Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl

Диссертация: Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В Х-облученных при 77 К кристаллах кс1-Ав и КС1-Ш1 методом ЭПР при 22 К зарегистрировано рождение Н-центров при рекомбинации освобождаемых фотонами с Ае° и Т1° центров электронов с ав-толокализованными дырками. Эффективность этого процесса в 0,5%. Отжиг Н-центров, возникающих при рекомбинации электронов с У^-центрами, характерен для Р, Н-пар с меньшим междефектным расстоянием чем для Р, Н-пар… Читать ещё >

Низкотемпературное создание и преобразование радиационных парамагнитных дефектов в кристаллах КСl и RbCl (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ. б
  • 2. РАДИАЦИОННОЕ СОЗДАНИЕ МЩОУЗЕЛЬНЫХ АТОМОВ ГАЛОИДА В ЩГК (обзор литературы)
    • 2. 1. Френкелевские дефекты и экситоны в облученных ЩГК
    • 2. 2. Распад электронных возбуждений с рождением френкелевских дефектов в ЩГК
    • 2. 3. Парамагнитные Н-центры в KCl
      • 2. 3. 1. ЭПР-спектр и оптические переходы
  • С1~ в KOI
    • 2. 3. 2. ЭПР-спектр и структура Н-центров в KCl
    • 2. 3. 3. Захваченные примесями парамагнитные Н-центры в KCl
    • 2. 4. Некоторые нерешенные проблемы и задачи настоящего исследования ."
  • 3. МЕТОДИКА И ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 3. 1. Методика низкотемпературного исследования парамагнитных радиационных дефектов
    • 3. 1. Л. О применении метода ЭПР для регистрации
  • Н- и VE- центров в ЩГК
    • 3. 1. 2. О низкотемпературном Х-облучении кристаллов при ЭПР-измерениях
    • 3. 1. 3. Установка для ЭПР исследований
    • 3. 2. Методика исследования оптических характеристик облученных кристаллов
    • 3. 3. Объекты исследования
  • 4. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В KCl
    • 4. 1. Создание и отжиг Н- и V^-центров в KCl
    • 4. 1. Л. ЭПР-спектры кристалла KCl после
  • Х-облучения при 20 К
  • 4. Л.2. Накопление Н- и Vg-центров в ходе облучения при 20 К
    • 4. 1. 3. Отжиг H-, VK- и ос-центров в KCl
    • 4. 1. 4. Влияние БЧтодсветки на число и отжиг
  • Н- и V^-центров
    • 4. 1. 5. Влияние подсветки фотонами 3*4 эВ на Н- и «У^центры и их отжиг
    • 4. 2. Влияние вторичных процессов на низкотемпературное радиационное дефектообразование в KCl
    • 4. 2. 1. Взаимодействие электронов и дйрок с дефектами во время Х-облучения
    • 4. 2. 2. pjljVg- тройки в KCl
    • 4. 2. 3. Индуцированные Х-облучением вторичные процессы в KCl
    • 4. 3. Миграция интерстициалов в KCl при Т < 60 К
    • 4. 3. 1. Отжиг I-центров в KCl
    • 4. 3. 2. Миграция Н-центров в KCl
  • 5. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ, ПРЕОБРАЗОВАНИЕ И
  • ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КС1-НЪ
    • 5. 1. ЭПР-спектр кристалла KCl-Kb после
  • Х-облучения при 20 К «
    • 5. 2. Отжиг Н- и V^-центров в КС1-Е
    • 5. 3. Н. (иъ+)-центры в КС1-НЪ
    • 5. 4. О влиянии ионов НЪ+ на процессы создания, преобразования и отжига френкелевских дефектов в KCl # 1Д (КЬ+) — центры
    • 5. 5. 0 ловушках Н-центров в KCl
  • 6. НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ СОЗДАНИЕ И ПРЕОБРАЗОВАНИЕ ДЕФЕКТОВ В ЕЪС
  • 6. Д. Спектры ЭПР НЪС
    • 6. 2. ЭПР-сигнал и структура Н- центров в RbCl
    • 6. 3. Создание и отжиг интерстициалов в RbCl
  • 7. СОЗДАНИЕ ПАР В KCl-Ag И КС1-Ш1 ПРИ РЕКОМБИНАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ С АВТОЛОКАЛИЗОВАННЬМИ ДЫРКАМИ
    • 7. 1. Электронно-дырочный рекомбинационный механизм создания дефектов Френкеля
    • 7. 2. Рождение стабильных Р, Н- пар при рекомбинации электронов с VE-центрами в KCl-Ag
    • 7. 3. Рождение F, H-nap при рекомбинации электронов с VK- центрами в КС1-Ф
    • 7. 4. » Электронно-дырочный и экситонный механизмы создания F, H- пар в KCl, ЕС1-Е1 и KCl-Ag,
  • 8. РАСПАД ОКОЛОПРИМЕСНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ ВОЗБУВДЕНИЙ С РОЗЩЕНИЕМ ДЕФЕКТОВ В КС1-Ф
    • 8. 1. Экспериментальное изучение рождения
  • F, H-nap и оС, I-пар ВКС1-Т
    • 8. 2. О роли локальных колебаний при распаде электронных возбуждений с рождением дефектов

В в е д е н и е Развитие ядерной энергетики, вычислительной техники, твердотельной электроники и других захвата Н-центров дефектами решетки и процессы рекомбинации Нцентров с F-центрами [31−40] Для кристаллов RbOl впервые методом ЭПР обнаружены Н-центры, струкчура которых отличается от известных ранее Н-центров в LiP, KOI и КВг, Комплексными ЭПР и оптическими исследованиями кристаллов KOl-Rbобнаружен захват Н-центров примесными ионами НЪ" *", радиус которых больше радиуса ионов К* и изучены оптические и парамагнитные свойства НдСнъ*)-центров" На основании полученной информации о процессах создания, прыжковой миграции и рекомбинации Н-центров в чистых и легированных кристаллах К01 рассмотрены механизмы процессов радиационного повреждения ЩГК и сделан вывод о важной роли локальных колебаний в процессах атермического безызлучательного распада электронных возбуждений с рождением стабильных френкелевских дефектов [ЗЗ] Основными результатами настоящей работы являются следующие, выносимые на защиту положения: 1, Облучение кристаллов КС1 и Е Ъ О 1 рентгеновской радиацией при гелиевых температурах приводит не только к созданию пар анионных френкелевских дефектов (F, Hи <, 1-пар), но и к рождению троек дефектов p, i, v", возникающих при захвате электронов Нцентрами и автолокализации дырок. Отжиг троек при прыжковой миграции междоузельных ионов галоида и их рекомбинации с Рцентрами и автолокализованными дырками обуславливает появление электронов и увеличение числа Н-центров. 2, Впервые для об-огченных кристаллов ЕЪ01 методом ЭПР обнаружены и исследованы междоузельные атомы галоида, представляющие собой ориентированные по <110> молекулы Gig в одиночных анионных узлах без заметного взаимодействия с двумя соседними ионами хлора. Для кристаллов КС1*Ъ обнаружен захват Н-центров ионами НЪ" *" с образованием НДСЕЪ)-центров, имеющих термическую стабильность до 60−70 К, 3. Для кристаллов К01-Ф1 при облучении фотонами 7,2-!-7,б эВ обнаружен распад на анионные френкелевские дефекты (F, Hи оС 1 пары) околоталлиевых электронных возбуждений молекулярного типа, для которых существуют локальные колебания. Распад таллиевых электронных возбуждений ионного типа (5*7 эВ) без локальных колебаний не ведет к рождению френкелевских дефектов. Рассмотрена роль локальных колебаний при распаде электронных возбузкдений на стабильные френкелевские пары, 4. Для облученных кристаллов К01-а}1 и KOl-Ag выделен и исследован малоэффективный (о, 1-о, 5) элементарный механизм рождения стабильных нейтральных френкелевских дефектов (F, H-nap) при фотостимулированной рекомбинации электронов с автолокализованными дырками, наблюдающийся на фоне более эффективного процесса создания Н-центров при фоторазрушении Н, Н-пар и околопримесных Нд-центров. План изложения материала в диссертации следует из оглавления. Наши основные результаты опубликованы в [31−40] доложены и обсуждены на следующих конференциях, совещаниях и семинарах: Всесоюзное совещание по радиационной физике твердых тел, Звенигород, I98I- 1У Всесоюзный симпозиум «Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения», Иркутск, 1982; У Всесоюзное Совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983; 1]ибалтийские симинары по физике ионных кристаллов (Эзерниеки, 1982, Лохусалу, 1982, Лиелупе, 1983)" IIПолученным нами результаты могут быть использованы при разработке общей теории радиационного дефектообразования в твердых телах" Исследование радиационного дефектообразования в 1ЦГК представляет не только общефизический, но и конкретный прикладной интерес в связи с разработкой новых сред для записи и изображения информации, в связи с новыми перестраиваемыми твердотельными лазерами на центрах окраски, а также в связи с разработкой более радиационностойких материалов".

5, Результаты исследования в кристаллах KCl высокой чистоты создания Н-центров при фотодиссоциации непарамагнитных комплексов свидетельствуют об образовании при термической миграции Н-цент-ров слабосвязанных Н, Н-пар, Такие пары Н-центров разрушаются термически при 60−90 К или в результате подсветки при 20 К фотонами ^ 3,7 эВ,.

6, В кристаллах КС1-ЕЪ созданные Х-облучением при 20 К Н-центры при нагреве кристалла до 40*50 К эффективно захватываются около ионов еъ+, Возникающие Нд (еъ+)-центры характеризуются сильно уширенными ЭПР-линиями молекул CiJ «которые приближенно ориентированы по < 110 >-направлениям и имеют ион еъ+ в соседнем узле в [юо] -направлении, Нд (еъ+)-центры в KCl отжигаются при 60*70 К, Они имеют полосу оптического поглощения с максимумом при 3,62 эВ и полушириной 0,58 эВ,.

7, В KCl—ЕЪ термическая миграция созданных Х-облучением при 20 К I-центров в области 35*40 К ведет к образованию 1д (еъ+)-центров. При температурах 40*50 К I-центры освобождаются от ЕЪ±ионов и обуславливают эффективное преобразование V^-центров в Н-центры,.

8, При облучении кристаллов Rbd при гелиевых температурах образуются необычные Н-центры, спектр ЭПРкоторых соответствует ориентированным по осям <110> молекулам 01^, занимающим одиночные анионные узлы и практически не взаимодействующим с двумя соседними ионами С1*". Характеристики спин-гамильтониана Н-цент-ров в ЕЪС1: g л = 2,0017+0,0005, е±- = 2,025+0,003, А&bdquo- = 109+ +0,5 Гс, А х = 17+3 Гс, Н-центры в ЕЪС1 отжигаются при 40*55 К,.

— 2161.

9. Созданные Х-облучением при 20 К У^-центры в Ш>С1 в результате взаимодействия с мигрирующими 1-центрами отжигаются при 40+ 50 К. Это свидетельствует о значительном перекрытии температурных областей миграции заряженных и нейтральных анионных интер-стициалов в ШэС1.

10. В Х-облученных при 77 К кристаллах кс1-Ав и КС1-Ш1 методом ЭПР при 22 К зарегистрировано рождение Н-центров при рекомбинации освобождаемых фотонами с Ае° и Т1° центров электронов с ав-толокализованными дырками. Эффективность этого процесса в 0,5%. Отжиг Н-центров, возникающих при рекомбинации электронов с У^-центрами, характерен для Р, Н-пар с меньшим междефектным расстоянием чем для Р, Н-пар, созданных Х-облучением при 20 К.

11. Для кристаллов КС1-Ф1 при фотосоздании околоталлиевых (7,3+ +7,6 эВ) электронных возбуждений молекулярного типа с локальными колебаниями при 4,2 К обнаружено рождение стабильных анионных дефектов: 3?, Ни ос, 1-пар. При фотосоздании таллиевых электронных возбуждений (5+7 эВ) ионного типа без локальных колеба.

— ний рождения Р, Нили ос, 1-пар не обнаружено.

12. Резкие различия вероятности распада на дефекты электронных возбуждений, для которых характерно наличие локальных колебаний, и электронных возбуждений без локальных колебаний могут быть объяснены с привлечением идеи о важной роли долгбживущего запаса колебательной энергии на локальных модах для атермического разделения первичных дефектов и образования стабильных Р, Н-пар.

Полученные нами основные результаты опубликованы в 10 работах [31−401, а также доложены на многих конференциях, совещаниях и с еминарах (см.

введение

).

В заключение принощу глубокую и искреннюю благодарность моему научному руководителю члецу-корреспонденту АН ЭССР, профессору Чеславу Брониславовичу Лущику и доценту, руководителю группы спектроскопии ЭПР, кандидату физико-математических наук Юло Халдре за предложение темы и предоставленную возможность пользоваться экспериментальной аппаратурой в Институте Физики АН ЭССР и на кафедре экспериментальной физики ТГУ, за повседневную поддержку, постоянное внимание и многочисленные плодотворные обсуждения полученных результатов.

Искренне благодарен А. Ч. Лущику за постоянный интерес к работе, за помощь в проведении некоторых экспериментов и за полезное обсуждение проблем, затроцутых в диссертации.

Благодарю сотрудников сектора ИФ АН ХСР Н. Е. Лущйк, Е.А.Ва-сильченко, Х. А. Соовик, А. Эланго и А. Акилбекова за помощь в проведении некоторых оптических экспериментов и за полезные советы и дискуссии, а также сотрудников кафедры экспериментальной физики ТГУ проф. К.-С, К, Ребане, проф, Л, ГЬгнга, доцента А. Отса, Т. Лехто, В. Сеемана и К, Таркпеа за помощь в подготовке ЭПР-экспе-риментов и за многочисленные обсуждения полученных результатов,.

Я весьма признателен также Р. И. Гиндиной, А. А. Маароосу, Л. А. Пярсимяги и О. А. Фёдоровой за предоставление выращенных ими высококачественных кристаллов, используемых в настоящей работе.

9″ Заключение.

В настоящей работе реализована методика низкотемпературного (до 15 К) облучения кристаллов для ЭПР-измерений. Методом ЭПР и оптическими методами в области температур 15*100 К осуществлено комплексное исследование процессов радиационного создания, а также фотои термосттодглированного преобразования анионных дефектов Френкеля в кристаллах KCl и RbCl высокой чистоты, а также в легированных кристаллах KCl-Rt>, KCl-Ag и КС1-Ф1, Получены следующие основные результаты:

1, В Х-облученных при 20 К кристаллах KCl высокой чистоты ЭПР-сигнал Н-центров (междоузельных атомов галоида) при отжиге увеличивается в области 36−43 К, Комплексное исследование ЭПР и оптических характеристик показало, что этот эффект связан с прыжковой диффузией междоузельных ионов галоида и их рекомбинацией с автолокализованными дырками.

2, При Х-облучении кристаллов KCl при 20 К возникают тройки дефектов F, I, VK, в которых среднее расстояние между Fи 1-цент-рами значительно меньше чем среднее расстояние между Iи Vg-центрами. F, I, Vg-тройки в основном возникают в результате взаимодействия с первично рожденнымиF, Н-парами электронов (они захватываются Н-центрами) и дырок (они автолокализуются),.

3. Исследование влияния низкотемпературных F-подсветок на Х-об-лученные при 20 К кристаллы KCl позволило выделить малоразделен-ные, полностью отжигаемые при 35−40 К Fи Н-центры (~ 30%), которые туннельно перезаряжаются при возбуждении Р-центров. На остальные стабильные Р, Н-пары (70%) F-подсветка не влияет.

4. Цутем фоторазрушения при 20 К комплексов «Н-центр+дефект» .

— 215 получены Н-центры, отжиг которых в зависимости от концентрации ловушек для Н-центров в кристалле, происходит в области 34+55 К и характеризует прыжковую миграцию Н-центров к ловушкам,.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж., Винйард Дж. Радиационные эффекты в твердых телах. -Москва: ИЛ, 1.60, 243 стр.
  2. М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. -Москва: Мир, 1971, 367 стр.
  3. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Москва: Наука, 1981, 368 стр.
  4. В.Л., Холодарь Г. А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова Думка, 1979, 335 стр.
  5. Schulman J.H., Comton W.D. Color Centers in Solids. -New York: Pergamon, 1963, 368 p.
  6. Sonder E., Sibley W.A. Defect creation by radiation in polar crystals. In: Point Defects in Solids. Ed. by Crawford J.H., Slifkin L.M. New York, London: Plenum, 1972, v.1, pp.201−290.
  7. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Экситонный механизм создания F-центров в бездефектных участках ионных кристаллов. -ФТТ, 1968, т.10, с.2753−2759.
  8. Ч.Б. Элементарные механизмы создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. Труды Инст. физики и астр. АН ЭССР (далее Труды ИФА АН ЭССР), 1972, № 39, с.81−99.
  9. Ч.Б., Витол И. К., Эланго М. А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах. УФН, 1977, т.122, с.223−251.
  10. Itoh N. Creation of lattice defects by electronic excitation in alkali halides. Advances in Physics, 1982, v.31, No. 5, pp.491−551.
  11. Toyozawa Y. A proposed model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. J.Phys. Soc. Japan, 1978, v.44, pp.482−488.
  12. Castner T.G., Kanzig W. The electronic structure of V-cen-ters. J.Phys. Chem. Solids, 1957, v.3, pp.178−195.
  13. Kanzig W., Woodruff T.O. The electronic structure of an H-center. J.Phys. Chem. Solids, 1958, v.9, pp.70−92.
  14. Schoemaker D. g-and hyperfine components of V -centers. -Phys. Rev. B, 1973, v.7, pp.786−801.
  15. Schoemaker D. Interstitial centers: optical absorption and magnetic resonance. In: Defects and their structure in non-metallic solids. Ed. by. Henderson B. and Hughes A. New York, London: Plenum, 1976, pp.173−202.
  16. Delbecq C.J., Kolopus J.L., Yasaitis E.L., Yuster P.H. Correlation of the optical and electron-spin-resonance absorptions of the H-center in KCl. Phys. Rev., 1967, v.154, pp.866−871.
  17. Delbecq C.J., Hutchinson E., Schoemaker D., Yasaitis E.L., Yuster P.H. ESR and optical absorption study of the V^ center in KClsNaCl. Phys. Rev., 1969, v.187, pp.1103−1119.
  18. Hayes W., Hodby J.W. An investigation of X-irradiated KC1: H and NaCl: H. Proc. Roy. Soc. London, 1966, v.294, pp.359−375.
  19. Keller F.J., Patten F.W. ESR observation of Frenkel defect production by post-irradiation electron-hole recombination in KCl. Sol. St.Comm., 1969, v.7, pp.1603−1607.
  20. JI.А., Халдре Ю. Ю. Температурная стабильность автолока-лизованных дырок в некоторых щелочногалоидных монокристаллах. Изв. АН СССР, сер. физ., 1966, № 30, с.1446−1447.
  21. Л.А., Халдре Ю. Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции. Труды ИФА АН ЭССР, 1970, № 38, с.50−84.
  22. Л.А. Исследование автолокализации и движения дырок в ионных кристаллах методом термоактивационной радиоспектроскопии. Докторская диссертация. Тарту, 1978.
  23. Л.А. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в щелочногалоидных кристаллах. Труды Инст. физики АН ЭССР (далее Труды ИФ АН ЭССР), 1979, № 50, с.7−34.
  24. Itoh N. Interstitial and trapped hole centers in alkali halides. Crystal Lattice Defects, 1972, v.3, pp.115−143.
  25. E.A., Лущик А. Ч., Лущик Ч. Б., Соовик Х. А., Тайиров М. М. Образование вакансий и интерстициалов в щелочногалоидных кристаллах при оптическом создании экситонов. ФТТ, 1981, т.23, с.481−487.
  26. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Соовик X.A., Тайиров М. М. ВУФ-спектроскопия экситонов и френкелевские дефекты в CsBr. Труды ИФ АН ЭССР, 1980, № 51, с.7−38.
  27. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Тайиров М. М. Экситонные и примесно-экситонные механизмы создания F, H-nap в щелочногалоидных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, 1983, № 54, с.5−37.
  28. А.Ч., Колк Ю. В., Халдре Ю. Ю. Рекомбинационныйи экситонный механизмы создания френкелевских дефектов в КС1 и КС1-Ад при 4,2 К. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, № 53, с.193−217.
  29. Ч.Б., Васильченко Е. А., Колк Ю. В., Лущик Н. Е. Создание и преобразование дефектов в КС1-Т1 при аннигиляции электронных возбуждений. Труды ИФ АН ЭССР, 1983, № 54, с.38−72.
  30. Lushchik Ch., Kolk J., Lushchik A., Lushchik N., Taijrov M., Vasilchenko E. Decay of excitons into long-lived F, H- anda, I-pairs in KC1. phys. stat. sol.(b), 1982, v.114, pp.103−111.
  31. Лущик 4., Васильченко E., Колк Ю., Лущик А., Лущик Н., Тайиров М. Низкотемпературный распад электронных возбуждений с рождением пар Френкеля в щелочногалоидных кристаллах.
  32. V Всесоюзное совещание по рад. физ. и химии ионных кристаллов. Тезисы докладов. Рига, 1983, т.1, с.98−100.
  33. Ю.В. ЭПР исследование низкотемпературных процессов создания и преобразования Н-центров в КС1 и KC1-T1. V Всесоюзное совещание по рад. физ. и химии ионных кристаллов. Тезисы докладов. Рига, 1983, т.1, с.151−152.
  34. Ю.В. Радиационное создание, перезарядка и отжиг парамагнитных Н- и V -центров в КС1 и KCl-Rb при 20−100 К. ТрудыК
  35. ИФ АН ЭССР, 1984, № 55, с.106−143.
  36. Haldre и., Kolk J., Lushchik A., Lushchik Ch. Creation of F, H and a, I pairs in KC1 and RbCl crystals by X-rays or VUV irradiation. Int. Conf. Defects in Insulating Crystals, Salt Lake City, USA, 1984, pp.91−92.
  37. Ю.В., Лущик А. Ч., Халдре Ю. Ю. Низкотемпературное рождение F, H-nap в кристаллах КС1-Ад, облученных рентгеновской радиацией. IV Всесоюзный симпозиум «Люмин. приемники и преобразователи рентген, излуч.». Тезисы докладов. Иркутск, 1982, с. 116.
  38. Н., Генри Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. -Москва: ИЛ., 1950.
  39. Seitz F. Color centers in alkali halide crystals. Rev. Mod. Phys., 1954, v.26, pp.7−94.
  40. Schulze P.D., Hardy J.R. Schottky defects in alkali halides. -Phys. Rev. В, 1972, v.5, pp.3270−3275.
  41. Schulze P.D., Hardy J.R. Frenkel defects in alkali halides. -Phys. Rev. В, 1972, v.6, pp.1580−1584.
  42. Rowell D.K., Sangster M.J.L. Calculations of instrinsic defect energies in the alkali halides. J.Phys.C: Sol. St.Phys., 1981, v.14, pp.2909−2921.
  43. Knox R.S., Teegarden K.J. Electronic excitation of perfect alkali halide crystals. In: Physics of Color Cenzers. Ed. by W.B.Fowler. New York, London: Academic, 1968, pp.5−51.
  44. Э.Д., Чернов С. А., Лусис Д. Ю. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979, 251 стр.
  45. Varley J.H.O. A new interpretation of irradiation-induced phenomena in alkali halides. J. Nuclear Energy, 1954, v.1, pp. 130−1 43.
  46. Markham J.J. F-centers in alkali halides. New York, London: Academic, 1966, 400 p.
  47. Point defects in solids. Ed. by Crawford J.H. and Slifkin L.M. New York, London: Plenum, 1972, v.1, 556 p.
  48. Swank R.K., Brown F.C. Lifetime of the excited F-center. -Phys. Rev., 1963, v.130, pp.34−41.
  49. Delbecq C.J., Pringsheim P., Yuster P. A new type of short wavelenght absorption band in alkali halides containing color centers. J.Chem. Phys., 1951, v.19, pp.574−577.
  50. Onaka R., Fujita I., Fukuda A. a-centers in alkali halide crystals. J.Phys. Soc. Japan, 1963, v.18, supp. II, pp. 263−267.
  51. Klick C.C., Patterson D.A. Low-temperature coloration in KCl and KBr near the fundamental edge. Phys. Rev., 1963, v.130, pp.21 69−2176.
  52. Kanzig W. Paramagnetic resonance of the antimorph of the F-center. J.Phys. Chem. Sol., 1960, v.17, pp.80−87.
  53. Duering W.H., Markham J, J. Color centers in alkali halides at 5° K. Phys. Rev., 1952, v.88, pp.1043−1049.
  54. Compton W., Klick C. Symmetry at the H-center in KCl and KBr. Phys. Rev., 1958, v.110, pp.349−353.
  55. Kurz G., Gebhardt W. Optical absorption of interstitial ions in KBr crystals at helium temperatures. phys. stat. sol., 1964, v.7, pp.351−355.
  56. Behr A., Peisl H., Waidelich W. Thermal annealing of low temperature. X-irradiated KCl. Phys. Lett., 1967, V.24A, pp.379−380.
  57. Behr A., Peisl H., Waidelich W. Production and thermal annealing of lattice defects in KCl. J. Physique, 1967, v.28, P. C4−163 4- C4−167.
  58. Ч.Б., Гиндина P.И., Маароос A.A., Плоом Л. А., Лущик А. Ч., Пунг Л. А., Пыллусаар Ю. В., Соовик X.A. Радиационное создание катионных дефектов в кристаллах KCl. ФТТ, 1977, т.19, с.3625−3630.
  59. Stott J.P., Crawford J.H. Dipolar complexes in KCl resulting from 1.5 MeV-electron bombardment. Phys. Rev. B, 1972, v.6, pp.4660−4666.
  60. Catlow C.R.A., Diller K.M., Hobbs L.W. Irradiation-induced defects in alkali halide crystals. Phil. Mag., 1980, v.42, No. 2, pp.123−150.
  61. А.Ч. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах CsBr, RbBr и KCl. Кандидатская диссертация, Тарту, 1979.
  62. К.Ш., Гиндина Р. И., Плоом JI.A. Создание и разрушение С^-центров и катионные дефектв в кристаллах KCl-Na. -Труды ИФ АН ЭССР, 1981, № 52, с.101−120.
  63. Т.Н. Структура и механизмы образования центров окраски, возникающих в КВг в результате ассоциации Н-цент-ров. Кандидатская диссертация. Тарту, 1978.
  64. Akilbekov A., Elango A. Low-temperature pair associates of H-centers in KBr. phys. stat. sol.(b), 1984, v.122, pp. 715−723.
  65. JI.Г., Миллере Д. К. Термически стимулированная рекомбинация радиационных дефектов щелочногалоидных кристаллов. В сб.: Термоактивационная спектроскопия дефектов в ионных кристаллах. Рига: Латв. ГУ, 1983.
  66. Eby J.E., Teegarden K.J., Dulton D.B. Ultraviolet absorption of alkali halides. Phys. Rev., 1959, v.116, pp.1099−1105.
  67. Teegarden K., Baldini G. Optical absorption spectra of the alkali halides at 10 K. Phys. Rev., 1967, v.155, pp.896−907.
  68. Baldini G., Bossachi B. Optical properties of alkali halide crystals. Phys. Rev., 2968, v.166, pp.863−870.
  69. Kabler M.N. Low-temperature recombination luminescence in alkali halide crystals. Phys. Rev. A, 1964, v.136, pp. 1296−1302.
  70. Ikezawa M., Kojima T. Luminescence of alkali halide crystals induced by UV-light at low temperature. J.Phys. Soc. Japan, 1969, v.27, pp.1551−1563.
  71. Pooley D., Runciman W.A. Recombination luminescence in alkali halides. J.Phys.C: Solid St. Phys., 1970, v.3, pp.1815−1824.
  72. Lushchik Ch., Kuusmann I., Plekhanov V. Luminescence of free and self-trapped excitons in ionic crystals. J. Luminescence, 1979, v.18/19, pp.11−18.
  73. Lushchik Ch. Free and self-trapped excitons in alkali halides. Spectrum and dynamic. In: Excitons in Solids. Ed. by E. Rashba and I.Sturge. Amsterdam: North-Holland, 1982, pp.507−541.
  74. Poole R.T., Jenkin J.G., Liesegang J., Leckey R.C.G. Electronic band structure of the alkali halides. I. Experimental parameters. Phys. Rev. В, 1975, v.11, pp.5179−5189.
  75. Poole R.T., Liesegang J., Leckey R.C.G., Jenkin J.G. Electronic band structure of the alkali halides. II. Critical survey of theoretical calculations. Phys. Rev. B, 1975, v.11, pp.5190−5195.
  76. Tomiki T. Optical constants and exciton states in KC1 single crystals. I. The low temperature properties. J.Phys. Soc. Japan, 1967, v.22, pp.463−487.
  77. В.В. Коротковолновая люминесценция ионных кристаллов, возбуждаемая сильноточным пучком электронов наносекундной длительности. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, № 53, с.122−145.
  78. И.Л., Либлик П. Х., Лущик Ч. Б. Краевая люминесценция экситонов в ионных кристаллах. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.21, с.161−163.
  79. М.А. Механизм создания радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах и его значение для радиационной физики твердого тела. Труды ИФ АН ЭССР, 1975, № 43, с.63−78.
  80. Kabler M.N., Williams R.T. Vacancy-interstitial pair production via electron hole recombination in halide crystals. -Phys. Rev. B, 1978, v.18, p.1948−1960.
  81. Г. К., Гиндина Р. И., Лущик Ч. Б., Эланго A.A. Электронные процессы в нитевидных ионных кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1964, № 30, с.3−15.
  82. П.Е., Мелик-Гайказян И.Я., Захаров В. Ф. Ионная проводимость нитевидных щелочногалоидных кристаллов. Изв. вузов. Физика, 1973, № 9, с.126−128.
  83. Саар А.М.-Э., Эланго М. А. Создание центров окраски в кристаллах KCl ультрамягкими рентгеновскими лучами. ФТТ, 1970, т. 12, с.2993−2996.
  84. Smakula А. uber die Verfarbung der Alkalihalogenidkristalle durch Ultraviolettes Licht. Zs. Phys., 1930, B.63, s.762−770.
  85. Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочногалоидных кристаллофосфорах. Труды ИФА АН ЭССР, 1955, № 3, с.3−227 .
  86. Luscik C.B., Liidja G.G., Jaek I.V. The mechanism of formation of color centers in ionic crystals by ultraviolet irradiation. Proc. Intern. Conf. on Semicond. Phys. Pragua, 1960, pp.717 721 .
  87. Е.А., Лущик А. Ч., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б. Распад экситонов на дефекты в кристаллах RbBr. ФТТ, 1980, т.22, с.1156−1160.
  88. Э.С., Лущик Ч. Б. Распад экситонов на F- и Н-центры в кристаллах КВг. ФТТ, 1969, т.11, с.3270−3275.
  89. В.В., Кяэмбре Х. Ф., Лущик Ч. Б., Тийслер Э. С. Экситон-ные и электронно-дырочные процессы в кристаллах КС1 при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией. ФТТ, 1970, т.12, с.2888−2894.
  90. И.К. Современные представления о механизме рекомбина-ционной люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров. -Изв. АН СССР, сер. физ., 1966, т.30, с.564−569.
  91. Ч.Б., Вале Г. К., Эланго М. А. Электронные возбуждения ионных кристаллов и элементарные механизмы создания центров окраски. Изв. АН СССР, сер. физ., 1967, т.31, с.820−828.
  92. Hersh H.N. Proposed excitonic mechanism of color center formation in alkali halides. Phys. Rev., 1966, v.148, pp.928 932.
  93. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron-hole recombination and a subsequent 110. replacement sequence: a discussion of the electron-hole recombination. Proc. Phys. Soc., 1966, v.87, pp.245−256.
  94. Anselm A.I., Lang I.G. Theory of excitonic mechanism of crystal defect formation. phys. stat. sol.(b), 1977, v.80,pp0 691−695.
  95. Hirai M., Kondo Y., Yoshinari Т., Ueta M. Color center formation and bleaching in KC1 and NaCl by electron pulse at
  96. K. J.Phys. Soc. Japan, 1971, v.30, pp.440−448.
  97. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient formations of color centers in KBr crystals under the pulsed electron beam. -J.Phys. Soc. Japan, 1972, v.33, pp.151−157.
  98. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center formation by the optical conversion in self-trapped excitons in KC1 crystal. -J.Phys. Soc. Japan, 1978, v.45, pp.936−943.
  99. Williams R.T., Bradford J.N., Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1 and NaBr. Phys. Rev. B, 1978, v.18, pp.7038−7057.
  100. Suzuki Y., Okumura M., Hirai M. Relaxation of 2p exciton and F-center formation in picosecond range in RbBr, Rbl and KBr. J.Phys. Soc. Japan, 1979, v.47, pp.184−192.
  101. Smoluchowski R., Lazareth O.W., Hatcher R.D., Diens G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. -Phys. Rev. Lett., 1971, v.27, pp.1288−1290.
  102. М.А. 06 энергетических аспектах нестабильности экситонов относительно распада на дефекты структуры в щелочногалоид-ных кристаллах. ФТТ, 1975, т.17, с.2356−2359.
  103. H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979, т.21, с.2054−2057.
  104. Ш. А., Джуманов С. Модель экситонного механизма образования дефектов в ионных кристаллах. Опт. и спектр., 1979, т.47, с.1018−1020.
  105. Kotomin Е., Shluger A. Quantum-chemical stimulation of Frenkel pairs separation in a LiF crystal. Sol. St.Comm., 1981, v.40, pp.669−672.
  106. Itoh N., Stoneham A.M., Harker A.M. Non-radiative de-excitation of highly-excited self-trapped excitons in alkali halides. Mechanism of the F and H centre production. J.Phys. Soc. Japan, 1980, v.49, pp.1364−1371.
  107. Ч.Б., Эланго M.A. Экситонный механизм создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Минск: Наука и техника, 1970, с.195−202.
  108. Saidoh М., Itoh N. H-center interactions during thermal annealing in KBr. J.Phys. Soc. Japan, 1973, v.34, pp.1165−1171.
  109. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides. Phys. Rev. Lett., 1976, v.36,pp.529−532.
  110. Э.Р., Лийдья Г. Г., Лущик Ч. Б. Фотонное умножение в кристаллах. II. Опт. и спектр., 1965, т.18, с.631−637 .
  111. Г. К. О механизмах окрашивания кристаллов KCl-Ag рентгеновскими лучами. Труды ИФА АН ЭССР, 1964, № 28, с.93−109.
  112. Hall T., Hughes A., Pooley D. Optical studies of color centers formed in KC1 by electron-hole recombination. J.Phys.С: Sol. St. Phys., 1976, v.9, pp.439−444.
  113. Schrey P., Balzer R., Peisl H. Release of stored energy of X-irradiated KC1 and CsBr. phys. stat. sol.(b), 1978, v.85, pp.553−559.
  114. И.К. Исследование дырочно-ионных процессов в щелочногалоидных кристаллах. Кандидатская диссертация. Рига, Латв. ГУ, 1969.
  115. B.M., Забродский Ю. Р. Зона неустойчивости вакансия-атом в междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, с.3480−3483- Неустойчивые пары — новый тип точечных дефектов в твердых телах. -ДАН СССР, 1976, т.227, с.1323−1326.
  116. Д.К., Тале И. А., Котомин Е. А. Единый подход к описанию процессов накопления и отжига радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. Ученые записки Латв. университета, 1975, т.245, с.24−72.
  117. В.М. О смещении краудиона при захвате электрона Н-центром. Деп. в ВИНИТИ, № 4280−77, 8 с. Анн. Изв. вузов, Физика, 1977, № 2, с. 158.
  118. B.M., Сигимов В. И., Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в
  119. KI. ФТТ, 1982, т.24, с.2747−2752.
  120. Е.А., Тайиров М. М. Низкотемпературнаый распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в КС1, KCl-Br и KC1-I. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, № 53, с.172−192.
  121. М.М. Низкотемпературный распад экситонов и рождением дефектов в КВг и КВг-С1. ФТТ, 1983, т.25, с.450−455.
  122. М.М. Низкотемпературное создание ВУФ-радиацией пар дефектов Френкеля в КС1, КВг и CsBr. Кандидатская диссертация. Тарту, Инст. физики АН ЭССР, 1983.
  123. Kabler M.N. Hole centers in halide crystals. In: Point defects in solids. Ed. by Crawford J.H. and Slifkin L.M. New York, London: Plenum, 1972, v.1, pp.327−380.
  124. Arends J., Dekker A.J. Paramagnetic resonance of F-centers in mixed KCl-RbCl crystals. phys. stat. sol., 1964, v.5, pp.265−272.
  125. Delbecq J., Smaller В., Yuster P.H. Optical absorption of CI2 molecule-ions in irradiated potassium chloride. Phys. Rev., 1958, v.111, pp.1235−1240.
  126. Keller F.J., Murray R.B., Abraham M.M., Weeks R.A. Preferential thermal reorientation of V^-centers in potassium chloride. Phys. Rev., 1967, v.154, pp.812−816.
  127. Gilbert T.L., Wahl A.C. Single configurations and potential2+ 2+ 2+ —curves for low-lying states of He, Ne, Ar / F2' C2 anc^ the ground state of Cl2. J.Chem. Phys., 1971, v.55, pp.52 475 261 .
  128. Lagendijk A., Shoemaker D. Forced gauge invariance of the spin Hamiltonian for homonuclear diatomic centers. Phys. Rev. B, 1975, v.11, pp.4030−4032.
  129. Chu H.Y., Mieher R.L. ENDOR study of a <111> interstitial defect in LiF. Phys. Rev., 1969, v.188, No. 3, pp.1311−1319.
  130. Bachmann K., Kanzig W. Paraelastiche Defectelektronen-Zentren in Alkalihaligeniden. Phys. Kond. Materie, 1968, v.7, pp. 284−317.
  131. Schoemaker D., Yasaitis L.E. Reorientation motions of the HA (Li+) center in KCl: Li+. Phys. Rev. B, 1972, v.5, pp.49 704 986.
  132. Diens G.J., Hatcher R.D., Smoluchowski R. Structure and stability of H-centers. Phys. Rev., 1967, v.157, pp.692−700.
  133. Schoemaker D. Games people play with interstitials (in alkali halides). J. Physique, 1976, coll. c7, supp. No. 12, t.37, pp. C7−63 4- C7−71 .
  134. Schoemaker D. Electron paramagnetic resonance study at the+structure and motions of H^ and H^i centers in Na and Li doped KC1. Phys. Rev. B, 1970, v.3, pp.3516−3531 .
  135. Schoemaker D., Lagendijk A. ESR and uniaxial stress study of a freely librating elastic dipole. Phys. Rev. B, 1977, v.15, pp.115−129.
  136. Patten F.W., Keller ¦w.J. EPR-identification of the structure of the V. j color center in KC1. Phys. Rev., 1 969, v. 187, pp.1120−1127.
  137. Watterich A., Gees M., Voszka R. ESR studies of V-center in NaCl (Ca++) crystals. phys. stat. sol., 1969, v.31, pp.571 577.
  138. Voszka R., Horvath T., Watterich A. A possible model for V-centers at room temperature in X-irradiated KC1(Ca) crystals. phys. stat. sol., 1967, v.23, pp. K71-K73.
  139. Dakks M.L., Mieher R.L. ENDOR study of the H-center in LiF. Phys. Rev., 1969, v.187, pp.1053−1061.
  140. Plant W.J., Mieher R.L. Electron-spin-resonance study ofthe HA (Li+) center in NaF. Phys. Rev. B, 1973, v.7, pp.47 934 809.
  141. Plant W.J. ESR study of a di-interstitial center in electron irradiated NaF: Li. Sol.St. Comm., 1972, v.11, pp.1219−1222.
  142. Schoemaker D., Waldner F. The IOH-center in KC1. Helv. Phys. Acta, 1971, v.44, p.560.
  143. Dreybrodt W. Temperature dependence of hyperfine structure tensors of diatomic halogen centers in alkali halide crystals.-phys. stat. sol., 1967, v.24, pp.99−112.
  144. D. <111>-oriented FC1~, FBr" and FI~ centers in mixed alkali halides. Phys. Rev., 1966, v.149, pp.693−704.
  145. Katsuyama T., Wakita S., Hirai M. the complex H-center in KCl-I-crystals. J.Phys. Soc. Japan, 1974, v.36, pp.1058−1064.
  146. Schoemaker D., Lagendijk A. Interstitial and di-interstitial BrCl" in KC1. Phys. Rev. B, 1977, v.15, pp.5927−5937.
  147. Schoemaker D., Shirkey C.T. Structure and motions of the HA (Li+)-type BrCl" and ICl" centers in doped KC1. Phys. Rev. B, 1972, v.6, pp.1562−1572.
  148. Puymbroeck W., Schrijvers N., Bouwen A., Schoemaker D. Electron spin resonance study of type BrCl defects in KC1 doped with divalent cation impurities. phys. stat. sol.(b), 1982, v•11, pp.725−733.
  149. Goovaerts E., Nistor S.V., Schoemaker D. Electron spin reso1nance of a complex Pb (6p) defect in alkali halides. Phys. Rev. B, 1983, v.28, pp.371 2−3717.
  150. Kawano K., Nakata R., Sumita M., Higuchi E. EPR of off-center2+
  151. Eu ions with resolved structures in RbCl. J.Phys. Soc. Japan, 1976, v.41, pp.72−78.
  152. Reuter G., Schwan J., Spaeth J.M. ESR detection of the H-centre generation by photodestruction U^ centres in KC1. -phys. stat. sol.(b), 1972, v.53, pp. K29-K31.
  153. Feldman D.W., Warren R.W., Castle J.G. Spin-lattice relaxation of F-centers in KC1: isolated F-centers. Phys. Rev., 1964, v.135, pp. A470-A479.
  154. Warren R.W., Feldman D.W., Castle J.G. Spin lattice relaxation of F centers in KC1: interacting F-centers. Phys. Rev., 1964, v.136, pp.1347−1358.
  155. Ч.Б., Заитов Ф. Н. 0 кинетике релаксационных процессовв кристаллофосфорах. Труды ИФА АН ЭССР, 1958, № 7, с.276−310.
  156. Ч.Б., Заитов ф.н. Релаксационные процессы в фосфорах со сложным спектром уровней захвата. Труды ИФА АН ЭССР, 1956, № 4, с.53−80.
  157. Chen R. Methods for kinetic analysis of thermally stimulated processes. J. Materials Sci., 1976, v.11, pp.1521−1541.
  158. Chen R. Om the calculation of activation energies and frequency factors from glow curves. J.Appl. Phys., 1969, v.40, pp.570−585.
  159. E. 100 kHz modulatsiooniga elektronide paramagnetilise resonantsi spektromeeter. Diplomitoo. Tartu, TRU, 1975.
  160. И.А. Модуляционная термоактивационная спектроскопия электронно-ионных процессов в широкощелевых твердых телах. -Докторская диссертация, Рига, 1982.
  161. JI.A. Методика получения и радиационные дефекты кристалб —8лов КС1 с содержанием примесей 10 -10 . Кандидатская диссертация, Тарту, 1977.
  162. Physics of color centers. Ed. by Fowler W.B. New York, London: Academic, 1968, 655 p.
  163. Wyard S.J. Double integration of electron spin resonance spectra. J.Sci. Instr., 1965, v.42, pp.769−770.
  164. B.M. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Докторская диссертация, Томск, 1979.
  165. Ziraps V. Ionic and electronic processes during Frenkel defect annealing in KBr crystals above LHeT. phys. stat. sol. (b), 1983, v.119, pp.49−59.
  166. Itoh N., Royce B.S.H. Complementary centers in alkali hali-des. J.Phys. Chem. Solids, 1966, v.27, pp.1366−1368.
  167. Srinivasan T.M., Compton W.D. X-ray generation of color centers in zone refined KC1 and KBr. Phys. Rev., 1965, v.137, pp. A264-A272.
  168. Purdy A.E., Murray R.B. Studies of intrinsic luminescence in KC1. Sol. St.Comm., 1975, v.16, pp.1293−1296.
  169. Purdy A.E., Murray R.B., Song K.S., Stoneham A.M. Studies of self-trapped exciton luminescence in КС1, — Phys. Rev. B, 1977, v.15, pp.2170−2176. .
  170. Morato S.P., Liity F. Photochemistry and reactions of OH defects and F centers in alkali halides. J.Phys. Chem. Sol., 1980, v.41, pp.1181−1186.
  171. Morato S.P., Liity F. Hydrogen defects from UV photodissociation of OH centers in alkali halides. Phys. Rev. B, 1980, v.22, pp.4980−4991.2Q3. Lushchik Ch. Survey of luminescence in alkali halide crystals. J. Luminescence, 1970, v.½, pp.594−609.
  172. В.В. Связь полуширины пика термостимулированной люминесценции с энергией активации, светосуммой и скоростью нагрева в случае мономолекулярной кинетики. Труды ИФ АН ЭССР, 1981, № 52, с.169−175.
  173. Bachmann К., Peisl H. Elastic distortions and interactions of point defects in KBr. J.Phys. Chem. Sol., 1970, v.31, pp.1525−1529.
  174. Itoh N., Royce B.S.H., Smoluchowski R. Recombination of vacancies and interstitials in KBr at low temperatures. -Phys. Rev., 1965, v.137, pp. A1010-A1015.
  175. Fuller R.G., Williams R.T., Kabler M.N. Transient optical absorption by self-trapped excitons in alkali halide crystals. Phys. Rev. Lett., 1970, v.25, pp.446−449.
  176. Hughes A.E., Pooley D., Rahman H.U., Runciman W.A. A survey of radiation damage and related phenomena in the alkali halides. UK Atomic Energy Research Establishment Report, Harwell, Berkshire, 1967, 27 p.
  177. Бадалян А. ГБаранов П.Г. ЭПР анизотропных центров водородав щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1980, т.22, с.2917−2922.
  178. А.Г., Баранов П. Г. Нецентральные ян-теллеровские1. Я 7 Я Чионы о" в кристаллах RbCl и RbCl. ФТТ, 1980, т.22,с.3448−3451.
  179. Hoentzsch Ch., Spaeth J.M. Dynamical superhyperfine interaction of atomic hydrogen in KC1 and RbCl. phys. stat. sol. (b), 1979, v.94, pp.497−503.
  180. Spaeth J.M., Seidel H. ESR and ENDOR investigation of interstitial hydrogen atoms in alkali halides. phys. stat. sol. (b), 1971, v.46, pp.323−336.
  181. Nakamura Y., Iwasaki T., Wakabayashi H. Electron spin reso153 2+ 151 2+ nance of Eu and Eu in RbCl. J.Phys. Soc. Japan, 1979, v.47, pp.1231−1237.
  182. Seidel H., Wolf H.C. ESR- und ENDOR-Spektren von F-Zentren in RbCl und RbBr. Z.PhyS., 1963, v.173, pp.455−461.
  183. Spaeth J.M. Atomic hydrogen as a model defect in alkali halides. In: Defects in Insulating Crystals. Ed. by Tuchke-vich V.M. and Shvarts K.K. Riga: Zinatne and Berlin: Springer, 1981, pp.232−252.
  184. Badalyan A.G., Baranov P.G. EPR of hydrogen and deuterium atoms in alkali halide crystals. phys. stat. sol.(b), 1980, v.97, pp.95−99.
  185. Lehnert G., Spaeth J.M. ENDOR measurements of interstitial hydrogen atoms in RbCl (t^-centers). phys. stat. sol., 1969, v.31, pp.703−712.
  186. Still P.В., Pooley D. F-center production in mixed alkali halide crystals as evidence for the importance of a replacement collision sequence in F-centre production. phys. stat. sol., 1969, v.32, pp. K147-K149.
  187. Tanimura К. The H-center interaction with a Rb+ ion during irradiation and thermal annealing in KBr. J.Phys. Chem. Sol., 1978, v.39, pp.735−741.
  188. Ч. Введение в физику твердого тела. Москва: Наука, 1978, 792 с.
  189. Diens G.J., Hatcher R.D., Smoluchowski R. Structure and stability of H'-centers. J.Phys. Chem. Sol., 1970, v.31, pp.701 705.
  190. А.Ч. Фотодиссоциация, оптическая анизотропия и механизмы создания С^-центров в кристаллах КС1 и KCl-ISK^. -Труды ИФ АН ЭССР, 1977, № 49, с.25−44.
  191. Lushchik A. Optical investigation of cation defects in irradiated RbBr. Изв. АН Эст. ССР, Физ. Матем., 1980, т.29/2, с.173−180.
  192. Itoh N., Saidoh М. Radiation-induced interstitial centers in alkali halides. phys. stat. sol., 1969, v.33, pp.649−656.
  193. Catlow C.R.A., Diller A.N., Walker J.R. Theoretical studies of defects in insulators. In: Defects in Insul. Cryst. -Riga: Zinatne and Berlin: Springer, 1981, pp.163−185.
  194. Ч.Б., Гиндина P.И., Пунг Л. А., Тийслер Э. С., Эланго А. А., Яансон Н. А. Радиационное создание катионных вакансий в нитевидных кристаллах AIBVI1. Изв. АН СССР, сер. физ., 1974, т.38, с.1219−1222.
  195. Jarvinen М., Inkinen О. An X-ray diffraction study of RbCl. -phys. stat. sol., 1967, v.21, pp.127−135.
  196. Rabin H., Klick C. Formation of F-centers at low and room temperatures. Phys. Rev., 1960, v.117, pp.1005−1010.
  197. Crawford J.H., Sibley W.A., Sonder E. The influence of electron-trapping impurity on defect creation and bleaching in KC1 irradiated at 78 K. phys. stat. sol., 1967, v.23,pp.301−306.
  198. Lushchik Ch., Kolk J., Lushchik A., Lushchik N. Radiational creation of Frenkel defects in KC1-T1. phys. stat. sol.(a), 1 984, v. 86, pp.921−931 .
  199. Kondo Y., Hirai M. Color center formation in KCl: Ag crystals under X-raying near LHeT. J.Phys. Soc. Japan, 1971, v.30, p.1765.
  200. С.Г., Осминин B.C. Создание Н (А+)-центров при2+оптической делокализации дырок с, А -центром в КС1. ЖПС, 1975, т.33, с.90−96.
  201. Etzel Н., Schulman J. Silver-activated alkali halides. -J.Chem. Phys., 1954, v.22, pp.1549−1554.23 6. Гиндина P.И., Лущик Ч. Б. Влияние радиации на химию дефектов в фосфоре КС1-Ад. Труды ИФА АН ЭССР, 1961, № 15, с.81−102.
  202. Г. К. 0 механизме люминесценции КС1-Ад. Труды ИФА АН ЭССР, 1963, № 23, с.175−188.
  203. Т.А., Лущик Н. Е., Лущик Ч. Б. Спектры ионизации Ад± и Си±центров в кристаллах NaCl и КС1. Труды ИФА АН ЭССР, 1972, № 39, с.123−140.
  204. Delbecq С., Hayes W., O’Brien M., Yuster P. Paramagnetic resonance and optical absorption of trapped holes and electrons in irradiated KCl-Ag. Proc. Roy. Soc. Lond., 1963, V.271A, pp.243−267.
  205. Delbecq C., Dexter D., Yuster P. Tunneling recombinationо 2+luminescence between Ag and Ag in KCl: AgCl. Phys. Rev. B, 1978, v.17, pp.4765−4774.
  206. Delbecq C., Schoemaker D., Yuster P. EPR and optical absorption study of ClBr and associated centers in doped KC1 crystals. I. Phys. Rev. B, 1971, v.3, pp.473−487.
  207. Fussaenger K., Martienssen W., Biltz H. UV absorption of
  208. Ag doped alkali halide crystals. phys. stat. sol., 1965, v.12, pp.383−397.
  209. Ч.Б., Тийслер Э. С. Спектрофотометрическое исследование делокализации возбуждении в ионных кристаллах. Труды ИФА АН ЭССР, 1960, № 12, с.125−148.
  210. Окк М.Ф., Яэк И. В. Фотостимулированная рекомбинационная люминесценция активированных щелочногалоидных кристаллов. -Изв. АН СССР, сер. физ., 1965, т.29, с.46−49.
  211. Delbecq C.J., Ghosh А.К., Yuster P.H. Trapping and annihilation of electrons and positive holes in KC1-T1. Phys. Rev., 1966, v.151, pp.599−609.
  212. Zazubovich S., Osminin V. Hole mechanisms of H and F centre production in KCl crystals. phys. stat. sol.(b), 1976, v.78, pp.813−819.
  213. Dreybrodt W., Silber D. Electron spin resonance of T1 centers in KCl crystals. phys stat. sol., 1967, v.20, pp.337−346.2+ 2+
  214. П.Г., Храмцов В. А. ЭПР ионов Ga и Т1 в кристаллах KCl и NaCl. ФТТ, 1978, т.20, с.1870−1876.
  215. Goovaerts Е., Andrienssen J., Nistor N., Schoemaker D. Electron-spin-resonance study of Tl atom defects in KCl and relativistic many-body analysis of the hyperfine structure. Phys. Rev. В, 1981, v.24, pp.29−50.
  216. Delbecq C.J., Hutchinson E., Yuster P.H. Tl^ center in KClsTlCl. J.Phys. Soc. Japan, 1974, v.36, p.913.
  217. Tsuboi T. New trapped-electron and hole centers in X-rayed KCl: Tl+ crystals. Can. J.Phys., 1979, v.57, pp.1510−1515.
  218. Toyotomi Y., Onaka R. Trapped electron centers and trapped hole centers in heavily doped KC1: T1. I. Thermal glow study. J.Phys. Soc. Japan, 1979, v.46, pp.1861−1868.
  219. Toyotomi Y., Onaka R. Trapped electron centers and trapped hole centers in heavily doped KC1: T1. II. ESR study.
  220. J.Phys. Soc. Japan, 1979, v.46, pp.1869−1876.258.
  221. B.M., Малышев A.A., Нестерова С. Н., Чернов С"А., Яковлев В. Ю. Распад электронных возбуждений в кристаллах КС1:1 при импульсном возбуждении электронами. ФТТ, 1982, т.24, с.914−916.
  222. Ч.Б., Васильченко Е. А., Лущик А. Ч. Низкотемпературный распад экситонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. Вопр. ат. науки и техн. Сер. физ. рад. повр. и рад. материаловедение, 1981, вып.1(15), 1−91, с.17−27.
  223. Karasawa Т., Hirai М. F-center formation in КС1 and KBr crystals below 4.2 K. J.Phys. Soc. Japan, 1976, v.40, pp.769−775.
  224. Ч.Б., Гиндина P.И., Лущик H.E., Таийров М. М., Шункеев К. Ш. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCl-Na. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, № 53, с.146−171.
  225. Soda К., Itoh N. F-center formation at highly excited triplet states of self-trapped excitons in KC1. J.Phys. Soc. Japan, 1980, v.48, pp.1618−1624.
  226. Tanimura K., Itoh N. Selective nonradiative transitions at excited states of the self-trapped exciton in alkali halides. -J.Phys. Chem. Sol., 1984, v.45, pp.323−340.
  227. Itoh N. Degradation of low-energy electrons in alkali halides. phys. stat. sol., 1968, v.30, pp.199−207.
  228. Inohara K. D-bands in alkali halides containing impurity ions. Sci. Light (Tokyo), 1965, v.14, pp.92−142.
  229. В.И., Денкс В. П., Дудельзак А. Э. Термополевая ионази-ция электронных ловушек в люминесцирующих кристаллах КС1−1п, Na. ФТТ, 1973, т.15, с.2454−2459.
  230. Goovaerts Е., Schoemaker D. Inelastic light scattering of the Vj,-centers in the alkali halides. phys. stat. sol. (b), 1978, v.88, pp.615−621.
  231. Harding J.H. Vibrational model of the V^-centers in alkali halides. J.Phys.CsSol. St. Phys., 1980, v.13, pp.3505−3510.
  232. Hizhnyakov V., Plekhanov V., Shepelev V., Zavt G. Hot luminescence of self-trapped excitons in alkali halide crystals. -phys. stat. sol.(b), 1981, v.108, pp.531−540.
  233. Ч.Б., Лущик H.E., Шварц К. К. О модели центров люминесценции в щелочногалоидных кристаллофосфорах. II. Труды ИФА АН ЭССР, 1958, № 8, с.3−46.
  234. Г. С. Об искажении дефектами зонных колебаний кристалла. -ФТТ, 1963, т.5, с.1946−1957.
  235. Soules Т., Bateman R. A simulation of radiationless relaxation in phosphors., by molecular dynamics. J. Luminescence, 1981, v.24/25, pp.701−703.
  236. Г. С., Плеханов В. Г., Хижняков В. В., Шепелев В. В. Сверхбыстрая колебательная релаксация и горячая люминесценция Т1±центров в KI. Письма в ЖЭТФ, 1982, т.36, с.235−238.
  237. Rabin Н., Schulman J. Color centers in CsCl-type alkali halides. Phys. Rev., 1962, v.125, pp.1584−1596.
  238. Dolling G. Neutorn spectroscopy and lattice dynamics. In: Dynamical Properties of Solids. Ed. by Horton G. and Mara-dudin A. Amsterdam: North-Holland, 1974, v.1, pp.541−629.
  239. Т.Н., Гиндина P.И., Осминин B.C., Эланго A.A. Эффективность радиационного создания Х^-центров в щелочногалоидных кристаллах. Труды ИФ АН ЭССР, 1977, № 47,с.168−183 .
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!