Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах

Диссертация: Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На протяжении всего времени выполнения данной работы я неизменно чувствовал поддержку и внимание своих друзей и коллег. Многое дала мне работа под руководством моих учителей E.JI. Ивченко и Н. С. Аверкиева, которые сформировали мой интерес к физике полупроводников. Я благодарен экспериментаторам С. Д. Ганичеву, В. В. Белькову и В. А. Шалыгину, совместная работа с которыми была очень приятна… Читать ещё >

Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Спин-зависимое туннелирование
    • 1. 1. Введение. Спиновая инжекция (обзор)
    • 1. 2. Туннелирование через одиночный барьер
    • 1. 3. Спиновая инжекция
    • 1. 4. Туннельный спин-гальванический эффект
    • 1. 5. Резонансное туннелирование
      • 1. 5. 1. Спиновая инжекция при резонансном туннелировании
      • 1. 5. 2. Туннельный спин-гальванический эффект
  • 2. Чисто спиновые фототоки
    • 2. 1. Введение. Обзор литературы
    • 2. 2. Феноменологическое описание
    • 2. 3. Межзонные оптические переходы в квантовых ямах
      • 2. 3. 1. Спиновый фототок, обусловленный расщеплением подзон
      • 2. 3. 2. Спиновый фототок, обусловленный линейными по к вкладами в матричные элементы оптических переходов
      • 2. 3. 3. Экспериментальное наблюдение спиновых фототоков
    • 2. 4. Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах п-типа
      • 2. 4. 1. Спиновый фототок, обусловленный расщеплением спектра
      • 2. 4. 2. Спиновый фототок, обусловленный линейными по к вкладами в матричные элементы оптических переходов
    • 2. 5. Внутриподзонные оптические переходы в квантовых ямах
    • 2. 6. Спиновые токи, обусловленные разогревом электронного газа
    • 2. 7. Орбитально-долинные токи в многодолинных полупроводниках
  • 3. Монополярная оптическая ориентация электронных спинов циркулярно поляризованным светом
    • 3. 1. Введение
    • 3. 2. Внутризонные оптические переходы в объемных полупроводниках
    • 3. 3. Внутриподзонные оптические переходы в квантовых ямах
    • 3. 4. Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах
    • 3. 5. Спиновая релаксация, обусловленная межзонным рассеянием
  • 4. Оптическая ориентация электронных спинов линейно поляризованным светом
    • 4. 1. Феноменологическое описание
    • 4. 2. Межзопные оптические переходы в квантовых ямах
    • 4. 3. Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах
    • 4. 4. Внутриподзонные оптические переходы в квантовых ямах
    • 4. 5. Термическая ориентация электронных спинов
    • 4. 6. Ориентация спинов электрическим током
  • 5. Циркулярный фотогальванический эффект в квантовых ямах
    • 5. 1. Введение
    • 5. 2. Феноменологическое описание
    • 5. 3. Циркулярный фотогальванический эффект в квантовых ямах на основе полупроводников А3В
      • 5. 3. 1. Вну гриподзонные оптические переходы
      • 5. 3. 2. Межподзонные оптические переходы
    • 5. 4. Циркулярный фотогальванический эффект на вицинальной поверхности кремния
    • 5. 5. Циркулярный эффект увлечения электронов фотонами
  • 6. Магнитоиндуцированные фотогальванические эффекты
    • 6. 1. Введение
    • 6. 2. Феноменологическое описание
    • 6. 3. Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект при внутриподзонных переходах в квантовых ямах
      • 6. 3. 1. Спиновые механизмы
      • 6. 3. 2. Диамагнитные механизмы
      • 6. 3. 3. Экспериментальное исследование фототоков
      • 6. 3. 4. Фототок в полумагнитных полупроводниках
    • 6. 4. Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект при межподзонных переходах в квантовых ямах
    • 6. 5. Исследование симметрии квантовых ям, выращенных вдоль [110]
  • Основные результаты

Актуальность темы

Физика полупроводниковых гетероструктур является в настоящее время наиболее актуальной и широко исследуемой областью физики полупроводников. Благодаря успехам технологии, прежде всего методов моле-кулярно-лучевой эпитаксии и литографии высокого разрешения, существует возможность формирования гетероструктур с заданными параметрами и свойствами, в том числе объектов наномасштаба (наноструктур). В наноструктурах движение свободных носителей заряда ограничено в одном или нескольких направлениях, что приводит к эффектам размерного квантования, кардинально изменяющим энергетические спектры носителей заряда, фононов и других квазичастиц [1, 2]. Важную роль в наноструктурах играют гетерограницы, поскольку в системах малого размера отношение площади поверхности к внутреннему объему структуры является большим. Наличие гетерограниц приводит к понижению пространственной симметрии наноструктур по сравнению с объемными материалами [3]. Это существенным образом отражается на оптических и транспортных свойствах, а также приводит к возникновению целого класса новых физических явлений, которые невозможны в объемных материалах.

В последнее время в физике полупроводниковых гетероструктур большой интерес вызывают спиновые явления. Значительные усилия сосредоточены на изучении характера спин-орбитального взаимодействия и спиновой динамики носителей заряда, разработке эффективных методов создания и детектирования спиновой ориентации электронов и дырок, а также на исследовании оптических и транспортных эффектов, обусловленных спин-орбитальпым взаимодействием [4, 5, 6, 7, 8]. Такое внимание связано как с фундаментальным интересом к физике спиновых явлений, самой по себе глубокой и многогранной, так и с перспективой использования спиновых эффектов в различных приложениях. Успехи в области оптической ориентации [4], инжекции поляризованных по спину носителей заряда из магнитных материалов в полупроводниковые структуры [8, 9], управления спиновой поляризацией внешними воздействиями и изучения спиновых явлений в гетероструктурах создают базу для разработки твердотельных электронных устройств, использующих дополнительную степень свободы — спин.

Спиновая динамика свободных носителей заряда определяется топкой структурой их энергетического спектра, которая зависит от симметрии наноструктур и может управляться внешними электрическими и магнитными полями, деформацией и т. д., поэтому исследование симметрийных свойств низкоразмерных систем является в настоящее время актуальной задачей. Мощным инструментом характеризации полупроводниковых структур является фотогальваника [5, 10, 11]. На микроскопическом уровне фотогальвапические эффекты обусловлены асимметрией элементарных процессов поглощения света или последующей релаксации фотовозбужденных носителей. Поэтому исследование таких эффектов дает надежный инструмент для изучения симметрии гетероструктур, а также позволяет получать информацию о кинетических параметрах носителей заряда, таких как времена импульсной, энергетической и спиновой релаксации, характере спин-орбитального взаимодействия и механизмах рассеяния. Детальное исследование взаимодействия подвижных носителей заряда со светом стимулирует дальнейшее развитие приборов оптоэлектроники.

Целыо работы является выявление и исследование новых микроскопических механизмов спиновой ориентации свободных носителей заряда, новых фотогальванических эффектов в полупроводниковых гетероструктурах.

Научная новизна и практическая значимость работы состоит в обнаружении и описании ряда новых физических явлений: спин-зависимого тунпелирования, обусловленного спин-орбитальным расщеплением энергетического спектра, генерации чисто спиновых фототоков без переноса заряда, мопополярпой оптической ориентации электронного газа, оптической ориентации спинов свободных носителей линейно поляризованным светом, циркулярного эффекта увлечения электронов фотонами. Полученные результаты позволили разработать методы характеризации наноструктур.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Вероятность туннелирования электронов через потенциальные барьеры па основе нецентросимметричных полупроводников зависит от ориентации электронных спинов даже в отсутствие магнитного поля.

2. Туннелирование ориентированных, но спину электронов через полупроводниковый барьер без центра инверсии сопровождается появлением электрического тока в плоскости интерфейсов. Направление тока определяется ориентацией электронных спинов относительно кристаллографических осей.

3. Поглощение линейно поляризованного света в полупроводниковых квантовых ямах вызывает спиновый ток, при котором носители заряда с противоположными спинами двигаются в противоположные стороны.

4. Внутризонное поглощение циркулярно поляризованного света в объемных полупроводниках и полупроводниковых квантовых ямах n-типа приводит к спиновой ориентации электронов.

5. Оптическая ориентация свободных носителей заряда в квантовых ямах со спин-орбитальным расщеплением подзон размерного квантования может быть осуществлена линейно поляризованным светом.

6. Фототок, возникающий в полупроводниковых квантовых ямах при возбуждении циркулярно поляризованным светом, содержит вклад, обусловленный одновременной передачей импульса и углового момента фотонов электронам (циркулярный эффект увлечения электронов фотонами).

7. Асимметрия процессов рассеяния свободных носителей заряда на фононах и статических дефектах в нецентросимметричных квантовых ямах во внешнем магнитном поле приводит к зависящей от поляризации света фотоэдс.

Апробация работы. Результаты исследований, вошедших в диссертацию, докладывались на 26 и 28 Международных конференциях по физике полупроводников (Эдинбург, Шотландия, 2002, Вена, Австрия, 2006), VI — VIII Российских конференциях по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003, Звенигород, 2005, Екатеринбург, 2007), 11 — 15 Международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология» (Санкт-Петербург, 2003 — 2006, Новосибирск, 2007), 20 и 22 Международных конференциях Отделения физики твердого тела Европейского физического общества (Прага, Чехия, 2004, Рим, Италия, 2008), II — IV Международных конференциях по физике и приложениям спин-зависимых явлений в полупроводниках (Вюрцбург, Германия, 2002, Санта-Барбара, США, 2004, Сендай, Япония, 2006), II и III Международных конференциях по спиновым явлениям «Spintech» (Брюгге, Бельгия, 2003, Аваджи, Япония, 2005), Совещании «Нанофотоника» (Н. Новгород, 2004), Международных симпозиумах по основам электронных наносистем (Санкт-Петербург, 2006, 2008), Международном совещании по спиновым явлениям в низкоразмерных системах (Регенсбург, Германия, 2005), Совещании «Спин-зависимые явления в твердых телах и спинтроника» (Санкт-Петербург, 2006), Международной зимней школе по физике полупроводников (Зеленогорск, 2007), Украинской научной конференции по физике полупроводников (Одесса, Украина, 2007), 17 Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (Генуя, Италия, 2007), 9 Международной конференции по межподзонным переходам в квантовых ямах.

Эмблсайд, Великобритания, 2007), Московском международном симпозиуме по магнетизму (Москва, 2008). Результаты работы докладывались и обсуждались также на семинарах ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН, Института радиоэлектроники РАН, Института физики полупроводников СО РАН, Санкт-Петербургского государственного университета, в университетах Регенсбурга, Вюрцбурга, Линца, Саутгемптоиа, Экзетера, научно-исследовательском центре Карлсруэ. Основное содержание диссертации опубликовано в 25 работах.

Диссертация состоит из Введения, шести глав, Заключения, Приложения и списка литературы. Первая глава диссертации посвящена теоретическому исследованию туннельного прохождения электронов через потенциальные барьеры, выращенные из нецентросимметричных полупроводниковых соединений. Продемонстрировано, что процесс электронного туннелировапия в таких системах является спип-зависимым, и прозрачность структур зависит от ориентации электронных спинов даже в отсутствие внешнего магнитного ноля. Микроскопическая природа такого эффекта в полупроводниках с решеткой цинковой обманки связана с кубическим по волновому вектору спин-орбитальным расщеплением электронных состояний. Предсказан новый эффект — генерация электрического тока в плоскости гетерограниц при туннелировании ориентированных, но спину электронов через нецентросимметричные полупроводниковые барьеры. Показано, что возможен и обратный эффект — спиновая поляризация электронов, наклонно прошедших через туннельную структуру. Теория спин-зависимого туннелирования построена как для структур на основе одиночных барьеров, так и для резонансных двухбарьерных систем.

Основные результаты работы.

1. Показано, что процесс электронного туннелирования через потенциальные барьеры на основе нецентросимметричных полупроводников является спин-зависимым. Теория спин-зависимого туннелирования построена как для одиночных барьеров, так и для резонансных двухбарьерных структур.

2. Рассчитана величина поверхностного электрического тока, возникающего вблизи барьера в плоскости интерфейсов при туннелировании ориентированных по спину носителей заряда.

3. Продемонстрирована возможность оптической инжекции спиновых токов в полупроводниковые структуры, при которых носители заряда с противоположными спинами двигаются в противоположные стороны.

4. Построена теория монополярной оптической ориентации электронного газа циркулярно поляризованным излучением для внутризонных оптических переходов в объемных полупроводниках и гетероструктурах п-типа.

5. Предсказан новый эффект — оптическая ориентация электронных спинов линейно поляризованным светом. Теория данного эффекта развита для основных механизмов поглощения света в полупроводниковых квантовых ямах.

6. Показано, что циркулярный фотогальванический эффект в спектральном диапазоне внутриподзонных оптических переходов обусловлен квантовой интерференцией различных вкладов в поглощение света.

7. Построена феноменологическая теория циркулярного эффекта увлечения электронов фотонами в квантовых ямах на основе полупроводников А3В5, которая позволила выделить вклад данного эффекта в полный фототок. Предложена микроскопическая модель, объясняющая возникновение циркулярного эффекта увлечения.

8. Показано, что рассеяние свободных носителей заряда на фононах и статических дефектах в полупроводниковых квантовых ямах во внешнем магнитном поле является асимметричным. При оптическом возбуждении квантовых ям асимметрия процессов рассеяния приводит к зависящей от поляризации света фотоэдс.

На протяжении всего времени выполнения данной работы я неизменно чувствовал поддержку и внимание своих друзей и коллег. Многое дала мне работа под руководством моих учителей E.JI. Ивченко и Н. С. Аверкиева, которые сформировали мой интерес к физике полупроводников. Я благодарен экспериментаторам С. Д. Ганичеву, В. В. Белькову и В. А. Шалыгину, совместная работа с которыми была очень приятна и плодотворна. Исключительно полезным было научное сотрудничество с И. Н. Яссиевич и В. И. Перелем. Высоко я ценю возможность общения и обсуждения различного круга вопросов с J1.E. Голубом, М. М. Глазовым, М. Н. Нестоклоном и другими сотрудниками нашего сектора. Благодарность я также испытываю к своей семье, которая меня поддерживает.

Показать весь текст

Список литературы

  1. G. Bastard, Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures, Les Ulis: Les Editions de Physique, 1988.
  2. P.Y. Yu, M. Cardona, Fundamentals of semiconductors, Springer-Verlag, Berlin, 1996.
  3. E.L. Ivchenko and G.E. Pikus, Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phenomena, Springer, Berlin, 1995.
  4. Оптическая ориентация, под ред. Б. П. Захарчени, Ф. Майера, Наука, JI., 1989.
  5. E.L. Ivchenko, Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures, Alpha Science Int., Harrow, 2005.
  6. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, eds. D.D. Awschalom, D. Loss, and N. Samarth, Springer, Berlin, 2002.
  7. R.H. Silsbee, Spin-orbit induced coupling of charge current and spin polarization // J. Phys.: Condens. Matter 16, R179 (2004).
  8. I. Zutic, J. Fabian, and S. Das Sarma, Spintronics: Fundamentals and applications // Rev. Mod. Phys. 76, 323 (2004).
  9. A.M. Bratkovsky, Spintronic effects in metallic, semiconductor, metal-oxide and metal-semiconductor heterostructures // Rep. Prog. Phys. 71, 26 502 (2008).
  10. Б.И. Стурман, B.M. Фридкин, Фотпогалъванический эффект в средах без центра симметрии и родственные явления, Наука, М., 1992.
  11. S.D. Ganichev and W. Prettl, Spin photocurrents in quantum wells // J. Phys.: Condens. Matter 15, R935 (2003).
  12. W.G. Clark and G. Feher, Nuclear polarization in InSb by a dc current // Phys. Rev. Lett. 10, 134 (1963).
  13. A.W. Overhauser, Polarization of nuclei in metals // Phys. Rev. 92, 411 (1953).
  14. A.B. Комаров, C.M. Рябченко, Н. И. Витриховский, Гигантское магнитное расщепление экситонной полосы отражения в кристалле ZnTe: Mn // Письма в ЖЭТФ 27, 441 (1978).
  15. М. Oestreich, J. Hiibner, D. Hagele, P.J. Klar, W. Heimbrodt, W.W. Riihle, D.E. Ashenford, B. Lunn, Spin injection into semiconductors // Appl. Phys. Lett. 74, 1251 (1999).
  16. R. Fiederling, M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, and L.W. Molenkamp, Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode // Nature (London) 402, 787 (1999).
  17. Y. Ohno, D.K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. Awschalom, Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure // Nature (London) 402, 790 (1999).
  18. Th. Gruber, M. Keim, R. Fiederling, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, L.W. Molenkamp, and A. Waag, Electron spin manipulation using semimagnetic resonant tunneling diodes // Appl. Phys. Lett. 78, 1101 (2001).
  19. A. Slobodskyy, C. Gould, T. Slobodskyy, C.R. Becker, G. Schmidt, and L.W. Molenkamp, Voltage-controlled spin selection in a magnetic resonant tunneling diode // Phys. Rev. Lett. 90, 246 601 (2003).
  20. Д.А. Орлов, В.JT. Альперович, А. С. Терехов, Спин-зависимая фотоэмиссия, обусловленная скачком g-фактора электронов на интерфейсе p-GaAs (Cs, 0)-вакуум // Письма в ЖЭТФ 83, 525 (2006).
  21. А.Г. Аронов, Г. Е. Пикус, Спиновая инжекция в полупроводниках // ФТП 10, 1177 (1976).
  22. S.F. Alvarado and P. Renaud, Observation of spin-polarized-electron tunneling from a ferromagnet into GaAs // Phys. Rev. Lett. 68, 1387 (1992).
  23. S.F. Alvarado, Potential barrier dependence of electron spin polarization // Phys. Rev. Lett. 75, 513 (1995).
  24. V.P. LaBella, D.W. Bullock, Z. Ding, C. Emery, A. Venkatesan, W.F. Oliver, G.J. Salamo, P.M. Thibado, M. Mortazavi, Spatially resolved spin-injection probability for gallium arsenide // Science 292, 1518 (2001).
  25. G. Schmidt, D. Ferrand, L.W. Mollenkamp, A.T. Filip, and B.J. van Wees, Fundamental obstacle for electrical spin injection from a ferromagnetic metal into a diffusive semiconductor // Phys. Rev. В 62, R4790 (2000).
  26. E.I. Rashba, Theory of electrical spin injection: Tunnel contacts as a solution of the conductivity mismatch problem // Phys. Rev. В 62, R16267 (2000).
  27. H.J. Zhu, M. Ramsteiner, H. Kostial, M. Wassermeier, H.-P. Schonherr, and K.H. Ploog, Room-tcmperature spin injection from Fe into GaAs // Phys. Rev. Lett. 87, 16 601 (2001).
  28. P.R. Hammar and M. Johnson, Spin-dependent current transmission across a ferromagnet-insulator-two-dimensional electron gas junction // Appl. Phys. Lett. 79, 2591 (2001).
  29. K.H. Ploog, Spin injection in ferromagnet-semiconductor heterostructures at room temperature (invited) // J. Appl. Phys. 91, 7256 (2002).
  30. O.M.J, van 't Erve, A.T. Hanbicki, M. Holub, C.H. Li, C. Awo-Affouda, P.E. Thompson, and B.T. Jonker, Electrical injection and detection of spin-polarized carriers in silicon in a lateral transport geometry // Appl. Phys. Lett. 91, 212 109 (2007).
  31. V.F. Motsnyi, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, G. Borghs, E. Goovaerts, V.I. Sa-farov, Electrical spin injection in a ferromagnet/tunnel barrier/semiconductor heterostructure // Appl. Phys. Lett. 81, 265 (2002).
  32. V.F. Motsnyi, P. Van Dorpe, W. Van Roy, E. Goovaerts, V.I. Safarov, G. Borghs, and J. De Boeck, Optical investigation of electrical spin injection into semiconductors // Phys. Rev. В 68, 245 319 (2003).
  33. X. Jiang, R. Wang, S. van Dijken, R. Shelby, R. Macfarlane, G.S. Solomon, J. Harris, and S.S.P. Parkin, Optical Detection of Hot-Electron Spin Injectioninto GaAs from a Magnetic Tunnel Transistor Source // Phys. Rev. Lett. 90, 256 603 (2003).
  34. G. Salis, R. Wang, X. Jiang, R.M. Shelby, S.S.P. Parkin, S.R. Bank, J.S. Harris, Temperature independence of the spin-injection efficiency of a MgO-based tunnel spin injector // Appl. Phys. Lett. 87, 262 503 (2005).
  35. X. Jiang, R. Wang, R.M. Shelby, R.M. Macfarlane, S.R. Bank, J.S. Harris, and S.S.P. Parkin, Highly spin-polarized rooin-temperature tunnel injector for semiconductor spintronics using MgO (lOO) // Phys. Rev. Lett. 94, 56 601 (2005).
  36. A. Zakharova, F.T. Vasko, V. Ryzhii, Spin orientation due to longitudinal current and interband tunnelling in narrow-gap heterostructures // J. Phys.: Condensed Matter 6, 7537 (1994).
  37. A. Voskoboynikov, S.S. Liu, and C.P. Lee, Spin-dependent electronic tunneling at zero magnetic field // Phys. Rev. В 58, 15 397 (1998)
  38. Э.И. Рашба, Свойства полупроводников с петлей экстремумов. I. Циклотронный и комбинированный резонанс в магнитном поле, перпендикулярном плоскости петли // ФТТ 2, 1224 (1960).
  39. Ф.Т. Васько, Н. А. Прима, Спиновое расщепление спектра двумерных электронов // ФТТ 21, 1734 (1979).
  40. Ю.А. Бычков, Э. И. Рашба, Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением спектра // Письма в ЖЭТФ 39, 66 (1984).
  41. Л.Г. Герчиков, А. В. Субашиев, Спиновое расщепление подзон размерного квантования в несимметричных гетероструктурах // ФТП 26, 131 (1992).
  42. A. Voskoboynikov, S.S. Liu, and C.P. Lee, Spin-dependent tunneling in double-barrier semiconductor heterostructures // Phys. Rev. В 59, 12 514 (1999).
  43. E.A. de Andrada e Silva, G.C. La Rocca, Electron-spin polarization by resonant tunneling // Phys. Rev. В 59, R15583 (1999).
  44. A. Voskoboynikov, S.S. Liu, C.P. Lee, and O. Tretyak, Spin-polarized electronic current in resonant tunneling heterostructures //J. Appl. Phys. 87, 387 (2000).
  45. D.Z.-Y. Ting and X. Cartoixa, Resonant interband tunneling spin filter // Appl. Phys. Lett. 81, 4198 (2002).
  46. T. Koga, J. Nitta, H. Takayanagi, and S. Datta, Spin-filter device based on the Rashba effect using a nonmagnetic resonant tunneling diode // Phys. Rev. Lett. 88, 126 601 (2002).
  47. C.-E. Shang, Y. Guo, and X.-Y. Chen, Asymmetric effect on spin polarization in a spin-filter device using nonmagnetic triple-barrier structure //J. Appl. Phys. 96, 3339 (2004).
  48. J. Moser, A. Matos-Abiague, D. Schuh, W. Wegscheider, J. Fabian, and D. Weiss, Tunneling anisotropic magnetoresistance and spin-orbit coupling in Fe/GaAs/Au tunnel junctions // Phys. Rev. Lett. 99, 56 601 (2007).
  49. G. Dresselhaus, Spin-orbit coupling effects in zinc blende structures // Phys. Rev. 100, 580 (1955).
  50. V.I. Perel', S.A. Tarasenko, I.N. Yassievich, S.D. Ganichev, V.V. Bel’kov, and W. Prettl, Spin-dependent tunneling through a symmetric barrier // Phys. Rev. В 67, 201 304 (2003).
  51. E.A. de Andrada e Silva, G.C. La Rocca, and F. Bassani, Spin-split subbands and magneto-oscillations in III-V asymmetric heterostructures // Phys. Rev. В 50, 8523 (1994).
  52. S.A. Tarasenko, V.I. Perel', and I.N. Yassievich, In-plane electric current is induced by tunneling of spin-polarized carriers // Phys. Rev. Lett. 93, 56 601 (2004).
  53. M.M. Glazov, P. S. Alekseev, M.A. Odnoblyudov, V.M. Chistyakov, S.A. Tarasenko, and I.N. Yassievich, Spin-dependent resonant tunneling in symmetrical double-barrier structures // Phys. Rev. В 71, 155 313 (2005).
  54. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, S.N. Danilov, J. Eroms, W. Wegscheider, D. Weiss, and W. Prettl, Conversion of spin into directed electric current in quantum wells // Phys. Rev. Lett. 86, 4358 (2001).
  55. М.И. Дьяконов, В. И. Перель, О возможности ориентации электронных спинов током // Письма в ЖЭТФ 13, 657 (1971).
  56. В.Н. Абакумов, И. Н. Яссиевич, Аномальный эффект Холла для поляризованных электронов в полупроводниках // ЖЭТФ 61, 2517 (1972).
  57. J.E. Hirsch, Spin Hall effect // Phys. Rev. Lett. 83, 1834 (1999).
  58. Y. Kato, R.C. Myers, A.C. Gossard, and D.D. Awschalom, Observation of the spin Hall effect in semiconductors // Science 306, 1910 (2004).
  59. J. Wunderlich, B. Kaestner, J. Sinova, and T. Jungwirth, Experimental observation of the spin-Hall effect in a two-dimensional spin-orbit coupled semiconductor system // Phys. Rev. Lett. 94, 47 204 (2005).
  60. S.O. Valenzuela and M. Tinkham, Direct electronic measurement of the spin Hall effect // Nature 442, 176 (2006).
  61. J.N. Chazalviel and I. Solomon, Experimental evidence of the anomalous Hall effect in a nonmagnetic semiconductor // Phys. Rev. Lett. 29, 1676 (1972).
  62. A.A. Бакун, Б. П. Захарченя, A.A. Рогачев, M.H. Ткачук, В. Г. Флейшер, Обнаружение поверхностного фототока, обусловленного оптической ориентацией электронов в полупроводнике // Письма в ЖЭТФ 40, 464 (1984).
  63. M.J. Stevens, A.L. Smirl, R.D.R. Bhat, A. Najmaie, J.E. Sipe, and H.M. van Driel, Quantum interference control of ballistic pure spin currents in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 90, 136 603 (2003).
  64. J. Hubner, W.W. Ruble, M. Klude, D. Hommel, R.D.R. Bhat, J.E. Sipe, and H.M. van Driel, Direct observation of optically injected spin-polarized currents in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 90, 216 601 (2003).
  65. H.M. van Driel, J.E. Sipe, and A.L. Smirl, Coherence control of electron spin currents in semiconductors // phys. stat. sol. (b) 243, 2278 (2006).
  66. M.B. Энтин, Теория когерентного фотогальванического эффекта // ФТП 23, 1066 (1989).
  67. R.D.R. Bhat and J.E. Sipe, Optically injected spin currents in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 85, 5432 (2000).
  68. D.H. Marti, M.-A. Dupertuis, and B. Deveaud, Dynamics of optical injection of charge and spin currents in quantum wells // Phys. Rev. В 69 35 335 (2004).
  69. H.T. Due, Т. Meier, arid S.W. Koch, Microscopic analysis of the coherent optical generation and the decay of charge and spin currents in semiconductor heterostructures // Phys. Rev. Lett. 95, 86 606 (2005).
  70. R.D.R. Bhat, F. Nastos, A. Najmaie, and J.E. Sipe, Pure spin current from one-photon absorption of linearly polarized light in noncentrosymmetric semiconductors // Phys. Rev. Lett. 94, 96 603 (2005).
  71. S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, Pure spin photocurrents in low-dimensional structures // Письма в ЖЭТФ 81, 292 (2005).
  72. H. Zhao, X. Pan, A.L. Smirl, R.D.R. Bhat, A. Najmaie, J.E. Sipe, and H.M. van Driel, Injection of ballistic pure spin currents in semiconductors by a single-color linearly polarized beam // Phys. Rev. В 72, 201 302 (2005).
  73. E.I. Rashba, Spin currents, spin populations, and dielectric function of noncentrosymmetric semiconductors // Phys. Rev. В 70, 161 201 (2004).
  74. Q.-F. Sun, X.C. Xie, J. Wang, Persistent spin current in nanodevices and definition of the spin current // Phys. Rev. В 77, 35 327 (2008).
  75. I. D’Amico and G. Vignale, Theory of spin Coulomb drag in spin-polarized transport // Phys. Rev. В 62, 4853 (2000).
  76. C.P. Weber, N. Gedik, J.E. Moore, J. Orenstein, J. Stephens, and D.D. Awschalom, Observation of spin Coulomb drag in a two-dimensional electron gas // Nature 437, 1330 (2005).
  77. M.M. Глазов, E.JI. Ивченко, Прецессионный механизм спиновой релаксации при частых электрон-электронных столкновениях // Письма в ЖЭТФ 75, 476 (2002).
  78. R. Winkler, Spin-Orbit Coupling Effects in Two-Dimensional Electron and Hole Systems, Springer-Verlag, Berlin, 2003.
  79. Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, A.H. Титков, Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV (обзор) // ФТП 22, 185 (1988).
  80. М.И. Дьяконов, В. Ю. Качоровский, Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии // ФТП 20, 178 (1986).
  81. U. Rossler, J. Kainz, Microscopic interface asymmetry and spin-splitting of electron subbands in semiconductor quantum structures // Solid State Commun. 121, 313 (2002).
  82. M.O. Nestoklon, L.E. Golub, and E.L. Ivchenko, Spin and valley-orbit splittings in SiGe/Si heterostructures // Phys. Rev. В 73, 235 334 (2006).
  83. В. Jusserand, D. Richards, G. Allan, C. Priester, and B. Etienne, Spin orientation at semiconductor heterointerfaces // Phys. Rev. В 51, 4707 (1995).
  84. D. Richards, B. Jusserand, G. Allan, C. Priester, B. Etienne, Electron spin-flip Ramman scattering in asymmetric quantum wells: Spin orientation // Solid-State Electron. 40, 127 (1996).
  85. W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zduniak, E. Litwin-Staszevska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, G.E. Pikus, F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser,
  86. К. Zekenes, and Yu.B. Lyanda-Geller, Weak antilocalization and spin precession in quantum wells // Phys. Rev. В 53, 3912 (1996).
  87. J.B. Miller, D.M. Zumbiihl, C.M. Marcus, Yu.B. Lyanda-Geller, D. Goldhaber-Gordon, K. Campman, A.C. Gossard, Gate-controlled spin-orbit quantum interference effects in lateral transport // Phys. Rev. Lett. 90, 76 807 (2004).
  88. L. Meier, G. Salis, I. Shorubalko, E. Gini, S. Schon, and K. Ensslin, Measurement of Rashba and Dresselhaus spin-orbit magnetic fields // Nature Phys. 4, 77 (2008).
  89. S.A. Tarasenko, Optical orientation of electron spins by linearly polarized light // Phys. Rev. В 72, 113 302 (2005).
  90. S.A. Tarasenko and E.L. Ivchenko, Spin orientation and spin currents induced by linearly polarized light // Proc. ICPS-28, AIP Conf. Proc. 893, 1331 (2007).
  91. Ю.Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Циркулярный фотогальванический эффект в деформированных негиротропных кристаллах // ФТТ 31(12), 77 (1989).
  92. J.B. Khurgin, Quantum interference control of electrical currents and THz radiation in optically excited zinc-blende quantum wells // Phys. Rev. В 73, 33 317 (2006).
  93. J.-M. Jancu, R. Scholz, E.A. de Andrada e Silva, and G.C. La Rocca, Atomistic spin-orbit coupling and k-p parameters in III-V semiconductors // Phys. Rev. В 72, 193 201 (2005).
  94. P. Pfeffer and W. Zawadzki, Five-level k-p model for the conduction and valence bands of GaAs and InP // Phys. Rev. В 53, 12 813 (1996).
  95. Л.Е. Воробьев, Е. Л. Ивченко, Д. А. Фирсов, В. А. Шалыгип, Оптические свойства наноструктур, Наука, СПб., 2001.
  96. R.Q. Yang, J.M. Xu, and М. Sweeny, Selection rules of intersubband transitions in conduction-band quantum wells // Phys. Rev. В 50, 7474 (1994).
  97. R.J. Warburton, С. Gauer, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, B. Brar, and H. Kroemer, Intersubband resonances in InAs/AlSb quantum wells: Selection rules, matrix elements, and the depolarization field // Phys. Rev. В 53, 7903 (1996).
  98. E. Towe, L.E. Vorobjev, S.N. Danilov, Yu.V. Kochegarov, D.A. Firsov, D.V. Donetsky, Hot-electron far-intrared intrasubband absorption and emission in quantum wells // Appl. Phys. Lett. 75, 2930 (1999).
  99. N.S. Averkiev, L.E. Golub, and M. Willander, Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductor systems //J. Phys.: Condens. Matter 14, R271 (2002).
  100. E.JI. Ивченко, С. А. Тарасенко, Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в объемных полупроводниках и гетероструктурах // ЖЭТФ 126, 426 (2004).
  101. Н.-А. Engel, B.I. Halperin, and E.I. Rashba, Theory of spin Hall conductivity in n-doped GaAs // Phys. Rev. Lett. 95, 166 605 (2005).
  102. S.A. Tarasenko, Spin orientation of a two-dimensional electron gas by a high-frequency electric field // Phys. Rev. В 73, 115 317 (2006).
  103. Т. Ando, A.B. Fowler, and F. Stern, Electronic properties of two-dimensional systems // Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).
  104. G. Lampel, Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 20, 491 (1968).
  105. R.R. Parsons, Band-to-band optical pumping in solids and polarized photolumi-nescence // Phys. Rev. Lett. 23, 1152 (1969).
  106. А.И. Екимов, В. И. Сафаров, Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 12, 293 (1970).
  107. Б.П. Захарченя, В. Г. Флейшер, Р. И. Джиоев, Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs // Письма в ЖЭТФ 13, 195 (1971).
  108. B.JI. Берковец, А. И. Екимов, В. И. Сафаров, Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Эксперимент // ЖЭТФ 65, 346 (1973).
  109. М.И. Дьяконов, В. И. Перель, Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория // ЖЭТФ 65, 362 (1973).
  110. С. Hermann, G. Lampel, Measurement of the-factor of conduction electrons by optical detection of spin resonance in p-type semiconductors // Phys. Rev. Lett. 27, 373 (1971).
  111. М.И. Дьяконов, В. И. Перель, О возможности оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 13, 206 (1971).
  112. А.И. Екимов, В. И. Сафаров, Наблюдение оптической ориентации равновесных электронов в полупроводниках п-типа // Письма в ЖЭТФ 13, 251 (1971).
  113. D.T. Pierce, F. Meier, and P. Zurcher, Negative electron affinity GaAs: A new source of spin-polarized electrons // Appl. Phys. Lett. 26, 670 (1975).
  114. B.Jl. Альперович, В. П. Белиничер, В. Н. Новиков, А. С. Терехов, Поверхностный фотогальванический эффект в арсениде галия // Письма в ЖЭТФ 31, 581 (1980).
  115. S.A. Crooker, J.J. Baumberg, F. Flack, N. Samarth, and D.D. Awschalom, Terahertz spin precession and coherent transfer of angiilar momenta in magnetic quantum wells // Phys. Rev. Lett. 77, 2814 (1996).
  116. R.S. Britton, T. Grevatt, A. Malinowski, R.T. Harley, P. Perozzo, A.R. Cameron, and A. Miller, Room temperature spin relaxation in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells // Appl. Phys. Lett. 73, 2140 (1998).
  117. И.А. Меркулов, В. И. Перель, М. Е. Портной, Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в квантовых ямах // ЖЭТФ 99, 1202 (1990).
  118. И.А. Акимов, Д. Н. Мирлин, В. И. Перель, В. Ф. Сапега, Выстраивание импульсов и ориентация спинов фотовозбужденных электронов в GaAs при переходе от двумерных к трехмерным структурам // ФТП 35, 758 (2001).
  119. A.M. Данишевский, E.JI. Ивченко, С. Ф. Кочегаров, В. К. Субашиев, Оптическая ориентация по спину и выстраивание импульсов дырок в p-InAs // ФТТ 27, 710 (1985).
  120. V.M. Edelstein, Inverse Faraday effect in conducting crystals caused by a broken mirror symmetry // Phys. Rev. Lett. 80, 5766 (1998).
  121. G.M.H. Knippels, X. Yan, A.M. MacLeod, W.A. Gillespie, M. Yasumoto, D. Oepts, and A.F.G. van der Meer, Generation and complete electric-field characterization of intense ultrashort tunable far-infrared laser pulses // Phys. Rev. Lett. 83, 1578 (1999).
  122. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel’kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl, Spin-galvanic effect // Nature 417, 153 (2002).
  123. Г. Г. Зегря, B.E. Перлин, Виутризонное поглощение света в квантовых ямах за счет электрон-электронных столкновений // ФТП 32, 466 (1998).
  124. Е.О. Kane, Band structure of indium antimonide //J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).
  125. P.A. Сурис, Пограничные состояния в гетеропереходах // ФТП 20, 2008 (1986).
  126. S.A. Tarasenko, Spin orientation by linearly polarized light in quantum wells // physica status solidi © 3, 4275 (2006).
  127. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц, Электродинамика сплошных сред, Физматлит, М., 2001.
  128. М.И. Дьяконов, В. И. Перель, Спиновая релаксация электронов проводимости в полупроводниках без центра инверсии // ФТТ 13, 3581 (1971).
  129. V.K. Kalevich, V.L. Korenev and I.A. Merkulov, Nonequilibrium spin and spin flux in quantum films of GaAs-type semiconductors // Solid State Commun. 91, 559 (1994).
  130. W.A.J.A. van der Poel, A.L.G.J. Severens, and C.T. Foxon, Quantum beats in the excition emission of type II GaAs/AlAs quantum wells // Opt. Commun. 76, 116 (1990).
  131. E.L. Ivchenko, V.P. Kochereshko, A.Yu. Naumov, I.N. Uraltsev, Magnetic-field-effects on photoluminescence polarization in type II GaAs/AlAs superlattices // Superlattices and Microstructures 10, 497 (1991).
  132. JI.И. Магарилл, А. В. Чаплик, Фотоиндуцированный магнетизм баллистических наноструктур // Письма в ЖЭТФ 70, 607 (1999).
  133. A.D. Wieck, Н. Sigg, and К. Ploog, Observation of resonant photon drag in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 64, 463 (1990).
  134. S.A. Tarasenko, Thermal orientation of electron spins // ФТП 42, 982 (2008).
  135. Е.Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах // Письма в ЖЭТФ 27, 640 (1978).
  136. А.Г. Аронов, Ю.Б. Лянда-Геллер, Ядерный электрический резонанс и ориентация спинов носителей электрическим полем // Письма в ЖЭТФ 50, 398 (1989).
  137. А.Г. Аронов, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Спиновая поляризация электронов электрическим током // ЖЭТФ 100, 973 (1991).
  138. V.M. Edelstein, Spin polarization of conduction electrons induced by electric current in two-dimensional asymmetric electron systems // Solid State Commun. 73, 233 (1990).
  139. A.V. Chaplik, M.V. Entin, and L.I. Magarill, Spin orientation of electrons by lateral electric field in 2D system without inversion symmetry // Physica E 13, 744 (2002).
  140. O.E. Raichev, Frequency dependence of induced spin polarization and spin current in quantum wells // Phys. Rev. В 75, 205 340 (2007).
  141. JI.E. Воробьев, JI.E. Ивченко, Г. Е. Пикус, И. И. Фарбштейн, В. А. Шалыгин, А. В. Штурбин, Оптическая активность в теллуре, индуцированная током // Письма в ЖЭТФ 29, 485 (1979).
  142. Y.K. Kato, R.C. Myers, А.С. Gossard, and D.D. Awschalom, Current-induced spin polarization in strained semiconductors // Phys. Rev. Lett. 93, 176 601 (2004).
  143. A.Yu. Silov, P.A. Blajnov, J.H. Wolter, R. Hey, K.H. Ploog, and N.S. Averkiev, Current-induced spin polarization at a single heterojunction // Appl. Phys. Lett. 85, 5929 (2004).
  144. S.D. Ganichev, S.N. Danilov, Petra Schneider, V.V. Bel’kov, L.E. Golub, W. Wegscheider, D. Weiss, and W. Prettl, Electric current-induced spin orientation in quantum well structures // J. Magn. Magn. Mater. 300, 127 (2006).
  145. S.A. Tarasenko, Scattering induced spin orientation and spin currents in gy-rotropic structures // Письма в ЖЭТФ 84, 233 (2006).
  146. S.A. Tarasenko, Spin orientation of free carriers by dc and high-frequency electric field in quantum wells // Physica E 40, 1614 (2008).
  147. JT.E. Голуб, Новый механизм спин-гальванического эффекта // Письма в ЖЭТФ 85, 479 (2007).
  148. С.М. Рыбкин, Фотоэлектрические явления в полупроводниках, Физмалтиз, М., 1963.
  149. С. Зи, Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Мир, М., 1984.
  150. И.Д. Ярошецкий, С. М. Рыбкин, Увлечение электронов фотонами в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, под ред. В. М. Тучкевича, В. Я. Френкеля, Наука, Л., 1980.
  151. A.F. Gibson and M.F. Kimmitt, in Infrared and Millimeter Waves, Vol. 3, Detection of Radiation, eds. K.J. Button, Academic Press, N.Y., 1980.
  152. A.M. Данишевский, A.A. Кастальский, С. М. Рыбкин, И. Д. Ярошецкий, Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках // ЖЭТФ 58, 544 (1970).
  153. A.F. Gibson, M.F. Kimmitt, and А.С. Walker, Photon drag in germanium // Appl. Phys. Lett. 17, 75 (1970).
  154. А.П. Дмитриев, С. А. Емельянов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Я. В. Терентьев, И. Д. Ярошецкий, Фототок увлечения в двумерном электронном газе в области циклотронного резонанса и его первой субгармоники // Письма в ЖЭТФ 54, 460 (1991).
  155. S. Luryi, Photon-drag effect in intersubband absorption by a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 58, 2263 (1987).
  156. E.JI. Ивченко, Г. Е. Пикус, Фотогальванические эффекты в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, под ред. В. М. Тучкевича, В. Я. Френкеля, Наука, Л., 1980.
  157. В.И. Белиничер, Б. И. Стурман, Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии // УФН 130, 415 (1980).
  158. A.M. Glass, D. von der Linde, and T.J. Negran, High-voltage bulk photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNbC>3 // Appl. Phys. Lett. 25, 233 (1974).
  159. Э.М. Баскин, Л. И. Магарилл, М. В. Энтин, Фотогальванический эффект в кристаллах без центра инверсии // ФТТ 20, 2432 (1978).
  160. V.I. Belinicher, Space-oscillating photocurrent in crystals without symmetry center // Phys. Lett. A 66, 213 (1978).
  161. В.М. Аснин, A.A. Бакун, A.M. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, Обнаружение фотоэдс, зависящей от знака циркулярной поляризации света // Письма в ЖЭТФ 28, 80 (1978).
  162. Н.С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, A.M. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре. I. Теория // ФТП 18, 639 (1984).
  163. Н.С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, A.M. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре. II. Эксперимент // ФТП 18, 648 (1984).
  164. M. Bieler, N. Laman, H.M. van Driel, and A.L. Smirl, Ultrafast spin-polarized electric currents injected in a strained zinc blende semiconductor by single color pulses // Appl. Phys. Lett. 86, 61 102 (2005).
  165. C.L. Yang, H.T. He, L. Ding, L.J. Cui, Y.P. Zeng, J.N. Wang, and W.K. Ge, Spin photocurrent and converse spin polarization induced in a InGaAs/InAlAs two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 96, 186 605 (2006).
  166. S.A. Tarasenko, Orbital mechanism of the circular photogalvanic effect in quantum wells // Письма в ЖЭТФ 85, 216 (2007).
  167. Л.И. Магарилл, М. В. Энтии, Фотогальванический эффект в размерно-квантованных системах // Поверхность 1, 74 (1982).
  168. Е.Л. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Ток термализованных носителей, ориентированных по спину // ЖЭТФ 98, 989 (1990).
  169. Л.И. Магарилл, М. В. Энтин, Фотогальванический эффект в инверсионном канале на вицинальной грани // ФТТ 31(8), 37 (1989).
  170. Г. М. Гусев, З. Д. Квон, Л. И. Магарилл, A.M. Палкин, В. И. Созинов, О. А. Шегай, М. В. Энтип, Резонансный фотогальваническийх эффект в инверсионном слое на поверхности полупроводника // Письма в ЖЭТФ 46, 28 (1987).
  171. В.И. Белиничер, О механизмах циркулярного эффекта увлечения // ФТТ 23, 3461 (1981).
  172. S.D. Ganichev and W. Prettl, Intense Terahertz Excitation of Semiconductors, Oxford University Press, Oxford, 2006.
  173. A.B. Андрианов, И. Д. Ярошецкий, Индуцированный магнитным полем циркулярный фотогальванический эффект в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 40, 131 (1984).
  174. Е.Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Оптическая ориентация спинов свободных носителей и фотогальванические эффекты в гиротропных кристаллах // Изв. Акад. наук СССР, физ. сер. 47, 2369 (1983).
  175. А.А. Горбацевич, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, Асимметричные наноструктуры в магнитном поле // Письма в ЖЭТФ 57, 565 (1993).
  176. О.В. Кибис, Новые эффекты электрон-фононного взаимодействия в квазидвумерных структурах в магнитном поле // ЖЭТФ 115, 959 (1999).
  177. Ю.А. Алещенко, И. Д. Воронова, С. П. Гришечкина, В. В. Капаев, Ю. В. Копаев, И. В. Кучеренко, В. И. Кадушхин, С. И. Фомичев, Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект васимметричной системе квантовых ям // Письма в ЖЭТФ 58, 377 (1993).
  178. И.В. Кучеренко, JI.K. Водопьянов, В. И. Кадушкин, Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении // ФТП 31, 872 (1997).
  179. Л.И. Магарилл, Фотогальванический эффект в двумерных системах в параллельном магнитном поле // ФТТ 32, 3558 (1990).
  180. А.П. Дмитриев, С. А. Емельянов, С. В. Иванов, П. С. Копьев, Я. В. Терептьев, И. Д. Ярошецкий, Гигантский фототок в двумерных структурах в магнитном поле параллельном 2Б-слою // Письма в ЖЭТФ 54, 279 (1991).
  181. L.V. Kulik, I.V. Kukushkin, V.E. Kirpichev, K. v. Klitzing, and K. Eberl, Magnetic-field-induced dispersion anisotropy of intersubband excitations in an asymmetrical quasi-two-dimensional electron system // Phys. Rev. В 61, 1712 (2000).
  182. B.M. Ashkinadze, E. binder, E. Cohen, and L.N. Pfeiffer, Effect of an in-plane magnetic field on the photoluminescence spectrum of modulation-doped quantum wells and heterojunctions // Phys. Rev. В 71, 45 303 (2005).
  183. S.A. Tarasenko, Electron scattering in quantum wells subjected to an in-plane magnetic field // Phys. Rev. В 77, 85 328 (2008).
  184. A.G. Pogosov, M. V. Budantsev, O.V. Kibis, A. Pouydebasque, D.K. Maude, J.C. Portal, Thermomagnetic effect in a two-dimensional electron gas with an asymmetric quantizing potential // Phys. Rev. В 61, 15 603 (2000).
  185. J.K. Furdyna, Diluted magnetic semiconductors // J. Appl. Phys. 64, R29 (1988).
  186. A.A. Sirenko, T. Ruf, M. Cardona, D.R. Yakovlev, W. Ossau, A. Waag, and G. Landwehr, Electron and hole g factors measured by spin-flip Raman scattering in CdTe/Cdi-zMgaTe single quantum wells // Phys. Rev. В 56, 2114 (1997).
  187. JI.E. Воробьев, C.H. Данилов, В.Jl. Зерова, Д. А. Фирсов, Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах // ФТП 37, 604 (2003).
  188. Y. Ohno, R. Terauchi, Т. Adachi, F. Matsukura, and H. Ohno, Spin relaxation in GaAs (llO) quantum wells // Phys. Rev. Lett. 83, 4196 (1999).
  189. O.Z. Karimov, G.H. John, and R.T. Harley, W.H. Lau, M.E. Flatte, M. Henini, and R. Airey, High temperature gate control of quantum well spin memory // Phys. Rev. Lett. 91, 246 601 (2003).
  190. S. Dohrmann, D. Hagele, J. Rudolph, M. Bichler, D. Schuh, and M. Oestreich, Anomalous spin dephasing in (110) GaAs quantum wells: Anisotropy and inter-subband effects // Phys. Rev. Lett. 93, 147 405 (2004).
  191. K.C. Hall, K. Gundodu, J.L. Hicks, A.N. Kocbay, M.E. Flatte, T.F. Boggess, K. Holabird, A. Hunter, D.H. Chow, and J.J. Zinck, Room-temperature electric-field controlled spin dynamics in (110) InAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 86, 202 114 (2005).
  192. V.V. Bel’kov, P. Olbrich, S.A. Tarasenko, D. Schuh, W. Wegscheider, T. Ko-rn, Ch. Schuller, D. Weiss, W. Prettl, and S.D. Ganichev, Symmetry and spin dephasing in (llO)-grown quantum wells // Phys. Rev. Lett. 100, 176 806 (2008).
  193. L. Pfeiffer, K.W. West, H.L. Stormer, J.P. Eisenstein, K.W. Baldwin, D. Ger-shoni, and J. Spector, Formation of a high quality two-dimensional electron gas on cleaved GaAs // Appl. Phys. Lett. 56, 1697 (1990).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!