Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия
Диссертация
Наряду с Н. Г. Колиным и автором диссертации в выполнении некоторых разделов работы принимали участие: научный сотрудник Нойфех А. И., научный сотрудник Кухто О. Л., инженер I категории Видман А. Э., младший научный сотрудник Харитонова Т. Н., ведущий инженер Кутов А. С., к.ф.-м.н., с.н.с. Кузьмин И. И. и д.ф.-м.н., профессор Соловьев С. П. Считаю своим приятным долгом выразить им благодарность… Читать ещё >
Список литературы
- А.Я. Нашельский. Производство полупроводниковых материалов. Москва, «Металлургия», 1989 г. 271 с.
- А.Я. Нашельский. Технология полупроводниковых материалов. Москва, «Металлургия», 1987 г. 335 с.
- С.С. Горелик, М. Я. Дашевский. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Москва, «Металлугрия», 1988 г. 574 с.
- Арсенид галлия в микроэлектронике. Под ред. Н. Айнспрука, У. Уис-смена. Москва, «Мир», 1988 г. 555 с.
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия. Москва, «Мир», 1991 г. 632 с.
- Л.С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко. Легирование полупроводников методом ядерных реакций. Новосибирск, «Наука», 1981 г. 181 с.
- Вопросы радиационной технологии полупроводников. Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск, «Наука», 1980 г. 296 с.
- Е.Ф. Уваров. В кн. «Обзоры по электронной технике. Полупроводниковые приборы»: Радиационные эффекты в широкозонных полупроводниках. Вып. 13, 1978 г., с. 584
- Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников. Новости физики твердого тела. Выпуск 11. Под редакцией Дж. Миза. Перевод с английского под редакцией В. Н. Мордковича. Москва, «Мир», 1982 г. 264 с.
- В.А. Харченко, С. П. Соловьев, И. Н. Воронов, И. И. Кузьмин, Б. В. Смирнов. Исследование методом травления дефектной структуры кремния, облученного быстрыми нейтронами. ФТП, т. 5, вып. 4, 730 (1971).
- В.А. Харченко, С. П. Соловьев. Радиационное легирование кремния. Изв. АН СССР. Неорганич. матер., т. 7, № 12, 2137 (1971).
- И.М. Греськов, О. Н. Ефимович, С. П. Соловьев, В. А. Харченко, В. Г. Шапиро. Отжиг радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами и быстрыми электронами. Физ. и химия обработки матер., № 5, 31 (1976).
- В.Н. Мордкович, С. П. Соловьев, Э. М. Темпер, В. А. Харченко. Проводимость кремния, подвергнутого нейтронному облучению и отжигу. ФТП, т. 8, вып. 1,210(1974).
- И.М. Греськов, С. П. Соловьев, В. А. Харченко. Влияние ростовых дефектов на изменение проводимости кремния, облученного нейтронами. ФТП, т. 11, вып. 8, 1598 (1977).
- Г. М. Березина, Н. Ф. Каструбай, Н. Г. Колин, Л. И. Мурин, А. А. Стук. Дефекты в ядерно-легированном кремнии, облученном быстрыми электронами. Изв. Ан. СССР. Неорганические материалы, т. 24, № 9, 1419(1988).
- Н.Г. Колин, П. Ф. Лугаков, В. В. Лукьяница, А. А. Стук. Образование и отжиг радиационных дефектов в ядерно-легированном Si (Ge). Изв. ВУЗов СССР, серия Физика, № 11, 98 (1990).
- Н.Г. Колин, С. П. Соловьев, А. А. Стук. Легирование полупроводников в ядерных реакторах. Известия вузов. Ядерная энергетика, № 2−3, 98(1994).
- В.Н. Вигдорович, В. Б. Освенский, Н. Г. Колин, В. А. Харченко, Л. П. Холодный, Н. И. Ярмолюк. Свойства GaAs, легированного в процессе облучения реакторными нейтронами. ФТП, т. 15, вып. 3, 565 (1981).
- Н.Г. Колин, Л. В. Куликова, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко. Изменение электрофизических свойств ядерно-легированного арсенида галлия при отжиге. ФТП, т. 18, вып. 12, 2187 (1984).
- Н.Г. Колин, А. В. Марков, В. Б. Освенский, С. П. Соловьев, В. А. Харченко. Дефекты структуры в облученных монокристаллах арсенида галлия. Физ. ХОМ, № 1, 3 (1985).
- Л.Н. Колесник, Н. Г. Колин, A.M. Лошинский, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко. Изучение процесса отжига ядерно-легированного арсенида галлия методом фотолюминесценции. ФТП, т. 19, вып. 7, 1211 (1985).
- Н.Г. Колин, В. Б. Освенский, В. В. Токаревский, В. А. Харченко, С. М. Иевлев. Свойства арсенида галлия легированного Ge и Se облучением в тепловой колонне реактора. ФТП, т. 19, вып. 9, 1558 (1985).
- Н.Г. Колин, В. Т. Бублик, В. Б. Освенский, Н. И. Ярмолюк. Дефекто-образование в ядерно-легированном арсениде галлия. Физ. ХОМ, № 3, 28(1987).
- Н.Г. Колин, Т. Н. Колоченко, В. М. Ломако. Спектроскопия радиационных дефектов в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 21, вып. 2, 327(1987).
- Н.Г. Колин, В. Б. Освенский, Е. С. Юрова, И. М. Юрьева. О природе формирования неоднородности в ядерно-легированных образцах GaAs и InAs. Физ. ХОМ, № 4, 4 (1987).
- Р.И. Глорнозова, Л. И. Колесник, Н. Г. Колин, В. Б. Освенский. Поведение глубоких центров в ядерно-легированном арсениде галлия. ФТП, т. 22, вып. 3, 507(1988).
- Н.Г. Колин, Л. В. Куликова, В. В. Освенский. Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах. ФТП, т. 22, вып. 6, 1025(1988).
- Ф.П. Коршулов, Н. Г. Колин, Н. А. Соболев, Е. А. Кудрявцева, Т. А. Прохоренко. Импульсный отжиг ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 22, вып. 10, 1850 (1988).
- Н.Г. Колин, И. А. Королева, А. В. Марков, В. В. Освенский. Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно-легированного арсенида галлия. ФТП, т. 24, вып. 1, 187 (1990).
- В.Н. Брудный, Н. Г. Колин, В. В. Пешев, В. А. Новиков, А. И. Нойфех. Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами. ФТП, т. 31, вып. 7, 811 (1997).
- Точечные дефекты в твердых телах. Новости физики твердого тела. Выпуск 9. Перевод с английского под редакцией Б. И. Болтакса, Т. В. Машовец, А. Н. Орлова. Москва, «Мир», 1979 г. 379 с.
- В.Н. Брудный, С. Н. Гриняев. Локальная электронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений III-V: границы раздела, радиационные эффекты. ФТП, т. 32, вып. 3, 315(1998).
- Я.А. Федотов. Основы физики полупроводниковых приборов. Москва, «Советское радио», 1970 г.
- В.В. Пасынков, Л. К. Чиркин, А. Д. Шинков. Полупроводниковые приборы. Москва, «Высшая школа», 1973 г.
- А.И. Курносов, В. В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов. Москва, «Высшая школа», 1974 г.
- F.H. Eisen. Stage-ll Recovery in Electron-Irradiated InSb. Phys. Rev., Vol. 148, No. 2, 828 (1966).
- Вихлий Г. А., Конозенко И. Д., Оганесян О. В. Влияние электронов с энергиями 7 МэВ на электрические свойства InSb. ПРЕПРИНТ КИЯИ-76−22. Радиационные эффекты в полупроводниковых соединениях. Киев, Институт ядерных исследований АН УССР, 1976 г. с. 50.
- К. Matsui and Т. Shoji. Recoil damage in InSb and InP observed by perturbed angular correlation with 111Cd*. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, Chapter 5, 379(1977).
- H.A. Витовский, T.B. Машовец, О. В. Оганесян, H.X. Памбухчян. Кинетика изменения концентрации носителей заряда в антимониде индия при облучении электронами с энергией 50 МэВ. ФТП, т. 12, вып. 9, 1861 (1978).
- S. Myhra. Defect Annealing and Transport Properties in High-Purity InSb Irradiated at 80 K. Phys. stat. sol. (a) 49, 285 (1978).
- Г. А. Вихлий, А. Я. Карпенко, И. Г. Мегела, J1.И. Тараброва. Скорость образования радиационных дефектов в сильно легированном n-lnSb. Неорганические материалы, т. 21, № 8, 1279 (1985).
- Е.П. Скипетров, В. В. Дмитриев, Ф. А. Заитов, Г. И. Кольцов, Е. А. Ладыгин. Электрофизические свойства антимонида индия n-типа, облученного быстрыми электронами. ФТП, т. 20, вып. 10, 1787 (1986).
- S.D. Kouimtzi. А.С. Hopping Conductance in Electron-Irradiated InSb. Solid State Communications, Vol. 65, No. 11, 1435 (1988).
- Дмитриев В.В., Скипетров Е. П. Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами. ФТП, т. 24, вып. 5, 897(1990).
- В.Н. Брудный, Н. В. Каменская, Н. Г. Колин. Электрофизические свойства InSb, облученного электронами при 300 К. Изв. вузов, вып. 7, 99 (1991).
- А.Б. Коршунов, Г. М. Кузнецов, А. Г. Макаров, В. В. Оленин, И. В. Постников. Исследование изохронного отжига p-lnSb, облученного ионами средних энергий. ФТП, т. 12, вып. 5, 938 (1978).
- А.Н. Блаут-Блачев, Н. Н. Герасименко, Л. В. Лежейко, Е.В. Любопы-това, В. И. Ободников. О природе р-п-конверсии облученных ионами кристаллов InSb. ФТП, т. 14, вып. 2, 306 (1980).
- Здобников А.Ю., Кисловский Л. Д., Кольцов Г. И., Тихонова О. В. Использование спектров инфракрасного отражения для исследования ионнолегированных слоев кристаллов InSb. Кристаллография, т. 28, вып. 5, 1039(1983).
- И.П. Сошников, Н. А. Берт. Распыление А3В5 материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N2+ с энергией 214 кэВ. Ж. технической физики, т. 70, вып. 9, 114 (2000).
- Т. R. Yang and G. Kuri. Far-infrared absorption and Raman scattering studies in MeV C± and C2±implanted inSb (111) crystals. Physica B: Condensed Matter, Vol. 291, Is. 3−4, 236 (2000).
- В.А. Богатырев, Г. А. Качурин. Отжиг дефектов в антимониде индия после ионной бомбардировки. ФТП, т. 11, вып. 7, 1360 (1977).
- Т.В. Машовец, Р. Ю. Хансеваров. Низкотемпературное у-облучение и отжиг сурьмянистого индия. В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, «Наукова Думка», 1967 г. с. 200.
- Н.А. Витовский, Г. А. Вихлий, В. В. Галаванов, Т. В. Машовец, Р. Ю. Хансеваров. Образование радиационных дефектов в антимониде индия при допороговых энергиях излучения. ФТП, т. 3, вып. 1, 132 (1969).
- T.V. Mashovets, D. Mustafakulov, Yu. G. Morosov and N.A. Vitovskii. Variations of the energy spectra of the impurity atoms in InSb under 4,2 К gamma irradiation. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31, Chapter 5, 368 (1977).
- L. Fedorenko and A. Medvid'. Laser-induced donor centers in p-lnSb. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol. 3, No. 1, 31 (2000).
- B.H. Брудный, H.B. Каменская, Н. Г. Колин. В сб. «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках»: Электрические свойства сильнооб-лученного InSb. ч.2, Павлодар, Академия наук СССР, 140 (1989).
- J.W. Cleland, J.H. Crawford, Jr. Neutron irradiation of indium anti-monide. Phys. Rev., Vol.95, No. 5, 1177 (1954).
- Bertolotti M. et. al. J. Appl. Phys., 38, 2645 (1967)
- Bertolotti M. Radiation Effects in semiconductors. Edited by F.L. Vook, N.Y., Plenum Press, 1968, p.311.
- Н.И. Курдиани. Отжиг радиационных дефектов и подвижность электронов в антимониде индия, облученном быстрыми нейтронами. ФТП, т. 3, вып. 11, 1683(1969).
- Р.Ф. Коноплева, В. Л. Литвинов, Н. А. Ухин. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. Москва, «Атомиздат», 1971 г. 176 с.
- Н.А. Витовский, А. П. Долголенко, Т. В. Машовец, О. В. Оганесян. Дефекты в кристаллах антимонида индия, образующиеся под действием облучения быстрыми нейтронами. ФТП, т. 13, вып. 10, 1958 (1979).
- Н. Gerstenberg. Transport Properties of Degenerate InSb and InAs after Fast Neutron Irradiation at Low Temperature. Phys. stat. sol. (a) 128, 483 (1991).
- J.W. Cleland and J.H. Crawford, Jr. Radiation Effects in Indium Anti-monide. Phys. Rev. 93, 894 (1954).
- Ш. М. Мирианашвили, Д. И. Нанобашвили, З. Г. Размадзе. О возможности трансмутационного легирования антимонида индия. ФТТ, т. 7, вып. 12, 3566(1965).
- Л.К. Водопьянов, Н. И. Курдиани. Ядерное легирование и оптические свойства сурьмянистого индия. ФТТ, т. 8, вып. 1, 72 (1966).
- W. Gilbert Clark and R.A. Isaacson. Preparation of Homogeneous n-Type InSb by Thermal-Neutron Irradiation. J. Appl. Phys., Vol. 38, No. 5, 2284 (1967).
- B.C. Вавилов, Л. К. Водопьянов, Н. И. Курдиани. Оптические свойства сурьмянистого индия, облученного медленными нейтронами. В сб.:
- Радиационная физика неметаллических кристаллов. Труды совещания. Киев, «Наукова Думка», 1967 г. с. 206.
- F. Kuchar, Е. Fantner and К. Hess. Ionized impurity scattering in semiconductors: InSb doped by neutron irradiation. J. Phys. C: Solid State Phys., Vol. 9, 3165(1976).
- H. Gerstenberg and W. Glaser. Transmutation Doping and Lattice Defects in Degenerate InSb. Phys. stat. sol. (a) 118, 241 (1990).
- Козловский B.B., Кольченко Т. И., Ломако В. М., Мороз С. Е. Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-lnP. ФТП, т. 24, вып. 6, 1123 (1990).
- R.J. Walters, G.P. Summers. Deep level transient spectroscopy study of proton irradiated p-type InP. J. Appl. Phys. 69 (9), 6488 (1991).
- T.M. Галина, В. Г. Володько, Е. С. Демидов, О. В. Подчищаева. Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия. ФТП, т. 27, вып. 8, 1379 (1993).
- R. Kumar, Ram Nath, М.В. Dutt, A, Dhaul, Y.P. Khosla and B.L. Sharma. Characterization of furnace-annealed Si-implanted lnP: Fe. Semi-cond Sci. Technol. 8, 1679 (1993).
- Kin Man Yu, A.J. Moll, W. Walukiewicz, N. Derhacobian and C.Rossington. Amphoteric substitutional and lattice distortion of Ge in InP. Appl. Phys. Lett. 64 (12), 1543 (1994).
- V. Sargunas, D.A. Thompson and J.G. Simmons. High Resistivity in n-Type InP by He+ Bombardment at 300 and 60 K. Solid-State Electronics, Vol.38, N0.1,75(1995).
- V. Sargunas, D.A. Thompson, J.G. Simmons. Implantation isolation in n-type InP bombarded with He+ and B+. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research В 106, 294 (1995).
- R.A. Hopfel, Ch. Teissl, K.F. Lamprecht, and L. Rota. Intraband inversion due to ultrashort carrier lifetimes in proton-bombarded InP. Phys. Rev. B, Vol. 53, No. 19, 12 581 (1996).
- J. Likonen, K. Vakevainen, T. Ahlgren, J. Raisanen, E. Rauhala, J. Kei-nonen. Annealing behaviour of high-dose-implanted nitrogen in InP. Appl. Phys. A 62, 463(1996).
- E. Wendler, T. Opfermann, P.I. Gaiduk. Ion mass and temperature dependence of damage production in ion implanted InP. J. Appl. Phys. 82 (12), 5965(1997).
- С. Pizzuto, G. Zollo, G. Vitali, D. Karpuzov, M. Kalitzova. Activation of electrical carriers in Zn-implanted InP by low-power pulsed-laser annealing, j. Appl. Phys. 82 (11), 5334 (1997).
- П.И. Гайдук, B.C. Тишков, Ф. Ф. Комаров, В. Веш. Эволюция дефектов в кристаллическом InP при облучении ионами Хе сверхвысоких энергий. 3-я международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом», 6−8 октября 1999 г., Минск, Беларусь, с. 39.
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. Образование электронных ловушек в n-lnP при облучении у-квантами. ФТП, т. 21, вып. 6, 1075 (1987).
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-lnP при облучении. ФТП, т.22, вып. 7, 1311 (1988).
- Кольченко Т.И., Ломако В. М., Мороз С. Е. О дефектах, возникающих в n-lnP при низкотемпературном облучении. ФТП, т. 22, вып. 4, 740 (1988).
- Бакин Н.Н., Брудный В. Н., Пешев В. В., Смородинов С. В. Образование центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в области пространственного заряда и нейтральном объеме n-lnP при электронном и у-облучениях. ФТП, т.23, вып. 5, 890(1989).
- S.W.S. McKeever, R.J. Walters, S.R. Messenger, G.P. Summers, Deep level transient spectroscopy of irradiated p-type InP grown by metalorganic chemical vapor deposition. J. Appl. Phys. 69 (3), 1435 (1991).
- J. Leloup, М. Derdouri and Н. Djerassi. Room-temperature electron irradiation of n-type InP. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5, 3 721 977).
- N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Radiation effects in indium phosphide, indium arsenide compounds and their solid solutions.. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 31: Chapter 5, 387 (1977).
- M. Levinson, J.L. Benton, H. Temkin, and L.C. Kimerling. Defects states in electron bombarded n-lnP. Appl. Phys. Lett. 40 (11), 990 (1982).
- M. Deiri, A. Kana-ah, B.C. Cavenett, T.A. Kennedy and N.D. Wilsey. Optical detection of the Pin antisite resonances in InP. J. Phys. C: Solid State Phys., 17, L793(1984).
- J. Suski, A. Sibille and J. Bourgoin. Defects in low temperature electron irradiated InP. Solid State Communications, Vol. 49, No. 9, 875 (1984).
- J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, and D. Stievenard. Irradiation Induced Defects in lll-V Semiconductor Compounds. Phys. stat. sol. (a) 102, 499(1987).
- Саморуков Б.Е., Слободчиков C.B. Влияние облучения электронами на свойства фосфида индия, легированного 3d-aneMeHTaMH. ФТП, т. 23, вып. 5, 921 (1989).
- Коршунов Ф.П., Радауцан С .И., Соболев Н. А., Тигиняну И. М., Урса-ки В.В., Кудрявцева Е. А. Краевая фотолюминесценция кристаллов п-InP, облученных электронами с энергией 3,5+4 МэВ. ФТП, т. 23, вып. 9, 1581 (1989).
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. New Metastable W-Center in Electron-Irradiated n-Type InP. Phys. stat. sol. (a) 114, k139 (1989).
- Пешев В.В., Смородинов C.B. Температурные зависимости накопления центров ЕЮ (Ес 0,62 эВ) в n-lnP. ФТП, т. 24, вып. 5, 879 (1990).
- V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, and S.V. Smorodinov. Characterization of W Defects in Electron-Irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 128, 311 (1991).
- H. Thomas and J.K. Luo. Admittance spectroscopy of defects in electron-irradiated indium phosphide. Semicond. Sci. Technol. 8, 608 (1993).
- A.Polity and T. Engelbrecht. Defects in electron-irradiated InP studied by positron lifetime spectroscopy. Phys. Rev. B, Vol. 55, No. 16, 10 480 (1997).
- B. Massarani, F.G. Awad, M. Kaaka, and R. Darwich. Evidence for two distinct defects contributing to the H4 deep-level transient spectroscopypeak in electron-irradiated InP. Phys. Rev. B, Vol. 58, No. 23, 156 141 998).
- L.W. Aukerman. ln: Semiconductors and Semimetals, Ed. by R.K. Wil-lardson, A.C. Bear (Academic Press, New York, 1968) Vol.4., p. 343.
- N.P. Kekelidze and G.P. Kekelidze. Electrical and optical properties of InAs and InP compounds and their solid solutions of lnPxAs-|.x irradiated with fast neutrons and y-rays. Defects in Semiconductors: Session 8, 387 (1972).
- V.N. Broudnyi, V.A. Charchenko, N.G. Kolin, V.A. Novikov, A.D. Pogrebnyak. and Sh.M. Ruzimov. Electrical Properties and Positron Annihilation in Neuron-Irradiated n-lnP. Phys. stat. sol. (a) 93, 195 (1986).
- B. Lee, N. Pan, G.E. Stillman, and K.L. Hess. J. Appl. Phys. 62, 1129 (1987).
- V.N. Broudnyi, N.G. Kolin, V.A. Novikov. Transmutation doping and Fermi-level stabilization in neutron-irradiated InP. Phys. stat. sol. (a) 132, 35 (1992).
- WEN Xiang-e, LI Shi-qing, Ma II, YAN He-ping, WANG Zhu, WANG Shao-jie. Defects in NTD InP Probed by Positron Annihilation Spectroscopy. Wuhan University Journal of Natural Sciences, Vol. 4, No. 3, 2 901 999).
- K.H. Мухин. Введение в ядерную физику. Москва, «Атомиздат», 1965 г. 720 с.
- Справочник по электротехническим материалам. Под ред-ей Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. Третье, переработанное издание в трех томах. Ленинград, «Энергоатомиздат», 1988 г. т. З
- Технические условия. Антимонид индия. ТУ 48−4-292−85, 1985 г.
- Техническое решение на устройство для облучения образцов ар-сенида галлия в реакторе ВВР-ц. инв. № 252, 1987 г. 7 с.
- С. Зи. Омические контакты. в кн.: Физика полупроводниковых приборов. Москва, «Мир», 1984 г. с. 318.
- А.Н.Пихтин, В. А. Попов, Д. А. Яськов. Получение омических контактов к полупроводникам. ПТЭ, № 2, 238 (1970).
- Р.С. Игнаткина, Л. Д. Либов, С. С. Мескин. Сплавные контакты к фосфиду индия. ПТЭ, № 3, 242 (1965).
- Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л. С. Смирнова. Новосибирск, «Наука», 1977. 256 с.
- Д.Ж. Хьюдж, Р. Б. Шварц. Атлас нейтронных сечений. Изд-е 2-е, исправленное и дополненное, «Атомиздат», 1959 г. 373 с.
- Kinchin G.H., Pease R.S. The Displacement of Atoms in Solids by Radiation, Rep Progr. Phys., 18, 1 (1955) перевод: Усп. физич. наук, 60, 590(1956)].
- Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. Успехи физ. наук, т.99, вып.2, с. 247−296 (1969).
- Т.М. Агаханян, Е. Р. Аствацатурьян, П. К. Скоробогатов. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. Москва, «Энергоатомиз-дат», 1989 г. 256 с.
- К. Лейман. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Перевод с английского Г. И. Бабкина. Москва, «Атомиздат», 1979 г. 296 с.
- М.А. Кумахов, Г. Ширмер. Атомные столкновения в кристаллах. Москва, «Атомиздат», 1980 г. 192 с.
- Ф.Ф. Комаров, А. П. Новиков, B.C. Соловьев, С. Ю. Ширяев. Дефекты структуры в ионно-имплантированном кремнии. Минск, «Университетское», 1990 г. 320 с.
- Tetsuya Kawakubo. Electrical and Optical Properties of Neutron Irradiated GaAs and GaP Crystals. Annu. Rep. Res. Reactor Inst., Kyoto Univ. Vol. 23, 97−123 (1990).
- И.В. Меднис. Сечения ядерных реакций, применяемых в нейтрон-но-активационном анализе. Справочник, Рига, «Зинатне», 1991 г. 119 с.
- Физические величины: Справочник/А.П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- Под. ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. -М.- Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
- У.А. Улманис. Радиационные явления в ферритах. Москва, «Энер-гоатомиздат», 1984 г. 160 с.
- Varley F. Sears. Neutron scattering lengths and cross sections. Neutron News, Vol. 3, No. 3, 26(1992).
- McKinly W.A., Feschbach H. Phys. Rev., Vol. 74, No. 12, 1759 (1948).
- B.C. Вавилов, H.A. Ухин. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва, «Атомиздат», 1969 г. 312 с.
- Kahn F. J. Appl. Phys., Vol. 30, No. 8, 1310 (1959).
- И.И. Гуревич, Л. В. Тарасов. Физика нейтронов низких энергий. Москва, «Наука», 1965 г. 608 с.
- В.Э. Комаров, О. Л. Кухто, С. П. Соловьев. Установка для исследования динамики конденсированных систем методом обратного фильтра. Приборы и техника эксперимента, № 4, 29 (1970).
- О.Н. Ефимович, С. П. Соловьев, Е. С. Старизный, А. А. Стук, В. В. Сумин, В. А. Харченко. Распределение медленных нейтронов в поли- и монокристаллических образцах кремния. Атомная энергия, т. 49, 189 (1980).
- П.И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов. Справочник. Киев, «Наукова Думка», 1975 г., 704 с.
- Skyrme T.H.R. UKAEA-Report MS 91 (1944) — reprinted, 1961.
- Dalton G.R. Nucl. Sci. Eng., 13, 190 (1962).
- Osborn R.K. Nucl. Sci. Eng., 15, 245 (1963).
- К. Бекурц, К. Виртц. Нейтронная физика. Москва, «Атомиздат», 1968 г. 456 с.
- Ritchie R.H., Eldridge H.B. Nucl. Sci. Eng., 8, 300 (1960).
- P. Меррей. Физика ядерных реакторов. Москва, из-во Главного управления по использованию атомной энергии при Совете министров СССР, 1959 г. 292 с.
- В.М. Коляда, B.C. Карасев. Калориметрия излучений ядерного реактора. Москва, «Атомиздат», 1974 г. 184 с.
- X. Уонг. Основные формулы и данные по теплообмену для инженеров. Москва, «Атомиздат», 1979 г. 212 с.
- В.Г. Ерохин, М. Г. Маханько. Сборник задач по основам гидравлики и теплотехники. Москва, «Энергия», 1979 г. 240 с.
- B.C. Чиркин. Теплофизические свойства материалов ядерной техники. Москва, «Атомиздат», 1968 г. 484 с.
- М.А. Михеев, И. М. Михеева. Краткий курс теплопередачи. Москва, «Госэнергоиздат», 1961 г. 208 с.
- А.С. Охотин, А. С. Пушкарский, В. В. Горбачев. Теплофизические свойства полупроводников. Москва, «Атомиздат», 1972 г. 200 с.
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного антимонида индия. ФТП, т. 33, вып. 7, 774(1999).
- Р.Ф. Коноплева, В. Н. Остроумов. Взаимодействие заряженных частиц высоких энергий с германием и кремнием. Москва, «Атомиздат», 1975 г. 128 с.
- Ф.П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск, «Наука и техника», 1986 г. 256 с.
- Ф.П. Коршунов, Г. В. Гатальский, Г. М. Иванов. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск, «Наука и техника», 1978 г. 231 с.
- Stein H.J., Gereth R. Introduction Rates of Electrically Active Defects in n- and p-Type Silicon by Electron and Neutron Irradiation. J. Appl. Phys., 1968, vol. 39, N 6, p. 2890−2904.
- B.H. Брудный, M.A. Кривов. Радиационные дефекты в арсениде галлия. В кн.: Тез. докл. 4-го Всесоюзного совещания по исследованию GaAs. Томск: Томский политехнический институт, 1978, с. 16−18.
- А.П. Долголенко. В сб.: Радиационные повреждения в твердых телах, 47. Киев, «Наукова Думка», 1974 г.
- N.G. Kolin, D.I. Merkurisov, S.P. Solov’ev. Radiation effects on the electrical activation processes in InSb under influence of nuclear reactor neutrons. Physica В 307, 258 (2001).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства InSb, облученного быстрыми нейтронами реактора. ФТП, т. 33, вып. 8, 927 (1999).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства ядерно-легированного фосфида индия. ФТП, т. 34, вып. 2, 157 (2000).
- W. Walukiewicz, J. lagowski, L. Jastrzebski, P. Rava, M. Lichtensteiger, C.H. Gatos and H.C. Gatos. Electron mobility and free-carrier absorption in InP- determination of the compensation ratio. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 5, 2659(1980).
- Н.Г. Колин, Д. И. Меркурисов, С. П. Соловьев. Электрофизические свойства InP, облученного быстрыми нейтронами реактора. ФТП, т. 34, вып. 2, 153 (2000).
- Н.Г. Колин, А. Э. Видман, А. С. Кутов, Д. И. Меркурисов, Т. Н. Харитонова. Свидетельство об официальной регистрации базы данных
- Ядерно-легированный антимонид индия (ЯЛИС)", № 2 000 620 086. Роспатент, зарегистрировано в Реестре баз данных г. Москва, 23 ноября 2000 г.
- Соловьев С.П., Колин Н. Г., Меркурисов Д. И. Ядерное легирование InSb и InP. IX Международное совещание «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 28 июня 3 июля 1999 г., тезисы, с.1236−1246
- А. Дамаск, Дж. Дине. Точечные дефекты в металлах. Москва, «Мир», 1966 г. 292 с.
- В.И. Фистуль. Введение в физику полупроводников. Москва, «Высшая школа», 1984 г. 352 с.
- В.М. Гусев, В. В. Титов. Исследование кинетики термического отжига радиационных дефектов в кремнии, легированном методом ионной бомбардировки. ФТП, т. 3, вып. 1, 3 (1969).
- Shiori Ishino, Fumiko Nakazawa and Ryukiti R. Hasiguti. Annealing of y-ray irradiated N-type Germanium. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 24, 1033 (1963).
- Колин Н.Г., Кутов А. С., Меркурисов Д. И., Соловьев С. П. Ядерное легирование фосфида индия. V Межгосударственный семинар «Структурные основы модификации материалов нетрадиционными методами», Обнинск, ИАТЭ, 14−17 июнь 1999 г., тезисы, с. 77
- Общества России «Исследовательские реакторы: наука и высокие технологии», г. Димитровград, 25−29 июня 2001 г., тезисы, с. 206
- Д.И. Меркурисов, Н. Г. Колин, Т. Н. Харитонова. Ядерное легирование ln-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV. 1-ая Российская конференция молодых ученых по физическому материаловедению, 4−7 октября, 2001 г., г. Калуга, с. 22.
- D.L. Rode. Electron Mobility in Direct-Gap Polar Semiconductors. Phys. Rev., Vol. 2, No. 4,1012(1970).
- D.L. Rode. Electron Transport in InSb, InAs, and InP. Phys. Rev., Vol. 3, No. 10, 3287(1971).
- E. Litwin-Staszewska, W. Szymanska, and R. Piotrzkowski. The Electron Mobility and Thermoelectric Power in InSb at Atmospheric and hydrostatic Pressures. Phys. Stat. Sol. (b) 106, 551 (1981).
- P. Асаускас, А. Кроткус. Численный расчет подвижности электронов в антимониде индия. ФТП, т. 15, вып. 12, 2327 (1981).
- W. Szymanska and Т. Dietl. Electron Scattering and Transport Phenomena in Small-Gap Zinc-Blende Semiconductors. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 39, No. 10, 1025(1978).
- T. Dietl and W. Szymanska. Electron Scattering in HgSe. J. Phys. Chem. Solids, Vol. 39, No. 10, 1041 (1978).
- В.Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. Москва, «Наука», 1990 г. 688 с.
- Landolt-Bornstein. New Series lll/22a.
- В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники. Москва, «Наука», 1967 г. 415 с.