Разработка физико-химических основ и наземная отработка метода выращивания кристаллов полупроводников бесконтактной направленной кристаллизацией из расплава в условиях микрогравитации
Диссертация
В настоящее время в космосе успешно используется единственный бесконтейнерный метод выращивания монокристаллов из расплава — бестигельная зонная плавка. Применительно к условиям микрогравитации также предпринимаются попытки создания метода направленной кристаллизации с частичным контактом между расплавом и контейнером. Один из подходов в этом направлении связан с использованием полупроводников… Читать ещё >
Список литературы
- Мильвидский М.Г., Картавых А. В., Раков В. В., Выращивание монокристаллов из расплавов в условиях космического полета., Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. № 9. С.17−35.
- Мильвидский М.Г., Верезуб Н. А., Картавых А. В., Копелиович Э. С., Простомолотов А. И., Раков В. В., Выращивание монокристаллов полупроводников в космосе: результаты, проблемы, перспективы, Кристаллография. 1997. Т.42. No5. С.913−923.
- И.И. Марончук, А. В. Картавых, В. В. Раков, Кристаллизация полупроводников в космосе, проблемы и перспективы. Вестник ХГТУ 3 (9) 2000 с.63−68.
- И.И. Марончук, А. В. Картавых, В. В. Раков, М. Г Мильвидский, XXXV научные чтения, посвященные разработке научного наследия и развитию идей К. Э. Циолковского, тезисы докладов, Калуга, 14−16 сентября 1999 г. с.150−151.
- F.Rosenberger, P.G.Vekilov, J.I.D.Alexander, Microgravity Sci. Technol. 1997.V.10. № 1.P. 29.
- Мильвидский М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984.256 е.-
- Мильвидский М.Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. М.: Металлургия, 1974. 392 с.
- Отчет Гиредмета, М., инв.№ 6811,1980,88с.
- Верезуб Н.А., Копелиович Э. С., Полежаев В. И., Раков В. В., Особенности процессов теплообмена в расплавах некоторых элементарных полупроводников и соединений типа А3В5 в условиях невесомости. Тех. Эксперименты в невесомости., Свердловск. 1983. с.79−93.
- Таблицы физических величин. Спр. Под ред. И. К. Кикоина. М., Атомиздат, 1972.
- А.Я.Нашельский, Технология полупроводниковых материалов. М.:Металлургия, 1972, 430 с.
- А.Я.Нашельский, Монокристаллы полупроводников. М.: Металлургия, 1978,200с.
- АЛ.Нашельский, Производство полупроводниковых материалов. М.:Мет., 1982,312с.
- В.М.Глазов, С. Н. Чижевская, Н. Н. Глаголева, Жидкие полупроводники. М., Наука, 1967, 224с.
- Ю.М.Шашков, Металургия полупроводников М., Металлургиздат, 1960,246с.
- Верезуб Н.А., Зубрицкая И. Н., Егоров А.В.и др. // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1985. Т.49. № 4. С.687
- Картавых А.В., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Формообразование и электрофизическая однородность монокристаллов германия, выращенных методом БЗП в космосе. Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды IV
- Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 7−12 сентября. 1997 г.
- И.В.Бармин, А. С. Сенченков. Технологическое оборудование автоматического спутника «Фотон» и некоторые результаты экспериментов. Изв. АН, Механика жидкости и газа, 15,1994 г.
- И.В.Бармин, А. С. Сенченков, А. В. Егоров., Космические эксперименты проведенные на оборудовании КБОМ. Итоги и перспективы. Поверхность, рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. № 9. С.36−40.
- Отчет Гиредмета, М., инв.№ 7693, 1984,98с.
- A.V.Kartavykh, E.S.Kopeliovich, M.G.Milvidskii, V.V.Rakov, E.S.Yurova. Formation of Inhomogeneous Impurity Distribution in Germanium Single Crystals Grown under Conditions of Microgravity. Crystallography Reports. 1997. V.42. No4. P.694−699.
- Картавых A.B., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В., Анализ осевых профилей распределения примеси в монокристаллах Ge, выращенных методом бестигельной зонной плавки в космосе. Кристаллография. 1998. Т.43. № 6. С.1136−1141.
- Полежаев В.И., Белло А. В., Верезуб Н. А. и др. Конвективные процессы в невесомости. М.: Наука, 1991. 340 с.
- Верезуб Н.А., Копелиович Э. С., Раков В. В., Кристаллизация из расплавов полупроводниковых материалов в космосе. Цветные металлы., 1991. № 8. с.52−55.
- A.V.Kartavykh, E.S.Kopeliovich, M.G.Mil'vidskii, and V.V.Rakov., Specific Effects of Ge Single Crystals Doping During their Floating Zone Processing Aboard the Spacecrafts Microgravity sci. & technol. 1999. V.XII. Nol. P.16−22.
- A.V.Kartavykh, E.S.Kopeliovich, M.G.Mirvidskii, and V.V.Rakov., Anomalous effects of dopant distribution in Ge single crystals grown by FZ-technique aboard spacecrafts. J.CrystGrowth. 1999. V.205. No4. P.497−502.
- A.Kartavykh, M.Mil'vidskii, V. Rakov, V. Ginkin, V. Artemyev, N. Gusev, V. Folomeev, T.Lyukhanova., Abstr. of 3rd Int. Conf. on Single cryst. growth, Strength problems & Heat Mass Transfer. Obninsk, Russia, 1999. P. 175−176.
- Катлер M., Жидкие полупроводники. M.: Мир, 1980.256с.
- Губенко А.Я. // Высокочистые вещества. 1994. № 4. С. 110.
- Gubenko A.Ya. // Microelectronic Engineering. 1999. № 45.Р. 161.
- Картавых А.В., Микрогравитационная чувствительность легированных расплавов полупроводников при их кристаллизации в космосе. Кристаллография., 2000., Т.45., № 6., С. 1108−1113.
- Верезуб Н.А., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., и др. Патент № 2 092 629 РФ. Способ выращивания кристаллов. ИХПМ. Кл. С30 В 30/08, 13/00. 1997/Бюл.№ 28.
- Lai R.B., et al. Solution growth of crystals in low gravity // Microgravity Materials Science Conference, Huntsville, AL, USA, 24−25 May 1994. Research Summaries, P.27.
- Larson D J., Jr., et al. Orbital processing of high-quality CdTe compound semiconductors // Microgravity Materials Science Conference, Huntsville, Al., USA, 24−25 May 1994. Research Summaries, P.51.
- Gillies D.C., Lehoczky S.L., Szofran F.R., et al. Effect of residual acceleration during microgravity directional solidification of mercury cadmium telluride on the USMP-2 mission // Journal of Crystal Growth, 1997. Vol. 174. P. 101.
- Danilevsky A.N., Boschert St., Benz K.W. The effect of the orbiters attitude on the jag-growth of InP crystals // Microgravity Sci. and Technology, 1997, Vol. X/2, p. 106−112.
- Бармин И.В., Сенченков A.C. Технологическое оборудование автоматических спутников «Фотон» и некоторые результаты экспериментов // Известия Академии наук. Механика жидкости и газа, 1994, том 5, № 4, с.37−45.
- Сазонов В.В., Чибуков С. Ю., Абрашкин В. И. и др. Анализ низкочастотных микроускорений на борту ИСЗ"Фотон-И". Препринт ИПМ им. М. В. Келдыша РАН, 1999.№ 33.36с.
- Hamacher Н., Richter Н., Jilg R., Drees S. QSAM Ergebnisse von FOTON-11. Munich.: DLR, 1998.410 p.
- Rogers M.J.B., de Lombard R. // Summary Report of Mission Acceleration Measurements for STS-66. NASA Technical Memorandum 106 914,1995. Cleveland, USA: NASA, 1995.420 p.
- Mil’vidskii M.G., Kartavykh A.V., Kopeliovich E.S., Rakov V.V., Verezub N.A. and Prostomolotov A.I. Semiconductors on the Way to Space Technologies // Journal of Journals. 1998. V. 2.Nol.P.6−13.
- Мильвидский М.Г., Картавых A.B., Копелиович Э. С., Раков В. В. Монокристаллы «космической пробы» // Наука в России. 1999. № 1. С.4−10.
- Tryggvasson B.V., De Carufel J., Stewart W.Y. Microgravity Vibration Isolation Mount (MIM). Montreal.: CSA, 1997.22 p.
- В.Л.Левтов, В. В. Романов, А. И. Иванов и др., Результаты летно космических испытаний виброзащитной платформы ВЗП-1К., Космические исследования, 2001, том 39, № 2, стр. 148−160.
- Sail М., Fielerle М., Benz K.W., Senchenkov A.S. et al.//J.Crystal Growth. l994.V.138.№l.P.161.
- Senchenkov A.S., Barmin I.V., Tomson A.S., Krapukhin V.V. // J. Crystal. Growth. 1999. V. 197. № 3. P. 552.
- Benz K.W., Dold P., Croll A. et al. // Proc. SPIE’s 44-th Annual Meeting. Denver, USA, 1999. SPIE V. 3792. P. 2.
- Картавых А.В., Копелиович Э. С., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Наземная отработка космических экспериментов по бестигельной зонной плавке Ge с воздействием вращающих магнитных полей // Кристаллография. 2001. Т.46. № 1. С. 134−139.
- Camel, D., Favier, J.J.: Thermal convection and longitudinal macrosegregation in horizontal Bridgman crystal growth. J. Crystal Growth, vol. 67, pp. 42−67 (1984).
- Schneider, G., Herrmann, R., Kruger, H., Rudolph, P., Kuhl, R., Rostel, R.: Results of Crystal Growth of Bismuth-Antimony Alloys (BilOO-xSbx) in a Microgravity Environment. Crystal Res. & Technol., vol. 18, pp. 1213−1224 (1983).
- Rudolph, P., Private Communication, Institute of Crystal Growth, Berlin (1997).
- Klein, H., N#hle, R., Wanders, K.: Metal-like Solidification of a Multiphase Dispersion in Low Gravity during a Space Shuttle Flight. Z. Flugwiss. Weltraumforsch., vol. 9, pp. 14−20 (1985).
- Regel, L.L., Ngi, N.T.: Distribution of the Impurities in GaP Crystals Obtained in Weightlessness. Abstracts, 6th International Conference on Crystal Growth (ICCG-6), Moscow vol. 2, p. 147 (1980).
- Ge, P., Nishinaga, Т., Huo, C., Xu, Z., He, J., Masaki, M., Washiyama, M., Xie, X., Xi, R.: Recrystallization of GaSb under Microgravity During China Returnable Satellite No. 14 Mission. Microgravity Quart, vol. 3, pp. 161−165 (1993).
- Nishinaga, Т., Ge, P., Huo, C., He, J., Nakamura, Т.: Melt Growth of Striation and Etch Pit Free GaSb under Microgravity. American Conference on Crystal Growth 10, Vail (1996).
- Duffar, Т., Dusserre, P., Abadie, J.: Crucible-Semiconductor Interactions during Crystal Growth from the Melt in Space. 30th COSPAR Scientific Assembly, Hamburg, (1994) — Adv. Space Res. vol. 16, pp. 199−203 (1995).
- Duffar, Т., Dusserre, P., Serrano, M.D.: Bridgman Solidification of GaSb. Results of EURECA AMF-118 Experiment. Adv. Space Res. vol. 16, pp. 101−104 (1995).
- Duffar, Т., Boiton, P., Dusserre, P., Abadie, J.: Crucible De-Wetting during Bridgman Growth in Microgravity. II: Smooth Crucibles. J. Crystal Growth, vol. 179, pp. 397−409 (1997).
- Duffar, Т., et al.: Segregation during GalnSb solidification in space and on earth. 9th European Symposium on Gravity Dependent Phenomena in Physical Sciences, Berlin, European Space Agency, Paris (1995).
- Micklethwaite, W.F.: Private Communications. Firebird Semiconductors Ltd., Trail, ВС V1R 2T3, Canada (1998).
- Yee, J.F., Lin, M.C., Sarma, K., Wilcox, W.R.: The Influence of Gravity on Crystal Defect Formation, J. Crystal Growth, vol. 30, pp. 185−192 (1975).
- Wilcox, W.R., Yee, J.F., Lin, M.C., Sarma, K., Sen, S.: Directional Solidification of InSb- GaSb Alloys. Skylab Science Experiments, eds. G.W. Morganthaler and G.E. Simonson, American Astronautical Society, Tarzana, pp. 27−41 (1975).
- Yee, J.F., Sen, S., Wilcox, W.R., et al.: Directional Solidification of InSb-GaSb Alloys. Proc. Third Space Processing Symposium, Skylab Results, NASA M74−5, N74−29 900. Vol. 1, pp. 301−374 (1974).
- Lefever, R.A., Wilcox, W.R., Sarma, K.R.: Orientation, Twinning and Orientation- Dependent Reflectance in InSb-GaSb Alloys. Mat. Res. Bull., vol. 13, pp. 1175−1180 (1978).
- Lefever, R.A., Wilcox, W.R., Sarma, K.R., Chang, C.E.: Composition Variations in Directionally Solidified InSb-GaSb Alloys. Mat. Res. Bull., vol. 13, pp. 1181−1191 (1978).
- Yue, J.T., Voltmer, F.W.: Influence of Gravity Free Solidification on Solute Microsegregation. J. Crystal Growth, vol. 29, p. 329 (1975).
- Witt, A.F., Gatos, H.C., Lichtensteiger, M., Herman, C.J.: Crystal Growth and Segregation under Zero Gravity: Ge. J. Electrochem. Soc., vol. 125, p. 1832 (1978).
- Witt, A.F., Gatos, H.C., Lichtensteiger, M., Herman, C.J.: Interface Marking in Crystals -Experiment MA-060. Apollo-Soyuz Test Project (ASTP), NASA Report TM-X-73 360, MSFC, Section V, vol. 1, pp. 429−447 (1977).
- Gatos H.C., Witt A.F.: Interface Markings in Crystals, Experiment MA-060.NASA report, p.25,1976.
- Gatos, H.C., Herman, C.J., Lichtensteiger, M., Witt, A.F.: Quantitative Determination of Zero-Gravity Effects on Crystal Growth from the Melt (Experiment MA-060). ESA Special Publication No. 114, European Space Agency, Paris, p. 181 (1976).
- Witt, A.F.: Crystal Growth Experiments on ASTP An Overview. ESA Special Publication No. 114, European Space Agency, Paris, p. 34 (1976).
- Zemskov, V.S., Kubasov, V.N., Belokurova, I.N., Titkov, A.N., Shulpina, I.L., Safarov, V.I., Guseva, N.B.: Ge-Si Solid Solutions, Experiment MA-150. Apollo-Soyuz Test Project (ASTP), NASA Report TM-X-73 360, MSFC, Section DC (1977).
- Avduevsky, V.S., editor: Manufacturing in Space: Processing Problems and Advances. MIR Publishers, Moscow (1982).
- Chernov, A.A., Maksimovskii, S.N., Vlasenko, L.A., Kholina, E.N., Martovitskii, V.P., Levtov, V.L.: Growth of Germanium Crystals with Low Dislocation Density in a Condition of Weightlessness. Soviet Physics Crystallography, vol. 29, pp. 222−225 (1984).
- Khryapov, V.T., Markov, Ye.V., et al.: Studies into Semiconductor Material Science Made with a Kristall Facility. Prospects and Problems of Space Manufacturing, edited by S.D. Grishin and L.V. Leskov, IIET AN SSSR, Moscow, pp. 24−31 (1983).
- Witt, A.F., Gatos, H.C., Lichtensteiger, M., Lavine, M.C., Herman, C.J.: Crystal Growth and Steady-State Segregation under Zero Gravity: InSb. J. Electrochem. Soc., vol. 122, p. 276 (1975).
- Khashimov, F.R., et al.: Structural and Physical Characteristics of InSb Single Crystals Grown Under Near-Zero Gravity Conditions. Proc. Third European Symposium on Materials Science in Space, Grenoble, European Space Agency, Paris, pp. 9−15 (1979).
- Duffar, Т., Potard, C., Dusserre, P.: Growth Analysis of the InSb Compound by a Calorimetric Method in Microgravity- Results of the SpaceLab-Dl Experiment. J. Crystal Growth, vol. 92, pp. 467 478 (1988).
- Duffar, Т., Paret-Harter, I., Dusserre, P.: Crucible De-Wetting during Bridgman Growth of Semiconductors in Microgravity. J. Crystal Growth, vol. 100, pp. 171−184 (1990).
- Yue, A. S., Yeh, C. W., Yue, В. K.: Halide Eutectic Growth Experiment MA-131. Apollo- Soyuz Test Project Summary Science Report, NASA SP-412, vol 1, pp. 491−500 (1977).
- Kinoshita, K., Yoda, S., Nakamura, Т., Sameshima, H., Ando, H., Anzawa, S., Arai, Y.: Video-Imaging of the Melting and Solidification Processes of the PbBr2-PbC12 System Under Microgravity, J. Crystal Growth, vol. 166, pp. 266−270 (1996).
- Sohachi, I., Segawa, Y.: Growth of PbSnTe Single Crystal by Zone Melting under Microgravity. Jap. J. Crystal Growth, vol. 21, pp. 42−47 (1994) 42−47.
- Zemskov, V.S., Barmin, I.V., Raukhman, M.R., Senchenkov, A.S.: Eksperimenti po virashchivaniyo legirovannogo antimonida indiya v usloviyakh orbitalnogo poleta kosmicheskogo kompleksa 'Salyut-6'-'Soyuz Technological Experiments in Zero Gravity,
- Ural Scientific Center of the USSR Academy of Science, Sverdlovsk, pp. 30−46 (1983).
- Zemskov, V.S., et al.: Solidification of doped indium antimonide alloys in low gravity. Fiz. Khim. Obrab. Mater., vol. 5, pp. 56−65 (1983).
- Regel, L.L., Wilcox, W.R.: Detached Solidificiation. Proc. First Pan-Pacific Basin and 4th Japan-China Workshop on Microgravity Sciences, Waseda (1998).
- Wilcox, W.R., Regel, L.L.: Detached Solidification. Microgravity Science and Technology, vol. 8, pp. 56−61 (1995).
- Popov, D.I., Regel, L.L., Wilcox, W.R.: Detached Solidification: 1. Steady-State Results at Zero Gravity. J. Mat. Synth. & Proc., vol. 5, pp. 283−297 (1997).
- Popov, D.I., Regel, L.L., Wilcox, W.R.: Detached Solidification: 2. Stability. J. Mat. Synth. & Proc., vol. 5, pp. 298−312 (1997).
- Popov, D.I., Regel, L.L., Wilcox, W.R.: Detached Solidification: 3. Influence of Acceleration and Heat Transfer. J. Mat. Synth. & Proc., vol. 5, pp. 313−336 (1997).
- L.A.Slobozhanin, J.I.D.Alexander, V.V.Rakov, J.Cryst. Crowth 207(1999) 127
- I.I. Maronchuk, M.G. Mil’vidskii, V.V. Rakov, L.A. Slobozhanin., New method of crystal growth in microgravity., Proc. of 5rd Int. Conf. on Single cryst. growth, Strength problems & Heat Mass Transfer. Obninsk, Russia, 2003. V.2. P.727−734.
- И.И.Марончук, В. В. Раков, А. С. Сенченков., Бесконтактная направленная кристаллизация., XXXIX научные чтения памяти К. Э. Циолковского., тезисы докладов, Калуга, 14 16 сентября 2004 г. с.198−199.
- L.A.Slobozhanin, A.D. Tyuptsov, Fluid Dyn. 9 (1) 1974 1.
- A.D. Myshkis, V.G. Babskii, N.D. Kopachevskii, L.A.Slobozhanin, A.D. Tyuptsov, Low-gravity fluid mechanics, Springer, Berlin, 1987.
- L.A.Slobozhanin, M. Gomez, J.M.Perales, Microgravity Sci. Technol. VIII/1 (1995) 23.
- L.A.Slobozhanin, J.I.D.Alexander, Phys. Fluids 10 (1998) 2473.
- J.Meseguer, A. Sanz, J. Fluid Mech. 153 (1985) 83.
- J.Meseguer, A. Sanz, D. Rivas, ESA SP-191, Europian Spase Agansy, Paris, 1983, pp.261−265.
- L.A.Slobozhanin, J.M.Perales, Phys. Fluids A5 (1993) 1305.
- J.I.D.Alexander, S. Delafontaine, A. Resnik, W.C.Carter, Microgravity Sci. Technol. DC/3 (1996) 193.
- J.I.D.Alexander, Y. Zhang, S. Delafontaine, A. Fedoseyev, Numerical Methods in Heat/Mass Transfer Problems, Institute for Problems in Mechanics, RAS, Moscow. 1997, ppl09−135.
- Картавых A.B., Копелиович Э. С., Марончук И. И., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. // Патент РФ № 2 143 016. Кл. С 30 В 30/08, 13/14 от 20.12.99 г.
- Картавых А.В., Копелиович Э. С., Марончук И. И., Мильвидский М. Г., Раков В. В. Способ получения кристаллов // Патент РФ № 2 153 030. Кл. С 30 В 30/08, 13/00, 11/00 от 20.07.2000 г.
- I. Harter, P. Dusserre, T. Duffar, J.-Ph. Nabot, N. Eustathopoulos, J. Crystal Growth, 131,1993,p.157.
- V. V. Voronkov, Sov. Phys. Crystallogr. 19(2) (1974), p.137.
- Yu. V. Naidich, N. F. Grigorenko and V. M. Perevertailo, Izv. Akad. Nauk USSR, Ser.Fiz. 44 (1980)236.
- M.Hamidi, Thethis, University P. and M. Curie of Paris (1984).
- И.И. Габ, И. И. Марончук, B.B. Раков. Смачивание расплавом германия кристаллов кремния и кристаллов арсенида галлия расплавом антимонида галлия., Вестник ХГТУ, №.2(20) 2004 с.4−7
- Казакевич З.А., Жемчужина Е. А., Загонкин B.C. «Изв. вузов», серия «Цветная металургия», 1968,5, сгр.23.
- Попель С.И., Поверхностные явления в расплавах., М.: Металургия, 1994.440 с.
- Казакевич З.А., Думенко Л. П., Жемчужина Е. А., Электронная техника, серия материалы, 1977, вып. 1, с. 86.
- D.Chatain, I. Revollet, N. N. Eustathopoulos, J.Chim. Physique 83 (1986) 561
- J.V.Naidich, Progr. Surface Membrane Sci. 14 (1981) 353.
- Верезуб H.A., Мильвидский М. Г., Простомолотов А. И., Второй Российский Симпозиум. Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур. Тезисы докладов. Обнинск. 1997. С. 30.
- И.И. Марончук, С. Р. Сороколет, Н. В. Пилипенко, Микромеханические свойства бездислокационного GaAs (111) легированного Si., Вестник ХГТУ. 1998. № 1(3). с.7−8.
- V.P.Ginkin, V.I.Folomeev, T.M.Lyukhanova, V.V.Rakov, I.I.Maronchuk, A.V.Kartavykh, A.V.Egorov., Method research and developing a method to control directed semiconductor crystallization in space., J.Cryst.Growth. 2002. V.236. No4.P.551−556.
- A.S.Senchenkov, A.V.Egorov, I.V.Barmin, P.Sikinger. Proc. of 1st Int. Symp. on Microgravity Res.&Appl. in Physical Sciences & Biotechnology. Sorrento, Italy. Sept. 10−15, 2000. ESA publ. SP-454.Vol.II. P.1031−1037.
- V.P.Ginkin, V.K.Artemyev, N.V.Gusev, A.I.Zinin, I.L.Ozernyh. Proceedings of the Fourth International Seminar on Simulation of Devices and Technologies (ISSDT'95) Berg-en-Dal, South Africa, 1995, p. 228−232.
- Гольцман Б.М., Кудинов B.A., Смирнов И. А. «Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе В1гТез». М.: Наука, 1972. 320с.
- Harman T. C, Honig J.M. J. Appl. Phys. 'Special techniques for measurement of thermoelectric properties", J. Appl. Phys, 29, pl373, (1959).
- Buist R.J. Proc. XI Int. Conf. on Thermoelectrics. Arlington. (1992).
- Gromov G, Ershova L. «Z-meter: Easy-to-use Application and Theory. Proc. VI European Workshop on Thermoelectrics, Freiburg, Septemper, 2001.
- Abrutin V, Drabkin I, Osvenski V. Corrections Used when Measuring Materials Thermoelectric Properties by Harman Method. Proceedings of 8th European workshop on thermoelectrics, Krakov, 2004.
- Л.Д.Дудкин, Л. И. Петрова, В. М. Соколова., Физико-химическое взаимодействие при контакте Bi2Te2,4Seo, 6 с Fe., Неорганические материалы, 1999, том 35, № 7, с.805−811.