Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах

Диссертация: Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Теория «грязных» диэлектриков хорошо описывает фононную теплопроводность чистых полупроводниковых сплавов Bi-Sb для двух предельных случаев: Т":9 и Т"0, где 6=120 К температура Дебая висмута. Согласно теории и экспериментальным данным в интервале температур ТМ<�Т<20 К Кф~Т4/3, для Т>120 К иф~Т1/3. В промежуточной области температур при смене механизмов релаксации фононов с участием… Читать ещё >

Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. Краткий литературный обзор по исследованию висмута и сплавов висмут-сурьма
    • 1. 1. Кристаллическая структура висмута и сплавов висмут-сурьма
    • 1. 2. Зона Бриллюэна и энергетический спектр висмута
    • 1. 3. Поверхность Ферми носителей заряда в висмуте и дополнительные экстремумы в валентной зоне
    • 1. 4. Перестройка энергетического спектра сплавов висмут-сурьма при изменении состава
    • 1. 5. Законы дисперсии носителей заряда в висмуте и сплавах висмут-сурьма
      • 1. 5. 1. Закон дисперсии носителей заряда в точках L ЗБ
      • 1. 5. 2. Закон дисперсии носителей заряда в точках Т ЗБ
    • 1. 6. Исследование сплавов висмут-сурьма с помощью явлений переноса в температурном интервале 4+80 К
    • 1. 7. Фононный спектр и теплоёмкость висмута
  • Глава II. Некоторые вопросы теории явлений переноса
    • 2. 1. Феноменологическая теория явлений переноса в кристаллах типа висмута
    • 2. 2. Электронная теория явлений переноса в кристаллах типа висмута
    • 2. 3. Методы определения эффективной массы плотности состояний электронов (дырок)
    • 2. 4. Механизмы рассеяния носителей заряда в твердых телах
      • 2. 4. 1. Рассеяние носителей заряда на ионах примеси
      • 2. 4. 2. Рассеяние носителей заряда на акустических фононах
      • 2. 4. 3. Рассеяние носителей заряда на нейтральной примеси
      • 2. 4. 4. Рассеяние на точечных дефектах
    • 2. 5. Фононная теплопроводность и механизмы релаксации фононов
  • Глава III. Методика эксперимента
    • 3. 1. Технология выращивания монокристаллических слитков сплавов на основе висмута и приготовление образцов
    • 3. 2. Прибор для исследования явлений переноса при низких температурах
    • 3. 3. Измерительная схема
    • 3. 4. Гальваномагнитные измерения
    • 3. 5. Термоэлектрические и термомагнитные измерения
    • 3. 6. Измерение теплопроводности и температуры
  • Глава IV. Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 4. 1. Гальваномагнитные явления
    • 4. 2. Фононная теплопроводность висмута слаболегированного донорной примесью теллура при Т<30 К
    • 4. 3. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.01<х<0.17) при Т<20 К
    • 4. 4. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К
    • 4. 5. Фононная термоэдс Bi слаболегированного Те при Т<30 К
    • 4. 6. Электрон-фононное увлечение в сплавах Bii-xSbxTe (0.13<х<0.15)
    • 4. 7. Влияние классически сильного магнитного поля на термоэдс фононного увлечения в полупроводниковых сплавах Bi-Sb
    • 4. 8. Термоэлектрическая добротность сплавов висмут-сурьма

Висмут и его бинарные сплавы с сурьмой являются наиболее типичными представителями полуметаллов и узкозонных полупроводников. Уникальные физические свойства, связанные с особенностями энергетического спектра носителей заряда и возможностью его плавной перестройки, обуславливают практический интерес к изучению этих материалов.

Сплавы Bix-xSbx с ростом концентрации сурьмы переходят из полуметаллического состояния (0<х<0.07) в полупроводниковое (0.07<х<0.22). Малые характерные энергии и эффективные массы плотности состояний носителей заряда в зоне проводимости и валентной зоне висмута и сплавов Bi-Sb позволяют при легировании их электрически активными примесями значительно смещать по энергии уровень Ферми, что позволяет менять вклады актуальных энергетических экстремумов в явления переноса. Эти факторы обуславливают необычную чувствительность висмута и его сплавов к внешним воздействиям: изменению температуры, давления, магнитного и электрического полей и т. д. При этом представляет практический интерес исследование механизмов рассеяния носителей заряда и фононов в сплавах со сложным энергетическим и фононным спектром, что является фундаментальной проблемой физики Bi и сплавов Bi-Sb.

Одним из наиболее широко применяющихся методов воздействия на свойства висмута и его сплавов висмут-сурьма является легирование активной примесью, которое позволяет изучать зонную структуру в широком энергетическом интервале и оптимизировать параметры чувствительных элементов приборов. Висмут и его сплавы с сурьмой находят практическое применение в качестве чувствительных болометров, тензометров и измерителей магнитных полей, а также используются для создания рабочих элементов термоэлектрических и анизотропных преобразователей энергии. Сплавы висмут-сурьма n-типа дают высокое значение термоэлектрической добротности для n-ветви в интервале температур 40<Т<130 К.

Экспериментальному исследованию явлений переноса в висмуте и сплавах висмут-сурьма способствует технологичность материала: низкие температуры плавления, хорошо отработанные методы очистки от примесей и выращивания совершенных монокристаллов.

Важность и фундаментальность проблемы физики Bi и сплавов Bi-Sb и определяют актуальность темы диссертационной работы как с научной, так и с практической точки зрения.

Целью диссертационной работы являлось изучение взаимодействия электронов и фононов при низких температурах в сплавах на основе висмута методом совместного анализа явлений теплопроводности и термоэдс. Для этого были решены следующие основные задачи:

1. В висмуте два сорта носителей электроны и дырки, поэтому представляет интерес исследование влияния раскомпенсации системы носителей заряда на величину и характер температурных зависимостей фононной составляющей термоэдс и фононной теплопроводности электронного висмута.

2. Выяснение влияния перенормировки времени релаксации фононов N-процессами на температурные зависимости фононной теплопроводности и термоэдс висмута слабо легированного теллуром при Т<30 К.

3. Проведение совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной термоэдс сплавов на основе висмута в зависимости от концентрации примесных электронов.

4. Определение термоэлектрической добротности сплавов Bi-Sb для п-ветви.

Объектамиисследования являлись монокристаллы Bi слаболегированного электрически активной примесью теллура (с концентрацией теллура до 0.2 ат%) и сплавы Bi]xSbx состава 0<х<0.19 как чистые, так и легированные донорными (Те) и акцепторными (Sn) примесями. Легирование контролируемой примесью полупроводниковых сплавов Bi-Sb приводило к увеличению концентрации носителей заряда от = 1014 см" 3 до =1019 см" 3, а в Bi от 3-Ю17 см" 3 до1019 см" 3. Используя современные методы выращивания, были приготовлены монокристаллические слитки сплавов заданного состава, из которых вырезались электроэрозионным способом образцы с гранями, ориентированными вдоль основных кристаллографических осей (С, С2, Сз).

В работе использовался метод комплексного исследования анизотропных свойств сплавов с помощью измерения кинетических явлении переноса заряда и тепла: электрических и гальваномагнитных (на постоянном токе в стационарных магнитных полях), теплопроводности, термоэлектрических и термомагнитных эффектов (при стационарном тепловом потоке и в постоянных магнитных полях) в широком интервале температур и магнитных полей. Висмут (в природе состоит из одного стабильного изотопа 209Bi) и сплавы Bi-Sb являются хорошими объектами для исследования закономерностей фононной теплопроводности в зависимости от концентрации изовалентной примеси сурьмы, температуры и концентрации примесных носителей заряда.

Научная новизна работы заключается в том, что впервые проведен совместный комплексный анализ явлений переноса электронов и фононов на кристаллах Bi-Te и кристаллах сплавов Bii-xSbx в широких интервалах Щ легирования как изовалентной Sb (0<х<0.15), так и электрически активной примесью Те до 0.3 ат%. Из совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной термоэдс установлены концентрационные рамки двухступенчатого и одноступенчатого эффектов увлечения электронов фононами в кристаллах Bi-Te, а также наличие неполного одноступенчатого увлечения электронов фононами в сплавах Bi-Sb легированных теллуром.

Установлены две экспоненциальные закономерности в температурной зависимости для фононной теплопроводности сплавов Bi-Sb с различной концентрации носителей заряда.

Практическая ценность заключается в том, что достигнутое понимание поведения фононной термоэдс и теплопроводности в сплавах Bi-Te и Bi-Sb позволяет надежно оценить термоэлектрическую эффективность этого.

7 1 материала в интервале 40<Т<80 К (Zmax"5 •10 К" ') в плане практического применения, и предсказать поведение явлений переноса (аф и хф) в других кристаллах при постановке научных исследований и решении задач практического характера.

На защиту выносятся следующие результаты диссертационной работы:

1. Установлено, что в сплавах Bi-Te, при малых уровнях легирования, существует переходная область увлечения электронов фононами от двухступенчатого к одноступенчатому, а температурные зависимости 0Сф (Т) и Иф (Т) определяются одной и той же частотой релаксации импульсов фононов, перенормированной N-процессами. При этом температурные зависимости фононной теплопроводности и фононной термоэдс при увеличении вклада фонон-примесного рассеяния переходят из экспоненциальных в степенные. В сильнолегированных теллуром сплавах, где преобладает фонон-примесное рассеяние, увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами и носит одноступенчатый характер.

2. Показано, что в сплавах Bi]xSbxTe (0.13<х<0.15) увлечение электронов фононами носит одноступенчатый характер и является неполным. При малых уровнях легирования теллуром, увлечение электронов осуществляется дотепловыми фононами, класс которых сравнивается с тепловыми при больших уровнях легирования.

3. Установлено, что фононная термоэдс в сильном магнитном поле имеет значительную величину по сравнению с фононной термоэдс в нулевом магнитном поле и определяется степенью вырождения системы носителей заряда. Показано, что циклическое движение электронов в магнитном поле расширяет класс фононов взаимодействующих с электронами до тепловых, и это позволяет объяснить наблюдаемые температурные зависимости а^(Т) в сплавах Bii-xSbx (х=0.135±-0.015) с различной концентрацией примесных носителей заряда.

4. Для всех сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К на температурных зависимостях фононной теплопроводности наблюдаются два экспоненциальных участка, наличие которых предположительно обусловлено вымораживанием U-процессов с участием акустических (9^=43 К) и оптических (0опт=13О К) фононов. Независимо от кристаллографической ориентации образца, фононную теплопроводность таких сплавов можно описать зависимостями Хф (Т)~Т'ехр43/Т (20<Т<40 К) и щ{Т)~Т1ехр30/.25Т (45<Т<95 К).

Выводы:

1. На образцах сплавов BiixSbx (0.13<х<0.15) с концентрацией теллура СТе>0.005 ат% увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами.

2. Большие значения электронных температур Дебая 0е на образцах сплавов Bi-Sb с Сте>0.005 ат%, требуют учета в теории увлечения электронов тепловыми фононами фонон-примесного, фонон-фононного и фонон-электронного рассеяния. Предполагается, что учет фонон-электронного рассеяния позволит теоретически объяснить наблюдаемые экспериментально, А Q Off зависимости ai~T и ai~T справа от максимума фононной термоэдс в исследуемых образцах.

3. На образцах сплавов BiixSbxTe в области температур начала проявления эффекта увлечения электронов тепловыми фононами, наблюдаемая экспериментально зависимость ai~T~4 объясняется преимущественным рассеянием тепловых фононов на дефектах, создаваемых атомами Sb.

Таким образом, проведенный в данном разделе качественный анализ эффекта увлечения электронов фононами на образцах сплавов Bii-xSbx (0.13<х<0.15), сильно легированных Те, показывает, что для однозначного объяснения наблюдаемых экспериментально температурных зависимостей фононной термоэдс (ai~T 4, ai~T17 и ai~T-085), необходима дальнейшая разработка теории увлечения электронов фононами с учетом смешанного механизма рассеяния для фононной и электронной подсистем.

4.7. Влияние классически сильного магнитного поля на термоэдс фононного увлечения в полупроводниковых сплавах Bi-Sb.

Одним из способов воздействия на взаимодействие электронной и фононной подсистем является изменение температуры. В процессе такого воздействия на смену одним доминирующим механизмам рассеяния приходят другие, происходит изменение вкладов диффузии и увлечения в термоэдс. Поэтому анализ зависимостей а (Т) на предмет разделения этих вкладов сложен из-за температурной динамики процесса.

Известно, что диффузионная термоэдс в классически сильном магнитном поле не зависит от механизмов рассеяния носителей заряда [113], что позволяет более надежно разделить диффузионную и фононную составляющие в температурной области проявления эффекта увлечения. Температурная зависимость, выделенной таким образом фононной термоэдс в классически сильном магнитном поле, будет определяться только изменением интенсивности взаимодействия электронной и фононной подсистем.

Рассмотрим влияние магнитного поля на релаксацию импульса в электрон-фононной системе. В скрещенных электрических и магнитных полях заряженная частица в отсутствии рассеяния движется на трохоиде в направлении перпендикулярном векторам Е и Н. Скорость дрейфа не зависит ни от величины, ни от знака заряда частицы и целиком определяется величиной и направлением полей Е и Н: d^ = ^-[Е • Н]. При рассеянии носителя заряда на фононах, он вначале передает свой импульс фонону, а затем фонон возвращает этот импульс обратно в электронную подсистему, что не приводит к возникновению столкновительного тока. Поэтому дрейфовое движение электрона сохраняется, как и при полном отсутствии процессов рассеяния. Таким образом, в изолированной электрон-фононной системе время свободного пробега электрона конечно и определяется частотой электрон-фононных столкновений. Однако, время свободного пробега с сохранением импульса равно бесконечности. В сильном магнитном поле, при наличии анизотропии электронного и фононного спектра, частота рассеяния электронов на фононах существенно возрастает, так как расширяется объем фазового пространства фононов взаимодействующих с электронами. Кроме этого, происходит усреднение процессов релаксации, поэтому фононная термоэдс, в отличие от диффузионной, является интегральной характеристикой и ее исследование представляет значительный научный интерес.

Влияние увлечения электронов фононами на термомагнитные эффекты в полупроводниках впервые учли Гуревич и Образцов [160]. Натадзе и Эфрос [161] решали эту задачу для вырожденных полупроводников в сильном поле. Приближенное решение системы кинетических уравнений для вырожденных полупроводников в классических магнитных полях с учетом взаимного увлечения электронов и фононов найдены в нулевом приближении по параметру вырождения в работах [162, 163]. Взаимное увлечение электронов и фононов в магнитных полях рассмотрено в работе [164], где система интегральных уравнений решена в линейном по параметру вырождения приближении с учетом всех членов вносящих вклады в увлечение.

Для сравнения с экспериментом необходима дальнейшая конкретизация теоретических выражений полученных в этих работах, посредством принятия определенных предположений о зависимости времен релаксации от волновых чисел электронов и фононов. Поэтому, с этой точки зрения, экспериментальный материал по особенностям электрон-фононного увлечения в сильном магнитном поле в полупроводниках сплавах висмут-сурьма представляет значительный научный интерес.

Исследование температурных зависимостей термоэдс, в области примесной проводимости, однозонных с L-зоной дырок (электронов) образцов с j, VT||Ci, проводилось на полупроводниковых сплавах BiixSbxSn (Te) (х=0.135±-0.015) в магнитных полях 0<Н<18 кЭ. Концентрация примесных носителей зарядов находилась из результатов исследования эффекта Холла: pL (nL) = ——, при Н || Сз. eRao.

Электрофизические параметры исследованных образцов представлены в таблице 4.8.

Расчет параметров представленных в таблице для образцов 1 и 2 проводился по экспериментальным данным с использованием соотношений, справедливых для модели Лэкса [113]:

4.6).

4.7) где r| = EF/kT, Р = кТ/Ед — фактор неквадратичности, md (0) — масса плотности состояния у потолка зоны дырок (для электронов на дне зоны), 1&trade-кдвухпараметрический интеграл Ферми-Дирака.

Система данных уравнений решалась численно, где значение диффузионной термоэдс для образцов 1 и 2, соответственно, принималось равным аоо=330 мкВ/К (Т=10.3 К) и 0^=220 мкВ/К (Т=14.5 К).

Расчет параметров для образца 3 проводился по формулам для вырожденной системы носителей заряда:

— fc2. mdL (EF) = ^.

3n.

V л) kT mdL (0)=1 7onB/FJ = Е L{(А-0.5) + [(А-0.5)2 + А]^}, l + (2EF/EgLJ где A=7l2k2T/2eEgLaoo и a": =74 мкВ/К (Т=21 К). Значение EgL брались из литературных данных.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Была проведена работа по изучению литературы, обработке экспериментальных данных, проведению математических расчетов, позволяющая сделать вывод о том, что поставленные цели достигнуты практически полностью, а также показано, что данное направление работы имеет перспективу, разработка которой может принести немалую пользу для глубокого изучения особенностей кинетики фононных систем и электрон-фононных взаимодействий.

В данной работе впервые проведен анализ релаксации фононов при совместном рассмотрении температурных зависимостей фононной теплопроводности и термоэдс в области фонон-электронного увлечения. Только такой подход позволяет дать теоретическое объяснение особенностям эффекта увлечения электронов фононами в сплавах висмут-сурьма и висмут-сурьма-теллур.

Результатами работы являются нижеследующие выводы, количественные и качественные оценки, многие из которых сделаны впервые, а остальные приведены с некоторыми уточняющими фактами, позволяющими по-новому взглянуть как на теорию фононных систем в общем случае, так и на эффект увлечения электронов фононами в частности.

• Проведена обработка результатов экспериментального исследования комплекса явлений переноса в сплавах Bi-Te и Bi-Sb-Te при широком варьировании содержания Т. е. Определены электрофизические параметры исследованных образцов. Выделены фононная теплопроводность и фононная составляющая термоэдс, и проведен их совместный теоретический анализ.

• В сплавах Bi-Te при концентрациях легирующей примеси Те СТе<0.005 ат% наблюдаемые в температурном интервале ТМ<�Т<12 К экспоненциальные зависимости Иф (Т), хорошо описываются соотношением.

Иф~Т3ехр (41±2)/Т, что объясняется вымораживанием акустических фононов с температурой Дебая 6ак=(43±-4) К. Расчеты времени релаксации фононов в U-процессах, хорошо согласуются с литературными данными.

• Сильная зависимость частоты фонон-примесного рассеяния от частоты фонона приводит к более интенсивному рассеянию тепловых фононов, по сравнению с дотепловыми. Взаимодействие тепловых и дотепловых фононов посредством N-процессов увеличивает вклад последних в фононную теплопроводность настолько, что этот вклад начинает определять ее температурную зависимость на образцах с содержанием Те (0.005<СТе<0.05 ат%). Поэтому для объяснения дробных степенных зависимостей фононной теплопроводности таких образцов можно использовать выводы теории «грязных» диэлектриков. Температурная зависимость времени релаксации на таких составах близка к температурной зависимости времени релаксации фонон-примесного рассеяния.

• В сплавах Bi-Te с Ст<>0−05 ат% при низких температурах преобладает фонон-примесное рассеяние, поэтому температурная зависимость фононной теплопроводности близка к теоретической Иф~Т~ В образцах с меньшей концентрацией Те такая зависимость наблюдается в интервале 16<Т<30 К.

• Анализ температурных и концентрационных зависимостей фононной теплопроводности сплавов BiixSbx (0.01<х<0.17) с различной концентрацией примесных носителей заряда (электронов и дырок) при Т<20 К показал, что закономерности поведения фононной теплопроводности являются общими и выполняются при легировании сплавов Bi-Sb как акцепторной (Sn), так и донорной (Те) примесями.

• Различие концентрационных зависимостей фононной теплопроводности, даваемых теорией «грязных» диэлектриков и наблюдаемых экспериментально, а также характер температурных зависимостей фононной теплопроводности исследованных образцов сплавов.

Bi-Sb с концентрацией примесных носителей заряда п, р>1017 см 3 можно объяснить наличием вклада в общее время релаксации фононов времени рассеяния фононов на носителях заряда. Этот вывод подтверждается наличием эффекта увлечения электронов фононами при Т<20 К.

• Для всех сплавов Bii. xSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К на температурных зависимостях фононной теплопроводности наблюдается два экспоненциальных участка, наличие которых обусловлено вымораживанием U-процессов с участием акустических (9ак=43 К) и оптических (Оопт^ЗО К) фононов. Независимо от кристаллографической ориентации образца, фононную теплопроводность таких сплавов можно описать зависимостями иф (Т)~Т1ехр43/Т (20<Т<40 К) и ^(T>T'expl30/1.25T (45<Т<95 К).

• Теория «грязных» диэлектриков хорошо описывает фононную теплопроводность чистых полупроводниковых сплавов Bi-Sb для двух предельных случаев: Т":9 и Т"0, где 6=120 К температура Дебая висмута. Согласно теории и экспериментальным данным в интервале температур ТМ<�Т<20 К Кф~Т4/3, для Т>120 К иф~Т1/3. В промежуточной области температур при смене механизмов релаксации фононов с участием фонон-примесного и фонон-фононного рассеяния, согласно экспериментальным данным, фононная теплопроводность определяется вымораживанием U-процессов. Поэтому для описания наблюдаемых экспоненциальных зависимостей фононной теплопроводности слабо легированных сплавов Bi-Sb, необходима дальнейшая разработка теории «грязных» диэлектриков для интервала температур 20<Т<120 К.

• Показано, что в сплавах Bi-Te, при малых уровнях легирования, увлечение электронов фононами ещё можно трактовать как двухступенчатое, а температурные зависимости аф (Т) и иф (Т) определяются одной и той же эффективной частотой релаксации импульса фононов, перенормированной.

N-процессами. При выполнении этого условия и преобладании фонон-фононного рассеяния наблюдаются экспоненциальные температурные зависимости фононной термоэдс, которые при увеличении вклада фонон-примесного рассеяния переходят в степенные. В сильнолегированных теллуром сплавах Bi-Te (Сте>0.05 ат%) увлечение электронов осуществляется тепловыми фононами и носит одноступенчатый характер.

• Установлено, что в сплавах Bii. xSbxTe (0.13<х<0.15) увлечение электронов фононами носит одноступенчатый характер и является неполным. При малых уровнях легирования теллуром, увлечение электронов осуществляется электронными длинноволновыми фононами, класс которых сравнивается с тепловыми при больших уровнях легирования. Обнаружено влияние непараболичности L-зоны электронов на величину фононной термоэдс увлечения, и влияние фонон-электронного рассеяния на характер температурных зависимостей а. ф (Т).

• Для образцов сплавов Bii. xSbxSn (Te) (х=0.135±-0.015) проведен расчет диффузионной составляющей термоэдс в классически сильном магнитном поле и выделена фононная составляющая. Установлено, что фононная термоэдс в сильном поле имеет значительную величину по сравнению с термоэдс в нулевом поле и определяется степенью вырождения системы носителей заряда. Показано, что циклическое движение электронов в магнитном поле расширяет класс «электронных» фононов до тепловых, чем можно объяснить наблюдаемые температурные зависимости а* (т).

• Отмеченные выше особенности фононной термоэдс в сплавах на основе висмута установлены впервые, за счет развитого в данной работе метода совместного анализа температурных зависимостей фононной теплопроводности и фононной составляющей термоэдс. Приведенные в работе экспериментальные данные по фононной термоэдс и их теоретический анализ в рамках существующих теорий показал, что теория увлечения электронов фононами не является законченной и нуждается в дальнейшей разработке.

• По измеренным компонентам тензоров: термоэдс осп (Т), теплопроводности Xii (T) и удельного сопротивления Pii (T) рассчитан температурный ход термоэлектрической добротности Zjj (T) сплавов Bi) xSbx (0<х<0.16) в интервале 490 К. Показано, что наибольшие величины термоэлектрической добротности в интервале температур 40<Т<80 К получены в полуметаллическом сплаве Bi-Sb с малым перекрытием Lи Т-зон.

Л 1.

Z33"5−10 К). Установлено, что легирование полупроводниковых сплавов приводит к увеличению термоэлектрической добротности при Т<90 К, и в полупроводниковом сплаве Bio. g4Sbo.i6 легированном 0.001 ат% Те имеет наибольшую величину Z33"5. 6−10″ 3 К" 1.

В заключение выражаю искреннюю благодарность ведущему сотруднику ФТИ им. А. Ф. Иоффе, доктору физ.-мат. наук, профессору Редько Николаю Андреевичу, а также кандидату физ.-мат. наук, доценту Родионову Николаю Антоновичу и кандидату физ.-мат. наук, доценту Польшину Василию Ивановичу за предоставленные мне результаты экспериментальных исследований при низких температурах, обработка и теоретический анализ которых проведены в диссертационной работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л. А. Физические свойства висмута//УФН. 1968. — Т.94. -№ 1. — С.3−41.
  2. А.А., Фальковский Л. А. Теория электронного энергетического спектра металлов с решеткой типа висмута//ЖЭТФ. —1962. Т.43. — № 9. — С. 1089−1101.
  3. А.А. Некоторые вопросы теории полуметаллов//ЖЭТФ. -1973. Т.65. — № 11. — С.2063−2074.
  4. Mase S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals//.!. Phys. Soc. Japan. -1958. V.13. — № 5. — P.434−445.
  5. Boyle W.S. and Smit G.E. Bismuth//Progress In Semiconductors. London.1963. V.7. — P.1−44.
  6. В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов. М.: Наука, 1966. — 224 с.
  7. Cucka D., Barret C.S. The Crystal of Bismuth and Solid Solutions Pb, Sn, Sb and Те in Bi//Ada Cryst. 1962. — V.15. — № 9. — P.865−872.
  8. Barret C.S., Cucka P., Haefner K. The crystal structure of antimony at 4.2, 78 and 298 K//Ada Cryst. 1963. — V.16. — № 6. — P.451−453.
  9. Jain A.L. Temperature Dependence of the Electrical Properties of Bismuth-Antimony Alloy/ZPhys. Rev. 1959. — V. l 14. — № 6. — P.1518−1528.
  10. Х.П. Физическая химия полупроводников. M.: Металлургиздат, 1955.-332 с.
  11. Юм-Розери В. Атомная теория для металлургов. М.: Металлургиздат, 1955.-332 с.
  12. Вол А. Е. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Физматгиз, 1962, — Т.2. — 982 с.
  13. В.В., Соколов А. И. О взаимодействии Р, As, Sb и Bi/ТНеорганич. мат. 1971. — Т.7. — № 7. — С.868−869.
  14. М.И., Томтиев Д. С., Загарова М. И. Твердые растворы в системе Bi-Sb-Аз//Неорганич. мат. 1971. — Т.7. — № 7. — С. 1157−1159.
  15. Jones Н. Applications of the Bloche Theory to the study of Alloys and of the Properties of Bismuth//Proc. Roy. Soc. A. 1934. — V.147. — № 86. -P.396−417.
  16. Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах. -М.: Мир, 1968.-197 с.
  17. Mase S. Electronic Structure of Bismuth Type Crystals//.!. Phys. Soc. Japan. 1959. V.14. -№ 5. -P.584−589.
  18. Ferreira L.C. Relativistic band structure calculation for bismuth//J. Phys. Chem. Sol. 1967. — Y.28. -№ 10. -P.1891−1902.
  19. Jain A.L., Koenig S.H. Electrons and holes in bismuth//Phys. Rev. 1962. -V.127. -№ 2. -P.442−446.
  20. Koenig S.H., Lopez A.A., Smith D.B., Yamell J.L. Location of the valence-band maximum in bismuth//Phys. Rev. Lett. 1968. — V.20. — № 2. — P.48−50.
  21. Zitter R.H. Small-field galvanomagnetic tensor of Bi at 4.2 КУ/Phys.Rev. -1962. V.127. — № 5. -P.1471−1480.
  22. Ferreira L.C. Band Structure Calculation for Bismuth: Comparison with Experiment//! Phys. Chem. Solids. 1968. — V.29. — № 2. — P.357−365.
  23. Golin S. Band structure of bismuth: Pseudopotential approach//Phys. Rev. -1968. V. 166. -№ 3. P.643−651.
  24. Л. А., Разина Г. С. Электроны и дырки в висмуте//ЖЭТФ. -1965. Т.49. — № 7. — С.265−274.
  25. Fallkov L.M., Lin P.J. Band structure and Fermi Surface of Antimony: Pseudopotential Approach//Phys. Rev. 1966. — V.141. — № 2. — P.562−567.
  26. Windmiller L.R. De Baas-van Alphen Effect and Fermi surface in Antimony//Phys. Rev. 1966. — V.149. — № 2. — P.472−484.
  27. Н.Б., Минина Н. Я., Чжу-Чжень-Чан. Исследование эффекта де Гааза-ван Альфена у сурьмы//ЖЭТФ. 1966. — Т.51. — № 7. — С. 106−117.
  28. Cohen М.Н., Blount E.I. The g-factor and de Haas-van Alphen Effect of Electrons in Bismuth//Phil. Mag. 1960. — V.5. — № 50. — P. l 15−126.
  29. B.C. Свойства электронов в висмуте//УФН. 1977. — Т.123 -№.2. — С.68−109.
  30. B.C. Исследование свойств электронов в висмуте: Автореф. дис. докт. физ.-мат. наук. М., 1975. — 23 с.
  31. B.C. Форма электронной поверхности Ферми висмута//ЖЭТФ. 1973. — Т.64. — №. — С.1734−1745.
  32. Н.Б. О дырочной теории поверхности Ферми у висмута//Письма в ЖЭТФ. 1960. — Т.38. — № 4. — С.1355−1356.
  33. Е.П. Квантовые осцилляции квазистатической проводимости висмута в магнитном поле//ЖЭТФ. 1964. — Т.46. — № 6. — С.2065−2041.
  34. Shoenberg D. The Magnetic Properties of Bismuth//Proc. Roy. Soc. 1939. -V. 170. — № 942. — P.341 -364.
  35. Д. Магнитные осцилляции в металлах. М.: Мир, 1966. — 678 с.
  36. B.C., Хайкин М. С. Исследование поверхности висмута методом циклотронного резонанса//ЖЭТФ. 1965. — Т.49. — № 7. -С.107−116.
  37. Dinger R.J., Lawson A.W. Cyclotron resonance and the Cohen nonellipsoidal nonparabolic model for bismuth. III. Experimental results//Phys. Rev. B. -1973. V.7. — № 12. — P.5215−5227.
  38. Bhargava R.N. De Baas-van Alphen and galvanomagnetic effect in Bi and Bi-Pb alloys//Phys. Rev. 1967. — V.156. -№ 3. -P.785−797.
  39. А. П. Исследование осцилляции поглощения ультразвука в висмуте. I. Геометрический резонанс // ЖЭТФ. 1965. — Т.49. — № 10. -С.1009−1018.
  40. Herrmann R., Bess S., Muller B.-V. Radio frequency size effect in bismuth//Phys. Stat. Sol. (b). 1971. -V.48. -P.l51−153.
  41. Takaoka S., Kawamura В., Murase K., Takano S. Electron band model of bismuth by magnetic surface resonance//Phys. Rev. B. 1976. — V.13. — № 4. -P.1428−1433.
  42. A.B., Королюк A.H., Белецкий В. И., Хоткевич В. И. Магнитоакустические резонансы в висмуте//ЖЭТФ. 1978. — Т.71. -№ 7. — С.330−340.
  43. Цой B.C. Исследование взаимодействия электронов с границей при помощи поперечной фокусировки//ЖЭТФ. 1975. — Т.68. — № 5. -С.1849−1858.
  44. Р. Исследование закона дисперсии носителей тока в висмуте: Дис. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1978. — 163 с.
  45. Brown R.H., Mavroldes J.G., Lax В. Magnetoreflectlon in bismuth//Phys. Rev. 1963. — V.129. -№ 5. -P.2055−2061.
  46. Esaki L., Chang L.L., Stiles P.J., O’Kane D.F., Wiser N. Phonon-Asslsted Tunneling In Bismuth Tunnel Junction//Phys. Rev. 1968. — V.167. — № 3. -P.637−639.
  47. Noothoven van Goor J.M. Charge-carrier densities and mobilities in bismuth doped with tin//Phys. Lett. 1966. — V.21. — № 6. — P.603−604- 1968. -V.26A. -№ 10. -P.490−491.
  48. Malgrange J.L. Proprietes galvanomagnetiques des alliages bismuth-etain a 4 К et a faible champ magnetique//Phys. Stat. Sol. 1969. — V.35. — № 1. -P.405−420.
  49. Н.Б., Долголенко Т. Ф., Студоченко H.H. Исследование эффекта де Гааза-ван Альфена у висмута при сверхнизких температурах//ЖЭТФ. -1963. Т.45. -№ 11.- С.1319−1335.
  50. Н.Б., Ястребова В. А., Пономарев Я. Г. Электронные фазовые переходы И.М. Лифшица у Bi/ADTT. 1974. — Т. 16. — № 1. — С.102−109.
  51. Я.Г. Электронные переходы под действием давления в висмуте и сплавах висмут-сурьма, легированных примесью акцепторного типа: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Москва, 1968.- 18 с.
  52. Giura М., Marcon R. Band Structure of the Holes in Bismuth//Phys. Rev. B. -1970. V.l. -№ 4. -P.1528−1532.
  53. Giura M., Marcon R., Presutti E., Scacclatelll E. New kind of magnetoacoustic oscillations in Sn-doped Bi//Sol. St. Comm. 1972. — V.10. -№ 12. -P.1281−1283.
  54. Bate R.T., Einspruch N.G. Galvanomagnetic studies of Sn-doped Bi//J.Phys. Soc. Japan. 1966. — V.21. — P.673−677.
  55. Bodiul P.P., Fedorko A.S., Gitsu D.V. Thermo- and magnetothermo-e.m.f. in Bi-Sn alloys//Phys. Stat. Sol. 1970. — V. l A. — № 2. — P.77−80.
  56. A.H. Сравнение влияния олова и свинца на магнитную восприимчивость и явления переноса висмута: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Ленинград, 1974. 128 с.
  57. Golin S. Band Model for Bismuth-Antimony Alloy//Phys. Rev. 1968. -V.176. — № 3. — P.830−832.
  58. Н.Б., Чудинов C.M., Караваев В. Г. Исследование бесщелевого состояния индуцированного магнитным полем в сплавах висмут-сурьма//ЖЭТФ. 1976. — Т.70. — № 6. — С.2296−2317.
  59. Tichovolsky E.J., Mavroides J.G. Magnetoreflection studies on the band structure of bismuth-antimony alloy//Sol. St. Comm. 1969. — V.7. — № 13. -P.927−931.
  60. Г. А., Судакова M.B., Пономарев Я. Г. Исследование зонной структуры полупроводниковых сплавов BibxSbxZ/ЖЭТФ. 1980. — Т.78. -№ 5. — С. 1832−1851.
  61. Т.М., Ормонт А. Б., Чиркова Е. Г., Шульман, А .Я. Оптическое пропускание полупроводникового твердого раствора В11.Х8ЬХ//ЖЭТФ.1977. Т.72. — № 3. — С. 1130−1139.
  62. В.Г., Заец Н. Ф., Кудряшев А. А., Ормонт А. Б. Зависимость ширины запрещенной зоны в полупроводниковых твердых растворах Bi-Sb от концентрации сурьмы//ФТП. 1976. — Т. 10. — № 12. -С.2243−2246.
  63. Н.Б., Свистова Е. А., Семенов М. В. Электронные переходы у сплавов висмут-сурьма в сильных магнитных полях//ЖЭТФ. 1970. -Т.59. — № 2. — С.434−444.
  64. Oelgart G., Schneider С., Kraak W., Herrmann R. The Semiconductor-Semimetal Transition in BibxSbx Alloy//Phys. Stat. Sol.(b). 1976. — V.74. -№ 1. -P.75−77.
  65. Kraak W., Oelgart G., Schneider G., Herrmann R. The Semiconductor-Semimetal Transition in BiixSbx alloy with x>0.22//Phys. Stat. Sol.(b).1978. V.88. -№ 1. -P.105−110.
  66. Г. А., Судакова M.B., Пономарев Я. Г. Закон дисперсии носителей в сплавах Bii.xSbx/APTT. 1980. — Т.22. — № 12. — С.3628−3634.
  67. Lemers L.S., Cuff K.F., Williams L.H. Energy-Band Parameters and Relative Band-Edge Motions in the Bi-Sb Alloy System near the Semimetal-Semiconductor Transition//Rev. Mod. Phys. 1968. — V.40. — № 4. — P.770−775.
  68. Н.Б., Корчак Б. А., Чесноков A.M., Чудинов C.M. Переходы полупроводник-полуметалл у сплавов BiSb с высокой концентрацией сурьмы//ФТТ. 1977. — Т.19. — № 7. — С.2107−2115.
  69. Н.Б., Германн Р., Голышева Г. И., Девяткова Л. И., Кусник Д., Краак В., Пономорев Я. Г. Электронная поверхность Ферми у полуметаллических сплавов Bi,.xSbx 0.23<�х<0.56//ЖЭТФ. 1982. — Т.83. — № 6. — С.2152−2169.
  70. Lax В., Mavroides J.G., Zeiger H.J., Keyes R.J. Infrared magnetoreflexion in bismuth. High fields//Phys. Rev. Lett. 1960. — V.5. — № 6. — P.241−261.
  71. Maltz M., Dresselhaus M.S. Magnetoreflection Studies in Bismuth//Phys. Rev.B. 1970. — V.2. — № 8. — P.2877−2887.
  72. Н.Б., Любутина Л. Г., Крюкова H.A. Исследование энергетического спектра электронов в BiSb/УЖЭТФ. 1977. — Т.53. -№ 1. — С.134−141.
  73. ChuH.T., KaoY.-H. Shubnikov-de Haas effect in dilute bismuth-antimony alloy. I. Quantum oscillations in low magnetic fields//Phys. Rev.B. 1970. -V. 1. — № 6. — P.2369−2376.
  74. Cohen M.H. Energy Bands in Bismuth Structure. I. A Nonellipsoidal Model for Electrons in Bi//Phys. Rev. 1961. — V.121. — № 2. — P.3 87−395.
  75. М.И., Брандт Н. Б., Вавилов B.C., Пономарев Я. Г. Исследование оптических осцилляционных и гальваномагнитных эффектов у легированных полупроводниковых сплавов BiixSbx//)K3TO. 1977. — Т.73. — № 8. — С.721−731.
  76. Н.Б., Чан Тхи Нгок Бик, Пономарев Я.Г. Изменение анизотропии поверхностей Ферми у полупроводникового сплава Bio.9Sbo.i р-типа при переходе в бесщелевое состояние под действием давления//ЖЭТФ. -1977. Т.72. — № 3. — С.989−1000.
  77. Oelgart G., Herrmann R. Cyclotron resonance and quantum oscillations of p-type semiconducting BiixSbx alloys//Phys. Stat, sol.(b). 1974. — V.61. -№ 1- P.137−146.
  78. McClure J.W., Choi K.N. Energy Band Model and Properties of Electrons in Bismuth//Sol. State Commun. 1977. — V.21. — № 11. — P. 1015−1018.
  79. McClure J.W. The energy band model for Bismuth: Resolution of a theoretical discrepancy//!. Low Temp. Phys. 1976. — V.25. — № 5/6. -P.527−540.
  80. Ancliffe G.A. Band structure of Bi88Sbi2//Phys. Lett. 1969. — V.28A. — № 9. -P.601−602.
  81. Е.П., Евсеев B.B., Иванов Г. А., Миронова Г. А., Пономарев Я. Г. Определение параметров закона дисперсии носителей у полупроводниковых сплавов BiixSbx п-типа//ФТТ. 1978. — Т.20. — № 7.- С.1937−1946.
  82. .А., Фальковский JI.A. Электронная структура полуметаллов группы У//ЖЭТФ. 1983. — Т.85. — № 6. — С.2135−2151.
  83. Е.А., Фальковский JI.A. Электронная структура висмута. Теория и эксперимент//ЖЭТФ. 1984. — Т.87. — № 6. — С.2202−2213.
  84. Smith В.Т., Sievers A.J. Determinations of the hole band gap in bismuth by far-infrared magnet-transmission//Phys. Lett. 1975. — V.51A. — № 5. -P.273−274.
  85. Isaacson R.T., Williams G.A. AlfVen-Wave Propagation in Solid State Plasmas. III. Quantum Oscillations of the Fermi Surface of Bismuth//Phys. Rev. 1969. — V. 185. — № 2. — P.682−688.
  86. C.M., Акимов Б.А, Мощалков В. В. Эффективный g-фактор дырок в полуметаллических сплавах висмут-сурьма//ФТТ. 1975. -Т.17. — № 8. — С.2301−2305.
  87. А.Ф. Физические принципы оптимизации термоэлектрических параметров сплавов на основе висмута и сурьмы: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1976. — 144 с.
  88. В.М. Исследование теплопроводности и термоэдс висмута и его сплавов: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1967. — 203 с.
  89. И.И. Изучение валентной зоны сплавов висмут-сурьма методом варьирования уровня химпотенциала: Дис. канд. физ.-мат. наук.- Ленинград, 1970. 160 с.
  90. Г. А., Грабов В. М. О поведении дифференциальной термоэдс в сплавах висмута//ФТТ. 1966. — Т.8. — № 8. — С.2460−2461.
  91. М.Е. Некоторые аспекты фонон-электронного и фонон-фононного взаимодействия в висмуте: Дис. канд. физ.-мат. наук. -Ленинград, 1969. 224 с.
  92. Uher С., Goldsmid H.J., Drabble J.R. Thermomagnetic Effects in Tin-Doped Bismuth//Phys. Stat. Sol.(b). 1975. — V.68. — № 2. — P.709−717.
  93. Schneider G., Trommer R. Transporteigenschaften und Quantenosczillationnen von Те- und Sn- dotiertem Bi94Sb6//Z. Naturforsch. -1975. № 30A. — S.1071−1083.
  94. Brown D., Silverman S.J. Electrons In Bi-Sb Alloys//Phys. Rev. 1964. -V.136. — № 1 A. — P.290−299.
  95. Lehnefinke W., Schneider G. Die elektrischen Transportgro|3en von dotiertem Bi88Sb12//Z. Naturforsch. 1969. — B.24A — № 10. — S.1594−1601.
  96. MacFarlane R.E. Lattice dynamics of bismuth//J. Phys. Chem. SoL. 1971. V.32. — Supplement № 1. — P.289−295.
  97. Eckstein Y., Lawson A.W., Reneker D.H. Elastic Constants of Bismuth//J.Appl. Phys. 1960. — V.31. — № 9. — P. 1534−1538.
  98. Smith G.S., Wolfe R. Thermoelectric Properties of Bismuth-Antimony Alloys//J.Appl. Phys. 1962. — V.33. — № 3. — P.841−846.
  99. Chaudhuri K.D., Dey Т.К. Heat Conduction in Bismuth-Antimony Alloy Single Crystals Between 4.2 and 300 K//J. Low Temp. Phys. 1975. — V.20. — №¾. — P.397−405.
  100. Yarnell J.L., Warren J.L., Wenzel R.G., Koenig S.H. Phonon Dispersion Curves in Bismuth//IBM J. Res. Dev. 1964. — V.8. — № 3. — P.234−240.
  101. Ф.И. Теория упругих волн в кристалле. М.: Наука, 1965. — 200с.
  102. Л.Д. и Лифшиц Е.М. Теория упругости. М.: Наука, 1965. — 202с.
  103. И.Н., Стрелков П. Г. Теплоемкость висмута между 0.3 и 4.4 К //ЖЭТФ. 1958. — Т.34. — № 3. — С.616−621.
  104. Phillips N.E. Nuclear Quadrupole and Electronic Heat Capacities of Bismuth//Phys. Rev. 1960. — V. l 18. — № 3. — P.644−647.
  105. Franzosini P., Clusius K. Low Temperature Research//Z. Naturforschg. -1964. B.19a. -H.12. — S.1430−1431.
  106. Schneider D. Shubnikow-de Haas Effect undo Bandstruktur-Untersuchungen an Bi-Sb Legierungen//Z. Naturforschung. 1972. — B.27A. — H.2. — S.250−270.
  107. H.A., Польшин В. И., Косарев B.B., Иванов Г. А. Плотность состояний и масса плотности состояний электронов в сплавах BiixSbx //ФТТ. 1983. — Т.25. — № 10. — С.3138−3146.
  108. Н.А., Польшин В. И., Иванов Г. А. Механизмы рассеяния электронов в сплавах n-Bii.xSbx (0<х<0.16) при низких температурах//ФТТ. 1984. — Т.26. — № 1. — С.10−13.
  109. Okada Т. The Phenomenological Theory of the Galvanomagnetic Effects// Memoirs of the Faculty of Science, Kyus’yn University, 1955. — Ser. B, -V.l -№ 5.-P.157−168.
  110. Д.В., Иванов Г. А. К расчету анизотропии гальваномагнитных свойств монокристаллов висмута//Изв. АН МССР. 1962. — № 5. — С.83−91.
  111. Д.В., Иванов Г. А. Электрические свойства монокристаллов висмута и его сплавов//ФТТ. 1960. — Т. 2. — № 7. — С.1464−1476.
  112. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. Л.: Гостехиздат, 1957. — 335 с.
  113. .М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1970.-303 с.
  114. Akdoz Y.C., Saunders G.A. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: I Galvanomagnetic effects//Phys. C. 1975. — V.8. — № 9. -P.1387−1396.
  115. Akdoz Y.C., Saunders G.A. Space-time symmetry restrictions on the form of transport tensors: II Thermomagnetic effects//Phys. C. 1975 — V.8. — № 18. — P.2962−2970.
  116. Jones H., Wills H.H. The Theory of the Galvanomagnetic Effects in Bismuth//Proc. Roy. Soc. 1936. — V.155. — № 886. — P.653−663.
  117. Г. А. Электрические и гальваномагнитные свойства висмута и его сплавов (твердые растворы) в широком температурном интервале. -Дис. докт. физ.-мат. наук. JL, 1965. — 261 с.
  118. Zawarski W. Kolodziejczak J. Kowaiczyk R. The Generalized Fermi-Dirac Integrals//Phys. Stat. Sol. 1965. — V.10. -№ 2.-P.513−518.
  119. И.М. Зонная структура полупроводников. М.: Наука, 1978.-328 с.
  120. Ю. И. Ефимова Б.А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968. — 383 с.
  121. М.К., Кайданов В. И., Черник И. А. О непараболичности зоны проводимости теллурида свинца//ФТТ. 1966. — Т.8. — № 1. — С.295−297.
  122. П.И., Буда И. С., Даховский И. В., Коломоец П. И. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках. Киев.: Наукова Думка, 1977. — 269 с.
  123. Дж. Теория подвижностей в твердых телах. М.: Физматгиз, 1963. — 224 с.
  124. М.И., Градштейн И. С. Таблицы интегралов, сумм, рядов и произведений. М.: Физматгиз, 1948. — 400 с.
  125. О.С., Тамарченко В. И. Неупругое межзонное рассеяние на фононах в явлениях переноса//ФТП. 1976. — Т. 10. — № 9. — С.1664−1669.
  126. Р. Теплопроводность твердых тел М.: Мир, 1979. — 286с.
  127. .М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. М.: Наука, 1972. — 536 с.
  128. У.Г. Зонная плавка. М.: Мир, 1970. — 336 с.
  129. Г. Н., Налетов B.JI. Выращивание монокристаллов Bi-Sb методом зонной перекристаллизации//Полуметаллы: Сб. научн. статей. -Л.: ЛГПИ, 1968. С.3−6.
  130. К.Г., Крылов А. С., Калугина И. К. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма//Приб. и техн. эксп. 1975. — № 2. — С.225−226.
  131. К.Г., Крылов А. С. Выращивание монокристаллов висмут-сурьма высокого качества//Полуметаллы и полупроводники: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1975. — С.24−28.
  132. В.Н., Ухлинов Г. А., Долинская Н. Ю., Марычев В. В. Исследование условий получения монокристаллов висмута и сплавов висмут-сурьмаУ/Изв. АН СССР (металлы). 1973. — № 6. — С.57−63.
  133. К.Г., Крылов А. С., Налетов В. Л. О преимущественном направлении роста гомогенных монокристаллов системы висмут-сурьмаУ/Полупроводники и диэлектрики: Л.: ЛГПИ, 1974. — С.43−46.
  134. Г. А., Клещинский Л. И., Николаев В. И. Рентгенографические исследования твердых растворов в области малых концентраций//Полуметаллы: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1968. -С.17−20.
  135. В.И. Коэффициент отдачи Те в сплавах висмут-сурьма при гелиевых температурах//Полуметаллы и сегнетоэлектрики: Сб. научн. статей. Л.: ЛГПИ, 1977. -С.113−115.
  136. Р.Н. Гидродинамические эффекты в твердых телах при низких температурах//УФН. 1968. — Т.94. — № 4. — С.689−718.
  137. B.C., Смирнов И. А. Дефекты в кристаллах и теплопроводность. Л.: Наука, 1972. — 160 с.
  138. В.Н., Межов-Деглин Л.П. Исследование кинетических коэффициентов висмута при гелиевых температурах//ЖЭТФ. 1973. -Т.65. — № 2(8). — С.720−734.
  139. М.Е., Оскотский B.C., Польшин В. И., Шалыт С. С. Роль нормальных процессов в фононной теплопроводности Bi/УЖЭТФ. -1969. Т.57. — № 4(10). — С.1112−1117.
  140. И.Г. Влияние нормальных процессов фонон-фононного рассеяния на взаимное увлечение электронов и фононов и кинетические эффекты в вырожденных полупроводниках//ФТТ. 2000. — Т.42. -№ 11. — С.1952−1960.
  141. И.Г. Нормальные процессы рассеяния квазичастиц и кинетические эффекты в полупроводниках с вырожденной статистикой носителей тока//ФТТ. 2002. — Т.44. — № 2. — С.215−225.
  142. И.Я., Кузнецов М. Е., Муждаба В. М., Шалыт С. С. Электронная теплопроводность и соотношение Видемана-Франца для В1//ЖЭТФ. 1969. -Т.57. -№ 6. -С.1867−1876.
  143. Н.А., Каган В. Д. Влияние электрон-фононного взаимодействия на фононную теплопроводность полупроводниковых сплавов Bi-Sb/ADTT. 1994. — Т.36. — № 7. — С.1978−1993.
  144. Pratt W.P., Uher С. Thermal conductivity of bismuth at ultralow temperatures//Physics Letters. 1978. — V. 68A. — № 1. — P.74−76.
  145. Lopez A.A. Electron-Hole Recombination in Bismuth//Phys. Rev. 1968. -V.175. -№ 3.-P.823−840.
  146. H.A., Каган В. Д. Пуазейлево течение фононного газа висмута вусловиях размерного эффекта//ФТТ. 1991. — Т.ЗЗ. — № 8. — С.2413−2417.
  147. В.Д., Редько Н. А. Фононные времена релаксации в висмуте//ФТТ. 1993. — Т.35. — № 6. — С. 1686−1697.
  148. Каган В, Д., Редько Н. А. Особенности фононной теплопроводности сплавов на основе висмута//ЖЭТФ. -1991. Т.100. — № 10. — С.1205−1218.
  149. М.П., Родионов Н. А., Редько Н. А., Полыиин В. И. Примесный фазовый переход Лифшица в висмуте/ЯТисьма в ЖЭТФ. 1986. — Т.43. -№ 1. — С.41−43.
  150. И.А., Тамарченко В. И. Электронная теплопроводность в металлах и полупроводниках. Л.: Наука, 1977. — 152 с.
  151. И.Я., Кузнецов М. Е., Шалыт С. С. Термоэдс и термомагнитные свойства висмута при низких температурах//ЖЭТФ. -1969. Т.56. — № 1. — С.8−20.
  152. И.Я. Теория термоэлектрических и термомагнитных свойств висмута при низких температурах//ФТП. 1968. -Т.2. — № 10.1. С.1425−1435.
  153. В.А., Лидоренко И. С., Нагаев Э. Л. Двухступенчатое увлечение электронов фононами и экспоненциально большие термоэдс//ФТТ. -1973. Т.15. — № 5. — С.1458−1467.
  154. А.А., Козлов В. А. Фонон-фононное увлечение в полупроводниках//ФТП. 1986. — Т.20. — № 1. — С.53−58.
  155. Н.А., Родионов Н. А. Топологические фазовые переходы в сплавах Bii-xSbx и положение тяжелой зоны дырок от состава//Письма в ЖЭТФ. 1985. — Т.42. — № 6. — С.246−249.
  156. В.И. Явления переноса в сплавах BiixSbx (0<х<0.16) п-типа при низких температурах: Дис. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1983.- 186 с.
  157. В. А. Нагаев Э.Л. Аномалии термоэдс при фонон-фононном увлечении// Письма в ЖЭТФ. 1971. — Т. 13. — № 11. — С.639−643.
  158. .М. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985.-320 с.
  159. В.Л., Образцов Ю. Н. Влияние увлечения электронов фононами на термомагнитные эффекты в полупроводниках//ЖЭТФ. 1957. — Т.32.- С. 390.
  160. A.JI., Эфрос А. Л. Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термоэдс и эффект Нернста//ФТТ. 1962. — Т.4. — № 10. -С.2931−2939.
  161. Л.Э., Коренблит И. Я. Влияние увлечения электронов фононами и их взаимного увлечения на кинетические коэффициенты полуметаллов//ФТТ. 1964. — Т.6. — № 3. — С.856−863.
  162. И.Г., Павлов С. Т. Теория увлечения электронов фононами в магнитном поле//ЖЭТФ. 1972. — Т.63. — № 10. — С.1495−1503.
  163. И.Г. Влияние взаимного увлечения электронов и фононов на термомагнитные и термоэлектрические явления в проводниках с вырожденной статистикой носителей тока//ФТТ. 2000. — Т.42. — № 6. -С.979−985.
  164. Yim W.M., Amith A.A. Bi-Sb alloys for magneto-thermoelectric and thermomagnetic cooling//Solld-State Electronics. 1972. — V.15. — № 10. -P.1141−1165.
  165. Г. А., Куликов В. А., Налетов В. Л., Панарин А. Ф., Регель А. Р. Термоэлектрическая добротность чистых и легированных сплавов висмут-сурьма//ФТП. 1972. — Т.6. — № 7. — С. 1296−1299.
  166. Н.А., Иванов Г. А., Редько Н. А. Термоэлектрическая добротность сплавов Bii.xSbx (0.12<х<0.14) р-типа при низких температурах//ФТТ. 1982. — Т.24. — № 6. — С. 1881−1884.
  167. В.М. Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма: Автореф. дис. док. физ.-мат. наук. Санкт-Петербург, 1999. — 32 с.
  168. Red’ko N.A. Thermoelectric efficiency of semikonducting Bi-Sb Alloys. Fourteenth International Confereneon Thermoelectris. St. Peterburg A.F.Ioffe Physical-Technical Institute, 1995. -82 p.
  169. Н.А., Белицкий В. И., Косарев В. В., Родионов Н. А., Польшин В. И. Зоны тяжелых дырок и знак термоэдс в сплавах Bi-Sb//<3>TT. 1986. -Т.28. — № 12. — С.37−46.
  170. Н.А., Каган В. Д., Родионов Н. А., Польшин В. И. Влияние магнитного поля на фононную термоэдс в полупроводниковых сплавах n-Bi-SbZ/ЖЭТФ. 2003.- Т.124. — В.1. — С. 130−141.
  171. О.В., Польшин В. И., Родионов Н. А. Фононная теплопроводность сплавов BiixSbx (0.035<х<0.19) в интервале температур 20<Т<95 К//Деп. в ВИНИТИ. 29.10.03, № 1884-В 2003. — 9 с.
  172. О.В. Электрон-фононное взаимодействие в сплавах на основе висмута//Тез. докл. Первая межвуз. науч.-практич. конф. «Молодежь XXI века: шаг в будущее». Благовещенск: БГПУ, 2001. — С. 164−165.
  173. О.В., Польшин В. И., Редько Н. А., Родионов Н. А. Теплопроводность и электрон-фононное увлечение в сплавах BiTe// Материалы 53-ей науч.-практич. конф. преподавателей и студентов. -Благовещенск: БГПУ, 2003. -Ч. III. С.20−26.
  174. Н.А., Польшин В. И., Зотова О. В. Фононная теплопроводность и особенности увлечения электронов фононами в Bi легированном донорной примесью Те//Деп. в ВИНИТИ. 29.10.03, № 1883-В 2003. — 14 с.
  175. О.В., Редько Н. А., Родионов Н. А., Польшин В. И. Влияние электрон-фононного увлечения на термоэдс сплавов BigsSbn п-типа// Тез. докл. Регион, конф. студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. Владивосток: ДВГУ, 2000. — С.56.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!