Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Пути улучшения кристаллического совершенства оксидных пленок и гетероструктур, получаемых из газовой фазы

Диссертация: Пути улучшения кристаллического совершенства оксидных пленок и гетероструктур, получаемых из газовой фазы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В нашей работе развит новый метод, позволяющий значительно повысить кристаллическое совершенство оксидных пленок, получаемых МОСУЕ). Сущность метода сводится к осаждению пленок в присутствии ненасыщенных паров летучих легкоплавких оксидов (флюсов), в качестве которых нами были опробованы оксиды свинца и висмута. Идея применения летучего флюса не имеет аналогов в литературе, она возникла в нашей… Читать ещё >

Пути улучшения кристаллического совершенства оксидных пленок и гетероструктур, получаемых из газовой фазы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. ВВЕДЕНИЕ
  • 2. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 2. 1. Атомистическая картина роста кристаллов. Определяющая роль кинетики поверхностных явлений
      • 2. 1. 1. Атомная структура поверхности
      • 2. 1. 2. Послойный рост кристаллов
      • 2. 1. 3. Определяющая роль кинетики поверхностных процессов при росте кристаллов из пара
      • 2. 1. 4. Рост пленок на гетероподложках, гетероэпитаксия
      • 2. 1. 5. Необходимые условия эпитаксиального роста
    • 2. 2. Понятие «кристаллическое совершенство»
      • 2. 2. 1. Различные уровни совершенства структуры кристаллов и пленок
      • 2. 2. 2. Методы аттестации кристаллического совершенства
    • 2. 3. Пути решения проблемы структурного соответствия
      • 2. 3. 1. Использование буферных слоев
      • 2. 3. 2. Подбор материалов соседних слоев гетероструктур, способных сращиваться эпитаксиально
      • 2. 3. 3. Некоторые перспективные буферные слои, использование которых затруднено
    • 2. 4. Методы активации диффузионной подвижности при росте пленок из пара
      • 2. 4. 1. Плазменная и фото активация
      • 2. 4. 2. Гетеровалентное легирование материала пленки
      • 2. 4. 3. Интенсификация диффузии в условиях, близких к условиям фазовых превращений
      • 2. 4. 4. Смещение фигуративной точки многокомпонентной кристаллизующейся системы в направлении, соответствующем снижению поверхности ликвидуса
      • 2. 4. 5. Соосаждение с летучим легкоплавким оксидом 39 2.5. Методы и явления, близкие методу MOCVD с использованием летучих легкоплавких оксидов
      • 2. 5. 1. Метод пар-жидкость-кристалл (ПЖК)
      • 2. 5. 2. Рост кристаллов из высокотемпературных растворов-расплавов
      • 2. 5. 3. Жидкофазная эпитаксия
      • 2. 5. 4. Комбинированная газожидкостная эпитаксия (КГЖЭ)
      • 2. 5. 5. Молекулярно-лучевая эпитаксия в присутствии поверхностных примесей
    • 2. 5. б. Автокоррекция состава пленок, содержащих летучие компоненты
    • 2. 6. Летучие легкоплавкие оксиды
      • 2. 6. 1. Оксид свинца
      • 2. 6. 2. Оксид висмута (III)
      • 2. 6. 3. Система РЪО-Bi2Ö

Разнообразные электрические и магнитные свойства оксидов, такие как высокотемпературная сверхпроводимость, сегнетоэлектричество, колоссальное магнитосопротивление, проводимость металлического типа, делают их ценными материалами электроники. Наиболее полно функциональные свойства оксидов могут быть реализованы в эпитаксиальных пленочных гетероструктурах, различные способы получения которых интенсивно развиваются в последние 10 лет.

Возможность интегрирования разных слоев в единую эпитаксиальную гетероструктуру определяется структурным соответствием соприкасающихся слоев, а также их структурно-морфологическим совершенством. Структурное соответствие определяется близостью параметров решеток пленки и подложки в плоскости срастания, что на самом деле реализуется далеко не всегда. Однако его можно улучшить, используя буферные слои, представляющие собой тонкие эпитаксиальные пленки веществ с промежуточными значениями параметров решетки, которые наносят на подложку перед осаждением пленки целевого материала. Изучение закономерностей гетероэпитаксии оксидных материалов, а также разработка составов и технологий осаждения новых буферных слоев является актуальной задачей, поскольку расширяет возможности создания эпитаксиальных гетероструктур.

Структурно совершенные пленки с гладкой поверхностью могут быть получены лишь в условиях интенсивной поверхностной диффузии компонентов растущей пленки. Для получения эпитаксиальных пленок тугоплавких оксидов, в которых диффузионные процессы при температурах осаждения замедлены, необходимо тем или иным образом активировать поверхностную диффузию.

Таким образом, цель настоящей работы состояла в развитии путей повышения кристаллического совершенства эпитаксиальных пленок простых и сложных оксидов. Для ее достижения предстояло: изучить влияние структурного соответствия материалов подложек и пленок, а также условий получения последних методом химического осаждения из пара (3-дикетонатов (MOCVD) на ориентацию и кристаллическое совершенство пленок и гетероструктурразвить недавно предложенный новый метод интенсификации процесса кристаллизации пленок за счет осаждения их в присутствии летучих легкоплавких оксидов.

Поставленная в настоящей работе задача развития нового метода активации особенно актуальна для процесса CVD, так как он обычно требует использования более высоких температур, чем физические методы напыления пленок.

В качестве объектов исследования были выбраны пленки простых и сложных оксидов, обладающих различными функциональными свойствами и являющихся перспективными материалами электроники: буферные слои ЬаАЮз, MgAbO^ Се02, Zr02(Y203), РгОх, сегнетоэлектрик РЬТЮз, металл СаЯиОз. Некоторые из этих оксидов являются тугоплавкими, и получение их в виде эпитаксиальных пленок затруднено.

Настоящая работа являлась частью исследований в области MOCVD оксидных пленок, выполнявшихся по проектам РФФИ N 96−03−33 027, программы «Высокотемпературная сверхпроводимость», BMBF 13 N6947/5 и COPERNICUS ERB 1С 15-СТ96−0735.

2. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

Химическое осаждение из пара (chemical vapour deposition, CVD) -распространенный метод получения пленок и покрытий, имеющий широкие перспективы применения в промышленности. Именно этот метод использован в настоящей работе. Принцип, основы CVD, типы исходных летучих соединений (прекурсоров), особенности термодинамики, микрои макрокинетики, аппаратурное оформление процесса и разнообразные применения метода подробно рассмотрены в монографиях [1, 2]. Относительно новое приложение CVD — осаждение оксидов — обсуждается в обзорах [3, 4] и диссертационных работах О. Ю. Горбенко [5] и В. Н. Фуфлыгина [6]. Важнейшим этапом в развитии технологии процесса стало применение схем с единым источником паров прекурсоров для получения пленок многокомпонентных веществ [7, 8, 9, 10]. Настоящий обзор не затрагивает перечисленных особенностей CVD, здесь рассматриваются явления и работы, непосредственно связанные с решением задач диссертации, а именно: активацией диффузионной подвижности компонентов растущей пленки и улучшением структурного соответствия слоев оксидных гетероструктур.

5. ВЫВОДЫ.

1. На примере тонких пленок оксидов РгОх, 2Ю2(У203), Се02, СаКиОз, РЬТЮ3, ЬаАЮз, М? А1204 и гетероструктур на их основе, полученных методом химического осаждения из газовой фазы [3-дикетонатов, изучено влияние структурного соответствия между пленкой и подложкой, а также условии осаждения (Т, Р (02), скорости роста, типа реактора) на ориентацию и кристаллическое совершенство пленок.

2. Установлено, что увеличение различия параметров решетки пленки и подложки способствует появлению в матрице эпитаксиальных пленок включений кристаллитов с ориентацией, образование которой кинетически предпочтительно. Дальнейшее увеличение различия параметров приводит к еще большему снижению кристаллического совершенства пленок вплоть до получения поликристаллических слоев.

3. Показано, что наиболее совершенные эпитаксиальные пленки образуются в условиях, способствующих быстрой диффузии в растущем слое и одновременно незначительному гомогенному зарождению конденсированных частиц в газовой фазе. Ускорение окислительного термолиза летучих соединений при избыточно высокой температуре осаждения и/или транспорта к подложке и увеличении Р (02) способствует гомогенному зародышеобразованию и понижению кристаллического совершенства пленок.

4. Впервые предложено использовать эпитаксиальные пленки (001)РгС)х в качестве буферного слоя, обеспечивающего эпитаксиальный (001)-ориентированный рост и и пленок оксидов со структурой, производной от структуры перовскита, на подложках (001)2г02(у20з).

5. Развит новый метод, позволяющий повысить кристаллическое совершенство оксидных пленок, получаемых из газовой фазыон заключается в осаждении пленок в присутствии летучих легкоплавких оксидов (флюсов). Метод был успешно применен для получения эпитаксиальных пленок ЬаАЮз и ]У^А1204 в присутствии РЬО и В1203. Предложена модель действия летучих флюсов. Установлены ограничения и перспективы метода.

Благодарности.

Автор благодарен своему учителю профессору А. Р. Каулю, а также всем членам своей научно-исследовательской группы, и особенно с.н.с. О. Ю. Горбенко, доц. И. Э. Грабою, ст. преп. И. Е. Корсакову, аспирантам М. А. Новожилову, С. В. Самойленкову, студентам Г. Е. Адамову и Н. В. Ковалевской за постоянную помощь в экспериментальной работе и обсуждении результатовфондам Robert Havemann, РФФИ (грант N 96−03−33 027), BMBF (грант 13 N6947/5) и COPERNICUS ERB 1С (грант 15-СТ96−0735), программе «Высокотемпературная сверхпроводимость» за финансовую поддержку. Отдельное спасибо моей жене за терпение и помощь в редактировании текста.

4.3.4.3.

Заключение

.

В нашей работе развит новый метод, позволяющий значительно повысить кристаллическое совершенство оксидных пленок, получаемых МОСУЕ). Сущность метода сводится к осаждению пленок в присутствии ненасыщенных паров летучих легкоплавких оксидов (флюсов), в качестве которых нами были опробованы оксиды свинца и висмута. Идея применения летучего флюса не имеет аналогов в литературе, она возникла в нашей исследовательской группе и была сформулирована и успешно опробована на примере осаждения пленок ВаТЮз в присутствии В1гОз в работе [37]. В настоящей работе был накоплен большой массив новых экспериментальных данных, значительно расширен круг объектов, к которым был применен данный метод, апробированы новые флюсы (РЬО и комбинация В1гОз + РЬО), впервые развиты модельные представления о механизме процесса.

Главным результатом осаждения в присутствии флюсов является существенное повышение кристаллического совершенства пленок за счет увеличения диффузионной подвижности компонентов кристаллизующейся пленки при их частичном растворении в жидком флюсе. Важно, что металлические компоненты флюсов не загрязняют получаемые пленки. Мы отмечаем, что для этого необходимо, чтобы флюсы не образовывали с компонентами пленки устойчивых соединений или твердых растворов. Присутствие флюса может также оказывать влияние на состав и скорость роста пленок.

Мы предложили модель процесса, главным положением которой является существование квазижидкого адсорбционного слоя флюса, облегчающего кристаллизацию. Полученные экспериментальные результаты в целом находятся в хорошем согласии с моделью, тем не менее, их нельзя считать ее окончательным доказательством. Модель нуждается в дальнейшем развитии и фактическом подтверждении с привлечением методов, позволяющих получать, по возможности, прямую информацию о состоянии адсорбционного слоя на подложке в режиме реального времени эксперимента.

Развитый в настоящей работе метод имеет хорошие перспективы применения при получении пленок оксидов с высоким кристаллическим совершенством при больших скоростях осаждения, а также для роста кристаллических пленок тугоплавких фаз при относительно низких температурах. На наш взгляд, осаждение в присутствии летучих флюсов может быть использовано не только в методе СТ), например, ничто не мешает осуществить подобные эксперименты, применив любой метод физического осаждения пленок. Универсальность подхода связана с тем, что в его основе лежит термодинамика системы флюс — пленка, не зависящая от используемого метода осаждения.

4.4. Особенности процесса СУО в реакторах с горячими стенками.

4.4.1. Гомогенное зародышеобразование. Причины и основные проявления.

Общий вид температурной зависимости скорости гетерогенного химического процесса, частным случаем которого является СУО, представлен на рис. 4.35. Отмечены области кинетического и диффузионного контроля процесса, а также высокотемпературная область гомогенного зародышеобразования, в которой процесс.

Рис. 4.35. Общий вид температурной зависимости скорости роста пленки методом С VI) в реакторе с горячими стенками. I область кинетического режима, II область диффузионного режима, Ш область гомогенного зародышеобразования. перестает быть исключительно гетерогенным: наряду с реакцией на поверхности часть реагентов взаимодействует в газовой фазе. Образующиеся при этом нанокристаллические частицы имеют очень маленький коэффициент диффузии, что приводит к резкому уменьшению скорости осаждения в СУЕ). Частицы конденсированной фазы попадают на подложку, будучи хаотически ориентированными, поэтому пленки, полученные в условиях гомогенного зародышеобразования, являются аморфными или поликристаллическими.

Для протекания реакций в газовой фазе необходимо осуществление достаточно большого числа активных соударений молекул, очевидно, этому способствует повышение температуры, общего давления и парциального давления (концентрации) реагентов. При получении эпитаксиальных пленок гомогенное зародышеобразование является крайне нежелательным, поэтому часто осаждение проводят при пониженном давлении. Также эффективно использование реакторов с холодными стенками, поскольку в них очень мал объем разогретого до высокой температуры газового пространства над подложкой, в котором может идти гомогенное зарождение. Наоборот, в реакторах с горячими стенками принципиально возможно протекание реакций в газовой фазе даже при пониженном давлении.

4.4.2. Предосаждение на стенки реактора.

При высокой температуре в реакторе с горячими стенками гетерогенное разложение прекурсоров может происходить не только на подложке, но и на стенках реактора перед ней. Это явление называется предосаждениемоно приводит к понижению скорости осаждения пленки вследствие уменьшения концентрации прекурсоров в газовом потоке над подложкой. Одни и те же факторы способствуют и предосаждению, и гомогенному зародышеобразованию, поэтому уменьшение скорости осаждения без ухудшения кристаллического совершенства пленок при повышении температуры нельзя однозначно считать признаком гомогенного зарождения. В принципе, за счет уменьшения скорости роста предосаждение должно несколько повышать кристаллическое совершенство пленки, тогда как гомогенное зародышеобразование всегда приводит к его снижению. На самом деле, часто предосаждение и гомогенное зародышеобразование происходят одновременно. Кроме того, при получении пленок многокомпонентных веществ преимущественное предосаждение одного из компонентов за счет меньшей стабильности соответствующего прекурсора может приводить к изменению стехиометрии пленок.

4.4.3. Экспериментальные свидетельства гомогенного зародышеобразования.

Итак, признаком гомогенного зародышеобразования считают резкое уменьшение скорости роста и ухудшение кристалличности пленок при повышении температуры осаждения. В то же время, эти изменения не будут столь значительными при температурах, близких к границе между областями II и Ш на рис. 4.35, при которых гомогенное зарождение только начинает осуществляться, и лишь малая доля прекурсоров разлагается в газовой фазе с образованием конденсированных продуктов. По сути дела, температура перехода к гомогенному зародышеобразованию (которая, безусловно, зависит от остальных параметров осаждения) в МОСУО оксидов определяется в первую очередь термической стабильностью используемых прекурсоров и их устойчивостью по отношению к окислению.

При достижении прагматической цели получения эпитаксиальных оксидных пленок экспериментаторы стараются использовать условия осаждения, лежащие заведомо вне области доминирующего гомогенного зародышеобразования, и они не сталкиваются с его крайними проявлениями. Иногда из-за этого некоторое ухудшение кристаллического совершенства пленок при повышении температуры осаждения или незначительных изменениях геометрии установки кажется парадоксальным, хотя, на самом деле, оно является первым вестником разложения прекурсоров в газовой фазе. В данной части работы обобщены наши наблюдения за проявлениями начальных стадий гомогенного зародышеобразования при осаждении пленок оксидов.

В работе [166] нами была изучена кинетика осаждения ЬигОз из Ьи (1Ис1)з в реакторе с горячими стенками при Т «620°С. Во-первых, эффективный коэффициент диффузии прекурсора Ьи через граничный диффузионный слой, вычисленный из данных по скорости осаждения, оказался приблизительно в шесть раз выше коэффициента диффузии Ьи (Й1<1)з, рассчитанного по модели Чепмена — Энскога [167]. Это указывало на распад комплекса Ьи (1Ьфз с образованием частиц меньшего размера, содержащих лютеций. Действительно, известно, что при Т > 500 °C молекулы дипивалоилметанатов РЗЭ в газовой фазе претерпевают распад с отщеплением радикала [75].

Эксперименты с использованием кинетической ячейки с зоной застоя [168] показали, что в газовой фазе далее происходит ассоциация частиц, содержащих лютеций [166]. Неизвестно, превышает ли размер образующихся при этом кластеров размер критического зародыша, то есть, является ли этот процесс в строгом смысле слова гомогенным зародышеобразованием, однако полученные данные говорят о том, что в случае осаждения LU2O3 уже при такой относительно низкой для осаждения эпитаксиальных пленок оксидов температуре начинают развиваться процессы газофазной конденсации. Термическая стабильность дипивалоилметанатов разных металлов различна, но большинство комплексов начинает распадаться в интервале 500 -700°С, поэтому начальные стадии гомогенного зародышеобразования могут реализовываться при близких температурах и иметь схожий механизм и при осаждении других оксидов.

Мы заметили, что при повышении температуры осаждения в реакторе с горячими стенками до Т > 850 °C кристаллическое совершенство получаемых пленок становится несколько хуже. Как уже отмечалось в разд. 4.3.2, значения ширины на полувысоте рентгеновских рефлексов были существенно выше для эпитаксиальных пленок (001)MgAl2O4/(001)MgO, осажденных при 900 и 950 °C, чем для пленок, полученных при 850 °C (см. Табл. 4.8, рис. 4.28), в то же время, скорость осаждения этих пленок понижалась с повышением температуры (рис. 4.23).

На рис. 4.36 представлена зависимость доли кристаллитов с ориентацией типа (111) в пленках Се02/(П02)А120з, осажденных при температурах 800 и 850 °C (см. также Табл. 4.10). Оказалось, что пленки, осажденные при 800 °C даже с очень высокой скоростью порядка 50 — 100 А/имп (средняя скорость 500 — 1000 А/мин), были полностью (001)-ориентированными, тогда как пленки, полученные при 850 °C с меньшими скоростями роста, содержали (11-ориентированные кристаллиты. Аналогичное поведение наблюдалось и при осаждении пленок других материалов со структурой флюорита — YSZ/AI2O3 и PrOx/YSZ: при повышении температуры с 800 до 850 °C в пленках заметно повышалась доля кристаллитов с ориентацией (111). Мы связываем эти факты с началом зарождения конденсированных частиц в газовой фазе. Очевидно, используемые нами условия осаждения в реакторе с горячими стенками соответствуют самому началу гомогенного зародышеобразования, поэтому доля наночастиц, появляющихся в газовой фазе, от общего количества конденсирующегося материала пленки мала, и пленки не теряют полностью своей эпитаксиальности. Диффузионная подвижность в растущих пленках оказывается достаточной для того, чтобы попавшие в небольшом числе на подложку относительно крупные неориентированные частицы.

1(111)71(002).

0,1.

0,01.

0,001 чУЦВ АД, А Д.

А 800 °C.

850 °C.

1−1-1−1-1-Г.

1 2 3.

— 7.

Интенсивность импульса, 10 моль/с.

Рис. 4.36. Зависимость доли кристаллитов с ориентацией типа (111) в матрице (001)-ориентированных пленок Се02/(1102)А1203 от интенсивности импульса прекурсоров (моль/с).

Доля кристаллитов с ориентацией типа (111) в пленках СеОг/(1102)А1гОз.

N Тосажд, °С Интенсивность импульса, 10 7моль/с 1(111)/1(002).

8 800 0,06 0.

9 800 0,17 0.

12 800 0,50 0.

13 800 0,67 0.

15 800 1,0 0.

16 800 1,45 0.

17 800 2,84 0.

19 850 2,22 0,487.

20 850 1,11 0,014.

21 850 0,56 0,028.

22 850 0,28 0.

23 850 0,83 0,002 рекристаллизовались в более термодинамически устойчивые формы. Однако в целом это приводит к снижению кристаллического совершенства растущей пленки.

Повышение парциального давления одного из реагентов — кислорода — влияло на ориентацию пленок У8г/(1102)А120з аналогично повышению температуры (Табл. 4.11, рис. 4.37): при более высоких Р (Ог) уменьшалась скорость осаждения пленок и увеличивалась доля (11-ориентированных кристаллитов. Такое поведение — проявление закона действующих масс в гомогенной кинетике.

Конденсации в газовой фазе предшествует разложение молекул прекурсоров, происходящее при высоких температурах. Известно, что перегрев транспортных газовых линий приводит к частичному разложению прекурсоровв зависимости от степени перегрева и стабильности используемых прекурсоров этот процесс может идти более или.

Доля кристаллитов с ориентацией типа (111) в пленках Zr02(15%Y203)/(l 102) А120з.

N Р (02), торр скорость осаждения, А/имп. 1(111)Я (002).

18 4 6,3 0,17.

19 2 6,7 0,09.

20 5 6,3 0,13.

21 9 6,0 0,27.

22 1 7,3 0,05.

23 1 8,7 0,04.

24 3 7,0 0,23.

1(111)71(002) скорость осаждения, А/имп.

0,3.

0,2.

4 6 8 Р (02), торр

6 8 Р (02), торр б.

Рис. 4.37. (а) Зависимость доли кристаллитов с ориентацией типа (111) в матрице (001)-ориентированных пленок YSZ/(ll02)Al2C>3, полученных при 800 °C, от парциального давления кислорода, (б) Зависимость скорости осаждения пленок YSZ/(1102)А120з при 800 °C от парциального давления кислорода. менее полно. Очевидно, частичное разложение прекурсоров в линиях должно способствовать протеканию гомогенного зарождения в реакторе. Так, при перегреве транспортных линий на 30 °C мы наблюдали сильную деградацию кристаллического совершенства осаждаемых при 850 °C пленок РгОх/(001)У8г и У8г/(1102)А12Оз (вместо эпитаксиальных были получены поликристаллические образцы). Есть сообщение об аналогичных явлениях при осаждении пленок Се02/(1102)А12Оз [169].

Вероятность протекания гомогенного зародышеобразования особенно возрастает при осаждении пленок в реакторах с горячими стенками. Поэтому, стремясь получить эпитаксиальные пленки в реакторах этого типа, следует оптимизировать и строго контролировать все термические и газодинамические параметры процесса МОСУО, которые могут повлиять на кинетику окислительного термолиза прекурсоров в газовой фазе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Klejn С., — Transport phenomena in chemical vapour deposition reactors, TU Delft, 1991
  2. Pierson H.O., Handbook of Chemical Vapor Deposition. Principles, Technology and Applications, New Jersey: Noyes Publications, 1992
  3. A.P., Химические методы получения пленок и покрытий ВТСП, ЖВХО, 1989, N 4, с. 492 — 504
  4. О.Ю., Фуфлыгин В. Н., Кауль А. Р., Получение тонких пленок ВТСП методом MOCVD, Свехпроводимость: исследования и разработки, 1995, N 5, с. 38 — 81
  5. О.Ю., Физико-химические основы синтеза сверхпроводящих пленок УВагСизСЬ-у методом химического осаждения из паров р-дикетонатов, дисс. канд. хим. наук, М.: МГУ, 1994
  6. В.Н., Химическое осаждение из паровой фазы и свойства пленок висмутсодержащих высокотемпературных сверхпроводников, дисс. канд. хим. наук, М.: МГУ, 1995
  7. Chuprakov I.S., Kaul A.R., Preparation of SnCh thin films by flash-evaporation MOCVD technique, J Chem. Vap. Deposition, 1993, v. 2, p. 123 — 134
  8. Gorbenko O.Yu., Fuflyigin V.N., Erokhin Yu.Yu., Graboy I.E., Kaul A.R., Tretyakov Yu.D., Wahl G., Klippe L., YBCO and BSCCO films prepared by wet MOCVD, J. Mater. Chem., 1994, v. 4, p. 1585- 1589
  9. Kaul A.R., Seleznev B.V., New principle of feeding for flash evaporation MOCVD devices, J Phisique IV Colloque C3, 1993, v. 3, p. 375 — 378
  10. Felten F., Senateur J.P., Weiss F., Madar R., Abrutis A., Deposition of oxide layers by computer controlled «Injection-LPCVD», J Phisique IV Colloque C5, 1995, v. 3, p. C5−1079 — C5−1086
  11. Современная кристаллография, под ред. Ванштейна Б. К., Чернова А. А., Шувалова Л. А., М.: Наука, 1980
  12. Bai С., Scanning tunneling microscopy and its application, Shanghai scientific & technical publishers, Springer, 1993
  13. Ehrlich G., Hudda F.G., Atomic view of surface self-diffusion: tungsten on tuncsten, J. Chem. Phys., 1966, v. 44, p. 1039 — 1049
  14. Schwoebel R.L., Shipsey E.J. Step motion on crystal surfaces, J. Appl. Phys., 1966, v. 37, p. 3682−3686
  15. Johnson M.D., Orme С., Hunt A.W., GraffD., Sudijono J., Sander L.M., Orr B.G., Stable and unstable growth in molecular beam epitaxy, Phys. Rev. Lett., 1994, v. 72, p. 116−119
  16. Zhang Z., Lagally M., Atomistic processes in the early stages of thin film growth, Science, 1997, v. 276, p. 377−383
  17. Venables J.A., Rate equation approach to thin film nucleation kinetics, Philos. Mag., 1973, v. 27, p. 697 — 743
  18. Mo Y.-W., Kleiner J., Webb M.B., Lagally M.G., Suface self-diffusion of Si on Si (OOl), Surf. Sci., 1992, v. 268, p. 275−295
  19. Zhang Z., Lu Y., Metiu H., Adsorption and diffusion sites of a Si adatom on a reconstructed Si (100) (2×1) surface, Surf. Sci. Lett., 1991, v. 248, p. L250 -L254
  20. Kellog G.L., Feibelman P.J., Surface self-diffusion on Pt (001) by an atomic exchange mechanism, Phys. Rev. Lett., 1990, v. 64, p. 3143 — 3146
  21. Feibelman P. J., Diffusion path for an A1 adatom on Al (001), Phys. Rev. Lett., 1990, v. 65, p. 729 — 732
  22. Chen C., Tsong T.T., Displacement distribution and atomic jump direction in diffusion of Ir atoms on the Ir (001) surface, Phys. Rev. Lett., 1990, v. 64, p. 3147 — 3150
  23. Tersoff J., Denier van der Gon A.W., Tromp R.M., Crytical island size for layer-by-layer growth, Phys. Rev. Lett., 1994, v. 72, p. 266 — 269
  24. Kunkel R., Poelsema В., Verheij L.K., Comsa G., Reentrant layer-by-layer growth during molecular beam epitaxy of metal-on-metal substrates, Phys. Rev. Lett., 1990, v. 65, p. 733 -736
  25. Kotze I.A., Lombaard J.C., Henning C.A.O., The accomodation of epitaxial metal embryos on virgin alkali halide surfaces, Thin Solid Films, 1974, v. 23, p. 221 — 232
  26. Cullity B.D., Elements of X-ray diffraction, Addison-Wesley publishing company, 1989
  27. C.C., Скаков Ю. А., Расторгуев JI.H., Рентгенографический и электронно-оптический анализ, М.: МИСИС, 1994
  28. Л.М., Рентгенография в неорганической химии, М.: МГУ, 1991
  29. Heidenreich R.D., Fundamentals of Transmission Electron Microscopy, Interscience Publishers, 1964
  30. Hall C.E., Introduction to electron microscopy, McGraw-Hill book Company, 1966
  31. Reimer L., Transmission Electron Microscopy, Physics of Image Formation and Microanalysis, Springer Series in Optical Sciences, 1997
  32. Chu W.K., Langouche G., Qantitative Rutherford backscattering from thin films, MRS Bui., January, 1993, p. 32 — 40
  33. Williams D.B., Carter C.B., Transmission electron microscopy a text book for materials science, Plenum Press, New York and London, 1996
  34. Newbury D.E., Joy D.C., Echlin P., Fiori C.E., Goldstein J.I., Advanced scanning electrom microscopy and X-ray microanalysis, Plenum Press, New York and London, 1996
  35. Wu X.D., Foltyn S R., Muenchausen R.E., Cooke D.W., Pique A., Kalokitis D., Pendrick V., Belohoubek E., Buffer layers for high-Tc films on sapphire, J. Supercond., 1992, v. 5, p. 353 — 359
  36. Gorbenko O.Yu., Kaul A.R., Wahl G., Epitaxial BaTi03 films grown by aerosol MOCVD, Chem. Vap. Deposition, 1997, v. 3 p. 193 -196
  37. Lee L.P., Char K., Colclough M.S., Zaharchuk G., Monolitic 77 К de SQUID magnetometer, Appl. Phys. Lett., 1991, v. 59, p. 3051 — 3053
  38. Molodyk A.A., Novozhilov M.A., Graboy I.E., Gorbenko O.Yu., Korsakov I.E., Kaul A.R., — In situ growth of oxide thin film heterostructures by band flash evaporation MOCVD, Electrochem. Soc. Proc., 1997, v. 97 25, p. 1152 — 1159
  39. S.V., Gorbenko O.Yu., Graboy I.E., Kaul A.R., Tretyakov Yu.D., -LuBa2Cu307-x thin films prepared using MOCVD, J. Mater. Chem., 1996, v. 6, p. 623 627
  40. Haakenaasen R., Fork D.K., Golovchenko J.A., High quality crystalline YBa2Cu307-s films on thin silicon substrates, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 1573 — 1575
  41. Schieber M., Schwartz M., Koren G., Aharoni E., Organometallic chemical vapor deposited layers of stabilized zirconia on sapphire as a substrate for laser ablated YBa2Cu307-x thin films, Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, p. 301 — 303
  42. Wu X.D., Muenchausen RE., Nogar N.S., Pique A., Edwards R, Wilkens В., Ravi T.S., Hwang D.M., Chen C.Y., Epitaxial yttria-stabilized zirconia on (1102)sapphire for YBa2Cu307.5 thin films, Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, p. 304 — 306
  43. Tian Y.J., Xu S.F., Lu H.B., Chen Z.H., Cui D.F., Zhou Y.L., Zhang Y.Z., Li L., Yang G.Z., — Preparation and properties of YBa2Cu30? thin films on sapphire with yttria-stabilized zirconia buffer layer, J. Supercond., 1994, v. 7, p. 693 696
  44. Jang S.H., Jung D., Roh Y., Properties of СеОг thin films deposited on Si (100) and Si (l 11) substrates by radio frequency magnetron sputtering, J. Vac. Sci. Technol. B, 1998, v. 16, p. 1098- 1101
  45. Morshed A.H., Moussa M.E., Bedair S.M., Leonard R, Liu S.X., El-Masry N., -Violet/blue emission from epitaxial cerium oxide films on silicon substrates, Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, p. 1647 1649
  46. O., Yokosawa A., Wakana H., Kashiwaba Y., ЕиВагСизСЬ-б thin films grown on sapphire with epitaxial СеОг buffer layer, Jpn. J. Apll. Phys., 1997, v. 36, p. 2646 — 2651
  47. Zaitsev A.G., Ockenfuss G., Guggi D., Wordenweber R, Kruger U., Structural perfection of (001)Ce02 thin films on (1102) sapphire, J. Appl. Phys., 1997, v. 81, p. 3069 — 3072
  48. Yu.A., Claeson Т., Erts D., Bridges F., Kvitky Z., СеОг compatibility with УВа2Сиз07−8 in superconducting-film multilayers, Phys. Rev. B, 1997, v. 56, p. 11 312 -11 319
  49. Aguiar R., Sanchez F., Ferrater C., Varela M., Protective oxide coatings for superconducting УВа2Сиз07-х thin films, Thin Solid Films, 1997, v. 306, p. 74 — 77
  50. Denhoff M.W., McCaffrey J.P., Epitaxial YBa2Cu307 thin films on СеОг buffer layers on sapphire substrates, J. Appl. Phys., 1991, v. 70, p. 3986 — 3988
  51. Wang F., Wordenweber R., Large-area epitaxial Ce02 buffer layers on sapphire substrates for the growth of high quality YBa2Cu307 films, Thin Solid Films, 1993, v. 227, p. 200 — 204
  52. Wu X.D., Dye R.C., Muenchausen R.E., Foltyn S.R., Maley M., Rollet A.D.,. Garsia A. R, Nogar N.S., Epitaxial Ce02 films as buffer layers for high-temperature superconducting thin films, Appl. Phys. Lett., 1991, v. 58, p. 2165 — 2167
  53. Skofronick G.L., Carim A.H., Foltyn S. R, Muenchausen R.E., Orientation of УВа2Сиз07-x films on unbuffered and СеОг-buffered yttria-stabilized zirconia substrates, J. Appl. Phys., 1994, v. 76, p. 4753−4760
  54. Zhang J., Stauf G.T., Gardiner R., Van Buskirk P., Steinbeck J., Single molecular precursor metal-organic chemical vapor deposition of MgAl204 thin films, J. Mater. Res., 1994, v. 9, p. 1333 — 1336
  55. Matsubara S., Miura S., Miyasaka Y., Shohata N., Preparation of epitaxial АВОз perovskite-type oxide thin films on a (100)MgAl204/Si substrate, J. Appl. Phys., 1989, v. 66, p. 5826 — 5832
  56. Moon B.K., Ishiwara H., Growth of crystalline SrTiC>3 films on Si substrates using thin fluoride buffer layers and their electrical properties, Jpn. J. Appl. Phys., 1994, v. 33, p. 5911 -5916
  57. Wu X.D., Foltyn S R., Arendt P., Townsend J., Adams C., Camobell I.H., Tiwari P., Coulter Y., Peterson D.E., High current YBa2Cu307-x thick films on flexible nickel substrates with textured buffer layers, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, p. 1961 — 1963
  58. Knierim A., Auer R., Geerk J., Linker G., Meyer O., Reiner H., Schneider R., High critical current densities of УВа2Сиз07-х thin films on buffered technical substrates, Appl. Phys. Lett., 1997, v. 70, p. 661 -663
  59. Warren W.L., Tuttle B.A., Dimos D., Ferroelectric fatigue in perovskite oxides, Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, p. 1426 — 1428
  60. Ramesh R., Chan W.K., Wilkens В., Gilchrist H., Sands Т., Tarascon J.M., Keramidas V.G. Fatigue and retention in ferroelectric Y-Ba-Cu-O/Pb-Zr-Ti-O/Y-Ba-Cu heterostructures, Appl. Phys. Lett., 1992, v. 61, p. 1537−1539
  61. M.A., Тонкопленочные конденсаторы на основе РЬТЮз. получение и исследование, дипломная работа, М.: МГУ, 1999
  62. Kuramata A., Horino К., Domen К., Shinohara К., Tanahashi Т., High-quality GaN epitaxial layer grown by metalorganic vapor phase epitaxy on (lll)MgAl204 substrate, Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, p. 2521 — 2523
  63. Wang C.C., Growth and characterization of spinel single crystals for substrate use in integrated electronics, J. Appl. Phys., 1969, v. 40, p. 3433 — 3444
  64. Lee A.E., Piatt C.E., Burch J.F., Simon R.W., Goral J.P., Al-Jassim M.M., Epitaxially grown sputtered LaA103 films, Appl. Phys. Lett., 1990, v. 57, p. 2019 — 2021
  65. G., Fragala I.L., «Second-generation» metal precursors: new volatile, thermally stable metal p-diketonate glyme adducts and some challenging MOCVD applications, Electrochem. Soc. Proc., 1997, v. 97−25, p. 844 — 851
  66. Koh W., Kim Y., Single-source CVD of MgAl204, Chem. Vap. Deposition, 1998, v. 4, p. 192−195
  67. С.Г., Дудчик Г. П., Поляченок О. Г., Изменение летучести Р-дикетонатов в ряду редкоземельных элементов, в сб. «Теоретическая и прикладная химия бэта-дикетонатов металлов», М.: Наука, 1985, с. 148
  68. Mattongo G., Righini G., Montesperelli G., Traversa E., X-ray photoelectron spectroscopy ofMgAl204 thin films for humidity sensors, J. Mater. Res., 1994, v. 9, p. 1426 — 1433
  69. Graboy I.E., Kaul A.R., Markov N.V., Maleev V.V., Korsakov I.E., Gorbenko O.Yu., Molodyk A.A., Surface diffusion enhancement by heterovalent doping in MOCVD of oxide films, Electrochem. Soc. Proc., 1997, v. 97−25, p. 925 — 932
  70. H.B., Исследование структуры и морфологии тонких пленок диоксида церия и твердых растворов на его основе, полученных методом MOCVD, дипломная работа, М.: МГУ, 1997
  71. Научный отчет по проекту РФФИ № 96−03−33 027, Промотирование диффузионных процессов при эпитаксиальном росте оксидов из газовой фазы, рук. Кауль А. Р., 1997
  72. Научный отчет по проекту РФФИ № 96−03−33 027, Промотирование диффузионных процессов при эпитаксиальном росте оксидов из газовой фазы, рук. Кауль А. Р., 1998
  73. Cheung J., Horwitz J., Pulsed laser deposition history and laser-target interactions, MRS Bull., February, 1992, p. 30 — 36
  74. Suhr H., Applications and trends in plasma-enhanced ogranometallic chemical vapour deposition, Surface and Coatings Technology, 1991, v. 49, p. 233 — 238
  75. Ohnishi H., Hanaoka K., Goto Y., Harima H., Tachibana K., Preparing YBCO superconducting films by MOCVD with UV-light irradiation, Physica C, 1991, v. 190, p. 134−136
  76. Chou P.C., Zhong Q., Li Q.L., Abazajian K, Ignatiev A., Wang C.Y., Deal E.E., Chen J.G., — Optimization of Jc of YBCO thin films prepared by photo-assisted MOCVD through statistical robust design, Physica C, 1995, v. 254, p. 93−112
  77. Ю.Д., Твердофазные реакции, M.: Химия, 1978
  78. С.В., Тонкие пленки LuBa2Cu307s, дипломная работа, М.: МГУ, 1996
  79. Yamane Н., Hasei М., Kurosava Н., Low temperature formation of Y-Ba-Cu-0 superconducting thin films by thermal CVD and their jc in high magnetic field, Physica C, 1991, v. 190 p. 79−80
  80. O.Yu., Kaul A.R., Tretyakov Yu.D., Scritnii V.I., Pozigun S.A., Alekseev V.A., -Composition, texture and magnetic properties of YbaCuO thin films obtained by MOCVD, Physica C, 1991, v. 190, p. 180 182
  81. Ohnishi H., Kusakabe Y., Kobayashi M., Preparation and characterization of superconducting Y-Ba-Cu-0 films by the MOCVD technique, Jpn. J. Appl. Phys., 1990, v. 29, p. 1070- 1075
  82. Li Y.Q., Zhao J., Chern C.S., Effects of composition on microstructure and superconducting properties of УВа2СизОх thin films prepared by plasma enhanced metalorganic chemical vapor deposition, Physica C, 1992, v. 195, p. 161 -170
  83. С.А., Штер Г. Е., Гаркушин И. К., Объемная диаграмма подсистемы У20з- BaCu02 СиОх, Сверхпроводимость: физика, химия, техника, 1990, т. 3, ч. 2, с. 1865 -1871
  84. Lay K.W., Renlund G.M., Oxygen pressure effect on the У20з — BaO — CuO liquidus, J. Amer. Ceram. Soc., 1990, v. 73, p. 1208 — 1213
  85. Majewski P., Hettich В., Jaeger H., Schulze K, The phase equilibrium diagram of В120з — SrO — CaO — CuO — a tool of processing the high-Tc superconducting bismuth-compounds, Adv. Mat., 1991, v. 1, p. 67 — 69
  86. Wagner R.S., Ellis W.C., Vapor — liquid — solid mechanism of single crystal growth, Appl. Phys. Lett., 1964, v. 4, p. 89 — 90
  87. Wagner R.S., Ellis W.C., The vapor — liquid — solid mechanism of crystal growth and its application to silicon, Trans. Metallurg. Soc. AIME, 1965, v. 233, p. 1053 — 1064
  88. Е.И., Ориентированный рост нитевидных кристаллов соединений АШВУ по механизму пар — жидкость — кристалл, Кристаллография, 1975, т. 20, с. 812 — 822
  89. О.Г., Рост и морфология кристаллов, М.: МГУ, 1980
  90. Л.М., Высокотемпературные растворы-расплавы, М.: МГУ, 1991
  91. В. А., Рост кристаллов из растворов-расплавов, М.: 1974
  92. Hirabayashi I., Yoshiba У., Yamada Y., Koike Y., Matsumoto K., High growth rate deposition techniques for coated conductor: liquid phase epitaxy and vapor-liquid-solid growth, to be publihed in Proc. of Appl. Supercond. Conf. 98 IE3 Superconductivity
  93. B.C., Буджан Я. М., Косяков В. И., Баковец B.B., Грайфер М. З., Кочешкова А. А., Кузнецов Ф. А., Процессы роста кристаллов и пленок методом комбинированной газожидкостной эпитаксии, Известия СО АН СССР, сер. хим. наук, 1975, т. 2, с. 78 — 95
  94. Copel М., Reuter М.С., Kaxiras Е., Tromp R.M., Surfactants in epitaxial growth, Phys. Rev. Lett., 1989, v. 63, p. 632 — 635
  95. Tolkes C., Struk R., David R, Zeppenfeld P., Comsa G., Surfactant-induced layer-by-layer growth on a highly anisotropic substrate: Co/Cu (110), Phys. Rev. Lett., 1998, v. 80, p. 2877 — 2880
  96. Hwang I.S., Chang T.C., Tsong T.T., Exchange-barrier effects on nucleation and growth of surfactant-mediated epitaxy, Phys. Rev. Lett., 1998, v. 80, p. 4229 — 4232
  97. Camarero J., Ferron J., Cros V., Gomez L., Vazques de Parga A.L., Gallego J.M., Prieto J.E., de Miguel J.J., Miranda R., Atomistic mechanism of surfactant-assisted epitaxial growth, Phys. Rev. Lett., 1998, v. 81, p. 850 — 853
  98. Esch S., Hohage M., Michely Т., Comsa G., Origin of oxygen induced layer-by-layer growth in homoepitaxy on Pt (l 11), Phys. Rev. Lett., 1994, v. 72, p. 518 — 521
  99. Oppo S., Fiorentini V., Scheffler M., Theory of adsorption and surfactant effect of Sb on Ag (lll), Phys. Rev. Lett., 1993, v. 71, p. 2437 — 2440
  100. Vrijmoeth J., van der Vegt H.A., Meyer J.A., Vlieg E., Behm R.J., Surfactant-induced layer-by-layer growth of Ag on Ag (lll): origins and side effects, Phys. Rev. Lett., 1994, v. 72, p. 3843−3846
  101. Vasek J.E., Zhang Z., Sailing C.T., Lagally M.G., Effects of hydrogen impurities on the diffusion, nucleation, and growth of Si on Si (001), Phys. Rev. B, 1995, v. 51, p. 17 207 -17 209
  102. Markov I., Kinetics of surfactant-mediated epitaxial growth, Phys. Rev. B, 1994, v. 50, p. 11 271 — 11 274
  103. Zhang Z., Lagally M.G., Atomic-scale mechanisms for surfactant-mediated layer-by-layer growth in homoepitaxy, Phys. Rev. Lett., 1994, v. 72, p. 693 — 696
  104. Migita S., Kasai Y., Ota H, Sakai S., Self-limiting process for the bismuth content in molecular beam epitaxial growth of Bi2Sr2CuOy thin films, Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, p. 3712−3714
  105. Arthur J.R., Jr, Interaction of Ga and As2 molecular beams with GaAs surfaces, J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 4032 — 4034
  106. Theis C.D., Yeh J., Schlom D.G., Hawley M.E., Brown G.B., Adsorption-controlled growth of РЬТЮз by reactive molecular beam epitaxy, Thin Solid Films, 1998, v. 325, p. 107−114
  107. Yun S.H., Wu J.Z., Tidrow S.C., Eckart D.W., Growth of HgBa2Ca2Cu308+8 thin films on ЬаАЮз substrates using fast temperature ramping Hg-vapor annealing, Appl. Phys. Lett., 1996, v. 68, p. 2565 — 2567
  108. Yamashita A., Tatsumi Т., Growth model for РЬТЮз thin films grown by surface-reaction enhanced chemical vapor deposition, Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67, p. 1208 1210
  109. De Keijser M., Dormans G.J.M., Chemical vapor deposition of electroceramic thin films, MRS Bui., June, 1996, p. 37 — 43
  110. Kim T.S., Kim D.J., Lee J.K., Jung H.J., Fabrication of excess PbO-doped Pb (Zro.52Tio.48)03 thin films using radio frequency magnetron spattering method, J. Vac. Sci. Technol. A, 1997, v. 15, p. 2831 — 2835
  111. Iijima K., Ueda I., Kugimiya K., Preparation and properties of lead zirconate-titanate thin films, Jpn. J. Appl. Phys., 1991, v. 30, N 9B, p. 2149 — 2151
  112. Iijima K., Takayama R., Tomita Y., Ueda I., Epitaxial growth and the crystallographic, dielectric and pyroelectric properties of lanthanum-modified lead titanate thin films, J. Appl. Phys., 1986, v. 60, p. 2914−2918
  113. Theis C.D., Spear K.E., Schlom D.G., A thermochemical analysis of the MBE growth of lead and bismuth titanate thin films, to be published in J. Electrochem. Soc., 1999
  114. Seifert A., Longe F.F., Speck J.S., Epitaxial growth of PbTi03 thin films on (001)SrTi03 from solution precursors, J. Mater. Res., 1995, v. 10, p. 680 — 691
  115. Sato E., Huang Y., Kosec M., Bell A., Setter N, Lead loss, preferred orientation and the dielectric properties of sol-gel prepared lead titanate thin films, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, p. 2678 — 2680
  116. Theis C.D., Yeh J., Schlom D.G., Hawley M.E., Brown G.B., Jiang J.C., Pan X.Q., -Adsorption-controlled growth of Bi4Ti30i2 by reactive MBE, Appl. Phys. Lett., 1998, v. 72, p. 2817−2819
  117. Казенас E.K.,. Цветков Ю. В, -Испарение оксидов M.: Наука, 1997
  118. Н.А., Барзаковский В. П., Лапин В. В., Курцева Н. Н., Диаграммы состояния силикатных систем. Справочник, М.: Наука, 1965
  119. Blavette D., Menand А., New developements in atom probe techniques and potential applications to materials science, MRS Bull., July, 1994, p. 21 — 25
  120. Hammond G.S., Nonhebel DC., Wu C-H.S., Chelates of p-diketones. V. Properties of chelates containing sterically hindered ligands, Inorg. Chem., 1963, v. 2, p. 73−76
  121. Eisentraut K.J., Sievers R.E., Volatile rare earth chelates, J. Amer. Chem. Soc., 1965, v. 87, p. 5254−5256
  122. B.B., Дурасов В. Б., Игуменов И. К., Р-дикетонаты свинца, Сибирский химический журнал, 1991, Вып. 4, с. 82 — 86
  123. К., ИК- спектры неорганических и координационных соединений, М.: Мир, 1966
  124. Химическая гомогенизация компонентов при получении перспективных керамических материалов, Методическое пособие для спецпрактикума по неорганической химии, М.: МГУ, 1997
  125. Bradley D.C., Metal alkoxides as precursors for electronic and ceramic materials, Chem.Rev., 1989, v. 89, p. 1317−1322
  126. K.B., ИК и KP — спектры Р-дикетонатных и тиоционатных комплексов некоторых d-переходных элементов, дисс. канд. физ.-мат. наук, Новосибирск, 1990
  127. Корсаков И.Е., частное сообщение
  128. Aguiar R., Sanchez F., Ferrater С., Aguilo M., Varela M., Simulation of epitaxial growth of Ce02 on YSZ (IOO) and SrTi03 on MgO (lOO) for УВа2Сиз07-у deposition, Thin Solid Films, 1998, v. 317, p. 81−84
  129. Соединения редкоземельных элементов, системы с оксидами элементов I III групп, под ред. И. В. Тананаева, М.: Наука, 1983
  130. А.А., Синтез и исследование фаз с колоссальным мгнетосопротивлением в системе R2C>3 — Мп20з — Мп02 в виде объемных и тонкопленочных образцов, дипломная работа, М.: МГУ, 1999
  131. Samoylenkov S., Gorbenko О., Graboy I., Kaul A., Zandbergen H., Secondary phases in (001) УВа2СизС>7−8 epitaxial thin films, to be published in Chemistry of Materials, 1999
  132. A.A., Горбенко О. Ю., Кауль А. Р., Исследование кинетки осаждения оксидов из паров дипивалоилметанатов редкоземельных элементов, ЖНХ, 1996, т. 41, с. 966 — 969
  133. И.Е., Перовскитоподобные твердые растворы BaRi.xYx03-y (R = Zr, Hf, Ce, Th) как материалы с пониженной реакционной способностью по отношению к ВТСП УВа2Сиз07-х, Дисс. канд. хим. наук, Москва, МГУ, 1993
  134. Gorbenko O.Yu., Kaul A.R., Fuflyigin V.N., Molodyk A.A., Novozhilov M.A., Bosak A.A., Amelichev V.A., Wahl G., Krause U., MOCVD of Perovskites With Metallic Conductivity, J. Alloys & Сотр., 1997, v. 251, p. 337 — 341
  135. Molodyk A.A., Gorbenko O.Yu., Amelichev V.A., Novojilov M.A., Kaul A.R., Thin film heterostructures with ferroelectrics and other perovskite materials, MSU HTSC V, 1998, Book of abstracts, F-48
  136. Betz V., Holzapfel В., Raouser D., Schultz L., In-plane aligned РгбОц buffer layers by ion-beam assisted pulsed laser deposition on metal substrates, Appl. Phys. Lett., 1997, v. 71, p. 2952 -2955
  137. Kim H.B., Cho M.H., Whangbo S.W., Whang C.N., Choi S.C., Choi W.K., Song J.H., Kim S.O., RBS / channeling studies on the heteroepitaxially grown Y2O3 film on Si (100), Thin Solid Films, 1998, v. 320, p. 169 — 172
  138. Bjormander C., Grishin A.M., Moon B.M., Lee J., Ravo K.V., -Ferroelectric/superconductor PbZro.52Tio.48O3/YBa2Cu3O7-x/LaAlO3 heterostructure prepared by Nd: YAG pulsed laser deposition, Appl. Phys. Lett. 1994, v. 64, p. 3646 3648
  139. Williams S.M., Wang X.K., Maglic S., Toellner T.S., Lin C.T., Cavanagh M.D., Duray S.J., Lundquist P.M., Chang R.P.H., Ketterson J.B., In situ x-ray diffraction studies of YBa2Cu3Ox/LaA103 interfaces, J. Appl. Phys., 1994, v. 75, p. 5372 — 5374
  140. Didier N., Chenevier В., Thomas O., Senateur J.P., Weiss F., Gaskov A., Growth of (YBaCuO)m/(PrBaCuO)n superlattices by MOCVD, J. Physique IV Colloque C5, 199, v. 55, p. C5−423 — C5430
  141. Eckstein J.N., Bozovic I., Virshup G.F., Atomic layer-by-layer engineering of high Tc materials and heterostructure devices, MRS Bull., September, 1994, p. 44 — 50
  142. В.Б., Шаплыгин И. С., Электрические свойства смешанных окислов, содержащих платиновый и неблагородный металл, ЖНХ, 1978, т. 23, с. 291 — 303
  143. Takemura К., Sakuma Т., Miyasaka Y., High dielectric constant (Ba, Sr) Ti03 thin films prepared on Ru02/sapphire, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 2967 — 2969
  144. Lee S-G., Park K., Park Y.K., Park J-C., High Tc superconductor-normal-superconductor step-edge junction dc SQUIDS with CaRu03 as the normal metal, Appl. Phys. Lett., 1994, v. 64, p. 2028 — 2030
  145. Satyalakshmi K.M., MallyaR.M., Ramanathan K.V., Wu X.D., Brainard В., Gautier D.C., VasanthacharyaN.Y., Hegde M.S., Epitaxial metallic LaNi03 thin films grown by pulsed laser deposition, Appl .Phys .Lett., 1993, v. 62, p. 1233 — 1235
  146. Speck J.S., Pompe W., Domain configurations due to multiple misfit relaxation mechanism in epitaxial ferroelectric thin films. I. Theory, J. Appl. Phys., 1994, v. 76, p. 466 — 476
  147. Gorbenko O.Yu., Amelichev V.A., Rebane J. A., Kaul A.R., Lai. xSrxCo03 thin films and PbTi03/Lai.xSrxCo03 heterostructures prepared by single source MOCVD, Electrochem. Soc. Proc., 1997, v. 97 — 25, p. 1093−1100
  148. Holman R.L., Fulrath R.M., Intrinsic nonstoichiometry in the lead titanate — lead zirconate system determined by Knudsen effusion, J. Appl. Phys., 1973, v. 44, p. 5227 -5236
  149. Курс физической химии, под. ред. Герасимова Я. И., т. 1, М.: Химия, 1969
  150. Nabarro F.RN., Deformation of crystals by the motions of single ions, Phys. Soc. London, 1948
  151. A.A., Влияние редкоземельного замещения на свойства пленок УВагСи307-у, полученных методом MOCVD, дипломная работа, М.: МГУ, 1995
  152. Рид Р., Праусниц Дж., Шервуд Т., Свойства газов и жидкостей, Л.: Химия, 1982
  153. Gorbenko O.Yu., Decker W., Wahl G., Investigation of the kinetics of MOCVD with a stagnation cell, J.Phys.IV, Colloque C3, 1993, v. 3, p.25 — 33
  154. Frolich K., Souc J., Machajdik D., Jergel M., Snauwaert J., Hellemans L., Surface quality of epitaxial Ce02 thin films grown on sapphire by aerosol MOCVD, Chem. Vap. Deposition, 1998, v. 4, p. 216 — 220
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!