Получение твердых растворов (SiC) 1-x (AlN) x методом магнетронного распыления и исследование их свойств
Диссертация
Изучены процессы транспорта распыленных частиц в пространстве дрейфа мишень-подложка. Рассчитаны зависимости протяженности зоны термализации распыленных атомов мишени SiC-AIN от давления рабочего газа в диапазоне 1-И2 Па. Определена зависимость скорости распыления мишеней SiC-AIN от удельной мощности разрядного тока и состава мишеней. Установлено, что скорость распыления поликристаллических… Читать ещё >
Список литературы
- Сафаралиев Г. К. Закономерности формирования и физические свойства полупроводниковых твердых растворов на основе карбида кремния //Докт. диссертация, -Баку, 1988.
- Янков P.A., Фельсков М., Крайссиг У. и др. Высокотемпературная имплантация ионов N + и AI + в 6H-SiC при высоких дозах // Письма в ЖТФ. 1997. Т.23. В.16. С. 6−14.
- Нурмагомедов Ш. А., Сафаралиев Г. К., Пихтин А. Н., Разбегаев В. Н., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Получение и исследования эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SiC)i-x (A1N)X,// Письма в ЖТФ. 1986, т. 12, в. 17, стр. 1043−1045
- Дмитриев В. А., Ефимов И. 10., Челноков В. Е., Чернов М. А. и др. Твердые растворы SiC-AlN, выращенных методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии. // Письма в ЖТФ. 1991, т.17, в.6, стр.50−53.
- Сафаралиев Г. К., Офицерова Н. В., Курбанов М. К., Таиров Ю. М., Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)i.x (A1N)X. // Изв. РАН. Неорганические материалы. 1995, т. 6, стр. 1−4.
- Курбанов М.К., Билалов Б. А. Сафаралиев Г. К., Нурмагомедов Ш. А., Исследование гетероструктур SiC/(SiC)i.x (AlN)x методом вольт-фарадных характеристик // 2001.ФТП. Т.35. В 2. С. 216−218.
- Жданов Г. С. Физика твердого тела. Изд. МГУ. М., 1982, стр. 170−181, 335−338, 357−359.
- Баровский Н. В., Добрынин А. В. и др. Осаждение эпитаксиальных слоев нитрида алюминия и его свойства // Сер. ТПО. Техника средств связи. 1987, № 1, стр. 25−28.
- Сафаралиев Г. К., Суханек Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Критерии образования твердых растворов на основе карбида кремния// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1986, т. 22, в. 11, стр. 1839−1841.
- Соболев B.C., Соболева О.С.физико-химическая трактовка изоморфизма.-Научн.зап. Львов. Унив-та, сер. хим., 1948. В.1. с.5
- П.Ормонт Б. Ф. Термодинамика соединений переменного состава.-В кн.: Со соединение переменного состава. Гл. 2.-Л, Химия, 1969.
- Сирота Н.Н. Физико-химическая природа фаз переменного состава.-Минск: Наука и техника, 1970.
- Киркинский В.А. Влияние температуры на границы изоморфной смесимости.- Геохимия, 1965, № 4.
- Киркинский В.А., Ярошевский А. А. Физико-химический аспект изоморфизма.- Зап. Всесоюзн. Мин. О-ва, 1967, 96, вып.5.
- Ярошевский А.А. Термодинамическая интерпретация основных понятий изоморфизма.- В кн.: Проблема изоморфных замещений атомов в кристаллах.- М.: Наука, !971, с. 48.
- Киркинский В.А. Соотношение геометрического и энергетического факторов при изоморфизме.- В кн.: Материалы по генетической и экспериментальной минералогии, т.7- Новосибирск: Наука, 1972, с. 150.
- Wasastjema I.A. On the theory of the heat of formation of solid solutions.-Soc. Sci. Fenn., Comment, phys.- math., 1949, 15, № 3.
- Hietala J. Alkali, Halide Solid Solutions. I. Properties of pure components.-Ann. Acad. Sci. Fenn., 1963, AVI, № 121.
- Hietala J. Alkali, Halide Solid Solutions 2. Heat of formation of the Sodium chloride type.- Ann. Acad. Sci. Fenn., 1963, AVI, № 122.
- Урусов B.C. Теория изоморфной смесимости.- М.:Наука, 1972, с. 251.
- Таиров.Ю. М. Прогресс в технологии карбида кремния: современное состояние разработок и направления дальнейших исследований. В кн.: Широкозонные полупроводники Махачкала, 1988, С. 4 .
- Таиров Ю.М., Цветков В. Ф. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников: Сб. ЛИЯФ. Ленинград, 1979. С. 122.
- Van-Vechten J.A. Quantum dielectric theory of electronegayivity in covalent system. Parts 1−111. Phys. Rev. 1969 v. 187., 1007- Phys. Rev.B. V.7,N4, p.1479−1507.
- Cutler I.B., Miller P.D., Rafaniello W., Thompson D.P., Jack H.K. New materials in the Si-C-Al-O -N and releted systems. Nature (London), 1978, v.275, p. 434−435.
- Rutz R.F. Epitaxial crystal fabrication of SiC-AlN. US pat. 4 382 837, 1983.
- Суханек Г., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Письма в ЖТФ. 1983.Т.9. В. 12. С. 737.
- Rafaniello W., Plichta M.R., Vircar A.V., Investigation of phasa stabiliti in the SiC- A1N J. Amer. Ceram. Soc., 1983, v. 66, N4, p. 272 -276.
- Ervin G., Jr. Silicon carbide- aluminum nitride refractory composite. US pat. 3 492 153, North American Rockwell Corp., Jan. 27, 1970.
- Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4 141 740, Feb. 27, 1979.
- Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-A1N alloys. J. Mater. Sci., 1981, v. 16, N 12, p. 3470−3488.
- Ruh R. and Zangvil A. Composition and propeties of hot-pressed SiC-AlN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc., 1982, v.65, N 2, p. 260−265.
- Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc., 1988, v. 71, N10, p. 884−890.
- Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitrideceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N 2 p. 352−357.
- Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Шабанов Ш. Ш., Пащук Е. Г., Офицерова Н. В. Авров Д.Д., Садыков С. А. Получение и свойства поликристаллических твердых растворов SiC-AlN. ФТПД993, Т, 27, Вып. З, С. 402−408.
- Нурмагомедов Ш. А., Сорокин Н. Д., Сафаралиев Г. К. Таиров Ю.М., Цветков В. Ф. Особенности получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SIC)i.x (ALN)x. Изв. АН СССР, Неорг. матер., 1986, Т.22, Вып. 10, С. 1872−1874.
- Нурмагомедов Ш. А., Пихтин А. Н., Разбегаев В. Н., Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов (SlC)ix (AlN)x. Письма в ЖТФ, 1986, т. 12, вып 17, с. 1043−1045.
- Офицерова Н. В. Курбанов М.К., Никитина И. П., Сорокин Н. Д. Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Цветков В. Ф., Особенности получения гетероэпитаксиальных структур на основе твердых растворов (SIC). x (A1N)x. Изв. РАН, Неогр. мат., 1992, т. 28, N9, с.2011−2012.
- Дмитриев В.А., Ефимов Л. Б., Линьков И. Ю., Морозенко Я. В., Никитина И. П., Челноков В. Е., Черенков А. Е., Чернов М. А., Твердые растворы SiC-AlN, выращенные методом бесконтейнерной жидкофазной эпитаксии. Письма ЖТФ, т. 17, вып. 6, 1991, с. 50−53
- Kern R.S., Rowland L.B., Tanaka S., Davis R.F., Solid Solution of A1N and SiC grown by plasma-assisted, gas-sourse molecular beam epitaxy J. Mater. Res., 1983, v. 8, N7, p. 1477−1480.
- Царегородцев A.M., Лебедев A.O. Термодинамический анализ процесса осаждения из газовой фазы твердых растворов (SiC)ix (AlN) х, Неорг. мат-лы, 1995, т.31, № 6, с. 748−753.
- Офицерова H.B., Курбанов M.K., Сафаралиев Г. К. Влияние условий получения на состав и электропроводность твердых растворов (SiC)j. X (A1N)X .В сб. статей (Естественно-технические науки), Издательство ДГУ, 1992 г. с. 109−110.
- Сафаралиев Г. К., Курбанов М. К., Офицерова Н. В., Таиров Ю. М. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SIC),.X (A1N)X. Изв. РАН, Неорг. мат-лы, т.6, 1995, с. 1−4.
- Абдуев А.Х., Атаев Б. М., Ашурбеков С. А., Курбанов М. К., Нурмагомедов Ш. А., Сафаралиев Г. К., Управляемое изменение люминесцентных свойств твердых растворов на основе SiC. Письма в ЖТФ, т. 14, в.12, 1988, с. 1095−1098.
- Safaraliev G. K, Kurbanov М. К, Ofitcerova N.V. Luminescence of heterojunctions (SIC).X (A1N)X / SIC.// Trans. International Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, Santa-Clara, USA, 1991, p. 114−119.
- Safaraliev G., Kurbanov M., Isabecova Т., Magomedov A., Ofitcerova N. The growth and electrical properties of heteroepitaxial layers (SiC)i.
- X (A1N)X.// Trans. 3-th International High Temperature Electronic Conference, Albuquerque, USA, 1996, v.2,p.251−256
- Сафаралиев Г. К., Разбегаев B.H., Курбанов M.K. Таиров Ю. М., Цветков В. Ф. Влияние состава слоев на электролюминесценцию гетероструктур (SiC)i.AlN)x/(SIC). Электронная техника. Сер. Материалы, вып. 4 (258), 1991, с. 22−24.
- Safaraliev G. K, Kurbanov M. K, Nurmagomedov Sh.A., Ofitcerova N.V. Heteroj unctions on basis wide-gap solid solutions (SiC)ix (AlN)x. // 2-nd European High Temperature Electronic Conference, Manchester (England), 1997
- Дмитриев А.П., Евлахов H.B., Фурман. A.C., Расчет зонной структуры твердых растворов SiC-AIN методом псевдопотенциала. ФТП, т.30, в. 1, 1996, с. 106−116.
- S. Tungasmita, Р. О. A. Persson, Т. Seppanen, L. Hultman, and J. Birch The Growth of (SiC)x (A1N),.X Epitaxial Thin Films on 6H-SiC, by lon-assisted Dual Magnetron Sputter Deposition// Materials Sciece Forum Vols. 389−393 (2002) pp. 1481−1484.
- Francis F. Chen. Industrial applications of low temperatures plasma physics. Phys. Plasmas vol. 2, n. 6, June 1995, pp. 2164 — 2175.
- Плазменные ускорители/Под общей редакцией JI. А Арцимовича. М.: Машиностроение, 1973.
- Данилин Б. С., Неволин В. К., Сырчин В. К. Исследование магнетронных систем ионного распыления материалов. Электронная техника. Сер. Микроэлектронника, 1977, вып. 3 (69), с. 37 — 44.
- J. G. Kirk, D. J. Galloway. The evolution of a test particle distribution in a strongly magnetized plasma. PI. Phys., vol. 24. n. 4, 1982, pp. 339 359.
- L. Vriens. Energy balance in low pressure gas discharges. J. Appl. Phys. vol. 44, n. 9, September 1973, pp. 3980 — 3989.
- F. A. S. Ligthart, R. A. J. Keijser. Two electron group model and electron energy balance in low — pressure gas discharges. J. Appl. Phys. vol. 51, n. 10, October 1980, pp. 5295 — 5299.
- K. Kuwahara, H. Fujiyama. Application of the Child Langmuir Law to Magnetron Discharge Plasmas. IEEE Trans. Plasma. Sci., vol. 22, n. 4, August 1994, pp. 442 — 448.
- Suzuki M., Enomoto Y., Murakami T. // J. Appl. Phys. 1982. Vol. 53. P. 1622−1629.
- Suzuki M., Murakami T. //J. Appl. Phys. 1984 Vol. 56.P. 2330−2339.
- Gras-Marti A., Valles-Abarca J.A. // J. Appl. Phys. 1983. Vol. 54. N 2. P. 1071−1078.
- Valles-Abarca J.A., Gras-Marti A. // J. Appl. Phys. 1984. Vol. 55. N 5. P. 1370−1379.
- Westwood W.D. //J. Vac .Sci. Technol. 1978. Vol. 15. N 1. P. 1−9.
- Robinson R.S. // J. Vac. Sci. Technol. 1979. Vol. 16. N2. P. 185−188.
- Sputtering by Particle Bombardment.//Ind. R. Behrisch. Berlin, Heidelbeg, New York: Springer-Verlag, 1981. P. 336.
- B.A. Вольпяс, E.K. Гольман, M.A. Цукерман // ЖТФ. T.66. B.4. 1996.
- Keller J.H., Simmons R.G. // IBM. J. Res. Develop. 1979. Vol. 23. N 1. P. 24−37.
- Данилин Б. С., Сыргин В. Н. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. 72с.
- Ландау Л.Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. Т. 2. Теория поля. М.: Наука, 1967. 460с.
- Технология тонких пленок. Справочник. Т.1/ Под ред. Л. Майссела,
- Р. Глэнга. М.: Сов. Радио, 1997. 664 с.
- А.Ф. Хохлова //Физика твердого тела, лабораторный практикум- Н.Н.: 2000. с.310
- Matsui S., Misuki S., Yamato Т., Aritome H., Namba S. Reactive ion-beametching of Silicon Carbide, -Jpn. J. Appl.Phys., 1981, v.20,Nl, p. L38-L40
- Попов И.В., Сыркин А. Л., Челноков B.E. Реактивное ионно-плазменное травление карбида кремния. Письма в ЖТФ, т. 12, вып.4,с.240−243
- Гудков В.А., Крысов Г. А. Плазменное травление карбида кремния. Электронная техника, сер.1, Электроника СВЧ, 1984, вып.7(367), с.60−61
- Winters H.F., Cjburn J.W., Chuang T.J. Surface processes in plasma assisted eatching environments. — J.Vac. Sci. and Technol. B, 1983, v. l, Nl, p.469−480
- Ponce F.A., Van de Walfe C.G., Northrup G.E. Atomic arrangment at the AIN/SiC interface.// Physical Review B, v.53.,№l 1, 7473−7478,1996.
- Данилин Б.С., Киреев В. Ю., Назаров Д. А. Реактивное ионное травление. -Обзоры по электронной технике, сер. З, Микроэлектроника, 1984, вып.1 (1010), 71с.
- Технология сверхбольших интегральных схем/ под ред.С.Зи. М.: Мир, 1986.-Т. 1.-404 с.
- Вайнштейн Б.К. К теории метода радиального распределения //Кристаллография. 1957. Т.2. Вып. 1.С. 29−37.
- Франк Каменецкий В. А. Руководство по рентгеновскому исследованию минералов. Ленинград, из-во «Недра», 1975г
- Cutler I.B., Miller P.D. Solid solution and process for production a solid solution. US pat. 4 141 740, Feb. 27, 1979.
- Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. Fabrication and chracterization of SiC-A1N alloys. J. Mater. Sci., 1981, v.16, N 12, p. 3470−3488.
- Ruh R. and Zangvil A. Composition and propeties of hot-pressed SiC-AIN solid solutions. J. Am. Ceram. Soc., 1982, v.65, N 2, p. 260−265.
- Zangvil A., Ruh R. Phase relatiohoships in the silicon carbide-aluminum nitride system. J. Amer. Ceram. Soc., 1988, v. 71, N10, p. 884−890.
- Czekaj C.L., Hackeney M.L.J., Hurley W. J., Jr., Interrante L.V., Sidel G.A., Scheilds P.J., Slack G.A. Preparation of silicon carbide/ aluminum nitride ceramics using organometallic precursors. J. Am. Ceram. Soc., 1990, v.73, N2 p. 352−357
- Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М: Ф-М. .Л, 1961, 863с
- Эндрюс К., Дайсон Д., Киоун С. Электронограммы и их интерпретация . перевод с англ. языка из-во Мир, Москва, 1971 г.
- А.Ф. Хохлова //Физика твердого тела, лабораторный практикум- Н.Н.: 2000. с. 265.
- Бонч-Бруевич В.М., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М: Наука, 1977. 700с.
- Рембеза С.И., Синельников Б. М., Рембеза Е. С. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники.- Ставрополь.: СевКавГТУ, 2002.-141с.
- Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. Лабораторный практикум. Физичекие свойства твердых тел. Изд.П. М. Высшая школа 2001.
- Курбанов М.К. Гетеропереходы на основе твердых растворов (SiC)i. X (A1N)X.// Диссерт. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук,-Махачкала, 1998.
- James J.F. On the use of aphotomultiplier as aphoton counter. Mot. Not R. Astor Soc. 1967, v. 137, p.15.
- Totnill A.A., W. Measurement of very low spectral intensities. EMI. Ltd. Document. Ref. R/P029Z70.
- Нурмагомедов Ш. А. Твердые растворы нитрид алюминия карбид кремния.: Диссерт. на соиск. уч. степени канд. физ.-мат. наук — Л., ЛЭТИ, 1986.
- Сафаралиев Г. К., Таиров Ю. М., Офицерова Н. В., Морозенко Я. В., Абилова H.A.// Физика и техника полупроводников, 1996, Т. 30, В. З, с. 493−496.
- Дмитриев В.А.,.Иванов П. А, Морозенко Я. В., Попов И. В., Челноков
- B.Е. Письма в ЖТФ, 11, 246 (1985).
- Аникин М.М., Стрельчук A.M., Сыркин А. Л. // ФТП.1994. Т.22.В.2.1. C.284−289.
- Вадков Ю.А., Ломакина Г. А., Мохов E.H. // Сб. статьей: Широкозонные полупроводники. Махачкала, 1988. С. 169
- Павлов Л.П. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1987.-239 с.
- Батвин В. В. Коцевой Ю.А., Федорович Ю. В. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радиои связь, 1985.284 с.
- Батвин В.В. Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев. М.: Советское радио, 1976.-104 с.
- Справочник по электротехническим материалам. Под ред. Корицкого Ю. В., Пасынкова В. В., Тареева Б. М. Т. З, Л., Энергоатомиздат. 1988. 726 с.
- Tamm I. Е. Uber eine Moglich Art der Elektronenbindungen an Kristalloberflachen.- «Physikal. Zeitschr. Der Sowjetunion», 1932, В 1, H. 6, S. 733−746.
- Hume Rothery W" Mabort 1 G. W., Chamel — Evans К .M.- Ph 11. Trans. Roy. Soc ., А 223, 1, 1934.
- Pauling L., J. Am.Chem. Soc., 54, 570, 1932.