Особенности электропереноса в полупроводниковых материалах на основе сульфидов самария
Диссертация
Рис. 5.1. Деформации в полупроводнике с кубической симметрией решетки при надавливании на его поверхность стальным сферическим индентором с К=3б мкм в кристаллографическом направлении с силой Е=0.4 N. а — распределение компонент тензора деформации в плоскости, параллельной поверхности образца, лежащей на глубине 2=0. 4а. 1,2 — ехх,?уу- 3,4 -1, 3 — 51- 2,4″ ЗшЭ. б — изменение объема деформируемой… Читать ещё >
Список литературы
- И.А.Смирнов. Редкоземельные полупроводники — перспективы развития и применения. — Журнал ВХО им. Д. И. Менделеева, 1981, т. 26, в. 6, с. 602−611.
- А.В.Голубков, Е. В. Гончарова, В. П. Жузе, Г. М. Логинов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов РЗЭ. -Л.: Наука, 1973 304 с.
- И.А.Смирнов, В. С. Оскотский. Фазовый переход полупроводник-металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария). УФН, 1978, т. 124, в. 2, с. 241−279.4. 3. Метфессель, Д.Маттис. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972 — 405 с.
- В.А.Капустин. «Аномальные» явления переноса в халькогенидах европия. В кн.: Редкоземельные полупроводники, JI.: Наука, 1977, с. 32−104.
- A.Jayaraman, P.D.Dernier, L.D.Longinotti. Valence electron transition in rare-earth monochalcogenides induced by pressure, alloing and temperature. High Temp. — High Press., 1975, v. 7, N 1, p. 1−28.
- Д.И.Хомский. Проблема промежуточной валентности. УФН, 1979, т. 129, в. 3, с. 443−485.
- А.И.Грачев, А. А. Кухарский, В. В. Каминский, C.B.Погарев, И. А. Смирнов, С. Г. Шульман. Оптическая запись амплитудно-фазовых голограмм на пленках моносульфида самария. Письма в ЖЭТФ, 1976,.т. 2, в. 14, с. 628−630.
- В.В.Каминский, А. И. Шелых, Т. Т. Дедегкаев, Т. Б. Жукова,
- С.Г.Шульман, И. А. Смирнов. Фазовый переход металл-полупроводник в SiriS под действием лазерного облучения.. ФТТ, 1975, т. 17, в. 5, с. 1546−1548.
- В.В.Каминский, В. А. Капустин, А. В. Голубков. Проводимость моносульфида самария (SmS) и сплавов на его основе при одноосном сжатии. В сб.: II всесоюзная конференция по физикеи химии редкоземельных полупроводников. Тезисы докладов. • Л., 1979. с. 31.
- M.P.Petrov, A.I.Grachev, A.A.Kuharskii, I.A.Smirnov, S.G.Shulman. Holografic storage in SmS thin films. Opt. Comm., 1977, v. 22, N 3, p. 293−296.
- В.В.Каминский, И. А. Смирнов, А. В. Голубкив, В. М. Сергеева. Полупроводниковый тензочувствительный материал. А.с. N 909 913, 13.05.1980.
- В.В.Каминский, А. В. Голубков. Пьезосопротивление полупроводникового сульфида самария. ФТТ, 197 9, т. 21, в. 9, с. 2805−2807.
- В.В.Каминский. Редкоземельные соединения в датчиках (физических величин. Автореферат докторский диссертации, Киев, 1992.
- Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earth. -1978−1998, v.v. 1−25, Ed. К.A.Gschneidner Jr., Le Roy Ey-ring, North -Holland Publishing Company, Amsterdam, New York, Oxford.
- О.В.Фарберович. Зонная структура и фазовый переход полупроводник-металл в соединении SmS. ФТТ, 1979, т. 21, в. 11, с. 3434−3440.
- О.В.Фарберович. Изучение зонной структуры монохалькогенидов самария под давлением. ФТТ, 1980, т. 22, в. 3, с. 6 69 679.
- К.Takegahara, Y. Kaneta, T.Kasuya. Electronic band structure of Th3Ni3Sb4 and Th3X4 (X=P, As, Sb). J. Phys. Soc. Jap, 1990, v. 59, N 12, p. 4394−4404.
- Е.В.Шадричев, JI.С.Парфеньева, В. И. Тамарченко, О. С. Грязнов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Явления переноса и зона проводимости полупроводниковой фазы SmS. — ФТТ, 1976, т. 18, в. 8, с. 2380−2386.
- В.В.Каминский, В. А. Капустин, И .'А. Смирнов. Деформационный потенциал зоны проводимости полупроводникового SmS и переход полупроводник- металл в нем. ФТТ, 1980, т. 22, в. 12, с. 3568−3572.
- Е.V.Goncharova, V.V.Kaminskii, V.A.Kapustin, I.A.Smirnov. Defects, and isomorfic semiconductor-metal phase transition in samarium monosulfide. Phys. Stat. Sol.(b), 1981, v. 103, N 1, p. K9-K11.
- Е.В.Гончарова, В. С. Оскотский, Т. Л. Бжалава, М. В. Романова,
- И.А.СмирновЭлектрические свойства металлической модификации SmS. ФТТ,^ 1976, т. 18, в. 7, с. 2065−2070.
- B.Batlogg, E. Kaldi's, A. Schlegel, G. von Schulthess, • P.Wachter. Optical and electrical properties of the mixed valence compound Sm3S4. Solid State Commun. 1976, v. 19, N 7, p. 673−676.
- Г. Б.Бокий. Введение в кристаллохимию. Издательство Московского университета, 1954 — 490 с.
- А.В.Голубков, В. М. Сергеева. О существовании областей гомогенности монохалькогенидов редкоземельных элементов. -Журн. ВХО им. Д. И. Менделеева, т. 26, N 6, 1981, с. 645−653.
- С.И.Гребинский, В. В. Каминский, А. В. Рябов, Н. Н. Степанов. Критическое давление фазового перехода полупроводник-металл в SmS. ФТТ, 1982, т. 24, в. 6, с. 1874−1876.
- В.С.Оскотский, И. А. Смирнов. Фазовый переход полупроводник-металл в моносульфиде самария. В кн.: Редкоземельные полупроводники, Л.: Наука, 1977, с. 105−145.
- A.Chatterjее, A. Jayaraman, S. Ramaseshan, A. Singh, Pressure-induced electronic and structural transformation in some rare earth. Acta Cryst., A, 1972, v. 28, N S4, p. S243.
- Т.И.Волконская, С. А. Кижаев, И. А. Смирнов. Магнитная восприимчивость Sm3S4. ФТТ, 197 9, т. 21, в. 4, с. 1250−1252.
- V.V.Sokolov, V.V.Kaminski, L.N.Trushnikova, E.M.Uskov, G.G.Gadjiev. Influence of vacancies on the structural and electrical properties of SmixGdxSy. The Second Gernian -Russian Seminar on «Physics of novel materials», 1995,
- St.Petersburg, Russia, p. 22.
- E.Kaldis. Phase relationships and valence changes in Sm3S4. J. of Less Common Metals, 1980, v. 76, p. 163−168. •
- E.Kaldis, B. Fritzler, H.Spychiger. Mixed valence and its control in rare earth cqmpounds. Studies in Inorganic Chemistry, 1983, v. 3, p. 39−113.
- B.Batlogg, E. Kaldis, A. Schlegel, P.Wachter. Electronic structure of Sm monochalcogenides. Phys. Rev. B, 1976, v. 14, N 12, p. 5503−5514.
- В.В.Каминский, А. А. Виноградов, В. А. Капустин, И. А. Смирнов. Определение типа и деформационного потенциала зоны проводимости в моносульфиде самария. ФТТ, 1978, т. 20, в. 9, с. 2721−2725.
- E.Kaldis, P.Wachter. The semiconductor-metal transition of the samarium monochalcogenides. Sol. State Commun., 1972, v. 11, N 7, p. 907−912.
- И.А.Смирнов, JI.С.Парфеньева, В. Я. Хуснутдинова, В. М. Сергеева. Теплопроводность Sm3S, j. ФТТ, 1972, т. 14, в. 9, с. 2783−2785.
- I.A.Smirnov, R. Suryanarayanan, S.G.Shulman. Optical Absorption of Metallic SmS Films near the Interband Transitions. phs. stat. sol (b), 1976, v. 73, N 2, p. K137-K140.
- Л.H.Глурджидзе, А. В. Гигинеишвили, Т. Л. Бжалова, З. У-.Джабуа, Т. А. Пагава, В. В. Санадзе, В. С. Оскотской. Оптические свойства моносульфида самария при температуре 300 К. ФТТ, 1978, т. 20, в. 9, с. 2726−2731.
- В.П.Жузе, А. В. Голубков, Е. В. Гончарова, Т. И. Комарова, В. М. Сергеева. Электрические свойства SmS. ФТТ, 1964, т. 6, в. 1, с. 268−271.
- А.В.Голубков, Е. В. Гончарова, ВЛ1. Жузе, И. Г. Манойлова. О механизме явлений переноса в сульфиде самария. ФТТ, 1965, т. 7, в. 8, с. 2430−2436.
- А.И.Ансель'м Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978 — 615 с.
- Дж.Блэкмор. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964 — 392 с.
- Аскеров Б.М., Кинетические эффекты в полупроводниках. -Л.: Наука, 1970 303 с.
- В.Е.Адамян, А. В. Голубков, Г. М. Логинов. Магнитная восприимчивость моносульфида самария. ФТТ, 1965, т. 7, в. 1, с. 301.304.
- А.В.Голубков, Е. В. Гончарова, В. А. Капустин, М. В. Романова, И. А. Смирнов. Уточнение модели. электропереноса в полупроводниковой фазе SmS. ФТТ, 1980, т. 22, в. 12, с. 3561−3567.
- Т.Л.Бжалава, М. Л. Шубников, С. Г. Шульман, А. В. Голубков, И. А. Смирнов. Эффект Холла в SmS в области фазового перехода полупроводник-металл. ФТТ, 197 6, т. 18, в. 10, с. .31 483 149.
- В.В.Каминский, А. В. Рябов, Н. Н. Степанов. Влияние упругих дё-формаций на концентрацию носителей тока в моносульфиде самария. ФТТ, 1981, т. 23, в. 6, с. 1805−1806.
- A.Tamaki, Т. Goto, M. Sugita, S. Kunii, T. Suzuki, T. Fujimura, T.Kasuya. Transport properties in valence fluctuation compound Sm3Se4. J. Magn. Magn. Mater, 1983, v. 31−34,p.383−384.
- A.Tamaki, T. Goto, S. Kunii, T. Suzuki, T. Fujimura, T.Kasuya. Valence fluctuation of Sm3Se4. J.Phys. C: Solid State Phys., .1985, v. 18, N. 31, p. 5849−5862.
- И.А.Смирнов, В. В. Попов, А. В. Голубков, А. В. Гольцев, Б. М. Буттаев. Электрические свойства и фазовые переходы в системах TmixSmxS и Tm!-xLaxS. ФТП, 1995, т. 29, N 5/6, с. 857−883.
- Н.Мотт, Э.Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982 — 368 с.
- Б.И.Шкловский, А. Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979 — 416 с.
- H.Bottger, V.V.Bryksin. Hopping conduction in solids. -Berlin: Akademi Verlag, 1985 398 p.
- H.Bottger, V.V.Bryksin. Hopping conductivity in ordered and disordered solids. Phys. Stat. Sol. -(b) 1976, v. 78, N 1, p. 9−56- N. 2, p. 415−451.
- B:.В.Брыксин, П.Кляйнерт. Частотная зависимость перескоковой проводимости двумерных неупорядоченных систем ФТТ 1995, т. 37, № 6, с. 1637−1642.
- F.L.Carter. Vacancy and charge ordering in the Th3P4 related structures. -J. Solid State Chern., 1972, v. 5, N2, p.300−313.
- I.Bransky, — N.M.Tallan, A.Z.Hed. Study of electron hopping in Eu3S4 by combined electrical conductivity and thermal EMF measurements. J. Appl. Phys., 1970, v. 41, N4, p, 17 871 790.
- R.Pott, G. Gunderodt, W. Wichelhaus, M. Ohl, H.Bach. Thermal-properties .of Eu3S4: Order-disorder transition. Phys. Rev. B, 1983, v. 27, N 1, p. 359−363. ¦
- H.H.Davis, I. Bransky, N.M.Tallan. Electrical conductivity in Eu3S4. J. Less Comm. Metal, 1970, v. 22, N. 2, p. 193 199.
- O.Massenet, J.M.D.Coey, F.Holtzberg. Phase transition and magnetizm in Eu3S4. J. de Physique, 1976, v. 37, N. 10, p. C4−297-C4−299.
- Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц. Статистическая физика. М.: Наука, 1964 — 567 с.
- В.В.Каминский, А. А. Виноградов, Н. М. Володин, М. В. Ромадова, Г. А. Сосова. Особенности электропереноса в поликристаллических пленках SmS. ФТТ 1989, т. 31, в. 9, с. 153−157.
- А.А.Виноградов, Н. М. Володин, В. В. Каминский, М. В. Романова, В. М. Сергеева. Электрические свойства тонких пленок моносульфида самария. В сб.: Физика и химия редкоземельных полупроводников, Новосибирск, Наука, СО, 1990, с. 120−122.
- С.В.Погарев, И. Н. Куликова, Е. В. Гончарова, М. В. Романова, Л. Д. Финкилыитейн, Н. Н. Ефремова, Т. Б. Жукова, К. Г. Гарцман,
- И.А.Смирнов. Исследование тонких пленок SmS с разными параметрами решетки. ФТТ, 1981, т. 23, в. 2, с. 434−439.
- В.В.Каминский, Н. М. Володин, Т. Б. Жукова, М. В. Романова, Г. А. Сосова. Электрические свойства и особенности структуры поликристаллических пленок моносульфида самария. ФТТ 1991, т. 33, в. 1, с. 187−191.
- А.В.Рябов, Б. И. Смирнов, С. Г. Шульман, Т. Б. Жукова, И. А. Смирнов. О механизме стабилизации металлической фазы на поверхности кристалла SmS. ФТТ, 1977, т. 19, в. 9, с. 1699−1702.
- С.И.Гребинский, В. В. Каминский, И. А. Смирнов, С. Г. Шульман. Тензорезистивный эффект в тонких пленках монохалькогенидов самария. Деп. ЦНИИ «Электроника», М., 1983, N 92 01/84, 25 с.
- Н.М.Володин, В. В. Каминский, Способ подгонки сопротивлений тензорезисторного моста. A.c. N 1 225 325, 07.03.1984.
- Н.М.Володин, В. В. Каминский, Способ подгонки номинального сопротивления полупроводникового резистора. A.c. N 1 311 357, 25.04.1985.
- Б.И.Смирнов, А. В. Голубков, И. А. Смирнов. ~ Механические свойства моносульфида самария. ФТТ, 197 6, т. 18, в. 7, с. 2097−2099.
- А.Л.Полякова. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979 — 168 с.
- В.В.Каминский, И. А. Смирнов, Редкоземельные полупроводники в датчиках механических величин. Приб. и сист. управления., 1985, N 8, с. 22−24.
- А.С.Бакай. О радиационной стойкости мелкодисперсных и аморфных материалов. Письма в ЖТФ, 1983, т. 9, в. 24, с. 1477−1479.
- В.Т.Маслюк. Радиационная прочность полупроводниковых материалов. Изв. АН СССР, Сер. Неорг. Матер., 1992, т. 28, № 12, с. 2388−2398.
- В.И.Евдокимов, А. Л. Очеретянский, Е. Б. Котляревская, Н. Б. Резникова. Радиационно стойкий тензопреобразователь
- Тетран". Приборы и системы управления, 1990, М" 1−2, с. 13−15.
- С.М.Бреховских, Ю. Н. Викторова, Л. М. Ланда. Радиационные эффекты в стеклах. М.: Энергоиздат, 1982 — 182 с.
- С.М.Бреховских, В. А. Тюлькин. Радиационные центры в неорганических стеклах. М.: Энегоатомиздат, 1988 — 198 с.
- В.В.Каминский, Н. Н. Степанов, Л. Н. Васильев, Ю. Н. Харченко, И. А. Смирнов, Влияние давления на подвижность носителей тока в SmS. ФТТ., 1985^ т. 27, в. 1, с. 77−82.
- В.В.Каминский, Н. Н. Степанов, Л. Н. Васильев, В. С. Оскотский, И. А. Смирнов, Пьезосопротивление SmS при криогенных температурах. ФТТ, 1985, т. 27, в. 7, с. 2162−2165.
- В.В.Каминский, Л. Н. Васильев, Е. Д. Горнушкина, С. М. Соловьев, Г. А. Сосова, Н. М. Володин. Влияние гамма облучения на- электрические параметры тонких пленок SmS. ФТП, 19 95, т. 29, в. 2, с. 306−308.
- V.V.Kaminski, L.N.Vasil"ev. Hopping conduction in samarium sulphides. The Second German — Russian Seminar on 'Physics of novel materials, St. Petersburg, Russia, 1995, p. 24.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский, Ю. М. Курапов, М. В. Романова,
- Н.В.Шаренкова. Электропроводность тонких пленок SmS. ФТТ, 1996, т. 38, в. 3, с. 779−785.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский, М. В. Романова. Особенности электропереноса в Sm3S4. ФТТ, 1996, т. 38, в. 7, с. 20 342 037.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский, Ш. Лани. Деформационный механизм возникновения фазового перехода при полировке образцов SmS. ФТТ, 1997, т. 39, N 3, с. 577−579.
- А.В.Голубков, Т. Б. Жукова, В. М. Сергеева. Синтез халькогени-дов редкоземельных элементов. Известия АН СССР, Неорганические материалы, 1966, т. 2, в. 1, с. 77−81.
- А.В.Голубков, В. М. Сергеева. Получение халькогенидов редкоземельных элементов и выращивание монокристаллов. В сб.: Физика и химия редкоземельных полупроводников (Химия и технология), Свердловск УНЦ АН СССР, 1977, с. 28−35.
- В.В.Каминский, Ю. М. Сосов, Способ получения тензочувстви-тельного материала на основе SmS. A.c. N 1 554 433, 05.04.1988.
- Г. Б.Вокий. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971 — 400 с.
- В.В.Слуцкая. Тонкие пленки в технике сверхвысоких частот. -M.-JI.: Госэнергоиздат, 1962 399 с.
- А. Гинь е. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. -М.: ГИФМЛ, 1961 604 с.
- И.И.Фарбштейн, С. А. Зайцев, В. Г. Кригель, Д. В. Машовец, В. И. Погодин. Установка со стабилизированной динамической нагрузкой для исследования пьезогальваномагнитных эффектов в полупроводниках при низких температурах. ПТЭ, 1976, в. 3, с. 230−232.
- Е.Ю.Тонков. Фазовые диаграммы элементов при высоком давлении. М.: Наука, 1979 — 192 с.
- М.Л.Шубников. Малогабаритная автономная камера высокого давления. ПТЭ, 1981, № 5, с. 178−180.
- Ш. Лани, В. В. Каминский, А. В. Голубков. Фазовый переход полупроводник-металл в МДП структуре на основе SmS. ЖТФ, 1988, т. 58, в. б, с. 1201−1203.
- А.Б.Сурженко, А. Н. Поляков. Цифровой синтезатор синусоидальных колебаний и опорных сигналов кратных частот. ПТЭ, 1996, № 4, с. 59−63.
- А.А.Виноградов, С. И. Гребинский, В. В. Каминский, Н. Н. Степанов, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Исследование электропроводности и эффекта Холла в монохалькогенидах самария при одноосном сжатии. ФТТ, 1984, т. 26, в. 2, с. 402−408.
- Л.Н.Васильев, В. С. Оскотский. Расчет относительной интенсивности полос оптического поглощения SmS. ФТТ, 197 6, т. 18, в. 3, с. 904−906.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский. Концентрационная модель пьезо-сопротивления SmS. V Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников. Саратов 1990, Тезисы докладов. Часть 1, с. 47.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский. Концентрационный механизм пье-зосопротивления SmS. ФТТ, 1994, т. 36, в. 4, с. 1172 —. 1175.
- Л.Н.Васильев, В. В. Каминский. Электроперенос в полупроводниковом сульфиде самария (SmS). 2-ая Российская конференция по физике полупроводников, Зеленогорск 1996. Тезисы докладов. Том 1, с. 12 5.
- J.Morillo, M. Konczykowski, J.Р.Senateur. The influence of hydrostatic pressure on the electronic transport properties of semiconducting SmS. Sol. St. Commun., 1980, v 35, N 12, p. 931−935.
- П.С.Киреев. Физика полупрводников. M.: Высшая школа, 1979 — 584 с.
- Л.С.Стильбане. Физика полупроводников. М.: Советское радио, 1967 — 452 с.
- D.W.Pohl. Valence transition of Sm^xLaxS and related compounds. Phys. 'Rev. B, 1977, v. 15, N-8, p. 3855−3862.
- Дж.Займан. Электроны и фононы. М.: ИЛ, 1962 — 488 с.
- Ю.В.Илисавский. Полупроводниковые тензометры. Л.: ЛДНТП, 1963, Вып. 6, 42 с.
- Е.В.Гончарова, М. В. Романова, В. М. Сергеева, И. А. Смирнов. Аномально высокое магнетосопротивление в полупроводниковом моносульфиде самария. ФТТ, 1977, т. 19, в. 3, с. 911−914.
- P.D.Dernier, W. Weber, L.D.Longinotti. Evolution of Debye-Waller factors in rare-earth monosulfides: evidence for softening of optic phonons in mixed valent Smo.7Yo.3S., -Phys. Rev. B, 1976, v. 14, N 8, p. 3635−3643.
- А.Д.Быховский, В. В. Каминский, М. В. Романова. Пьезосопротив-ление SmS при комнатной температуре. ФТТ, 1987, т. 29, в. 7, с. 2172−2174.
- А.В.Рябов,' С. С. Рувимов, Л. М. Сорокин, В. И. Смирнов,
- A.В.Голубков. Изучение дефектной структуры монокристдллов SmS методом трансмиссионной электронной микроскопии. ФТТ, 1979, т. 21, в. 7 с. 1986−1989.
- G.H.Dieke. Spectra and energy levels of rare earth ions in crystals. N.Y.: Interscience Publ., 1968 — 410 p.
- V.Zelezny, J. Petzelt, V.V.Kaminski, M.V.Romanova,
- V.Golubkov. Far infrared conductivity and dielectric response of semiconducting SmS. Sol. St. Commun., v. 72, 9&9} N 1, p. 43−47.
- В.В.Тихонов, Л. Н. Васильев. Теплоемкость Sm3S4. Тезисы докладов Всесоюзной конференции по физике и химии РЗП, Ленинград 1976, с. 71.
- A.Jayaraman, V. Narayanamurti, Е. Bucher, R.G.Maines. Continuous and discontinuous semiconductor-metal transition in samarium monochalcogenides under pressure. Phys. Rev. Lett., 1970, v. 25, N 20, p. 1430−1433. .
- Ю.Ф.Комник. О возможной причине уменьшения периода решетки в тонких пленках. ФТТ, 1964, т.6, в. 2, с. 611 — 618.
- A.A.Виноградов, В. В. Каминский, Н. М. Володин, М. В. Романова,
- B.С.Румянцев. Деградационные явления в тонкопленочных структурах на основе моносульфида самария. В сб.: -V Всес. конф. по физике и химии редкоземельных полупроводников (тез. докл.), АН СССР, Саратов 1990, ч. 2, с. 86.
- O.Berkooz, M. Malamud, S.Sktrikman. Observation of el. ectron hopping in lblEu3S4 by Mossbauer spectroscopy. Solid State Commun., 1968, v. 6, N 3, p. 185−188.
- Л.А.Осипович. Датчики физических величин. M.: Машиностроение, 1979 -160 с.
- В.С.Оскотский, Л. Н. Васильев, Теории фазового перехода в SmS (Обзорный доклад). Всесоюзная конференция по физике и химии редкоземельных полупроводников, Ленинград 1976. Тезисы докладов, с. 64.
- А.А.Виноградов, В. В. Каминский, И. А. Смирнов. Электрические свойства металлической фазы SmS, устойчивой при атмосферном давлении. ФТТ, 1985, т. 27, в. 4, с. 1121−1123.
- O.A.Геращенко, А. Н. Гордов, В. И. Лах, Б. И. Стаднык,
- H.А.Ярышев. Температурные измерения. Киев: Наукова, думка, 1984 — 496 с.
- Е.М.Савицкий, В. Ф. Терехова, И. В. Буров и др. Сплавы редкозёмельных.металлов. М.: Изд-во АН СССР, 1962 — 268 с.
- М.Л.Дайчик, Н. И. Пригоровский, Г. X.Хуршудов. Методы и средства натурной тензометрии. М.: Машиностроение, 1989, 240 с.