Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Спектроскопия основного и возбужденного состояний ионов переходных элементов в кристаллах для твердотельных лазеров

Диссертация: Спектроскопия основного и возбужденного состояний ионов переходных элементов в кристаллах для твердотельных лазеров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Метод циркулярного дихроизма, обладающий высокой разрешающей способностью, отличными от спектров поглощения правилами запрета на электродипольные переходы, позволил с достоверностью показать наличие малых концентраций иона Сг4+ в Ое-тетраэдрах в кристалле Саз0а2Се4014, а также ростовых дефектов, идентичных возникающим в результате у-, рентгеновского, УФ-облучений. Спектры поглощения возбужденного… Читать ещё >

Спектроскопия основного и возбужденного состояний ионов переходных элементов в кристаллах для твердотельных лазеров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Теория оптических спектров кристаллов, активированных ионами переходных элементов
    • 1. 1. Введение
    • 1. 2. Состояния электронов ¿/-оболочки в кристаллическом поле
    • 1. 3. Межконфигурационное взаимодействие для ¿/-оболочки свободного иона и иона в кристалле
    • 1. 4. Учет низкосимметричных составляющих кристаллического поля
    • 1. 5. Оценка влияния межконфигурационного взаимодействия и низкосимметричных составляющих кристаллического поля на точность определения уровней ¿/-иона активатора
    • 1. 6. Спин-орбитальное взаимодействие в системе уровней ¿/-оболочки
      • 1. 6. 1. Методика учета спин-орбитального взаимодействия
      • 1. 6. 2. Тонкая структура уровней иона Сг3+ в кристаллах
      • 1. 6. 3. Особенности суперпозиции уровней разной спин-мультиплетности при малых интервалах между ними
    • 1. 7. Метод расчета интенсивностных характеристик широких полос 53 в спектрах поглощения возбужденных кристаллов
      • 1. 7. 1. Параметризация интенсивностных характеристик
      • 1. 7. 2. Преимущества методики в случае иона с оболочкой
      • 1. 7. 3. Влияние спин-орбитального взаимодействия на интенсивности переходов
    • 1. 8. Выводы
  • Глава 2. Распределение ¿/-иона активатора в низкосимметричные позиции равной координации в структуре кристалла
    • 2. 1. Введение
    • 2. 2. Влияние кристаллической структуры на характер распределения активатора в октаэдры С- и С, структуры оливина
      • 2. 2. 1. Структура оливина
      • 2. 2. 2. Роль градиента потенциала поля кристалла в распределении активатора по октаэдрам Сі и Сх
    • 2. 3. Влияние основного состояния ¿/-иона на локализацию иона в октаэдры С- и С^
      • 2. 3. 1. Основные состояния (і-ионов в слабом и сильном кристаллических полях
      • 2. 3. 2. Распределение сі-иона в октаэдры Сі и С3 В слабом поле
      • 2. 3. 3. Распределение Зсі-ионов в октаэдры Сі и С5 в сильном поле
      • 2. 3. 4. Экстремальные коэффициенты распределения активатора в октаэдры Сі и С
    • 2. 4. Закономерности распределения 3?/-иoнoв в структуре по равнокоординированным позициям без элементов симметрии
    • 2. 5. Выводы
  • Глава 3. Закономерные связи спектрально-люминесцентных свойств кристаллов сложных оксидов, активированных Зс/-ионами, с валентными и структурными состояниями активатора
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Идентификация спектров поглощения из основного и возбужденного состояний иона Сг в александрите ВеА12-хСгх
      • 3. 2. 1. Учет низкосимметричной составляющей кристаллического поля и межконфигурационного взаимодействия
      • 3. 2. 2. Сопоставление теоретических и экспериментальных спектров
    • 3. 3. Локализация и валентные состояния ионов хрома в галлогерманате кальция Са30а20е4014 по данным спектров поглощения и циркулярного дихроизма
      • 3. 3. 1. Дополнительные возможности методики циркулярного дихроизма в определении валентных и структурных состояний ионов
      • 3. 3. 2. Структура кристалла Саз0а20е40?
      • 3. 3. 3. Спектры поглощения хромсодержащего кристалла Са3Са20е
      • 3. 3. 4. Спектры циркулярного дихроизма, магнитного циркулярного дихроизма кристалла Сг: СазСа2Се40 ?
      • 3. 3. 5. Спектры циркулярного дихроизма неактивированного кристалла Са3Сш2Се40 ?4. Дефекты структуры
    • 3. 4. Связь спектрально-люминесцентных свойств кристалла У:]У^28Ю4 с окислительными и структурными состояниями ионов ванадия
    • 3. 5. Основное валентное состояние хрома в кристаллах
  • Сг:Са№^8Ю4 и Сг:1ЛАЮе04, Сг:1лОа8Ю
    • 3. 6. Выводы
  • Глава 4. Систематика спектров поглощения из возбужденных состояний ионов активаторов переходных элементов в кристаллах
    • 4. 1. Введение
    • 4. 2. Систематика возбужденных состояний и спектров поглощения из возбужденных состояний ионов в кристаллах
      • 4. 2. 1. Выбор квантовых чисел для систематики возбужденных состояний
      • 4. 2. 2. Три типа спектров поглощения из возбужденных состояний
    • 4. 3. Основные закономерности в спектрах поглощения из возбужденных состояний типа I
      • 4. 3. 1. Частотные характеристики, тип люминесценции, время жизни возбужденного состояния
      • 4. 3. 2. Закономерности в силах осцилляторов переходов
    • 4. 4. Основные закономерности в спектрах поглощения из возбужденных состояний типа II
      • 4. 4. 1. Частотные характеристики, тип люминесценции, время жизни возбужденного состояния
      • 4. 4. 2. Закономерности в силах осцилляторов переходов
    • 4. 5. Основные закономерности в спектрах поглощения из возбужденных состояний типа III
      • 4. 5. 1. Частотные характеристики, тип люминесценции, время жизни возбужденного состояния
      • 4. 5. 2. Закономерности в силах осцилляторов переходов
    • 4. 6. Переходы из возбужденных состояний на уровни другой спин-мультиплетности и зависимости их частот от ковалентности связи
    • 4. 7. Выводы
  • Глава 5. Элементы подобия и равенства в спектральных характеристиках спектров поглощения из основного и возбужденного состояний ионов переходных элементов
    • 5. 1. Введение
    • 5. 2. Элементы подобия в спектрах поглощения из основного и возбужденного состояний
      • 5. 2. 1. Соотношения частот в максимумах полос поглощения из основного и возбужденного состояний
      • 5. 2. 2. Соотношения интенсивностных характеристик полос поглощения из основного и возбужденного и состояний
    • 5. 3. Подобие спектров поглощения из основного и возбужденного состояний иона с оболочкой d в сильном кристаллическом поле
      • 5. 3. 1. Частоты в максимумах полос
      • 5. 3. 2. Интенсивности широкополосных переходов и их поляризагрюнные зависимости
      • 5. 3. 3. Формы полос поглощения
    • 5. 4. Подобие спектров поглощения из основного и возбужденного состояний в ионе с оболочкой d
    • 5. 5. Выводы
  • Глава 6. Особенности ¿/-оболочки переходных элементов в ряду оболочек основного состояния атома
    • 6. 1. Введение
    • 6. 2. Размерность реального пространства в свойствах электронных/-оболочек атома
      • 6. 2. 1. Исходные полоэ/сения
      • 6. 2. 2. Изменение числа электронов в ряду l-оболочек равно числу вершин симплекса трехмерного пространства
      • 6. 2. 3. Моделирование множеств электронов {Апкеі, NJ вершинами многогранников
      • 6. 2. 4. Число стабильных l-оболочек ограничено числом вершин симплекса трехмерного пространства
      • 6. 2. 5. Антипризма как проекция n-мерного октаэдра на трехмерное пространство
      • 6. 2. 6. Характер минимума потенциала электронов
  • 5-, р-, с1-, /-оболочек в трехмерном пространстве
    • 6. 3. Самоорганизация электронов в электронной системе атома в целом
    • 6. 4. Связь /-оболочки основного состояния иона с устойчивостью возбужденных состояний и характеристиками генерации
      • 6. 4. 1. Сравнительные лазерные свойства инертных газов и атомов с достраивающимися с!-, /-оболочками в газовых лазерах
      • 6. 4. 2. Эффективность генерации на переходах ионов с разными сГ- и-оболочками в кристаллах
    • 6. 5. Выводы

Актуальность работы. Достижения современной научно-технической революции, в том числе нанотехнологии, современная оптика, фотоника, основаны на фундаментальных результатах предыдущего периода развития науки. К наиболее значимым его открытиям относится лазерный эффект, который в полной мере востребован в новых направлениях науки и технологий.

Интерес к лазерным свойствам кристаллов, активированных ионами переходных элементов, не ослабевает в течение длительного времени. На электронных переходах между уровнями ¿-/-оболочки активатора получена генерация в узкой линии и перестраиваемая по частоте, в том числе в режиме ультракоротких фемтосекундных импульсов с высокой частотой повторения.

Лазеры с такими характеристиками широко применяются в научных и прикладных направлениях, например, в атмосферной фотохимии, на-нохимии, химической кинетикепри исследованиях биохимических и биологических процессов и воздействиях на них в фотобиологиив дистанционной диагностике, спектроскопии и многих разделах физики, медицины, экологии, в системах навигации и метрологии, в технологиях наукоемких производств, например, оптоволоконном приборостроении, приборах, производстве наноматериалов.

Их востребованность в новых разделах науки и техники, перспективы которых еще и не осознанны, очевидна из работ по основанной на лазерах точной спектроскопии, включая технику прецизионного расчета светового сдвига в оптических стандартах частоты (оптических гребенок) (Нобелевская премия по физике 2005 г.). Необходимым элементом этих работ был фемтосекундный лазер на титанате сапфира.

В основе целенаправленного поиска новых лазерных кристаллов с улучшенными параметрами генерации и энергетическими характеристиками лежит оптимизация спектроскопических и технологических свойств кристалла. Трудности прогнозирования спектроскопических свойств активированных ионами переходных элементов кристаллов связаны со сложностью решения многоэлектронной многоцентровой задачи для состояний электронной системы иона в кристалле.

Научная проблема. Научной проблемой данной работы является развитие спектроскопии кристаллов, активированных ионами переходных элементов, в основном и возбужденном состоянии, как основы для целенаправленного поиска новых кристаллов с улучшенными характеристиками.

Предмет исследования. Предметом исследования являются физические факторы, формирующие спектральные и люминесцентные свойства кристаллов для лазеров на переходах в достраивающейся ¿-/-оболочке ионов активаторов переходных элементов, сами свойства в конкретных кристаллах.

Рамки исследования и состояние проблемы в настоящее время.

Работа имеет расширенные рамки исследования. Это обусловлено: 1) возможностью развития более точного варианта теории для идентификации центров активатора и его спектральных свойств- 2) отсутствием определенных и нужных для целей данной работы разделов теории спектроскопии активированных кристаллов- 3) разной информативностью экспериментальных спектров кристаллов в зависимости от кристаллохимии матрицы, типа оболочки сҐ и иона.

1. Общей практикой при поиске новых лазерных сред на основе лазерных кристаллов, активированных ионами переходных элементов, является использование полуэмпирического варианта теории кристаллического поля. Разные модификации теории молекулярных орбиталей дали согласие с экспериментом лишь в отдельных случаях.

Теорию кристаллического поля нельзя считать завершенной из-за неполного учета межконфигурационного взаимодействия (в отличие от ионов редкоземельных элементов), реальной симметрии позиции активатора для достаточно широкого круга точечных групп низкой симметрии. Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру уровней и интенсивности переходов изучено недостаточно.

2. К неразработанным разделам теории спектроскопии ионов переходных элементов в кристалле относятся разделы по теории спектров возбужденных кристаллов и факторам самоорганизации в электронной системе иона.

Поглощение из возбужденного состояния активатора возникает именно при накачке. Диапазоны его частот, накачки и генерации могут частично и полностью перекрываться, влияя на параметры или возможность генерации. В данной работе поставлена задача развития основ теории спектров возбужденных кристаллов, активированных ионами со всеми типами ¿-/^-оболочек = 2−9), во всех диапазонах силы кристаллического поля.

Современная теория состояний электронной системы ионов должна быть дополнена и разделом по факторам ее самоорганизации еще в свободном атоме. Свойства основного и возбужденных уровней электронной ¿-/-оболочки иона есть следствия самоорганизации электронов в устойчивые дискретные системы на разных уровнях периодической таблицы Д. И. Менделеева. Атомы химических элементов — одна из основных стабильных форм организации материи. Поэтому свойства их электронной системы должна регламентироваться фундаментальными факторами. В работе главное внимание уделено размерности реального пространства, как одному из таких факторов. Эта проблема представляется актуальной и для широкого круга устойчивых иерархических детерминированных систем.

3. Наиболее информативны и оптимальны для детальной проверки теории спектры поглощения хорошо изученного иона Сг3+ в случае сильI ного кристаллического поля и. Именно в таких кристаллах на ионе Сг получена генерация в узкой линии. Уточненная теория кристаллического поля должна быть проверена на информативных спектрах иона Сг3+ в кристаллах окиси магния магниевой шпинели ]^А1204, корунда.

А1203, алюмо-иттриевого граната У3А15 012, изумруда Ве3А12(8Ю3)б.

Для перестраиваемых в актуальных диапазонах и фемтосекундных лазеров перспективны кристаллы сложных оксидов со средним, слабым полем на активаторе. В кристалле такого типа — александрите ВеА12. хСгхС>4 — впервые и получена перестройка частот генерации. В галлогерманате Сг: Са30а20е4014 достигнуто и самоумножение частоты генерации на ионе Сг3+. Форстерит Сг4+:М§ 28Ю4 широко используется как лазерная среда ближнего ИК-диапазона и фемтосекундный лазер. Несомненный интерес представляют другие активаторы в матрице форстерита, а также ион Сг4+ в других кристаллах.

В работе исследованы спектральные характеристики кристаллов ВеА12"хСгх04, — Сг: Са30а20е4014, форстерита У:1У^28Ю4, кристалла Сг: СаМ^8Ю4, перспективных и впервые синтезированных монокристаллов структуры фенакита Сг:1лАЮе04, Сг:1ЛОа8Ю4;

Трудности исследования спектральных характеристик сложных оксидов обусловлены тем, что в их структурах существует более одной возможной позиции активатора. Центры активатора могут отличаться по локальной симметрии, координации, схемам компенсации заряда и изоморфизма. Перекрывание их поглощения приводит к малой информативности спектров. Поэтому, несмотря на то, что для сложных оксидов проблема связи спектральных свойств с типом центра активатора выходит на первый план, для идентификации центра может быть применен только простой вариант теории. В этом случае теоретические выводы, полученные по оптическим спектрам, не всегда однозначны. Для корректировки результатов идентификации центров и их влияния на спектрально-люминесцентные свойства кристаллов необходимы дополнительные данные.

В связи с этим возникает необходимость развития теоретического метода оценки распределения активатора по равнокоординированным позициям структуры сложного оксида, основанного на главных факторах — структуре кристалла и основном состоянии активатора. Как дополнительные оптические методы исследования рассмотрены возможности спектров циркулярного дихроизма, включая наведенный магнитным полемспектров поглощения возбужденного кристалла. Дополнительную информацию могут предоставить и изменения в спектрах поглощения при варьировании окислительно-восстановительных условий выращивания.

Достоверность результатов. Определение матриц уровней ионов переходных элементов в низкосимметричных позициях, с одновременным учетом спин-орбитального и межконфигурационного взаимодействий связано с большим объемом вычислений, а использование результатов — с программированием матриц большого порядка. Оба этапа потребовали развития надежного способа проверки. В данной работе создана оригинальная методика, в которой полностью использована схема соподчинения групп симметрии.

Программное обеспечение для расчетов собственных функций состояний ионов и энергий состояний, содержало поиск собственных значений матриц, оптимизацию параметров теории методом наименьших квадратов. Выбранные методы оптимизации отбирали решения, устойчивые к вариациям начальных приближений параметров теории.

Достоверность теоретических результатов подтверждается их корреляцией с данными эксперимента.

Цель работы. Цель работы состояла в развитии спектроскопии основного и возбужденного состояний ионов активаторов переходных элементов в кристаллах для целенаправленного поиска новых лазерных кристаллов с улучшенными характеристиками. Достижение цели включало:

— Цикл вычислений по уточнению теории спектров путем более полного учета взаимодействий, формирующих состояния активатора. Разработку способа проверки вычисленных матриц на этапах расчета и программирования;

— Апробацию полученных результатов при идентификации спектроскопических свойств иона Сг в кристаллах М^О, ]У^А1204, УзА^О^, Ве3А12(8Ю3)6, А1203;

— Разработку теоретического метода оценки коэффициента распределения активатора в структуре кристалла по равнокоординированным позициям с и без элементов симметрии.

— Цикл расчетов полного набора уровней для возможных структурных и валентных состояний активаторов в кристаллах сложных оксидов на основе спектров поглощения, оценок распределения по позициям, данных дополнительных экспериментальных методик для кристаллов ВеА12. хСгх04- Сг: Са30а20е4014- У: Мя28Ю4, — (>^N^8104, Сг:1ЛАЮе04, Сг:1лСа8Ю4;

— Систематизацию возбужденных состояний активатора, спектров поглощения из возбужденных состояний, установление их частотных и интенсивностных характеристик. Разработку метода расчета сил осцилляторов широкополосных переходов из возбужденных состояний. Расчеты полных таблиц величин для определения сил осцилляторов переходов для всех типов сР*-оболочек.

— Разработку методики исследования роли размерности реального пространства в самоорганизации электронной системы атома. Анализ проявления размерности в формах самоорганизации электронной системы в дискретные образования, в свойствах с/-,/-оболочек и их основных и возбужденных уровней.

Научная новизна. К впервые полученным результатам можно отнести:

— В теории электронных состояний ионов активаторов переходных элементов в кристаллах наиболее полный учет взаимодействий, формирующих эти состояния, — межконфигурационного, спин-орбитального, реальной симметрия позиции иона. Охват большинства практически важных некубических точечных групп;

— Новый теоретический метод оценки распределения активатора по кристаллографически близким позициям структуры кристалла, основанный на принципе максимальной симметрии в приложении к пространственным группам позиций и на свойствах электронного распределения в основном состоянии активатора;

— Определение связи спектрально-люминесцентных характеристик со структурными и валентными состояниями активатора для кристаллов сложных оксидов: форстерита У: М§ 28Ю4, СпСаМ^Ю^ впервые синтезированных монокристаллов со структурой фенакита Сг: ЬіАЮе04, Сг: Ьі0а8і04;

— Создание основ теории спектров возбужденных кристаллов, активированных ионами переходных элементов;

— Установление роли размерности реального пространства в самоорганизации электронов в устойчивые системы на разных уровнях периодической таблицы химических элементовв формировании отличительных свойств состояний ¿-/-оболочки в сравнении с и /-оболочками, в особенностях лазерной генерации.

На защиту выносятся следующие основные результаты:

1. Результаты завершения теории кристаллического поля путем полного учета межконфигурационного, спин-орбитального взаимодействий, реальной симметрии позиции активатора, расчета собственных функций состояний. Общий подход, позволяющий учитывать симметрию позиции для большинства практически важных точечных групп низкой симметрии. Результаты применения теории при определении спектроскопических свойств иона Сг3+ в ряде кристаллов оксидов.

2. Новый метод оценки распределения активатора по кристаллографически близким позициям структуры кристалла, основанный на анализе главных характеристик кристалла и активатора — пространственной группе структуры и электронной плотности основного состояния активатора. Соотношения между величинами коэффициентов распределения активаторов.

3. Результаты определения и уточнения связи спектрально-люминесцентных характеристик кристаллов со структурными и валентными состояниями активатора для кристаллов ВеА12-хСгх04- Сг: Са3Са20е4014- У: М§ 28Ю4, Сг: СаМ§ 8Ю4, Сг: ЫАЮе04, Сг:1лОа8Ю4. Идентификацию наборов активаторных центров в этих кристаллах, а также ростовых дефектов в кристалле Сг: Са30а20е40]4.

4. Основы теории спектров возбужденных кристаллов, активированных ионами с достраивающейся ¿-/-оболочкой, — систематизацию, свойства возбужденных состояний, их спектров поглощения, элементы равенства и подобия в спектрах возбужденного и невозбужденного кристалла. Методы и результаты оценок: поглощения возбужденного кристалла, основанный на сопоставлении квантовых чисел основного и возбужденного состоянийсил осцилляторов широкополосных переходов из возбужденных состояний.

5. Доказательство проявления фундаментального свойства реального пространства — его размерности — в самоорганизации устойчивых образований в электронной системе атома, ее устойчивости как целого:

— методика решения проблемы, основанная на свойствах симплекса пространства и модели правильной системы точек в приложении к электронам /-оболочек;

— роль трехмерности реального пространства в числе электронов на /-оболочках, числе оболочек основного состояния атома, структуре электронной системы в целомсвойствах основных и возбужденных состояний электронов с р-, с!-, /-оболочками в основном состоянии атомаособенностях лазерного эффекта.

Теоретическая и практическая значимость результатов исследования. Теоретическая значимость работы заключается в фактическом завершении теории кристаллического поля на достаточно высоком предсказательном уровне. Увеличение точности способствует точности теории электронно-колебательного взаимодействия, особо важного в эффекте перестройки частоты генерации. Это взаимодействие учитывается для отдельных уровней, вычисленных по теории кристаллического поля. Основы теории спектроскопии возбужденного состояния могут инициировать дальнейшее развитие соответствующего раздела теоретической спектроскопии активированных кристаллов.

Метод оценки распределения активатора по позициям структуры создает возможность развития для структурных исследований методик количественных оценок, включающих и зависимость распределения от дополнительных факторов.

Практическая значимость работы определяется совокупностью теоретических результатов и интерпретации спектрально-люминесцентных свойств исследованных кристаллов. Эти результаты, как видится автору, могут способствовать более эффективному поиску новых кристаллов с требуемыми параметрами генерации. Что касается исследованных кристаллов, то часть их уже является лазерными, другие, как показано, перспективны для перестраиваемых лазеров, пассивных затворов.

Результаты по влиянию размерности пространства на эволюцию электронной системы атома при увеличении зарядового номера элемента, которая отражена в периодической таблице Д. И. Менделеева, имеют фундаментальный характер. Они актуальны и для других иерархических детерминированных систем, например, нанокластеров, белковых структур. Могут быть полезны при преподавании специальных разделов физики, химии, например, по методике «Active Based Physics Education», так как наглядно демонстрируют проявления фундаментальных свойств реального мира в самоорганизации устойчивых образований материи. Апробация работы. Материалы диссертации доложены на:

— симпозиумах: Всесоюзных Феофиловских по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных элементов (Ленинград, 1970, 1982, 1990; Свердловск, 1973, 1985) — Всесоюзных «Световое эхо и когерентная спектроскопия», «Световое эхо и пути его практического применения» (Харьков, 1985; Куйбышев, 1989) — Second Soviet-Indian on Crystal growth and characterization (laser and nonlinear crystals) (Moscow. 1991) — IV Международном по минералогии, геммологии, кристаллохимии и кристаллогенезису (СПб., 2002) — II Международном «Биокосные взаимодействия: жизнь и камень» (СПб., 2004) — XIII по межмолекулярному взаимодействию и конформациям молекул (СПб., 2006) — X Международном «Порядок, беспорядок и свойства оксидов» (Рос-тов-на-Дону-п. Лоо, 2007);

— Федоровских сессиях (Ленинград, 1977, 1987, 1989; СПб., 2003);

— съездах: XVII и XX Всесоюзных по спектроскопии (Минск, 1971; Киев, 1988) — XII, XV European Crystallographic meetings (Moscow, 1989; Dresden, 1994) — XVI Congress and General Assembly International Union of Crystallography (Beijing, China, 1993);

— конференциях: Международных «Оптика лазеров» (Ленинград, 1982; СПб., 1993) — International «Laser and Application» (Bucharest, 1982) — IV Всесоюзной «Перестраиваемые по частоте лазеры» (Новосибирск, 1984) — Всесоюзной «Теория оптических спектров сложных систем и методика преподавания теории строения вещества в курсе общей физики» (Москва, 1989) — International «Tunable Solid States Laser' 94» (Minsk, 1994) — Международной по люминесценции (Москва, 1994) — III Международной по Лазерной Физике и Спектроскопии (Гродно, 1997) — Eastern Regional on Crystal Growth & Epitaxy (Atlantic City, USA, 1997) — III, IV, VI Международных «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение» (Александров, 1997, 1999, 2003) — Международной по росту и физике кристаллов памяти М. П. Шаскольской (Москва, 1998) — II, IV Национальных по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Москва, 1999, 2003) — По радиационной физике (с международным участием) (Бишкек-Каракол, Киргизия, 1999) — IX, X Национальных по росту кристаллов (Москва, 2000, 2002) — II Национальной кристаллохимической (Черноголовка, 2000) — International «Optics of Crystals» (Mozer, Belarus, 2000) — Международной «Кристаллогенезис и минералогия» (СПб., 2001) — 1- 3th International on Physics of Laser Crystals (Kharkiv — Stary Saltov, 2002; Yalta, 2005; Sevastopol, 2007) — Всероссийской «Прикладная геометрия, построение расчетных сеток и высокопроизводительные вычисления» (Москва, 2004) — Международной «Физика и физическое образование: состояние и перспективы развития» (Бишкек, Кыргызия, 2006) — III Международной по физике кристаллов «Кристаллофизика XXI века» (Черноголовка, 2006);

— семинарах: «Лазерные люминофоры» (Звенигород, 1988), «Оптика анизотропных сред» (Звенигород, 1990) — IX «Спектроскопия лазерных материалов. Применение оптических материалов в науке и технике» (Краснодар, 1993) — Московском семинаре по физике и спектроскопии лазерных кристаллов (Москва, 2003);

— ряде других конференций, совещаний, семинаров, конкурсах научных работ ПК РАН.

Публикации. Результаты работы изложены в 124 публикациях (3 обзора, 69 статей и 52 тезиса докладов). Список 35 публикаций, в которых отражено основное содержание работы, приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и двух приложений. В связи с расширенной проблематикой данной работы краткие обзоры литературы даются в начале каждой главы. В заключение работы приведены наиболее важные результаты и выводы.

6.5. Выводы.

Установлено, что трехмерность реального пространства входит в ряд фундаментальных факторов (наряду с его однородностью и изотропностью, свойствами квантовых частиц и связанных с ними полями), которые влияют на процесс самоорганизации в электронной системе атома, определяя число химических элементов равным 118 и периодичность их физико-химических свойств.

Трехмерность пространства определяет число электронов на /оболочках атома, ограничивает до четырех число оболочек, уровни которых только и могут быть основными уровнями атома, регламентирует такой порядок расположения оболочек в периодах таблицы Д. И. Менделеева, который придает им наивысшую устойчивость. В результате в ряду я-, р-, с1-, /-оболочек ¿-/-оболочка занимает особое положение. С ¿-/-оболочки размерность координатного пространства оболочек, определяемого как 2/+1, начинает превышать размерность реального пространства. Это приводит к меньшей стабильности этой оболочки во сравнении с и р-оболочками, а также к тому, что ¿-/-оболочка оказывается последней оболочкой, которая в ионах (в отличие от ионов с /оболочками) напрямую участвует в химических связях, влияет на характер распределения ионов по позициям структуры, взаимодействует с колебаниями среды.

Емкость ¿-/-оболочки, равная десяти электронам, обеспечивает возможность значительных по сравнению с и /"-оболочками орбитальных и магнитных моментов.

Сумма всех этих проявлений трехмерности реального пространства в самоорганизации электронов ¿-/-оболочки обеспечивает разнообразие и свойства лазерной генерации кристаллов, активированных ионами переходных элементов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

• Теория кристаллического поля, используемая в поисковых исследованиях лазерных кристаллов с улучшенными энергетическими характеристиками и необходимыми диапазонами перестройки, завершена путем полного учета межконфигурационных корреляций, реальной симметрии позиции активатора, спин-орбитального взаимодействия, расчетом собственных функций состояний. Общий подход, в полной мере учитывающий соподчинение групп точечной симметрии, обеспечил учет реальной симметрии позиции иона в половине групп некубической симметрии. Эти группы в подавляющем большинстве кристаллов и соответствуют реальной симметрии позиции активатора.

Результаты вышеуказанных дополнений теории кристаллического поля, развитый новый метод оценки сил осцилляторов переходов из возбужденных состояний активатора по силам осцилляторов переходов из основного состояния проверены на информативных спектрах поглощения из основного и возбужденного состояний иона Сг3+ в кристаллах АІ2О3, М^А1204, У3А150і2, М§-0, Ве3А12(8іОз)б. Вычислены энергии уровней, их тонкие расщепления, силы осцилляторов переходов из возбужденных состояний и их зависимости от поляризации, установлены закономерные связи времени жизни возбужденных состояний иона с величиной спин-орбитального взаимодействия уровней. Результаты теории с достаточно высокой точностью соответствовали данным эксперимента.

Таким образом, при учете межконфигурационных корреляций, реальной симметрии позиции активатора, спин-орбитального взаимодействия и достаточной информативности спектров поглощения и люминесценции полуэмипирический вариант теории кристаллического поля обладает высокой предсказательной точностью.

Эти теоретические результаты по исследованию влияния разных физических взаимодействий на электронные состояния иона в кристалле, по мнению автора, будут полезны и при дальнейшем развитии теории электронных состояний иона активатора в кристалле вплоть до микроскопической теории из первых принципов.

• Применение полного математического аппарата теории кристаллического поля к кристаллам сложных оксидов, в структурах которых возможны разные локализации и переменная валентность активатора, ограничено недостаточной информативностью спектров поглощения и люминесценции.

Для однозначной идентификации центров активатора в кристаллах ВеА12-хСгх04- Сг: Са30а20е4014- У: М&8Ю4, Сг: СаМ§ 8Ю4, Сг:1лАЮе04, Сг:1лОа8Ю4, установлений связей между этими центрами и спектрально-люминесцентными характеристиками кристаллов развит новый метод оценки распределения ¿-/-ионов по равнокоординированным низкосимметричным позициям и позициям без элементов симметрии структуры кристалла.

Метод для позиций с элементами симметрии основан на принципе максимальной симметрии в применении к пространственным группам сравниваемых позиций, которые являются подгруппами пространственной группы структуры кристалла, и анализе характера электронного распределения в основном состоянии активатора. Результаты применения метода и экспериментальные данные по распределению ионов группы железа в изоморфные по точечным группам С1 и С8 октаэдрически координированные позиции в кристалле со структурой оливинафорстерите MgSi04 коррелировали. Получены соотношения между коэффициентами распределения в эти позиции в зависимости от терма основного состояния активатора, его электроотрицательности, числа электронов на ¿-/-оболочке. На примере кристалла MgSi04 показано, что эти соотношения уточняют интерпретацию экспериментальных зависимостей коэффициентов распределения в позиции С{ и С8 двухвалентных ионов группы железа от эффективных радиусов ионов.

Для оценки характера распределения по позициям без элементов симметрии предложен подход, основанный на сравнении симметрии в надгруппах групп равнокоординированных позиций. Метод в применении к кристаллам со структурой фенакита Сг:1лАЮе04, СпЫОаБЮ привел к результатам, коррелирующим с моноэкспоненциальным характером затухания люминесценции и данными спектров поглощения.

Исследованы возможности дополнительных к спектрам поглощения оптических методик при определении типов центров активатора в сложных оксидах и их связи со спектрально-люминесцентными свойствами кристаллов.

Метод циркулярного дихроизма, обладающий высокой разрешающей способностью, отличными от спектров поглощения правилами запрета на электродипольные переходы, позволил с достоверностью показать наличие малых концентраций иона Сг4+ в Ое-тетраэдрах в кристалле Саз0а2Се4014, а также ростовых дефектов, идентичных возникающим в результате у-, рентгеновского, УФ-облучений. Спектры поглощения возбужденного кристалла ВеА12хСгх04 дали возможность сопоставления теоретических результатов и экспериментальных данных в исключительно широком спектральном диапазоне. Как следует из развиваемой в работе теории спектров возбужденных кристаллов, эта экспериментальная методика может представить для большинства ¿-/-ионов дополнительную к спектрам поглощения из основного состояния информацию о центрах активатора. Влияние варьирования окислительно-восстановительных условий выращивания на характер спектров поглощения оказалось особенно полезным при идентификации в кристаллах У: М§ 28Ю4, Сг: СаМ§ 8Ю4, Сг:1лАЮе04, Сг: ЫОа8Ю4 центров, содержащихся в заметных количествах.

• Новыми являются теоретические результаты по системному анализу общих закономерностей в спектрах поглощения из возбужденных состояний ¿-/-ионов в кристаллах. Все возможные для ионов с оболочками dN (.N Ф 1,9) возбужденные состояния и спектры поглощения из возбужденных состояний классифицированы в три типа. Каждый из них обладает характерными частотными, интенсивностными характеристиками, типом люминесценции, временем жизни возбужденного состояния. Результаты удовлетворительно соответствуют имеющимся экспериментальным данным. В дополнение к классическим диаграммам Сугано и Танабе для переходов из основного состояния ионов с достраивающейся ¿-/-оболочкой построены диаграммы для переходов из возбужденных состояний. Можно предположить, что созданные основы теории спектроскопии возбужденного состояния активатора в кристалле будут способствовать целенаправленному поиску новых лазерных кристаллов.

• Установлено наличие элементов подобия и равенства в частотных и интенсивностных характеристиках широких полос в спектрах поглощения из основного и возбужденного состояний ионов активаторов переходных элементов в кристаллах. Это свойство объяснено наличием у гамильтониана иона в кристалле в ряду групп высшей симметрии Ли более высокой группы инвариантности, чем симметрия позиции иона в кристалле. В случае иона с оболочкой d свойство подобия и равенства выражено в наибольшей степени — в числе полос, в формах полос, интенсивностях и их поляризационныъх зависимостях. В этом случае дополнительно оказывают влияние крамерсово вырождение уровней и число электронов на оболочке. Полученные результаты дают возможность более точной оценки влияния на параметры и возможность генерации поглощения, индуцированного накачкой. Наличие этих особенностей ставит новые задачи в теории спектров активированных кристаллов.

• Анализ фактора размерности реального пространства в свойствах электронных оболочек, особенностях лазерной генерации, в самоорганизации электронной системы атома позволил сделать следующие выводы:

— Трехмерность реального пространства в ряду других факторов (его однородности, изотропностивеличины потенциала ядра атоманеразличимости квантовых частиц и свойств электронов как кулоновской частицы) определяет структуру электронной системы атома, созидает число химических элементов равным 118, периодичность их физико-химических свойств;

— Фактор размерности формирует индивидуальные особенности электронных оболочек атома, регламентируя число электронов на оболочках и, таким образом, их относительные стабильности в трехмерном пространстве, величины орбитальных и магнитных моментов. Фактор размерности при самоорганизации периодов в электронной системе атома приводит к возможности электронов ¿-/-оболочки напрямую участвовать в химических связях и взаимодействовать с колебаниями среды. Совокупность особенностей электронной ¿-/-оболочки определяет широкий круг свойств ¿-/-ионов и содержащих их сред, включая лазерные свойства активированных кристаллов.

Результаты по роли размерности реального пространства в формировании одной из основных стабильных форм организации материи — атомов химических элементов — углубляют понимание роли фундаментальных факторов в формировании и свойствах иерархических детерминированных систем. Эти результаты, по мнению автора, могут представлять сравнительный интерес и в связи с бурным развитием теории скрытых размерностей на квантовом уровне материи.

Автор с благодарностью обращается к светлой памяти Б. Н. Гречушникова, Д. Т. Свиридова, к научным школам которых относится данная работа, а также B.JI. Инденбома, О. В. Качалова за совместную работу и поддержку.

Ряд исследований выполнен совместно с сотрудниками Института кристаллографии им. A.B. Шубникова РАН — Б. К. Севастьяновым, Х. С. Багдасаровым, Р. В. Галиулиным, З. Б. Перекалиной, В. П. Ореховой и другимиИнститута общей физики им A.M. Прохорова РАН — Е. В. Жариковым, В. А. Смирновым, К. А. Субботиным, В. Ф. Лебедевым, A.B. ГайстеромВ.Б. Дудниковой — сотрудницей Института геохимии и аналитической химии им. В. И. Вернадского РАН. Автор им глубоко благодарен за сотрудничество.

Особую признательность диссертант выражает Л. Ф. Кирпичниковой и А. Ф. Константиновой за многолетнюю поддержку и критические замечания.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Petricevic V., Seas A., Alfano R. R. Cromium-Activated Forsterite Laser. // OSA Proc. Tunable Sol. State Laser. Washington, DC: OSA.-1989.-V.5.- P.77−84.
  2. Jia W., Liu H., Yen W.M., Denker B. Spectroscopy of Cr3+ and Cr4+ ions in forsterite. //Rev. B. -1991. -V.43. -P.5234−5242.
  3. Macfarlane P.I., Yan T.P.J., Henderson В., Kaminskii A.A. Cr3+ luminescence in calcium and strontium gallogermanate. // Optical Materials. -1994. -V.3. -C.15−24.
  4. В.Ф., Гайстер A.B., Теняков С. Ю. и др. Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. I. Спектры поглощения. // Квантовая электроника. -2003. -Т.33.-№ 3. С.192−196.
  5. А., Б., Бикметов И.Ф., Лобач В. А. и др. Электронная структура Сг4+ центра в иттрий-алюминиевом гранате. // ФТТ.-1991.-Т.ЗЗ. -№ 2,-С.321−323.
  6. Hazenkamp M.F., Gudel H.U., Atanasov М. et al. Optical spectroscopy of Cr4±doped Ca2Ge04 and Mg2Si04/ // Phys. Rev. B. -1996. -V.53. -P.2367−2377.
  7. Atanasov M., Adamsky H., Eifert K. Valence Stabilization, Mixed Crystal Chemistry, and Electronic Transitions in Tetrahedral Oxo and Hydrooxo Cr (IV), Mn (V), and Fe (VI) Clusters: A Theoretic Investigation. // J. Sol. State Chem.-1997.-V.128.-P.1−16.
  8. Д. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел,-М.:Мир.-1978.-652 с.
  9. Н.А., Свиридов Д. Т. Методы расчета электронных структур свободных и примесных ионов. М.:Наука.-1986.-278 с.
  10. Sugano S., Tanabe Y., Kamimura H. Multiplets of transition-metal ions in crystals. N.Y.:Acad. press. -1970. -331 p.
  11. Э. Электронная спектроскопия неорганических соединений. Т.2.1. М.:Мир.-1987.-491 с.
  12. Д.Т., Свиридова Р. К., Смирнов Ю. Ф., Оптические спектры ионов переходных элементов в кристаллах. -М.: Наука. -1976.-276 с.
  13. Д.Т., Смирнов Ю. Ф. Теория оптических спектров ионов переходных металлов. -М: Наука. -1977. -328 с.
  14. Т.Ф., Перекалина З. Б., Тынаев А. Д., Яковлева Л. М. Исследование циркулярного дихроизма в квасцах, активированных ионами1. О i
  15. Сг, под действием электрических и магнитных полей. III. Циркулярный дихроизм, индуцированный магнитным полем на переходах иона Сг3+ в кристаллах квасцов. //Кристаллография. -994. -Т.40. -С.97−103.
  16. Ohnishi S., Sugano S. Theoretical studies of high-pressure effects of optical properties of ruby. // Techn. Rep. ISSP. Ser. A.- 1982.-N 1210, — p. 1−14.
  17. Т.Ф., Гваладзе T.B., Гречушников Б. Н., Свиридов Д. Т. К вопросу о схеме уровней ионов Сг в рубине. // Кристаллография. -1974.1. T.19. -С. 1016−1019.
  18. Е. Терия групп и ее приложения к квантовомеханической теории атомных спектров. М.: Изд. иностр. лит.-1961. -443 с.
  19. Weyl H. Theory of Groups and Quantum Mechanics. Prinston. -1931. -344 p.
  20. Racah G. Theory of Complex Spectra. I. // Phys. Rev. -1941. -V. 61. -P.186−192
  21. Racah G. Theory of Complex Spectra. II. // Phys. Rev. -1942. -V.62. -P.438−442.
  22. Racah G. Theory of Complex Spectra. III. // Phys. Rev. -1943. -V.63. -P.367−383.
  23. Racah G. Theory of Complex Spectra. IV. // Phys. Rev. -1949. -V.72. -P.1352−1365.
  24. Wigner E.P. Quantum Theory of Angular Momentum. N.-Y.-L.: Acad. Press. -1965. -87 p.
  25. . Вторичное квантование и атомная спектроскопия. -М: Мир,-1970.-136 с.
  26. ., Вайборн Б. Теория сложных атомных спектров. М.: Мир.-1973.-296 с.
  27. И.Г. Симметрия многоэлектронных систем. -М.: Наука. -1969. -407с.
  28. Raynak К., Wybourne В. Configuration interaction effects in-Configuration. //Phys. Rev. -1963. -V.132. -P.280−292.
  29. Racah G., Stein J. Effective Electrostatic Interaction in /^-Configuration. // Phys. Rev. -1967. -V. 156. -P. 58−63.
  30. Tress R.E. Configuration interaction in Mn III // Phys. Rev. -1951. -V.83. -P.756−760.
  31. Shadmi Y. Interaction between 3d and 3s electrons in the second spectra of the Iron group. // Phys. Rev. -1965. -V.139. -P.43−47.
  32. Shadmi Y. Configuration interaction beetween 3d and 3s electrons. // Physica. -1967. -V.33. -P.183−187.
  33. И.И. Введение в теорию атомных спектров. -М.: Изд. физ-мат. лит., -1963. -640с.
  34. Л.Д., Лнфшиц Е. М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. -М.: Наука. -1974. -752 с.
  35. Racah G, Shadmi Y. Q correction in the spectra of the Iron Group. // Phys. Rev. -1960. -V.119. -P.156−158.
  36. Schrijver J., Noorman P.E. Effective electrostatic interaction in mixed configuration // Physica. -1975. -V.64. N5/7. -P.269−275.
  37. Т.Ф., Гречушников Б. Н., Калинкина И. Н., Свиридов Д.Т.1. S ^ 4
  38. Конфигурация 3d~ электронов в тригональном поле. Спектры ионов Fe в гранате-демантоиде и корунде. // Оптика и спектроскопия. -1974.-Т.36. -С.1125−1133.
  39. Т.Ф., Гречушников Б. Н., Калинкина И. Н., Свиридов Д. Т. Поправка Триса для cf -конфигурации в схеме сильного поля. Конфигурация Л-электронов в тригональном поле. // Журнал прикладной спектроскопии. -1977. -Т.26. -С.131−136.
  40. Т.Ф., Гречушников Б. Н., Калинкина И. Н. Учет поправок2 3межконфигурационного взаимодействия для примесных ионов с d -, d -конфигурациями. //Кристаллография. -1978. -Т.23. -С.833−835.
  41. Т.Ф. Взаимодействие d- и-электронов в ¿-/-конфигурации примесных ионов в схеме сильного поля. // Журнал прикладной спектроскопии. -1985. -Т.43. -С.679−682.
  42. .Н., Веремейчик Т. Ф., Калинкина И. Н. Анализ спектров примесных ионов Сг3+ в ряде кристаллов с учетом поправки Триса. // Кристаллография. -1977. -Т.22. -С.917−923.
  43. Т.Ф., Гречушников Б. Н., Калинкина И. Н. Учет межконфигурационного взаимодействия при расчетах уровней энергии примесных ионов Сг3+ в полях низкой симметрии. // Журнал прикладной спектроскопии. -1986. -Т.44. -С.620−623.
  44. Д.Т., Веремейчик Т. Ф. Уровни энергии ионов с оболочкой d2(cf), d5 в кристаллических полях тетрагональной симметрии. /У ФТТ. -1969. -Т.П. -С.2088−2092.
  45. Т.Ф., Свиридов Д. Т. Конфигурация? (¿-/7)-электронов в моноклинном поле. //Кристаллография. -1969. -Т.4. -С.814−819.
  46. Д.Т., Веремейчик Т. Ф. Конфигурации ¿-/"-электронов в полях низкой симметрии. // Сборник. Спектроскопия кристаллов. -1973. Ленинград: Наука. -СЛ15−117.
  47. Т.Ф., Свиридов Д.Т. Ионы с конфигурацией
  48. .Н., Веремейчик Т. Ф. Способ проверки матриц энергии теории кристаллического поля. // Журнал прикладной спектроскопии. -1978. -Т.28. -С.561−563.
  49. О.М., Алыбаков А. А., Веремейчик Т. Ф. Идентификация валентности ионов хрома в монокристаллах фосфатов щелочных металлов и аммония по оптическим спектрам. // Журнал прикладной спектроскопии. -1991. -Т.55. -С. 467−471.
  50. Veremeichik T.F., Kalinkina I.N. The Effect of Spin-Orbital Interaction on the Intensity of Transition from 4A2 and 2E States in Strong Crystal Fields. // Physica State Solidi (b). -1986. -V.137. -№ 1. -P. 207−215.
  51. Fairbank W.M., Klauminzer G.K., Schawlow A.L. Excited-state absorption in ruby, emerald and MgO: Cr3+. // Phys. Rev. B. -1975. -V.l 1. -P.60−76.
  52. Wood D.L., Imbush G.F., Macfarlane R.M. et. al. Optical spectrum of Cr3+ ions in spinels. // J. Chem. Phys.-1968.- V.48.- P.5255−5263.
  53. Macfarlane R.M. Purtubation method in the calculation of Zeeman interaction and Magnetic dipole line strength for dt trigonal crystal spectra. // Phys. Rev. B.-1970. -V.l. -P. 989−996.
  54. Larkin J.P., Imbusch G.F., Dravnieks F. Optical absorption in MgO: Cr3+// Phys.
  55. Rev. В.-1973. -V.7. N1. -P.495−500.
  56. Maiman Т.Н.. Stimulated optical radiation in ruby. // Nature.-1960.-V. 187. -P.493−496.
  57. .К., Багдасаров Х. С., Пастернак Л. Б. и др. Оптическая генерация на ионах Сг3+ в кристаллах иттрий-алюминиевого граната. // Письма в ЖЭТФ. -1973. -Т.17.- В.2. С.69−71.
  58. Morris R.S., Flanders N.J., Cline C.F. et. al. Beryllium Aluminate laser cromium doped. // Patent USA. -3.997.853. -Dec. 14. 1976.
  59. Г. И., Волков С. Ю., Матросов B.H. и др. Оптическая генерация на3.ьалександрите (ВеА1204:Сг) // Квантовая электроника. -1978. -Т.5. -С.1168−1169.
  60. Struve В., Huber G. The effect of the crystal field strength on the optical spectra of Cr3+ in gallium garnet laser crystals // Appl. Phys. B. -1985. -V.36. -N.4. -P.195−201.
  61. Т.Ф. Теоретическое исследование спектров поглощения из возбужденных состояний примесных ионов с незаполненной ¿-/-оболочкой в кристаллах. // В кн. «Физическая кристаллография». -М.: Наука. -1992. -С. 163−191
  62. Macfarlane R.M. Matrix elements of the hamiltonian and energy levels of ct impurity ions. San Jose. California: IBM Reseach Laboratory. -1972. -45 p.3.ь
  63. Т.Ф., Калинкина И. Н. Энергетические состояния иона Сг в иттрий-алюминиевом гранате. // Журнал прикладной спектроскопии. -1986. -Т.45." № 5.- С.796−800.
  64. .К., Свиридов Д. Т., Орехова В. П., Свиридова Р. К., Пастернак Л. Б., Веремейчик Т. Ф. Оптический спектр поглощения возбужденных ионов Сг в алюмо-иттриевом гранате. // Квантовая электроника. -1972. -Т.1. -С.55−62.
  65. Д.Т., Севастьянов Б. К., Орехова В. П., Свиридова Р. К., Веремейчик Т. Ф. Оптические спектры поглощения возбужденных ионов Сг в магниевой шпинели при комнатной и азотной температурах. //
  66. Оптика и спектроскопия. -1973. -Т.35. -С.102−107.
  67. .К., Ремигайло Ю. Л., Веремейчик Т. Ф., Орехова В. П. Спектры поглощения возбужденного александрита. // Доклады АН СССР. -1985. -Т.285. -С.1119−1124.
  68. Т.Ф., Кустов Е. Ф., Макетов Т. К. Интенсивности переходов между возбужденными состояниями ионов группы железа в кристаллах. // Оптика и спектроскопия. -1986. -Т.61. -№ 6. -С.1259−1265.
  69. Kaminskii A.A. Today and Tomorrow of Laser-Crystal Physics. // Phys. State Solidi (a). -1995. -V.148. -№ 9. p.9−79.
  70. Zharikov E.V., Smirnov V.A. Luminescent dopents. in: Wide Gap Luminescent Materials. Theory and Applications. Kluwer Acad. Publ. Inc. Nowell M.A. USA. -1997. -P.13−17.
  71. K.A., Смирнов B.A., Жариков E.B., и др. Выращивание и спектрально-люминесцентные свойства нового активно-нелинейного кристалла
  72. Cr4+:LiAlGe04. // Оптика и спектроскопия. -2000. -Т.89. -№ 1.1. С.63−69.
  73. Lebedev V.F., Tenyakov S.Yu., Gaister A.V. et. al. Tunable continuous-wave operation a Cr3+, Li+:Mg2Si04 laser. // Optics Letters. -2006. -V.31. -№ 10. -p.1438−1440.
  74. B.C. Энергетическая кристаллохимия.M.: Наука. -1975. -335c.
  75. Ф. Многоликий Марс. // В мире науки. -2005. -№ 10. -с.18−25.
  76. В.Н. От физики Земли к сравнительной планетологии. // Природа. -1998. -№ 12. -С.86−97.
  77. Н.Р., Храмов Д. А., Клещев A.A., Сафрошкин В. Ю. Кинетика окисления оливина MgL78 Fe0.22SiO4 при 700 С. // Доклады АН СССР. -1993.-№ 4. С.532−534.
  78. Н.Р., Мешалкин С. С., Борисов С. С., Урусов B.C. Механизм изменения коэффициента внутрикристаллического распределения Fe и Mg в оливинах под действием Т и f02. II Геохимия. 1990. -№ 8. -С. 1096−1107.
  79. Walsh D., Donnay G. and J.D.H. Donnay J.D.H. Ordering of transition metal ions in olivine // Canadian Mineral. -1976. -V.14. -№ 2. -P.149−150.
  80. Rager H., Hosoya S., Weiser G. Electron Paramagnetic Resonanse and Polarized Optical Absorption Spectra of Ni2+ in Syntethic Forsterite // Phys Chem. Minerals. -1988. -V.15. -№. -P. 383−389.
  81. Bish D.L. Cation ordering in synthetic and natural Ni-Mg olivine // Amer. Mineral. -1981. -V.66. -№ 3. -P.770−776.
  82. Ни X., Langer K., Bostrom D. Polarized electronic absorption spectra and Ni-Mg partitioning in olivines (Mg1xNix)2Si04. // Eur. J. Mineral. -1990. -№ 2. -P.29−41.
  83. Rajamani V., Brown G.E., Prewitt C.T. Cation Ordering in Ni Mg Olivine // Amer. Mineral. -1975. -V.60. -№ 2. -P.292 — 299.
  84. Galoisy L., Calas G., Brown G.E. Intracrystalline distribution of Ni in San Carlos Olivine: An EXAFS study// Amer. Mineral. -1995. -V.80. -№ 6. -P.1089 1092.
  85. McCormick T.C., Smith J.R., Lofgren G.E. Site Occupancies of Minor Elements in Synthetic Olivines As Determined by Channeling Enhanced X-ray Emission // Phys. Chem. Minerals. -1987. -V.14. -№ 3. -P.368−372.
  86. Walling J.S., Peterson O.G., Jenssen H.P. et al. Tunable Alecsundrite Laser. JEEE. J. Quant. Electron. -1980. -V. 6. -№ 6. -P. 1302−1314.
  87. Newnham R.E., Santoro R., Pearson J. et al. Ordering of Fe and Cr in Chrysoberil // Amer. Mineral. -1964. -V.49. № 3−4. P. 427−430.
  88. В. H., Никифоров А. Е. Севастьянов Б.К. Псевдоштарковский эффект в в парамагнитном резонансе ионов Сг3+ в александрите // ФТТ. -1987. -Т.29. -№ 2. -С. 627−629.
  89. Севастьянов Б. К. Спектроскопия поглощения возбужденных кристалллов,
  90. Wood B.J. Crystal Field Spectrum of Ni2+ in Olivin. // American Mineralogist. -1974. -V. 59. -P.244−248.
  91. И.Д., Гайстер A.B., Жариков E.B. ЭПР центров CrJ±Li+ в синтетическом форстерите Cr, Li:Mg2Si04. // ФТТ. -2003. -Т.45. -№ 1. -С.51−55.
  92. Е.В. Редкоземельные скандиевые гранаты: вопросы материаловедения. // Труды Института общей физики. Оптически плотные активные среды. -1990. -Т.26. -С.84−106.
  93. Е.В., Лаптев В. В., Майер A.A., Осико В. В. Конкуренция катионов в октаэдрических положениях галлиевых гранатов. Известия АН СССР. Сер. Неорганические материалы. -1984. -Т.20. -№ 6. -С.984−990.
  94. Т.Ф., Галиулин Р. В. Распределение Зб/-ионов активаторов по изоморфным позициям Cj и Cs в кристаллах со структурой оливина. // Неорганические материалы. -2002. -Т.38. -№ 9. -С.1110−1119.
  95. Т.Ф., Жариков Е. В., Субботин К. А. Новые лазерные кристаллы сложных оксидов, активированные ионами ¿-/-элементов с переменной валентностью и различной структурной локализацией. Обзор. //Кристаллография. -2003. -Т.48. -№ 6. -С.1042−1056.
  96. .К. Принцип симметричного равенства в структуре биологических макромолекул и биокристаллов // Проблемы кристаллографии. -М.: Наука. -1987. -367с.
  97. .К. Современная кристаллография. Симметрия кристаллов,
  98. Методы структурной кристаллографии. Т.1. -М.: Наука. -383с.
  99. Brown I.D. What Factor Determine Cation Coordination Number? // Acta crystal. B. -1988. -Y.44. -№ 6. -P.545−553.
  100. В.Б., Пастухов Э. Ф., Фишман, А .Я. Растворимость примесей в кристаллах с орбитально вырожденными состояниями // Доклады АН СССР. -1997. -Т.357. -№ 3. -С, 328−331.
  101. International Tables for X-ray Crystallography. Birmingem (England): The Kynoch Press. -1952. -558 p.
  102. Т.Ф., Гайстер Ф. В., Жариков Е. В., и др. Спектроскопия ионов V4+ и V3+ в кристалле форстерита. // Квантовая электроника. -2000. -Т.30. -№ 5. -С.449−453.
  103. Fleet М.Е. Crystal structure of a-LiGaSi04 a-LiAlGe04 a-LiGaGe04. // Z. Kristallographie. -1987. -V. 180. -№ 4. -С. 63−75.
  104. Л.Д., Лифшиц Е. М. Статистическая физика. 4.1. М.: Наука. -1995. -605 с.
  105. Pappalardo R.G., Miniscaco W.J., Peters Т.Е., Lee K. An infrared bandemitter at the optical-communication wavelengths: Cr-activated Zn2Si04 // J. Luminescence.- 1992,-№ 55.-p. 87−93.
  106. E.JI., Милль Б. В. Кристаллохимическая систематика минералов / под ред Урусова B.C. М.: Изд. МГУ. -1985. -140 с.
  107. Bukin G-У., Matrosov V.N., Orekhova V.P., et. al. Growth of alexandrite crystals and investigation of their properties. // Crystal Growth. -1981. -V.52. -№ 2. -P.537−541.
  108. В.И., Михайлов С. Г., Липчак А. И. Козлов Ю.С. Исследование цветовых характеристик александрита посредством импульсной катодолюминесценции. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. -2001. -№ 3. -С. 69−73.
  109. Физика и спектроскопия лазерных кристаллов / Под редакцией А. А. Каминского. М.: Наука. -1986. -272 с.
  110. Ф.П., Носенко А. Е., Базылев А. Г., Калинов B.C., Керавчинин В.В, Лещук Р. Е. О спектроскопических и генерационныхо іхарактеристиках кристаллов Ca3Ga2Ge40i4: Сг. // Журнал прикладной спектроскопии. -1988. -Т.49. -№ 4. -С.674−677.
  111. Р.Е. Люминесценция и центры окраски в кристаллах Ca3Ga2Ge40i4. Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 1992. Львовский гос. ун-т.1. Львов. 18 с.
  112. А.Е., Лещук Р. Е., Падляк Б. В., Сельский А. А. Радиационные парамагнитные центры в кристаллах Ca3Ga2Ge40i4. // ФТТ. -1997. -Т.39. -№ 6. -С. 1044−1049.
  113. Verdun H.R., Thomas L.M., Andrauskas D.M., McCollum Т. Chromiumdoped forsterite laser pumped with 1.06 mm radiation. // Appl. Phys. Lett. -1988. V.53/- H.2593−2595.о I
  114. Glynn T.G., Imbush G.F., Walker G. Luminescence of Cr centers in forsterite Mg2Si04. //J. Luminescence.-199 l.-V.48−49.-part 2.-P.541−544.
  115. Weiyi Jia, Huimin Liu, S. Jaffe, and W.V. Yen. Spectroscopy of Cr3+ and Cr4+ in forsterite. //Phys. Rev. В. -1991, — V.43.- N.7. -P. 5234−5242.
  116. В.Ф., Гайстер Ф. В., Теняков С. Ю. и др. Спектрально-люминесцентные свойства сильнолегированных хромом монокристаллов форстерита. II. Люминесценция. // Квантовая электроника.-2003.-Т, 33.-№ 3.-С. 197−200.
  117. А.В., Жариков Е. В., Лебедев В.Ф и др. Импульсная и непрерывная генерация на новом лазерном кристалле Cr3+:Li: Mg2Si04 // Квантовая электроника. -2004.-Т.34.-№ 8. -С.693−694.
  118. Lebedev V.F., Tenyakov S.Yu., Gaister A.V. et. al. Tunable continuous-wave operation a Cr3+, Li+:Mg2Si04 laser. // Optics Letters. -2006. -V.31. -№ 10. -p.1438−1440.
  119. Baryshevski V.G., Korzhik M.V., Livshitz M.G. et. al. Properties of Forsterite and the Performance of Forsterite Lasers with Lasers and Flashlamp Pumping // OSA Proceedings on Advanced Solid-State Lasers.-1991. -V.10. P.26−34.
  120. Jia W., Liu H., Yen W.M., Denker B. Spectroscopy of Cr3+ and Cr4+ ions in forsterite. //Rev. B. -1991. -V.43. -P.5234−5242.
  121. Sorokina I., Naumov S., Sorokin E. et.al. Directly diode-pumpedtunable continuous-wave room-temperature Cr4+: YAG Laser // Optic. Lett.-1999.-V.24.-iss.22.- P.1578−1580.
  122. И.Ш., Голенищев-Кутузов В.А., Мигачев С. А. и др. Исследование кристаллов АИГ: Сг методом акустического электронного парамагнитного резонанса. // ФТТ.-1991.-Т.33.-№ 9.-С.2546−2553.
  123. Н.А., Сандуленко В.A., Ab initio теория электронных спектров примесных кристаллов. Ионы хрома в оксидных соединениях. // ФТТ.-1989.- Т.31.- вып.1. С.243−249.
  124. В.Б., Гайстер А. В., Жариков Е. В. и др. Распределение хрома между кристаллом и расплавом форстерита в зависимости от его содержания в расплаве и окислительно-восстановительных условий. // Геохимия, — 2005.-№ 5.-С.519−526.
  125. Rager Н. Electron shin resonance of trivalent chromium in the forsterite Mg2Si04. // Phys. Chem. Minerals. -1977. -V.l. -P. 371−378.
  126. Soubbotin K.A., Smirnov V.A., Lebedev V.F. et al. Spectroscopic investigation of new promising laser crystal germanoeucryptite Cr4+:LiAlGe04. // CLEO-Europe'2003. -Munich, Germany, 22−27 June 2003. Technical Digest. Paper CG4W.
  127. Eilers H., Hommerich U., Jacobsen S.M., Yen W.M. The near-infrared emission of Cr: Mn2Si04 and Cr: Mg2CaSi04 // Chem. Phys. Lett.-1993.-V.212.-Nol, 2.-P.109−112.
  128. А.Г., Дворникова В. Г., Жорин B.B. и др. Спектроскопия монокристаллов форстерита, активированных ионами никеля и ванадия // Журн. прикл. спектроскопии. -1993. -Т.52. № 1,2, — С.152−154.
  129. Brunold Т.С., Gudel H.U., Kaminskii A.A. Optical spectroscopy of V4+doped of Mg2Si04 and Ca2Ge04. // Chem. Phys. Letters. -1997. -V. 271. -P.327−333.
  130. Mackwell S.J., Kohlstedt D.L. High temperature deformation of forsterite single crystals doped with vanadium. // Phys. Chem. Minerals. -1986. -V.13. -P. 351−356.
  131. К.А., Смирнов В. А., Жариков Е. В., и др. Выращивание и спектрально-люминесцентные свойства нового активно-нелинейного кристалла Cr4+:LiAlGe04. // Оптика и спектроскопия. -2000. -Т.89. -№ 1. -С.63−69.
  132. З.Б., Веремейчик Т. Ф., Калдыбаев К. А., Тынаев А. Д. Спектроскопическое исследование беспримесных и активированных ионами хрома кристаллов галлогерманатов кальция Ca3Ga2Ge40i4 // Кристаллография. -2000. -Т.45. -№ 2. -С.337−339.
  133. .К., Орехова В. П. Определение заселенности метастабильного уровня в кристаллах, активированных хромом // Журнал прикладной спектроскопии.- 1973.-Т.18, — С.641−647.
  134. .К. Спектроскопия возбужденных кристаллов, активированных ионами Cr . // В сб. Спектроскопия кристаллов. М.:Наука. -1975.-С.122−124.
  135. .К., Ремигайло Ю. Л., Орехова В.П и др. Спектроскопические и г генерационные характеристики лазера на александрите ВеА1204: Сг3+ // Доклады АН СССР. -1981.-Т.256.-С.373−376.
  136. В.А., Бурков В. И. Гиротропия кристаллов. М.:Наука. -1980.-303 с.
  137. Е.Л., Белов Н. В. Кристаллическая структура синтетического Ga, Ge- геленита Ca2Ga2Ge07 = Ca2Ga(GaGe)07 и сопоставление ее структуры со структурой Ca3Ga2Ge40i4 = Ca3GeGa2GeO.4] // Доклады АН СССР.-1981.-Т.260. -№ 6. -С.1363−1366.
  138. Shanon R.D. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distance in halides and chalcogenides // Acta Crystallogr. -Sect.A. -1976. -V.32. № 6. -P.751−767.
  139. З.Б., Орехова В. П., Калдыбаев К. А., Милль Б. В., Исаков Д. В. Спектры поглощения и циркулярный дихроизм кристаллов Sr3Ga2Ge40i4:Cr и Ca3Ga2Ge40i4: Cr // Кристаллография.-2001.-Т.46. -№ 5. -С.900−903.
  140. И.Б., Вехтер Б. Г., Данильчук Г. С. и др. Происхождение спонтанной поляризации и сегнетоэлектрического фазового перехода в TGS. // ФТТ. -1969.-Т.11. С.2452−2458.
  141. В.Б., Жариков Е. В., Еремин H.H. и др. Распределение ванадия между кристаллом и расплавом форстерита, структурное и валентное состояния ванадия. // Геохимия. -2001. ~№ 7. -С.734−743.
  142. К.А., Жариков Е. В., Исхакова Л. Д., Лавеищев C.B. Кристаллы монтичеллита CaMg2Si04:Cr: выращивание методом вертикальнойзонной плавки и исследование состава. // Кристаллография.-2001.-Т.46.-№ 6. -С.1115−1124.
  143. К.А., Жариков Е. В. // Неорган, материалы. -2005. -Т.41. -№ 8. -С.998−1009.
  144. Soubbotin К.A. Smirnov V.A., Kovalev S.V. et al. Growth and spectroscopic investigation of new promising laser crystal cromium (IV) doped germanoeucryptite Cr4+:LiAlGe04. // Optical Materials.-2000.V. 13. iss. 4.-P.405−410.
  145. Wissing R., Aramburu J.A., Barriuso M.T. and Moreno M. Optical properties due to Cr4+ in oxides: density functional study // Solid State Communication.-1998. -V.108. No.12.-P.1001−1005.
  146. Petrricevic V., Bykov A.B., Evans J.M., and Alfano R.R. Room-tempreture near-infrared tunable laser operation of Cr4+:Ca2Ge04 // Opt. Lett. -1996. -V.21.-No.21.- P.1750−1752.
  147. O.H., Демидов E.C., Тюрин C.A. и др. Электронный парамагнитный резонанс и люминесценция хрома в кристаллах германата кальция // ФТТ. -2002. -Т.44. -№ 1. -С.51−56.
  148. О.Н., Дианов Е. М., Звонков Н. Б. и др. Люминесценция пленок Cr4+:Ca2Ge04 в ближней ИК-области. // Квантовая электроника. -2000. -Т.30. № 3. -С.261−262.
  149. С.Ю., Пастернак Л. Б., Севастьянов Б. К. Спектральные характеристики иттрий-алюминевого граната, активированного хромом, в областиі?-линий //Квантовая электроника. 1975. -Т.2. -№ 1. -СЛ8−22.
  150. Kushida Т. Absorption Spectrum of Optically Pumped Ruby. I. Experimental Studies of Spectrum in Excited States // J.Phys. Soc. Jap. -1966. -V.21. -№ 7. -P.1331−1341
  151. Shinada M., Sugano S., Kushida T. Absorption Spectrum of Optically Pumped Ruby. II. Theoretical Analyses // J.Phys. Soc. Jap. -1966. -V.21. -№ 7. -P.1342−1352.
  152. Бонч-Бруевич A.M., Разумова Т. К., Имас Я. А. Спектр возбужденногопоглощения рубина/Юптика и спектроскопия. -1966. -Т.20. -№ 6. -С. 10 401 044
  153. .К. Спектроскопия возбужденных кристаллов, о 1активированных ионами Сг // Спектроскопия кристаллов. М.:Наука. -1975. -С.122−154.
  154. Shand M.L., Walling J.C., Morris R.S. Excited-state absorption in the pump region of alexandrite // J. Appl. Phys. -1981. -V.52. -№ 2. -P.953−955
  155. Shand M.L., Walling J.C. Excited-state absorption in the lasing wave-length region of alexandrite // IEEE J. Quant. Electr. -1982. -V.QE-18, -№ 7. P.1152−1155.
  156. .К., Ремигайло Ю. Л., Орехова В. П. Перестройка частоты оптической генерации и спектроскопические характеристики александрита // Известия АН СССР. Сер. Физ. -1981. -Т.45.-№ 8. -С.1429−1434.
  157. Andrews L.J., Hitelman S.M., Kokta М., Gabbe D. Excited state absorption of Cr3+ in K2NaScF6 and Gd3Ga2(M04)3, M = Ga, A1 // J. Chem. Phys. -1986. -V.84. -№io. P.5229−5238.
  158. M.A., Митягин M.B., Никитин С. И., Смолов А. Л. Поглощение возбужденных ионов Сг в области перестройки лазера на KZnF3:Cr3+ // Оптика и спектроскопия, — 1987. -Т.63. -№ 1. -С.218−220.
  159. Michailov V.P., Kuleshov N.V., Zhavoronkov N.I. et al. Excited State absorption of V ions in Y3A150i2 // Optical materials. -1993. -V.2. -P. 267 270.
  160. Brunolld Т.С., Grudel H.U., Hazenkamp M.F., et al. Excited state absorption and laser portential of Cr4+ doped Ca2Ge04 // Appl. Phys. B. -1997. -V.64. -P.647−650.
  161. A.M., Вайнштейн Б. К., Инденбом B.JI., Веремейчик Т. Ф., Чудаков B.C. Борис Николаевич Гречушников классик современной физической оптики. // Кристаллография. -1995. -Т.40. -№ 2. -С.1113−1137.
  162. Veremeichik T.F. The Regularities in Ground- and Excited-State Absorption Spectra of Impurity ions of Group in Crystals. // Physica State Solidi (b). -1987. -V. 144.-№ 1 .-P.709−717.
  163. Т.Ф. Некоторые характеристики поглощения из возбужденных состояний примесных ионов с незаполненной d-оболочкой в кристаллах. // Оптика и спектроскопия. -1988. -Т.64. -№ 2. -С.468.
  164. Т.Ф. Теоретическое исследование спектров поглощения из возбужденных состояний примесных ионов с незаполненной d-оболочкой в кристаллах. // В кн. «Физическая кристаллография». М.: Наука. -1992. -С.163−191.
  165. Veremeichik T.F. Excited-State Absorption Spectra of Crystals doped with Ions with the Unfilled d-Shells. // Proceedings of International Conference on Tunable Solid State Lasers. Minsk: Inst. Molec. and Atomic Physics AS Belarus. -1994. -P.28−32.
  166. .К., Орехова В. П. Оптический спектр поглощения возбужденных ионов Сг3+ в шпинели // Квантовая электроника.- 1971. -№ 1.-С.125−134.
  167. .К. Спектроскопия возбужденного состояния и перестраиваемые лазеры. // Физическая кристаллография. Сборник научных трудов. -М.:Наука.-1992.-С. 192−211.
  168. Petermann К. The role of excited-state absorption uin tunable solid-state laser. // Optical and Quantum Electronics. Editor G. Huber. -1990.-V.22.-S 199-S218.
  169. Manaa H., Moncorge R. Excited-state absorption of Co2+ in MgF2 and KZNF3. // Optical and Quantum Electronics. Editor G. Huber. -1990.-V.22.-S219-S226.
  170. Т.Ф., Конарев П. В. Оценка спектральных свойств кристаллов, активированных ионами Cr4+, V3+, Ni2+, в условиях накачки. // Девятая национальная конференция по росту кристаллов. 16−20 октября 2000 г. Москва. Тезисы докладов. -2000. -С.304.
  171. Veremeichik T.F. Similarity of Ground- and Excited-State Absorption Spectra of Cr3+ Ions in Strong Crystal Field. // Physica State Soidi (b). -1984. -V.124. -№ 2. -P.719−729.
  172. Ю.Е., Цукерблат Б. С. Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов. Кишинев: Изд Штиинца,-1974.-367с.
  173. Т.Ф., Конарев П. В. Поглощение из возбужденных состояний примесных ионов с оболочкой d5 в кристаллах. I. Теоретический анализ. //Кристаллография. -1998.-Т.43.-№ 4.-С.694−701.
  174. Т.Ф. Поглощение из возбужденных состояний примесных ионов с оболочкой d5 в кристаллах. II. Сравнение с экспериментом. // Кристаллография. -1998.-Т.43.-№ 5.-С.895−902.
  175. Veremeichik T.F., Konarev P.V. Method for Identification of Host Lattics with Impurity Ions of Transient Elements with d5-shell Capable of basing // Eastern Regional Conference on Crystal Growth and Epitaxy. Atlantic City. -1997. -P.18.
  176. Clausen R., Petermann K. Mn2+ as a Potential Solid-State Laser Ion. // IEEE J. Quantum Elrctronics.- 1988.-V.24. -№ 6. -P. 108−111.
  177. E.C. Попытка подвести атомные веса под один закон. // Кристаллография. Изд. Ленинградского Университета.- 1955.- в.З. -С.85−96.
  178. С.А., Добротин Р. Б. Об одной рукописи Е.С. Федорова // Кристаллография. Изд. Ленинградского Университета. -1955. -в.З. -С.81−84.
  179. С.Э. Оптические спектры атомов. М.: Изд. физ.-мат. литерат., -1963. -640 с.
  180. В.К. Периодический закон Менделеева и электронное строение металлов. М.: Наука.-2966.-287 с.
  181. Физические величины. Справочник. / Под ред. Григорьева И. С., Мейлихова Е. З. -М.:Энергоатомиздат,-1991.-1232с.
  182. Д.И. Основы квантовой механики. -СПб.: Изд. Лань. -2004. -665с.
  183. A.B., Копцик В. А. Симметрия в науке и искусстве. Ижевск: Из-во Института компьютерных исследований. -2004. -560 с.
  184. Д.И. Пространство и время в микромире. -М.: Наука. -1970. -359с.
  185. Асланов Л. А. Строение атомов, молекул, кристаллов. -М.: Изд. МГУ. -1985. -121с.
  186. Л.А. Структуры веществ. -М.: Из-во МГУ. -1989. -159с.
  187. М.М., Герловин И. Л. Электронное строение и физические свойства кристаллов. -М.: Наука. -1975. -358с.
  188. Кокстер Г. С. М. Введение в геометрию. -М.: Наука. -1966. -648 с.
  189. H.H. Метод Вороного-Делоне в исследовании структуры некристаллических систем. -Новосибирск: Изд. Со РАН. -2000. -209с.
  190. Т.Ф. Электроны /-оболочек свободных атомов, как правильная система точек на сфере. III. Факторы самоорганизации электронов в таблице Менделеева // Кристаллография. -2005. -Т.50. -№ 5. -С.775−781.
  191. Т.Ф. Трехмерность пространства в структуре периодической таблицы химических элементов // Кристаллография. -2006. -Т.51. -№ 4. -С.583−592.
  192. Veremeichik T.F. Three-dimensionality of space in the structure of the periodic table of chemical elements. Web-site «Springer». -2006. http://dx.doi.org/10.1134/S1063774506040018
  193. И. В. Гришанин Б.А., Задков В. Н. Запутанные квантовые состояния атомных систем. // Успехи физ. наук. -2001. -Т. 171. -№ 6. -С. 625−647.
  194. Kaplan I.G. Is the Pauli Exclusive Principe an Independent Quantum Mechanical Postulate? // International J. Quantum Chemistry.- 2002, — V.89.-P.268−276.
  195. P.B. Кристаллографическая картина мира. // Успехи физ. наук. 2002, -Т.172. -№ 2. -С.229−233.
  196. Р. В. Системы Б.Н. Делоне как основа геометрии дискретного мира. // Ж. вычисл. математ. и математ. физики. -2003. -Т.43. -№ 6. -С.790−801.
  197. Т.Ф., Галиулин Р. В. Электроны /-оболочек свободных атомов как правильная система точек на сфере. I. Моделирование многогранниками. //Кристаллография. -2004. -Т.49. -№ 5. -С. 935−939.
  198. Д.Н. Основные понятия квантовой физики с операционной точки зрения. // Успехи физ. наук. -1998. -Т. 168. -№ 9. -С.975−1015.
  199. Р., Лейтон Р., Сэндс М. Фейнмановские лекции по физике. Т. 7. М.: Мир,-1966.-290 с.
  200. Э.Н. Физико-химическое моделирование. Ленинград: Наука, -1975. -153 с.
  201. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. -М.: Наука. -1973. -831с.
  202. .В. Кластеры с плотной упаковкой и заполненными оболочками. // Успехи физ. наук. -1993. -Т. 163. -№ 10.-С.29−56.
  203. А. Математика для электро- и радиоинженеров. М.: Наука. -1964. -772 с.
  204. Д., Кон-Фоссен С. Наглядная геометрия. -М.: Изд. тех.-теор. лит. -1951. -352с.
  205. А.Н. Спектроскопия ионов с 5б/-электронами в основном состоянии. Успехи физ. наук. -1999. -№ 3. -Т.169. -С.350−351.
  206. Bjorholm S. Clusters, condensed matter in embryonic form. // Contemporary Phys. -1990. -У.31. -P.309−324.
  207. Knight W.D. Clemenger K., Heer W.A. et al. Electronic Shell Structure and Abundances of Sodium Clusters. // Phys. Rev. Letters. -1984. -V.52. -№ 24. -P. 2141−2143.
  208. Кон В. Электронная структура вещества волновые функции и функционалы плотности. // Успехи физ. наук. -2002. -Т.172. -№ 3.-С.336−348.
  209. Д.А. Квантово-химические модели. // Успехи физ. наук. -2002. — Т. 172. -№ 3.-С.349−357.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!