Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Роль спин-зависимых процессов в формировании пластических свойств ионных кристаллов и их чувствительности к слабому магнитному полю

Диссертация: Роль спин-зависимых процессов в формировании пластических свойств ионных кристаллов и их чувствительности к слабому магнитному полю
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Разработано несколько методов детектирования ЭПР в структурных дефектах в условиях их низкой концентрации, недостаточной для регистрации резонанса по поглощению электромагнитной волны. Обнаружены эффекты селективного влияния скрещенных постоянного (В = 0−0.8 Тл) и микроволнового (у=9.5 ГГц, В[ ~ 2 мкТл) МП на ряд пластических свойств ионных кристаллов (подвижность индивидуальных краевых… Читать ещё >

Роль спин-зависимых процессов в формировании пластических свойств ионных кристаллов и их чувствительности к слабому магнитному полю (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Феноменология магнитопластических эффектов в ионных кристаллах в «слабом» магнитном поле
    • 1. 2. Влияние «слабого» постоянного магнитного поля на жидкофазные и твердофазные химические реакции
    • 1. 3. Возможность влияния «слабого» магнитного поля на спин-зависимые процессы между структурными дефектами в ионных кристаллах
    • 1. 4. Постановка целей и задач исследования
  • Глава 2. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. In situ изучение кинетики движения заряженных краевых дислокаций в магнитном поле по создаваемому ими электрическому дипольному моменту кристалла
    • 2. 2. Измерение пробегов индивидуальных краевых дислокаций, вызванных действием внешних магнитных полей
    • 2. 3. Измерение скорости макропластического течения кристаллов посредством непрерывной регистрации длины образца в магнитном поле
    • 2. 4. Выводы
  • Глава 3. ВЛИЯНИЕ ПОСТОЯННОГО И ИМПУЛЬСНОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ПЛАСТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 3. 1. Влияние постоянного магнитного поля на скорость движения и кинетику размножения индивидуальных краевых дислокаций
    • 3. 2. Влияние импульсного магнитного поля на кинетику макропластического течения
      • 3. 2. 1. Изменения диаграммы нагружения, вызванные импульсом магнитного поля
      • 3. 2. 2. Роль термообработки в чувствительности пластических свойств кристаллов к магнитному полю
    • 3. 3. Выводы
  • Глава 4. РЕЗОНАНСНОЕ ВЛИЯНИЕ СКРЕЩЕННЫХ ПОСТОЯННОГО И МИКРОВОЛНОВОГО МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ПЛАСТИЧНОСТЬ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 4. 1. Подвижность индивидуальных краевых дислокаций в условиях совместного действия постоянного и микроволнового магнитных полей
    • 4. 2. Влияние постоянного и микроволнового магнитных полей на скорость макропластического течения ионных кристаллов
    • 4. 3. Характерные времена процессов в системе структурных дефектов, стимулированных действием скрещенных магнитных полей
    • 4. 4. Выводы
  • Глава 5. МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ, ВЫЗВАННЫХ МАГНИТНЫМ ПОЛЕМ В ПОДСИСТЕМЕ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ИОННЫХ КРИСТАЛЛОВ
    • 5. 1. Термодинамические и кинетические аспекты процессов разупрочнения ионных кристаллов магнитным полем
      • 5. 1. 1. Кинетика переходных процессов, вызванных магнитным полем
      • 5. 1. 2. Роль неравновесного состояния точечных дефектов кристалла в проявлении магнитопластических эффектов
      • 5. 1. 3. Способы создания термодинамически неравновесного состояния комплексов точечных дефектов в кристаллах
    • 5. 2. Возможные модели электронных процессов в комплексах точечных дефектов, и влияние на них магнитным полем
      • 5. 2. 1. Анализ спектров магнитного резонанса, детектируемого по изменению пластичности кристаллов
      • 5. 2. 2. Выявление стадий процессов, протекающих в подсистеме структурных дефектов, ответственных за формирование пластических кристаллов свойств в магнитном поле

      5.2.3. Схемы электронных переходов в комплексах парамагнитных дефектов в условиях резонанса. Возможные механизмы влияния магнитного поля на эволюцию комплексов точечных дефектов через изменение их мультиплетности

      5.3. Выводы

Актуальность темы

Исследование влияния магнитных полей (МП) на пластичность материалов является одним из наиболее плодотворных подходов для получения информации о строении реальных твердых тел на электронном уровне рассмотрения, поскольку межатомные связи имеют электромагнитную природу. Начало исследованию пластичности «немагнитных» кристаллов в МП было положено работами Боброва B.C., Болыпуткина Д. Н., Гришина A.M., Кравченко В. Я., Лебедева В. П., Нацика В. Д., Осипьяна Ю. А., Пустовалова В. В., Conrad Н., Galligan J.M., с соавторами и др. В них исследовались магнитопластические эффекты (МПЭ) в очень чистых диамагнитных металлах при температурах, близких к температуре жидкого гелия. Эти работы были одними из первых, где рассмотрение пластичности проводилось на электронном уровне.

Неожиданным, на первый взгляд, продолжением этого направления исследований стало обнаружение в 1985 г. смещений индивидуальных дислокаций в ионных кристаллах в МП с индукцией В < 1 Тл, сделанное в группе проф. Алыпица В. И. в ИК РАН (Москва). Позднее факт влияния МП на различные пластические характеристики ионных кристаллов был подтвержден в нашей лаборатории, а также Белозеровой Э. П. и Тяпуниной H.A. с соавторами. Отсутствие в ионных кристаллах не только магнитной упорядоченности, но и электронов проводимости, очевидно не позволяет перенести представления о природе магнитопластичности металлов на диэлектрические материалы. Простые оценки величины и характера магнитострикционных сил, силы Лоренца, действующей на движущиеся заряженные дислокации, и силы, связанной с возможной анизотропией магнитной восприимчивости дефектов, не позволяют непротиворечиво объяснить МПЭ.

В принципе, объектами, обладающими магнитным моментом и потому чувствительными к МП, могли бы быть атомные ядра или электроны, локализованные на структурных дефектах (примесных и радиационных точечных дефектах, в ядрах дислокаций и т. д.). Однако, энергия, передаваемая в «слабом» МП с В ~ 1 Тл спиновому моменту ядра, составляет gn|J-nB ~ 10″ эВ, а спиновому моменту электрона — §-цВ ~ 10″ 4 эВ (ц, — магнетон Бора, д — «д-фактор» электрона, ¡-¿-п — ядерный магнетон, gn -'^-фактор" ядра). Последнее значение на два порядка величины меньше средней энергии термических флуктуаций кТ при комнатной температуре Т, при которой и был обнаружен МПЭ в ионных кристаллах, и на три-четыре порядка величины меньше, чем типичная высота потенциальных барьеров, образованных точечными препятствиями, которые преодолевают дислокации при движении. Здесь и далее будем называть «слабыми» МП, удовлетворяющие неравенству £цВ «кТ, (при Т = 300 К это МП с В < 10 Тл). В этих условиях равновесная термодинамика предсказывает, что возможные относительные изменения макросвойств кристаллов не могут превышать сЙг^цВ/кТ) ~ 10» 4. В то же время, в экспериментах на ионных кристаллах наблюдается увеличение подвижности дислокаций в МП до 10 раз. При этом каждая дислокация многократно преодолевает стопора с высотой потенциальных барьеров и > 0.1 эВ. Трудно объяснить, как такая энергия могла быть сообщена дефектам слабым постоянным МП. Поэтому обнаруженное явление на первый взгляд находится в противоречии с простыми представлениями об эволюции дефектов и пластичности кристаллов.

Аналогичные трудности возникли около 30 лет тому назад в химической физике радикальных реакций после обнаружения целого ряда магниточувствительных химических превращений в диамагнитных жидкостях и твердых телах. Впервые на это сходство обратили внимание в начале 90-х годов Алыпиц В. И. и Молоцкий М. И., которые предложили интерпретироать МПЭ в ионных кристаллах на основе теории спин-зависимых эффектов в химических реакциях [1−3], разработанной Бучаченко A. JL, Франкевичем E. JL, Салиховым К. М., Молиным Ю. И., Соколиком И. A., Brocklehurst В., Kaptein R., Oosterhoff L.J. с соавторами и другими, применяя ее к рассмотрению взаимодействия неспаренных электронов, локализованных в дислокационных ядрах и точечных стопорах. До сих пор эти предположения носят характер гипотез, представляющихся весьма правдоподобными и физически обоснованными. Однако прямые экспериментальные доказательства влияния МП на пластические характеристики ионных кристаллов через спин-зависимые степени свободы парамагнитных центров, локализованных в структурных дефектах, в настоящее время отсутствуют. Поэтому верификация этой гипотезы, принимаемой в настоящее время в качестве наиболее вероятной, могла бы привести к значительным обобщениям на стыке химии и физики.

Независимо от адекватности «спинового» подхода при объяснении МПЭ, преодоление вышеупомянутых термодинамических противоречий могло бы способствовать объяснению ряда магнитных эффектов, обнаруженных в 1970;90 г. г. в полупроводниковых и полимерных материалах и проявляющихся в виде изменения их электрических, оптических и пластических свойств под действием слабых МП. Кроме того, можно ожидать, что спин-зависимые механизмы влияния МП на пластичность диамагнитных диэлектриков с еще большей вероятностью могут реализовываться в металлах, поскольку в них имеется большее количество объектов, обладающих магнитным моментом. В общем случае помимо информации фундаментального характера понимание природы влияния слабых МП на макросвойства материалов может привести к разработке новых энергосберегающих технологий управления пластичностью и обработки материалов.

Среди большого числа возможных реакций между дефектами и внутри них, способных повлиять на макросвойства кристалла, наиболее общими и не требующими приложения внешних напряжений, наличия и движения дислокаций являются реакции между носителями спинов внутри комплексов точечных дефектов. Целесообразно выделить их из общей совокупности причин МПЭ и исследовать отдельно.

В соответствии с вышесказанным была сформулирована следующая цель работы: установление фактической роли и закономерностей спин-зависимых процессов, протекающих в подсистеме структурных дефектов, и вклада этих процессов в формирование пластических свойств ионных кристаллов в МП и в его отсутствии.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы задачи исследования:

1. Исследовать термодинамические особенности влияния МП на пластичность, установив, за счет какой энергии (внутренней, запасенной в кристалле до наложения МП или за счет энергии, передаваемой кристаллу МП) происходит изменение состояний структурных дефектов и пластических свойств кристаллов.

2. Выявить возможные способы формирования магниточувствительных состояний комплексов точечных дефектов под действием внешних воздействий немагнитного характера: тепловых, механических и других.

3. С целью верификации спиновой природы МПЭ произвести измерение магнитного момента объектов, ответственных за разупрочнение кристаллов в МП, путем создания экспериментальных условий для детектирования электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) по изменению пластических свойств ионных кристаллов.

4. Установить последовательность и длительность различных процессов, инициированных МП в подсистеме структурных дефектов. Выделить в них стадии, чувствительные к МП.

5. Предложить и реализовать прямые методы для разделения вклада в МПЭ процессов внутри подсистемы точечных дефектов в объеме кристалла и в парах, образованных точечным дефектом и дислокацией.

6. Предложить возможные механизмы влияния постоянного МП и его совместного действия с микроволновым полем на пластические свойства ионных кристаллов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Разработано несколько методов детектирования ЭПР в структурных дефектах в условиях их низкой концентрации, недостаточной для регистрации резонанса по поглощению электромагнитной волны. Обнаружены эффекты селективного влияния скрещенных постоянного (В = 0−0.8 Тл) и микроволнового (у=9.5 ГГц, В[ ~ 2 мкТл) МП на ряд пластических свойств ионных кристаллов (подвижность индивидуальных краевых дислокаций, коэффициент упрочнения на стадии легкого скольжения при одноосном сжатии) в условиях ЭПР в подсистеме структурных дефектов. Показано, что пластические характеристики кристаллов могут быть использованы в качестве индикатора спинового резонанса в нетермализованных короткоживущих комплексах парамагнитных дефектов. Получена уникальная информация о короткоживущих спиновых состояниях дефектов, в частности, о временах жизни пар носителей спинов (~ 1−10 не), последовательности и длительности отдельных стадий многостадийных процессов, вызванных МП в подсистеме структурных дефектов, их зависимости от величины индукции внешнего МП, температуры и др.

2. Выявлены некоторые важные для понимания природы МПЭ термодинамические и кинетические аспекты процесса пластического течения ионных кристаллов в МП. Показано, что внешнее МП способствует понижению степени неравновесности дефектной структуры кристалла, инициируя релаксацию механических напряжений и высвобождение энергии, запасенной дефектами в процессе выращивания и деформирования.

3. Установлено, что закаливание способствует образованию в кристалле метастабильных комплексов точечных дефектов, кинетика релаксации которых чувствительна к МП. Биографическая или специально созданная неравновесность структурных дефектов является необходимым условием для эффективного влияния слабых МП на пластичность ионных кристаллов.

Научная ценность и практическая значимость работы.

1. Экспериментально доказана спиновая природа МПЭ в ионных кристаллах в МП с индукцией В ~ 1 Тл.

2. Показано, что наряду с традиционно учитываемым при описании пластичности упругим и электростатическим взаимодействием дефектов даже в диамагнитных кристаллах необходимо учитывать обменное взаимодействие парамагнитных дефектов. Намечены пути и способы такого учета в присутствии слабого МП.

3. Выделены рекордно короткие (~ 1−10 не) спин-зависимые стадии пластического течения кристаллов, недоступные для регистрации другими современными методами. В условиях, когда продолжительность этих стадий меньше времени спин-решеточной релаксации, возникает возможность управления ими с помощью внешних МП, что позволяет достигать значительного изменения пластичности кристаллов.

4. Сняты основные противоречия, возникавшие ранее при попытке объяснения.

МПЭ в диамагнитных неметаллических кристаллах. Установлено, что для проявления МПЭ в МП с В ~ 1 Тл требуется неравновесность на всех структурных уровнях: спиновом, электронном и атомарном.

5. Полученные результаты могут служить основой новых высокочувствительных методов исследования парамагнитных структурных дефектов в кристаллах, позволяющих непосредственно устанавливать взаимосвязь между их пластическими, электрическими, оптическими и др. структурночувствительными свойствами с одной стороны и электронно-спиновым состоянием структурных дефектов с другой. Предложенный метод исследования реакций между дефектами может быть распространен на широкий круг материалов, процесс макрои микропластической деформации которых сопровождается спин-зависимыми реакциями между дефектами и внутри них.

6. Практическая значимость работы связана с возможностью использования полученных результатов в качестве физической основы для создания новых энергосберегающих технологий обработки материалов, в частности, нетермических методов увеличения пластичности и скорости релаксации, стабилизации дефектной структуры твердых тел, пребывающих в метастабильном состоянии, например, при изготовлении высокостабильных элементов электроники, оптики, точной механики, датчиков ионизирующего излучения, света и т. п.

Апробация работы. Полученные результаты были представлены на следующих конференциях и семинарах:

IV Международная конференция «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 1996).

Международная конференция «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений» (Тамбов, 1996).

XXXIV Международный семинар «Актуальные проблемы прочности» (Тамбов, 1998).

EURO-MRS 1999 Spring meeting (Strasbourg, France, 1999).

XXXV семинаре «Актуальные проблемы прочности» (Псков, 1999).

XX Международной конференции «Релаксационные явления в твердых телах» (Воронеж, 1999).

На защиту выносятся следующие основные положения и результаты:

1. Обнаружен эффект резонансного разупрочнения ионных кристаллов в слабых скрещенных МП: постоянном и микроволновом. Установлено, что совместное действие постоянного (В=0−0.8 Тл) и скрещенного с ним микроволнового (v=9.5 ГГц, Bi ~ 2 мкТл) МП (соответствующих величинам gфактора gi~2, g2~4, g3~6) вызывает ЭПР в подсистеме структурных дефектов, проявляющийся в изменении макрои микро-пластичности монокристаллов NaCl с примесью Са и Ей (~ 100 ррт). Это прямо и однозначно свидетельствует о спиновой природе МПЭ в ионных кристаллах. Резонансные спектры, в которых откликом на возникновение резонанса служит не поглощение электромагнитной волны, а изменение пластических характеристик, позволяют устанавливать непосредственную взаимосвязь между спиновыми состояниями дефектов и пластичностью кристаллов.

2. Влияние постоянного МП как в отдельности, так и в сочетании с микроволновым МП на пластические характеристики ионных кристаллов, обусловлено наличием в них метастабильных комплексов структурных дефектов. МП инициирует ускорение их релаксации на короткой (-10 не) промежуточной стадии посредством изменения мультиплетности «мигающих» радикальных пар внутри них. Малая продолжительность спиновой стадии обеспечивает изоляцию спиновой системы от термических флуктуации на время спиновой конверсии в МП, что и позволяет наблюдать большие эффекты в слабых МП и в первом приближении исключить из рассмотрения спин-решеточную и спин-спиновую релаксацию.

3. Наличие термодинамически неравновесных состояний магниточувствительных структурных дефектов в ионных кристаллах является необходимым условием для проявления МПЭ. Эти состояния могут возникать в процессе их роста, в результате пластического деформирования или термообработки.

4. Влияние внешнего МП вызывает необратимые изменения в подсистеме точечных дефектов в ионных кристаллах, стимулируя их релаксацию в состояние с меньшей свободной энергией. Магнитостимулированная конверсия точечных дефектов в равновесное состояние приводит как к изменению подвижности индивидуальных дислокаций, так и характеристик макропластичности кристаллов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав и списка цитированной литературы, содержащего Д8 наименований. Полный объем составляет 135 страниц машинописного текста, в том числе 25 иллюстраций.

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Показано, что необходимым условием для эффективного влияния МП на пластичность диамагнитных кристаллов является нахождение структурных дефектов в метастабильном состоянии. Роль МП заключается в стимулировании ускоренного перехода этих дефектов в энергетически выгодное состояние путем снятия спиновых запретов.

2. Установлено, что неравновесность, необходимая для проявления МПЭ, может иметь биографический характер, а также быть создана путем целенаправленного возбуждения структурных дефектов нагревом и последующим быстрым охлаждением или механическим деформированием.

3. Обнаружен эффект изменения пластичности ионных кристаллов в условиях ЭПР в подсистеме структурных дефектов. Предложены модели процессов между парамагнитными дефектами, вступающими в спин-зависимые химические реакции, и механизмы влияния на них внешних МП через изменение мультиплетности пар дефектов, обладающих неспаренными спинами.

4. Предложена схема электронных переходов, инициируемых внешними МП в парамагнитных комплексах точечных дефектов. Экспериментально установлено, что исходное состояние метастабильных комплексов точечных дефектов, в которых протекают спин-зависимые химические реакции, является синглетным.

5. Измерены магнитные моменты объектов в кристалле, ответственных за изменение пластических свойств ионных кристаллов. Они равны спиновому магнитному моменту электрона или кратны ему.

6. Выделены вклады в резонансный спектр, вносимые парами точечных дефектов в объеме кристалла и парами, образованными точечным дефектом и дислокацией.

7. Установлена последовательность событий спинового, электронного и атомарного уровня, инициируемых МП в подсистеме точечных дефектов ионных кристаллов. Экспериментально найдено значение времени жизни комплекса в возбужденном состоянии.

8. Созданные экспериментальные условия могут служить основой нового высокочувствительного метода исследования парамагнитных структурных дефектов в кристаллах, позволяющего непосредственно устанавливать взаимосвязь между их пластическими свойствами и электронно-спиновым состоянием дефектов. Исключительно высокая чувствительность предложенных методов (при необходимости она может быть доведена до единичных спинов) обеспечивается тем, что в качестве зондов атомарного масштаба в них используются дислокации, подвижность которых целиком определяется счетным количеством точечных стопоров в плоскости скольжения.

9. Предполагаемые механизмы влияния МП на состояние дефектов в ионных кристаллах не обладают спецификой, связанной с конкретным типом материалов, и в определенных условиях могут быть использованы для объяснения МПЭ в металлах, полупроводниках, полимерах, органических кристаллах и др.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.C., Лебедкин М. А. Разупрочнение монокристаллов никеля при перестройке доменной структуры в магнитном поле // ФТТ. 1985. Т. 27. № 3. С. 820−824.
  2. Д.Н., Десненко В. А. Об изменении деформирующих напряжений нормальных металлов при наложении и снятии магнитного поля // ФНТ. 1981. Т. 7. № 5. С. 652−657.
  3. М.И., Кравченко В. Я., Нацик В. Д. Электронное торможение дислокаций в металлах // УФН. 1973. Т. 111. № 4. С. 655−682.
  4. В.И., Ильичев В. А., Пустовалов В. В. Пластичность и прочность металлов и сплавов при низких температурах // М. Металлургия. 1975. 328 с.
  5. Galligan J.M. Electrons, dislocations and low-temperature plastic deformation // Crystal Research and Technology. 1984. V. 19. № 6. P. 839−843.
  6. В.И., Даринская E.B., Петржик E.A. «In situ» изучение магнитопластичесского эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления // ФТТ. 1991. Т. 33. № 10. С. 3001−3010.
  7. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость макропластического течения ионных кристаллов // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 61. В. 7. С. 583−586.
  8. В.И., Беккауэр H.H., Смирнов А, Е., Урусовская A.A. Влияние магнитного поля на предел текучести кристаллов NaCl // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. В. 3. С. 951−958.
  9. В.И., Даринская Е. В., Перекалина Т. М., Урусовская А. А. О движении дислокаций в кристаллах NaCl под действием постоянного магнитного поля // ФТТ. 1987. Т. 29. № 2. С. 467−470.
  10. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Микропластичность диамагнитных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. вузов. Черная металлургия. 1990. № 10. С. 85−87.
  11. В.И., Даринская Е. В., Петржик Е. А. Магнитопластический эффект в монокристаллах алюминия // ФТТ. 1992. Т. 34. № 1. С. 155−158.
  12. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Lopatin D.V., Baskakov A.A. Influence of a strong magnetic field pulse on NaCl crystal microhardness // Phys. Stat. Sol. (a). 1997. V.160. № 2. P. 3−5.
  13. Kisel V.P., Erofeeva S.A., Shikhsaidov M.Sh. Influence of magnetic field on the movement of edge dislocations in ionic cristals // Phil. Mag. 1993. V. 67. № 2. P. 343−360.
  14. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние слабого магнитного поля на состояние структурных дефектов и пластичность ионных кристаллов // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. В. 2. С. 605−623.
  15. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитная память дислокаций в монокристаллах NaCl // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. В 3. С. 189−192.
  16. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Головин Д. Ю. Долгоживущие состояния дефектов структуры в монокристаллах NaCl, индуцированные импульсным магнитным полем // ФТТ. 1996. Т. 38. № 10. С. 3047−3049.
  17. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на скорость пластического течения монокристаллов NaCl: Са // ФТТ. 1995. Т. 37. № 7. С. 2118−2121.
  18. Golovin Yu.I., Morgunov R.B., Tyutyunnik A.V. The influence of permanent magnetic and alternative electric fields on the dislocation dynamics in ionic crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1995. V. 189. № 1. P. 75−80.
  19. Ю.И., Казакова О. Л., Моргунов Р. Б. Подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl в постоянном магнитном поле // ФТТ. 1993. Т. 35. № 5. С. 1384−1386.
  20. Ю. И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е. Релаксационные явления при пластическом деформировании ионных кристаллов в постоянном магнитном поле // Изв. РАН (физика). 1996. Т. 60. N9. С. 173−178.
  21. Ю.И., Моргунов Р. Б. Влияние постоянного магнитного поля на подвижность дислокаций в монокристаллах NaCl // ФТТ. 1995. Т. 37. № 5. С. 1352−1361.
  22. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник А. В. Исследование in situ динамики дислокаций в монокристаллах NaCl, обработанных постоянным магнитным полем // Известия РАН (серия физическая). 1995. Т. 59. № 10. С. 3−7.
  23. Golovin Yu.I., Morgunov R.B. Mechanochemical reactions between defects of crystalline structure and the effect of a magnetic field on these reactions kinetics // Chemistry Reviews. 1998. V. 23. pp. 23−58.
  24. Ю.И., Моргунов Р. Б. Магнитопластические эффекты в кристаллах // Известия РАН (серия физическая). 1997. Т. 61. № 5. С. 850−859.
  25. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е. Кинетические особенности движения дислокаций в ионных кристаллах, стимулированного импульсом магнитного поля // Известия РАН (серия физическая). 1997. Т. 61. № 5. С. 965−971.
  26. Ю.И., Моргунов Р. Б., Жуликов С. Е., Киперман В. А., Лопатин Д.
  27. B. Дислокационное зондирование состояния дефектов решетки, возбужденных импульсом магнитного поля в ионных кристаллах // ФТТ. 1997. Т. 39. № 4. С. 634−639.
  28. А., Люкке К. Струнная модель дислокации и дислокационное поглощение звука// Физическая акустика. М.: Мир. 1969. Т. 4А. С. 261−321.
  29. Э.П., Светашов А. А., Красников В. Л. Влияние магнитного поля на амплитудную зависимость внутреннего трения щелочно-галоидных кристаллов //Изв. РАН. Сер. физ. 1997. Т. 61. № 2. С. 291−297.
  30. Н.А., Белозерова Э. П. Заряженные дислокации и свойства щелочногалоидных кристаллов // УФН. 1988. Т. 156. № 4. С. 683−717.
  31. М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта //ФТТ. 1991. Т. 33.№ 10. С. 3112−3114.
  32. М.И. Отрицательный магнитопластический эффект в немагнитных кристаллах // ФТТ. 1993. Т. 35. № 1. С. 11−14.
  33. Ю.С., Житару Р. П., Линте М. А. Низкотемпературная аномалия параметров пластической деформации монокристаллов ЫаС1 // ФТТ. 1983. Т. 25. № 11.1. C. 3294−3298.
  34. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Л. Магнитопластический эффект в облученных кристаллах №С1 и 1ЛР // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. В. 2. С. 615−626.
  35. В.И., Даринская Е. В., Казакова О. Л. Влияние концентрации примеси Са на магнитный порог магнитопластического эффекта в кристаллах №С1 // ФТТ. 1998. Т. 40. № 1. С. 81−84.
  36. Ю. И., Моргунов Р. Б., Дмитриевский А. А., Шмурак С. 3., Влияние света на магнитостимулированную релаксацию напряжений в ионнных кристаллах // Известия РАН (серия физическая). 1998. Т. 62. № 7. С. 1296−1302.
  37. В.И. Омагничивание водных систем. М.: Химия. 1982. 296 с.
  38. Ю.А., Козлов А. Н., Горбач A.M. Магнитные поля биологических объектов. М.: Наука. 1987.143 с.
  39. Бучаченко A. JL, Сагдеев Р. З., Салихов К. М. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. Новосибирск: Наука. 1978. 296 с.
  40. .Я., Бучаченко A.JL, Франкевич E.JI. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике // УФН. 1988. Т. 155. № 1. С. 3−45.
  41. A.JI. Химическая поляризация электронов и ядер. М.: Наука. 1974. 225 с.
  42. Бучаченко A. JL, Берлинский B.JI. Химически индуцированное радиоизлучение и химическая радиофизика // Успехи химии. 1983. Т. 52. № 1. С. 3−19.
  43. Бучаченко A. JL Магнитный изотопный эффект // Известия РАН (серия химическая). 1990. С. 2246−2260.
  44. Salikhov К.М., Molin Yu.N., Sagdeev R.Z., Buchachenko A.L. Spin polarization and magnetic effects in radical reactions. Elsevier. Amsterdam. 1984. 415 p.
  45. Сагдеев P.3., Салихов K.M., Лешина T.B., Камха М. А., Шейн С. М., Молин Ю. Н. Влияние магнитного поля на радикальные реакции // Письма в ЖЭТФ. 1972. Т. 16. В. И. С. 599−602.
  46. Buchachenko A.L., Frankevich E.L. Chemical generation and reception of Radio- and Microwaves. VCH. New York. 1994. 180 p.
  47. Johnson R.C., Merrifield R.E., Avakian P., Flippen R.B. Effects of magnetic fields on the mutual annihilation of triplet excitons in molecular crystals // Phys. Rev. Lett. 1967. V. 19. № 6. P. 285−287.
  48. Е. Л., Приступа А. И. Магнитный резонанс возбужденных комплексов с переносом заряда, регистрируемый по флуоресценции при комнатной температуре //Письма в ЖЭТФ. Т. 24. В. 7. С. 397−400.
  49. Е.Л., Балабанов Е. И. Новый эффект увеличения фотопроводимости органических полупроводников в слабом магнитном поле // Письма в ЖЭТФ. 1965. Т. 1. В 6. С. 33−37.
  50. Е. Л., Приступа А. И. Магнитный резонанс короткожывущих пар частиц в процессах, зависящих от спина, в органических системах // Известия РАН (серия физическая). 1986. Т. 50. № 2. С. 220−223.
  51. Е. Л., Соколик И. А., Кадыров Д. И., Кобрянский В. М. Влияние слабого магнитного поля на электропроводность пленок полиацетилена // Письма в ЖЭТФ. 1982. Т. 36. В. 11. С. 401−403.
  52. В.Н., Лоскутова Е. А., Найден Е. П. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем // ФТП. 1989. Т. 23. С. 1596−1600.
  53. М.Н., Зон Б.А. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Сг^ // ЖЭТФ. 1997. Т. 111. В. 4. С. 1373−1397.
  54. Г. И., Каневский В. М., Москвин В. В. и др. О влиянии слабого импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых тел // ДАН СССР. 1983. Т. 268. № 3. С. 591−593.
  55. М.Н., Личманов Ю. О., Масловский В. М. Изменение зарядовой стабильности МДП структур, индуцированное импульсным магнитным полем // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 4. С. 27−31.
  56. Кадменский А, Г., Кадменский С. Г., Левин М. Н., Масловский В. М., Чернышев В. Е. Структурные изменения под действием ИМП // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 3. С. 41−45.
  57. В.М., Климов Ю. А., Самсонов Н. С., Симанович Е. В. Изменения электрофизических параметров систем Si-SiCh, индуцированные импульсом магнитного поля // ФТП. 1994. Т. 28. С. 772−777.
  58. Н.И., Зилпимиани Д. О., Манджгаладзе П. В., Похотелов О. А. Упрочнение монокристаллов LiF в постоянном магнитном поле // ФТТ. 1988. Т. 30. № 7. С. 2209−2211.
  59. Frankevich E.L., Tribel М.М., Socolik I.A. Photoconductivity of sublimated rubrene films during oxidation // Phys. Stat. Sol. (b) 1976. V. 77. P. 265−276.
  60. M., Свенберг Ч. Электронные процессы в органических кристаллах: В 2-х т. Т. 1. М.: Мир. 1985. 544 с.
  61. Е.Л. О природе нового эффекта изменения фотопроводимости органических полупроводников в магнитном поле // ЖЭТФ. 1966. Т. 50. В. 5. С. 1226−1234.
  62. Werner H.-J., Schulten Z., Schulten К. Theory of the magnetic field modulated geminate recombination of radical ion pairs in polar solvents: Application to the pyrene N, N — dimethylaniline system // J. Chem. Phys. 1977. V. 67. № 2. P. 646−663.
  63. Frankevich E. L., Pristupa A. I., Lesin Y. I. Magnetic resonance of short-lived triplet exciton pairs detected by fluorescence modulation at room temperature // Chem.Phys.Letters. 1977. V. 47. № 2. P. 304−308.
  64. Сагдеев P.3., Салихов K.M., Молин Ю. И. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах // Успехи химии. 1977. Т. 46. № 4. С. 569−593.
  65. A.JI. // Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы // Успехи химии. 1999. Т. 68. № 2. С. 99−117.
  66. Cracham L.J., Sines G. Electric Interaction between Dislocations and Tetragonal Defects in Anisotropic Solidum Chloride // Acta met. 1973. V. 21. P. 1157−1168.
  67. A.B., Осипьян Ю. А., Петренко В. Ф. Механизм электропластического эффекта в ZnSe // ФТТ. 1978. Т. 20. № 5. С. 1442−1450.
  68. .В. О влиянии заряженных примесей на подвижность дислокаций в кристаллическом рельефе // ФТТ. 1980. Т. 22. № 2. С. 456−462.
  69. Cywinski R., Mugenski Е., Nowy-Wiechula W., Wiechula J. Aggregation of Mn2±cation vacancy dipoles in KC1 matrix // Phys. Stat. Sol. (b). 1985. V. 129. P. 601−605.
  70. Cywinski R, Mugenski E., Nowy-Wiechula W., Wiechula J. Aggregation and precipitation of Mn2±cation vacancy dipoles in NaCl matrix // Phys. Stat. Sol. (b). 1985. V. 132. P. 91−94.
  71. Bannon N.M., Corish J., Jacobs P.W.M. A theoretical study of the formation and aggregation of vacancy-impurity dipoles in divalently doped alkali halide crystals // Phil. Mag. A. 1985. V. 51. № 6. P. 797−814.
  72. Zaldo C., Garciasole J., Agullo-Lopez F. Mechanical strengthening and impurity precipitation behaviour for divalent cation-doped alkali halides // J. Of Material Science. 1982. V. 17. P. 1465−1473.
  73. Czapelski M., Suszynska M. Effect of plastic deformation upon optical absorption of KC1: Eu2+ crystals //Phys. Stat. Sol. (b). 1985. V. 132. P. 409−414.
  74. Zaldo C., Agullo-Lopez F. Optical monitoring of the precipitation-induced hardening in NaCl: Sr and NaCl: Ca //Phys. Stat. Sol. (a). 1986. V. 93. P. 535−542.
  75. Zaldo C., Agullo-Lopez F. Hardening by precipitated in NaCl: Pb and NaCl: Cd // Phil. Mag. A. 1986. V. 53. № 1. P. 51−59.
  76. И.А., Пензина Э. Э. Электронные центры окраски в ионных кристаллах. Иркутск: Восточно-Сибирское кн.изд. 1977. 208 с.
  77. П., Каррас X., Кетитц Г., Леман Р. Спектроскопические свойства активированных лазерных кристаллов. М. 1966. 332 с.
  78. М.И. Спектр электрона, локализованного на краевой дислокации // ФТТ. 1969. Т. 11. № 8. С. 2380−2381.
  79. В.В., Осипьян Ю. А., Шалынин А. И. Спин-зависимая рекомбинация на дислокационных оборванных связях в кремнии // ЖЭТФ. 1982. Т. 83. В. 2. С. 699−714.
  80. С.З., Сенчуков Ф. Д. Взаимодействие дислокаций с электронными и дырочными центрами в ЩГК // ФТТ. 1973. Т. 15. № 10. С. 2976−2979.
  81. . Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах // М.: Мир. 1971.280 с.
  82. П.Г. Оптическое детектирование ЭПР по люминисценции дефектов в ионных кристаллах //Известия РАН (серия физическая). 1982. Т.46. № 3. С. 433−439.
  83. Н.Г., Ветров В. А., Баранов П. Г. Оптическое детектирование ЭПР по фотостимулированной люминисценции кристаллов // Известия РАН (серия физическая). 1983. Т. 47. №. 12. С. 2360−2363.
  84. Г., Соовик Т. Эффекты спиновой поляризации при фотостимулированной рекомбинации электронов с автолокализованными дырками в КВг, К1 и Ш // ФТТ. 1979 Т. 21. № 8 С. 2377−2383.
  85. Г. Проявление спиновой поляризации, реориентации и спин-решеточной релаксации в люминесценции ЩГК при очень низких температурах // Известия РАН (серия физическая). 1982. Т. 46. № 3. С. 429−432.
  86. Jaccard С., Ruedin Y., Aegerter M., Schnegg P.-A. Weak magnetic field enchancement of the luminescence from F center pairs in alkali halides // Phys. Stat. Sol. (b). 1972. V. 50. P. 187−198.
  87. Schnegg P.-A., Jaccard C., Aegerter M. Luminescence and optically detected EPR of close F-center pairs in KC1 // Phys. Stat. Sol. (b). 1974. V. 63. P. 587−598.
  88. Gilman J.J. Physical nature of plastic flow and fracture // Plasticity Proc. of 2nd symposium on naval struct, mech. Rhode Island. 1960. P. 43−99.
  89. Hackeloer H.J., Selbach H., Kanert O., Sleeswyk A.W., Hut G. Determination of the velocity of mobile dislocations by nuclear spin relaxation measurements // Phys. Stat. Sol. (b). 1977. V. 80. P. 235−243.
  90. Raupach W. Electric field gradients near dislocations in NaCl crystals and resulting NMR lineshapes // Phys. Stat. Sol. (a). 1980. V. 58. P. 435−442.
  91. Ю.И. Электромагнитные явления при пластической деформации и разрушении кристаллов // Дис.. доктора физ.-мат. наук: 01.04.07. -Тамбов 1988. 418 с.
  92. А.И., Головин Ю. И., Киперман В. А. Генератор импульсов тока, предназначенный для дефектоскопии // Дефектоскопия 1982. № 3. С. 52−53.
  93. В.А., Новиков P.P., Руденко О. В., Чумак С. М. Влияние длительности переднего фронта импульса рабочей нагрузки на кинетику перемещения дислокаций в кристаллах NaCl // ФТТ. 1974. Т. 16. № 5. С. 1505−1507.
  94. .И. //Структура и упрочнение кристаллов. Ленинград: Наука. 1981. 325. с.
  95. Ю.Р., Канторович Л. Н., Котомин Е. А. и др. //Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Рига: 1991. 382 с.
  96. Ю.И., Моргунов Р. Б., Тютюнник А. В., Жуликов С. Е., Афонина Н. М. Влияние магнитных и электрический полей на состояние точечных дефектов в монокристаллах NaCl // ФТТ. 1998. Т. 40. С. 2184−2188.
  97. Opyrchal Н., Nierzewski K.D., Drulis Н. Effect of y-irradiation on EPR Spectra of Eu2+ doped KC1 and NaCl crystals // Phys. Stat. Sol. (b). 1983. V. 118. P. K125-K127.
  98. K.Hof?man, E. Linke Formation of Vk centers by mechanical treatment of LiF single cristals // Phys.Stat.Sol. (a). 1975. V. 32. P. K67-K69.
  99. J.Wollbrant, U. Bruckner, E. Linke Investigations of mechanically induced excited states on cleavage planes of ionic crystals // Phys.Stat.Sol. (a). 1983. V. 77. P. 545−552.
  100. В.А.Закревский, А. В. Шульдинер Образование электронных центров захвата при деформировании кристаллов LiFn NaF // 1985. ФТТ. Т. 27. № 10. С. 3042−3046.
  101. A. JI. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях//Успехи химии. 1993. Т. 62. № 12. С. 1139−1149.
  102. М. В. Каказей Н.Г. Электронный парамагнитный резонанс в механически разрушенных твердых телах // Киев. «Наукова думка» 1979. 183 с.
  103. А.Абрагам, Б. Блини, Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов, Мир, М. 1972. Т. 1. 652с.
  104. Франкевич Е. JL, Приступа А. И., Кобрянский В. М. Новый эффект магнитно-резонансного изменения сопротивления органического полупроводника: слабо легированный полиацетилен. // Письма в ЖЭТФ. 1984. Т. 40. В. 1. С. 13−15.
  105. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Жуликов С. Е., Дмитриевский А. А. Электронный парамагнитный резонанс в подсистеме структурных дефектов как фактор пластификации кристаллов NaCl // Письма в ЖЭТФ 1998. Т. 68.1. B. 5. С. 400−405.
  106. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В.Е. In situ исследование влияния магнитного поля на подвижность дислокаций в деформируемых монокристаллах KCl: Ca // Физика твердого тела 1997. Т. 39. № 4. С. 630−633.
  107. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Термодинамические и кинетические аспекты разупрочнения ионных кристаллов импульсным магнитным полем // Физика твердого тела. 1997. Т. 39. № 11. С. 2016−2018.
  108. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Неравновесное состояние структурных дефектов как термодинамический фактор чувствительности ионных кристаллов к слабому магнитному полю. // Известия высших учебных заведений. Физика. 1998. № 4. С.117−119.
  109. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Дислокационная электрическая поляризация KCl:Ca в постоянном магнитном поле // Вестник ТГУ (серия естественно-техническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 268−271.
  110. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Пластификация ионных кристаллов, стимулированная импульсом магнитного поля //Вестник ТГУ (серия естественно-техническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 280−282.
  111. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Релаксация метастабильных состояний точечных дефектов, стимулированная слабым магнитным полем в монокристаллах NaCl // Вестник ТГУ (серия естественно-техническая). 1997. Т. 2. № 3.1. C. 272−274.
  112. ГоловинЮ.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е., Жуликов С. Е., Тютюнник A.B. Метастабильные состояния точечных дефектов в ионных кристаллах, чувствительные к слабому магнитному полю // Вестник ТГУ (серия естественно-техническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 262−267.
  113. Ю. И., Иванов В. Е., Тютюнник А. В. Влияние переменного и постоянного электрических полей на пластическое течение и подвижность дислокаций в кристаллах NaCl // Вестник ТГУ (серия естественно-техническая). 1997. Т. 2. № 3. С. 275−277.
  114. Р.Б., Иванов В. Е. Особенности динамики дислокаций в ионных кристаллах в постоянном магнитном поле // Тезисы докладов Международной конференции «Микромеханизмы пластичности, разрушения и сопутствующих явлений». Тамбов, 1996. С. 159−160.
  115. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Влияние магнитного поля на релаксацию метастабильных структурных дефектов и пластичность кристаллов // Тезисы XXXIV Международного семинара «Актуальные проблемы прочности». Тамбов, 1998. С.273−274.
  116. Ю.И., Моргунов Р. Б., Иванов В. Е. Кинетика разупрочнения NaCl импульсом магнитного поля // Материалы научной конференции молодых ученых «Державинские чтения». Тамбов, 1998. С. 16.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!