Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Процессы переноса в реальных кристаллах во внешних полях

Диссертация: Процессы переноса в реальных кристаллах во внешних полях
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящая диссертация досЕящена теории процессов диффузионного переноса в кристаллах с дальнодействующими протяженными микродефектами во внешних электрическом и магнитном полях. Рассматриваются диффузионные процессы переноса носителей тока и атомные диффузионные процессы. Систематические исследования в этой области начаты в середине 60-х годов. Поэтому рассматриваемая область физики твердого тела… Читать ещё >

Процессы переноса в реальных кристаллах во внешних полях (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Предисловие
  • Глава I. Некоторые вопросы теории электропроводности неоднородных проводников
    • I. Постановка задачи об электропроводности кристалла с дефектами
    • 2. Элементарная теория галъваномагнитных эффектов в неоднородном проводнике
    • 3. Вклад включений и полостей в электропроводность

Дефекты кристаллического строения существенно влияют на многие физические свойства твердых тел. Например, такие физико-механические свойства, как пластичность, прочность и другие, во многом определяются дефектной структурой кристалла. Поэтому методы исследования дефектной структуры кристаллов и воздействия на нее занимают важное место в современной физике твердого тела. Огромную роль в реальных кристаллах, содержащих различные дефекты, играют явления переноса, в том числе диффузионные процессы. К диффузионным процессам следует относить не только диффузию носителей тока, собственных и примесных атомов (диффузия атомов может осуществляться при помощи различных механизмов), но и процессы, которые определяются или лимитируются диффузионными механизмами либо диффузией. К таким процессам относятся, например, диффузионное изменение размеров и формы протяженных дефектов, переползание дислокаций, полигонизашзя, отдых, рекристаллизация, фазовые превращения, осуществляемые путем диффузионных механизмов, мар-тенситные фазовые превращения, лимитируемые диффузионным пространственным перераспределением атомов компонент твердого раствора иди диффузионной релаксацией упругих напряжений, а также многие другие.

Дефекты, размер которых хотя бы в одном измерении значительно превосходит постоянную решетки — протяженные дефекты — также оказывают существенное влияние на многие физические свойства кристаллов. Среди этих дефектов заметное место занимают такие, размеры области действия которых во всех измерениях значительно превосходят длину свободного пробега носителей тока и другие микроскопические характеристики кристалла. В то же время, если хотя бы в одном измерении размер области действия протяженного дефекта меньше или порядка ряда микроскопических длин (радиуса экранирования Дебая-Гюккеля в полупроводнике, междолинной диффузионной длины в многодолинном полупроводнике, средней длины пробега избыточной вакансии и других), то такой дефект нельзя рассматривать как макроскопический. Его следует относить к протяженным микродефектам. При рассмотрении таких дефектов следует принимать во внимание ряд микроскопических характеристик, таких как неоднородный пространственный заряд, возникающий в области действия дефекта, микронеоднородность распределения вакансий в области действия дефекта, и другие. К протяженным микродефектам относятся дислокапии в полупроводниках с простой и сложной зонной структурой, неоднородно расположенные точечные дефекты и дислокации, атмосферы Коттрелла, неоднородность поверхностных слоев, скопления дислокаций, границы зерен и ячеек — по отношению к радиусу экранирования Дебая-Гюккеля и междолинной диффузионной длинемикропоры, дислокационные петли и дислокации в металлах — по отношению к средней длине пробега избыточной вакансии.

Первой работой, появившейся в мировой литературе по исследованию процессов диффузионного переноса в. кристаллах с протяженными микродефектами, является работа Ю. В. Корнюшина и С.И. Пека-ра /56/. В этой работе исследовано влияние краевых дислокаций на диффузионный перенос носителей тока в полупроводниках. В частности, показано что поле действия краевой дислокации на носитель тока в полупроводнике оказывается ограниченным радиусом экранирования Дебая-Гюккеля. Поэтому дислокацию в полупроводнике следует рассматривать как протяженный микродефект. В металле поле дислокации оказывается неэкранированным. Поэтому при исследовании электропроводности дислокацию в металле следует рассматривать как макродефект и пользоваться уравнениями макроскопической электродинамики, что и сделано в работе /113/.

Настоящая диссертация досЕящена теории процессов диффузионного переноса в кристаллах с дальнодействующими протяженными микродефектами во внешних электрическом и магнитном полях. Рассматриваются диффузионные процессы переноса носителей тока и атомные диффузионные процессы. Систематические исследования в этой области начаты в середине 60-х годов. Поэтому рассматриваемая область физики твердого тела сравнительно нова. Диссертация является первой попыткой систематического изложения основных результатов, полученных автором в этой области. Поэтому круг рассматриваемых здесь вопросов ограничен описанием простейших явлений переноса — диффузионного переноса носителей тока в реальных кристаллах, диффузии примесных атомов и диффузионных процессов, приводящих к изменению дефектной структуры кристалла. Описаны также некоторые конкретные приложения полученных автором общих теоретических результатов. Излагаемая теория применяется в различных областях физики твердого тела. Так, применение описанных методов и общих полученных автором результатов позволило найти некоторые новые зависимости в теории акустоэлектрических явлений, предсказать неизвестный ранее тип нелинейности вольт-амперных характеристик в неоднородных полупроводниках, еще раз подробно исследовать зависимость тензора эффективной электропроводности неоднородного полупроводника от магнитного поля, рассмотреть диффузионную кинетику некоторых протяженных микроцефектов (микропор, дислокационных петель) в условиях внешних полей.

В реальных кристаллах существует одна основная особенность явлений переноса носителей тока. При не очень низких температурах в реальных кристаллах движение носителей тока в поле дефектов носит характер диффузионного процесса, т. е. процесс электропроводности осуществляется путем диффузии носителей тока в кристаллах с дефектами во внешних полях. Таким образом, для определения эффективной электропроводности реального кристалла нужно решить задачу о диффузии носителей тока в кристалле с дефектами. При этом наличие дефектов сказывается на величине эффективной электропроводности. Измерение же эффективной электропроводности, как известно, может быть выполнено с большой точностью, поэтому оно является одним из наиболее чувствительных методов исследования дефектной структуры кристаллов.

Первые три главы диссертации посвящены построению последовательной теории переноса носителей тока в кристаллах с дефектами во внешних полях, позволяющей получать выражения для определения вклада различных дефектов в эффективную электропроводность твердого тела в широком интервале температур (кроме очень низких). Таким образом, эта часть работы посвящена развитию метода иослег дования дефектной структуры твердого тела путем измерения его электропроводности при комнатной и более высоких температурах, в частности при тех температурах, когда активно происходят процессы, приводящие к изменению дефектной структуры твердого тела.

Следует отметить, что теория электропроводности металлов и полупроводников с дефектами, обладающими дальнодействующими полями, пригодная в указанном широком интервале температур, систематически излагается впервые. Само собой разумеется, что результаты этой теории могут быть автоматически перенесены на вычисление эффективной теплопроводности, диэлектрической и магнитной проницаемости неоднородных сред (такое перенесение основано на формальном сходстве математических формулировок соответствующих задач).

Кроме того, внешние электрическое и магнитное поля, действующие на твердое тело, находящееся при достаточно высокой температуре, приводят к существенному изменению хода диффузионных процессов, что влечет за собой изменения эволюции дефектной структуры.

Четвертая и пятая главы диссертации посвящены исследованию процессов диффузии собственных и примесных атомов в кристаллах с дефектами, находящихся ео внешних электрическом и магнитном полях. Здесь рассматриваются особенности диффузионной кинетики протяженных микродефектов в условиях внешних полей. Эти вопросы также ранее систематически не излагались.

Итак, а. Етор диссертации единым образом, с единых позиций, на основе представлений, законов и уравнений диффузии рассмотрел основные процессы переноса в реальных кристаллах во внешних полях. Им введено представление о протяженных микродефектах и впервые систематически исследовано влияние протяженных микродефектов на основные процессы диффузионного переноса.

Наиболее важные результаты диссертационной работы приведены в главах 3−5 (глава I является обзорной, а глава 2 носит иллюстративный характер). Эти основные теоретические результаты по приоритету получения и опубликования принадлежат автору диссертации. Среди иллюстративных результатов, приведенных в главе 3, встречаются известные в мировой литературе до работ автора. В то время как все результаты, приведенные в главах 4 и 5 (как основные, так и иллюстративные) по приоритету получения и опубликования принадлежат автору диссертации.

В диссертации защищается: I. Теория электропроводности кристаллов, осуществляемой путем диффузии носителей тока в цалънодействуюпшх полях протяженных микродефектов для точно решаемых моделей неоднородности электропроводности, дляголупрово. дников с зонной структурой типа кремния и для случая переменного внешнего электрического поля.

2. Теоретические основы метода исследования дефектной структуры кристаллов, пригодного в широком интервале температур для кристаллов с протяженными микродефектами, характеризующимися дальнодействующими полями, основанного на измерении электропроводности.

3. Существенное влияние внешних электрического и магнитного полей на знак и величину скорости диффузионного изменения размеров протяженных микродефектов, на распределение их по размерам в формирующемся в изотермических условиях ансамбле, в частности, уменьшение магнитной энергии о дно, доменного ферромагнетика сферической формы конечного объема при зарождении и росте в нем поры равновесной формы и обусловленный этим самопроизвольный рост крупных пор в ферромагнетике.

Эти выводы сравниваются с экспериментальными данными. Получено удовлетворительное согласие теоретических и экспериментальных результатов.

8. Выведены основные уравнения теории диффузионного течения ферромагнетиков. Учтена релаксация решетки при образовании вакансии.

9. Исследовано поведение изолированной поры в однодоменном ферромагнетике. Показано, что пора в частично-равновесном состоянии вытягивается вдоль магнитного момента, причем тем сильнее, чем больше ее объем. Рассчитано равновесное отношение осей поры произвольного объема.

10. Для таких материалов, как тонкие пленки и спеченные материалы, где пористость превышает I %, вклад квазиравновесных вытянутых пор, например, в (наведенную) анизотропию является определяющим .

11. Показано, что магнитная энергия однодоменного ферромагнитного образца конечного объема уменьшается при зарождении и росте в нем поры равновесной формы. Отсюда следует, что существует критическое значение объема поры. Поры, объем которых меньше критического, спонтанно залечиваются-поры, объем которых больше критического, самопроизвольно растут.

12. Вычислена скорость изменения объема поры, которая оказалась пропорциональной разности кубических корней из объема поры и критического значения ее объема.

Эта зависимость приводит к необычному распределению пор по размерам в ферромагнетике, полученном путем спекания ферромагнитного порошка в магнитном поле.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации изложена теория простейших диффузионных процессов, происходящих в кристаллах с дефектами при наличии внешних электрического и однородногомагнитного полей,-диффузии носителей тока (электропроводность) и диффузии примесных и собственных атомов, приводящей к изменению структуры некоторых: протяженных микродефектов.

Из полученных результатов видно, что при наложении внешних полей происходят интенсивные изменения хода диффузионных процессов. Причем внешние поля не только могут изменить скорость диффузионных процессов, но и могут привести к прекращению некоторых процессов и перемене направления диффузионных процессов. Так, при электронагреЕе может происходить не только залечивание пор Идислокационных петель, но в некоторых материалах — и их рост. В ферромагнетиках достаточно крупные поры также могут самопроизвольно расти.

И’сходя из перечисленного, следует ожидать и интересных особенностей протекания и других (кроме рассмотренных) диффузионных процессов в присутствии внешних полей. Поэт ому необходимо построить теорию влияния внешнихполей на множество других диффузионных процессов. Наиб ал ее важными из них для физики твердоготела являются следующие: переползание дислокаций, полигонизация, отдых, рекристаллизация, фазовые превращения, осуществляемые путем диффузионных механизмов, мартенситные фазовые превращения, лимитируемые пространственным перераспределением атомов компонент твердого раствора, и др.

Что касается развитой здесь теории, то ее нельзя считать полностыо завершенной. С одной стороны, есть ряд задач, которые не поддаются пока аналитическому решению. К ним относится, например, задача об аналитическом вычислении в общем виде эффективной электропроводности пространственно-неоднородной среды с произвольной по величине неоднородностью электропроводностИ-.Шайденные в диссертации точные решения этой задачи относятся лишь к ограниченному классу неоднородностей, которые могут быть представлены в мультипликативной форме. С другой стороны, можно совершенствовать и детализировать принятые в работе модели. Например, можно учитывать упругую анизотропию кристаллов при вычислении! вклада дислокаций в коэффициенты переноса. Можно строить теорию анизотропно проводящих кристаллов. Однако интересных новых результатов на этом путиследует, по-видимому, ожидать только для случая, сильно анизотропных кристаллов — слоистых и полимерных тел.

В работе рассмотрена реальная сложная зонная структура только одного типа — типа структуры кремния. Следует построить теорию электропроводности кристаллов с дефектамии для случаев других встречающихся в полупроводниках сложных зонных структур. В этом направлении можно ожидать интересных результатов, особенно для кристаллов, содержащих дислокации. Действительно, из приведенных результатов видим, что характер дальнодействия поля деформационного потенциала дислокации существенно зависит от типа зонной структуры кристалла и типа дислокации. Пак, в случае простой зонной структуры деформационный потенциал краевой дислокации оказывается экранированным на расстояниях, превышающих радиус экранирования Дебая. Винтовая дислокация в принятом приближении не обладает деформационным потенциалом-.В случае кристалла с зонной структурой типа кремния винтовая дислокация обладает деформацин онным потенциалом, причем он оказывается неэкранированным, дальнодействующим. Следует также построить теорию электропроводностикристаллов, содержащих дислокации, для случая когда основными механизмами электрон—фононного взаимодействия является не деформационный потенциал, а один из других механизмов — например пьезоэлектрический механизм, или электр он-фон онное взаимодействие в кристаллах с большой диэлектрической проницаемостью.

Относительно неоднородности поверхностных слоев можно сказать, что она обычно мала для металлов. Однако в полупроводниках эта неоднородность часто оказывается не малой.1Геория же нормального скин-эффекта развита в работе для немалой неоднородности только в виде поверхностного слоя, а в общем виде — только для случая малой неоднородности. К сожалению, в настоящее время теория нормального скин-эффекта в существенно неоднородном проводнике в общем виде не поддается аналитическому построению.

Для исследования диффузионной кинетики микродефектов в работе используются континуальные модели, заимствованные из физики полупроводник ов. Это особенно относится к способу описания различных источников и стоков вакансий при помощи введения соответствующих: времен релаксации. По-видимому, перспективно также более детальное рассмотрение этих задач с использованием микроскопических моделей источников и стоков вакансий. Однако на этом пути имеются значительные вычислительные трудности, которые можно преодолеть с помощью современной вычислительной техники.

Наконец, в работе рассмотрен далеко не полный спектр дально-действующих протяженных и других дефектов кристаллического строения. Поэт ому далее следует расширять приложения развитых общих-теорий к нерассмотренным еще конкретным видам дефектов.

Таким образом, настоящая работа является только основанием развивающегося научного направления — теоретического исследова.

— 238 ния процессов диффузионного переноса в кристаллах с дальнодей-ствующими протяженными микродефектами при наличии внешних электрического и магнитного полей. Автор предлагает развивать это направление путем решения таких групп задач:

I) исследование влияния внешних полей на не рассмотренные еще и интересные для физики твердого тела, порошковой металлургии, электросварки и других приложений диффузионные процессы;

2) аналитическое решение общих задач, сформулированных в теории, которые в настоящее время не поддаются решению;

3) совершенствование и детализация принятых в работе моделей;

4) исследование не рассмотренных в работе типов кристаллов (сегнетоэлектриков, кристаллов с большими диэлектрическими проницаем остям и и других);

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.И. Введение в теорию полупроводников.- М.- Л.: Физматгиз, 1962. 418 с.
  2. В.К. Электромагнитные процессы в металлах. Ч,. 2. Электромагнитное поле.- М.: ОНТИ, 1936.- 304 с.
  3. А.И., Барьяхтар В. Г., Пелетминский С. В. Слиновые волны." М.: Наука, 1967. 368 с.
  4. Ф.Дж. Теория подвижности электронов в твердых телах.-М.- Л.: Физматгиз, 1963.- 224 с.
  5. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах.- М.: Изд-во иностр. лит., 1962.- 584 с.
  6. С.В., Корнюшин Ю. В. Изменение электропроводности кристаллов при дислокационном старении.- УМ, 1974,19,№ 4,с. 590 595.
  7. С.В., Корнюшин Ю. В. О возможности залечивания протяженных дефектов путем переноса вакансий, стимулированного электрическим током.- Металлофизика, 1975, вып. 61, с.71--75.
  8. С.В., Корнюшин Ю. В. К теории залечивания поры в металле под действием электрического тока. ФММ, 1276, 41, № 2, с. 431 — 434 .
  9. В.Л., Кухтарев Н. В. О решении! уравнения Пуассона при периодическом распределении статического заряда.- УФЖ, 1972, 17, № 2, с. 334 338 .
  10. В.Л., Кухтарев Н'.В. К теории подвижности, эффекта Холла и магнетосопротивления в неоднородном полупроводнике в слабых «неомических» полях.- ФШ, 1972, б, Ц 6, с. 1029- 1033.
  11. В. Л. Кухтарев Н.В. Анизотропия гальваномагнитных эффектов в слоисто-неоднородных полупроводниках.- УФЖ, 1973, 18, № 7, 1182 1189 .
  12. В.Л., Кухтарев Н. В., Семенюк А. К. Анизотропия электропроводимости полупроводников, обусловленная периодическим распределением легирующей примеси.- ФШ, 1972, б, № 6, с. 1007 1014 .
  13. В.Л., Кухтарев Ш. В., Семенюк А. К., Потыкевич И. В. Вольтамперные характеристики полупроводников с квазипериодическим распределением заряженных дефектов.- ФТП, 1973, 7, № I, с. 100 107 .
  14. В.И., Лупашку Р. Г. Исследование трещин методом электросопротивления.- Пробл. прочности, 19.73, № 4,с.70−74.
  15. Я.Е. Физика спекания.- М.: Наука, 1967.- 360 с.
  16. Я.Е., Кононенко В-.Г., Дунаевский В. М. Коалесценция пор в кристаллах со. стоками вакансий.- ФТТ, 1971, 13, № 9, с. 2646 2651 .
  17. Я.Е., Кривоглаз М. А. Движение макроскопических включений в твердых телах.- М.: Металлургия, 1971.- 344 с.
  18. Я.Е., Лифшиц И. М. 0> механизме И- кинетике залечивания изолированной поры в твердом теле.- ФТТ, 1962,4,$ 5, с.1326- 1333 .
  19. В., Корнюшин Ю. В., Ошкадеров С. П. и др. Исследование диффузионного залечивания микропор в условиях джоулева нагре- 241 на.- Металлофизика, 1980, 2, № 5, с. 74−81 .
  20. В.А., ОЪипьян Ю.А. ЭПР в пластически! деформированном кремнии.- ЖЭТФ, 1970, 58, № 4, с. 1259 1264 .
  21. В.А., Осипьян. Ю. А. Электронный парамагнитный резонанс- на дислокациях в кремнии.- ЖЖД971,60,№ 3,c.II50-II6I.
  22. Гринберг А. А* Акусто-магнито>электрический эффект в полупроводниках." ФТТ, 1964, 6, № 7, с. 2010 2013 .
  23. П.Л., Жаров Ю. Д., Земский С,.В., Поликарпов Ю. А. О некоторых вопросах изучения диффузии в металлах с помощью радиоактивных изотопов.- В кн.: Диффузия в металлах и сплавах. Тула: ТПИ-, 1968, с. 279 298 .
  24. В.Л., Эфрос А. Л. К теории акустоэлектрического эффекта.- 1ЭТ&-, 1963, 44,)Ь 6, с. 2131 2141 .
  25. В.М., Корнюшин Ю. В. Магнитная анизотропия, обусловленная несферичностью пор и включений в феррамагнетике.-ФММ, 1972, 33, № 2, с. 440 442 .
  26. Дамаск А., Дине. Дж. Точечные дефекты в металлах.-М.:Мир, 1966.- 291 с .
  27. М.Ф., Пекар С. И. О состоянии электронов проводимости, в идеальном, гомеополярном кристалле.-ЖЗТЗ?, 1951,21,№ 7,с.803- 808 .
  28. Дехтяр И-.Я., Михаленков В. С:. Изменение электросопротивления сплавов медь-марганец при пластической деформации.-Вопр. физики металлов и металловедения, Киев, 1961, вып.13,с. 62 69 .
  29. Дехтяр Сахарова С. Г. Влияние пластической деформации на электросопротивление сплавов никеля с медью.-В кн. Исследование энергетического спектра электронов в металлах. Киев: Йаук. думка, 1965, с. 40−49 .
  30. Дубовицкая Н.В., Лариков Л. Н., Юрченко Ю. Ф. Тепловые эффекты- 242 при нагреве пластически-деформированного высокочистога железа.- ФММ, 1968, 25, № 3, с. 513 517 .
  31. A.M. О вычислении кинетических коэффициентов сред со случайными неоднородностями.-ЖЭТФ, 1967,52,$ I, с. 264 266.
  32. Ережепов М.Е., Пекар С.И.НЬория электропроводности- полупроводников с учетом поля заряженных примесных центров.- ФТТД963, 5, $ 5, с. 129.7 1303 .
  33. Еременко В.Г., Никитенко В. И., Якимов Е. Б. Зависимость электрических свойств кремния от температуры пластической деформации и отжига.-13©-f 1977,73,№ 3, с. II29 1139 .
  34. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела.-М.:Физматгиз, 1966.- 696 с.
  35. Киттель Ч. Квантовая теория твердых тел.-М.:Наука, 1967.-492с.
  36. Корнюшин Ю. К. Теория подвижности носителей тока в твердых телах при прохождении звуковой волны.-УФ1,1967,12,№ 3,с.394- 397 .
  37. Корнюшин Ю. В. Изменение объема кристалла, обусловленное неравномерно распределенными дислокациями.- ФММ, 1967,24,№ 4, с. 606 610 .
  38. Корнюшин Ю. В. Влияние краевых дислокаций на теплопроводность кристаллов при высоких температурах.- ФММ, 1967,24,$ 6, с. 1109 НИ .
  39. Корнюшин Ю. В. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосопрс&-тивления в кристаллах с одномерным квазистационарным- возмущением. ФТП, 1967, I, № 8, с. II2I — II26 .
  40. Корнюшин Ю. В. Нарушение закона Ома в примесных полупроводни!-ках в слабых электрических полях.-ФТП, 1967,1,№ 8,с.1274−1276.
  41. Корнюшин Ю. В. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосопротивления в полупроводниках с неравномерной концентрацией заряженных ионов.-УФК, 1967,12,№ 8, с. 1327 1329 .
  42. Корнюшин Ю. В. Влияние неравномерности распределения- краевых дислокаций на подвижность, эффект Холла и магнетосопротивле-ние в полупроводниках.-УФ$, 1967,12,$ II, с. 1862 1866 .
  43. Корнюшин Ю. В. Теория подвижности, эффекта Холла и- магнетосопротивления в металлах с краевыми дислокациями.-В кн. :Несо-вершенства кристаллического строения. Киев:Наук. думка, 1968, с. 21 26 .
  44. Корнюшин Ю. В. Магнитная анизотропия кристаллов, обусловленная деформациями вокруг сферической поры и точечных дефектов. -ФММ, 1969, 28, № 6, с. 1107 II09 .
  45. Корнюшин Ю. В. Теория электропроводности многодолинных полупроводников с заряженными точечными дефектами.-ФТГЕ, 1973, 7, № 7, с. 1417 1419 .
  46. Корнюшин Ю. В. Изучение дефектности приповерхностного слоя: проводника при помощи нормального скин-эффекта.-В кн.:Влияние физико-химической среды на жаропрочность металлических материалов. М.:Наука, 1974, с. 153 157 .
  47. Корнюшин Ю.В.К теории электропроводности неоднородных полупроводников. -ФШ, 1976, 10, № 5,с. 964 966 .
  48. Корнюшин Ю.В.О критическом размере плоской хрупкой трещины.-. ФММ, 1977, 43, № I, с. 33 37 .
  49. Корнюшин Ю. В. Об изолированной поре и хрупкой трещине в одно-доменном ферромагнетике.-ФММ, 1978,45,№ I, с. 192 195 .
  50. Ю.В. Явления переноса в реальных кристаллах во внешних полях.- Киев: Наук, думка, 1981.- 180 с.
  51. Корнюшин Ю. В. Кудрявцев А.Н.К теории, нормального скин-эффекта в неоднородных ферромагнитных праводниках.-УФЖ, 1977,22,4, с. 669 673 .
  52. Корнюшин Ю.В., Мешков Ю. Я. Дефектность сильнодеформированной стали.-Металлофизика, 1972, вып. 39, с. 37 42 .
  53. Ю .В., Мима Л. С. Дретяк Q.B.Влияние пластической деформации на электропроводность ft кремния.-В кн.: П Всесоюзное совещание по глубоким уровням в полупроводниках. И&шкент: ТГТ, 1980, ч. 2, с. 26 — 27 .
  54. Корнюшин Ю.В., Партенский М. Б. Электросопротивление металлического кристалла с дислокациями.-УФ!, 19.71,15,№ б, с.1018−1020.
  55. Корнюшин Ю.В., Пекар СГ.И.Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосопротивления в полупроводниках с линейными дислокациями.- ФТТ, 1966, 8, № 4, с. 1122 1128 .
  56. Косевич А.М.ОЬновы механики кристаллической решетки.-М.: Наука, 1972. 280 с.
  57. Коттрелл А.X.Дислокации и пластическое течение в кристаллах.-М.: Металлургиздат, 1958. 268 с.
  58. Кравченко.В. Я. Влияние электронов на торможение дислокаций. -ФТТ, 1966, 8, $ 3, с. 927 938 .
  59. Кравченко В. Я. Воздействие направленного потока электронов на движущиеся дислокации.-ЖЭТФ, 1966,51,№ 6,с. 1676 1688 .
  60. Кравченко В.Я.К теории электросопротивления металлов, обусловленного дислокациями.- ФТТ, 1967, 9, № 3, с. 836 841 .
  61. Кривоглаз М.А., Масюкевич A.M., Рябошапка К. П. Энергия хаотически распределенных дислокаций.-В кн.-.Несовершенства кристаллического строения. Киев:Hayк. думка, 1968, с. 27−33 .
  62. Кривоглаз М.А., Осиновский-М.Е.О диффузионном движении включений и атомов и об искривлении пор в неоднородном магнитном поле.-Металлофизика, 1970, вып. 31, с. 45 48 .
  63. Кудинов В.А., Мойжес Э. Я. Влияние случайных неоднородностей на изменения термо-ЭДС и коэффициента Нернста в сильном магнит- 245 ном поле.- ФТТ, 1965, 7, № 8, с. 2309 2317 .
  64. Кузьменко П. П. Диффузия б неоднородном магнитном поле.-В кн.: Диффузионные процессы в металлах. Киев:Hayк. думка, 1968, с. 16 18 .
  65. Кухтарев Н.В., Семенюк А. К. Температурная зависимость подвижности в облученном пространственно-неоднородном полупроводнике. -В кн.:Радиационная физика неметаллических кристаллов.Киев.: Наук, думка, 1971, т. 3, ч. I, с. 147 150 .
  66. Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред.-М.:Гос-техиздат, 1957.- 532 с.
  67. Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости.-М. :Наука, 1965.-203с.
  68. Лариков Л.Н., Корнюшин Ю.В.А.с.578 559 (СССР).Способ квалимет-рии поверхностных слоев электропроводящих материалов.-Опубл. в Б.И., 1977, № 40 .
  69. Лариков Л.Н., Корнюшин Ю. В., Никитин Б. Г., Кононенко. В.Л.О механизме процессов разупрочнения при отжиге деформированной меди с добавками галлия и германия.-ФММ, 1974,37,№ 2,с.415−423.
  70. Лариков Л. Н. Драсильников B.C., Никитин Б. Г. Механизм процессов возврата при нагреве деформированного сплава медь-мышьяк.
  71. ФММ, 1973, 35, № 5, с. 1091 — 1094 .
  72. Лариков Л.Н., Юрченко Ю. Ф., Дубовицкая Н. В. Исследования физических процессов при нагреве деформированного никеля высокой степени чистоты.-В кн.:Изучение дефектов кристаллического строения металлов и сплавов.Киев.:Наук. думка, 1966, с.63−69.
  73. Лившиц Б. Г. Драпошин B.C., Линецкий Я. Л. Физические свойства металлов и сплавов.-М.:Металлургия, 1980.- 320 с.
  74. Лифшиц И.М.К теории диффузионно-вязкого течения поликристаллических тел.-ЖЭТФ, 1963,44,№ 4,с. 1349 1367 .
  75. Лифшиц И.М., Слезов В.В.О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов.-I3TS, 1958,35,16 2(8), с.479−492.
  76. Лифшиц И.М., Слезов В.В.К теории коалесценции. твердых растворов.- ФТТ, 1959, I, 9, с. 1401 1410 .
  77. Масюкевич A.M., Рябошапка К. П. Поле напряжений и энергия дислокаций, хаотически расположенных в слое и стенке.-Металлофизика, 1975, вып. 62, с. 3 9 .
  78. Матаре Г. Злектроника дефектов в полупроводниках.-М.:Мир, 1974. 463 с.
  79. Милевский Л, С., Ткачева Т. М., Пагава Т. А. Эффект прилипания и аномальное рассеяние основных носителей на взаимодействующих центрах в пластически деформированном кремнии п -типа.-ЖЭТФ, 1975, 69, № 6, с. 2132 2140 .
  80. Оделевский В.И.Р&счет обобщенной проводимости гетерогенных систем.I.Матричные двухфазные системы с невытянутыми включениями. -ЖТФ, 1951,21,$ 6, с. 667 677 .
  81. Оделевский ВЖРасчет обобщенной проводимости гетерогенных систем.II.Статистические смеси невытянутых частиц.-ЖТФ, 1951, 21, № 6, с. 678 685 .
  82. Партенский М.Б., Першин В. К. Электропроводность неоднородного деформированного кристалла с примесями.-Изв. вузов. Физика, 1973, № 2, с. 70 75 .
  83. С.И. Теория контакта металла с диэлектриком или полупроводником.-ЖЭТФ, 1940,10, № II, с. I2II 1224 .
  84. Пекар С. И. Теория подвижности, эффекта Холла и магнетосопроти-вления в электронных полупроводниках с заряженными дефектами.- ФТТ, 1966, 8, № 4, с. III5 II2I .
  85. Пинес Б. Я. Сйекание, крип, отдых, рекристаллизация и другие явления, обусловленные самодиффузией в кристаллических телах.-УФН, 1954, 52,)Ь 4, с. 501 559 .
  86. Пипа В.И.К теории электропроводности неоднородных полупровод?-ников" — УФЖ, 1969, 14, № 2, с. 199 201 .
  87. Райченко А. И. Математическая теория диффузии в приложениях.-Киев: Наук, думка, 1981. 276 с.
  88. Слезов В. В. Коалесценция пересыщенного твердого раствора в случае диффузии. по границам блоков или дислокационным линиям. ФТТ, 1967, 9, № с. 1187 — II9I .
  89. Смирнов А. А. Теория электросопротивления сплавов.-Киев:Изд-во АН УССР, I960.- 148 с.
  90. Толпыго К. Б. Об уравнениях переноса в теории полупроводников. -Тр. Ин-та физики АН УССР, 1952, вып.3,с. 52 83. .
  91. Толпыго К. Б. Термодинамика и статистическая физика.-Киев:Изд--во Киев, ун-та, 1966.- 364 с.
  92. Трефилов В.И., Мильман Ю. В., Фирстов С. А. Физические основы прочности тугоплавких металлов.-Киев:Наук, думка, 1975.-315с.
  93. Фикс В. Б. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос).-М.:Наука, 1969.- 295 с.
  94. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций.-М.:Атомиздат, 1972.-599 с.
  95. Шейнкман М.К., Шик А. Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках.-ФТП, 1976,10,}Ь 2, с.209−233.
  96. Шик А. Я. Особенности фотоэлектрических и. кинетических явлений в неоднородных полупроводниках.-В кн.:Материалы 7-й зимней школы по физике полупроводников.Л.:ЛШФ, 1975, с. 453 486 .
  97. Шклоеский Б.И., Эфрос А. Л. Теория протекания и проводимость сильнонеоднородных сред.-УФНД975,117,№ 3, с. 401 435 .
  98. Шкловский Б.И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полу проводников.-М. :Наука, 1979.-476 с".
  99. Эшелби Дж. Континуальная теория дислокаций.-М.:Изд-во иностр. лит., 1963.- 247 с.- 248
  100. Adda Y., Philibert J. La diffusion dans les solids.-Paris: Press. Univ. Erance, I966.-T. 2. 881 p.
  101. Blount 3.1. Ultrasonic attenuation by electrons in metals.-Phys. Rev., 1959t 114. H 2, p. 418- 436 .
  102. Brailsford A.D.Stress field of dislocation.-Phys. Rev., 1966, 142, Я 2, p. 383 387 •
  103. Bruggeman D.A.G.Berechnung verschiedener physikalischer Kon-stanten von heterogen Substanzen.I.Dielektrizitatskonstanten und leitfahigkeiten der Miscbkorper aus isotropen Substanzen. -Ann. Phys. (Lpz), 1935″ 24″ N 5, S. 636 664 .
  104. Dexter D.S.Conductivity of cold-worked metals.-Phys. Bev., 1952, 85, N 5, P. 936 937 .
  105. Dexter D.S.Scattering of electrons in metals by dislocations. Phys. Rev., 1952, 86, N 5″ P. 770 774 .
  106. Figielski T. Recombination at dislocations.-Solid State Electronics, 1978,21, N 11/12, p. 1403 1412 .
  107. Goldfeld J., Kobosev N.I. Anwendung des «Skin"-Effektes zur Untersuchungen diinner Metallischer Schichten.-Acta physico-chim. DRSS, I936, i, N 2, S. 243 270 .
  108. Grazhulis V.A., Eveder V.V., Mukhina V.Yu.Investigation of the energy spectrum and kinetic phenomena in dislocated Si crystals (I).-Phys. stat. sol. (a), 1977,4?» И 2, p. 407 415 •
  109. Harrison W.A. Resistivity due to dislocations in copper.-J. Phys. Chem. Solids, 1958, J2, И ½, p. 44 46 .
  110. I. Hermel W., Kornousin Ju.V., 0skaderov S.P.,?vitaj V. Aktiviede- 249 rende Wirkungen beim elektrokontaktiven Sintern.-In:2.sow-je-tisch deutsches Symposiums- «Festkorperphysik und Werkstoff-orschung».Heft I7. Dresden:Adw DDR, ZFW, 1979, S. 100 — 109 •
  111. Herring C. Diffusional viscosity of a polycrystalline solid.-JAP, 1950, 21, If 5″ P. 437 445 .
  112. Herring G. Effect of random inhomogenuities on electrical and galvanomagnetic measurements.-JAP, I960,.51.И II, p. I929-I953.
  113. Kirkpatrick S. Percolation and conductivity .-Rev. Mod, Phys., 197.5,55.K p.574 588 .
  114. Kornyushin Yu.V.On the normal skin-effect theory for inhomo-geneous conductors.-Surface Sci., 1974,44,IT I, p. 258 260 .
  115. Kornyushin Yu.V.On the theory of sintering of ferromagnets.-Sci. Sintering, 1978,10, N 5, p. I85 194 .
  116. Kornyushin Yu.V.Void in ferromagnet, numerical calculations.-JMMM, 1979, 12, N P. 322 ?22 .
  117. Kornyushin Yu.V.Thermodynamic and kinetic peculiarities of porous magnetic materials.-In:Intern.conf.on Magnetism: Program and Abstr. Technical University Munuch, Sept.3−7,1979. Munich, 1979, p. 102 .
  118. Kornyushin Yu.V.A contribution to study of diffusion processes under conditions of ohmic heatitig.-Sci.Sintering, 1979, II, Special Issue, p. 27 30 .
  119. Kornyushin Yu.V., Streda P. Theory of electrical resistance of multivalley semiconductors with screw dislocations.-Czech.J.- 250
  120. Meechan C.J., Lehman G^W.Diffusion of Au and Cu in a temperature gradient.-JAP, 1962, N 2, p. 634 641 .
  121. Neubert D., Hoffmann K., Teichmann H., Schief R. Spin dependent recombination at dislocations in silicon.-Solid State Electronic s, 1973,21,N 11/12, p. 1445 1450 .
  122. Parmenter R.H.The acousto-electric effect.-Phys.Rev., 1953, 82, N 5, P" 99° 998 .
  123. Pekar S.I.Theory of mobility and the Hall effect allowing ' for the field of charged impurity ions.-In:Physics of semiconductors: Proc.7th Intern. conf. Paris:Dunod, 1964, p.363−366.
  124. Read W.T.Theory of dislocations in germanium.-Phil.Mag., 1954, ?5, N 367, p. 775 796 .
  125. Seeger A., Stehle H. Elektronentheoretische Untersuchungen liber Fehlstellen in Metallen.3.Der Einfluss von Versetzungen auf die Kristalldichte und verwandte Probleme.-Z.Phys., 1956, 146, И 2, S. 217 241 .
  126. Seeger A., Stehle H. Elektronentheoretische Untersuchungen iiber Fehlstellen in Metallen.4.Der elektrische Widerstand von
  127. Versetzungen.-Z.Phys., 1956,146,N 2, S. 242 268 .
  128. Stroh A. N'.The formation of crack as a result of plastic flow. -Proc.Eoy.Soc.London A.1954.223.N II54, p. 404 414 .- 251
  129. Toupin R.A., Rivlin В.S.Dimensional change in crystals causedby dislocations.-J.Math.Phys., 1960, I, p. 8 15 .
  130. Vinetskii V.L., Kukhtarev N.V.The theory of the carriers mobility in layer-inhomogeneous semiconductors.-Solid State Communs, I973, 12″ H I, p. 31 .
  131. Vinetskii V.L., Kukhtarev H.V.Negative differential conductivity of semiconductors due to the layer-like impurity distribution. -Phys. status solidi (a), 1974,25,N 2, p.723 759 •l37"Weinreich G. Acoustodynamic effect in semiconductors.-Phys.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!