Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона

Диссертация: Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Практическая значимость работы состоит в том, что предложенная технология может быть использована в качестве основы для разработки промышленной технологии получения светодиодов в УФ области. Основные этапы этой технологии могут быть также использованы при изготовлении фотоприемников, работающих в УФ диапазоне спектра. Результаты исследований представляют интерес при1 разработке технологии… Читать ещё >

Молекулярно-пучковая эпитаксия нитридов металлов для светодиодов ультрафиолетового диапазона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Свойства, применение и особенности получения нитридов металлов третьей группы
    • 1. 1. Основные свойства и применение 111-нитридов
    • 1. 2. Способы получения эпитаксиальных пленок нитридов металлов третьей группы
  • 2. Экспериментальные методики и постановка экспериментов
    • 2. 1. Конструктивные и функциональные особенности установки
  • МПЭ ЭПН
    • 2. 1. 1. Структура установки ЭПН
    • 2. 1. 2. Подготовка и проведение эпитаксиалъного роста на установке ЭПН
    • 2. 2. Конструктивные и функциональные особенности установки
  • МПЭ ШВЕЯ 32Р
    • 2. 2. 1. Структура установки ШВЕЯ
    • 2. 2. 2. Особенности использования яркостного пирометра для контроля ростового процесса в МПЭ
    • 2. 2. 3. Подготовка и проведение эпитаксиалъного роста на установке ШВЕЯ 32Р
    • 2. 2. 4. Особенности использования силана для легирования 111-нитридов кремнием в установке РИБЕР
    • 2. 2. 5. Особенности использования эффузионной ячейки в качестве источника магния
    • 2. 3. Измерение параметров эпитаксиальных структур
    • 2. 3. 1. Установка для измерения катодолюминесценции
    • 2. 3. 2. Установка для измерения электрических параметров по эффекту Холла
    • 2. 3. 3. Омические контакты к легированным слоям п- и р-типа проводимости
  • 3. Рост полупроводниковых слоев GaN, AIN и твердых растворов на их основе методом МПЭ
    • 3. 1. Начальная стадия эпитаксиального роста
      • 3. 1. 1. Эпитаксиальныйрост на Si (lll)
      • 3. 1. 2. Эпитаксиальный рост на AI2O3 (0001)
    • 3. 2. Кинетика эпитаксиального роста нитридов III группы
    • 3. 3. Кристаллические и оптические свойства короткопериодных сверхрешеток AIN/AlGaN
  • 4. Получение и свойства светодиодов с излучением в УФ области на основе гетероструктур AlGaN
    • 4. 1. Легирование сплавов AlGaN
      • 4. 1. 1. Легирование слоев AlxGaj. xN кремнием в диапазоне составов 0.56<х<
      • 4. 1. 2. Легирование слоев AJGaj. xNмагнием (0<к<0.35)
      • 4. 1. 3. Легирование и электрические свойства короткопериодных сверхрешеток
    • 4. 2. Оптические и электрические свойства светодиодов на основе КПСР, излучающих в дальней УФ области
    • 4. 3. Рост и оптические свойства квантовых точек AlGaN

Нитриды элементов III группы (далее III-нитриды), включающие три двойных соединения семейства AIN, GaN, InN и их сплавы, представляют собой широкозонные ' полупроводники с прямыми оптическими переходами и стабильными физическими и химическими свойствами. В настоящее время они считаются одними из наиболее перспективных материалов для разработки новых типов оптоэлектронных устройств, работающих в широком диапазоне длин волн от видимой до дальней УФ областей спектра, а также мощных СВЧ приборов, способных функционировать в агрессивных средах и при высоких температурах.

Несмотря на достигнутый в последние годы значительный технологический прогресс в разработке и создании эффективных светодиодов и лазерных диодов, излучающих в сине-зеленой и ближней УФ области, эффективность излучения в дальней УФ области спектра (А, < 300 нм) остается очень низкой. Однако потребность в таких светоизлучающих приборах чрезвычайно высока. К основным областям их применения можно отнести: эффективные источники белого света вместо ламп накаливания, устройства оптической записи информации повышенной плотности, приборы для микроанализа состава биологических сред и т. д.

Ключевой проблемой при получении высококачественных пленок Ш-нитридов является отсутствие подходящих подложек, имеющих соответствующие параметры кристаллической решетки и коэффициент теплового расширения. Так, традиционные подложки из сапфира и кремния, на которых выращивают слои Ш-нитридов, имеют, например, для GaN рассогласование 14% и 17% соответственно. Начальная стадия роста, на которой происходит «согласование» кристаллических решеток подложки и пленки, в этом случае оказывает решающее влияние на структурные, электрические и оптические свойства получаемых полупроводниковых слоев и гетероструктур.

Другим важным аспектом при создании светоизлучающих приборов является получение слоев AlGaN пи р-типа проводимости с высоким уровнем легирования. Однако легирование широкозонных полупроводников обычно представляет собой довольно непростую задачу. Один из путей преодоления этой трудности лежит в использовании короткопериодных сверхрешеток (КПСР). Для использования в светодиодах, излучающих в дальней УФ области спектра, КПСР должны содержать в барьерах чистый A1N и иметь период, равный всего нескольким монослоям. Рост, оптические и электрические свойства таких сверхрешеток и возможность их использования в светодиодах в настоящее время остаются практически не изученными.

Повышение эффективности излучения требует использования в активной области светодиода квантово-размерных структур — квантовых ям и точек. Если свойства квантовых ям AIGN уже довольно хорошо изучены, то в литературе совершенно отсутствует информация о получении и свойствах квантовых точек AIGN.

В настоящее время эпитаксиальные слои Ш-нитридов получают в основном методами газофазнаой эпитаксии из металлорганических соединений (МОСГЭ) и молекуляно-пучковой эпитаксии (МПЭ). Несомненно, МПЭ является одним из наиболее перспективных методов получения полупроводниковых структур с толщинами слоев, находящимися на атомном уровне. К достоинствам этого метода относятся возможность получения монокристаллов высокой чистоты (за счет проведения ростового процесса в сверхвысоком вакууме) — возможность выращивания сверхтонких слоев с резкими изменениями состава на границах (за счет относительно низких температур роста, препятствующих взаимной диффузии компонент, и практически мгновенного прерывания молекулярных потоков, поступающих на подложку) — прецизионный контроль толщин слоев на атомарном уровне (за счет высокой скорости управления потоками и относительно малых скоростей роста) — высокая однородность состава и уровня легирования вдоль поверхности структуры, in-situ диагностика роста при помощи отражательной дифракции быстрых электронов (ОДБЭ) и др.

Таким образом, разработка технологии получения УФ светодиодов на основе Ш-нитридов методом МПЭ является весьма актуальной.

Цель работы заключается в разработке технологии получения светодиодов (СД), излучающих в ультрафиолетовой области 250−350 нм, на основе Ш-нитридов методом молекулярно-пучковой эпитаксии с аммиаком. Для этого необходимо решить следующие задачи:

— исследовать эпитаксиальный рост GaN, AIN и AlGaN и получить слои высокого кристаллического качества;

— исследовать легирование слоев AlxGaixN магнием и кремнием в широком диапазоне составов х;

— исследовать влияние параметров КПСР AIN/AlGaN и AlGaN/GaN на их оптические и электрические характеристики и легирование магнием и кремнием;

— найти оптимальные условия роста множественных квантовых ям (МКЯ), приводящие к возникновению квантовых точек AlGaN, и исследовать их оптические характеристики—.

— разработать структуру СД с излучением в диапазоне 250−350 нм и исследовать оптические и электрические и характеристики полученных СД.

Научная новизна работы состоит в том, что в ней впервые:

— разработан новый метод роста высокотемпературного буферного слоя A1N на наиболее важной начальной стадии;

— определены кинетические закономерности десорбции GaN во время роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии с аммиаком;

— получены систематические данные об оптических свойствах короткопериодных сверхрешеток AIN/AlGaN в области средних составов 0.50−0.85;

— получены слои AlxGaixN: Si n-типа с высоким уровнем легирования.

IQ «i.

10 см") вплоть до состава jc~0.85, выращенные методом МПЭ с газовыми источниками аммиака и силана—.

— исследовано вхождение магния и легирование слоев AlxGaixN: Mg (0< х< 0.35) р-типа выращенных методом МПЭ с аммиаком —.

— найдены ростовые условия МКЯ, позволившие получить квантовые точки AlGaN в матрице AlGaN, и исследованы их оптические характеристики;

— получены светодиоды, излучающие в диапазоне длин волн 260 — 280 нм.

Практическая значимость работы состоит в том, что предложенная технология может быть использована в качестве основы для разработки промышленной технологии получения светодиодов в УФ области. Основные этапы этой технологии могут быть также использованы при изготовлении фотоприемников, работающих в УФ диапазоне спектра. Результаты исследований представляют интерес при1 разработке технологии получения других полупроводниковых приборов на основе нитридов III группы (например, мощных биполярных и полевых транзисторов): Основные результаты работы, выдвигаемые на защиту:

— Образование нитрида кремния, Si3N4, на поверхности кремниевой подложки до начала роста не только не препятствует, а, наоборот, способствует формированию высокотемпературного буферного слоя A1N с высоким кристаллическим совершенством. Это достигается посредством прецизионного контроля толщины SI3N4 с помощью отражательной дифракции быстрых электронов (ОДБЭ) и попеременной подачей потоков алюминия и аммиака на начальной стадии роста. 1.

— Основными факторами, определяющими десорбцию Ga в ростовых условиях, являются кинетические явления, происходящие на растущей поверхности GaN. Энергии активации десорбции Ga совпадает с энергией свободного испарения и составляет величину 3.2±0.1 эВ.

— Эффективная ширина запрещенной зоны, КПСР AlN/Alo.ogGao^N с шириной ямы 0.50 и 0.75 нм может быть изменена заданным образом с шагом 140 мэВ в диапазоне 4.50 5.30 эВ путем изменения периода от 1.25 до 2.25 нм.

— Энергия активации донорного уровня кремния в слоях AlxGaixN не зависит от состава по A1N в диапазоне 0.56<х<0.85 и составляет величину -20 мэВ. При этом максимально достижимая концентрация электронов имеет величину 1.0-^-2.5−1019 см" 3.

— Использование КПСР в приборных структурах, выращенных методом МПЭ с аммиаком, позволяет создать светодиоды с излучением в УФ диапазоне 250ч-345 нм.

— Уменьшение потока аммиака во время роста ямных слоев МКЯ ниже минимально допустимого при росте объемных слоев AlxGai. xN (0.3<х<0.45) приводит к формированию вертикально упорядоченных квантовых точек AlGaN и увеличению интенсивности люминесценции на два порядка.

Апробация работы. Основные положения работы представлены на следующих семинарах и конференциях: 7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7), Las Vegas, Nevada, USA (2007) — SPIE Photonics West Conference on Integrated Optoelectronic Devices, San Jose, CA, USA (2007) — SPIE Photonics West Conference on Integrated Optoelectronic Devices, San Jose, California USA (2006) — SPIE Optics/Photonics in Security & Defence Conference on Optically-Based Biological and Chemical Detection for Defence III, Stockholm, Sweden (2006) — 4-я Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы», ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург (2005) — MRS Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA (2005) — IV Международной конференции Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures (PLMCN4), С.-Петербург, Россия (2004) — TMS Electronic Materials Conference, University of Notre Dame, Notre Dame, Indiana, USA (2004) — MRS Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA (2003) — 5th International Conference on Nitride Semiconductors ICNS-5, Nara, Japan (2003) — MRS Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA (2002) — International Workshop on Nitride Semiconductors,.

Aachen, Germany (2002) — 4th International Symposium on Blue Lasers and Light Emitting Diodes (ISBLLED-4), Cordoba, Spain (2002) — TMS Electronic Materials Conference, Santa Barbara, USA (2002) — The 7th Wide Bandgap Ill-Nitride Workshop, Richmond, Virginia, USA (2002) — MRS Fall Meeting, Boston, Massachusetts, USA (2001) — 20th North American Conference on Molecular Beam Epitaxy (NA-MBE 2001), Providence, Rhode Island, USA (2001) — 4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4), Denver, Colorado, USA (2001) — 1 Ith EURO-MBE Workshop, Hinterzarten, Germany (2001).

Публикации. Основные материалы диссертации опубликованы в 22 научных работах, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объём диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка литературы. Материалы работы изложены на 163 страницах, содержат 66 рисунков и 3 таблицы.

Список литературы

состоит из 160 наименований.

Основные результаты работы.

1. В результате исследования нуклеации и роста буферного слоя A1N на кремниевых и сапфировых подложках установлено, что.

— образование нитрида кремния на поверхности подложки при определенных контролируемых условиях не только не препятствует, но способствует формированию высокотемпературного буферного слоя A1N высокого качества;

— оптимальная температура подложки для нуклеации роста составляет 860 °C;

— использование высокотемпературного буфера A1N при росте на сапфировых подложках позволяет получать однородные слои, имеющие полярность элемента III группы, а отсутствие буфера приводит к формированию доменов инверсной полярности.

2. Определен характер влияния на скорость роста GaN и A1N основных кинетических параметров — температуры и отношения потоков элементов III и V группы:

— на зависимости скорости роста от отношения III/V можно выделить три области с различным характером поведения: NH3-лимитирующий, III-лимитирующий и «вязкостный»;

— уменьшение скорости роста GaN с увеличением температуры связано с десорбцией;

— отсутствие зависимости скорости десорбции GaN от отношения V/III свидетельствует о том, что десорбция в данных экспериментальных условиях не укладывается в рамки термодинамического приближения.

3. Исследованы оптические и электрические свойства КПСР A1N/ Alo.osGao.92N.

Установлены следующие закономерности:

— эффективная ширина запрещенной зоны КПСР может быть плавно изменена в диапазоне 4.5−5.6 эВ с шагом 0.1 эВ при изменении периода в интервале 1.25−2.25 нм;

— в результате легирования в КПСР может быть достигнута концентрация дырок ~Ь1018 см" 3 и электронов ~Ы019 см" 3;

— слабая температурная зависимость концентрации носителей тока объясняется образованием вырожденного двумерного электронного газа в ямных слоях;

4. Изготовленный на основе КПСР A1N/ Alo.osGao.92N высокого качества р-п переход характеризуется следующими параметрами:

— напряжение отсечки — 5 В;

— обратное напряжение провбоя — 90 В;

— темновой ток обратно смещенного р-n перехода при малых напряжениях -3-Ю" 10 А/см2;

5. Исследованы оптические и электрические свойства КПСР Alo.4Gao.6N/GaN. Установлены следующие закономерности:

— в результате легирования в КПСР может быть достигнута концентрация.

17 3 18 3 дырок-5−10 см" и электронов ~Ь10 см" ;

— при постоянной толщине барьера db=5 нм изменении ширины ямы в интервале 0.6−1.5 нм вызывает линейное изменение длины волны KJI в пределах 345 — 325 нм.

6. Установлены закономерности легирования слоев AlxGai. xN кремнием:

— в легированных кремнием слоях возможно получение концентрации.

19 1 электронов >1−10 см" вплоть до составов х=0Я5 ;

— значительное уменьшение концентрации электронов в интервале х>0.85 объясняется резким возрастанием энергии активации донорного уровня от 40 до 265 мэВ;

7. Установлены закономерности легирования слоев Al0.04Ga0.90N магнием:

— концентрация введенного Mg пропорциональна потоку из эффузионной ячейки вплоть до величины 1-Ю20 см" 3.

— оптимальным с точки зрения легирования является диапазон концентрации Mg 2−7-1019 см" 3.

1 QJ.

— в области концентрации Mg больше 7−10 см" концентрация дырок падает из-за сильного возрастания эффекта самокомпенсации.

— наблюдается значительное увеличение вхождения Mg при переходе от стехиометрических условий роста V/III—1 к режиму обогащения аммиаком V/III>1.

8. С увеличением состава AlxGaixN наблюдается резкое возрастание энергии активации уровня Mg, которое для х=0.1 составляет -230 мэВ, при этом удельное сопротивление возрастает до —10 Ом-см.

9. С помощью компьютерного моделирования выполнен анализ оптических и электрических характеристик светодиодов на основе КПСР. Из расчетов следует, что наибольшей эффективностью излучения должна обладать структура типа ДГС.

10. С учётом результатов компьютерного моделирования на основе КПСР впервые получены светодиоды с излучением в УФ области спектра и изучены их основные свойства:

— Изменением только ширины ямы в активной области светодиода возможно получить излучение в диапазоне 250−290 нм для КПСР A1N/ Alo.08Gao.92N и в диапазоне 325−345 для КПСР Alo.4Gao.6N/GaN.

— Введение узкой активной области не изменяет ВАХ р-n переход;

— Наибольшая мощность излучения была получена для длины волны излучения 280 нм, равная 160 мкВт в импульсном режиме при прямом токе 250 А/см .

11. Наблюдается увеличение почти на два порядка интенсивности катодолюминесценции МКЯ с длиной волны 280 нм при росте ямы в режиме сильного обеднения по аммиаку. Этот эффект интерпретируется в терминах формирования квантовых точек AlGaN.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Sze S. M. Physics of Semiconductor Device. New York: Wiley Interscience Publication, 1981.-868 p.
  2. P. 3. Голубые диоды // Соросовский образовательный журнал -2001.-Т. 7.-С. 75−83.
  3. Nakamura S., Senoh M., Mukai T. P-GaN/N-InGaN/N-GaN Double-Heterostructure Blue-Light-Emitting Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. -1993.-V. 32. -pp. L8-L11.
  4. Nakamura S., Senoh M., Iwasa N., Nagahama S., Yamada T., Mukai 1 T. Superbright Green InGaN Single-Quantum-Well-Structure Light-Emitting Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. -1993.-V. 34. -pp. L1332-L1335.
  5. Nakamura S., Senoh M., Nagahama S., Iwasa N., Yamada T., Matsushita T., Kiyoku H., Sugimoto Y. InGaN-Based Multi-Quantum-Well-Structure Laser Diodes // Jpn. J. Appl. Phys. -1993. -V. 35. -p. L74-L76.
  6. Hirayama H. Quaternary InAlGaN-based high-efficiency ultraviolet light-emitting diodes // J. Appl. Phys. -2005. -V. 97. -n. 91 101.
  7. Zukauskas A., Shue M. S., Gaska R. Introduction to Solid-State Lighting. -New York: Wiley Interscience Publication, 2002. 207 p.
  8. Adivarahan V., Wu S., Zhang J. P., Chitnis A., Shatalov M., Madavilli V., Gaska R., Asif Khan M. High-efficiency 269 nm emission deep ultraviolet light-emitting diodes // Appl. Phys. Lett. -2004. -V. 84. -pp. 4762−4764.
  9. Sun W. H., Adivarahan V., Shatalov M., Lee Y., Wu S., Yang J. W., Zhang J. P., Asif Khan M. Continuous Wave Milliwatt Power AlGaN Light Emitting Diodes at 280 nm // Jpn. J. Appl. Phys. -2004. -V. 43. -pp L1419-L1421.
  10. U., Wong M. M., Collins С. J., Yang В., Denyszyn J. С., Campbell J. C., Dupuis R. D. High-performance solar-blind photodetector using an Alo.6Gao.4N n-type window layer // J. Cryst. Growth.- 2003.-V. 248. -pp. 552 555.
  11. Properties of Group III Nitrides / ed. Edgar J. H. -London: EMIS, 1994.-320 p.
  12. Shenai K., Scott R. S., Baliga B. J. Optimum semiconductors for high power electronics // IEEE Transactions on Electron Devices. -1989. —V.36. —pp. 1811−1823.
  13. Casady J. B., Agarwal A. K., Seshadri S., Siergiej R. R., Rowland L. B., MacMillan M. F., Sheridan D. C., Sanger P. A., Brandt C. D. 4H-SiC power devices for use in power electronic motor control // Solid-State Electron. -1998. — V.42.-pp. 2165−2176.
  14. Wu Y. F.- Kapolnek D., Ibbetson J. P., Parikh P., Keller B. P, Mishra U. K. Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs // IEEE Trans. Electron. Dev. —2001.-V. 48.-pp. 586−590.
  15. Binari S. C., Ikossi K., Roussos J. A., Kruppa W., Park D., Dietrich H. B., Koleske D. D., Wickenden A. E., Henry R. L. Trapping effects and microwave power performance in AlGaN/GaN HEMTs // IEEE Trans. Electron. Dev. -2001. -V. 48.-pp. 465−471.
  16. Eastman L.F. Results, Potential and Challenges of High Power GaN-Based Transistors //Physica Status Solidi (a). -1999.-V. 176. -pp. 175−178.
  17. Ambacher O. Growth and applications of Group Ill-nitrides // J. Phys. D. -1998.-V. 31.-pp. 2653−2710.
  18. Aoki M., Yamane H., Shimada M., Sarayama S., DiSalvo F. J. Conditions for seeded growth of GaN crystals by the Na flux method // Mater. Letters. -2002. -V. 56. -pp. 660−664.
  19. Kawamura F., Morishita M., Iwahashi T., Yoshimura M., Mor Y., Sasaki T. Synthesis of Bulk GaN Single Crystals Using Na-Ca Flux // Jpn. J. Appl. Phys.2002. -V. 41. -pp. L1440-L1442.
  20. Shin T. I., Yoon D. H. Growth behavior of bulk GaN single crystals grown with various flux ratios using solvent-thermal method // Crys. Res. Technol.-2005. -V. 40. -pp. 827−831.
  21. Puychevrier N., Menoret M. Synthesis of III—V semiconductor nitrides by reactive cathodic sputtering // Thin Solid Films. -1976. —V. 36. -pp. 141−145.
  22. E., Mathur В., Bhattacharya А. В., Bhargava V. P. The growth of highly resistive gallium nitride films // Thin Solid Films. -1980. -V. 74. -pp. 7782.
  23. Zembutsu S., Kobayashi M. The growth of c-axis-oriented GaN films by D.C.-biased reactive sputtering // Thin Solid Films. -1985. -V. 129. -pp. 289−297.
  24. Maruyama Т., Morishita T. Indium nitride thin films prepared by radio-frequency reactive sputtering // J. Appl. Phys. -1994. -V. 76. -pp. 5809−5812.
  25. П. И., Мохосев М. В., Алексеев Ф. П. Химия галлия, индия и таллия. Новосибирск: Наука, 1977. — 224 с.
  26. Shaw D. W. Kinetic aspects in the vapour phase epitaxy of III-V compounds // J. Cryst. Growth. -1975.-V. 31.-pp. 130−141.
  27. Hwang J. S., Kuznetsov A. V., Lee S. S., Kim H. S., Choi J. G., Chong P. J. Heteroepitaxy of gallium nitride on (0001), (TO 12) and (1010) sapphire surfaces // J. Cryst. Growth. -1994. -V. 142. 5−14.
  28. Kelly M.K., Ambacher O., Dimitrov R., Handschuh R., Stutzmann M. Optical Process for Liftoff of Group Ill-Nitride Films // Phys. Status Solidi. -1997. -V. 159. -pp. R3-R4.
  29. И. А., Шека 3. А. Галогениды индия и их координационные соединения Киев: Наук, думка, 1981. — 300 с.
  30. Bauer J., Biste L., Bolze D. Optical properties of aluminium nitride prepared by chemical and plasmachemical vapour deposition // Phys. Status Solidi (a). — 1977.-V. 39.-pp. 173−181.
  31. Yasan A., McClintock R., Mayes K., Darvish S. R., Kung P., Razeghi M.,
  32. R. J. 280 nm UV LEDs grown on HVPE GaN substrates // OPTOELECTRONICS REVIEW. -2002. -V. 10. -pp. 287−289.
  33. Manasevit H.M., Erdman F.M., Simpson W.I. The Use of Metalorganics in the Preparation of Semiconductor Materials // J. Electrochem. Soc. -1971. -V. 118. — pp. 1864−1868.
  34. Nakamura S. GaN Growth Using GaN Buffer Layer // Jpn. J. Appl. Phys. -1991. -V. 30. -pp. L1705-L1707.
  35. Morita M., Isogai S., Shimizu N., Tsubouchi K., Mikoshiba N. Aluminum Nitride Epitaxially Grown on Silicon: Orientation Relationships // Jpn. J. Appl. Phys.-1981.-V. 20. -pp. L173-L175.
  36. Вредные вещества в промышленности: «Неорганические и элементорганические соединения». Справочник для химиков, инженеров и врачей. -Т. 3−3. / Под ред. Н. В. Лазарева и И. Д. Гадаскиной -Л.: Химия, 1977. 608 с.
  37. Kokubun Y., Nishio J., Abe M., Ehara Т., Nakagomi S. Properties of GaN Epitaxial Layers Grown at High Growth Rates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition // J. Electron. Mater. -2001. -V. 30. -pp. 23−27.
  38. Neumayer D. A., Ekerdt J.G. Growth of Group III Nitrides. A Review of Precursors and Techniques // Chem. Mater. -1996. -V. 8. -pp. 9−25.
  39. Guo Q., Kato O., Yoshida A. Thermal stability of indium nitride single crystal films //J. Appl. Phys. -1993. -V. 73. -pp. 7969−7971.
  40. Powell R. C., Lee N.-E., Greene J. E. Growth of GaN (OOOl) lxl on Al203(0001) by gas-source molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1992. -Y. 60. -pp. 2505−2507.
  41. Kamp M., Mayer M., Pelzmann A., Ebeling K. J. Fundamentals, Material Properties and Device Performances in GaN MBE using On-Surface Cracking of Ammonia // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.-1997. -V. 2. -p. 26.
  42. Abernathy C. R. Growth of Group-Ill Nitrides from Molecular Beams // GaN and Related Materials / edited by S. J. Pearton. New York: Gordon and Breach Sciense Publishes, 1997. -pp. 11−51.
  43. Jain S. C., Willander M., Narayan J., Van Overstraeten R. Ill-nitrides: Growth, characterization, and properties // J. Appl. Phys. -2000. -V. 87. -pp. 965−1006.
  44. Kim W., Aktas O., Botchkarev A. E., Salvador A., Mohammad S. N., Morkof H. Reactive molecular beam epitaxy of wurtzite GaN: Materials characteristics and growth kinetics // J. Appl. Phys. -1996. -V. 79. -pp. 7657−7666.
  45. Johnson K., Bousquet V., Hooper S. E., Kauer M., Zellweger C., Heffernan J. High-power InGaN light emitting diodes grown by molecular beam epitaxy // Electron. Lett. -2004. -V. 40. -pp. 1299−1300.
  46. Hooper S. E., Kauer M., Bousquet V., Johnson K., Barnes J. M., Heffernan J. InGaN multiple quantum well laser diodes grown by molecular beam epitaxy // Electron. Lett. -2004. -V. 40. -pp. 33−34.
  47. Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H. Current understanding and applications of the RHEED intensity oscillation technique // J. of Crystal Growth. -1987. -V. 81. -pp. 1−8.
  48. Properties of advanced semiconductor materials: GaN, A1N, InN, SiC, SiGe / ed. M. E. Levinstein, S. L. Rumyantsev and M. S. Shur. -New York: John1. Wiley&Sons. Inc., 2001.
  49. Van de Walle C. G., Stampfl C., Neugebauer J. Theory of doping and defects in III-V nitrides // J. Cryst. Growth. -1998. -V. 189. -pp. 505−510.
  50. Telieps W.5 Bauer E. The (7×7)<→(l x 1) phase transition on Si (l 11)// Surf. Sci. -1992. -V. 162. -pp. 163−168.
  51. SpringThorpe A. J., Humphreys T. P., Majeed A., Moore W. T. In situ growth rate measurements during molecular beam epitaxy using an optical pyrometer // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 55. -pp. 2138−2140.
  52. Bobel, H. Moller F. G., Wowchak A., Hertl В., Van Hove J., Chow L. A., Chow P. P. Pyrometric interferometry for real time molecular beam epitaxy process monitoring // J. Vac. Sci. Technol. -1994. -V. В12. -pp. 1207−1210.
  53. Nakamura S. Analysis of Real-Time Monitoring Using Interference Effects // Jpn. J. Appl. Phys. -1991. -V. 30. -pp. 1348−1353.
  54. Nakamura S. In Situ Monitoring of GaN Growth Using Interference Effects // Jpn. J. Appl. Phys. -1991. -V. 30. -pp. 1620−1627.
  55. Ambacher O., Rieger W., Ansmann P., Angerer H.,. Moustakas T. D, Stutzmann M. Sub-bandgap absorption of gallium nitride determined by Photothermal Deflection Spectroscopy // Sol. State Commun. -1996. -V. 97. -pp. 365−370.
  56. M., Вольф Э. Основы оптики. M.: Наука, 1973. — 721 С.
  57. Cui J., A. Sun, Reshichkov М., Yun F., Baski A., Morko? H. Preparation of Sapphire for High Quality Ill-Nitride Growth // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. -2000. -V. 5. -p. 7.
  58. Ishizaka A., Shiraki Y. Low Temperature Surface Cleaning of Silicon and Its Application to Silicon MBE // J. Electrochem. Soc. -2004. -V. 151. -pp. 666−671.
  59. Таблицы физических величин: Справочник / Под. ред. И. К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976.- 1008 С.
  60. Е. В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Сов. Радио, 1974. -328 С.
  61. Chang I. F. Contact resistance in diffused resistors // J. Electrochem. Soc.-1970.-V. 117.-pp. 368−373.
  62. Reeves G. K., Harrison H. B. Obtaining thhe Specific Contact Resistance from Transmission Lint Model Measurements // Elect. Device Lett. -1982. -V. EDL-2. -pp. 111−113.
  63. Reeves G. K. Specific Contact Resistance Using a Circular Transmission Line Model. // Solid-State Electron. -1980. -V. 23. 487−490.
  64. Marlow G. S., Das M. B. The effects of contact size and non-zero metal resistance on the determination of specific contact resistance // Solid-State Electron. -1982. -V. 25. -pp. 91−94.
  65. Ohtani A., Stevens K. S., Beresford R. Microstructure and photo luminescence of GaN grown on Si (lll) by plasma-assisted molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1994. -V. 65. -pp. 61−63.
  66. Hellman E. S., Buchanan D. N. E., Chen C. H. Nucleation of A1N on the (7×7) Reconstructed Silicon (111) Surface // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. -1998. -V3.-p. 43.
  67. Nakada Y., Aksenov I., Okumura H. GaN heteroepitaxial growth on silicon nitride buffer layers formed on Si (111) surfaces by plasma-assisted molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. -1998. -V. 73. -pp. 827−829.
  68. Hageman P.R., Haffouz S., Kirilyuk V., Grzegorczyk A., Larsen P.K. High Quality GaN Layers on Si (lll) Substrates: A1N Buffer Layer Optimisation and Insertion of a SiN Intermediate Layer // phys. stat. sol. (a). -2001. -V. 188. -pp. 523−526.
  69. Ishikawa H., Yamamoto К., Egawa Т., Soga Т., Jimbo Т., Umeno M. Thermal stability of GaN on (111) Si substrate // J. Cryst. Growth. -1998. -V. 189−190.-pp. 178−182.
  70. L.P. Hunt. The Thermodynamic Behavior of the Si-H System and Its Role in Si-CVD from SiH4 // Pros, of 10lh Int. Conf. on Chemical Vapor Deposition, Ed. G.W. Cullen. Princeton, NJ: Electrochem. Soc, 1987. — p. l 12.
  71. Термодинамические свойства индивидуальных веществ: Справочник. Т. 3−4 / Под ред. В. П. Глушко. Москва: Наука, 1981. — 443 С.
  72. Термодинамические свойства индивидуальных веществ: Справочник Т. 2−4 / Под ред. В. П. Глушко. Москва: Наука, 1981.-344 С.
  73. Semond F., Cordier Y., Grandjean N., Natali F., Damilano В., Vezian S., Massies J. Molecular Beam Epitaxy of Group-Ill Nitrides on Silicon Substrates: Growth, Properties and Device Applications // phys. stat. sol. (a).- 2001. —V. 188. -pp. 501−510.
  74. Yasutake K., Takeychi A., Kakiuchi H., Yoshii K. Molecular beam epitaxial growth of A1N single crystalline films on Si (lll) using radio-frequency plasma assisted nitrogen radical source // J. Vac. Sci. Technol. -1998. -V. 16A. —pp. 2140−2147.
  75. Bourret A., Barski A., Rouviere J. L., Renaud G., Barbier A. Growth of aluminum nitride on (111) silicon: Microstructure and interface structure // J. Appl. Phys. -1998. -V. 83. -pp. 2003−2009.
  76. A. V., Khramtsova E. A., Ryzhkov S. V., Saranin A. A., Chub А. В., Lifshits V. G. LEED-AES reexamination of the Ai/Si (lll) 7-phase // Surf. Sci. -1994.-V. 316. -pp. L1034-L1038.
  77. Watanabe A., Takeuchi Т., Hirosawa K., Amano H., Hiramatsu K., Akasaki I. The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer // J. Cryst. Growth. -1993. -V. 28. -pp. 391−396.
  78. В. Г., Никишин С. А., Синявский Д. В. // Письма в ЖТФ. -1991. -Т. 17.-С. 45.
  79. R. С., Lee N.-E., Greene J. Е. Growth of GaN (0001) lxl on
  80. Al2C)3(0001) by gas-source molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2003. -V. 60. -pp. 2505−2507.
  81. Mesrine M., Grandjean N., Massies J. Efficiency of NH3 as nitrogen source for GaN molecular beam epitaxy // Appl.Phys.Lett. -1998. -V. 72. -pp. 350−352.
  82. Wu C.-L., Hsieh J.-L., Hsueh H.-D., Gwo S. Thermal nitridation of the Si (l 1 l)-(7×7) surface studied by scanning tunneling microscopy and spectroscopy // Phys. Rev. -2002. -V. B65. -p. 45 309.
  83. Goldberg Yu. Aluminium Nitride // Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, A1N, InN, BN, SiC, SiGe / Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S. New York: John Wiley & Sons, Inc., 2001. -pp. 31−47.
  84. Streetman B. G. Solid State Electronic Devices. 3rd Edition. New York: Prentice Hall, 1990. — 462 p.
  85. Liu R., Ponce F.A., Dadgar A., Krost A. Atomic arrangement at the A1N/Si (l 11) interface // Appl. Phys. Lett. -2003. -V. 83. -pp. 860−862.
  86. Stutzmann M., Ambacher O., Eickhoff M., Karrer U., Lima Pimenta A., Neuberger R., Schalwig J., Dimitrov R., Schuck P.J., Grober R.D. Playing with Polarity//phys. stat. sol. (b). -2001. -V. 228. -pp. 505−512.
  87. Di Felice R., Northrup J. E. Energetics of A1N thin films on the Al203(0001) surface// Appl. Phys. Lett. -1998. -V. 73. -pp. 936−938.
  88. Cui J., Sun A., Reshichkov M., Yun F., Baski A., Morko? H. Preparation of Sapphire for High Quality Ill-Nitride Growth // MRS Internet J. Nitride
  89. Semicond. Res. -2000. -V. 5. -p. 7.
  90. Kim K. S., Lim K. Y., Lee H. J. The effects of nitridation on properties of GaN grown on sapphire substrate by metal-organic chemical vapour deposition // Semicond. Sci. Technol. -1999. -V. 14. -pp. 557−560.
  91. Grandjean N., Massies J., Leroux M. Nitridation of saphire. Effect on theioptical properties of GaN epitaxial overlayers // Appl. Phys. Lett. -1996. -V. 69. -pp. 2071−2073.
  92. Jasinski J., Z. Liliental-Weber, Paduano Q. S., Weyburne D. W. Inversion domains in A1N grown on (0001) sapphire // Appl. Phys. Lett.-2003.-V. 83.-pp. 2811−2813.
  93. Huang D., Visconti P., Jones K. M., Reshchikov M. A., Yun F., Baski A. A., King T., Morkoc H. Dependence of GaN polarity on the parameters of the buffer layer grown by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2001. -V. 78. -pp.4145−4147.
  94. Smith A. R., Feenstra R. M., Greve D. W.5 Shin M.-S., Skowronski M., Neugebauer J., Northrup J. E. Determination of wurtzite GaN lattice polarity based on surface reconstruction // Appl. Phys. Lett. -1998. -V. 72. -pp. 21 142 116.
  95. Vezian S., Semond F., Massies J., Bullock D.W., Ding, Z. Thibado P.M. Origins of GaN (0001) surface reconstructions // Surf. Sci. -2003. -V. 541. -pp. 242−251.
  96. Faleev N., Lu H., Schaff W. J. Low density of threading dislocations in A1Ngrown on sapphire // J. Appl. Phys.-2007.-V. 101.-p. 93 516.
  97. Mesrine M., Grandjean N., Massies J. Efficiency of NH3 as nitrogen source for GaN molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1998. -V. 72. -pp. 350−352.
  98. Karpov S. Yu., Kovalchuk Yu. V., Myachin V. E., Pogorelskii Yu. V. Instability of III-V compound surfaces due to liquid phase formation // J. Cryst. Growth. -1993. -V. 129. -pp. 563−570.
  99. Alexeev A. N., Karpov S. Yu., Maiorov M. A., Myachin V. E., Pogorelsky Yu. V., Sokolov I. A. Thermal etching of binary and ternary III-V compounds under vacuum conditions // J. Cryst. Growth. -1996. -V. 166. -pp. 167−171.
  100. Karpov S. Yu., Makarov Yu. N., Ramm M. S. The role of gaseous species in group-Ill nitride growth // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. -1997. -V. 2. -p. 45.
  101. Held R., Crawford D. E., Johnston A. M., Dabiran A. M., Cohen P. I. N-limited versus Ga- limited growth on GaN (OOO-l) by MBE using NH3 // Surf. Rev. Lett. 1998. -V. 5. -pp. 913−934.
  102. Przhevalskii I. N., Karpov S. Yu., Makarov Yu. N. Thermodynamic properties of group-Ill nitrides and related species // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. -1997.-V. 3.-p. 30.
  103. Pearton S. J. Wide bandgap semiconductors: growth, processing and applications. New York: William Andrew Publishing/Noyes, 2000. — 571 p.
  104. Taniyasu Y., Kasu M., Kobayashi N. Intentional control of n-type conduction for Si-doped A1N and AlxGai. xN (0.42
  105. Nakarmi M. L., Kim K. H., Zhu K., Lin J. Y., Jiang H. X. Transport properties of highly conductive n-type Al-rich AlxGaixN (x 0.7) // Appl. Phys. Lett. -2004. -V. 85. -pp. 3769−3771.
  106. Taniyasu Y., Kasu M., Kobayashi N. Electrical conduction properties of n-type Si-doped A1N with high electron mobility (>100 cmV^s-1) // Appl. Phys. Lett. -2004. -V. 85. -pp. 4672−4674.
  107. McCluskey M. D., Jonson N. M., Van de Walle C. G., Bour D. P., Kneissl, M. Walukiewicz W. Metastability of Oxygen Donors in AlGaN // Phys. Rev. Lett. -1998. -V. 80. -pp. 4008−4011.
  108. Stampfl C., Van de Walle C. G. Doping of Al. vGaKvN // Appl. Phys. Lett. -1998.-V. 72.-pp. 459−461.
  109. Wagener M. C., James G. R., Omnes F. Intrinsic compensation of silicon-doped AlGaN // Appl. Phys. Lett. -2003. -V. 83. 4193−4195.
  110. Zeisel R., Bayerl M. W., Goennenwein S. T. B., Dimitrov R., Ambacher O., Brand M. S., Stutzmann M. DX-behavior of Si in A1N // Phys. Rev. -2000. -V. B61.-pp. R16283-R16286.
  111. Yun F., Reshchikov M. A., He L., King T., Morko? H., Novak S. W., Wei L. j
  112. Energy band bowing parameter in AlxGaixN alloys // J. Appl. Phys. -2002. -V. 92. -pp. 4837−4839.
  113. Chen J., Ivey D. G., Bardwell J., Liu Y., Tang H., Webb J. B. Microstructural analysis of Ti/Al/Ti/Au ohmic contacts to n-AlGaN/GaN // J. Vac. Sci. Technol. A. -2002. -V. 20. -pp. 1004−1010.
  114. Torvik, J. T. Dopants in GaN // Ill-Nitride Semiconductors: Electrical,
  115. Structural and Defects Properties / Ed. O. Manasreh. Amsterdam: Elseiver, 2000. -p. 17.
  116. Schubert E. F., Goepfert I. D., Grieshaber W., Redwing J. M. Optical properties of Si-doped GaN // Appl. Phys. Lett. -1997. -V. 71. -pp. 921−923.
  117. Furis M., Cartwright A. N., Hwang J., Schaff W. J. Time Resolved Photoluminescence of Si-doped High A1 Mole Fraction AlGaN Epilayers Grown by Plasma-Enhanced Molecular Beam Epitaxy // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -2004.-V. 798.-p.Y5.45.
  118. Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио, 1971.-190 С.
  119. Mott N. F., Davis Е. A., Electronic Properties of Non-Crystalline Materials. -London: Clarendon Press, Oxford, 1971. -604 p.
  120. Fischer S., Wetzel C., Haller E. E., Meyer В. K. On p-type doping in GaN— acceptor binding energies // Appl. Phys. Lett. -1995. -V. 67. -pp. 1298−1300.
  121. Orton J. W. Acceptor binding energy in GaN and related alloys // Semicond. Sci. Technol. -1995. -V. 10. -pp. 101−104.
  122. Jeon S.-R., Ren Z., Cui G., Su J., Gherasimova M., Han J., Cho H.-K., Zhou L. Investigation of Mg doping in high-Al content p-type AlxGaixN (0.3
  123. Li J., Oder T. N., Nakarmi M. L., Lin J. Y., Jiang H. X. Optical and electrical properties of Mg-doped p-type AlxGa! xN // Appl. Phys. Lett. -2002. -V. 80. -pp. 1210−1212.
  124. Tanaka Т., Watanabe A., Amano H., Kobayashi Y., Akasaki I., Yamazaki S., Koike M. P-type conduction in Mg-doped GaN and Alo.osGao.92N grown by metalorganic vapor phase epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1994. -V. 65. -pp. 593 595.
  125. А. А., Кораблев В. В., Карпов С. Ю. Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из активированного азота // ФТП. -2003. -Т. 37. -С. 866−870.
  126. Smorchkova I. P., Haus Е., Heying В., Kozodoy P., Fini P., Ibbetson J. P.,
  127. Keller S., DenBaars S. P., Speck J. S., Mishra U. K. Mg doping of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -2000. -V. 76.-pp. 718−720.
  128. Guha S., Bojarczuk N. A., Cardone F. Mg in GaN: Incorporation of a volatile species at high temperatures during molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. -1997.-V. 71.-pp. 1685−1687.
  129. Van de Walle C.G., Stampfl С., Neugebauer Theory of doping and defects in III-V nitrides //J. J. Cryst. Growth. -1998. -V. 189/190. -pp. 505−510.
  130. Kaufmann U., Schlotter P., Obloh H., Kohler К., Maier M. Hole conductivity and compensation in epitaxial GaN: Mg layers // Phys. Rev. B. -2000. —V. 62. -p. 10 867.
  131. A.A., Кораблев B.B., Карпов С. Ю. Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака // ФТП. -2004.-V. 38.-С. 151−152.
  132. Schubert Е. F., Grieshaber W., Goepfert I. D. Enhancement of deep acceptor activation in semiconductors by superlattice doping // Appl. Phys. Lett. -1996. —V. 69. -pp. 3737−3739.
  133. Goepfert I. D., Schubert E. F., Osinsky A., Norris P. E., Faleev N. N. Experimental and theoretical study of acceptor activation and transport properties in p-type AlxGa, xN/GaN superlattices // J. Appl. Phys. -2000. -V. 88. -pp. 20 302 038.
  134. Kumakura K., Makimoto Т., Kobayashi N. Enhanced Hole Generation in Mg-Doped AlGaN/GaN Superlattices Due to Piezoelectric Field // Jpn. J. Appl. Phys. -2000. -V. 39. -pp. 2428−2430.
  135. Waldron E. L., Graff J. W., Schubert E. F. Improved mobilities and resistivities in modulation-doped p-type AlGaN/GaN superlattices // Appl. Phys.1.tt. -2001. -V. 79. -pp. 2737−2739.
  136. SuperLatticeLightEmittingDiod simulator. Semiconductor Technology Research, Inc., Richmond, 2003.
  137. Н.И., Irvine K.G. Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaN p-i-n-диодов" // ФТП. -1998. -T. 32. -С. 369−372.
  138. Ashley К. L., Milnes A. G. Double Injection in Deep-Lying Impurity Semiconductors // J. Appl. Phys. -1964. -V. 35. -pp. 369−374.
  139. . И., Казаринов Р. Ф. / Авт. свид. СССР № 181 737 1963.
  140. Nakamura S., Pearton S., Fasol G. The Blue Laser Diode. -Berlin: Springer, 1997.-388 p.
  141. Tanaka S., Iwai S., Aoyagi Y. Self-assembling GaN quantum dots on AlxGai. xN surfaces using a surfactant // Appl. Phys. Lett. -1996. -V. 69. -pp. 4096−4098.
  142. Daudin В., Widmann F., Feuillet G., Samson Y., Arlery M., Rouviere J. L. Stranski-Krastanov growth mode during the molecular beam epitaxy of highly strained GaN // Phys. Rev. B. -1997. -V. 56. -pp. R7069-R7072.
  143. Widmann F., Daudin В., Feuillet G., Samson Y., Rouvie’re J. L., Pelekanos N. Growth kinetics and optical properties of self-organized GaN quantum dots // J. Appl. Phys. -1998. -V. 83. -pp. 7618−7624.
  144. Hirayama H., Aoyagi Y., Tanaka S. Fabrication of Self-Assembling AlGaN Quantum Dot on AlGaN Surfaces Using Anti-Surfactant // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res.-1999. -V. 4SI. -p. G9.4.
  145. Grandjean N., Massies J., Semond F., Karpov S. Yu., Talalaev R. A. GaN evaporation in molecular-beam epitaxy environment // Appl. Phys. Lett. -1999. -V. 74.- 1854−1856.
  146. Hirayama H., Enomoto Y., Kinoshita A., Hirata A., Aoyagi Y. Efficient 230- ^ 280 nm emission from high-Al-content AlGaN-basedmultiquantum wells // Appl. Phys. Lett. -2002. V. 80. -pp. 37−39.
  147. Fiorentini V., Bernardini F. Effects of macroscopic polarization in III-V nitride multiple quantum wells // Phys. Rev. -1999. -V. 60. -pp. 8849−8858.
  148. Основные материалы диссертации опубликованы в следующих работах:
  149. . А., Никишин С. Н., Курятков В. В., Кучинский В. И., Holtz М., Temkin Н. Повышенная излучательная рекомбинация квантовых ям AlGaN, выращенных методом молекулярно пучковой эпитаксии // ФТП.-2006.-Т. 40.-С. 460−463.
  150. Borisov В., Nikishin S., Kuryatkov V., Temkin Н. Enhanced Deep UV Luminescence From AlGaN Quantum Wells Grown in 3D Mode // Appl. Phys. Lett.-2005.-V. 87.-n. 191 902.
  151. Borisov В., Kuryatkov V., Kudryavtsev Yu., Asomoza R., Nikishin S., Holtz M., Temkin H. Si-doped AlxGa^N (0.56 < x < 1) layers grown by molecular beam epitaxy with ammonia // Appl. Phys. Lett.-2005.-V. 87.-n. 132 106.
  152. Nikishin S., Borisov B., Kuryatkov V., Usikov A., Dmitriev V., Holtz M. Deep UV AIGaN light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy on sapphire and AlGaN/sapphire substrates //Proc. of SPIE-2006-V. 6121.-n. 0T.
  153. Nikishin S., Borisov B., Kuryatkov V., Holtz M., Temkin H. Short-period AIGaN based superlattices for deep UV light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-2006.-V. 892.-n. FF01-FF06.
  154. Nikishin S. A., Borisov B. A., Chandolu A., Kuryatkov V. V., Temkin H., Holtz M., Mokhov E. N., Makarov Yu., Helava H. Short-period superlattices of AlN/Al0.08Ga0.92N grown on A1N substrates // Appl. Phys. Lett.-2004.-V. 85.—pp. 4355−4357.
  155. Nikishin S. A., Kuryatkov V. V., Chandolu A., Borisov B. A., Kipshidze G. D., Ahmad I., Holtz M., Temkin H. Deep Ultraviolet Light Emitting Diodes Based on Short Period Superlattices of AlN/AlGa (In)N // Jpn. J. Appl. Phys.-2003-V. 42 pp. L1362-L1365.
  156. Kuryatkov V., Zhu K., Borisov B., Chandolu A., Gherasoiu Iu., Kipshidze
  157. G., Chu S. N. G., Holtz M., Kudryavtsev Yu., Asomoza R., Nikishin S., ??K Temkin H. Electrical properties of p-n junctions based on superlattices of AlN/AlGa (In)N // Appl. Phys. Lett-2003.-V. 83-pp. 1319 -1321.
  158. Kipshidze G., Kuryatkov V., Zhu K., Borisov B., Holtz M., Nikishin S., Temkin H. AIN/AlGalnN superlattice light-emitting diodes at 280 nm // J. Appl. Phys.-2003-V. 93.-pp. 1363−1366.
  159. Kipshidze G., Kuryatkov V., B. Borisov, Nikishin S., Holtz M., Chu S. N. G., Temkin H. Deep ultraviolet AlGalnN-based light-emitting diodes on Si (lll) and sapphire // Phys. Stat. Sol. (a).-2002.-V. 192.-pp. 286−291.
  160. Kipshidze G., Kuryatkov V., Borisov B., Holtz M., Nikishin S., Temkin H., AlGalnN-based ultraviolet diodes grown on Si (111) // Appl. Phys. Lett.-2002-V. 80-pp. 3682−3684.
  161. Holtz M., Kipshidze G., Chandolu A., Yun J., Borisov B., Kuryatkov V., Zhu K., Chu S. N. G., Nikishin S. A., Temkin H. Preparation of Optoelectronic Devices Based on AIN/AlGaN Superlattices // Mat. Res. Soc. Symp. Proc.-2002.-V. 744.-n. M10.1.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!