Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Низкоразмерные планарные структуры на основе монокристаллических тугоплавких металлов, проявляющие волноводные и баллистические свойства

Диссертация: Низкоразмерные планарные структуры на основе монокристаллических тугоплавких металлов, проявляющие волноводные и баллистические свойства
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Впервые экспериментально наблюдался переход от квазилинейной к квадратичной размерной зависимости в удельной проводимости пленок тугоплавких металлов при их толщине в 30−50 нм, более чем на порядок превосходящей фермиевскую длину волны электронов, при средней амплитуде шероховатости границ раздела около монослоя и корреляционной длине порядка 10−100 нм. Волноводные поправки к проводимости при… Читать ещё >

Низкоразмерные планарные структуры на основе монокристаллических тугоплавких металлов, проявляющие волноводные и баллистические свойства (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Электронный транспорт в низкоразмерных металлических структурах
      • 1. 1. 1. Размерные эффекты в статической проводимости металлических структур
        • 1. 1. 1. 1. Классические эффекты
        • 1. 1. 1. 2. Волновые эффекты
      • 1. 1. 2. Баллистический электронный транспорт
        • 1. 1. 2. 1. Модель Ландауэра-Бутгикера. Размерные и магнетополевые аномалии в проводимости структур малого размера
        • 1. 1. 2. 2. Размерные эффекты в магнетополевой и температурной зависимости проводимости для протяженных структур
    • 1. 2. Методы нанотехнологии планарных низкоразмерных структур из металлов
      • 1. 2. 1. Методы микроструктурирования эпитаксиальных планарных 93 низкоразмерных структур
      • 1. 2. 2. Методы получения эпитаксиальных пленок
  • Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ И 114 ИССЛЕДОВАНИЯ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР
    • 2. 1. Методы (ИЛОСВ и ИЛОРИ) получения тонких эпитаксиальных пленок
    • 2. 2. Методы получения низкоразмерных монокристаллических структур 118 из тугоплавких металлов
    • 2. 3. Методы исследования электронно-транспортных свойств низкоразмерных структур
    • 2. 4. Методы исследования состава и электронного строения
    • 2. 5. Методы исследования структурных и морфологических свойств структур
  • Глава 3. УСЛОВИЯ ПОЛУЧЕНИЯ И ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ
    • 3. 1. Введение к главе 3
    • 3. 2. Однослойные эпитаксиальные пленки тугоплавких металлов
    • 3. 3. Многослойные эпитаксиальные пленки
    • 3. 4. Монокристаллические микроструктуры из тугоплавких металлов

Актуальность темы

Современная микроэлектроника, начиная с 70-х годов прошлого столетия, следует экспоненциальному статистическому закону возрастания вычислительных возможностей и скоростей обработки сигналов за счет уменьшения размеров элементов в процессе совершенствования либо оптимизации полупроводниковой технологии. Следуя этому эмпирическому закону, можно было бы ожидать, что в ближайшие 20 лет минимальное латеральное разрешение составит величину около 10 нм. В последнее время стало очевидным, что при таких малых нанометровых размерах дальнейший прогресс в микро-(нано)электронике в рамках существующих традиционных технологических подходов неминуемо столкнется как с технологическими, так и физическими ограничениями, либо новыми явлениями как для самих электронных устройств, так и для технологии их производства. Это волновые и квантово-размерные эффекты, флуктуации — как квантовые, так и статистические для малых токов и для пространственного распределения заряда малой плотности, более сильное влияние строения границ раздела при больших длинах свободного пробега электронов (ДСПЭ) и ряд других явлений.

В лабораторных условиях уже получено литографическое разрешение порядка 10 нм и менее, а с применением зондовой литографии — до 0.5 нм. Тонкие металлические пленки с толщиной в десятки нанометров находят все большее применение в электронике. Уменьшение размеров наноструктур приводит к тому, что ДСПЭ становится сопоставимой с их размерами, либо превосходит их. Начинают проявляться баллистические и волноводные эффекты, а доминирующее рассеяние электронов проводимости происходит на границах раздела проводника.

Долгое время считалось, что для нанометровых проводников из нормальных металлов волновые эффекты в их электронном транспорте могут быть существенны лишь при размерах, равных фермиевской длине волны электронов, которая составляет в нормальном металле величину около 1 нм.

Размерные эффекты в проводимости металлических пленок интенсивно исследовались на протяжении последних 100 лет, до середины 80-х годов прошлого столетия считалось, что эти эффекты укладываются в рамки классического приближения, например, модели Фукса, либо модели малоугловых электронов до тех пор, пока толщина пленки не станет микроскопически малой величиной. Именно в это время появились первые теоретические работы, указывающие на необходимость учета волноводного электронного транспорта при большой ДСПЭ в объеме пленки и для «макроскопических» размеров проводника.

Анализ опубликованных научных работ и результатов исследования по волноводному электронному транспорту в низкоразмерных планарных структурах (НПС) из металлов — пленок и наноструктур, для которых хотя бы один из размеров много меньше, чем ДСПЭ, показал, что к началу выполнения экспериментов по теме диссертации такие исследования для металлических пленок были лишь в начальной стадии. Представленные в публикациях малочисленные экспериментальные результаты выглядят малонадежными, поскольку тонкие пленки не были достаточно охарактеризованы с применением методов исследования их состава, кристаллической структуры, электронного строения и морфологии границ раздела, что понижало достоверность исследований по электронно-транспортным свойствам. Для планарных металлических наноструктур аналогичные исследования не проводились. Последнее было следствием того, что не были получены монокристаллические наноструктуры из металлов, тонкие пленки не были достаточно совершенны по своему строению, как в объеме, так и на границах раздела, и не было развито их микроструктурирование. По этой же причине в таких наноструктурах не исследованными оставались также и баллистические эффекты электронного транспорта.

До последнего времени, как оказалось, подобные планарные проводники из металлов оставались малоизученными. Основные исследования гальваномагнитных свойств образцов из металлов были проведены для пластин монокристаллов и вискеров, и лишь частично для толстых пленок. Исследования электронного транспорта, включая размерные, температурные и магнетополевые зависимости проводимости, для планарных металлических наноструктур с большой ДСПЭ не проводились. Нормальные металлы (при температурах жидкого гелия и выше) вольфрам и молибден рассматриваются как перспективные материалы электроники, а ниобий и тантал известны своими применениями как сверхпроводники. К началу выполнения работ по теме диссертации не были известны исследования монокристаллических планарных наноструктур из металлов, включая тугоплавкие металлы.

Информационные технологии, претерпевающие в настоящее время бурное развитие, основаны на использовании планарных проводников как элементов электронных устройств с размерами около 100 нм, а в перспективе до 10 нм. Из выше изложенного следует, что исследования по этой теме актуальны и представляют как научный, так и практический интерес.

Целью работы было исследовать основные закономерности электронного транспорта низкоразмерных планарных эпитаксиальных структур на основе монокристаллических тугоплавких металлов с размерами порядка 10−100 нм с большой ДСПЭ при доминирующем рассеянии электронов проводимости на границах раздела проводников в условиях, когда существенны баллистические и волноводные эффекты, что представляет как научный, так и практический интерес, и является актуальным.

Для достижения этой цели следовало решить следующие основные задачи: • Развить экспериментальные методы получения совершенных тонких монокристаллических пленок тугоплавких металлов, включая гетероэпитаксиальные многослойные структуры, с ДСПЭ много большей ее толщины, при средней амплитуде шероховатости поверхностей раздела на уровне одного монослоя с когерентными и резкими внутренними границами.

• Предложить экспериментальные подходы для изготовления планарных монокристаллических наноструктур на основе полученных пленок с латеральным разрешением до 100 нм и менее при возможности создавать двухи многотерминальные наноструктуры различной планарной геометрии.

• Применить комплекс методов исследования НПС для характеристики их состава, электронного строения, кристаллической структуры в объеме и на границах раздела, морфологии поверхности, геометрических параметров для повышения надежности исследования.

• Исследовать размерные эффекты в электронной проводимости низкоразмерных однои многослойных структур в широком диапазоне температур. Выявить зависимость электронной проводимости от морфологии границ раздела, в том числе и внутренних, определяющих рассеяние электронов на встроенных в объеме многослойных структур потенциалах, а также от геометрии проводника.

• Исследовать свойства НПС из монокристаллических металлов в волноводном и баллистическом пределах. Выяснить на сколько это существенно в размерной, температурной и магнетополевой зависимости их электронной проводимости.

• Развить физические модели электронного транспорта при доминирующем рассеянии электронов на границах раздела применительно к НПС из металлов.

Научная новизна работы.

Впервые экспериментально показано, что при малых размерах НПС из монокристаллических тугоплавких металлов и большой, более чем на два порядка превышающей минимальный поперечный размер структуры, ДСПЭ в объеме проводника электронный транспорт осуществляется через низкоиндексовые электронные состояния. Зависимость проводимости от морфологии планарных границ раздела более сложная, чем в общепринятых волноводных моделях. В коротковолновой области спектр плотности флуктуаций (СПФ) шероховатой планарной границы структур проявляет степенную зависимость, характерную для фракталов. При малой длине экранирования в металлах это приводит к специфическому поверхностному рассеянию электронов на большие вектора рассеяния. С использованием предложенной микроскопической модели волноводного транспорта, учитывающей подобные рассеяния, впервые показано, что при размерности Хауздорфа Н<¾ важна область векторов рассеяния 1/Ьс<�дтах<2кр (Ьскорреляционная длина для шероховатой поверхности), и, тем самым, проявляется коротковолновая область СПФ, в противоположность выводам общепринятых волноводных моделей. Вклад степенных СПФ в проводимость НПС становится существенно интегральным. В этих условиях, как впервые показано, для монокристаллических пленок металлов, в том числе с ЬскР~100 и более, существует критический размер, при котором происходит переход от квазиклассического к усиленному волноводному режиму электронного транспорта и который определяется соизмеримостью дифракционного угла и эффективного угла для малоугловых электронов.

Впервые экспериментально наблюдался переход от квазилинейной к квадратичной размерной зависимости в удельной проводимости пленок тугоплавких металлов при их толщине в 30−50 нм, более чем на порядок превосходящей фермиевскую длину волны электронов, при средней амплитуде шероховатости границ раздела около монослоя и корреляционной длине порядка 10−100 нм. Волноводные поправки к проводимости при низких температурах образцов составляли величину от 50 процентов и более. Обнаруженный усиленный волноводный эффект, как показано, есть следствие двух известных эффектов — влияния соизмеримости угла подлета электронов с дифракционным углом, определяемым размером щели, и расходимости проводимости (при бесконечной ДСПЭ в объеме) для малоугловых электронов, когда квантуются слабые степени свободы для их поперечного движения. В определенной степени это аналогично появлению в поперечных магнитных полях магнитных поверхностных уровней. Из-за квантования слабых степеней свободы их можно наблюдать в слабых магнитных полях, а обнаруженный усиленный волноводный эффект при «макроскопических» размерах НПС. Предложенная волноводная модель объясняет обнаруженную квадратичную зависимость удельной проводимости в волноводном режиме для монокристаллических НПС и большую интенсивность рассеяния на поверхностях проводника, которые противоречили результатам общепринятых волноводных моделей. Квадратичная зависимость, как показано, возникает потому, что не происходит подавления межподзонного рассеяния электронов и при большой величине кванта для нормальной к поверхности компоненты волнового вектора электрона, когда (з/2А>)я-2 id1 >¼ (d — толщина пленки), из-за влияния коротковолновой области СПФ со степенной зависимостью и Н<¾. По этой же причине происходит увеличение интенсивности рассеяния электронов на шероховатых планарных границах проводника.

В области волноводного режима экспериментально наблюдались существенные отклонения от правила Маттиссена и закона Блоха для температурных зависимостей удельных сопротивлений исследованных НПС. Обнаружено, что эти отклонения носят взаимоисключающий характер для толщины пленок, принадлежащей квазиклассической области размерной зависимости НПС. Температурные и размерные зависимости проводимости НПС из тугоплавких металлов объяснены с привлечением предложенной феноменологической дифракционной модели на количественном уровне, а наблюдавшиеся отклонения интерпретированы как проявление анизотропии интенсивности рассеяния электронов по каналам проводимости структуры в условиях, когда доминирует специфическое рассеяние электронов на планарных границах раздела проводника.

Обнаружено, что для многослойных НПС из тугоплавких металлов малые по величине эффективные контактные потенциалы, встроенные на границах металлических слоев, вносят значительный вклад в рассеяние электронов из-за того, что «поперечная» энергия низкоиндексовых электронных состояний мала и может быть сравнима с ними по величине. Показано, что это приводит к новым размерным аномалиям в проводимости НПС большой величины и в волноводном пределе. Впервые экспериментально наблюдалась зависимость проводимости двухслойных структур от толщины отдельного слоя металла из-за «локализации» электронных состояний в этом слое, совпадающая с логарифмической точностью с аналогичной размерной зависимостью однослойных пленок в области как волноводного, так и квазиклассического электронного транспорта. Наблюдались сильные, с глубиной модуляции до 100 процентов, осцилляции продольной проводимости трехслойных гетероэпитаксиальных структур из родственных металлов в зависимости от толщины ультратонкой прослойки металла с периодичностью в один монослой.

Впервые для металлических НПС наблюдались: смена знака от положительного к отрицательному изгибного и передаточного электросопротивлений при понижении температуры образцаблизкая к экспоненциальной зависимость изгибного и передаточного сопротивления от обратной ДСПЭ и расстояния в силу инжекции коллимированных баллистических электроновотсечка и смена знака вблизи нуля холловского напряжения из-за адиабатической коллимации электроновизгибное магнетосопротивлениепоперечная магнитная фокусировка электронов. Для исследованных НПС из компенсированных металлов существенный вклад в релаксацию токов для краевых состояний электронов дает электрон-дырочная рекомбинация. Это приводит к появлению суперлинейной магнетополевой зависимости для поперечного магнетосопротивления исследованных мостиковых структур и объясняет экспериментально обнаруженное возрастание изгибного магнетосопротивления в больших магнитных полях, перпендикулярных плоскости структуры, в отличие от ранее наблюдавшихся аналогичных зависимостей магнетосопротивления НПС на двухмерном электронном газе (ДЭГ). и.

В НПС из тугоплавких металлов впервые наблюдались сильные (до двух порядков) изменения в продольном магнетосопротивлении от направления магнитного поля, аномальные угловые зависимости с двумя минимумами и, в этих условиях, немонотонная температурная зависимость магнетосопротивления. Характерный угловой диапазон составлял величину в единицы градусов и определялся отношением поперечного размера НПС к ДСПЭ в объеме пленки. Наклон магнитного поля относительно плоскости структуры приводил к уходу электрона с краевого в объемное состояние, при этом, в условиях статического скин-эффекта, могло происходить не увеличение, в соответствии с известной теорией скин-эффекта, а уменьшение сопротивления мостиковой структуры из-за ее многотерминальности при определенной геометрии образца. Для многотерминальных НПС впервые наблюдался возвратный механизм в проводимости, когда баллистические свойства наноструктуры подавляются в средних и восстанавливаются в больших магнитных полях за счет электронного транспорта через объемные состояния. Показано, что вышеперечисленные эффекты в проводимости обусловлены магнетополевыми и угловыми зависимостями ДСПЭ, а не анизотропией плотности состояний электронов проводимости и топологией поверхности Ферми. Ранее подобные размерные, температурные и магнетополевые зависимости для НПС не наблюдались. Для ферромагнитных монокристаллических многотерминальных НПС впервые наблюдался изгибный баллистический ГМР эффект, усиливающийся более чем на два порядка при переходе от диффузного к баллистическому электронному транспорту.

В условиях сильно неравновесного ростового процесса с использованием метода импульсного лазерного осаждения в сверхвысоком вакууме возможен, как экспериментально показано, рост совершенных монокристаллических пленок тугоплавких металлов с малоразориентированными (около 0.1−0.2°) монокристаллическими блоками с размерами порядка 10−100 нм. Обосновано, что такие параметры структур являются следствием подавления кинетики роста в дальнем порядке, что приводит к малой шероховатости поверхности пленок металла, и быстрой кинетикой роста пленки, состоящей из малоразориентированных монокристаллических блоков малого размера, в ближнем порядке. Показано, что такое строение НПС наиболее оптимально для высокой электронной подвижности и подтверждено применением комплекса методов анализа.

Впервые получены, надежно охарактеризованы и исследованы новые НПС, включая монокристаллические наноструктуры из металлов, в том числе со свойствами, которые не были ранее известны для них и которые во многом не укладывались в общепринятые теоретические модели. С привлечением развитых моделей электронного транспорта для исследованных НПС показано, что такие проводники следует рассматривать как шероховатые электронные волноводы, проявляющие баллистические свойства, с доминирующим специфическим рассеянием электронов на планарных границах раздела проводника.

Практическая значимость работы.

• Разработанные нанотехнологические подходы могут быть использованы для изготовления гетероэпитаксиальных монокристаллических наноструктур с латеральным разрешением порядка 10−100 нм из нормальных металлов, сверхпроводников, магнитных металлов и диэлектриков с использованием эпитаксиальных методов роста пленок, субтрактивной электронной и зондовой литографий на практически значимых подложках из ОаАз (001) и 81(001), например, при изготовлении гетероэпитаксиального контакта Джозефсона для квантового бита.

• Комплекс использованных методов исследования состава, структуры, электронного строения, морфологии и геометрических параметров применительно к НПС из металлов может быть применен для надежной и достоверной характеризации исследованных объектов в нанометровом диапазоне размеров.

• Показано, что при оптимизации электронно-транспортных характеристик НПС малого размера из монокристаллических металлов в технологических процессах определяющими становятся параметры морфологии планарных границ раздела при интегральном вкладе СПФ и геометрическое строение проводника, существенно влияющих на его баллистические и волноводные свойства.

• Изгибный баллистический ГМР эффект для монокристаллической планарной наноструктуры из ферромагнитного металла составляет величину более 200% и может быть использован в электронных устройствах с магнитными сенсорами.

• Исследованные монокристаллические НПС из нормальных металлов, сверхпроводников и ферромагнитных металлов проявляют новые свойства, в том числе волноводные и баллистические, что представляет практический интерес в баллистической криоэлектронике и баллистической спинтронике, а гетероэпитаксиальные структуры металл-диэлектрик могут быть применены в сверхскоростной электронике.

Основные защищаемые положения.

• Гетероэпитаксиальные монокристаллические наноструктуры из металлов (на примере W, Мо, ЫЬ, Та), характеризуются новыми физическими и электронно-транспортными свойствами, такие структуры, как показано с привлечением разработанных физических моделей, следует рассматривать как шероховатые электронные волноводы, проявляющие баллистические свойства, с доминирующим специфическим рассеянием электронов на поверхностях проводника.

• С привлечением предложенной модели волноводного транспорта показано, что степенная зависимость СПФ шероховатой границы раздела НПС из металлов приводит к существенному влиянию на проводимость НПС поверхностных электронных рассеяний с большими векторами рассеяния ц"1/Ьс при размерности Хауздорфа Н<¾, что обуславливает специфичность таких рассеяний.

• Для монокристаллических пленок тугоплавких металлов впервые экспериментально наблюдался переход от классического к усиленному волноводному электронному транспорту при доминирующем специфическом рассеянии электронов на границах раздела. Эффект характеризуется новым масштабом длины, которая достигает значений в десятки нанометров, и более чем на порядок превосходит фермиевскую длину волны электрона.

• Большой размерный масштаб для металлических шероховатых волноводов обусловлен специфичностью поверхностного рассеяния электронов и квантованием слабых степеней свободы для поперечного движения электронов с малой энергией. Усиленный волноводный эффект аналогичен появлению в слабых магнитных полях магнитных поверхностных уровней. Подобная аналогия известна для квантового размерного эффекта и эффекта Шубникова-де Газа, для которых, однако, квантуются сильные степени свободы движения электронов.

• С использованием развитой волноводной модели впервые наблюдавшаяся квадратичная размерная зависимость удельной проводимости шероховатых НПС из монокристаллических металлов с большой корреляционной длиной объяснена тем, что в волноводном режиме не происходит подавления межподзонного рассеяния низкоиндексовых электронов при малой толщине пленок, когда (ъпк^лЧа1 -¿-ис, для степенных СПФ с размерностью Хауздорфа Н<¾. По этой же причине происходит увеличение интенсивности рассеяния электронов шероховатыми границами.

• Впервые наблюдавшиеся гигантские осцилляции продольной проводимости планарной трехслойной гетероэпитаксиальной металлической структуры из родственных металлов в зависимости от толщины ультратонкой прослойки металла происходят из-за изменения ее рассеивающих свойств, поскольку «поперечная» энергия низкоиндексовых электронов сопоставима по величине с малыми, много меньшими энергии Ферми, эффективными контактными потенциалами, формируемыми на планарных границах раздела металлических слоев.

• Монокристаллические пленки, в том числе двухслойные гетероэпитаксиальные пленки, тугоплавких металлов проявляют, как обнаружено, «универсальную» с логарифмической точностью размерную зависимость удельной проводимости от толщины слоя при низкой температуре как в волноводной, так и в квазиклассической областях размеров проводника, что определяется одинаковым влиянием флуктуационных характеристик поверхности подложки на границы раздела металлических слоев.

• Впервые наблюдавшаяся близкая к экспоненциальной зависимость изгибного и передаточного сопротивлений металлической наноструктуры от эффективной обратной ДСПЭ и от геометрических латеральных размеров наноструктуры из металлов обусловлена инжекцией коллимированных баллистических электронов.

• Впервые наблюдавшиеся геометрические эффекты в температурной и магнетополевой зависимостях проводимости для баллистических НПС из металлов обусловлены большой ДСПЭ и взаимовлиянием электронного транспорта через краевые и объемные состояния.

• Впервые наблюдавшиеся резкие и аномальные угловые, аномальные температурные и магнетополевые зависимости сопротивления для НПС, связаны с анизотропией индикатрисы рассеяния электронов, а не плотности электронных состояний или с топологией поверхности Ферми.

• Впервые наблюдавшийся возвратный баллистический эффект в магнетосопротивлении многотерминальной наноструктуры обусловлен подавлением эффективной ДСПЭ для краевых состояний в средних магнитных полях и возрастанием эффективной ДСПЭ из-за появления объемных состояний в больших магнитных полях.

• Для планарных баллистических мостиков в условиях статического скин-эффекта впервые наблюдалось уменьшение, а не увеличение сопротивления в соответствии с общепринятой теорией скин-эффекта для наклонного магнитного поля из-за влияния многотерминальности и геометрии структуры.

• Впервые наблюдалось усиление изгибного ГМР эффекта для многотерминальных наноструктур из монокристаллических ферромагнитных металлов при переходе к баллистическому электронному транспорту.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах ИПТМ РАН, а также на следующих конференциях:

1. Поверхность-89, Черноголовка, 1989.

2. 3-й международный симпозиум по молекулярно-лучевой эпитаксии, Болгария-1989.

3. Международный симпозиум IVC-ll/ICSS-7, Koln, Germany, 1989; IVC-12, ICSS-8, The Hague, The Netherlands, 1992; IVC-14, ICSS-10, NANO 5, QSA-10, Birmingham, UK, 1998.

4. Конференции по перспективным технологиям и устройствам микрои наноэлектроники, Звенигород 1990;2003 годы.

5. 21 конференции по эмиссионной электронике, Ленинград, 1991.

6. ECOSS 12, Stockholm, Sweden 1991, ECOSS 17 Madrid, Spain, 2000.

7. 14th Symposium on Applied Surface Analysis and 19th Symposium of the Michigan Chapter of the AVS, Michigan, USA, 1992.

8. International conference on Physics of low dimensional system (PLDS- 1−3), Chernogolovka, Russia 1993, 1994, 2001.

9. Inter, conf. on the Physics and Technology of Metallic Nanostructures (Metallic Nano-Electronics), Chernogolovka, Russia, 1994. lO.Inter. Symp. Nanostructures: physics and technology, St. Petersburg, Russia, 1996;2004.

11 .Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 1997;2001.

12.17-th General Conference of the CONDENCE MATTER DIVISION European Physical Society, Grenoble, France, 1999.

Краткое содержание работы.

Во введении обосновывается актуальность темы, сформулированы цель и основные задачи, обсуждается научная новизна и практическая значимость диссертационной работы. Приведен список положений, выносимых на защиту, и основных публикаций по материалам диссертации. В первой главе дан литературный обзор по исследованию электронного транспорта в низкоразмерных металлических структурах, в том числе размерные эффекты в статической проводимости металлических структур, включая как классические, так и волновые эффектыбаллистического электронного транспорта, в том числе по модели Ландауэра-Буттикера, размерным, магнетополевым и температурным зависимостям электронной проводимости структур малого размера и протяженных структурпроанализированы методы нанотехнологии планарных низкоразмерных структур из металлов, включая методы микроструктурирования и эпитаксиального* роста пленок.

Во второй главе приведены экспериментальные методы получения низкоразмерных структур, включая рост тонких эпитаксиальных пленок методами импульсного лазерного осаждения в сверхвысоком вакууме и реактивного испарения (ИЛОСВ и ИЛОРИ), в том числе и для тугоплавких металлов, микроструктурирование по субтрактивной технологии, методы исследования электронно-транспортных свойств, состава и электронного строения, структурных и морфологических свойств НПС на основе монокристаллических тугоплавких металлов.

В третьей главе представлены условия получения и результаты характеризации монокристаллических НПС, включая однослойные и многослойные эпитаксиальные пленки, монокристаллические микрои наноструктуры на основе тугоплавких металлов, включая диэлектрики и ферромагнитные металлы.

В четвертой главе приведены результаты исследования гальваномагнитных свойств НПС из монокристаллических тугоплавких металлов, включая исследование магнетосопротивления мостиковых и многотерминальных структур для магнитного поля как в плоскости, так и перпендикулярного плоскости структуры. Приведены результаты исследования магнетополевой и угловой зависимости продольного и поперечного магнетосопротивлений, холловского и изгибного напряжений, эксперимента по поперечной магнитной фокусировке электронов.

В пятой главе приведены результаты по экспериментальному исследованию размерной и температурной зависимости проводимости монокристаллических низкоразмерных планарных структур на основе тугоплавких металлов, включая экспериментальное исследование морфологии поверхности, проведен анализ ее связи с электронным транспортом в волноводной модели, роли низкоиндексовых состояний в волноводном электронном транспорте, влияние встроенных в объем пленки планарных потенциалов в многослойных монокристаллических структур, в том числе, температурные зависимости проводимости низкоразмерных структур из тугоплавких металлов в баллистическом и диффузном режимах электронного транспорта.

В заключение сформулированы основные выводы диссертационной работы.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. G.M. Mikhailov, «Single Crystalline Refractory Metal Low-Dimensional Structures: Fabrication, Characterisation and Electron Transport Properties», Physics of Low-Dimensional Structures ½ (2002) 1−36.

2. G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, «Novel Class of Metallic Low-Dimensional Structures, Characterised by Surface Dominated Electron Transport», Physics of Low-Dimen. Structures, 3 /4 (III) (1999) 1−24.

3. G. Mikhailov, A. Chernykh, V. Petrashov, «Electrical properties of epitaxial tungsten films growing by laser ablation deposition», J. Apll. Phys., 80(2) (1996) 948−951.

4. Г. М. Михайлов, И. В. Маликов, B.T. Петрашов, «Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок ниобия, полученных импульсным лазерным испарением», ФТТ 38 (1996) 3212.

5. I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, «Electrical and structural properties of monocrystalline epitaxial Mo films, grown by LAD», J. Appl. Phys. 82(11) (1997).

5555−5559.

6. G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, Y.T. Petrashov, «The growth temperature effect on electrical properties and structure of epitaxial refractory metal films», Thin Solid Films 293 (1997) 315.

7. I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, «Epitaxial bilayered Nb-Mo (001) films: growth, characterisation and size effect in electron conductivity», Thin Solid Films,.

360 (2000) 278−282.

8. B.B. Аристов, Г. М. Михайлов, «Тонкие монокристаллические пленки тугоплавких металлов для металлической наноэлектроники», Химия в интересах устойчивого развития, 8(1−2) (2000) 13−16.

9. G. Mikhailov, A. Chernykh, «The ballistic effects in Volt-Current measurements of monocrystalline Tungsten nanostructures», In Abstracts book of л.

Inter. Symp. «Nanostructures-96, St. Petersburg, Russia, 24−28 June 1996, 219 222.

10.Г. М. Михайлов, А. Ф. Фиошко, A.B. Черных, «Формирование резистивных нанообластей проводящим зондом», тезисы X Российского симпозиума по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, июнь, 1997, стр. 156.

11.G.M. Mikhailov, L.I. Aparshina, S.V. Dubonos, Yu.I. Koval, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, «Fabrication of monocrystalline refractory metal nanostructures, capable ballistic electron transport», Nanotechnology 9(1) (1998) 1−5.

12.Г. М. Михайлов, Л. И. Апаршина, С. В. Дубонос, С. В. Максимов, И. В. Маликов, А. В. Черных, A.M. Фиошко, «Монокристаллические наноструктуры на основе металлов: нанотехнология и электронно-транспортные свойства», тез. Док. Всероссийской науч.-тех. Конф. Микрои нано-электроника-98, Звенигород, 1998, том 1, 03−2.

13.Е. Ф. Голов, Г. М. Михайлов, А. Н. Редькин, A.M. Фиошко, «Зондовая литография на а-С:Н пленках», Микроэлектроника 2 (1998), 97−102.

14.С. М. Boubeta, J.L. Menendez, J.L. Costa-Kramer, J.M. Garcia, J.V. Anguita, B. Bescos, A. Cebollada, F. Briones, A.V. Chernykh, I.V. Malikov and G.M. Mikhailov, «Epitaxial metallic nanostructures on GaAs», Surface Science 482−485 (2001)910−915.

15.L. I. Aparshina, A. V. Chernykh, L. Fomin, I. V. Malikov, V. Yu. Vinnichenko and G. M. Mikhailov, «Epitaxial metallic electrodes, quantum dots and wires for application in solid-state qubit technology» Proceeding SPIE 5128 (2003) 83−90.

16.G.M. Mikhailov, S.A. Khudobin and I.V. Malikov, «Investigation of the effects of pretreatment between a GaAs (100) surface and an oxygen (ECR) plasma», Vacuum 46(1) (1995) 65−68.

17.G.M. Mikhailov, L.A. Aparshina, A.V. Chernykh, S.V. Dubonos, I.V. Malikov, A.F. Fioshko, «Growth, Technology, Characterisation and Electron Transport Properties of Monocrystalline Refractory Metal Low-Dimensional Structures», p. 353, in abstr. Book of IVC-14, ICSS-10, NANO 5, QSA-10, 31 August-4 September, 1998, Birmingham, UK.

18.A.H. Редькин, JI.B. Маляревич, И. В. Маликов, Г. М. Михайлов «Электрохимическое травление пленки ниобия через оксидную наномаску, сформированную с помощью проводящего зонда атомно-силового микроскопа», Микроэлектроника 32(2) (2003) 112−115.

19.Г. М. Михайлов, Е. М. Лисецкий, С. В. Христенко, С. Л. Зимонт, С. И. Ветчинкин, Ю. В. Дадали, Ю. Г. Бородько, «Угловая зависимость тонкой структуры Оже-спектра графита», ФТТ 29(7) (1987) 2186−2188.

20.G.M. Mikhailov, V.T. Petrashov, «The Surface and Interface Composition of Hybride Al/Ag Nanostructures», Phys. Low-Dim. Struct., 11/12 (1994) 135−140.

21.A.B. Черных, Г. Н. Панин, Г. М. Михайлов, Характеризация структур W/A1N/Si методами СТМ, АСМ и наведенного электронным пучком тока, Поверхность 12 (2000) 30−33.

22.S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, A.V.Chernykh, I.V.Malikov, and G.M.Mikhailov. Surface studies of single-crystalline refractory metal low-dimensional structures. Applied Surface Science, 175−176 (2001) 260−264.

23.L. A. Fomin, I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, The study of magnetic contrast size dependence in epitaxial Iron nanostructures, Physics of Low-Dimensional Structures ¾ (2003) 93−96.

24.Г. М. Михайлов, В. И. Рубцов «Связь характеристических потерь энергий электронов с поперечным сечением рассеяния», Поверхность, 7 (1987) 99 105.

25.G.M. Mikhailov, V.I. Rubtsov, S.A. Orlov, «Inelastic scattering of middle energy electrons by solid surfaces», Vacuum, 41 (1990) 1721.

26.Г. М. Михайлов, И. В. Маликов, A.B. Черных, Влияние квантового размерного эффекта для скользящих электронов на электронную проводимость металлических пленок, Письма ЖЭТФ 66(11) (1997)693−699.

27.Г. М. Михайлов, А. В. Черных «Баллистические эффекты в вольт-амперных характеристиках монокристаллических наноструктур из вольфрама», Микроэлектроника, 2 (1998) 83−86.

28.G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, E. Olsson, L. Ryen, «Influence of a built-in potential on electron transport properties of metallic ballistic structures, as evidence of quantum well effect» in the proceedings of 7-th Inter. Symp. Nanostructures: physics and technology, St. Petersburg, Russia, 1999, 98 101.

29.Г. М. Михайлов, И. В. Маликов, «Об осцилляционной зависимости проводимости трехслойных структур Mo-Nb-Mo», Письма в ЖЭТФ 71(12) (2000) 730−735.

30.V.Yu. Vinnichenko, A.V. Chernykh, G.M. Mikhailov, Diffusive and ballistic regime for transfer resistances, Int. Conf. Microand Nanoelectronics-2003, Abstract book, 1−41. Proc. SPIE 5401 (2004) 442−449.

31.G.M. Mikhailov, A.V. Chernykh, J.C. Maan, J.G.S. Lok, A.K. Geim, D. Esteve, P. Joyez, «The edge and bulk electron state dominated magnetotransport in multiterminal single-crystalline refractory metal nanostructures», Nanotechnology 11 (2000) 379−382.

32.G.M. Mikhailov, A.V. Chernykh, J.C. Maan, J.G.S. Lok, A.K. Geim, D. Esteve, «High magnetic field dependence of the edge and bulk state electron transport in single-crystalline tungsten nanostructures», Nanostructures-2000: physics and technology, S.-Petersburg, 2000, 520−523.

33.G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, L.A. Fomin, P. Joyez, H. Pothier, D. Esteve, and E. Olsson, «Signatures of ballistic transport in the magnetoresistance of nanostructures made of single-crystalline refractory metals», Nanotechnology 13 (2002) 226−230.

34.G. M. Mikhailov, L.I. Aparshina, A. V. Chernikh, I.V. Malikov, V.

Yu.Vinnichenko, J.C. Maan, S. Olsthoorn, C. Possansini, H. Jonge, Ballistic effects in magnetoresistance of the planar point contact composed of single crystalline tungsten, Proceeding SPIE 5023 (2002) 478. 35.I.V. Malikov, V.Yu. Vinnichenko, L.A. Fomin, G.M. Mikhailov, Epitaxial Nickel Films and Giant Magnetoresistance in Ballistic Ni Nanostructures, Int. Conf. Microand Nanoelectronics-2003, Abstract book, 01−37.

36.V. Malikov, L. A. Fomin, V.Yu.Vinnichenko, G. M. Mikhailov. «Magnetic Epitaxial Nanostructures from Iron and Nickel», Int. J. Nanoscience 3(1−2) (2004) 51−57.

37.G. M. Mikhailov, A. V. Chernykh, V.Y. Vinnichenko, J. de Jonge, U. Zeitler, J. C. Maan, Temperature effects in the conductivity and angular dependence of magnetoresistance for epitaxial planar W (001) nanobridges, 12th Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St Petersburg, Russia, June 21−25, 2004, 356−357.

Личных вклад автора в получении результатов.

Изготовление пленок было проведено совместно с Черных A.B. и Маликовым И. В., наноструктур — совместно частично с Дубоносом C.B. и частично с Апаршиной Л. И. Измерения с использованием сканирующей зондовой микроскопии проведено совместно с Фоминым Л. А., измерения передаточного сопротивления — с Винниченко В. Ю. Основные результаты, представленные в диссертации, получены непосредственно автором, включая постановку задачи, проведение экспериментов и интерпретацию полученных результатов.

Основные выводы диссертационной работы: 1. Впервые экспериментально показано, что при малых размерах низкоразмерных планарных структур (НПС) из монокристаллических тугоплавких металлов и большой, более чем на два порядка превышающей минимальный поперечный размер структуры, длине свободного пробега электронов (ДСПЭ) в объеме проводника электронный транспорт осуществляется через низкоиндексовые электронные состояния. Зависимость проводимости от морфологии планарных границ раздела более сложная, чем в общепринятых волноводных моделях. В коротковолновой области СПФ для исследованных НПС проявляет степенную зависимость, характерную для фракталов.

2. Показано с использованием предложенной волноводной модели, что вклад поверхностного рассеяния в проводимость НПС специфичен, поскольку степенные СПФ влияют интегрально на проводимость и важна область векторов рассеяния 1/Ьс<�цтах<2кР при размерности Хауздорфа Н<¾ и малой величине длины экранирования в металлах. С использованием предложенной дифракционной модели показано, что в условиях специфического поверхностного рассеяния существует критический размер НПС, определяемый соизмеримостью дифракционного угла и эффективного для малоугловых электронов, при котором происходит переход от классического к усиленному волноводному режиму электронного транспорта. Впервые экспериментально наблюдался переход от квазилинейной к квадратичной размерной зависимости для удельной проводимости пленок тугоплавких металлов с амплитудой шероховатости 0.2−0.4 нм и Ьс=10−100 нм при толщине пленок в 30−50 нм, более чем на порядок превосходящей фермиевскую длину волны электронов. Волноводные поправки к проводимости составляли величину от 50 процентов и более при низких температурах.

3. Наблюдавшийся усиленный волноводный эффект, как показано, есть следствие проявления двух известных эффектов — влияния соизмеримости угла подлета электронов с дифракционным углом, определяемым размером щели, и расходимости проводимости (при бесконечной ДСПЭ в объеме) для малоугловых электронов, когда квантуются слабые степени свободы электронов для их поперечного движения. Это позволяет наблюдать усиленные волноводные эффекты в проводимости при больших размерах НПС. В определенной степени это аналогично появлению в слабых поперечных магнитных полях магнитных поверхностных уровней из-за квантования таких же степеней свободы.

4. С использованием развитой и уточненной для НПС из металлов волноводной модели объяснена впервые наблюдавшаяся квадратичная зависимость удельной проводимости в волноводном режиме и большая интенсивность рассеяния на поверхностях проводника для монокристаллических НПС, противоречащие результатам общепринятых волноводных моделей. Квадратичная зависимость возникает потому, что не происходит подавления межподзонного рассеяния электронов и при большой величине кванта для поперечной компоненты волнового вектора электрона, когда (Ъ12кР)лг Iс? > 1/£с, из-за влияния коротковолновой области СПФ со степенной зависимостью и Н<¾. По этой же причине происходит увеличение интенсивности рассеяния электронов на шероховатых планарных границах проводника.

5. В области волноводного режима наблюдались существенные отклонения от правила Маттиссена и закона Блоха для температурных зависимостей удельных сопротивлений исследованных НПС. Эти отклонения, как показано, носят взаимоисключающий характер для толщины пленок, принадлежащей квазиклассической области размерной зависимости НПС. Температурные и размерные зависимости проводимости НПС из тугоплавких металлов впервые объяснены с привлечением предложенной феноменологической дифракционной модели на количественном уровне, а наблюдавшиеся отклонения интерпретированы как проявление анизотропии интенсивности рассеяния электронов по каналам проводимости структуры.

6. Обнаружено, что для многослойных НПС из тугоплавких металлов с большой ДСПЭ эффективные контактные потенциалы малой величины, встроенные на границах металлических слоев, существенно влияют на рассеяние электронов потому, что «поперечная» энергия низкоиндексовых электронных состояний мала и может быть сравнима по величине с ними. Экспериментально показано, что это приводит к новым размерным аномалиям в проводимости НПС большой величины и в волноводном пределе, таким как зависимость проводимости двухслойных структур от толщины отдельного слоя металла из-за «локализации» электронных состояний в этом слое, «универсальная» с логарифмической точностью размерная зависимость однои многослойных пленок от толщины слоя, сильные с глубиной модуляции до 100 процентов осцилляции продольной проводимости трехслойных гетероэпитаксиальных структур из родственных металлов в зависимости от толщины ультратонкой прослойки металла.

7. Впервые для металлических НПС экспериментально наблюдались: смена знака изгибного и передаточного электросопротивлений при понижении температуры образцаблизкая к экспоненциальной зависимость изгибного и передаточного сопротивления от обратной ДСПЭ и расстояния в силу инжекции коллимированных баллистических электроновотсечка и смена знака вблизи нуля холловского напряжения в силу адиабатической коллимации электроновизгибное магнетосопротивлениепоперечная магнитная фокусировка электронов. Объяснено, что появление суперлинейной магнетополевой зависимости для поперечного магнетосопротивления исследованных мостиковых структур и впервые обнаруженное возрастание (не насыщение) изгибного магнетосопротивления при больших магнитных полях, перпендикулярных плоскости структуры происходит из-за влияния электрон-дырочной рекомбинации в НПС из скомпенсированных металлов.

8. В НПС из тугоплавких металлов впервые наблюдались: сильные (до двух порядков) изменения в продольном магнетосопротивлении от направления магнитного поляаномальные угловые зависимости с двумя минимумами и, в этих условиях, немонотонная температурная зависимость магнетосопротивления. Характерный угловой диапазон для угловых зависимостей составлял величину в единицы градусов и определялся отношением поперечного размера НПС к ДСПЭ в объеме пленки. Для магнетосопротивления многотерминальных НПС впервые наблюдался возвратный баллистический эффект, приводящий к немонотонной магнетополевой зависимости проводимости НПС. Показано, что такие аномалии в проводимости НПС обусловлены магнетополевыми и угловыми зависимостями ДСПЭ, а не анизотропией плотности состояний электронов проводимости и топологией поверхности Ферми.

9. Для ферромагнитных монокристаллических многотерминальных НПС впервые наблюдался изгибный баллистический ГМР эффект, усиливающийся более чем на два порядка при переходе от диффузного к баллистическому электронному транспорту.

10. Энергетичность частиц и сильная неравновесность реализованного процесса роста монокристаллических пленок тугоплавких металлов позволили сочетать эпитаксиальный рост малоугловых монокристаллических блоков в ближнем порядке с малой шероховатостью всей поверхности, поскольку рост пленки ограничивался по кинетике в дальнем порядке. В результате, как показано, получено достаточное компромиссное совершенство объемной структуры и границ раздела для достижения наибольшей электронной подвижности в исследованных НПС.

11. Впервые получены, надежно охарактеризованы и исследованы новые НПС, включая монокристаллические наноструктуры из металлов. С использованием предложенных физических моделей показано, что такие проводники следует рассматривать как шероховатые электронные волноводы, проявляющие баллистические свойства, с доминирующим специфическим рассеянием электронов на планарных границах раздела проводника.

заключение

.

При выполнении исследований, проведенных по теме диссертации, удалось развить экспериментальные методы получения совершенных тонких монокристаллических пленок тугоплавких металлов, включая гетероэпитаксиальные многослойные структуры, с применением эпитаксиальных ростовых методов с нужными свойствами. С использованием субтрактивной электронной и зондовой литографий развиты экспериментальные подходы для получения планарных монокристаллических наноструктур с латеральным разрешением порядка 10 100 нм нужной геометрии и формы, при этом не происходило значительного ухудшения исходной электронной подвижности в пленках. Для характеризации НПС и отработки методик их получения был применен комплекс методов исследования состава, электронного строения, структуры в объеме и на границах раздела, морфологии поверхности, геометрических параметров, что повысило также надежность полученных результатов по электронно-транспортным измерениям.

Были исследованы размерные эффекты в электронной проводимости НПС, включая однои многослойные структуры, в широком диапазоне температур. Выявлена зависимость электронной проводимости от морфологии границ раздела, а также влияние внутренних границ раздела, определяющих рассеяние электронов на встроенных в объеме многослойных структур эффективных контактных потенциалах. Исследованы волноводный и баллистический режимы в электронном транспорте монокристаллических НПС из металлов. Показано их существенное влияние на размерную, температурную и магнетополевую зависимости проводимости. Построены физические модели наиболее адекватного описания электронного транспорта в исследованных НПС, в том числе, на количественном уровне, учитывающих специфику поверхностного рассеяния электронов.

С практической точки зрения важно, что НПС из монокристаллических металлов можно получать также и на подложках из ваЛв^О 1) и 81(001). Показана на примере изгибного баллистического ГМР эффекта возможность использования эпитаксиальных НПС из ферромагнитного металла, полученных с применением развитой нанотехнологии. В дальнейшем подобные структуры могут стать перспективными для баллистической спинтроники, с использованием сверхпроводников — для баллистической криоэлектроники, интересны применения гетероэпитаксиальных структур металл — диэлектрик для сверхскоростной электроники. Полученные результаты закладывают основы нанотехнологии для достижения нужных физических свойств НПС из металлов с большой ДСПЭ.

Исследованные НПС из монокристаллических тугоплавких металлов действительно демонстрируют новые свойства, которые ранее не были присущи НПС из металлов, поскольку удалось достичь условия <�М1ъи1к<10″. Подобные проводники из металлов ранее не изучались, их следует, в общем случае, рассматривать как шероховатые волноводы, проявляющие баллистические свойства, при доминирующем специфическом поверхностном рассеянии. Электронно-транспортные свойства НПС из металлов во многом, как показано, существенно отличаются от свойств НПС из ДЭГ. Ряд обнаруженных эффектов в проводимости исследованных НПС не имеют известных аналогов, которые удалось объяснить с привлечением развитых физических моделей электронного транспорта.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.А. Абрикосов, Основы теории металлов, Изд. Наука, 1987.
  2. Дж. Займан, Электроны и фононы. М.: ИЛ, 1962, с. 404.
  3. Р.Ф.Грин, Поверхностные свойства твердых тел/Под. Ред. М. Грина.-М.: Мир, 1972, с. 104.
  4. JI.M. Лифшиц, М. Я. Азбель, М. И. Каганов, Электронная теория металлов, М.: Наука, 1971, с. 203.
  5. Р. Чамберс, Явления переноса. Поверхностные и размерные эффекты. В кн.: Физика металлов. I. Электроны. М.: Мир, 1972, гл. 4, с. 196−281.
  6. А.Ф. Андреев, Взаимодействие проводящих электронов с поверхностью металла, УФН 105(1) 113−124 (1971).
  7. К.Л. Чопра, Электрические явления в тонких пленках, Мир, 1972,435 с.
  8. Д.К. Ларсон, Размерные эффекты в электропроводности тонких металлических пленок и проволок, в кн.: Физика тонких пленок, М.: Мир, 1973, т. 6, гл. 2, с. 97 170
  9. В.И. Окулов, В. В. Устинов, Поверхностное рассеяние электронов проводимости, ФТН 5(3) 214−252 (1979).
  10. А. Беннет, Некоторый электронные свойства поверхности твердых тел, в кн.: Новое в исследование поверхности твердого тела, М.: Мир, 1977, вып. 1, гл. 7, с. 211−233.
  11. В.Ф. Гантмахер, И. Б. Левинсон, Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, М.: Наука, 1984.
  12. Ю.Ф. Комник, Физика металлических пленок, М., Атомиздат, 1979.
  13. А.В. Pippard, Magnetoresistance in Metals, Cambridge university press, 1989, c. 198.
  14. L.A Falkovsky, Transport phenomena at metal surfaces, Advance in Phys. 32(5), 1983, 753−789.
  15. C.R. Tellier, A.J. Tosser, Size effects in thin films, Elsevier Scientific publishing company, 1982, c.60.
  16. Ю.П. Гайдуков, «Электронные свойства вискеров», гл. 12, стр. 372−400, в кн. «Электроны проводимости» под. Ред. М. И. Каганова, B.C. Эдельмана, Москва, «Наука», 1985.
  17. В.Т. Песчанский, М. Я. Азбель «Магнетосопротивление металлов» ЖЭТФ 55(5) 1968, с. 1980−1996.
  18. М.Я. Азбель, Статистический скин-эффект для токов в сильном магнитном поле и сопротивление металлов, ЖЭТФ 44(6) 1963 с. 983−988.
  19. К. Fuchs. The conductivity of thin metallic films according to the electron theory of metals. Proc. Cambridge Phil. Soc., 1938, 34, (1), 100−108.
  20. E.N. Sondheimer, The mean free path of electrons in metals, Adv. Phys. 1(1) (1952), 1−42.
  21. S.B. Soffer, Statistical model for the size effect in electrical conduction, J. Appl. Phys. 38(4) (1967) 1710−1713.
  22. S.B. Soffer, Effect of weak surface autocorrelation on the size effect in electrica conduction. Phys. Rev. B, 2(10) (1970), 3894−3897.
  23. J.E. Parrot, A new theory of size effect in electrical conduction, Proc. Phys. Soc. (London) 85(548) (1965) 1143−1155.
  24. G. Brandly, P. Gotti, Berechnungen uber den Ladungstransport in dunnen Filmen. Helv. Phys. Acta 38(8) (1965) 801−812.
  25. A.A. Krokhin, N.M. Makarov, V.A. Yampol’skii, Microscopic theory of conduction electron scattering from a random metal surface with mildly sloping asperities, J. Phys.:Condens. Matter 3 (1991) 4621−4632.
  26. R.Lenk, A. Knabchen, The roughness induced classical size effect in thin films, J.Phys.:Condens. Matter. 5 (1993) 6553−6574.
  27. R.M. More, Umklapp surface reflection of conduction electrons, Phys. Rev. В 9(2) (1974)392−403.
  28. G. Fishman, D. Calecki, Influence of surface roughness on the conductivity of metallic and semiconducting quasi-two-dimensional structures, Phys. Rev., B43 (1991) 11 581−11 585.
  29. G. Palasantzas, Roughness spectrum and surface width of self-affine fractal surfaces via the K-correlation model, Phys. Rev., В 48(19) (1993) 14 472−14 478.
  30. М.Я. Азбель, С. Д. Павлов, И. А. Гамаля, А. Н. Верещагин, Экспериментальное определение угловой зависимости коэффициента отражения электронов, Письма ЖЭТФ 16(5) (1972) 295−297.
  31. JI.A. Фальковский, О сопротивлении тонких металлических образцов, ЖЭТФ, 64(5) (1973) 1855−1860.
  32. Ю.П. Гайдуков, Н. П. Данилова, Р.Ш. Гергиус-Манкариус, Зависимость вероятности зеркального отражения от угла встречи с поверхностью для электронов проводимости в сурьме, ЖЭТФ 73(5) (1977) 1967−1979.
  33. А.В. Чаплик, М. В. Энтин, Энергетический спектр и подвижность электрона в тонкой пленке с неидеальной границей, ЖЭТФ 55 (1968) 990−994.
  34. Z. Tesanovich, M.V. Jaric, S. Maekava, Quantum transport and surface scattering, Phys. Rev. Lett. 57(210 (1986) 2760−2763.
  35. N. Triverdy, N.W. Ashcroft, Quantum size effects in transport properties of metallic films, Phys. Rev. В 38(17) (1988) 12 298−12 309.
  36. A.E. Meyerovich, S. Stepaniants, Transport in channels and films with rough surface, Phys. Rev. В 51 (23) (1995) 17 116−17 130.
  37. X.-G. Zhang, W.H. Butler, Conductivity of metallic films and multilayers, Phys. Rev. В 51(15) (1995) 10 085−10 103.
  38. N.M. Makarov, A.V. Moroz, V.A. Yampol’skii, Classical and quantum size effects in electron conductivity of films with rough surface, Phys. Rev. В 52(8) (1995) 6087−6101.
  39. L. Sheng, D.Y. Xing, Z.D. Wang, Transport theory in metallic films: Crossover from the classical to the quantum regime, Phys. Rev. В 51(11) (1995) 7325−7328.
  40. J. Barnas, Y. Bruynseraede, Electronic transport in ultrathin magnetic multilayers, Phys. Rev. В 53(9) (1996) 5449−5460.
  41. A.M. Bratkovsky, S.N. Rashkeev, Electronic transport in nanoscale contacts with rough boundaries, Phys. Rev. В 53(19) (1996) 13 074−13 085.
  42. B.A. Федирко, B.B. Вьюрков, Проводимость квантового канала с шероховатыми стенками, Микроэлектроника 26(3) (1997) 216−219.
  43. A.E. Meyerovich, S. Stepaniants, Transport equation and diffusion in ultrathin channels and films, Phys. Rev. В 58 (19) (1998) 13 242−13 263.
  44. G. Palasantzas, Surface roughness and grain boundary scattering effects on the electrical conductivity of thin films, Phys. Rev. В 58(15) (1998) 9685−9688.
  45. N.M. Makarov, A.V. Moros, Spectral theory of surface-corrugated electron waveguide: The exact scattering-operator approach, Phys. Rev. В 60(1) (1999) 258−269.
  46. A.E. Meyerovich, S. Stepaniants, Quantized systems with randomly corrugated walls and interfaces, Phys. Rev. В 60 (12) (1999) 9129−9144.
  47. V.F. Gantmakher, Electronics transport in Mesoscopic systems Prog. Low Temp. Phys. 5(1967) 181.
  48. А.Г. Воронович, Приближение малых наклонов в теории рассеяния волн на неровностях поверхности, ЖЭТФ 89 (1985) 116.
  49. С.З. Дунин, Г. А. Максимов, Рассеяние скалярных волновых полей на абсолютно отражающих шероховатых поверхностях, ЖЭТФ 98 (1990) 454.
  50. F.G. Bass, I.M. Fuks, Wave scattering from statistically rough surface, Pergamon, Berlin, 1979.
  51. Ф.Г. Басс, В. Д. Фрейлихер, И. М. Фукс, Затухание собственных волн в пластине с шероховатыми стенками, Письма ЖЭТФ 7 (1968) 485.
  52. М.Е. Герценштейн, И. Б. Васильев, Волноводы со случайными неоднородностями и Броуновское движение по поверхности Лобачевского, Теор. Вероят. Примен. 4, (1959) 424, 5 (ЗЕ).
  53. C.W.J. Beenakher, Random-matrix theory of quantum transport, Rev. Mod. Phys. 69(3) (1997).
  54. N.M. Makarov, Yu.V. Tarasov, Electron localization in narrow surface-corrugated conducting channels: Manifestation of competing scattering mechanism, Phys. Rev. В 64 (2001)235306−1-14.
  55. F.M. Izrailev, N.M. Makarov, Onset of derealization in quazi-one-dimensional waveguides with correlated surface disorder, Phys. Rev. В 67 (2003) 113 402−1-4.
  56. A.E. Meyerovich, S. Stepaniants, Transport in channel and films with rough surfaces, Phys. Rev. В 51 (23) (1995) 17 116−17 130.
  57. A.B. Migdal, Qualitative Methods in Quantum Theory (Benjamin, London, 1977) p.98.
  58. В.Б. Сандомирский, Квантовый эффект размеров в пленке полуметаллов, ЖЭТФ 52(1967) 158.
  59. J.C. Hensel, R.T. Tang, J.M. Poate, F.C. Unterwald, «Specular boundary scattering and electron transport in single crystal thin films of CoSi2», Phys. Rev. Lett. 54, 18 401 843 (1985).
  60. E.R Andrew, Discrete electronic transport through a microwire. Proc. Phys. Soc. A 62 (1949) 7.
  61. G. Fisher, H. Hoffman, Oscillation of the electron conductivity with film thickness in very thin platinum films, Solid State Commun. 35, (1980) 793.
  62. F. Nava, K.N. Tu, O. Thomas, J.P. Senateur, R. Madar, A. Borghesi, G. Guezzetti, U. Gottlieb, O. Laborde, O. Bisi, Mater. Sci. Rep. 9 (1993) 141.
  63. R.Landauer, Electrical resistance of disordered one-dimensional lattice, Phil. Mag. 21, 863−867 (1970).
  64. R.Landauer, 1994, in Coulomb and Interface effects in small electronic structures, ed. D. Glattli et al, (Edition Frontieres, Gif-Sur-Yvette), p. l
  65. M. Buttiker, Four-Terminal Phase-Coherent Conductance, Phys.Rev.Lett. 57, 17 611 764 (1986).
  66. M. Buttiker, Transmission, reflection and the resistance of small conductors, p.51−73, in Electronic properties of multilayers and low-dimensional semiconductors structures, ed. J.M. Chamberlain et al, Plenum Press, New York, 1990.
  67. ЮВ. Шарвин, Об одном возможном методе исследования поверхности Ферми, ЖЭТФ 48, 984(1965).
  68. C.W.J. Beenakker, Н. van Houten, in Quantum transport in semiconductor nanostructures, Sol. Stat.Phys. 44, ed. H. Ehrenreich et al, (Academic, NY), p.l.
  69. S. Datta, Electronics transport in Mesoscopic systems (Cambridge university press, Cambridge, 1955).
  70. D.K. Ferry, S.M. Goodnick, Transport in nanostructures, (Cambridge university, NY 1997).
  71. Y. Imry, Introduction to mesoscopic physics, (Oxford university, NY 1997).
  72. L. Sohn, L. Kouwenhoven, G. Schon, in Mesoscopic electronic transport, (Kluwer, Dordrecht, 1997).
  73. Y. Imry, R. Landauer, Conductance viewed as transmission, Rev. Modem. Phys. 71 (2), s306−312.
  74. K.L. Shepard, M.L. Roukes, B.P. Van der Gaag, Direct measurements of Transmission matrix of a mesoscopic conductor, Phys. Rev. Lett. 68(17) 1992, 26 602 663.
  75. K.L. Shepard, M.L. Roukes, B.P. Van der Gaag, Experimental measurements of scattering coefficients in mesoscopic conductors, Phys. Rev. 46(15) 1992, 9648−9666.
  76. B.J. van Wees, H. van Houten, C. W. J. Beenakker, J. G. Williamson, L. P. Kouwenhoven, D. van der Marel, С. T. Foxon, Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron gas, Phys. Rev. Lett. 60, 848−850, (1988).
  77. E.N. Bogachek, M. Jonson, R.I. Shekhter, T. Swahn, Magnetic-flux-induced conductance steps in microwires, Phys. Rev. B, 47 16 635−16 638 (1993).
  78. E.N. Bogachek, M. Jonson, R.I. Shekhter, T. Swahn, Discrete electronic transport through a microwire in a longitudinal magnetic field, Phys. Rev. B, 50 18 341−18 349 (1994).
  79. N. Agrait, J.G. Rodrigo, S Vieira, Conductance steps and quantization in atomic-size contacts, Phys.rev. B47, 12 345−12 348 (1993).
  80. E.N. Bogachek, A.G. Scherbakov, U. Landman, Quantum transport in nanowires: shape effects, magnetoconductance and thermopower, p. 35−60 in Nanowires, ed. P.A. Serena, N. Garcia, Kluver Academic publisher, Dordrecht-Boston-London, 1997.
  81. Л.И. Глазман, Г. Б. Лесовик, Д. Е. Хмельницкий, Р. И. Шехтер, Безотражательный квантовый транспорт и фундаментальные ступени баллистического сопротивления в микропроводах, Письма в ЖЭТФ, 48 (1988 218.
  82. Л.И. Глазман, А. В. Хаецкий, Нелинейная квантовая проводимость микросужения, Письма в ЖЭТФ 48(10), 1988, 546−549.
  83. A. Szafer, A.D. Stone, Theory of quantum transport through a constriction, Phys. Rev. Lett. 62 (3) (1989) 300−303.
  84. S. Tarucha, T. Saku, Y. Tokura, Y. Hirayama, Sharvin resistance and its breakdown observed in long ballistic channels, Phys. Rev. В 47 (7) (1993) 4064−4067.
  85. Y. Hirayama, T. Saku, S. Tarucha, and Y. Horikoshi, Ballistic electron transport in macroscopic four-terminal square structures with high mobility, Appl. Phys. Lett., 58, 2672(1991).
  86. S. Tarucha, T. Saku, Y. Hirayama, and Y. Horikoshi, Bend resistance characteristics of macroscopic four-terminal device with high electron mobility, Phys. Rev. В 45 (23) 13 465 (1992).
  87. R.J. Blaikie, D.R.S. Cumming, J.R.A. Cleaver, H. Ahmed, R. Nakazato, Electron transport in multiprobe quantum wires analogue magnetoresistance effects, J.Appl. Phys. 78, 1,330(1995).
  88. G. Timp, H.U. Baranger, P. deVegvar, J.E. Cunningham, R.E. Hovard, R. Behringer, P.M. Mankiewich, Propagation around Bend in a Multichannel Electron Waveguide, Phys. Rev. Lett., 60, 2081−2084 (1988).
  89. H. Baranger, D.P. DiVincento, Classical and quantum ballistic transport anomalies in microjunctions, Phys. Rev. В 44, 19, 10 637−10 675 (1991).
  90. V.V. V’yurkov, Ballistic to diffusive transport transition in semiconductor nanostructures, Extended thesis of invited lectures, Nanostructures: Physics and technology, St. Petersburg, 1996, 45−47.
  91. M.L. Roukes, A. Scherer, S.J. Allen, H.G. Craighead, R.M. Ruthen, E.D. Beebe, J.P. Harbison, Quenching of the Hall effect in a one-dimensional wire, Phys. Rev. Lett. 59 (26), 3011−3014(1987).
  92. C.J.B. Ford, T.J. Thornton, R. Newbury, R. Pepper, H. Ahmed, D.C. Peacock, D.A. Ritchie, J.E.F. Frost, G.A.C. Jones, Vanishing hall voltage in a quasi-one-dimensional GaAs-AlxGal-xAs heterojunction, Phys. Rev. В 38, 8518 (1988).
  93. C.J.B. Ford, S. Washburn, M. Buttiker, C.M. Knoedler, J.M. Hong, Influence of geometry on the Hall effect in ballistic wires, Phys. Rev. Lett. 62, 2724 (1989).
  94. A.M. Chang, T.Y. Chang, H.U. Baranger, Quenching of the Hall resistance in a novel geometry, Phys, Rev. Lett. 63, 996 (1989).
  95. C.J.V. Beenakker, H. van Houten, Billiard model of a ballistic multiprobe conductor, Phys. Rev. Lett. 63, 17, 1857 (1989).
  96. C.J.V. Beenakker, H. van Houten, Magnetotransport and nonadditivity of point-contact resistances in series, Phys. Rev. В 39 (14) 10 445−10 448 (1989).
  97. T.J. Thornton, M.L. Roukes, A. Scherer, B.P. Gaag, Magnetoresistance and boundary scattering in ballistic wires, 153−167 in Quantum coherence in mesoscopic systems, ed. B. Kramer, Plenum Press, NY, 1991.
  98. G. Brandly, J. L Olsen, Size effect in electron transport in metals, Mater. Sci. & Engin. 4,61−83 (1969).
  99. R.J. Haug, Edge-state transport and its experimental consequence in high magnetic fields, Semicond. Sci. Technol. 8, 131−153 (1993).
  100. Э.А. Канер, К теории гальваномагнитных и термомагнитных эффектов в металлических пленках, ЖЭТФ 34, 658 (1958).
  101. R.G. Chambers, The conductivity of thin wires in a magnetic field, Proc. Ryal Soc. A202, 378 (1950).
  102. Yi-Han Kao, Conductivity of thin metallic films in a longitudinal magnetic field, Phys. Rev. 138A, 1412(1965).
  103. Y-Shun Way, Yi-Han Kao, Longitudinal magnetoresistance of thin metallic films with partially specular boundary scattering, Phys. Rev. В 5(6), 2039−2046 (1972).
  104. E. Koenigsberg, Conductivity of thin films in a longitudinal magnetic field, Phys. Rev. 143, 470 (1953).
  105. K.L. Chopra, Size effects in the longitudinal magnetoresistance in thin silver films, Phys. Rev. 155, 660(1967).
  106. J. Babiskin, Oscillatory galvanomagnetic properties of bismuth single crystals in longitudinal magnetic fields, Phys. Rev. 107, 981, (1957).
  107. Li Te-Chang, V.A. Marsocci, Size effect of the transverse magnetoresistance in thin metallic films, Phys. Rev. В 6, 391 (1972).
  108. Ю.П. Гайдуков, Н. П. Данилова, Статическое поверхностное сопротивление цинка в магнитном поле, ЖЭТФ 64, 921 (1973).
  109. Ю.П. Гайдуков, Н. П. Данилова, Магнетосопротивление нитевидных монокристаллов кадмия при 4.2 К, ЖЭТФ 65, 1541 (1973).
  110. P. Joyez, D. Esteve, Surface-scattering-limited magneto-transport in thin metallic films, Phys. Rev. В 64 155 402 (2001).
  111. М.Я. Азбель, В. Г. Песчанский, Сопротивление тонких пластин и проволок в сильном магнитном поел, ЖЭТФ 49, 572 (1965).
  112. А.И. Копелиович, К теории электропроводности тонкой металлической пластины в сильном магнитном поле, ЖЭТФ 78 (3), 987−1007 (1980).
  113. P. Cotti, J.L. Olsen, J.G. Daunt, M. Kreitman, Size effect in polycrystalline indium plates in a magnetic field, Cryogenics 4, 45 (1964).
  114. K. Forsvoll, I. Holwech, Galvanomagnetic size effects in aluminium films, Philos. Mag. 9, 435 (1964).
  115. П.П. Луцишин, Т. Н. Находкин, O.A. Панченко, Ю. Г. Птушинский, Дифракция электронов проводимости на грани (110) монокристалла вольфрама, Письма в ЖЭТФ 31 (1980) 599.
  116. И.В. Волкенштейн, М. Глинский, В. В. Марченков, В. Е. Старцев, А. Н. Черепанов, Особенности гальваномагнитных свойств компенсированных металлов в условиях статического скин-эффекта в сильных магнитных полях (вольфрам), ЖЭТФ 95(6), 2103−2116 (1989).
  117. A.N. Cherepanov, V.V. Marchenkov, V.E. Startsev, N.V. Volkenshtein, High-field galvanomagnetic properties of compensated metals under electron-surface and intersheet electron-phonon scattering (Tungsten), J. Low Temp. Phys. 80, 135−151 (1990).
  118. А.Н. Черепанов, В. В. Марченков, В. Е. Старцев, Гальваномагнитные свойства монокристаллов молибдена при статическом скин-эффекте в сильных магнитных полях, ФММ 12, 65−74 (1991).
  119. V.V. Marchenkov, A.N. Cherepanov, V.E. Startsev, H.W. Weber, Temperature breakdown phenomenon in Tungsten single crystal at high magnetic fields, J. Low Temp. Phys. 98, 425−447 (1995).
  120. T.J. Thornton, M.L. Roukes, A. Scherer, B.P. Gaag, Boundary scattering in quantum wires, Phys. Rev. Lett. 63(19) 2128−2131 (1989).
  121. Ю.В. Шарвин, Об одном возможном методе исследования поверхности Ферми, ЖЭТФ 48, 984 (1965).
  122. Ю.В. Шарвин, Л. М. Фишер, Наблюдение фокусировки пучков электронов в металле, Письма в ЖЭТФ 1, 54 (1965).
  123. B.C. Цой, Фокусировка электронов в металле поперечным магнитным полем, Письма в ЖЭТФ 19, 114 (1974).
  124. B.C. Цой, Отражение электронов проводимости от поверхности, гл. X, стр. 329−343, в кн. «Электроны проводимости» под. Ред. М. И. Каганова, B.C. Эдельмана, Москва, «Наука», 1985.
  125. Н. van Houten, В, J. Wees, J.E. Mooij, C.WJ. Beennakker, J.G. Williamson, C.T. Foxon, Quantum transport in semiconductor nanostructures. Europhys. Lett. 5 (1988) 70.
  126. K. Nakamura, D.C. Tsui, F. Nihey, H. Toyoshima, T. Itoh, Electron focusing with multiparallel one-dimensional channels made by focused ion beam, Appl. Phys. Lett. 56 (1990)385.
  127. J. Spector, H.L. Stormer, K.W. Baldwin, L.N. Pheiffer, K.W. West, Ballistic electron optics, in: Proc. 4th Int. Conf. on Modulated Semiconductor structures (Ann Arbor, 1991), Surf.Sci. 66−77 (1991).
  128. Ф. Блатт, Физика электронной проводимости в твердых телах, М., Мир (1971).
  129. J. Bass, Deviation from Mattheisson’s rule, Adv. Phys. 21, 431−604 (1972).
  130. B.T. Петрашов, Экспериментальное исследование электронных интерференционных явлений в низкотемпературной проводимости металлов в магнитном поле, Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук, Черноголовка, 1988.
  131. K.L. Chopra, Electrical resistivity the silver films at low temperatures, Phys. Lett. 15,21 (1965).
  132. D.B. Tanner, D.C. Larson, Electrical resistivity of silver films, Phys. Rev. 166, 652 (1968).
  133. A. Bassewitz, E.N. Mitchell, Resistivity studies of single crystal and poly crystal films of aluminium, Phys. Rev. 182, 712 (1969).
  134. J.T. Jacobs, R.C. Birtcher, R.N. Peacock, Temperature variation of the resistivity of epitaxial gold films, J. Vac. Sci. Technol. 7, 339 (1970).
  135. V.P. Nagpal, V.P. Duggal, Resistivity study of single-crystal silver films from 4.2 to 56 K, J. Appl. Phys. 44, 4501 (1973).
  136. H.B. Волкенштейн, Jl.C. Старостина, B.E. Старцев и Е. П. Романов, Исследование температурной зависимости электропроводности монокристаллов молибдена и вольфрама в области низких температур, ФММ, 18, 888 (1964).
  137. В.Е. Старцев, В. П. Дякина, В. И. Черепанов, Н. В. Волкенштейн, Р. Ш. Насыров, В. Г. Манаков, О квадратичной температурной зависимости электросопротивления монокристаллов вольфрама. Роль поверхностного рассеяния электронов, ЖЭТФ, 79, 1335 (1980).
  138. D.C. Larson, Physics of Thin Films, Advances in Research and Development, ed. M.H. Francomb and R.V. Hoffman, Academic Press, New York, chap. 2 (1971).
  139. М.Я. Азбель, P.H. Гуржи, Электропроводность тонких образцов и возможность определения длины свободного пробега электронов в металлах, ЖЭТФ 42 (1962) 1632.
  140. Ю.П. Гайдуков, Я. Кадлецова, Температурный ход сопротивления нитевидных кристаллов цинка, ЖЭТФ 57 (1969) 1167.
  141. Ю.П. Гайдуков, Я. Кадлецова, Температурная зависимость коэффициента зеркального отражения электронов проводимости от поверхности кадмия и цинка, ЖЭТФ 59 (1970) 700.
  142. В.Т. Петрашов, Новые явления в металлических наноструктурах, УФН 165, 232−236 (1995).
  143. В.Т. Петрашов, Квантовый электронный транспорт в металлических наноструктурах, Микроэлектроника 20, 3−17 (1994).
  144. G. Bergman, Weak localization in thin films, Phys. Rep. 107, 1 (1984).
  145. Б.Л. Альтшулер, А. Г. Аронов, А. Ю. Зюзин, Размерные эффекты в неупорядоченных проводниках, ЖЭТФ 86, 109 (1984).
  146. G. Timp, A.M. Chang, P. Mankiewich, R.E. Behringer, J.E. Cunningham, T.Y. Chang and R.E. Howard, Quantum Transport in an Electron-Wave Guide, Phys. Rev. Lett. 59, 732 (1987).
  147. C. Van Haesendonck, H. Vloeberghs, Y. Bruynseraede, Conductance oscillations and phase coherence in submicron metal films, 65−84, in. Quantum coherence in mesoscopic systems, ed. B. Kramer, Plenum Press, NY 1991.
  148. R. Compano, L. Molenkamp, D.J. Paul (editors), Technology roadmap for nanoelectronics, MEL-ARI projects, 1999.
  149. S. Saini, Petaflops computing and computational nanotechnology, Nanotechnology 7, 224−235 (1996).
  150. K.A. Валиев, Физика субмикронной литографии, М.: Наука, 1990.
  151. H. Goronkin, Quantum devices for future CSICs, 139−149, in Future trends in microelectronics, ed. S. Luryi et al, Kluwer academic publisher, Netherlands, 1996.
  152. S. P. Beaumont, III-V Nanoelectronics, Microelectronic Engineering 32, 283−295 (1996).
  153. C. Hu, Silicon nanoelectronics for the 21st century, Nanotechnology 10, 113−116 (1999).
  154. Г. Н. Березин, A.B. Никитина, P.A. Сурис, Оптические основы контактной фотолитографии, — М.: Радио и связь, 1982.
  155. К. Kurihara, Н. Namatsu, М. Nagase, Y. Takahashi, Fabrication and process for room temperature operated single electron transistor using electron beam lithography, Silicon nanoelectronics workshop, Kyoto, June 8−9 (1997).
  156. H. Ahmed, Nanostructure fabrication, proceeding of the IEEE 79(8), 1140−1148 (1991).
  157. J.W. Coburn, Pattern transfer, Superlattices and Microstructures 2(1) 117−127 (1986).
  158. Н.П. Калашников, B.C. Ремизович, М. И. Рязанов, Столкновение быстрых заряженных частиц в твердых телах, М.: Атомиздат, 1980.
  159. G. Bining and H. Rohrer. Scanning Tunneling Microscope // US Patent 4,343,993 Aug .10, 1982. Filed: Sep. 12, 1980.
  160. G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett., 56 (9), 930−933 (1986).
  161. G. Binnig, C.F. Quate and Ch. Gerber. Atomic force microscope.// Phys. Rev. Lett. 56 (9), 930−933 (1986).
  162. G.Meyer, N.M. Amer. Erratum: novel optical approach to atomic force microscopy.//Appl. Phys. Lett. 53 (24), 2400−2402 (1988).
  163. W.A. Ducker, R.F. Cook, D.R. Clarke. Force measurement using an AC atomic force microscope. // J. Appl. Phys. 67 (9), 4045−4052 (1990).
  164. H. Ueyama, M. Ohta, Y. Sugawara, S. Morita. Atomically resolved InP (llO) ¦+1 surface observed with noncontact ultrahigh vacuum atomic force microscope.// Jpn. J.
  165. Appl. Phys. 34, L1086-L1088 (1995).
  166. A. Kikukawa, S. Hosaka, Y. Honda, R. Imura. Phase-locked noncontact scanning force microscope.//Rev. Sci. Instrum. 66 (1), 101−105 (1995).
  167. Chen, C. J, Introduction to Scanning Tunneling Microscopy (Oxford University Press, New York., 1993).
  168. А. А. Бухараев, Н. И. Нургазизов. X Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел. РЭМ-97//Черноголовка 1997, с. 145.
  169. Н. Fujisava and М. Shimizu. Investigation of the current path of Pb (Zr, Ti)03 thin films using an atomic force microscope with simultaneous current measurement // Appl. Phys. Lett. 71(3), 416−418 (1997).
  170. J. N. Nxumalo, D. T. Shimizu and D. J. Thomson Cross-sectional imaging of semiconductor device structures by scanning resistance microscopy. // J.Vac. Sci. Technol. В N14, 386−389 (1996).
  171. С. Shafai, D.J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, P.J. Scanlon Delineation of semiconductor doping by scanning resistance microscopy. // Appl. Phys. Lett. 64 (3), 342−344 (1994).
  172. P. Gaworzewski, B. Ross, J. Borngraber, K. Hoppner, W. Hoppner, U. Henniger. ^ Properties of probe tip/Si contacts and their connection to spreading resistance analyses.
  173. J. Vac. Sci. Technol. В 14 (1), 373−379 (1996).
  174. P. De Wolf, J. Snauwaert, T. Clarysse, W. Vandervorst, L. Hellemans. Characterization of a point-contact on silicon using force microscopy-supported resistance measurements.// Appl. Phys. Lett. 66 (12), 1530−1532 (1995).
  175. J. Snauwaert, N. Blanc, P. De Wolf, W. Vandrvorst, and L. Hellemans. Minimizing the size of force-controlled point contacts on silicon for carrier profiling. // J. Vac. Sci. Technol. В 14(2), 1513−1517(1996).
  176. P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, L. Hellemans, Ph. Niedermann and W. Hanni. Cross-sectional nano-spreading resistance profiling. // J. Vac. Sci. Technol. В 16(1), 355−361 (1998).
  177. P. De Wolf, T. Clarysse, W. Vandervorst, J. Snauwaert, and L. Hellemans. One- and two-dimentional profiling in semiconductors by nanospreding resistance profiling. // J. Vac. Sci. Technol. В 14, 380−385 (1996).
  178. C. Shafai, D.J. Thompson, M. Simard-Normandin. Two-dimensional delineation of ^ semiconductor doping by scanning resistance microscopy.// J.Vac. Sci. Technol. В 12(1), 378.382 (1994).
  179. B. Alpelsom, S. Cohen, I. Rubinstein, G. Hobes. Room-temperature conductance spectroscopy of CdSe quantum dots using a modified scanning force microscope.// Phys. Rew. В 52(24), R17017-R17020 (1995).
  180. M. Munz, H. Sturm, E. Schulz, G. Hinrichsen. The Scanning Force Microscope as a tool for the detection of local mechanical properties within the interphase of fibre reinforced polymers.//Composites A. 1998,29A, c. 1251−1259.
  181. R. E. Thomson and J. Moreland. Development highly conductive cantilevers for atomic force microscopy point contact measurements. // J. Vac. Sci. Technol. B. 13(3), 1123−1125 (1995).
  182. F. House, R. Meyer, O. Schneegans, and L. Boyer. Imaging the local electrical properties of metal surface by atomic force microscopy with conducting probes // Appl. Phys. Lett. 69(13), 1975−1978 (1996).
  183. M. T. Hersam, A.C. Hoole, S.J. O’Shea and M. E. Welland. Potentiometry and repair of electrically stressed nanowires using atomic force microscopy. // Appl. Phys. Lett. 72(8), 915−917 (1995).
  184. S. J. О Shea, R. M. Atta, and M. E. Welland. Characterization of tip for conducting atomic force microscopy. // Rev. Sci. Instrum. 66(3), 2508−2512 (1995).
  185. D. L. Klein and P. L. McEuen. Conducting atomic force microscopy of alkane layers on graphite. //Appl. Phys. Lett. 66(19), 2478−2480 (1995).
  186. P. J. Gallo, A. J. Kulik, N. A. Burnham, F. Oulevey, and G. Gremaud. Electrical conductivity SFM study of an ultrafiltration memrane. // Nanotechnology 8(1), 10−13 (1997).
  187. B.K. Неволин. Основы туннельно-зондовой нанотехнологии. // МИЭТ 1996, 86с.
  188. П.А.Арутюнов, A. JI. Толстихина. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро и наноэлектроники часть I. Микроэлектроника 28(6), 405−414(1999).
  189. М. Wendel, S Kuhn, Н. Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Holland. Nanolothography with an atomic force microscope for integrated fabrication of quantum electronic devices.// App. Phys. Lett. 65(14), 1775−1777 (1994).
  190. M. Wendel, H, Lorenz, J.P. Kotthaus. Sharped electron beam deposited tips for high resolution atomic force microscope lithography and imaging.// App. Phys. Lett. 67(25), 3732−3734 (1995).
  191. J. Cortes Rosa, M. Wendel, H, Lorenz, J.P. Kotthaus, M. Thomas and H. Kroemer. Direct pattering of surface quantum wells with an atomic force microscope.// Appl. Phys. Lett. 73(18), 2684−2686 (1998).
  192. H. Востоков, Д. Валгунов В. Ф. Дряхлушин, А. Ю. Клинов, В. В. Рогов, JI.B. Суходоев, В. И. Шашкин. Разработка метода атомно-силовой литографии для создания наноразмерных элементов.// «Зондовая микроскопия-99» Нижний Новгород. 1999, с. 190−192.
  193. L.P. Ma, W.J.Yang, Z.Q.Xue and S.J. Pang. Data storage with 0,7 nm recording marks a crystalline organic thin films by a scanning tunneling microscope. // Appl. Phys. Lett. 73(6), 850−852 (1998).
  194. T A. Avramescu, A. Ueta, К. Uesugi, I Suemune. Atomic force microscope lithography on carbonaceous films deposited by electron-beam irradiation.// Appl.Phys.Lett. 73(6), 716−718 (1998).
  195. T. Shiokawa, Y. Aoyagi, M. Shigeno, S. Namba. In situ observation and correction of resist patterns in atomic force microscope lithography. // Appl.Phys.Lett. 72(19), 2481−2483 (1998).
  196. E. Dubois, J-L. Bubbendorff. Nanometer scale lithography on silicon, titanium and PMMA resist using scanning probe microscopy. // Solid-State El. 43, 1085−1089 (1999).
  197. R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin. Nanolithography by local anodic oxidation of metal films using an atomic force microscope.// Physica E 2, 748−752 (1998).
  198. B. Irmer, M. Kehrle, H. Lorenz, J.P. Kotthaus. Fabrication of Ti/Ti0x tunneling barriers by tapping mode atomic force microscopy induced local oxidation. //Appl. Phys. Lett. 71(12), 1733−1735 (1997).
  199. J.A. Dagata, J. Schneir, H.H. Harray, C.J. Evans, M.T. Postek, J. Bennett. Modification of hydrogen- passivated silicon by a scanning tunneling microscope in air. //Appl.Phys.Lett. 56(20), 2001−2003 (1990).
  200. L. A. Nagahara, T. Thundat, S.M. Lindsay. Nanolitography on semiconductor surfaces under an etching solutions. // Appl.Phys.Lett. 57(3), 270−272 (1990).
  201. T. Thundat, L.A. Nagahara, P.I. Oden, S.M. Lindsay, M.A. George, W.S. Glaunsinger. Modification of tantalium surfaces by scanning tunneling microscopy in an electrochemical cell. // J. Vac. Sci. Technol. A 8(4), 3537−3541 (1990).
  202. M. Yasutake, Y. Ejiri, T. Hattori. Modification of silicon surface using atomic force microscope with conducting probe. //Jpn. J. Appl. Phys. 32(7B2), LI021-LI023 (1993).
  203. F. Perez-Murano, G. Abadal, N. Barniol, X. Aymerich, J. Servat, P. Gorostiza, F. Sanz, Nanometer-scale oxidation of Si (100) surfaces by tapping mode atomic force microscopy. //J. Appl. Phys. 78(11), 6798−6801 (1995).
  204. R. Garcia, M. Calleja, F. Perez-Murano. Local oxidation of silicon by dynamic force microscopy: Nanofabrication and water bridge formation. // Appl.Phys.Lett. 72(18), 2295−2297 (1998).
  205. S. Minne, J. Adams, G, Yaralioglu, S. Manalis, A. Atalar, C. Quate. Centimeter scale atomic force microscope imaging and lithography.// Appl.Phys.Lett. 73(12), 17 421 744 (1998).
  206. R. Garcia, M. Calleja, H. Rohrer. Patterning of silicon surfaces with non-contact atomic force microscopy: Field induced formation of nanometer-size water bridges. // 'Scanning tunneling microscopy '99 ' Сеул, 1999, Корея с. 323−324.
  207. H.Sugimura, N. Nakagiri. Chemical approach to nanofabrication: Modification of Silicon surface patterned by scanning probe anodization.// Jpn. J. Appl. Phys. 34(6B1), 3406−3411 (1995).
  208. Ph. Avouris, R. Martel, T. Hertel, R. Sandstrom // Appl. Phys. A 66, S659 (1998).
  209. Ph. Avouris, T. Hertel, R. Martel. Atomic force microscope tip-induced local oxidation of silicon: Kinetics, mechanism, and nanofabrication.// Appl. Phys. Lett. 71(2), 285−287 (1997).
  210. K. Matsumoto, S. Takahashi and all. Application of STM nanometer -size oxidation process to planar type MIM diode // Jpn.J.Appl.Phys. 34, 1387−1390 (1995).
  211. K. Matsumoto, M. Ishii and all. Room temperature operation of single electron transistor made by the scanning tunneling microscope nanooxidation process for the ТЮхЯЮ system. //Appl. Phys. Lett. 68(1), 34−36 (1996).
  212. К. Matsumoto. Room temperature operated single electron transistor made by STM/AFM nano-oxidation process.// Physica В 227, 92−94 (1996).
  213. E.Snow, P. Campbell. AFM fabrication of metal-oxide devices with in situ control of electrical properties.// Physica В 227, 279−281 (1996).
  214. R. Held, T. Heinzel, P. Studerus, K. Ensslin, M. Holland. Semiconductor quantum point contact fabricaed by lithography with an atomic force microscope.// Appl. Phys. Lett. 71(18), 2689−2691 (1997).
  215. J. Shiracashi, K. Matsumoto, N. Miura and M. Konagai Single-electron transistor with Nb/Nb oxide system fabricated by atomic force microscope nano-oxidation process //JpnJ.Appl.Phys. 36, L1257-L1260 (1997).
  216. B. Irmer, M. Kehrle, H. Lorenz J. Kotthaus. Nanolithography by non-contact AFM-induced local oxidation fabrication of tunneling barriers suitable for single-electron devices.// Semic. Sci. Technol. 13, A79-A82 (1998).
  217. K.L. Chopra, Growth sputtered vs evaporated metal films, J. Appl. Phys. 37, 3405 (1966).
  218. Д. Хирс, Г. Паунд, Испарение и конденсации, пер. с англ. М.: Металлургия, 1966.
  219. Дж.П. Хирс, С.Дж. Хруска, Г. М. Паунд, Теория образования зародышей при осаждении на подложках, в кн.: Монокристаллические пленки, пер. с англ. М.: Мир, 1966.
  220. U. Gradman, Magnetism in ultrathing transition metal films, in Handbook of Magnetic Materials, Vol.7, ed. by K.H.J. Buschow, Elsevier, North-Holland, Amsterdam (1993).
  221. D.J. Eagelman and M. Cerullo, Dislocation- free Stranski- Krastanow Growth of Ge on Si (100), Phys. Rev. Lett., 64, 1943 (1990).
  222. Технология тонких пленок. Справочник. Под ред. JI. Майссела, Р. Глэнга, М., Советское радио (1977).
  223. J.H. van der Merve and W.A. Jesser, The prediction and confirmation of critical epitaxial parameters, J. Appl. Phys., 64,4968 (1988).
  224. R.L. Schwoebel, Condensation of gold on gold single crystal, Surf. Sci. 2, 356 (1964).
  225. D.M. Tricker and W.M. Stobbs, Interface structure and overgrowth orientation for niobium and molybdenum films on sapphire substrates, I. A-plane substrates, Phil. Mag., A71, 1037,(1995).
  226. D.M. Tricker and W.M. Stobbs, Interface structure and overgrowth orientation for niobium and molybdenum films on sapphire substrates, II. R- plane substrates, Phil. Mag., A71, 1051 (1995).
  227. G. Gutecunst, J. Mayer, and M Ruhle, Atomic structure of epitaxial Nb-Al203 interfaces I. Coherent regions, Phil. Mag., A75, 1329 (1997).
  228. G. Gutecunst, J. Mayer, and M Ruhle, Atomic structure of epitaxial Nb-Al203 interfaces II. Misfit dislocations, Phil. Mag., A75, 1357 (1997).
  229. C.H. Lee and K.S. Liang, X-ray studies of misfit dislocations in the interface of epitaxial Nb films on sapphire, Acta metall. mater., 40, SI43 (1992).
  230. J. Mayer, C.P. Flynn and M Ruhle, High-resolution electron microscopy studies of Nb/Al203 interface, Ultramicroscopy, 33, 51 (1990).
  231. J. Mayer, G. Gutecunst, G. Mobus, J. Dura, C.P. Flynn and M Ruhle, Structure and ^ defects of MBE grown Nb-Al203 interfaces, Acta metall. mater., 40, S217 (1992).
  232. D.X. Li, P. Pirouz and A.H. Heuer, S. Yadavalli and C.P. Flynn, The characterization of Nb-Al203 and Nb-MgO interfaces in MBE grown Nb-Mg0-Nb-Al203 multilayers, Acta metall. mater., 40, S237 (1992).
  233. A.I. Braginski and J. Talvacchio, «MBE» Growth of Superconducting Materials, in Superconducting Devices, ed. by S. T Ruggiero and D.A. Gudman, Academic Press, San Diego, CA, (1990).
  234. G. Oya, M. Koishi, and Y. Sawada, High-quality single-crystal Nb films and influences of substrates on the epitaxial growth, J. Appl. Phys., 60, 1440 (1986).
  235. P.M. Reimer, H. Zabel, C.P. Flynn and J. Dura, Extraordinary alignment of Nb films with sapphire and the effects of added hydrogen, Phys Rev., B45, 11 426 (1992)
  236. P.M. Reimer, H. Zabel, C.P. Flynn and J. Dura, Structural characterization of Nb on sapphire as a buffer layer for MBE growth, J. Cryst. Growth, 127, 643 (1993).
  237. A. Gibaud, R.A. Cowley, D.F. McMorrow, R.C.C. Ward, and M.R. Wells, Highresolution X-ray-scattering study of the structure of niobium thin films on sapphire, Phys. Rev., B48, 14 463 (1993).
  238. C. Surgers, C. Strunk and H.v. Lohneysen, Effect of substrate temperature on the microstructure of thin niobium films, Thin Solid Films, 239, 51 (1994).
  239. S.A. Wolf, S.B. Qadri, J.H. Claassen, T.L. Francavilla, and B.J. Dalrymple, Epitaxial growth of superconducting niobium thin films by ultrahigh vacuum evaporation, J. Vac. Sci. Teechnol., A4, 524, (1986).
  240. M. Guilloux-Viry, A. Perrin, J. Padiou, M. Sergent, C. Rossel, Epitaxially grown molybdenum thin films deposited by laser ablation on (100) MgO substrates, Thin Solid films, 280, 76 (1996).
  241. J.E. O’Neal and B.B. Rath, Crystallography of epitaxially grown molybdenum on sapphire, Thin Solid Films, 23, 363 (1974).
  242. M. Guilloux-Viry, A. Perrin, J. Padiou, M. Sergent, C. Rossel, Epitaxially grown molybdenum thin films deposited by laser ablation on (100) MgO substrates, Thin Solid films, 280, 76 (1996).
  243. J.H. Souk, A. Segmuller, and J. Angilello, Oriented growth of ultrathin tungsten films on sapphire substrates, J. Apl. Phys., 62(2), 509 (1987).
  244. L. Krusin-Elbaum, K. Ahn, J.H. Souk, and C.Y.Ting, Effect of deposition methods on the temperature-dependent resistivity of tungsten films, J. Vac. Sci. Technol. A 4,6,3 106(1985).
  245. A. Miller, H.V.Manasevit, D.Y. Forbis, and A.Y. Cadoff, Oriented relationships in the heteroepitaxial tungsten on sapphire system, J. Appi. Phys., 37, 2021 (1966).
  246. A.S. Kao, C. Hwang, V.J. Novotny, V.R. Deline, and GAL. Gorman, Microstructure and properties of dual ion beam sputtered tungsten film, J. Vac. Sd. Technol. A1 (5), 2966 (1989).
  247. Л.П. Ичкитидзе, Р. А. Баблидзе, В. П. Кузнецов, В. И. Скобелкин, Критический ток в сверхпроводящих пленках ниобия, имеющих различные размеры зерен, ФНТ, 12, 474 (1986).
  248. S.Yadavalli, М.Н. Yang, and С.Р. Flynn, Low temperature growth of MgO by molecular-beam epitaxy, Phys. Rev. B, 41, 11,7961(1990).
  249. M. Tonouchi, Y. Sakaguchi, T. Kobayashi, Epitaxial growth of NbN on an ultrathin MgO/semiconductor system, J. Appi. Phys. 62(3), 961 (1987).
  250. B.M. Larson, M.R. Visokay, R. Sinclair, S. Hagstrom, and B.M. Clemens, Epitaxial Pt (001), Pt (110), and Pt (lll) films on MgO (OOl), MgO (llO), and Al, Appl. Phys. Lett., 61, 1390(1992).
  251. P. Caro, F. Briones, A. Cebollada, M.F. Toney, Structure and chemical order in sputtered epitaxial FePd (OOl) alloys, J. Crystal Growth 187,426 (1998).
  252. D.K. Fork, K. Nashumoto, and Т.Н. Geballe, Epitaxial YBa2Cu307. on GaAs (OOl) using buffer layers, Appl. Phys. Lett. 60, 1621 (1992).
  253. P.A. Stampe, RJ. Kennedy, Growth of MgO on Si (001) and GaAs (OOl) by laser ablation, Thin Solid Films, 326, 63(1998).
  254. E.J. Tarsa, M. De Graef, D.R. Clarke, A.C. Gossard, and J.S. Speck, Growth and characterization of (111) and (001) oriented MgO films on (001) GaAs, J. App Phys. 73(7), 3276 (1993).
  255. J. Bloch, M. Heiblum, and Y. Komem, Growth of molybdenum and tungsten on GaAs in a molecular beam epitaxy system, Appl. Phys. Lett. 46(11), 1092 (1985).
  256. K.M. Yu, J.M. Jaklevic, and E.F. Halker, Solid-phase reactions between (100) GaAs and thin film refractory metals (Ti, Zr, V, Nb, Mo, and W), Appl. Phys. A 44, 177 (1987).
  257. M. Eizenberg, A. Segmuller, M. Heiblum, and D.A. Smith, Oriented growth of niobium and molybdenum on GaAs crystals, J. Appl. Phys. 63 (2), 466 (1987).
  258. G.A. Prinz, Magnetic metal films, in Ultrathin magnetic structures II, eds. B. Heinrich, J.A.C. Bland, Springer-Verlag, Berlin 1994.
  259. S.G. Kim, Y. Otani, K. Fukamichi, S. Yuasa, M. Nyvlt, T. Katayama, J. Magn. Magn. Mater. 200−203, 198−199 (1999).
  260. N. Cherief, D. Givord, O. McGrath, Y. Otani, F. Robaut, Laser ablation deposition of metallic films and bilayers (Fe, rare earth, and R/Fe bilayers), J. Magn. Magn. 126, 225−231 (1993).
  261. C.B. Талонов, Лазерное напыление пленок, Вестник АН СССР, 12, 3 (1984).
  262. С.В. Талонов, Е. Б. Клюев Б.А. Нестеров, Н. Н. Салащенко, М. И. Хейфец, Лазерное напыление пленок в активной среде, Письма в ЖТФ, 3(13), 632 (1977).
  263. С.В. Талонов, Б. М. Лускин, Б. А. Нестеров, Н. Н. Салащенко, Низкотемпературная эпитаксия пленок, конденсированных из лазерной плазмы, Письма в ЖТФ, 3(12), 573 (1977).
  264. СВ. Талонов, Столкновение низкотемпературной лазерной плазмы с конденсированной средой, Изв. АН СССР, Сер. Физ., 46(5), 1170 (1982).
  265. А.Д. Ахсахалян, С. В. Талонов, В. И. Лучин, АП. Чириманов, Угловое распределение разлетающейся в вакуум эрозионной плазмы, ЖТФ 52(8), 1584(1982).
  266. G.M. Mikhailov, «Single Crystalline Refractory Metal Low-Dimensional Structures: Fabrication, Characterisation and Electron Transport Properties», Physics of Low-Dimensional Structures ½, 1−36 (2002).
  267. G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, «Novel Class of Metallic Low-Dimensional Structures, Characterised by Surface Dominated Electron Transport», Physics of Low-Dimen. Structures, 3 /4 (III), 1−24 (1999).
  268. G. Mikhailov, A. Chernykh, V. Petrashov, «Electrical properties of epitaxial tungsten films growing by laser ablation deposition», J. Appl. Phys., 80(2), 948−9 511 996).
  269. Г. М. Михайлов, И. В. Маликов, B.T. Петрашов, «Электрофизические свойства эпитаксиальных пленок ниобия, полученных импульсным лазерным испарением», ФТТ38, 3212(1996).
  270. I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, «Electrical and structural properties of monocrystalline epitaxial Mo films, grown by LAD», J. Appl. Phys. 82(11) 5555−55 591 997),.
  271. G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, V.T. Petrashov, «The growth temperature effect on electrical properties and structure of epitaxial refractory metal films», Thin Solid Films 293, 315 (1997).
  272. I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, «Epitaxial bilayered Nb-Mo (001) films: growth, characterisation and size effect in electron conductivity», Thin Solid Films, 360,278−282 (2000).
  273. B.B. Аристов, Г. М. Михайлов, «Тонкие монокристаллические пленки тугоплавких металлов для металлической наноэлектроники», Химия в интересах устойчивого развития, 8(1−2), 13−16(2000).
  274. С. М. Boubeta, J.L. Menendez, J.L. Costa-Kramer, J.M. Garcia, J.V. Anguita, B. Bescos, A. Cebollada, F. Briones, A.V. Chernykh, I.V. Malikov and G.M. Mikhailov, «Epitaxial metallic nanostructures on GaAs», Surface Science 482−485 (2001) 910−915.
  275. L. I. Aparshina, A. V. Chernykh, L. Fomin, I. V. Malikov, V. Yu. Vinnichenko and G. M. Mikhailov, «Epitaxial metallic electrodes, quantum dots and wires for application in solid-state qubit technology» SPIE, 5128, 83−90 (2003).
  276. G.M. Mikhailov, L.I. Aparshina, S.V. Dubonos, Yu.I. Koval, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, «Fabrication of monocrystalline refractory metal nanostructures, capable ballistic electron transport», Nanotechnology 9(1) 1−5 (1998).
  277. Е.Ф. Голов, Г. М. Михайлов, А. Н. Редькин, A.M. Фиошко, «Зондовая литография на а-С:Н пленках», Микроэлектроника 2 (1998), 97−102.
  278. Г. М. Михайлов, В. И. Рубцов «Связь характеристических потерь энергий электронов с поперечным сечением рассеяния», Поверхность, 7, 99−105 (1987).
  279. G.M. Mikhailov, V.I. Rubtsov, S.A. Orlov, «Inelastic scattering of middle energy electrons by solid surfaces», Vacuum, 41, 1721 (1990).
  280. G.M. Mikhailov, S.A. Khudobin and I.V. Malikov, «Investigation of the effects of pretreatment between a GaAs (lOO) surface .», Vacuum 46, 1, 65−8 (1995).
  281. A.H. Редысин, JI.B. Маляревич, И. В. Маликов, Г. М. Михайлов «Электрохимическое травление пленки ниобия через оксидную наномаску, сформированную с помощью проводящего зонда атомно-силового микроскопа», Микроэлектроника 32(2) 112−115 (2003).
  282. G.M. Mikhailov, Yu. Borodko, S.I. Zimont, S.V. Khristenko, S.I. Vetchinkin, Anosotropy of Auger processes in monocrystalline graphite, J. Electr. Spectr. Rel. Phenom. 46,145−153 (1988).
  283. G.M. Mikhailov, V.T. Petrashov, «The Surface and Interface Composition of Hybride Al/Ag Nanostructures», Phys. Low-Dim. Struct., 11/12 (1994) 135−40.
  284. S.I.Bozhko, A.N.Chaika, A.M.Ionov, A.V.Chernykh, I.V.Malikov, and G.M.Mikhailov. Surface studies of single-crystalline refractory metal low-dimensional structures. Applied Surface Science, 175−176, 260−264 (2001).
  285. L.A. Fomin, I.V. Malikov, G.M. Mikhailov, The study of magnetic contrast size dependence in epitaxial Iron nanostructures, Physics of Low-Dimensional Structures 3/42 003) 93−96.
  286. G.M. Mikhailov, P.V. Bulkin, S.A. Khudobin, A.A. Chumakov, S.U. Shapoval, XPS investigation of the interaction between ECR-excited hydrogen and the native oxide of GaAs (100), Vacuum 43(3) 199−201 (1992).
  287. I.V. Malikov, V.Yu. Vinnichenko, L.A. Fomin, G.M. Mikhailov, Epitaxial Nickel Films and Giant Magnetoresistance in Ballistic Ni Nanostructures, Int. Conf. Micro- and Nanoelectronics-2003, Abstract book, 01−37.
  288. V. Malikov, L. A. Fomin, V.Yu.Vinnichenko, G. M. Mikhailov. «Magnetic Epitaxial Nanostructures from Iron and Nickel», Inter. Journ. Nanoscience 3(1−2) 51−572 004).
  289. G. Mikhailov, A. Chernykh, «The ballistic effects in Volt-Current measurements of monocrystalline Tungsten nanostructures», In Abstracts book of Inter. Symp. «Nanostructures-96, St. Petersburg, Russia, 24−28 June 1996, 219−222.
  290. Г. М. Михайлов, A.B. Черных «Баллистические эффекты в вольт-амперных характеристиках монокристаллических наноструктур из вольфрама», Микроэлектроника, 2, 83−86 (1998).
  291. А.В. Черных, Г. Н. Панин, Г. М. Михайлов, Характеризация структур W/A1N/Si методами СТМ, АСМ и наведенного электронным пучком тока, Поверхность 12, 30−33 (2000).
  292. М.С. Хайкин, «Магнитные поверхностные уровни», гл. 8, стр. 275−299, в кн. «Электроны проводимости» под. Ред. М. И. Каганова, B.C. Эдельмана, Москва, «Наука», 1985.
  293. G.M. Mikhailov, I.V. Malikov, A.V. Chernykh, «Influence of quantum size effect for grazing electrons on electron conductivity of metallic films» Pis’ma JETP 66(11), 693−698 (1997).
  294. Г. М. Михайлов, И. В. Маликов, «Об осцилляционной зависимости проводимости трехслойных структур Mo-Nb-Mo», Письма в ЖЭТФ 71, 730−735 (2000).
  295. D. Schumacher, Surface scattering experiments with conduction electrons, (Springer-Verlag, Berlin, 1993).
  296. Дж. Займан, Модели беспорядка, Москва «Мир», 1982.
  297. И.С. Григорьев, Е. З. Мельников, Физические величины, справочник, Энергоиздат, Москва, 1991.
  298. V.A. Gasparov, М.Н. Harutunian, Precision investigations of the Fermi surface of Molybdenum, Phys. Stat. sol. (b) 93 (1979) 403−414.
  299. J. Kondev, C.L. Henley, D.G. Salinas, Nonlinear measures for characterizing rough surface morphologies, Phys. Rev. E 61 (1) (2000) 104−121.
  300. Особую благодарность хотел бы выразить своим коллегам А. Черныху, Л. Фомину, И. Маликову, В. Винниченко и Л. Апаршиной за многолетнюю совместную работу.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!