dioxide. J. Appl. Phys, 47. 1976. pp. 3203−3208.
- Fitting H.-J., Glaefeke H., Wild W. Attenuation length and escape depth of excited electrons in solids. Surf. Sci., v. 75, 1978. pp. 267−278.
- Hughes R. C. Hole Mobility and Transport in Thin Si02-films. Appl. Phys. Lett. v. 26, 1975. pp. 436−438.
- Frenkel J. Phys. Rev., v. 54. 1938. p. 647.
- O’Dwyer J. J. The Theory of Electrical Conduction and Breakdown in Solid Dielectrics. Clarendon Press, Oxford. 1973.
- Wild W. Dissertation zur Prom. B, Rostock. 1977.
- Lenzlinger M., Snow E. H. Fowler-Nordheim Tunneling Into Thermally Grown Si02. J. Appl. Phys, 40. 1969. p. 278.
- Powell R. J. Radiation-Induced Hole Transport and Electron Tunnel Injection in Si02-films. IEEE Trans. Nuclear Sci., 22, 1975. pp. 22 402 246.
- Glaefeke H., Jakowski M., Schmidt M. etc. About the Mechanism of TSEE of Insulator After Excitation by Electron. Proc. 4th Intern. Symp. on EEE and Dosimetry. Liblice, 1973. p. 114−117.
- Исаков В. Г. Исследование методом Монте-Карло энергетического и углового распределений экзоэлектронов. Дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. Свердловск, 1978. 174 с.
- Kortov V. S., Isakov V. G., Glaefeke H., Fitting H.-J. Energy Distribution of Exoelectrons from NaCl (111) and (100) Surfaces. Phys. Stat. Sol. (a) v. 73, 1982. pp. K275-K278.
- Watanabe Y., Takemoto Y., Kubozoe Т., Mukoyama T. Monte-Carlo Calculations of the Energy Distribution of Exoelectrons. Phys. Stat. Sol. (a) v. 61, 1980. pp. 221−229.
- Ferry D. K. Transport of Electrons in S/O2 at High Electric Fields. Inst. Phys. Conf. Ser. № 43, 1979. pp. 801−804.
- Фурсей Г. H., Львов О. И. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. Изд. «Наука», Москва, 1971.
- Фишер Р., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников: Новое в исследовании автоэлектронной эмиссии полупроводников. Пер. с нем.- С доп. обзором Г. Н. Фурсея и О. И. Львова / Под общ. ред. И. Л. Сокольской. М.: Наука, 1971. 215 с.
- Фурсей Г. Н. Автоэлектронная эмиссия. Сорос, образ, ж. 2000. Т. 6, № 11. с. 96−103.
- Соболь И. М. Метод Монте-Карло. М.: Наука, 1985. 120 с.
- Исаков В. Г., Кортов В. С. Использование метода Монте-Карло для расчета энергетического и углового распределений электронов эмиссии. Межв. сб. «Физические методы исследования твердого тела». Изд. УПИ, г. Свердловск, вып. 2. 1977.
- Михайлов Г. А. Оптимизация весовых методов Монте-Карло. М.: Наука, 1987. 85 с.
- Wild W., Glaefeke Н. On the Spatial Resolving Power of the Trap Distribution Analysis by TSEE Spectroscopy. Phys. Stat. Sol. (a) v. 27 № 2, 1975. K93-K94.
- Лейпунский О. И., Новожилов Б. В., Сахаров В. Н. Распространение гамма-квантов в веществе. Физматгиз, Москва. 1960. 140 с.
- Толмачев А. И. О законе косинуса для угловых распределений при различных видах электронной эмиссии. Ж. «Техническая физика», т. 47, № 5, 1977. с. 1045.
- Главатских И. А. Роль индуцированных токов в заряжении диэлектриков при электронной бомбардировке. Научные труды I отчетной конференции молодых ученых УГТУ-УПИ. Екатеринбург, 2001. Сборник тезисов, часть 1, с. 299.
- Fitting H.-J., Glavatskikh I. A., Kortov V. S. Modellation of Self-consistent Electrical Charging of Insulating Layers. Proceedings of 4th International Conference on Electrical Charges in Non-conductive Materials. France, 2001. pp. 104−107.
- Fitting H.-J., Magdanz P., Mehnert W" Hecht D., Hingst Th. Charge Trap Spectroscopy in Single and Multiple Layer Dielectrics. Phys. Stat. Sol. (a) v. 122, 1990. pp. 297−309.
- Schmidt M" Koster H. Jr. Phys. Halbleiteroberfl, 19. 1988. p. 119.
- Witham H. S., Lenahan P. M. The Nature of the Deep Hole Trap in MOS Oxides. IEEE Trans. Nuclear ScL, 34. 1987. pp. 1147−1151.
- Hollinger G., Himpsel F. J. Probing the Transition Layer at the Si02-Si Interface Using Core Level Photoemission. Appl. Phys. Letters, 44. 1984. pp. 93−95.
- Glavatskikh I. A., Kortov V. S., Fitting H.-J. Self-consistent Electrical Charging of Insulating Layers and Metal-Insulator-Semiconductor Structures. J. Appl. Phys., vol. 89, № 2, 2001. pp. 440−448.
- Hingst Th., Hubner M., Franz R., Kuhr J.-Ch., Fitting H.-J. High-Field EBIC by Computer Controlling. Microelectronic Engineering, 24. 1994. pp. 181−188.
- Главатских И. А., Исаков В. Г. Моделирование напряженности электрического поля в диэлектрике при электронной бомбардировке.10я Международная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов. Томск, 1999. с. 123−125.
- Fitting H.-J. Exoelectron Emission Due to Relaxation Processes at Surface. Phys. Stat. Sol. (a) v. 63 № 1, 1984. K47-K50.
- Исаков В. Г., Кортов В. С., Главатских И. А. Процессы транспорта и оценка глубины выхода электронов экзоэмиссии. Международная конференция «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии». Ташкент, 1997. с. 103.
- Bichevin V., Kaambre H. A Possible Manifestation of Auger Processes in Thermostimulated Electron Emission. Phys. Stat. Sol. (a), 1971, Vol. 4, № 3. pp. K235-K238.
- Biersack J. P., Santner E. Sputtering of Alkali Halides Under Ion Bombardment. Nuclear Instruments a. Methods, 1982, Vol. 198, № 1. pp. 29−32.
- Brunsmann U., Scharmann A. Thermally Stimulated Exoelectron Emission of NaF. Electron Bombardment and Exoelectron Energy Investigations. Phys. Stat. Sol. (a), 1977, Vol. 43, № 2. pp. 519−528.
- Fitting H.-J., Boyde J., Reinhardt J. Monte-Carlo approach of electron emission from Si02. Phys. Stat. Sol. (a) v. 81 № 1, 1984. p. 323−332.
- Кортов В. С., Шабанова И. Н., Зацепин А. Ф. Радиационные повреждения поверхности окисных диэлектриков, облученных быстрыми нейтронами. Поверхность. Физика, химия, механика. № 2, 1983. с. 110−114.
- Алукер Э. Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждение и радиолюминесценция щелочно-галлоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с.
- Попов В. В., Кортов В. С., Калентьев В. А. Термостимулированная экзоэмиссия монокристаллов LiF при низких температурах. Изв. АН СССР сер. физич. Т. 46 № 12, 1982. с. 2358−2360.
- Алукер Э. Д., Нестерова С. Н., Нечаев А. Ф. Влияние поверхности на объемную радиолюминесценцию щелочно-галлоидных кристаллов. ФТТ, т. 30, № 4, 1988. с. 1028−1033.
- Fitting H.-J., Glaefeke Н., Wild W. etc. Electron beam excited exoelectron emission from Al203 and Si02. Proc. 6th Intern. Symp. on EEE and Applications. Rostock, 1979. p. 169−180.
- Gerasimov А. В., Merkin M. M., Tsertsvadze A. A. Calculation of the Exoelectron Energy Spectrum for NaCl. Phys. Stat. Sol. (b), 1983, Vol. 120, № 2. pp. 711−714.
- Исаков В. Г., Кортов В. С., Главатских И. А. Программное обеспечения для экзоэмиссионной дефектоскопии, ж. «Дефектоскопия», № 12, 1998. с. 14−26.
- Кортов В. С., Слесарев А. И., Исаков В. Г. Возможности применения эмиссионного сканирующего дефектоскопа. XIII Научно-техническая конференция «Неразрушающие физические методы и средства контроля», С. Петербург. 1993. с. 93.
- Кортов В. С., Исаков В. Г., Слесарев А. И., Хрусталев А. Б., Тимофеев Ю. Ю., Кибирев Г. И. Экзоэмиссионная компьютерная топография: аппаратурная реализация и возможность практического применения, ж. «Дефектоскопия», № 1, 1996. с. 50−59.
- Kortov V. S., Slesarev A. I., Isakov V. G., Timofeev Yu. Yu., Khrustalev А. В., Kibirev G. I. Exoemission Tomograph: Utopia or
- Reality? Sci. Rep. of the Tech. Univ. of Opole, Ser. Physics. Vol. 14 № 207, 1994. pp. 487−493.
- Тале И. А., Кортов В. С., Попов В. В. Экзоэлектронная и люминесцентная спектроскопия электронных ловушек при фракционном нагреве. Изв. ВУЗов. Физика. 1982. № 1. с. 89−90.
- Бичевин В. В. Связь пиков ТСЭЭ и TCJI с параметрами кинетики. Радиационно-стимулированные явления в твердых телах. Свердловск, 1983. с. 30−36.
- Александов А. Б., Алукер Э. Д., Васильев И. А., Нечаев А. Ф., Чернов С. А. Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочно-галлоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1989. 244 с.
- Исаков В. Г., Мусихин М. П., Попов Н. В. О возможности создания экспертных систем для исследования эмиссионных свойств диэлектриков. Тезисы докладов 5 Всероссийского семинара «Нейро-информатика и ее приложения». Красноярск, 1997. с. 92.
- Исаков В. Г., Главатских И. А., Кортов В. С. Нейросетевой эксперт для ТСЭЭ диэлектриков. 2-я Всероссийская научно-техническая конференция «Нейроинформатика-2000″. Сборник научных трудов. Часть 2. Москва, 2000. с. 65−70.
- Isakov V. G., Glavatskikh I. A. On Principles of Creating a Neuronet Expert System For Analysis of TSEE Curves of Dielectrics. Proceedings of the 2>th International Symposium on Exoemission and Related Relaxation Phenomena, Latvia, 2000. pp. 240−243.
- Кречетов H. В., Иванов П. С. Продукты для интеллектуального анализа данных. Computer Week Moscow № 14, 1997. с. 32−39.
- Исаков В. Г., Главатских И. А., Опалев С. В. Компьютерное учебное пособие „Нейрокомпьютер и обучение нейронных сетей VI Всероссийский семинар „Нейроинформатика и ее приложения“. Тезисы докладов. Красноярск, 1998. с. 56.
- Исаков В. Г., Кортов В. С., Русских А. В., Попов Н. В. О возможности программного имитатора нейронных сетей SNNS. VI Всероссийский семинар „Нейроинформатика и ее приложения“. Тезисы докладов. Красноярск, 1998. с. 80.
- Монахов А. В. Кинетические закономерности термостимулирован-ной экзоэмиссии оксида магния. Дисс. канд. физ.-мат. наук 01.04.07. Екатеринбург, 1992. 230 с.
- Исаков В. Г., Попов Н. В., Мусихин М. П. Создание баз данных для ТСЭЭ диэлектриков MgO, ВеО. Вестник № 4 УГТУ-УПИ. Тезисы докладов Всероссийской научно-практической конференции. Екатеринбург, 1997. с. 64, 65.
- Главатских И. А., Исаков В. Г., Кортов В. С. Обработка информации и анализ экспериментальных данных программой SPARK. IV Всероссийский семинар „Нейроинформатика и ее приложения“. Тезисы докладов. Красноярск, 1996. с. 86.- 136
- Исаков В. Г., Кортов В. С., Главатских И. А. Компьютерная графика при многофакторном эксперименте. Вторая Всероссийская НТК „Электроника и информатика 97″. Москва, 1997. с. 12, 13.
- Se = %.2е BETAh = %.2е LAMBDAOh = %.0f Shh = %.2en\ HO = %.2e dH = %.Ofn“,
- StationaryState = 0- Done = 0-do {t += DT-if (!(((int) (t * 1000. + .5)) % ST)) printf („t %4.3f sn“, t)-n = 0-A1.erative loop */do {n+±A
- Фаулер Нордгейм — Танелинг */if (f2InterPtr. > l. e6) { jfn [InterPtr + 1] =8.77e—8 * SQR (f2InterPtr.) * EEXP (-2.255e8 /f2 InterPtr .)-else {jfn InterPtr + 1. = 0.- }
- EO = %3.1f keV JO = %.2e A/cm*2 Ug = %.lf V D = %.0f An“, EO, JO, UG, D) — fprintf (in,
- Sh = %.2e cm"2 BETAe = %.2e cm/V LAMBDAOe = %.0f An», SH, BETAE, LAMBDAOE) — fprintf (in,
- Se = %.2e crrT2 BETAh = %.2e cm/V LAMBDAOh = %.0f An", SE, BETAH, LAMBDAOH) — fprintf (in,
- Shh= %.2e спГ2 HO = %.2e cirT (-4) dH = %.0f An", SHH, HO, DH)-fprintf (in, «# EI = %.Of eV RSE = %.2fn», EI, RSE)-fprintf (in, «#n»)-fputs
- EO = (float) atof (argvl.) — if (! Init (cfgfile))return 1- if (file3D) {fprintf (data3d,
- EO = %3.1f keV JO = %.2e А/спГ2 Ug %.lf V D = %.0f An", EO, JO, UG, D) — fprintf (data3d,
- Sh = %.2e cm"2 BETAe = %.2e cm/V LAMBDAOe = %.0f An", SH, BETAE, LAMBDAOE) — fprintf (data3d,
- Se = %.2e cnT2 BETAh = %.2e cm/V LAMBDAOh %.0f An", SE, BETAH, LAMBDAOH) — fprintf (data3d,
- Shh= %.2e cnT2 HO = %.2e cnT (-4) dH = %.0f An", SHH, HO, DH)-fprintf (data3d, «# EI = %.0f eV RSE = %.2fn», EI, 1. RSE)-fprintf (data3d, «#n») — fputs
- X | J | E | Rho | U | Jpe | Jse | Jh | Jfn | Jg | Jpf | Jse (T) | Jse® | Jh (T) | Jh® | Jpf (T) | Jpf® | T |n", data3d)-1. Calculate () — }fclose (cfgfile)-if (file3D) fclose (data3d)-return 0-
- Пример таблицы результатов расчетаigor@sun ~/Field. ./field StopTime = 10.0, dT = 1.00e-03
- E0 = 1.0 D = 1000 JO = 1. OOe- -05 Ug = 50
- Sh = 1.00e-14 BETAe = 4.60e- 06 LAMBDAOe = 50
- StopTime=10 StopTime2=0 DT=1.Oe-3 ST=1000
- E0=1 D=1000 RSE=0.33 EI=35 UG=50
- DX=10 J0=le-5 ET=1.3 SE=1.Oe-13 SH=1.Oe-14 SHH=1.Oe-171.MBDA0E=50 LAMBDA0H=101. BETAE=4.6e-6 BETAH=8e-71. H0=le22 DH=50