Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах

Диссертация: Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Кремний традиционно считается «не оптическим» материалом, поскольку экстремумы зоны проводимости и валентной зоны находятся в разных точках зоны Бриллюэна. В то же время развитие микроэлектроники связывается сейчас с активным использованием оптической связи между различными элементами интегральных схем. Структуры с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si обладают фоточувствительностью… Читать ещё >

Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. Оптические явления, связанные с резонансными состояниями
  • 1. Электролюминесценция в напряженных микроструктурах
  • -GaAsN/GaAs и квантовых ямах w-GaAs/AlGaAs в дальнем инфракрасном диапазоне
    • 1. 1. Введение
      • 1. 1. 1. Деформация и расщепление вырожденных состояний энергетического спектра
      • 1. 1. 2. Стимулированное дальнее ИК излучение из одноосно деформированного p-Ge
      • 1. 1. 3. Донорный центр в квантовой яме
      • 1. 1. 4. Постановка задачи
    • 1. 2. Техника эксперимента.,
      • 1. 2. 1. Образцы
      • 1. 2. 2. Экспериментальные установки
    • 1. 3. Экспериментальные результаты их обсуждение
      • 1. 3. 1. Вольт-амперные характеристики
      • 1. 3. 2. Интегральные характеристики электролюминесценции
      • 1. 3. 3. Спектральные характеристики электролюминесценции

2.1.1 Размерное квантование валентной зоны.65.

2.1.2 Акцепторный центр в квантовой яме .71.

2.1.3 Постановка задачи.76.

2.2 Техника эксперимента.77.

2.2.1 Образцы.77.

2.2.2 Экспериментальные установки.79.

2.3 Экспериментальные результаты их обсуждение.81.

2.3.1 Равновесная концентрация дырок.81.

2.3.2 Спектры равновесного поглощения.84.

2.3.3 Модуляция поглощения в электрическом поле.94.

2.4 Заключение.98.

II Оптические явления, связанные с возбужденными состояниями 99.

3 Электролюминесценция в структурах с квантовыми ямами jp-GaAs/AlGaAs и в эпитаксиальных слоях w-GaN в дальнем инфракрасном диапазоне 100.

3.1 Введение.100.

3.1.1 Дальнее ИК излучение мелких доноров и акцепторов при пробое примеси электрическим полем.100.

3.1.2 Дальнее ИК излучение мелких доноров в кремнии. 105.

3.1.3 Постановка задачи.106.

3.2 Техника эксперимента.107.

3.2.1 Образцы.107.

3.2.2 Экспериментальные установки.107.

3.3 Экспериментальные результаты и их обсуждение.108.

3.4 Заключение.118.

4 Фотоиндуцированное поглощение в структурах с квантовыми точками р-Ge/Si 119.

4.1 Введение.119.

4.2 Техника эксперимента.123.

4.2.1 Образцы.123.

4.2.2 Экспериментальная установка.123.

4.3 Экспериментальные результаты их обсуждение.126.

Заключение

129.

Список публикаций автора 131.

Литература

136.

Актуальность темы

Изучение специфических квазилокализованных (или резонансных) состояний, наводимых в полупроводниках и полупроводниковых структурах мелкими примесными донорными и акцепторными центрами, представляет интерес как с фундаментальной точки зрения, так и в связи с возможностью создания твердотельных источников терагерцового излучения. Возрастающий в последнее время интерес к терагерцовому (ТГц) излучению связан с широкими возможностями его применения в различных областях науки и техники.

В то же время существующие на настоящий момент полупроводниковые источники дальнего инфракрасного излучения сдерживают его потенциальные применения, поскольку они требуют криогенных (4 К) температур и сильных электрических и магнитных полей (лазер на p-Ge в скрещенных электрических и магнитных полях), либо сильного механического давления (лазер на одноосно-деформированномр-Go). Развивающиеся в последнее время квантово-каскадные лазеры на этот диапазон крайне сложны в изготовлении. Системы, в которых эмиссия ТГц излучения осуществляется за счет генерации разностной частоты в нелинейной среде отличаются малой эффективностью преобразования и требуют сложных конструктивных решений для обеспечения режима синхронизации мод.

В основе физического механизма стимулированного излучения из одноосно-деформированного p-Ge [1, 2] лежит инверсная населенность резонансного и основного состояний акцептора [2, 3, 4, 5]. Резонансные состояния акцепторов возникают вследствие расщепления валентной зоны внешним давлением [6]. Однако резонансные состояния примесей могут возникать и без внешнего давления в структурах с квантовыми ямами. Такие состояния мелких примесей наблюдались, например, при исследовании спектров фотопроводимости в структурах с квантовыми ямами Ge/GeSi [7], развиты теоретические методы расчета параметров резонансных состояний [8, 9, 10, 11, 12, 13]. В таких системах, в принципе, также возможно появление стимулированного ТГц излучения при низких температурах в электрическом поле.

В настоящей работе для наблюдения ТГц излучения при переходах носителей заряда между резонансными и локализованными состояниями предлагается использовать напряженные микроструктуры p-GaAsN/GaAs, в которых внешнее давление заменяется встроенными механическими напряжениями, и структуры с квантовыми ямами rc-GaAs/AlGaAs. В обоих типах структур имеются резонансные состояния мелких примесей.

Прямое наблюдение резонансных состояний в спектрах оптического поглощения в терагерцовом диапазоне сопряжено с экспериментальными трудностями. В настоящей работе проведено исследование спектров оптического поглощения в легированной акцепторами структуре с узкими квантовыми ямами р-GaAs/AlGaAs, в которой спектральные особенности поглощения, связанные с резонансными состояниями, лежат в среднем ИК диапазоне.

Известны также эксперименты по наблюдению стимулированного ТГц излучения в объемном р-Si при оптической накачке СОо лазером [14] и спонтанного ТГц излучения в Si пи р-типа при электрической накачке [15, 16, 17, 18, 19]. Эмиссия излучения обусловлена внутрицентровыми переходами носителей между локализованными долгоживущим возбужденным и основным состояниями примесных центров, и наблюдалась при температурах ниже 40 К.

В работе также предложено исследовать эмиссию ТГц излучения при внут-рицентровых переходах носителей при пробое примесей электрическим полем в структурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs и в эпитаксиальных пленках я-GaN. Размерное квантование позволяет в известной степени изменять энергетический спектр мелких примесей внутри квантовой ямы. Малая плотность состояний зоны проводимости в нитриде галлия позволяет расширить температурный диапазон наблюдения ТГц излучения до 80 К.

Кремний традиционно считается «не оптическим» материалом, поскольку экстремумы зоны проводимости и валентной зоны находятся в разных точках зоны Бриллюэна. В то же время развитие микроэлектроники связывается сейчас с активным использованием оптической связи между различными элементами интегральных схем. Структуры с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si обладают фоточувствительностью в области энергий кванта менее ширины запрещенной зоны кремния (см., например, [20]), обусловленной межзонными оптическими переходами из основного состояния квантовой точки в валентной зоне в зону проводимости кремниятакже наблюдалась и электролюминесценция из таких структур. Спектральное перекрытие электролюминесценции и фотопроводимости в таких структурах делает возможным разработку оптоэлек-тронной пары [21], работающей в ближнем ИК, где собственное поглощение в Si мало, что позволит использовать кремниевые волноводы. Такие системы могут достаточно легко быть интегрированы в существующую кремниевую технологию.

В то же время такие системы интересны с фундаментальной точки зрения. В работе приводятся результаты экспериментальных исследований спектров фо-тоиндуцированного поглощения в структурах с Si/Ge квантовыми точками в средней ИК области. В полученных спектрах для разных поляризаций излучения можно выделить вклады от оптических переходов из основного и возбужденного состояний дырок в континуум делокализованных состояний над барьером, а также от межуровневых переходов дырок.

Основной целью диссертационной работы является исследование оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах при возникновении в них резонансных состояний мелких примесных центров, а также оптических явлений, обусловленных неравновесным заселением возбужденных локализованных состояний носителей заряда. В связи с этим были поставлены следующие задачи:

1. Экспериментальное исследование эмиссии терагерцового излучения в структурах с напряженными слоями p-GaAsN на GaAs в сильных электрических полях в условиях пробоя акцепторов, обусловленной неравновесным заселением резонансных состояний, возникающих благодаря расщеплению валентной зоны встроенными механическими напряжениями.

2. Проведение аналогичных исследований в структурах с широкими квантовыми ямами и-GaAs/AlGaAs, в которых резонансные состояния доноров возникают благодаря пространственному ограничению волновых функций мелкой примеси.

3. Экспериментальное исследование оптического поглощения в среднем ИК диапазоне в узких квантовых ямах р-GaAs/AlGaAs, обусловленного наличием резонансных состояний акцепторов, в равновесных условиях и при разогреве дырок продольным электрическим полем.

4. Экспериментальное исследование терагерцовой электролюминесценции в структурах с узкими квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs, а также в эпитак-сиальных слоях n-GaN, в которых излучение обусловлено неравновесным заселением локализованных возбужденных состояний мелких примесных центров в условиях пробоя примесей электрическим полем.

5. Исследование фотоиндуцированного поглощения в структурах с самоорганизованными квантовыми точками Ge/Si.

Основные полученные, а работе результаты обладают существенной научной новизной, или получены на новых объектах — полупроводниковых микро-и наноструктурах и обладают существенными элементами новизны. Полученные результаты важны не только для физики полупроводников и физики низкоразмерных систем, но имеют и прикладное значение, например, для разработки новых источников терагерцового излучения или разработки детекторов излучения среднего ИК диапазона.

Научная и практическая значимость работы.

Большая часть исследований относится к такой актуальной области, как полупроводниковые нанотехнологии. Обнаружен ряд явлений (излучение и поглощение света терагерцового и ИК диапазонов, связанное с переходами носителей заряда между резонансными и локализованными состояниями примесных центров в микрои наноструктурах с квантовыми ямами, поглощение света в квантовых точках Ge/Si, обусловленное переходами дырок из возбужденных состояний, модуляция света в наноструктурах в сильных электрических полях при пробое примесей и др.), данные о которых расширяют представление о физических явлениях в полупроводниках. Результаты могут быть использованы при конструировании источников и детекторов терагерцового и ИК диапазонов.

Научные положения, выносимые на защиту.

1. Экспериментально наблюдаемая эмиссия терагерцового излучения в микроструктурах p-GaAsN/GaAs и наноструктурах n-GaAs/AlGaAs в условиях примесного пробоя при температуре жидкого гелия обусловлена главным образом наличием резонансных состояний мелких примесей в обоих типах структур. Доминирующий вклад в излучение дают внутрицентровые оптические переходы между резонансными и локализованными состояниями примесных центров.

2. Спектры поглощения света в наноструктурах с квантовыми ямами р-GaAs/AlGaAs, легированных акцепторами, позволяют установить наличие резонансных состояний мелких акцепторных примесей и их энергетический спектр. Оптическое поглощение при переходах дырок из основного состояния акцептора в резонансные состояния, подвешенные к возбужденным подзонам размерного квантования, происходит при той же поляризации излучения, что и межподзонные переходы из первой в соответствующие возбужденные подзоны размерного квантования дырок в условиях, когда энергетический зазор между подзонами существенно превышает энергию связи основного состояния.

3. Экспериментально наблюдаемое оптическое просветление структуры с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs в электрическом поле при температуре жидкого азота в области равновесного поглощения при переходах в резонансное состояние обусловлено процессами примесного пробоя и уменьшением числа нейтральных акцепторов.

4. Экспериментально наблюдаемая эмиссия терагерцового излучения в структурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs и в эпитаксиальных пленках я-GaN обусловлена неравновесным заселением возбужденных состояний примесных центров в процессе пробоя примеси электрическим полем.

5. В спектрах поглощения света Ge/Si квантовыми точками при межзонной оптической накачке имеются пики, связанные с переходами дырок как из основного, так и из возбужденных состояний.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались автором на российских и международных конференциях, в частности: и.

1. 15th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25−29, 2007.

2. Симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», С. Петербург, 5−7 ноября 2008.

3. X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, оптои наноэлектронике, СанктПетербург, 1−5 декабря 2008.

4. Нанофизика и наноэлектроника-2009, март 16−20, Нижний Новгород.

5. IX Российская конференция по физике полупроводников, 28 сентября — 3 октября 2009 г., Новосибирск — Томск.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 18 статьях и докладах, среди которых 8 публикаций в ведущих рецензируемых российских и зарубежных научных изданиях и 10 тезисов докладов на российских и международных конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 154 страницы, в том числе 51 рисунок, 3 таблицы.

Список литературы

включает 137 наименований.

Заключение

.

В ходе работы получены следующие основные результаты:

1. Исследована эмиссия терагерцового излучения в структурах с напряженными слоями p-GaAsN /GaAs и в структурах с квантовыми ямами п-GaAs/AlGaAs в электрическом поле в условиях ударной ионизации примесей. По результатам экспериментальных измерений ВАХ, полевых зависимостей интегральной интенсивности электролюминесценции и спектров излучения показано, что основной вклад в наблюдаемое излучение дают оптические переходы носителей между резонансными и локализованными состояниями примесных центров.

2. Исследованы равновесные спектры оптического поглощения в поляризованном свете в структурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs в широком диапазоне температур, а также модуляция поглощения в сильном продольном электрическом поле. Экспериментально обнаружены пики поглощения, обусловленные переходами дырок в резонансные состояния акцепторов, подвешенные к возбужденным подзонам размерного квантования. Поглощение на переходах в резонансные состояния идет в той же поляризации излучения, что и при соответствующих межподзонных переходах дырок. Определены энергии связи резонансных состояний по отношению к «своим» подзонам. Показано, что просветление образца в продольном электрическом поле в спектральной области вблизи пика равновесного поглощения обусловлено процессами примесного пробоя.

3. Исследована эмиссия ТГц излучения в эпитаксиальных пленках тг-GaN и в структурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs в условиях ударной ионизации мелких примесей электрическим полем. Показано, что излучение возникает благодаря неравновесному заполнению возбужденных состояний мелких примесей в процессе их пробоя электрическим полем. При этом в структурах с квантовыми ямами существенную роль могут играть процессы рассеяния с испусканием оптических фононов, когда конечным состоянием такого процесса является возбужденное состояние акцептора.

4. Исследованы спектры фотоиндуцированного поглощения в нелегированных структурах с квантовыми точками Ge/Si в среднем ИК диапазоне при межзонном фотовозбуждении неравновесных дырок. В спектрах обнаружены пики поглощения, связанные с заполнением как основного, так и возбужденных состояний дырок в квантовой точке.

Список публикаций автора.

Публикации в периодических научных изданиях, рекомендованных ВАК:

А1] Воробьев JI.E. Примесный пробой и люминесценция терагерцового диапазона в электрическом поле в микроструктурах p-GaAs и p-GaAsN / Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Д. В. Цой, А. Ю. Егоров, А. Г. Гладышев, О. В. Бондаренко // Письма в Журнал технической физики. — 2006. — Т. 32. — Вып. 9. — С. 34−41.

А2] Shalygin V.A. Terahertz luminescence in strained GaAsN: Be layers under strong electric fields / L.E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar? in, A.Yu. Egorov, A.G. Gladyshev, O.V. Bondarenko, V.M. Ustinov, N.N. Zinovjev, D.V. Kozlov // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 90. — No. 16. — P. 161 128.

A3] Воробьев JI.E. Эмиссия излучения терагерцового диапазона из гетеро-структур GaAsN/GaAs в электрическом поле / Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, А. Г. Гладышев, О. В. Бондаренко, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Д. В. Козлов // Известия РАН, серия физическая. — 2008. — Т. 72. — Вып. 2. — С. 229−231.

А4] Фирсов Д. А. Поглощение и эмиссия излучения терагерцового диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs / JI.E. Воробьев, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, S.D. Ganichev, S.N. Danilov, А. В. Андрианов, A.O. Захарьин, А. Е. Жуков, B.C. Михрин, А. П. Васильев // Известия РАН, серия физическая. — 2008. — Т. 72. — Вып. 2. — С. 264−266.

А5] Vorobjev L.E. Terahertz Luminescence and Absorption under Impurity Breakdown in Quantum Wells and Strained Semiconductor Layers / D.A. Firsov, V.A. Shalygin, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar’in, S.D. Ganichev, S.N. Danilov, and D.V. Kozlov // Acta Physica Polonica (A). — 2008. — Vol. 113. — No. 3. — P. 925−928.

A6] Shalygin V.A. Impurity breakdown and terahertz luminescence in n-GaN epilayers under external electric field /V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D.A. Firsov, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, G.A. Melentyev, A.V. Antonov, V.I. Gavrilenko, A.V. Andrianov, A.O. Zakharyin, S. Suihkonen, P.T. Torma, M. Ali, and H. Lipsanen // Journal of Applied Physics. — 2009. — Vol. 106. — No. 12. —P. 123 523.

A7] Фирсов Д. А. Поглощение и модуляция излучения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs /Д.А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, В.А. Шалы-гин, А. Н. Софронов, В. Ю. Паневин, М. Я. Винниченко, П. Тхумронгсилапа, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, А.Е. Жуков// Известия РАН, серия физическая. — 2010. — Т. 74. — Вып. 1. — С. 89−92.

А8] Шалыгин В. А. Эмиссия терагерцового излучения из GaN при ударной ионизации доноров в электрическом поле /В.А. Шалыгин, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Н. Н. Зиновьев, S. Suihkonen, Н. Lipsanen// Известия РАН, серия физическая. — 2010. — Т. 74. — Вып. 1. — С. 93−95.

Тезисы докладов:

А9] Shalygin V.A. Terahertz emission and absorption at lateral electric field in p-GaAsN/GaAs and n-GaAs/AlGaAs heterostructures / V.A. Shalygin, D.A.

Firsov, L.E. Vorobjev, A.N. Sofronov, V.Yu. Panevin, D.V. Kozlov, S.D. Ganichev, S.N. Danilov, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar’in, N.N. Zinov’ev, A.Yu. Egorov, O.V. Bondarenko, A.G. Gladyshev, and V.M. Ustinov // Proceedings of the 15th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», Novosibirsk, Russia, June 25−29, 2007. — P. 18−19.

A10] Воробьев Л. Е. Эмиссия излучения терагерцового диапазона из легированных квантовых ям GaAs/AlGaAs и микроструктур GaAsN/GaAs / Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов // Симпозиум «Полупроводниковые лазеры: физика и технология»: Программа и тезисы докладов, С.-Петербург, 5−7 ноября, 2008. — С. 58.

All] Софронов А. Н. Горячие электроны в широких квантовых ямах п-GaAs/AlGaAs / Софронов А. Н., Мелентьев Г. А., Воробьев Л. Е., Шалыгин В. А. // X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, оптои наноэлектронике: Тезисы докладов, С.-Петербург, 1−5 декабря, 2008. — С. 50.

А12] Софронов А. Н. Поглощение света в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs в среднем ИК диапазоне спектра / А. Н. Софронов, В. Ю. Паневин, Л. Е. Воробьев. // X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, оптои наноэлектронике: Тезисы докладов, С. Петербург, 1−5 декабря, 2008. — С. 46.

А 13] Мелентьев Г. А. Электролюминесценция и примесный пробой эпитакси-альных слоев GaN в электрическом поле / Г. А. Мелентьев, А. Н. Софронов, В. А. Шалыгин // X Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников, оптои наноэлектронике: Тезисы докладов, С.-Петербург, 1−5 декабря, 2008. — С. 16.

А 14] Софронов А. Н. Электролюминесценция эпитаксиальных слоев n-GaN / А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, JI.E. Воробьев, В. А. Шалыгин // ХХХУП Неделя науки СПбГПУ: Всероссийская межвузовская конференция студентов и аспирантов, С.-Петербург, 24 — 29 ноября, 2008. Материалы лучших докладов, 2009 — С. 68−71.

А15] Фирсов, Д. А. Поглощение и модуляция излучения в наноструктурах с квантовыми ямами p-GaAs/AlGaAs / Д. А. Фирсов, JI.E. Воробьев, В. А. Шалыгин, А. Н. Софронов, В. Ю. Паневин, М. Я. Винниченко, П. Тхумронгси-лапа, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, А. Е. Жуков // Материалы XIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 16−20 марта, 2009. — С. 10.

А 16] Шалыгин, В. А. Эмиссия терагерцового излучения из GaN при ударной ионизации доноров в электрическом поле / В. А. Шалыгин, JI.E. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, S. Suihkonen, Н. Lipsanen // Материалы XIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 16−20 марта, 2009. — С. 78.

А17] Воробьев, JI.E. Поглощение и модуляция излучения в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками р-типа / Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгин, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, М. Я. Винниченко, П. Тхумронгсилапа, С. Н. Данилов, А. Е. Жуков, А. И. Якимов, А.В. Двуре-ченский // IX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники 2009»: Тезисы докладов, Новосибирск — Томск, 28 сентября — 3 октября, 2009. — С. 74.

А 18] Шалыгин, В. А. Терагерцовая люминесценция n-GaN в электрическом поле /В.А. Шалыгин, Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, В. Ю. Паневин, А. Н. Софронов, Г. А. Мелентьев, А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, Н. Н. Зиновьев,.

S. Suihkonen, H. Lipsanen I IIX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники 2009»: Тезисы докладов, НовосибирскТомск, 28 сентября — 3 октября, 2009. — С. 170.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , И. В. Межзонное излучение горячих дырок в Ge при одноосном сжатии / И. В. Алтухов, М. С. Каган, В. П. Синие // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. — 1988. — Т. 47, № 3. — С. 136−138.
  2. Внутрицентровая инверсия как причина индуцированного излучения в сильно деформированном p-Ge / И. В. Алтухов, М. С. Каган, К. А. Королев, В. П. Синие // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. — 1994. — Т. 59, № 7. — С. 455−458.
  3. Resonant acceptor states and terahertz stimulated emission of uniaxially strained germanium /1. V. Altukhov, M. S. Kagan, K. A. Korolev et al. // Journal of Experimental and Theoretical Physics.— 1999.— Vol. 88, no. 1.— Pp. 51−57.
  4. Резонансные состояния акцепторов и стимулированное терагерцовое излучение одноосно деформированного германия / И. В. Алтухов, М. С. Каган, К. А. Королев и др. // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. — 1999. — Т. 115, № 1. — С. 89−100.
  5. Resonant states induced by shallow acceptors in uniaxially strained semiconductors / M. A. Obnodlyudov, I. N. Yassievich, V. M. Chistyakov, K. A. Chao // Physical Review B. — 2000. — Vol. 62, no. 4. — Pp. 2486−1495.
  6. Бир, Г. Л. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках / Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. — М.: Наука, 1972. — 584 с.
  7. Localized and resonant states of shallow acceptors in Ge/GeSi multiple-quantum well heterostructures / V. Y. Aleshkin, B. A. Andreev, V. I. Gavrilenko et al. // Physica E. — 2002. — Vol. 13, no. 3. — Pp. 317−320.
  8. Green, R. L. Binding energy of the 2p0 like level of a hyrogenic donor in GaAs-GaixAL,-As quantum-well structures / R. L. Green, К. K. Bajaj // Physical Review B. — 1985. — Vol. 31, no. 6. — Pp. 4006−4008.
  9. Loehr, J. P. Effects of biaxial strain on acceptor-level energies in InyGai-yAs/Al^Gai-xAs (on GaAs) quantum wells / J. P. Loehr, J. Singh // Physical Review B. — 1990. — Vol. 41, no. 6. — Pp. 3695−3701.
  10. Far-infrared spectroscopy of minibands and confined donors in GaAs/Alx.GaixAs superlattices / M. Helm, F. M. Peeters, F. DeRosa et al. // Phys. Rev. B. — 1991. — Jun. — Vol. 43, no. 17. — Pp. 13 983−13 991.
  11. Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/GeixSix с квантовыми ямами / В. Я. Алешкин, Б. А. Андреев, В. И. Гавриленко и др. // Физика и техника полупроводников.— 2000.— Т. 34, № 5.— С. 582 587.
  12. Donor states in modulation-doped Si/SiGe heterostructures / A. Blom, M. A. Odnoblyudov, I. N. Yassievich, K.-A. Chao // Phys. Rev. B. — 2003. — Oct. — Vol. 68, no. 16. — P. 165 338.
  13. , В. Я. Примесное поглощение света с участием мелких доноров в квантовых ямах / В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2004. — Т. 125, № 6. — С.1340−1348.
  14. Far-infrared active media based on shallow impurity state transitions in silicon / E. E. Orlova, R. C. Zhukavin, S. G. Pavlov, V. N. Shastin // Phys. Stat. Sol. (B). — 1998. — Vol. 210, no. 2. — Pp. 859−863.
  15. Terahertz electroluminescence from boron-doped silicon devices / T. N. Adam, R. T. Troeger, S. K. Ray et al. И Applied Physics Letters. — 2003. — Vol. 83, no. 9. —Pp. 1713−1715.
  16. Electroluminescence at 7 terahertz from phosphorus donors in silicon / P.-C. Lv, R. T. Troeger, T. N. Adam et al. // Applied Physics Letters. — 2004. — Vol. 85, no. 1.—Pp. 22−24.
  17. Terahertz emission from electrically pumped gallium doped silicon devices / P.-C. Lv, R. T. Troeger, S. Kim et al. // Applied Physics Letters. — 2004. — Vol. 85, no. 17, — Pp. 3660−3662.
  18. Temperature dependence of terahertz optical transitions from boron and phosphorus dopant impurities in silicon / S. A. Lynch, P. Townsend, G. Matmon et al. И Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, no. 10. — P. 101 114.
  19. Increasing the operating temperature of boron doped silicon terahertz electroluminescence devices / G. Xuan, S. Kim, M. Coppinger et al. // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 91, no. 6. — P. 61 109.
  20. Normal-incidence infrared photoconductivity in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, Y. Y. Proskuryakov et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 10.—Pp. 1413−1415.
  21. SiGe наноструктуры с самоформирующимися наноостровками для элементов кремниевой оптоэлектроники / А. В. Антонов, Ю. Н. Дроздов,
  22. Ф. Красильник и др. // IX Всероссийская конференция по физике полупроводников (Полупроводники 2009), 28 сентября 3 октября 2009 г., Новосибирск-Томск. Тезисы докладов. — 2009. — С. 310.
  23. Towards Sii,-Ge.x quantum-well resonant-state terahertz laser /1. V. Altukhov, E. G. Chirkova, V. P. Sinis et al. И Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 79, no. 24.—Pp. 3909−3911.
  24. Luttinger, J. M. Motion of electrons and holes in perturbed periodic fields / J. M. Luttinger, W. Kohn // Phys. Rev. — 1955. — Feb. — Vol. 97, no. 4. — Pp. 869−883.
  25. Luttinger, J. M. Quantum theory of cyclotron resonance in semiconductors: General theory / J. M. Luttinger // Phys. Rev. — 1956. — May. — Vol. 102, no. 4. —Pp. 1030−1041.
  26. , Г. E. Влияние деформации на энергетический спектр и электрические свойства дырочного германия и кремния / Г. Е. Пикус, Г. Л. Бир // Физика твердого тела. — 1959. — Т. 1, № 1. — С. 154−156.
  27. , Г. Е. Влияние деформации на энегетический спектр дырок в германии и кремнии / Г. Е. Пикус, Г. Л. Бир // Физика твердого тела. — 1959. — Т. 1, № 11. — С. 1642−1658.
  28. Chuang, S. L. Efficient band-structure calculations of strained quantum wells / S. L. Chuang // Phys. Rev. B. — 1991. — Apr. — Vol. 43, no. 12. — Pp. 96 499 661.
  29. Резонансные акцепторные состояния в одноосно-деформированных полупроводниках / М. А. Одноблюдов, А. А. Пахомов, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводнике. — 1997. — Т. 31, № 10.—С. 1180−1186.
  30. , Д. В. Резонансные состояния мелких акцепторов в одноосно-деформированном германии / Д. В. Козлов, В. Я. Алешкин, В. И. Гав-риленко // Журнал экспериментальной и теоретической физики.— 2001. — Т. 120, № 6. — С. 1495−1502.
  31. Fano, U. Effects of configuration interaction on intensities and phase shifts / U. Fano // Physical Review. — 1961. — Vol. 124, no. 6. — Pp. 1866−1887.
  32. , M. А. Резонансные акцепторные состояния в одноосно-деформированных полупроводниках / М. А. Одноблюдов, А. А. Прокофьев, И. Н. Яссиевич // Журнал экспериментальной и теоретической физики. — 2002. — Т. 121, № 3. — С. 692−702.
  33. Theory of strained р-Ge resonant-state terahertz laser / M. A. Obnodlyudov, A. A. Prokofiev, I. N. Yassievich, K. A. Chao // Physical Review B. — 2004. — Vol. 70, no. 11. — Pp. 115 209−1-115 209−14.
  34. Population inversion induced by resonant states in semiconductors / M. A. Obnodlyudov, I. N. Yassievich, M. S. Kagan et al. // Physical Review Letters. — 1999. — Vol. 83, no. 3. — Pp. 644−647.
  35. Holer, E. E. High resolution fourier transform spectroscopy of shallow acceptors in ultra-pure germanium / E. E. Haler, W. L. Hansen // Solid State Communications. — 1974. — Vol. 15, no. 4. — Pp. 687−692.
  36. Pantelides, S. T. The electronic structure of impurities and other point defects in semiconductors / S. T. Pantelides // Reviews of Modern Physics. — 1978. — Vol. 50, no. 4. — Pp. 797−858.
  37. Altukhov, I. V. Spontaneous and stimulated emission of radiation from hot holes from uniaxially stressed germanium / I. V. Altukhov, M. S. Kagan,
  38. V. P. Sinis // Optical and Quantum Electronics. — 1991. — Vol. 23, no. 2. — Pp. S211-S216.
  39. Starikov, E. V. Numerical simulation of far infrared emission under population inversion of hole sub-bands / E. V. Starikov, P. N. Shiktorov // Optical and Quantum Electronics. — 1991. — Vol. 23, no. 2. — Pp. S177-S193.
  40. , А. А. Функция распределения горячих носителей заряда при резонансном рассеянии / А. А. Прокофьев, М. А. Одноблюдов, И. Н. Яси-евич // Физика и техника полупроводников.— 2001.— Т. 35, № 5.— С.586−593.
  41. Дальнее ИК излучение горячих дырок германия при взаимно перпендикулярных направлениях одноосного давления и электрического поля /
  42. B. М. Бондар, JI. Е. Воробьев, А. Т. Далакян и др. // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. — 1999. — Т. 70, № 4. —1. C. 257−261.
  43. М. Helm, частное сообщение.
  44. Chaudhuri, S. Effect of nonparabolicity on the energy levels of a hyro-genic donors in GaAs-Gai-xAl^As quantum-well structures / S. Chaudhuri, К. K. Bajaj // Physical Review B. — 1984. — Vol. 29, no. 4. — Pp. 18 031 806.
  45. Fraizzoli, S. Shallow donor impurities in GaAs-Gai^Al^As quantum-well structures: Role of the dielectric-constant mismatch / S. Fraizzoli, F. Bassani, R. Buczko // Physical Review B. — 1990. — Vol. 41, no. 8. — Pp. 5096−5103.
  46. Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких и тяжелых дырок в упругонапряженном GaAsN / А. Ю. Егоров, Е. С. Семенова, В. М. Устинов и др. // Физика и Техника Полупроводников. — 2002. — Т. 36, № 9. — С. 1056−1059.
  47. Terahertz luminescence in strained GaAsN: Be layers under strong electric fields / V. A. Shalygin, L. E. Vorobjev, D. A. Firsov et al. // Applied Physics Letters. — 2007. — Vol. 90, no. 16. — Pp. 161 128−161 130.
  48. Physics of Group IV Elements and III-V Compunds / Ed. by K.-H. Hellwege, O. Madelung.— New series, group III edition.— Springer-Verlag, Berlin, 1982. — Vol. 17.
  49. , А. В. К теории анизотропии магнитного момента мелких акцепторных центров в алмазоподобных полупроводниках / А. В. Малышев // Физика Твердого Тела. — 2000. — Т. 42, № 1. — С. 29−36.47. http://terahertz.co.uk.
  50. Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge (Ga) при пробое примеси электрическим полем / А. В. Андрианов, А. О. Захарьин, И. Н. Яссиевич, Н. Н. Зиновьев // Письма в ЖЭТФ. — 2006. — Т. 83, № 8. — С. 410−414.
  51. , Б. И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б. И. Шкловский, А. Л. Эфрос. — М.: Наука, 1979. — 416 с.
  52. Guillemot, С. Model for longitudinal-optical phonons and electron-phonon coupling in GaAs-Gai-x AlxAs multilayer structures / C. Guillemot, F. Clerot// Phys. Rev. B. — 1991. — Sep. — Vol. 44, no. 12. — Pp. 6249−6261.
  53. В.Я. Алешкин, частное сообщение.
  54. Broido, D. A. Effective masses of holes at GaAs-AlGaAs heterojunctions / D. A. Broido, L. J. Sham // Phys. Rev. B. — 1985. — Jan. — Vol. 31, no. 2. — Pp. 888−892.
  55. Broido, D. A. Valence-band coupling and fano-resonance effects on the exci-tonic spectrum in undoped quantum wells / D. A. Broido, L. J. Sham // Phys. Rev. B. — 1986. — Sep. — Vol. 34, no. 6. — Pp. 3917−3923.
  56. Altarelli, M. Calculations of hole subbands in semiconductor quantum wells and superlattices / M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino // Phys. Rev. B. — 1985. — Oct. — Vol. 32, no. 8. — Pp. 5138−5143.
  57. Twardowski, A. Variational calculation of polarization of quantum-well pho-toluminescence / A. Twardowski, C. Hermann // Phys. Rev. B. — 1987. — May. — Vol. 35, no. 15. — Pp. 8144−8153.
  58. Chuang, S.-L. Theory of hole refractions from heterojunctions / S.-L. Chuang // Phys. Rev. B. — 1989. — Nov. — Vol. 40, no. 15. — Pp. 1 037 910 390.
  59. Tadic, M. Bound-free intersubband absorption in p-type doped semiconductor quantum wells / M. Tadi c, Z. Ikoni с // Phys. Rev. B.— 1995. — Sep.— Vol. 52, no. 11. — Pp. 8266−8275.
  60. Chen, H. H. Near 10 fim intervalence subband optical transitions in p-type Ino.49Gao.5iP-GaAs quantum well structures / H. H. Chen, Y.-H. Wang, M.-P. Houng // IEEE Journal of Quantum Electronics. — 1996. — Vol. 32, no. 3.—Pp. 471−477.
  61. Ikonic', Z Hole-bound-state calculation for semiconductor quantum wells / Z. Ikonic', V. Milanovic' // Phys. Rev. В.— 1992. —Apr.— Vol. 45, no. 15.—Pp. 8760−8762.
  62. Bockelmann, U. Interband absorption in quantum wires. I. zero-magnetic-field case / U. Bockelmann, G. Bastard // Phys. Rev. B. — 1992. — Jan. — Vol. 45, no. 4. — Pp. 1688−1699.
  63. Tsang, L. Intersubband absorption of ТЕ and TM waves in p-type semiconductor superlattice including the effects of continuum states / L. Tsang, S.-L. Chuang // IEEE Journal of Quantum Electronics.— 1995.— Vol. 31, no. 1. — Pp. 20−28.
  64. Responsivities of n-type GaAs/InGaAs/AlGaAs step multiple-quantum-well infrared detectors / C. W. Cheah, G. Karunasiri, L. S. Tan, L. F. ZhouII Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 80, no. 1. — Pp. 145−147.
  65. Far-infrared study of confinement effects on acceptors in GaAs/А1ЖGaiз: As quantum wells / A. A. Reeder, B. D. McCombe, F. A. Chambers, G. P. De-vane // Phys. Rev. B. — 1988. — Aug. — Vol. 38, no. 6. — Pp. 4318−4321.
  66. Binding energy and dynamics of be acceptor levels in AlAs/GaAs multiple quantum wells / M. P. Halsall, W.-M. Zheng, P. Harrison et al. // Journal of Luminescence. — 2004. — Vol. 108, no. 1−4. — Pp. 181−184.
  67. Photoluminescence study of the Be acceptor at the centre of quantum wellsоwith sizes in the range 28 300 A I D. Boffety, A. Vasson, A.-M. Vasson et al. // Semiconductor Science and Technology. — 1996. — Vol. 11, no. 3. — Pp. 340−344.
  68. Carrier-carrier scattering in GaAs/Al^Gai-^As quantum wells / K. W. Sun, T. S. Song, C.-K. Sun et al. // Phys. Rev. В.— 2000. —Jun.— Vol. 61, no. 23.—Pp. 15 592−15 595.
  69. Acceptor binding energy in delta-doped GaAs/AlAs multiple-quantum wells / W. M. Zheng, M. P. Halsall, P. Harmer et al. // Journal of Applied Physics. — 2002. — Vol. 92, no. 10. — Pp. 6039−6042.
  70. Bastard, G. Hydrogenic impurity states in a quantum well: A simple model / G. Bastard // Phys. Rev. В.— 1981. —Oct.— Vol. 24, no. 8.— Pp. 47 144 722.
  71. Mailhiot, C. Energy spectra of donors in GaAs-Gai ^Al^As quantum well structures in the effective-mass approximation / C. Mailhiot, Y.-C. Chang, Т. C. McGill // Phys. Rev. B. — 1982. — Oct. — Vol. 26, no. 8. — Pp. 44 494 457.
  72. Chaudhuri, S. Hydrogenic-impurity ground state in GaAs-Gai-^Al^As multiple-quantum-well structures / S. Chaudhuri // Phys. Rev. B. — 1983. — Oct. — Vol. 28, no. 8. — Pp. 4480—4−488.
  73. Masselink, W. T. Binding energies of acceptors in GaAs-Ga^Al^As quantum wells / W. T. Masselink, Y.-C. Chang, H. Morkoc' // Phys. Rev. B. — 1983. — Dec. — Vol. 28, no. 12. — Pp. 7373−7376.
  74. Masselink, W. T. Binding energies of acceptors in GaAs-Al^Gai-^As quantum wells / W. T. Masselink, Y.-C. Chang, H. Morkoc' // Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. — 1984. — Vol. 2, no. 3. — Pp. 376−382.
  75. Masselink, W. T. Acceptor spectra of Al^Gai-^As-GaAs quantum wells in external fields: Electric, magnetic, and uniaxial stress / W. T. Masselink, Y.
  76. С. Chang, Н. Morkoc' I I Phys. Rev. B. — 1985. — Oct. — Vol. 32, no. 8. — Pp. 5190−5201.
  77. Einevoll, G. T. Effective bond-orbital model for shallow acceptors in GaAs-Al^Gai-aAs quantum wells and superlattices / G. T. Einevoll, Y.-C. Chang // Phys. Rev. B. — 1990. — Jan. — Vol. 41, no. 3. — Pp. 1447−1460.
  78. Miller, R. C. Photoluminescence from GaAs-Al^Gai xAs quantum wells with nonuniform p-type doping profiles / R. C. Miller 11 Journal of Applied Physics. — 1984. — Vol. 56, no. 4. — Pp. 1136−1140.
  79. Kirkman, R. F. An infrared study of shallow acceptor states in GaAs / R. F. Kirkman, R. A. Stradling, P. J. Lin-Chung // Journal of Physics C.— 1978. — Vol. 11, no. 2. — Pp. 419−433.
  80. Yen, S. T. Resonant hydrogenic impurity states and Ls — 2p transitions in coupled double quantum wells / S. T. Yen // Phys. Rev. B. — 2003. — Oct. — Vol. 68, no. 16. — P. 165 331.
  81. , Д. Статистика электронов в полупроводниках / Д. Блекмор. — М.: Мир, 1964. — 392 с.
  82. Frenkel, J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors / J. Frenkel // Phys. Rev.— 1938. —Oct.— Vol. 54, no. 8.— Pp. 647−648.
  83. Sclar, N. Impact ionization of impurities in germanium / N. Sclar, E. Burstein // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 1957. — Vol. 2, no. 1. — Pp. 123.
  84. Koenig, S. H. The low temperature electrical conductivity of n-type germanium / S. H. Koenig, G. R. Gunther-Mohr // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 1957. — Vol. 2, no. 4. — Pp. 268−283.
  85. Koenig, S. H. Far infrared electron-ionized donor recombination radiation in germanium / S. H. Koenig, R. D. Brown // Phys. Rev. Lett. — I960. — Feb. — Vol. 4, no. 4. — Pp. 170−173.
  86. Ascarelli, G. Recombination of electrons and donors in n-type germanium / G. Ascarelli, S. C. Brown // Phys. Rev. — 1960. — Dec. — Vol. 120, no. 5. — Pp. 1615−1626.
  87. Salomon, S. N. Far-infrared recombination emission in n-Ge and p-InSb / S. N. Salomon, H. Y. Fan // Phys. Rev. B. — 1970. — Jan. — Vol. 1, no. 2. — Pp. 662−671.
  88. Thomas, S. R. Far-infrared recombination radiation from n-type Ge and GaAs / S. R. Thomas, H. Y. Fan // Phys. Rev. B. — 1974. —May. — Vol. 9, no. 10. — Pp. 4295305.
  89. Gornik, E. Recombination radiation from impact-ionized shallow donors in retype InSb / E. Gornik // Phys. Rev. Lett. — 1972. — Aug. — Vol. 29, no. 9. — Pp. 595−597.
  90. Kobayashi, K. L. I. Tunable far-infrared radiations from hot electrons in n-type InSb / K. L. I. Kobayashi, K. F. Komatsubara, E. Otsuka // Phys. Rev. Lett. — 1973. — Apr. — Vol. 30, no. 15. — Pp. 702−705.
  91. Far-infrared recombination radiation from impact-ionized shallow donors in GaAs /1. Melngailis, G. E. Stillman, J. O. Dimmock, С. M. Wolfe // Phys. Rev. Lett. — 1969. — Nov. — Vol. 23, no. 19. — Pp. 1111−1114.
  92. Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров / Н. А. Бекин, P. X. Жукавин, К. А. Ковалевский и др. // Физика и техника полупроводников. — 2005. — Т. 39, № 1. — С. 76−81.
  93. Monte Carlo simulation of the nonequilibrium phase transition in p-type Ge at impurity breakdown / W. Quade, G. Hiipper, E. Scholl, T. Kuhn // Phys. Rev. B. — 1994. — May. — Vol. 49, no. 19. — Pp. 13 408−13 419.
  94. L. E. Vorobjev, S. N. Danilov, D. V. Donetskii et al. // Semiconductors. — 1993. — Vol. 27, no. 77.
  95. Population inversion and far-infrared emission from optically pumped silicon / H.-W. Hiibers, K. Auen, S. G. Pavlov et al. II Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 74, no. 18. — Pp. 2655−2657.
  96. Stimulated emission from donor transitions in silicon / S. G. Pavlov, R. K. Zhukavin, E. E. Orlova et al. // Phys. Rev. Lett.— 2000. —May.— Vol. 84, no. 22. — Pp. 5220−5223.
  97. Terahertz emission spectra of optically pumped silicon lasers / H.-W. Hiibers, S. G. Pavlov, M. Greiner-Bar et al. // Phys. Stat. Sol. (B). — 2002. — Vol. 233, no. 2. — Pp. 191−196.
  98. Far-infrared stimulated emission from optically excited bismuth donors in silicon / S. G. Pavlov, H.-W. Hiibers, M. H. Rummeli et al. // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 80, no. 25. — Pp. 4717−4719.
  99. Terahertz optically pumped Si: Sb laser / S. G. Pavlov, H.-W. Hiibers, H. Rie-mann et al. // Journal of Applied Physics.— 2002.— Vol. 92, no. 10.— Pp. 5632−5634.
  100. Optically pumped terahertz semiconductor bulk lasers / S. G. Pavlov, H.-W. Hiibers, E. E. Orlova et al. // Phys. Stat. Sol (B).— 2003.— Vol. 235, no. 1. — Pp. 126−134.
  101. Stimulated terahertz emission from arsenic donors in silicon / H.-W. Htibers, S. G. Pavlov, H. Riemann et al. II Applied Physics Letters. — 2004. — Vol. 84, no. 18.—Pp. 3600−3602.
  102. Barry, E. A. Hot electrons in group-Ill nitrides at moderate electric fields / E. A. Barry, K. W. Kim, V. A. Kochelap II Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 80, no. 13. — Pp. 2317−2319.
  103. Optical study of hot electron transport in GaN: Signatures of the hot-phonon effect / K. Wang, J. Simon, N. Goel, D. Jena // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 88, no. 2. — P. 22 103.
  104. Hot phonons in Si-doped GaN / J. Liberis, M. Ramonas, O. Kiprijanovic et al. // Applied Physics Letters. — 2006. — Vol. 89, no. 20. — P. 202 117.
  105. Identification of Si and О donors in hydride-vapor-phase epitaxial GaN / W. J. Moore, J. J. A. Freitas, G. С. B. Braga et al. // Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 79, no. 16. — Pp. 2570−2572.
  106. , F. С. One-dimensional dislocations. I. Static Theory / F. C. Frank, J. H. van der Merwe // Proceedings of the Royal Society A. Mathematical, Physical & Engineering Sciences.— 1949. — August.— Vol. 198.— Pp. 205−216.
  107. , M. / M. Volmer, A. Weber // Zeitschrift fiir Physikalische Chemie. — 1926. —Vol. 119. —P. 277.
  108. , I. N. /1. N. Stranski, V. L. Krastanov // Akad. Wiss. Lit. Mainz Math.-Natiir. Kl. lib. — 1936. — Vol. 146. — P. 797.
  109. In situ measurements of critical layer thickness and optical studies of InGaAs quantum wells grown on GaAs substrate / B. Elman, E. S. Melman, P. Melman et al. II Applied Physics Letters.— 1989. — October.— Vol. 55, no. 16.— Pp. 1659−1661.
  110. Eaglesham, D. J. Dislocation-free Stranski-Krastanov growth of Ge on Si (100) / D. J. Eaglesham, M. Cerullo // Phys. Rev. Lett.— 1990. —Apr.— Vol. 64, no. 16. — Pp. 1943−1946.
  111. Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si (100) / Y.-W. Mo, D. E. Savage, B. S. Swartzentruber, M. G. Lagally // Phys. Rev. Lett. — 1990. — Apr. — Vol. 65, no. 8. — Pp. 1020−1023.
  112. Intraband absorption in the 8−12 im band from Si-doped vertically aligned InGaAs/GaAs quantum-dot superlattice / Q. D. Zhuang, J. M. Li, H. X. Li et al. II Applied Physics Letters.— 1998.— Vol. 73, no. 25.— Pp. 37 063 708.
  113. Midinfrared absorption and photocurrent spectroscopy of InAs/GaAs self-assembled quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, T. Brunhes et al. II Applied Physics Letters. — 2001. — Vol. 78, no. 16. — Pp. 2327−2329.
  114. Polarization dependence of intraband absorption in self-organized quantum dots / S. J. Chua, S. J. Xu, X. H. Zhang et al. // Applied Physics Letters. — 1998. — Vol. 73, no. 14. — Pp. 1997−1999.
  115. Intraband absorption in n-doped InAs/GaAs quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, F. H. Julien et al. // Applied Physics Letters. — 1997. — Vol. 71, no. 19. — Pp. 2785−2787.
  116. Infrared spectroscopy of intraband transitions in self-organized InAs/GaAs quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, F. H. Julien et al. // Journal of Applied Physics. — 1997. — Vol. 82, no. 7. — Pp. 3396−3401.
  117. Intraband light absorption in InAs/GaAs quantum dots covered with InGaAs quantum wells / L. E. Vorobjev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin et al. И Semiconductor Science and Technology. — 2006. — Vol. 21, no. 9. — Pp. 1341−1347.
  118. Lee, S.-W. Bound-to-continuum intersubband photoconductivity of self-assembled InAs quantum dots in modulation-doped heterostructures / S.-W. Lee, K. Hirakawa, Y. Shimada // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 10. — Pp. 1428−1430.
  119. Transport and photodetection in self-assembled semiconductor quantum dots / M. Razeghi, H. Lim, S. Tsao et al. // Nanotechnology.— 2005.— Vol. 16, no. 2. — Pp. 219−229.
  120. Polarized front-illumination response in intraband quantum dot infrared pho-todetectors at 77 К / E. Finkman, S. Maimon, V. Immer et al. // Phys. Rev. B. — 2001. — Jan. — Vol. 63, no. 4. — P. 45 323.
  121. Chen, Z. Intraband-transition-induced dipoles in self-assembled InAs/GaAs (001) quantum dots / Z. Chen, E.-T. Kim, A. Madhukar // Applied Physics Letters. — 2002. — Vol. 80, no. 15. — Pp. 2770−2772.
  122. Saturation of intraband absorption and electron relaxation time in n-doped InAs/GaAs self-assembled quantum dots / S. Sauvage, P. Boucaud, F. Glotin et al. И Applied Physics Letters. — 1998. — Vol. 73, no. 26. — Pp. 3818−3821.
  123. Stoleru, К G. Oscillator strength for intraband transitions in (In, Ga) As/GaAs quantum dots / V. G. Stoleru, E. Towe // Applied Physics Letters. — 2003. — Vol. 83, no. 24. — Pp. 5026−5028.
  124. Infrared and photoluminescence spectroscopy of p-doped self-assembled ge dots on si / L. P. Rokhinson, D. C. Tsui, J. L. Benton, Y.-H. Xie // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 16. — Pp. 2413−2415.
  125. Observation of inter-sub-level transitions in modulation-doped Ge quantum dots / J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 75, no. 12. — Pp. 1745−1747.
  126. Intersubband absorption in boron-doped multiple Ge quantum dots / J. L. Liu, W. G. Wu, A. Balandin et al. // Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 74, no. 2. — Pp. 185−187.
  127. Intersubband transitions of boron-doped self-assembled Ge quantum dots / T. Fromherz, W. Mac, C. Miesner et al. // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. — 2002. — Vol. 13, no. 2−4. — Pp. 1022 1025.
  128. Depolarization shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of quantum dots / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, N. P. Stepina, A. I. Nikiforov // Phys. Rev. B. — 2000. — Oct. — Vol. 62, no. 15. — Pp. 9939−9942.
  129. Intraband absorption in Ge/Si self-assembled quantum dots / P. Boucaud, V. L. Thanh, S. Sauvage et al. II Applied Physics Letters. — 1999. — Vol. 74, no. 3. — Pp. 401−403.
  130. Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector / A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, Y. Y. Proskuryakov // Journal of Applied Physics. — 2001. — Vol. 89, no. 10. — Pp. 5676−5681.
  131. Dvurechenskii, A. V. Electronic structure of Ge/Si quantum dots / A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I. Yakimov // Nanotechnology. — 2002. — Vol. 13, no. 1. — Pp. 75−80.
  132. Silicon-Germanium nanostructures with quantum dots: Formation mechanisms and electrical properties / O. P. Pchelyakov, Y. B. Bolkhovityanov, A. V. Dvurechenskii et al. // Semiconductors. — 2000. — Vol. 34, no. 11. — Pp. 1229−1248.
  133. Heterogeneous nucleation of oxygen on silicon: Hydroxyl-mediated interdimer coupling on Si (100) (2×1) / A. B. Gurevich, В. B. Stefanov, M. K. Wel-don et al. // Physical Review B. — 1998. — Vol. 58, no. 20. — Pp. R13434-R13437.
  134. Characterization of low-temperature wafer bonding by infrared spectroscopy / A. Milekhin, M. Friedrich, K. Hiller et al. // Journal of Vacuum Science and Technology B. — 2000. — Vol. 18, no. 3. — Pp. 1392−1396.
  135. А.Г. Милёхин, частное сообщение.
  136. Spitzer, W. Infrared absorption in n-Type Silicon / W. Spitzer, H. Y. Fan // Physical Review. — 1957. — Vol. 108, no. 2. — Pp. 268−271.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!