Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках

Диссертация: Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Результаты комплексного изучения реальной кристаллической структуры пленок РЬТе/81 и РЬТе/ЗЮг^ при помощи металлографического анализа, электронно-растровой микроскопии и прецизионных рентгенографических исследований позволили установить, что присутствие переходного буферного слоя 8Юг толщиной 20 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок и снижению средней скалярной плотности… Читать ещё >

Синтез и свойства легированных галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Система свинец — теллур
    • 1. 2. Получение пленок теллурида свинца
    • 1. 3. Структура и физические свойства эпитаксиальных пленок теллурида свинца
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Методика выращивания тонких пленок теллурида свинца
    • 2. 2. Локальный рентгеноспектральный микроанализ
    • 2. 3. Рентгеноструктурный анализ
    • 2. 4. Металлографический анализ тонкой структуры монокристаллов 81, РЬТе и пленок РЬТе
    • 2. 5. Изучение электрофизических свойств тонких пленок РЬТе
  • ГЛАВА 3. МИКРОСТРУКТУРА ТОНКИХ ПЛЕНОК РЬТе/81 И РЬТе^Юг^
    • 3. 1. Влияние условий формирования на кристаллическую структуру пленок РЬТе/81 и РЬТе/ЗЮг/Бь
    • 3. 2. Металлографическое исследование микроструктуры объемных монокристаллических и тонкопленочных образцов РЬТе
    • 3. 3. Рентгенографическое исследование скалярной плотности дислокаций в пленках РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/
  • ГЛАВА 4. ЛЕГИРОВАНИЕ ПЛЕНОК РЬТе/81 И РЬТе/БЮ^ ГАЛЛИЕМ ИЗ ПАРОВОЙ ФАЗЫ НАД ГЕТЕРОГЕННОЙ СМЕСЬЮ ОаТ
  • + и
    • 4. 1. Выбор условий парофазного легирования галлием пленок теллурида свинца на кремниевых подложках
    • 4. 2. Моделирование процесса парофазного легирования галлием тонких пленок РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/
    • 4. 3. Методика и результаты парофазного легирования галлием пленок РЬТе/81 и РЬТе/8Ю2/
  • ГЛАВА 5. СИНТЕЗ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА СВИНЦА, ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ РОСТА
    • 5. 1. Условия раздельной конденсации паров РЬ и Ga из независимых источников при выращивании пленок методом «горячей стенки»
    • 5. 2. Изучение процесса конденсации паров над расплавами системы
  • Pb — Ga при помощи метода «горячей стенки»
    • 5. 3. Синтез пленок РЬТе, легированных Ga непосредственно в процессе роста на Si подложках
    • 5. 4. Влияние содержания примеси галлия на параметр кристаллической решетки пленок Pbi-yGayTe
  • ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЛЕГИРОВАННЫХ ГАЛЛИЕМ ПЛЕНОК РЬТе И ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
  • ВЫВОДЫ

Актуальность. Одной из главных задач неорганической химии на пороге XXI века остается проблема разработки научных основ создания надежных и воспроизводимых методов получения материалов с сенсорными свойствами. Узкозонные полупроводники А1УВУ1 и твердые растворы на их основе уже свыше 40 лет привлекают к себе пристальное внимание ученых-материаловедов всего мира [1]. Эти соединения обладают способностью детектировать ИК-излучение в широком интервале длин волн, что объясняет их практическое применение в различных приборах оптоэлектронной техники [2].

Качественное совершенствование известных сенсорных материалов, в том числе и соединений А1УВУ1, а также конкретных устройств на их основе происходит по нескольким причинам. Во-первых, жесткие требования миниатюризации, предъявляемые современной электронной техникой, приводят к широкомасштабному применению тонкопленочных структур в качестве активных элементов серийно изготовляемых приборов. Во-вторых, существенным образом возросла необходимость создания компактных и высокоэффективных многоцветных ИК-приемников, оптимальная конструкция которых базируется на использовании тонких пленок соединений А! УВУ1 и их твердых растворов [2]. Уникальные свойства тонкопленочных структур этих соединений и возможность их целенаправленного изменения для решения широкого круга прикладных задач открывает путь к созданию принципиально новых квантовых электронных приборов. Как известно [3−4], одним из наиболее интенсивно исследуемых объектов полупроводниковой электроники являются сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами. Весьма существенным достоинством подобного типа структур может служить значительное улучшение параметров уже существующих приборов при использовании на них сверхрешеток [4]. Разработка надежной технологии формирования качественных тонких пленок соединений А1УВУ1 на кремнии, который является базовым материалом современной микроэлектроники, позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК-излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала [56]. Поиск новых сенсорных материалов очень часто может привести к желаемой цели при исследовании тройных и четверных систем на основе хорошо известных 5 полупроводниковых материалов с микросодержанисм других компонентов [7]. Как известно, для. применения в приборах оптоэлектронной техники наиболее перспективными являются легированные полупроводниковые соединения A1VBVI и их твердые растворы [8, 9]. При этом пленки, а также монокристаллы РЬТе и РЬТе — SnTe, легированные металлами III, А группы Периодической системы Д. И. Менделеева, обладают уникальными электрофизическими свойствами, поскольку в них наблюдается стабилизация уровня Ферми Ef внутри запрещенной зоны. В ряду соединений AIVBVI легированный галлием теллурид свинца занимает особое место, поскольку происходящая при легировании стабилизация Ер приводит к понижению концентрации носителей заряда до значений, близких к собственным [9]. Более того, для них характерно повышение температуры эффекта задержанной фотопроводимости до Тс = 80 К [8−10]. При этом природа и механизмы этих явлений еще до конца не изучены. Поэтому изучение процессов получения легированных галлием пленок теллурида свинца и их физико-химических параметров имеет большое значение с точки зрения фундаментальной науки. Накопление и систематизация экспериментальных данных по ИК-чувствительности, электрофизическим и магнитным свойствам этих материалов позволит разработать единую теоретическую модель поведения примесных атомов металлов III, А группы Периодической системы в кристаллах и тонких пленках соединений A1VBVI, а также твердых растворов на их основе.

Цель работы: направленный синтез легированных галлием пленок теллурида свинца с контролируемым содержанием примесных атомов и заданными свойствами на кремниевых подложках, а также определение характера влияния примесных атомов на их кристаллохимическую структуру и электрофизические свойства.

Для достижения цели требовалось выполнение следующих задач:

1. Определение технологических режимов модифицированного метода «горячей стенки», позволяющих выращивать монокристаллические пленки PbTe/Si и PbTe/Si02/Si с высокой степенью структурного совершенства;

2. Разработка научно-обоснованного метода парофазного легирования Ga предварительно синтезированных пленок PbTe/Si и PbTe/SiCVSi;

3. Разработка научно-обоснованного метода синтеза пленок РЬТе на Si подложках, легированных галлием непосредственно в процессе их роста, 6 позволяющего осуществлять строгий контроль содержания примесных атомов в выращиваемой пленке;

4. Исследование кристаллической структуры, электрофизических параметров и чувствительности к ИК-излучению легированных Оа пленок РЬТе/81 и РЬТе/БЮг^.

Методы исследования. Исследования тонких пленок РЬТе/81 и РЬТе/БЮз/В! проводили при помощи комплекса физико-химических методов. Реальную кристаллическую структуру пленок теллурида свинца изучали при помощи методов металлографического анализа, прецизионного рентгенографического анализа и электронно-растровой микроскопии. Изучение количественного химического состава и фазовой структуры пленок осуществляли при помощи методов локального рентгеноспектрального анализа (ЛРСА) и рентгенофазового анализа соответственно.

В работе также были использованы методы исследования температурных зависимостей электрофизических параметров и чувствительности к инфракрасному (ИК) излучению. Для проведения расчетов и моделирования процессов применяли современную вычислительную технику с использованием оригинальных авторских программных продуктов. Оценку достоверности результатов проводили методами математической статистики.

Научная новизна. В данной работе впервые разработан метод легирования галлием пленок РЬТе/81 и РЬТе/810г/81 посредством двухтемпературного отжига в насыщенном паре над гетерогенной смесью ОаТе8 + в системе галлийтеллур.

Впервые на основании исследования процесса испарения расплавов РЬ>1-хОах при температурах выше 900 К установлено, что присутствие свинца стимулирует увеличение парциального давления галлия, содержание которого в паровой фазе может достигать 0,1 мольн. д., несмотря на то, что при данных условиях летучесть чистого жидкого свинца практически в 1000 раз превышает аналогичную характеристику чистого жидкого галлия. На основании проведенных термодинамических расчетов показано, что поведение галлия в расплавах системы РЬ — ва в интервале температур 950 — 1200 К характеризуется положительным отклонением от идеальности. 7.

Результаты изучения процесса испарения расплавов РЬ1-хОах позволили впервые разработать научно-обоснованный метод синтеза легированных Оа пленок теллурида свинца с возможностью строгого и гибкого контроля содержания примесных атомов в выращиваемой пленке.

На основании прецизионных рентгенографических исследований легированных галлием пленок теллурида свинца впервые установлен немонотонный вид зависимости параметра кристаллической решетки от содержания в них примесных атомов, что связано с различным расположением галлия в матрице РЬТе.

Результаты комплексного изучения реальной кристаллической структуры пленок РЬТе/81 и РЬТе/ЗЮг^ при помощи металлографического анализа, электронно-растровой микроскопии и прецизионных рентгенографических исследований позволили установить, что присутствие переходного буферного слоя 8Юг толщиной 20 ± 5 нм приводит к повышению структурного совершенства пленок и снижению средней скалярной плотности дислокаций, однако с увеличением толщины оксидного слоя до 100−300 нм наблюдается рост плотности дислокаций с последующим переходом в поликристаллическое состояние.

Обнаружено амфотерное поведение галлия в решетке РЬТе в зависимости от способа легирования и концентрации примесных атомов.

Практическая значимость. Соединения А1УВУ| и их твердые растворы, в том числе и РЬТе, являются перспективными материалами для ИК-оптоэлектроники, поскольку позволяют детектировать тепловое излучение в очень широком интервале длин волн. Формирование качественных тонких пленок соединений на кремнии позволит создать гибридные интегральные схемы, одновременно включающие в себя элементы регистрации ИК-излучения, а также систему цифровой обработки детектируемого сигнала. Легирование пленок теллурида свинца галлием приводит к стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны. В ряду соединений легированный Са теллурид свинца занимает особое место, поскольку происходящая при легировании стабилизация Ер сопровождается понижением концентрации носителей заряда до значений ~ 1014 см-3 при 77 К. Пленки РЬТе с такими значениями 8 концентрации носителей заряда обладают исключительно высокой чувствительностью к ИК-излучению.

Апробация работы. Материалы диссертационной работы были представлены на Всероссийских и международных конференциях:

— Всероссийская конференция молодых ученых «Современные проблемы теоретической и экспериментальной химии, Саратов, 1997;

— 6th International Conference «Physics and Technology of Thin Films», Ivano-Frankivsk, 1997;

Второй Российский симпозиум «Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур». Обнинск. 22−24 сентября, 1997;

— 5th International Workshop MSU-HTSC V. Moscow. March 24−29, 1998.

— European Materials Research Society E-MRS'98 Spring Meeting. Strasbourg. France, June 16−19, 1998.

— Всероссийская научно-техническая конференция «Новые материалы и технологии НМТ-98» Москва. 17−18 ноября, 1998.

— Third International Conference «Single Cristal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer». Obninsk. 1999.

Публикации. По результатам проведенных исследований опубликовано 9 статей, 4 из которых в центральной российской печати, 1 в международном журнале. Всего имеется 21 публикация.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, списка литературы, включающего 119 наименований источников и приложения. Содержание работы изложено на 160 страницах и включает 54 рисунка и 20 таблиц.

ВЫВОДЫ.

1. Буферный слой БЮг толщиной от 20 до 50 нм в пленках РЬТе/БЮг/Б! приводит к улучшению их кристаллической структуры и понижению средней скалярной плотности дислокаций до величин менее 105 см-2.

2. Двухтемпературный отжиг в насыщенном паре равновесия ОаТе5 + + V системы галлий — теллур обеспечивает процесс легирования галлием пленок РЬТе на кремниевых подложках.

3. Процесс испарении расплавов системы РЬ — ва в температурном интервале 1000 — 1300 К, лежащем выше области расслоения, характеризуется существенным увеличением летучести Оа, которое стимулировано присутствием свинца, при этом в поведении галлия обнаруживается значительное положительное отклонение от идеальности.

4. Впервые разработан научно-обоснованный метод одностадийного синтеза легированных ва пленок теллурида свинца, обладающий способностью строгого и гибкого контроля содержания примесных атомов в выращиваемой пленке.

5. Легирование галлием из паровой фазы над гетерогенной смесью ОаТе5 + Ь1 системы галлий — теллур предварительно синтезированных пленок РЬТе вызывает увеличение параметра решетки с ростом содержания примеси, что указывает на преимущественное расположение атомов галлия в тетраэдрических междоузлиях в виде катионов Оа3+.

6. При синтезе пленок РЬ|-уОауТе, легированных галлием из расплавов системы РЬ-Оа, изменение параметра решетки с ростом содержания примесных атомов имеет немонотонный характер, что указывает на смену механизма встраивания атомов примеси в кристаллическую структуру теллурида свинца. Уменьшение параметра решетки вызвано преимущественным расположением атомов галлия в узлах подрешетки свинца, а увеличение параметразаполнением тетраэдрических междоузлий.

7. В зависимости от механизма вхождения в кристаллическую решетку Са в РЬТе проявляет амфотерные (донорные и акцепторные) свойства. При размещении в узлах подрешетки свинца атомы галлия проявляют преимущественно акцепторные свойства, а в случае размещения в тетраэдрических междоузлиях — донорные.

8. Легированные галлием пленки РЬТе на Si подложках обладают высокой чувствительностью к ИК — излучению: при температурах ниже 77 К сопротивление легированных пленок теллурида свинца под действием ИКизлучения снижается в 40 — 100 раз.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Munoz V., Lasbley A., Klotz S. et al. Synthesis and Growth of PbTe Crystals at Low Temperature and Their Characterization.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 196. P. 71−76.
  2. Ю.В. Многоцветные ИК приемники.// Зарубежная электронная техника. 1983. № 10. С. 40−53.
  3. Н.Н., Войцеховский А. В., Ижнин И. И. и др. Сверхрешетки и структуры с квантовыми ямами на основе соединений A1VBV1.// Зарубежная электронная техника. 1987. № 11. С. 58−93.
  4. Н.Р., Берченко Н. Н., Войцеховский А. В. и др. Сверхрешетки HgTe CdTe — новый материал для оптоэлектронной техники. // Зарубежная электронная техника. 1987. № 11. С. 3−46.
  5. Zogg Н., Fach A., Maissen С. et al. Photovoltaic Lead-Chalcogenide on Silicon Infrared Sensor Arrays. // Optical Engineer. V.33. № 5. 1994. P. 1440 1449.
  6. Zogg H., Maissen C., Maser J. et al. Photovoltaic Infrared Sensor Arrays in Monolithic Lead Chalcogenides on Silicon. // Semicond. Sci. Technol. 1991. № 6. P. 36−41.
  7. Miotrowska S., Dynowska E., Miotrowski I. et al. The Lattice Constant of Ternary and Quaternary Alloys in the PbTe SnTe — MnTe System.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 200. P. 483−489.
  8. Alcimov B.A., Dmitriev A.V., Kholchlov D.R., Ryabova L.I. Carrier Transport and Non-Equilibrium Phenomena in Doped PbTe and Related Materials // Phys. Stat. Sol. 1993. V.137. № 8. P.9−55.
  9. Е.П., Некрасова A.H., Пелехов Д. В. и др. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 23, № 9. С. 1626−1635.
  10. С.А., Мусихин С. Ф., Осипов П. А., Прошин В. И. Энергетический спектр твердых растворов (Sno.esPb 0,35)0,95Geo, o5Te. // Физика твердого тела. 2000. Т. 42. № 4. С. 623−625.-
  11. М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: Справочник. Пер. с англ.- М.: Металлургиздат. 1962. Т.1. 608 е.- Т.2. с.609−1488.
  12. Н.Х., Шелимова Л. Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений A^Bvi. М.: Наука, 1975. — 195 с.152
  13. В.П., Новоселова А. В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл-халькоген. М.: Наука, 1987. 207 с.
  14. Brebriek R.F., Allgaier K.S. Composition Stability Limits of PbTe // J. Chem. Phys. 1960. -V.32,№ 6, -P. 1826 — 1832.
  15. Elliott R.P. Constitution of Binary Alloys. First Supplement. N.Y.: McGraw Hill Book Co., 1965. 362 p.
  16. Ф. Химия несовершенных кристаллов. M.: Мир, 1969. 654 с.
  17. А.А., Радионов В. Н. Коэффициент Холла и зонная структура теллурида свинца // Физика и техника полупроводников. 1967. Т.1. № 2. С. 183 189.
  18. С.В., Виноградов М. Н., Дубровская И. Н. и др. Структура валентной зоны сильно легированного теллурида свинца. // Физика твердого тела. 1966. Т. 8, № 5. С. 1337−1340.
  19. Tauber R.N., Macnovis А.А., Cadoff J.В. Thermal and Optical Energy Gaps in PbTe. // Journ. Appl. Phys. 1964. V.37, № 12. P.4855−4860.
  20. Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968. с.
  21. NimtzG., Schlicht В. Narrow-gap Semiconductors. Berlin. 1985.243 р.
  22. Н.П., Горлей П. Н., Шендеровский В. А. Узкозонные полупроводники: Получение и физические свойства. Киев: Наукова думка. 1984 .
  23. Д.М. К вопросу о доминирующих механизмах рассеяния носителей заряда в теллуриде свинца.// Физика и техн. полупроводников. 1997. Т.31, № 2. С.217−221.
  24. Фотопроводимость Pbi-xSnxTe (In) в миллиметровой области спектра./ Ю. А. Абрамян, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28, № 3. С. 533−534.
  25. Kasemset D., Rotter S., Fonstad C.G. Liquid Phase Epitaxy of PbTeSe Lattice-Matched to PbSnTe.// Journ. of Electronic Materials. 1981. V. 10, № 5. P. 863−878.
  26. McDonald J.A. Nights of the Future: II-VI Primer. Part 2: Tapping the True Potential of First and Second Generation Il-Vi Products.// Ill Vs Revue. 1992. V. 5, № 2. P. 28−33.
  27. Zogg H., Fach A., John J. et al. Photovoltaic Pbi-xSnxSe-on-Si IR Sensor Arrays for Thermal Imaging. // Extended Abstracts of the 1994 International Conference on153
  28. Solid Stales Devices and Materials. August 23 26, 1994, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan. P. 963 — 964.
  29. И.Б., Зубкова Т. И., Немов С. А. и др. Фоточувствительные поликристаллические пленки компенсированного теллурида свинца РЬТе:С1,Теех. // Физика и техника полупроводников. 1994. Т. 28, № 10. С. 1802−1807.
  30. Astles M.G., Iiatto P., Crocker A.J. Liquidus Measurements in the Pb Sn -Те System.// Journ. Cryst. Growth. 1979. V. 47. P.379−383.
  31. Belenchuk A., Shapoval O., Kantser V. et al. Growth of (11 l)-oriented PbTe Thin Films on Vicinal Si (111) and on Si (100) Using Fluoride Buffers. // Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 198/199. P. 1216−1221.
  32. B.M., Маскаева JI.M., Лошкарева Л. Д. Получение твердых растворов замещения в системе свинец олово — селен. // Неорганические материалы. 1997. Т. 33. № 6. С. 665 — 668.
  33. Salomeni Н., Kanniainen Т., Ritala М. et al. Electrodeposition of PbTe Thin Films. // Thin Solid Films. 1998. V. 326. P.78−82.
  34. Д.М., Галущак M.A., Межилевская И. И. Физика и технология полупроводниковых пленок. Львов: Вища школа, 1988. 155 с.
  35. Scholar R.B., Zemel J.M. Preparation of Single-crystal Films of PbS // Journ. Appl. Phys. 1984. V.35, № 6. P.1848−1851.
  36. Jensen J.D., Scholar R.B. Surface Charge Transport in PbSz (Se)x and Pbi-xSnxSe Epitaxial Films.//J. Vac. Sci. Technol. 1976. V.13, № 4. P. 920−925.
  37. Д.М., Рувинский M.A. Синтез пленок AIVBVI из навесок механической смеси компонентов под «тепловым затвором». // Журнал техн. физики. 1983. Т.53. С.1378 1379.
  38. К.В., Шотов А. П., Урсаки В. В. Тонкие слои выращенные методом «горячей стенки». // Изв. AFI СССР. Неорганические материалы. 1981. Т. 17, № 1. С. 24−27.
  39. Kasai I., Hermung J. Pbi-xSnxTe Epitaxial Layers Prepared by the Hot-Wall Technique. // Journ. Electron. Mater. 1975. V. 4, № 2. P. 299−311.
  40. Ishida A., Aoki M., Fujiyasu H. Sn diffusion Effects on X-ray Difraction Patterns of PbixSnxTe- PbSeyTei-y Superlattices //Journ. Appl. Phys. 1985. V.58, № 2. P.797−801.
  41. Clemens H. Crowth of PbTe Doping Superlattices by Hot Wall Epitaxy. // Journ. Cryst. Growth. 1988. V.88. P.236−240.154
  42. Clemens H., Farther E., Bauer G. Hot-Wall Epitaxy System for the Growth of Multilayer IV-VI Compound Heterostructures. // Rev. Sci. Instrum. 1983. V 54, № 6. P.685−689.
  43. Ishida A., Aoki M., Fujiyasu H. Semimetallic Hall Properties of PbTe-SnTe Superlattice. //Journ. Appl. Phys. 1985. V. 58, N5. P. 1901−1903.
  44. Д.М., Раренко И. М., Солонинный Я. В. и др. Эпитаксия пленок Pbo.sSno.zTe / // Физ. электроника. 1979. Вып. 18. С. 82- 86.
  45. Lopez-Otero A. The Use of a Phase Diagram as a Guide for Crowth of PbTe Films //Journ. Appl. Phys. Lett. 1975. V.55. P. 2032−2036.
  46. Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю. В. и др. Получение тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. // Неорганические материалы. 1994. Т.30. № 7. С. 898−902.
  47. Zogg H., Fach A., John J. et al. Epitaxy of IV-VI Materials on Si with Fluoride Buffers and Fabrication of IR-sensors Arrays // Extended Thesis of 7-th International Conference on Narrow Gap Semiconductors. Santa Fe, USA. Jan. 8 12. 1995. P. 134 -140.
  48. Thermal Mismatch — Strain Relaxation in Epitaxial СаРг, BaF2/CaF2, and PbSe/BaF2/CaF2 Layers on Si (111) after Many Temperature Cycles.// Phys. Review B. 1994. V. 50, № 15. P. 10 801 — 10 810.
  49. В.Jl., Кондратьев А. В., Потапенко А. А. Эффективность геттерирования при массопередаче в вакууме. // Инж. физ. журнал. 1984. Т.46, N6. С. 949 — 952.
  50. Рид С. Электронно-зондовый микроанализ. М.: Мир, 1979. — 432 с.
  51. Микроанализ и растровая электронная микроскопия / Под ред. Ф. Морис, Л. Мени, Р. Тиксье.// М.: Металлургия. 1985. 407 с.
  52. С.С., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: Металлургия, 1970. 368 с.
  53. ASTM Difraction Data Cards File. Ref. Swanson & Fuyat. N.B.S. Circular. 539. 1953−1979. V.2, P.25.
  54. Я.С., Скаков Ю. А., Иванов А. Н. и др. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. М.: Металлургия, 1982. 432 с.155
  55. С.С., Расторгуев Л. Ы., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. М.: МИСИС, 1994. 328 с.
  56. Ю.П. Выявление тонкой структуры кристаллов. М.: Металлургия. 1974. 528 с.
  57. Современная кристаллография./ Под ред. Б. К. Вайнштейна. Т. 2. Структура кристаллов. М.: Наука. 1979. 360 с.
  58. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа. 1984. 375 с.
  59. О.Г. Рост и морфология кристаллов. М.: Изд-во МГУ. 1980. 357 с.
  60. Г. И. Физические основы микроэлектроники. М.: Советское радио. 1971. 375 с.
  61. В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975.296 с.
  62. Е.В. Методы исследования эффекта Холла. М.: Советское радио. 1974. 328 сО.
  63. Ю.И., Ефимова Б. Л., Смирнов И. А. Методы исследования пролупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: Наука. 1968. С. 41.
  64. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Dolgopolova E.A., Sharov M.K. Crystal Microstructure of PbTe Thin Films on Si Substrates. // VI International Conference «Physics and Technology of Thin Films». Ivano-Franlcivsk, 1997. Book of Abstracts. Part I. P. 36.
  65. О.П., Петьков В. В., Ульшин С. В. и др. Методические особенности рентгеновского определения параметров дислокационной структуры монокристаллов. // Заводская лаборатория. 1995. № 3. С. 18−20.
  66. М.А. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука. 1967. 325 с.
  67. Ugai Y.A., A.M. Samoylov, A.V. Tadeev, M. K. Sharov. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films.// European Materials Research Society (E-MRS'98). Strasbourg. France. June 16−19. 1998. D-V/P20. D-23.
  68. Я.А., Самойлов A.M., Шаров M.K., Сыноров Ю. В. Кристаллическая микроструктура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках. //157
  69. Труды 2-го Российского Симпозиума «Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур». Обнинск. 22−24 сентября 1997. С. 385−394.
  70. Я.А., Самойлов A.M., Агапов Б. А., Долгополова Э. А., Шаров М. К. Структура тонких пленок теллурида свинца на кремниевых подложках.// Неорганические материалы. 1998. Т.34. № 9. С. 1048−1054.
  71. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Sharov M.K., Tadeev A.V. Crystal Microstructure of PbTe/Si and PbTe/Si02/Si Thin Films. // Thin Solid Films. 1998. V.336. P. 196−200.
  72. Я.А., Самойлов A.M., Сыноров Ю. В., Яценко О. Б. Электрофизические свойства тонких пленок PbTe, выращенных на Si подложках. // Неорганические материалы. 2000. Т. 36, № 5. с. 550 555.
  73. Аш Ж., Андре П., Бофрон Ж. И др. Датчики измерительных систем.: В 2-х книгах. М.: Мир. 1992. Т. 1. 480 с.
  74. А.С., Дедегкаев Т. Т., Иванов Д. И. Исследование диффузии индия в кристаллах Pbi-xSnxTe методом рентгеноспектралыюго микроанализа //ФТТ. 1983. Т.25. № 5. С. 1515- 1516.
  75. Е.А., Яценко О. Б., Зломанов В. П. Влияние In, Ga и Al на электрофизические свойства твердых растворов Pbi-xSnxTe// Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1978. Т. 14, № 3. С. 843−848.
  76. Свойства неорганических соединений. Справочник / Ефимов А. И., Бсло-рукова Л.П., Василькова И. В. и др. // Л.: Химия. 1983. 392 с.
  77. Физические величины. Справочник. / Под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. М.: Энергатомиздат. 1991. 1232 с.
  78. Ugai Ya., Samoylov A., Synorov Yu. et al. Electrical Properties and Infrared Sensitivity of Doped with Ga Lead Telluride Thin Films on Si Substrates. // MSU -HTSC IV International Workshop. Moscow. Russia. October 7 12, 1995. Book of Abstracts. P.81.
  79. Ugai Ya.A., Samoylov A.M., Synorov Yu.A., Yatsenko O.B., Akimov B.A. Infrared Sensitivity of Doped with Ga PbTe Thin Films on Si Substrates. // VI International Conference «Physics and Technology of Thin Films». Ivano-Frankivsk, 1997. Part I. P. 146.
  80. Ugai Y.A., Samoylov A.M., Tadeev A.V., Synorov Y.V., et al. Doped with Ga PbTe Thin Films on Si Substrates. // International Conference on Advanced Materials158
  81. ICAM'97) European Materials Research Society (E-MRS'97). Spring Meeting. Strasbourg (France), June 16−20, 1997. Book of Abstracts. B-V/P5. B-24.
  82. У гай Я.А., Самойлов A.M., Шаров M.K. и др. Электрофизические свойства легированных галлием тонких пленок теллурида свинца.// Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. Т. 1. № 2. С. 132−138.
  83. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа. 1973. 655 с.
  84. Н.А., Самохвалов М. М. Диффузия и окисление полупроводников. М.: Металлургия. 1975. 456 с.
  85. Fedorov A.G., Shneiderman I.A., Sipatov A.Yu., et al. X-ray Diffraction Investigation of Diffusion in PbTe-PbSe Superlattices.// Journ. Cryst. Growth. 1999. V. 198/199. P. 1211−1215.
  86. А.Ю., Турчен Д. Н., Гончаров Е. Г., Шаров M.K. Состав паровой фазы и равновесие в системе Ga-Se-I. // Журнал неорганической химии. 1998. Т. 43. № 8. С. 1376−1380.-
  87. X. Справочник по физике. М.: Мир, 1982. 519 с.
  88. A.M. Фазовые равновесия в системах сурьма мышьяк и фосфор — мышьяк. Дисс. канд. хим. наук. Воронеж. 1985. 177 с.
  89. Я.А., Самойлов A.M., Семенова Г. В. и др. Термодинамический анализ взаимодействия компонентов в системе сурьма мышьяк. // Журнал физич. химии. 1986. Т. 60. № 1. С. 25 — 28.
  90. Я.А., Семенова Г. В., Самойлов A.M. и др. Состав насыщенного пара в системе фосфор мышьяк. // Журнал неорганической химии. 1986. Т. 31. № 10. С. 2631−2633.
  91. Я.А., Гончаров Е. Г., Семенова Г. В., Лазарев В. Б. Фазовые равновесия между фосфором, мышьяком, сурьмой и висмутом. М.: Наука. 1989. 239 с.
  92. В.М., Ким С.Г. Акустические исследования расслаивания и закрити-ческих явлений в электронных расплавах. // Доклады АН СССР. Сер. Физическая химия. 1986. Т. 290. № 4. С. 873−876.
  93. В.И., Сухман А. Л., Кузнецов А. Н. и др. Влияние расслоения на термодинамические и кинетические свойства сплавов.// Журнал физической химии. 1975. Т. 49. № 10. С. 2570−2573. С. 897−904.
  94. Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука. 1971. 400 с.
  95. И.А., Мойжес Б. Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. // Физика и техника полупроводников. 1981. Т. 15. № 4. С. 625−648.
  96. .А., Ручайский О. М. Внутрицентровые кулоновские корреляции, зарядовые состояния и спектр примесей III группы в узкощелевых полупроводниках А4В6. // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62.
  97. .А., Зломанов В. П., Рябова JI.A. и др. Перспективные материалы ПК оптоэлектроники на основе соединений А4В6. // Высокочистые вещества. 1991. № 6. С. 22 — 34.
  98. В.И., Равич Ю. И. Глубокие резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBV1. Успехи физических наук. 1985. Т. 145. № 1. С. 51 -56.
  99. A.A., Кайданов В. И., Мельник Р. Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. // Физика и техника полупроводников. 1971. Т. 6. № 1.С. 91−95.
  100. М.А. Отклонение от стехиометрии и механизм самолегирования полупроводников группы AIVBVI. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1987. Т. 1. С. 42−45.
  101. Polity А., Krause-Rehberg R., Zlomanov V., Stanov V. et al. Study of Vacancy Defects in PbSe and Pbi-X SnxSe by Positron Annihilation. // Journ. Crystal Growth. 1993. V. 131. P. 271 -274.
  102. .А., Албул A.B., Ильин В. Ю., Некрасов М. Ю. и др. Спектры фотопроводимости и проблема примесных состояний в PbTe(Ga). // Физика и техника полупроводников. 1995. Т. 29. № 11. 2015−2023.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!