Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек

Диссертация: Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Автор признателен к.ф.-м.н. А. В. Ненашеву, в сотрудничестве с которым были получены основные результаты данной работы, к.ф.-м.н. Н. П. Стёпиной за помощь в проведении экспериментальной части работы и всех сотрудников лаборатории неравновесных полупроводниковых систем ИФП СО РАН, в тёплой и дружественной атмосфере которой была сделана эта работа. Персональную благодарность автор выражает нашим… Читать ещё >

Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Спин-орбитальное взаимодействие и g-фактор в низкоразмерных системах
    • 1. 2. Предложения по использованию спиновой степени свободы
    • 1. 3. Исследование спиновой релаксации в полупроводниковых наноструктурах
  • ГЛАВА 2. G-ФАКТОР ДЫРОК В Ge/Si КВАНТОВЫХ ТОЧКАХ
    • 2. 1. Описание объекта исследования и постановка задачи
    • 2. 2. Метод сильной связи
    • 2. 3. Метод вычисления g-фактора
    • 2. 4. g-фактор дырок в Ge/Si квантовых точках
    • 2. 5. Зависимость g-фактора от размера Ge/Si квантовой точки
    • 2. 6. Обсуждение экспериментальных возможностей измерения g-фактора дырок в Ge/Si квантовых точках
  • Выводы к главе 2
  • ГЛАВА 3. СПИНОВАЯ РЕЛАКСАЦИЯ ДЫРОК В МАССИВАХ Ge/Si КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
    • 3. 1. Постановка задачи
    • 3. 2. Спиновая релаксация при туннелировании между квантовыми точками
      • 3. 2. 1. Метод вычисления
      • 3. 2. 2. Вероятность переворота спина при резонансном туннелировании
    • 3. 3. Спиновая релаксация дырок в Ge/Si квантовой точке за счёт взаимодействия с фононами
    • 3. 4. Спиновый транспорт в двумерных массивах Ge/Si квантовых точек
  • Выводы к главе 3
  • ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРОНЫ В СИСТЕМЕ С Ge/Si КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ
    • 4. 1. Постановка задачи
    • 4. 2. Экспериментальные результаты исследований методом ЭПР электронов, локализованных вблизи Ge/Si квантовых точек

Данная работа лежит в русле исследований спиновых явлений в наноструктурах, которые в настоящее время рассматриваются как одно из актуальных направлений современной физики твёрдого тела. Это направление получило отдельное название «спинтроника» и связано с потенциальным применением спиновой степени свободы для создания различных приборов [1]. Создание низкоразмерных наноструктур резко стимулировало исследование спиновой динамики в полупроводниках в последние два десятилетия. Особое внимание уделяется структурам с квантовыми точками (КТ), в которых контроль и управление спиновым состоянием легче осуществить, чем в других спиновых системах, поскольку движение носителей в них ограничено в трех направлениях.

Для управления спином носителя необходимо знание особенностей спин-орбитального взаимодействия в системе, так как именно спин-орбитальное взаимодействие позволяет осуществить связь между поступательным движением квазичастиц и их спиновой степенью свободы. Это дает возможность управлять спином с помощью света или электрического поля или тока. Основным параметром, несущим информацию о спин-орбитальном взаимодействии является g-фaктop. Фактор Ланде спинового расщепления свободного электрона ,§" «2 описывает взаимодействие электронных состояний ±½ с внешним магнитным полем. В твёрдых телах взаимодействие с потенциалом решетки приводит к существенному отличию ¿—-фактора от ¿—-фактора свободного электрона. При понижении размерности системы от трёхмерного (ЗБ) случая к двумерному (2Б) и далее, 1 эффекты размерного квантования приводят к новым изменениям ¿—фактора носителей заряда. Поскольку квантовые точки являются предельным случаем размерного квантования, то в них наиболее сильно проявляются эти эффекты. Фактор Ланде несёт в себе численную информацию об изменении зонной структуры полупроводника при понижении размерности. Поэтому его исследование является актуальным и с фундаментальной точки зрения.

Низкоразмерные системы на основе Ge/Si являются перспективными для реализации идей спинтроники и квантовых вычислений. Величина спин-орбитального взаимодействия в Si мала, и время спиновой релаксации соответственно велико по сравнению с другими материалами. Время спиновой релаксации Ti в Si составляет 1−10 часов при гелиевых температурах [2,3], а время дефазировки Тг составляет миллисекунды [4]. В Ge при тех же температурах времена Ti, Тг одного порядка и составляют миллисекунды [5]. Тогда как в материалах группы А3В5 время спиновой релаксации на несколько порядков меньше и лежит в наносекундном диапазоне [6]. В квантовых точках Ge/Si электрон главным образом локализован в кремнии [7], что, несомненно, привлекательно для практического использования в элементарной ячейке квантового компьютера. Кроме того, особенности структуры с Ge/Si КТ увеличивают время релаксации спина из-за пространственного разделения дырки и электрона (это приводит к ослаблению релаксации спина электрона за счёт обменного взаимодействия с дыркой).

Недавние исследования показали, что с понижением размерности системы время спиновой релаксации увеличивается [8,9]. Понижение размерности вплоть до нульмерных объектов приводит к увеличению времени спиновой релаксации на несколько порядков, что было продемонстрировано на системе А3В5 [10]. На данный момент предложены схемы реализаций квантовых вычислений на квантовых точках [11] и такие приборы как спиновые транзисторы, спиновые фильтры на квантовых точках [12].

Исследование спинового транспорта в полупроводниковых наноструктурах является актуальной задачей с точки зрения обеспечения передачи спиновой информации между элементами управления и считывания. Плотные массивы туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек могут быть рассмотрены в качестве такого канала передачи спиновой информации. Перенос спина посредством туннелирования между квантовыми точками является наиболее оптимальным способом, поскольку в локализованном состоянии спин может сохраняться наиболее длительное время, и исключается возможность потери информации при рассеянии свободных носителей заряда. Однако встаёт вопрос о влиянии самого процесса туннелирования на ориентацию спина, поскольку переворот спина может произойти и при туннелировании между двумя квантовыми точками за счёт спин-орбитального взаимодействия. Решение этого вопроса позволяет получить дополнительное знание особенностей спин-орбитального взаимодействия в системе с Ge/Si квантовыми точками, что может дать новые возможности для управления спинами носителей заряда. Второй вопрос — это возможная потеря информации при конечных температурах за счёт взаимодействия с окружением как для локализованного носителя внутри квантовой точки, так и при туннелировании между точками. Исследование этих двух вопросов позволит получить наиболее полное представление о спиновом транспорте в плотных массивах Ge/Si квантовых точек.

Диссертационная работа посвящена изучению процессов спиновой релаксации в плотных массивах Ge/Si квантовых точек в магнитном поле.

Целью настоящей диссертационной работы является установление основных механизмов спиновой релаксации в изолированных квантовых точках и при транспорте в плотных массивах Ge/Si туннельно-связанных квантовых точек в магнитном поле. Для достижения указанной цели решались следующие задачи:

1) Разработать теоретический подход и определить энергетический спектр и волновые функции носителей заряда в Ge/Si квантовых точках в магнитном поле.

2) Разработать теоретический подход и определить время спиновой релаксации носителей заряда в массивах Ge/ Si квантовых точек.

3) Установить основные механизмы спиновой релаксации носителей заряда в массивах туннельно-связанных Ge/ Si квантовых точек.

4) Экспериментально методом ЭПР установить основные характеристики спиновых состояний электронов в массиве туннельно-связанных квантовых точек Ge в Si.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

1) Определён энергетический спектр и волновые функции дырок, локализованных в Ge/Si квантовых точках, в магнитном поле.

2) Обнаружен новый ЭПР-сигнал в структурах с Ge/Si квантовыми точками с аксиально-симметричным g-фактором (g||=1.9995, gi=1.9984) и анизотропной шириной линии.

3) Установлены вклады различных механизмов в процессы спиновой релаксации в массивах Ge/Si квантовых точек и получены характерные времена для основных механизмов релаксации в массивах Ge/Si квантовых точек.

4) Показано, что основным механизмом спиновой релаксации в плотных массивах.

•? 1 «7 туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек (плотность -3−10 см») является прецессионный механизм потери спиновой ориентации при туннелировании носителей заряда между квантовыми точками. Прецессия происходит вокруг направления перпендикулярного направлению туннелирования.

5) Установлено, что при туннелировании носителей заряда между Ge/Si квантовыми точками возникает эффективное магнитное поле, связанное с отсутствием зеркальной симметрии квантовых точек относительно плоскости роста (100).

Практическая ценность.

1) Разработанный метод вычисления g-фактора носителей заряда, локализованных в квантовых точках, может быть использован для расчёта зеемановского расщепления и в других системах. Метод не имеет ограничений снизу на размер квантового объекта вплоть до одного атома.

2) Экспериментальное подтверждение возникновения эффективного магнитного поля в плоскости массива КТ при туннелировании носителей между Ge/Si квантовыми точками, составит основу для развития новых методов управления вращением спинов носителей заряда в низкоразмерных структурах.

3) Полученные времена спиновой релаксации и значения g-факторов электронов и дырок, локализованных в структурах с Ge/Si квантовыми точками, могут быть использованы при разработке спиновых приборов, основанных на Ge/Si квантовых точках.

4) Отсутствие зависимости g-фактора электронов, локализованных в массивах Ge/Si квантовых точек, от энергии связи в пределах —20 мэВ открывает возможности для проведения элементарных однокубитовых операций в ансамбле Ge/Si квантовых точек с помощью импульсов СВЧ определенной длительности.

Личный вклад автора в диссертационную работу заключался в постановке и проведении экспериментов, в обсуждении полученных результатов, в развитии теоретических подходов, создании математических моделей и проведении модельных расчётов.

На защиту выносятся следующие положения:

1) Основным механизмом потери спиновой ориентации в плотных массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек является прецессионный механизм, связанный с отсутствием зеркальной симметрии квантовых точек относительно плоскости роста массива квантовых точек,.

2) В спектре одномерного кристалла, узлами которого являются Ge/Si квантовые точки, присутствует спиновое расщепление. Для носителя заряда, туннелирующего между квантовыми точками, это эквивалентно существованию эффективного магнитного поля, лежащего в плоскости (100) и перпендикулярного направлению туннелирования.

3) Вероятность переворота спина при резонансном туннелировании дырок между Ge/Si квантовыми точками определяется величиной эффективного магнитного поля, зависящего от геометрии квантовой точки (от отношения высоты квантовой точки h к размеру её основания /). С увеличением отношения h/l вероятность переворота увеличивается.

4) Новый ЭПР-сигнал с аксиально-симметричным g-фактором (gj?=l .9995, gj=1.9984) и анизотропной шириной линии, обнаруженный в гетероструктурах с Ge/Si квантовыми точками, связан с электронами, локализованными в асимметричных потенциальных ямах, образованных за счёт деформаций в Si вблизи вершин Ge квантовых точек.

5) Экспериментально обнаруженная анизотропия ширины линии ЭПР-сигнала (минимальное значение ширины линии 0.8 Гс наблюдается в магнитном поле, направленном вдоль оси роста [001], а максимальное значение, в 4 раза больше,-в перпендикулярном направлении) связана с анизотропией процессов спиновой релаксации в двумерных массивах Ge/Si квантовых точек и служит подтверждением существования в плоскости роста (100) эффективного магнитного поля, аналогичного полю Бычкова-Рашба.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Предсказан механизм спиновой релаксации в плотных массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек, обусловленный их структурной асимметрией. Прецессия спина при многократном туннелировании дырок между квантовыми точками в плоскости роста (100) приводит к потере спиновой ориентации.

2. Показано, что в энергетическом спектре одномерного кристалла, узлами которого являются Ge квантовые точки, присутствует спиновое расщепление, связанное с отсутствием у квантовых точек зеркальной симметрии относительно плоскости роста (100). При туннелировании носителей заряда между двумя квантовыми точками это эквивалентно существованию эффективного магнитного поля, аналогичного' полю Бычкова-Рашба. Направление данного поля перпендикулярно направлению туннелирования и лежит в плоскости (100).

3. Исследован процесс переворота спина при резонансном туннелировании дырок между двумя Ge квантовыми точками пирамидальной формы." Показано, что вероятность переворота спина при туннелировании зависит от размера и геометрии квантовой точки: при увеличении отношения высоты квантовой точки к размеру её основания вероятность переворота спина возрастает.

4. Установлено, что структурная асимметрия Ge/Si квантовой точки приводит к усилению темпа спиновой релаксации при прыжковом транспорте дырок в двумерных массивах квантовых точек во внешнем магнитном поле. Темп релаксации в массиве квантовых точек, обладающих структурной асимметрией, на 6 порядков превышает темп релаксации в массиве симметричных точек во внешнем магнитном поле ~1 Тл.

5. Показано, что в изолированной Ge квантовой точке основным механизмом спиновой релаксации является взаимодействие с фононами. В плотных массивах квантовых точек наряду с фононным механизмом проявляется механизм спиновой релаксации, связанный с флуктуациями электронного потенциала, определяющий темп спиновой релаксации при температурах Т < 4 К .

6. В гетероструктурах с Ge/Si квантовыми точками обнаружен новый ЭПР-сигнал с аксиально-симметричным g-фактором (g||=1.9995, gj=1.9984) и анизотропной шириной линии. Ось симметрии g-фактора совпадает с направлением роста квантовых точек [100]. Минимальное значение ширины линии 0.8 Гс наблюдается при ориентации внешнего магнитного поля вдоль оси роста квантовых точек, максимальное значение (в 4 раза больше) — в перпендикулярном направлении.

7. Экспериментально обнаруженная анизотропия ширины линии ЭПР-си гнала свидетельствует об анизотропии процессов спиновой релаксации в массивах Ge/Si квантовых точек, что служит экспериментальным подтверждением существования эффективного магнитного поля (аналога поля Бычкова-Рашба) в плоскости двумерного массива квантовых точек. Поле возникает при туннелировании электронов между квантовыми точками из-за структурной асимметрии потенциальных ям для электронов.

8. Обнаружено, что g-фактор электрона, локализованного вблизи Ge/Si квантовой точки, в отличие от g-фактора электронов, локализованных на донорах в Si, не зависит от энергии связи электрона (в пределах 10−20 мэВ). Это связано с малостью спин-орбитального взаимодействия в Si и с отсутствием поправки Брейта-Раби, обусловленной сверхтонким взаимодействием с ядерными спинами доноров.

9. На основе разработанного метода расчёта g-фактора для локализованных состояний определены главные значения g-фактора дырки в основном состоянии в пирамидальной Ge/Si квантовой точке. При типичных размерах Ge квантовой точки h = 1.5 нм (высота) /= 15 нм (длина стороны основания) главные значения равны ?^=0.69, gyy— 1.59, g≅12.28. Главные оси g-тензора направлены вдоль диагоналей основания пирамиды (направления [110] и [ 110]) и вдоль её оси симметрии (направление [001]).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Работа проводилась в ИФП СО РАН в: лаборатории неравновесных полупроводниковых систем под руководством зав. лаб. д.ф.-м.н., проф. A.B. Двуреченского.

Содержание диссертации отражено в следующих публикациях :

1. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками // ЖЭТФ, 2003, т. 123, № 2, с. 362−372.

2. А. V. Nenashev, А. V. Dvurechenskii, A. F. Zinovieva. Wave functions and-factor of holes in Ge/Si quantum dots // Phys. Rev. B, 2003, v. 67, 205 301.

3. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях // Физика твердого тела, 2004, т. 46, № 1, с. 60−62.

4. А. V. Nenashev, А. V. Dvurechenskii, A. F. Zinovieva, Е. A. Golovina. Zeeman Effect for Electrons and Holes in Ge/Si Quantum Dots // International Journal of Nanoscience, 2003, v. 2, No. 6, pp. 511−519.

5. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Hole spin relaxation during the tunneling between coupled quantum dots // Phys. Rev. B, 2005, v. 71, 33 310.

6. А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках // Письма в ЖЭТФ, 2005, т. 82, вып. 5, с. 336−340.

7. А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. И. Якимов, Н. П. Степина,.

В. В. Кириенко. Спиновые эффекты в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2006, № 2, с. 15−25.

8. A. F. Zinovieva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii. Fluctuation-stimulated spin relaxation in array of Ge quantum dots // 14 Int. Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, June 26−30, 2006, p. 363−364.

9. А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский. Механизм спиновой релаксации при прыжковом транспорте в двумерном массиве асимметричных квантовых точек // ЖЭТФ, 2007, т. 132, с. 436−446.

10. A.F. Zinoveva, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepinai A.S. Deryabin, A.I. Nikiforov. R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leitao, M.C. Carmo. Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots.// Phys. Rev. В 2008, v. 77, 115 319.

11. А. В. Двуреченский, А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева, g-фактор дырок в квантовых точках Ge/Si — Quantum Informatics — 2002. Book of Abstracts. Zvenigorod, October 1— 4, 2002.

12. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева. «Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях» — Нанофотоника, Нижний Новгород, 17−20 марта 2003.

13. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева «Осцилляции g-фактора возбужденных состояний в Ge/Si квантовых точках» — Тез. докл. VI-ой Российской конференции по физике полупроводников, С-Петербург, 26−31 октября, 2003.

14. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева, М. Н. Тимонова. «g-фактор, перекрытие волновых функций и локализация дырок в массиве Ge/Si квантовых точек» — Тез. докл. VI-ой Российской конференции по физике полупроводников, С. Петербург, 26−31 октября, 2003.

15. А. V. Nenashev, A. F. Zinovieva and А. V. Dvurechenskii. «Spin transport in Ge/Si quantum dot array» — Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy.

New developments in nanostractured materials — synthesis, characterization, functionality", Berlin, September 27 th — October 1st, 2003.

16. A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva and A. V. Dvurechenskii. «Spin transport in Ge/Si quantum dot array» — International Conference «Microand nanoelectronics -2003». Book of Abstracts, Zvenigorod, October 6−10, 2003.

17. A. Zinovieva, A. Nenashev, A. Dvurechenskii. «Spin transport and spin relaxation in Ge/Si quantum dots» — Abstracts of 27th International Conference on the Physics of Semiconductors, Flagstaff (Arizona, USA), July 26−30, 2004, p. 245.

18. А. В. Ненашев, А. Ф. Зиновьева, A.B. Двуреченский. Релаксация спина при транспорте в двумерных массивах Ge/Si квантовых точек — VII российская конференция по физике полупроводников, тезисы докладов, с. 260.

19. A. F. Zinovieva, А. V. Nenashev, А. V. Dvurechenskii. Spin relaxation of holes in Ge quantum dots — The International International Conference «Microand nanoelectronics -2005», Zvenigorod, Moscow region, October 3−7, 2005, book of abstracts.

20. A.B. Двуреченский, Н. П. Степина, A.C. Дерябин, А. И. Никифоров, R. Rubinger, N.A. Sobolev, J.P. Leitao, M.C. Carmo. ЭПР электронов, локализованных наGe/Si квантовых точках — VIII Российская конференции по физике полупроводников, 1 -5 октября 2007, Екатеринбург.

Результаты, полученные в данной работе, докладывались и обсуждались на 19 Российских и Международных конференциях, в том числе: на международных конференциях «Quantum Informatics — 2002», «Microand nanoelectronics» в 2003 и в 2005 годах в Звенигороде, на 11-м, 12-м, 14-м и 15-м международном симпозиуме «Nanostructures: Physics and Technology» в Санкт-Петербурге и Новосибирске, на VI-ой, VII-ой VIII-ой Российских конференциях по физике полупроводников, на 27-й международной конференции по физике полупроводников во Флагстаффе (Аризона, США) в 2004 г., на Российско-Швейцарском семинаре «Excitons and excitonic condensates in confined semiconductor systems» в Москве в 2006 г., на международной конференции E-MRS в Страсбурге в 2007 г, на Совещании «Нанофотоника» в Нижнем Новгороде в 2003 г., на конкурсах молодых ученых ИФП СО РАН и на конкурсе научных работ ИФП СО РАН (2006г.).

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность своему научному руководителю д.ф.-м.н., профессору А. В. Двуреченскому за руководство и постоянную помощь в работе.

Автор признателен к.ф.-м.н. А. В. Ненашеву, в сотрудничестве с которым были получены основные результаты данной работы, к.ф.-м.н. Н. П. Стёпиной за помощь в проведении экспериментальной части работы и всех сотрудников лаборатории неравновесных полупроводниковых систем ИФП СО РАН, в тёплой и дружественной атмосфере которой была сделана эта работа. Персональную благодарность автор выражает нашим замечательным специалистам по молекулярно-лучевой эпитаксии к.ф.-м.н. А. И. Никифорову и А. С. Дерябину, за выращенные структуры, В. А. Армбристеру и В. В. Кириенко за постоянную помощь в эксперименте, Н. И. Морозовой за химическую обработку образцов, д.ф.-м.н. А. И. Якимову за идею создания многослойных структур с квантовыми точками для локализации электронов, д.ф.-м.н. B.JI. Альперовичу за постоянный интерес к работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Zutic 1., Fabian J., Das Sarma S. Spintronics: Fundamentals and applications. — Reviews of modern physics, 2004, v.76, № 2, pp.323−410.
  2. Feher G. Electron Spin Resonance Experiments on Donors in Silicon. I. Electronic Structure of Donors by the Electron Nuclear Double Resonance Technique. — Phys. Rev., 1959, v. 114, № 5 pp.1219−1244.
  3. Feher G. and Gere E. Electron Spin Resonance Experiments on Donors in Silicon. II. Electron Spin Relaxation Effects. Phys. Rev., 1959, v. 114, № 5, pp.1245−1256.
  4. Wilson D. K. and Feher G. Electron Spin Resonance Experiments on Donors in Silicon. Ill Investigation of Excited States by the Application of Uniaxial Stress and Their Importance in Relaxation Processes. Phys. Rev., 1961, v.124, № 4, pp.1068−1083.
  5. Chiba M. and Hirai A., Electron Spin Echo Decay Behaviours of Phosphorus Doped Silicon. — J. Phys. Soc. Jpn., 1972, v. 33, № 3, pp.730−738.
  6. Vrijen R., Yablonovitch E., Wang K., Jiang H. W., Balandin A., Roychowdhury V.", Мог Т.,
  7. DiVincenzo D. Electron-spin-resonance transistors for quantum computing in silicongermanium heterostructures. Phys. Rev. A, 2000, v. 62, № 1, pp.12 306−1 — 12 306−10.
  8. Kikkawa J. M., Awshalom D. D. Resonant Spin Amplification in n-Type GaAs. Phys. Rev. Lett., 1998, v.80, № 19, pp.4313−4316.
  9. Yakimov A. I., Stepina N. P., Dvurechenskii A. V., Nikiforov A. I., Nenashev A. V. Interband absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots. — Phys. Rev. B, 2001, v. 63, № 4, pp. 45 312−1 45 312−6.
  10. Averkiev N. S., Golub L. E., Willander M. Spin relaxation in asymmetrical heterostructures. -Физика и техника полупроводников, 2002, т.36, вып.1, с. 97−103.
  11. Averkiev N. S. and Golub L. E. Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures. -Phys. Rev. B, 1999, v.60, № 23, pp.15 582−15 584.
  12. Kroutvar M., Ducommun Y., Heiss D., Bichler M., Schuh D., Abstreiter G., Finley J. Optically programmable electron spin memory using semiconductor quantum dots. —Nature 2004, v.432, pp. 81−84.
  13. Loss D. and DiVicenzo D. Quantum computation with quantum dots. — Phys. Rev. A, 1998, v.57, № 1, pp. 120−126.
  14. Recher P., Sukhorukov E. V. and Loss D. Quantum Dot as Spin Filter and Spin Memory. -Phys. Rev. Lett., 2000, v.85, № 9, pp.1962−1965.
  15. Grundmann M., Stier O., Bimberg D. InAs/GaAspyramidal quantum dots: Strain distribution, opticalphonons, and electronic structure. Phys. Rev. B, 1995, v. 52, № 16, pp.11 969−11 981.
  16. Drexler H., Leonard D., Hansen W., Kotthaus J.P., Petroff P.M. Spectroscopy of Quantum Levels in Charge-Tunable InGaAs Quantum Dots. Phys. Rev.Lett., 1994, v.73, № 16, p.2252−2255.
  17. Miller B.T., Hansen W., Manus S., Luyken R.J., Lorke A., Kotthaus J.P., Huant S., Medeiros-Ribeiro G., Petroff P.M. Few-electron ground states of charge-tunable self-assembled quantum dots. -Phys.Rev.B, 1997, v.56, № 11, pp.6764−6769.
  18. Zrenner A., Markmann M., Beham E., Findeis F., Bohm G., Abstreiter G. Spatially Resolved Spectroscopy on Single Self-Assembled Quantum Dots. Journal of Electronic Materials, 1999, v.28, № 5, pp. 542−547
  19. Bayer M., Stern 0., Kuther A., Forchel A. Spectroscopic study of dark excitons in InxGaj. x As self-assembled quantum dots by a magnetic-field-induced symmetry breaking. — Phys. Rev. B, 2000, v.61, № 11, pp.7273−7276.
  20. Patane A., Levin A., Main P. C., Eaves L., Vdovin E. E., Khanin Y. N., Dubrovskii Y. V., Henini M., Hill G. Magnetotunnelling spectroscopy for probing the electron wave functions in self-assembled quantum dots. — Physica В 2001, v. 298, pp.254−259.
  21. Bayer M., Timofeev V.B., Gutbrod Т., Forchel A., Steffen R., Oshinowo J. Enhancement of spin splitting due to spatial confinement in InxGal-xAs quantum dots. — Phys.Rev.B, 1995, v.52, № 16, R11623-R11625.
  22. Yafet Y. g-factors and spin-lattice relaxation of conduction electrons. — Solid State Physics, 1963, v.14, pp. 1−98.
  23. А.Г., Лянда-Геллер Ю.Б., Пикус Г. Е. Спиновая поляризация электронов электрическим током. -ЖЭТФ, 1991, v. 100, с. 973.
  24. Chaplik A.V., Entin M.V., Magarill L.I. Spin orientation of electrons by lateral electric field in 2D system without inversion symmetry. Phys. E, 2002, v. 13, № 2−4, pp. 744−747.
  25. Э.И. Свойства полупроводников с петлей экстремумов. Циклотронный и комбинированный резонанс в магнитном поле перпендикулярном плоскости петли. — ФТТ, 1960, т.2, с. 1224.
  26. Ohkawa F. J., Uemura Y. Quantized surface states of a narrow gap semiconductors- J. Phys. Soc. Jpn., 1974, v.37, p. 1325.
  27. Ф. Т. Спиновое расщепление спектра двумерных электронов, обусловленное поверхностным потенциалом. Письма в ЖЭТФ, 1979, т. ЗО, с. 574.
  28. Ю.А., Рашба Э. И. Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением спектра. Письма в ЖЭТФ 1984, т. 39, вып. 2, с. 66−69.
  29. Bychkov Y. A., Rashba Е. I. Oscillatory effects and the magnetic susceptibility of carriers in inversion layers. J. Phys. C: Solid State Phys., 1984, v. 17, pp.6039−6045.
  30. Dresselhaus G. Spin-Orbit Coupling Effects in Zinc Blende Structures Phys. Rev., 1955, v.100, № 2, pp.580−586.
  31. М. И., Качоровский В. Ю. Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии. ФТП, 1986, т.20, вып.1, с. 178−189.
  32. В. Б., Лифшиц Е. М, Питаевский Л. П. Квантовая электродинамика. — М.: Наука, 1989.-728 с.
  33. Л. Д., Лифшиц Е. М. Квантовая механика (нерелятивистская теория). — М.: Наука, 1989.-768 с.
  34. Ч. Квантовая теория твердых тел М.: Наука, 1967. — 492 с.
  35. В.К., Захарченя Б. П., Фёдорова О. М. Сильная анизотропия g-фактора электронов проводимости в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. — Физика твёрдого тела, 1995, т. 37, вып.1, с.283−287.
  36. Е.Л., Киселёв А. А. Электронный g-фактор в квантовых ямах и сверхрешетках. Физика и техника полупроводников, 1992, т. 26, вып. З, с. 1471−1479.
  37. Kiselev A. A., Ivchenko E.L. Electron g factor in one- and zero-dimensional semiconductor nanostructures. -Phys.Rev.B, 1998, v.58, № 24, p.16 353−16 359.
  38. A.A., Моисеев Л. В. Зеемановское расщепление состояний тяжёлой дырки в гетероструктурах А3В5 UA2B6. ФТТ, 1996, т. 38, вып. 5, с.1574−1585.
  39. Winkler R., Papadakis S.J., De Poortere E.P., Shayegan M. Highly Anisotropic g-Factor of Two-Dimensional Hole Systems. Phys.Rev.Lett., 2000, v.85, № 21, pp.4574−4577.
  40. Kiselev A. A., Kim K.W. In-plane light-hole g factor in strained cubic heterostructures. — Phys.Rev.B, 2001, v.64, № 12, pp.125 303−1 125 303−7.
  41. Marie X., Amand Т., Jeune P., Paillard M., Renucci P., Golub L. E., Dymnikov V. D., Ivchenko E. L. Hole spin quantum beats in quantum-well structures. — Phys. Rev. В 1999, v. 60, № 8, pp. 5811−5817.
  42. Бир Г. Л., ПикусГ. Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-584 с.
  43. Datta S., Das B. Electronic analog of the electro-optic modulator.— Appl. Phys. Lett., 1990, v.56, № 7, pp.665−667.
  44. Schliemann J., Carlos Egues J., Loss D. Nonballistic Spin-Field-Effect Transistor. — Phys. Rev. Lett. 2003, v. 90, № 14, pp.146 801−1 146 801−4.
  45. Kane B.E. A Silicon-based Nuclear Spin Quantum Computer. — Nature, 1998, v.393, № 5, pp. 133−137.
  46. Kane B.E. Silicon-based Quantum Computation. 2000, E-print arXiv: quant-ph/3031vl, 14 p.
  47. Kikkawa J.M., Awschalom D.D. Lateral Drag of Spin Coherence in Gallium Arsenide. -Nature, 1999, v.397, pp.139−141.
  48. Ю.Б., Пчеляков О. П., Соколов JI.B., Чикичев С. И. Искусственные подложки GeSi достижения и проблемы. — ФТП 2003, т. 37, вып.5, с. 513 — 538.
  49. Jiang Н. W., Yablonovitch Е. Gate-Controlled Electron Spin Resonance in GaAs/AlGaAs Heterostructure. Phys. Rev. В 2001 v. 64, pp.41 307−1 — 41 307−4.
  50. Zanardi P., Rossi F. Quantum Information in Semiconductors: Noiseless Encoding in Quantum-Dot Array.- Phys. Rev. Lett., 1998, v.81, № 21, pp. 4752−4755.
  51. Shklyaev A., Shibata M., Ichikava M. Instability of 2D Ge layer near the transition to 3D islands on Si (lll). Thin Solid Films, 1999, v. 343/344, pp. 532−536.
  52. Nenashev A. V., Dvurechenskii A. V., Zinovieva A. F. Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots. Phys. Rev. B, 2003, v. 67, № 20, pp. 205 301−1 — 205 301−10
  53. Titkov A. N., Safarov V. I., and Lampel G, in Physics of Semiconductors, Proceedings of the Fourteenth International Conference, edited by B. L. H. Wilson, IOP Conf. Proc. No. 43 (Institute of Physics and Physical Society, London, 1978), p. 1031.
  54. Оптическая ориентация. под ред. Б. П. Захарчени и Ф. Майера. — JL: Наука, 1989. -408 с.
  55. Lampel G. Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductorsPhys. Rev. 1968, v. 20, № 10, pp. 491 493.
  56. Epstein R. J,. Fuchs D. T, Schoenfeld W. V., Petroff P. M., and Awschalom D. D., Hanle effect measurements of spin lifetimes in InAs self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 2001, v.78, № 6, pp.733 -735.
  57. Engel H.-A., Loss D. Detection of Single Spin Decoherence in a Quantum Dot via Charge Currents. Phys. Rev. Lett., 2001, v.86, № 20, pp.4648−4651
  58. Wilamowski Z., Jantsch W., Malissa H., Rossler U. Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells. Phys. Rev. B, 2002, v.66, № 19, pp. 195 315−1 -195 315−6.
  59. Graeff C. F. O., Brandt M. S., Stutzmann M., Holzmann M., Abstreiter G., Schaffler F. Electrically detected magnetic resonance of two-dimensional electron gases in Si/SiGe heterostructures. Phys. Rev. В 1999, v.59, № 20, pp.13 242 — 13 250.
  60. Tyryshkin A. M., Lyon S. A., Jantsch W., Schaffler F. Spin Manipulation of Free Two-Dimensional Electrons in Si/SiGe Quantum Well. Phys. Rev. Lett. 2005, v.94, pp. 126 802−1 -126 802−4.
  61. Zhong Z., Bauer G. Site-controlled and size-homogeneous Ge islands on prepatterned Si (001) substrates Appl. Phys. Lett. 2004, v.84, pp. 19 922−19 924
  62. Yakimov A.I., Dvurechenskii A.V., Nikiforov A.I., Pcheljakov O.P. Formation of Zero-Dimensional Hole States in Ge/Si Heterostructures Probed with Capacitance Spectroscopy. — Thin Solid Films, 1998, v.336, pp.332−335.
  63. А. В., Двуреченский А. В. Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. — ЖЭТФ, 2000, т. 118, № 3, с. 570−578.
  64. Van de Walle С. G. Band lineups and deformation potentials in the model-solid theory. Phys. Rev. B, 1989, v. 39, № 3, pp. 1871−1883.
  65. А., Блини Б., Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. Том 1, М.: Мир, 1972.-652 с.
  66. А. В., Ненашев А. В., Якимов А. И. Электронная структура квантовых точек Ge/Si. — Известия академии наук, серия физическая, 2002, т. 66, вып. 2, с. 156−159.
  67. У. Электронная структура и свойства твердых тел. Том 1- М.: Мир, 1983. — 381 с.
  68. Chadi D. J., Cohen М. L. Tight-Binding Calculations of the Valence Bands of Diamond and Zincblende Crystals. Physica Status Solidi (b), 1975, v. 68, pp. 405−419
  69. Slater J. C., Koster G. F. Simplified LCAO Method for the Periodic Potential Problem. — Phys. Rev., 1954, v. 94, № 6, pp. 1498−1524.
  70. Jancu J.-M., Scholz R., Beltram F., Bassani F. Empirical spds* tight-binding calculation for cubic semiconductors: General method and material parameters. — Phys. Rev. B, 1998, v. 57, № 11, pp. 6493−6507.
  71. Chadi D. J. Spin-orbit splitting in crystalline and compositionally disordered semiconductors. — Phys. Rev. B, 1977, v. 16, № 2, pp. 790−796.
  72. С. Вычислительная физика. -М.: Мир, 1992.-518 с.
  73. Kiselev A. A., Rossler U. Quantum wells with corrugated interfaces: Theory of electron states. Phys. Rev. B, 1994, v. 50, № 19, pp. 14 283−14 286.
  74. F. В., Chang Y.-C. Energy levels of one and two holes in parabolic quantum dots. — Phys. Rev. B, 1996, v. 53, № 3, pp. 1507−1516.
  75. Wang L.-W., Zunger A. Solving Schrodinger’s equation around a desired energy: Application to silicon quantum dots. J. Chem. Phys., 1994, v. 100, № 3, pp. 2394−2397.
  76. Dargys A., Kundrotas J. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius: Science and Encyclopedia Publishers, 1994. — 264 p.
  77. Dresselhaus G., Kip A. F., Kittel C. Cyclotron Resonance of Electrons and Holes in’Silicon and Germanium Crystals. Phys. Rev. 1955, v. 98, № 2, pp. 368 — 384.
  78. Winkler R., Merkler M., Darnhofer Т., Rossler U. Theory for the cyclotron resonance of holes in strained asymmetric Ge-SiGe quantum wells. Phys. Rev. В 1996, v.53, № 16, pp. 10 858 -10 865.
  79. Lawaetz P. Valence-Band Parameters in Cubic Semiconductors. Phys. Rev. В 1971, v. 4, № 10, pp.3460−3467.
  80. Van Vechten J. A. Quantum Dielectric Theory of Electronegativity in Covalent Systems. I. Electronic Dielectric Constant. Phys. Rev. 1969, v. 182, № 3, pp. 891 — 905.
  81. Hensel J. C., Suzuki K. Anisotropy of the gfactor of the free hole in Ge and conduction-band spin-orbit splitting. Phys. Rev. Lett., 1969, v.'22,№ 16, pp. 838−840.
  82. Aggarwal R. L. Stress-Modulated Magnetoreflectance for the Direct Transitions Г^.2 -" Г2. and Г'" → Г2, in Germanium. Phys. Rev. B, 1970, v. 2, № 2, pp. 446−458.
  83. С. А., Козырев Б. M. Электронный парамагнитный резонанс. М. ФИЗМАТЛИТ, 1961. — 368 с.
  84. Feher G, Hensel J.C., Gere E. A. Paramagnetic Resonance Absorption from Acceptors in Silicon. Phys. Rev. Lett. I960, V. 5, pp. 309−311.
  85. Newbrand H. ESR from Boron in Silicon at Zero and Small External Stress. Phys. Stat. Sol. (b) v. 86, pp.269−275.
  86. Haendel K.-M., Winkler R., Denker U., Schmidt O.G., Haug R. J. Giant Anisotropy ofZeeman Splitting of Quantum Confined Acceptors in Si/Ge Phys. Rev. Lett. 2006, v. 96, pp. 86 403−1 — 86 403−4.
  87. Soepangkat H. P., Fisher P. Transverse Zeeman Effect of the Excitation Spectra of Boron and Thallium Impurities in Germanium Phys. Rev. В 1973, v.8, pp.870 — 893.
  88. Broeckx J, Clauws P, Van den Steen К and Vennik J. Zeeman effect in the excitation spectra of shallow acceptors in germanium: experimental J. Phys. C: Solid State Phys. 1979, v. 12, pp. 4061−4079.
  89. . И., Эфрос A. JI. Электронные свойства легированных полупроводников. — М: Наука, 1979.-416 с.
  90. L. М. g Factor and Donor Spin-Lattice Relaxation for Electrons in Germanium and Silicon. Phys. Rev., 1960, v. 118, № 6, pp. 1534 — 1540.
  91. J. A. Chroboczek, E. W. Prohofsky, and R. J. Sladek. Magnetically Induced Spin-Reversal Transitions in Impurity Hop Conduction in n-Type Germanium- Phys. Rev. 1968, v. 169, № 3, pp. 593−602.
  92. A.F. Zinovieva, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii. Hole spin relaxation during the tunneling between coupled quantum dots. Phys. Rev. В 2005, v.71, pp. 33 310−1 — 33 310−4.
  93. В. Ф., Электроны в неупорядоченных средах. -М: ФИЗМАТЛИТ, 2003. 174 с.
  94. А. Ф., Ненашев А. В., Двуреченский А. В. Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках. — Письма в ЖЭТФ, 2005, т. 82, вып. 5, с. 336−340.
  95. Zinovieva A. F., Nenashev А. V., Dvurechenskii А. V. Fluctuation-stimulated spin relaxation in array of Ge quantum dots. 14 Int. Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, June 26−30, 2006, pp 363−364.
  96. Yakimov A. I., Stepina N. P., Dvurechenskii A. V., Nikiforov A. I., Nenashev A. V. Excitons in charged Ge/Si type-II quantum dots. Semicond. Sci. Technol., 2000, v. 15, pp 1125−1130.
  97. A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev,
  98. V. A. Volodin. Electronic states in Ge/Si quantum dots with type-II band alignment initiated by space-charge spectroscopy. — Phys. Rev. B, 2006, v. 73, pp. 115 333−1 115 333−8.
  99. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев. Связывание электронных состояний в многослойных напряэ/сенных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа. — Письма в ЖЭТФ, 2006, т. 83, вып. 4, с. 189−194.
  100. Shaffler F. High-mobility Si and Ge structures. Semicond. Sci. Technol., 1997, v. 12, pp.1515−1549.
  101. Breit G., Rabi 1.1. Measurement of nuclear spin. Phys. Rev. 1931, v.38, № 11, pp. 20 822 083.
  102. Wilamowski Z., Jantsch W. Suppression of spin relaxation of conduction electrons by cyclotron motion. Phys. Rev. B, 2004, v. 69, № 3, p.35 328−1 — 35 328−10.
  103. M. И., Перель В. И- Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии. — ФТТ, 1972, т.13, с. 3581.
  104. Ч. Основы теории магнитного резонанса. М.: Мир, 1967. — 324 с.
  105. Ando Т., Akera Н. Connection of envelope functions at semiconductor interfaces. II. Mixings of Г and X valleys in GaAs/AlxGai-xAs. Phys. Rev. B, 1989, v. 40, № 17, pp 1 161 911 633.
  106. Fu Y., Willander M., Ivchenko E. L., Kiselev A. A. Valley mixing in GaAs/AlAs miltilayer structures in the effective-mass method. Phys. Rev. B, 1993, v. 47, № 20, pp 13 498−1350
  107. JI. С., Романов Д. А. Меэюдолинная конверсия на границе. Микроскопическая модель. ФТТ, 1997, т. 39, № 5, с. 839−843.
  108. Keating Р. N. Effect of Invariance Requirements on the Elastic Strain Energy of Crystals with Application to the Diamond Structure. — Phys. Rev., 1966, v. 145, № 2, pp 637−645.
  109. L. Liu. Effects of Spin-Orbit Coupling in Si and Ge. Phys. Rev., 1962, v. 126, № 4, pp. 1317−1328.
  110. Cardona M., Pollak F. H. Energy-Band Structure of Germanium and Silicon: The kp Method.- Phys. Rev., 1966, v. 142, № 2, pp.530−543.
  111. Kleinman L., Phillips J. C. Crystal Potential and Energy Bands of Semiconductors. III. Self-Consistent Calculations for Silicon. Phys. Rev., 1960, v. l 18, № 5, pp.1153−1167.
  112. Woodruff T. O. Application of the Orthogonalized Plane-Wave Method to Silicon Crystal. Phys. Rev. 1956, v. 103, № 5, pp. 1159−1166.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!