Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов

Диссертация: Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В представляемой диссертационной работе проведены теоретические и экспериментальные исследования неклассических интегральных эффектов в экситонных спектрах. Показано, что нарушения амплитудно-фазовых соотношений Крамерса-Кронига в спектрах отражения и пропускания, а также температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения могут быть интерпретированы с единых позиций на основе… Читать ещё >

Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Светоэкситонные волны и неклассические оптические эффекты в полупроводниках (обзор литературы)
    • 1. 1. Временная и пространственная дисперсия диэлектрической проницаемости
    • 1. 2. Нормальные электромагнитные волны и дисперсионные уравнения в анизотропных кристаллах .,
    • 1. 3. Добавочные светоэкситонные волны
    • 1. 4. Соотношения Крамерса-Кронига и интегральный коэффициент поглощения."
    • 1. 5. Светоэкситоны в тонких кристаллических слоях и размерное квантование
    • 1. 6. Оптическая анизотропия кубических кристаллов
    • 1. 7. Экспериментальные исследования светоэкситонов
  • Глава 2. Коэффициенты отражения и пропускания тонких кристаллических пластинок при наклонном падении света в экситонной области спектра
    • 2. 1. Пластинка с безэкситонными слоями на поверхностях
    • 2. 2. Наклонное падение света, поляризованного перпендикулярно плоскости падения
    • 2. 3. Наклонное падение света, поляризованного в плоскости падения
    • 2. 4. Геометрия смешанной экситонной моды
  • Глава 3. Аналитические свойства оптических функций отклика и дисперсионные соотношения вблизи экситонных резонансов
    • 3. 1. Аналитические свойства коэффициентов отражения и пропускания при учете пространственной дисперсии
    • 3. 2. Амплитудно-фазовые дисперсионные соотношения в спектрах отражения
    • 3. 3. Амплитудно-фазовые дисперсионные соотношения в спектрах пропускания
    • 3. 4. Приближение квазинепрерывного распределения нулей пропускания в кристаллах большой толщины
  • Глава 4. Интегральный коэффициент экситонного поглощения
    • 4. 1. Интегральный коэффициент поглощения с учетом интерференции светоэкситонов
    • 4. 2. Интегральное поглощение при наклонном падении света
    • 4. 3. Интегральное поглощение для квазинепрерывного распределения нулей пропускания
  • Глава 5. Неклассические интегральные эффекты в окрестности дипольных экситонных резонансов
    • 5. 1. Методика регистрации амплитудных и фазовых спектров
    • 5. 2. Амплитудно-фазовые исследования в спектрах отражения гексагональных кристаллов Сс13е
    • 5. 3. Амплитудно-фазовые исследования в спектрах отражения кубических кристаллов %п8е
    • 5. 4. Дисперсионные соотношения в спектрах пропускания и интегральное поглощение в области головной экситонной линии Сс18е
  • Глава 6. Неклассические интегральные эффекты в области квадрупольного перехода закиси меди
    • 6. 1. Двупреломление кубических кристаллов С112О
    • 6. 2. Дисперсия и поглощение светоэкситонных волн в области квадрупольного перехода закиси меди
    • 6. 3. Дисперсионные соотношения и интегральное поглощение в окрестности квадрупольного перехода С112О

Значительный прогресс в развитии технологий, основанных на применении полупроводников, в частности, создание и изучение новых материалов, таких как низкоразмерные и наноструктуры, твердые растворы, гетероструктуры, стимулирует повышенный интерес к исследованиям фундаментальных свойств полупроводников. Оптическая спектроскопия экситонных состояний в полупроводниковых кристаллах и структурах с пониженной размерностью дает большую информацию об одном из наиболее интересных участков энергетического спектра — области края полосы фундаментального поглощения.

Широко известно [1−3], что в области экситонных резонансов наряду с частотной (временной) дисперсией электромагнитных функций отклика существенным является влияние пространственной дисперсии, приводящей к принципиально новым явлениям, не свойственным классической кристаллооптике, таким как возникновение добавочных светоэкси-тонных волн Пекара [4] и оптическая анизотропия кубических кристаллов [2, 5].

Представляемая диссертационная работа посвящена исследованию неклассических интегральных эффектов в экситонных спектрах — нарушению дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига и уменьшению интегрального коэффициента поглощения при малой диссипации свето-экситонов. На возможность таких эффектов было обращено внимание в одной из первых работ Пекара, посвященных взаимодействию света с экситонами [6]. В дальнейшем эти проблемы широко обсуждались, им было посвящено большое количество теоретических [7−15] и экспериментальных [16−20] работ, однако систематическое количественное описание обсуждаемых эффектов и их совместная интерпретация, на наш взгляд, нуждаются в существенном дополнении, что определяет актуальность настоящей работы.

Исследование неклассических интегральных эффектов осуществляется нами на основе представлений об аналитических свойствах оптических функций отклика кристаллов — комплексных амплитудных коэффициентов отражения и пропускания. Данные функции отклика, как было впервые отмечено в наших работах [21, 22], остаются локальными и при учете пространственной дисперсии, то есть их фурье-образы имеют аналитическое продолжение в верхнюю полуплоскость комплексной частоты. Последнее обстоятельство открывает значительные новые возможности интерпретации и количественного описания отклонений от классических интегральных соотношений в спектрах, которые оказываются, таким образом, обусловленными наличием интерференционных нулей пропускания и отражения при конечном поглощении. Возникновение упомянутых нулей, как будет показано, непосредственно связано с поляритонным эффектом, а также, в случае отражения — с поверхностными и размерными эффектами. В этом состоит научная новизна представляемой работы.

Рассмотрение в качестве функций отклика коэффициентов отражения и пропускания позволяет получить дисперсионные соотношения для измеряемых на опыте величин — амплитудных и фазовых спектров отраженного и прошедшего света. Интегральный коэффициент поглощения с учетом интерференции светоэкситонов при наличии пространственной дисперсии, как будет показано, также однозначно (без поправок на спектральные изменения отражения) связан со спектральным контуром прошедшего кристалл света. Это предоставляет прямую возможность экспериментальной проверки полученных теоретически результатов. Сопоставление расчетов с экспериментом в рамках предлагаемой модели дает независимый способ оценки некоторых феноменологических параметров резонанса, а также дополнительную информацию о достоверности существующих подходов к описанию светоэкситонного взаимодействия в полупроводниках. С учетом этого можно сделать заключение о научной и практической значимости темы диссертационной работы и ее основных результатов.

Цель диссертации состоит в исследовании нарушений дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига и зависимости интегрального коэффициента поглощения от константы затухания в области экситонных резонансов, совместной интерпретации указанных неклассических интегральных эффектов в экситопиых спектрах отражения и пропускания полупроводниковых кристаллов, применении получаемых соотношений и зависимостей к количественному анализу экспериментальных данных.

Исследование проводится для спектральных областей головных экситонных линий, соответствующих переходам в состояния с главным квантовым числом п — 1. Данные линии наиболее удалены от края поглощения и остальных линий экситопного спектра. По этой причине к ним может быть применена модель изолированного резонанса, существенно упрощающая теоретическое рассмотрение. Кроме того, состояниям с максимальной энергией связи соответствует минимальная вероятность безызлучательной гибели, что, очевидно, приводит к наиболее отчетливому проявлению эффектов пространственной дисперсии.

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка литературы.

Заключение

.

В представляемой диссертационной работе проведены теоретические и экспериментальные исследования неклассических интегральных эффектов в экситонных спектрах. Показано, что нарушения амплитудно-фазовых соотношений Крамерса-Кронига в спектрах отражения и пропускания, а также температурная зависимость интегрального коэффициента поглощения могут быть интерпретированы с единых позиций на основе изучения аналитических свойств оптических функций откликакомплексных коэффициентов отражения и пропускания. Дано количественное описание рассматриваемых эффектов и выявлена их прямая связь с неклассической пекаровской дисперсией светоэкситонов. Представлены экспериментальные исследования, подтверждающие достоверность теоретических результатов и позволяющие сделать независимые оценки некоторых параметров модели. Эти оценки хорошо согласуются с данными, полученными с использованием других методов, в том числе в настоящей работе. Интегральный характер исследованных эффектов делает их некритичными к соотношению размера области резонанса и разрешения спектрального прибора, что позволяет, в частности, наблюдать их на квадрупольном переходе закиси меди, для которого из-за крайне малой спектральной ширины проявление добавочной волны в спектре принципиально невозможно.

Перечислим основные результаты работы.

1. Получены и исследованы выражения комплексных коэффициентов отражения и пропускания плоскопараллельных кристаллических пластинок с учетом добавочных светоэкситонных волн, многократных отражений в пластинке и безэкситонных слоев на поверхностях для различных геометрий наклонного падения света. Показано, что в рамках рассматриваемой модели при наличии поглощения точное обращение в нуль для коэффициента пропускания возможно только в результате интерференции обычной и добавочной волн, для коэффициента отражения — в результате каждого из трех учитываемых факторов.

2. Показано, что из постановки задачи на граничные условия непосредственно вытекает локальность оптических функций отклика независимо от возможной нелокальности электромагнитного взаимодействия в кристалле. На основании этого установлено, что амплитудные коэффициенты отражения и пропускания при наличии пространственной дисперсии так же, как в обычной кристаллооптике, имеют аналитическое продолжение в верхнюю полуплоскость комплексной частоты, а их логарифмы, в отличие от обычной кристаллооптики, могут иметь особые точки, соответствующие нулям пропускания или отражения и приводящие к неклассическим интегральным эффектам в экситонных спектрах.

3. Предложен регулярный алгоритм нахождения координат нулей пропускания с учетом и без учета многолучевой интерференции в кристаллической пластинке. Исследовано поведение решений в зависимости от толщины поглощающего слоя. Установлено наличие минимальной толщины, такой, что при дальнейшем ее уменьшении в 1+(ш) не остается ни одного нуля пропускания.

4. С учетом обоснования аналитичности р{ш) и т (£>) в 1+{СЬ) получены и исследованы дополненные амплитудно-фазовые дисперсионные соотношения для логарифма отражения (пропускания) и фазы отраженного (прошедшего) света, эффективных показателя преломления и коэффициента поглощения.

5. Получено и исследовано выражение интегрального коэффициента поглощения с учетом интерференции обычной и добавочной волн во всей области резонанса. При этом интегральное поглощение оказывается зависящим от толщины кристалла. Установлена эквивалентность (с точностью до постоянного множителя) интегрального коэффициента эффективного поглощения и спектрального интеграла для контура логарифма относительной интенсивности прошедшего света.

6. Для относительной интенсивности пропускания при учете многократных отражений в кристалле получено выражение спектрального интеграла, аналогичное интегральному поглощению. У данного интеграла появляется дополнительная зависимость от толщины, обусловленная многолучевой интерференцией.

7. Получены выражения интегрального поглощения для всех рассмотренных в работе геометрий наклонного падения света без учета и с учетом многократных отражений в поглощающем слое.

8. Предложено и исследовано приближение квазинепрерывного распределения нулей пропускания в кристаллах большой толщины. Показано, что для неклассических интегральных эффектов в этом приближении получаются результаты, не зависящие от вида ДГУ и толщины кристаллической пластинки, эквивалентные соответствующим результатам в модели [13], предполагающей учет вклада в дисперсию показателя преломления и поглощение только светоэкситонной волны с меньшим в данной точке спектра коэффициентом экстинкции.

9. Отклонения от соотношений Крамерса-Кронига в низкотемпературных амплитудно-фазовых спектрах отражения кристаллов Сс18е и %п8е, имеющие характерную зависимость от угла падения света, качественно объяснены и количественно описаны (включая угловую зависимость) дополненными дисперсионными соотношениями. При этом из экспериментальных спектров отражения и фазы объемных кристаллов Сс18е при температурах 4,2 К и 77 К и ZnSe при температуре 4,2 К определены значения толщины мертвого слоя и константы затухания, находящиеся в хорошем согласии с результатами аппроксимации фазовых спектров прямыми расчетами с вариацией параметров.

10. Исследована температурная зависимость интегрального поглощения в области головного экситонного состояния тонких пластинок Сс18е при нормальном падении света и в геометрии смешанной моды при разных углах падения. В предположении линейной связи затухания и температуры данная зависимость в каждом из случаев соответствует расчетам, выполненным с использованием выражений, полученных в настоящей работе при учете многократных отражений в кристаллическом слое.

11. Проведен анализ совместных амплитудно-фазовых измерений пропускания тонких кристаллов Сс18е в области экситона Ап= при нормальном падении света в диапазоне температур 8 — 40 К с использованием дополненных дисперсионных соотношений. Достигнуто количественное соответствие расчетов с учетом нулей пропускания и экспериментальных фазовых спектров. Определенные в результате значения затухания подтверждают предположение о линейной зависимости от температуры в данном интервале и совпадают в пределах погрешности с величинами, полученными из измерений интегрального поглощения.

12. Обнаружено и исследовано явление двойного лучепреломления кубических кристаллов С112О в области квадрупольного экситона. Показано, что при температуре 4,2 К величина двупреломления соответствует величине интегрального поглощения только в случае учета добавочной светоэкситонной волны.

13. Проведено расчетное исследование дисперсии и поглощения в области квадрупольного экситонного резонанса закиси меди, показавшее, что наблюдаемая ширина линии при низких температурах определяется аппаратной функцией спектрометра. Расчеты, проведенные с учетом аппаратного уширения, позволили при фиксированном значении параметров количественно описать экспериментальные спектры двупреломления и поглощения и обеспечить при этом соответствие расчетного высокотемпературного предела интегрального поглощения величине, наблюдавшейся нами и известной из работ других авторов.

14. Экспериментальные спектры двупреломления и поглощения в окрестности квадрупольного перехода С112О при температуре 4, 2 К сопоставлены с расчетами, проведенными с использованием дополненных дисперсионных соотношений в приближении квазинепрерывного распределения нулей пропускания. Интегральным преобразованиям Крамерса-Кронига при этом подвергались наблюдаемые спектры, а добавочные слагаемые рассчитывались с учетом уширения. Соответствие достигнуто при значении параметров, полученных ранее другими методами.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М., Наука, 1982. 620 с.
  2. В.М., Гинзбург В. Л. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М., Наука, 1979. 432 с.
  3. В.Л. Об электромагнитных волнах в изотропных и кристаллических средах при учете пространственной дисперсии диэлектрической проницаемости // ЖЭТФ, 1958, т. 34, вып. 6, с. 15 931 604.
  4. С.И. Теория электромагнитных волн в кристаллах, в которых возникают экситоны // ЖЭТФ, 1957, т. 33, вып. 4, с. 1022−1036.
  5. Е. Ф. Каплянский A.A. Оптическая анизотропия кубических кристаллов, вызванная явлением пространственной дисперсии. Квадрупольное экситонное поглощение света в закиси меди // ДАН СССР, 1960, т. 132, вып. 1, с. 98−101.
  6. С.И. Дисперсия света в области экситонного поглощения в кристаллах // ЖЭТФ, 1958, т. 34, вып. 5, с. 1176−1188.
  7. М.А. Обобщение формул Крамерса-Кронига на среды с пространственной дисперсией // ЖЭТФ, 1961, т. 40, вып. 3, с. 907 912.
  8. A.C. Дисперсионные соотношения для показателя преломления и коэффициента поглощения в средах с экситонным поглощением // ЖЭТФ, 1962, т. 43, вып. 5, с. 1832−1840.
  9. Гинзбург .В.Л., Мейман H.H. О дисперсионных соотношениях для показателей преломления и поглощения // ЖЭТФ, 1964, т. 46, вып. 1, с. 243−253.
  10. Д.А. Всегда ли справедливы соотношения Крамерса-Кронига для диэлектрической проницаемости вещества? // УФЫ, 1976, т. 119, вып. 2, с. 357−369.
  11. Davydov A.S., Serikov А.А. Quantum-statistical theory of light propagation in crystals // Phys. Stat. Sol. B, 1973, v. 56, N 1, p. 351 363.
  12. De Crescenzi M., Harbeke G. The effect of spatial dispersion on the attenuation of exciton polaritons in semiconducting films // Sol. Stat. Comm., 1979, v. 32, N 9, p. 777−781.
  13. H.H. Роль пространственной дисперсии в поглощении света экситонами // ЖЭТФ, 1980, т. 79, вып. 4, с. 1534−1543.
  14. Nkoma J.S. Theory of absorption by exciton polaritons in a spatially dispersive medium // Phys. Stat. Sol. B, 1980, v. 97, N 2, p. 657−662.
  15. М.И., Моздор E.B. О границах применимости соотношений Крамерса-Кронига в присутствии добавочной световой волны // ЖЭТФ, 1998, т. 114, вып. 4, с. 1393−1406.
  16. М.С., Прихотько А. Ф., Соскин М. С. О несоблюдении дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига в случае молекулярных кристаллов при различных температурах // Опт. и спектр., 1959, т. 6, вып. 1, с. 28−32.
  17. М.С., Страшникова М. И. Исследование особенностей дисперсии и формы экситонных полос поглощения монокристалла CdS // ФТТ, 1962, т. 4, вып. 9, с. 2454−2460.
  18. Voigt J. Influence of spatial dispersion on the transmission spectra of CdS single crystals // Phys. Stat. Sol. B, 1974, v. 64, N 2, p. 549−556.
  19. Bosacchi A., Bosacchi В., Franchi S. Polariton effects in the exciton absorption of GaSe // Phys. Rev. Lett., 1976, v. 36, N 18, p. 1086−1089.
  20. Н.Н., Голубев Г. П., Днепровский B.C., Жуков Е. А. Процессы рассеяния поляритонов в CdS // ФТТ, 1983, т. 25, вып. 7, с. 2225−2227.
  21. С.В., Соловьев JI.E. Особенности спектров отражения и пропускания и проблема дисперсионных соотношений в области экситонных резонансов // Вестник ЛГУ, 1983, № 22, с. 18−24.
  22. С.В., Соловьев JI.E. Дополненные дисперсионные соотношения для оптических характеристик кристаллов в спектральной области экситонных резонансов // ЖЭТФ, 1984, т. 86, вып. 4, с. 1419−1430.
  23. С.И. Кристаллооптика и добавочные световые волны. Киев, Наук, думка, 1982. 295 с.
  24. Hopfield J.J., Thomas D.G. Theoretical and experimental effects of spatial dispersion on the optical properties of crystals // Phys. Rev., 1963, v. 132, N 2, p. 563−572.
  25. Kramers H.A. La diffusion de la lumiere par les atomes // Atti Congr. Int. Fis. Como, 1927, v. 2, p. 545−557.
  26. Kronig R. de L. On the theory of dispersion of X-rays //J. Opt. Soc. Am. Rev. Sci. Instrum., 1926, v. 12, p. 547−557.
  27. X.M. Причинность и дисперсионные соотношения. М., Мир, 1976. 461 с.
  28. В.А., Макаренко И. В., Разбирин B.C., Уральцев И. Н. Размерное квантование экситонов // ФТТ, 1977, т. 19, вып. 8, с. 13 481 355.
  29. Hellwege К.Н. Optische Anisotropic Kubischer Kristalle bei Quad-rupolstralung // Zs. f. Phusik, 1951, Bd. 129, N 6, s. 626−641.
  30. Huang К. On the interaction between the radiation field and ionic crystals // Proc. Roy. Soc. A, 1951, v. 208, p. 352−365.
  31. M., Хуан Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток (Пер. с англ. В. И. Когана под ред. И.М. Лифшица). М., Изд-во иностр. лит., 1958. 488 с.
  32. Hopfield J.J. Theory of contribution of excitons to the complex dielektric constant of crystals // Phus. Rev., 1958, v. 112, N 5, p. 15 551 567.
  33. B.M. Дисперсия электромагнитных волн в кристаллах // ЖЭТФ, 1959, т. 37, вып. 2, с. 430−441.
  34. Wannier G.H. The structure of electronic excitation levels in insulating crystals // Phys. Rev., 1937, v. 52, N3, p. 191−197.
  35. Mott N.K. Conduction in polar crystals II // Trans. Faraday Soc., 1938, v. 34, p. 500.
  36. Mott N.K. On the absorption of light by crystals // Proc. Royal Soc., 1938, v. 167, N930, p. 384−391.
  37. P. Теория экситонов. M., Мир, 1966. 216 с.
  38. В.М. Теория экситонов. М., Наука, 1968. 382 с.
  39. С.И. Метод эффективной массы электрона в кристалле // ЖЭТФ, 1946, т. 16, вып. 11, с. 933−936.
  40. С.И. Энергия экситонов при предельно малых квазиимпульсах // ЖЭТФ, 1958, т. 35, вып. 2, с. 522−523.
  41. С.И. К теории поглощения света и дисперсии в кристаллах // ЖЭТФ, 1959, т. 36, вып. 2, с. 451−464.
  42. Broser J., Pantke К.Н., Rosenzweig M. Transmission and damping of excitonic polaritons in CdS // Phys. Stat. Sol. B, 1985, v. 132, N 2, p. K117-K120.
  43. М.С., Страшникова М. И., Черный В. В. Об измерении резко поляризованных полос поглощения // УФЖ, 1989, т. 34, вып. 11, с. 1700−1705.
  44. В.Я., Страшникова М. И., Черный В. В. Дисперсия затухания An=i экситонов в CdS // Письма в ЖЭТФ, 1989, т. 49, вып. 10, с. 554−556.
  45. М.И., Черный В. В. Дисперсия показателя преломления и затухание светоэкситонов в области lß--резонанса в кристалле CdS // ФТТ, 1990, т. 32, с. 1090.
  46. С.И. Отождествление экситонов со световыми волнами в кристалле и макроскопическая теория экситонов с учетом и без учета запаздывания // ЖЭТФ, 1960, т. 38, вып. 6, с. 1786−1797.
  47. Davydov A.S., Myasnikov E.N. Normal electromagnetic waves and the propagation of light through crystals // Phus. Stat. Sol. B, 1974, v. 63, N 1, p. 325−332.
  48. С.А., Селькин A.B., Травников B.B Отражение света кристаллами в окрестности анизотропных экситонных переходов при наличии пространственной дисперсии // ФТТ, 1973, т. 15, вып. 6, с. 1822−1829.
  49. С.И. К теории добавочных электромагнитных волн в кристаллах в области экситонного поглощения // ФТТ, 1962, т. 4, вып. 5, с. 1301−1311.
  50. С.И. Дополнительные граничные условия в теории добавочных световых волн и экситоны в ограниченных кристаллах // ЖЭТФ, 1978, т. 74, вып. 4, с. 1458−1475.
  51. С.И., Пипа В. И. Отражение экситонов от поверхности кристалла и дополнительные граничные условия в теории добавочных световых волн // ФТТ, 1982, т. 24, вып. 6, с. 1708−1717.
  52. С.И., Писковой В. Н., Цеквава Б. Е. Прохождение и отражение света на границе вакуум-кристалл в области квадрупольного экситонного перехода // ФТТ, 1981, т. 23, вып. 7, с. 1905−1911.
  53. Agarwal G.S., Pattanayak D.N., Wolf Е. Structure of the electromagnetic field in a spatially dispersive medium // Phys. Rev. Lett., 1971, v. 27, N 15, p. 1022−1025.
  54. Zeyher R., Birman J., Brenig W. Spatial dispersion effects in resonant polariton scattering. I. Additional Boundary conditions for polarizations fields // Phys. Rev. B, 1972, v. 6, N 12, p. 4613−4616.
  55. С.А., Травников В.В, Селькин А. В. Эффекты пространственной дисперсии в спектрах отражения кристаллов при наклонном падении света на границу кристалла // ФТТ, 1972, т. 14, вып. 12, с. 3692−3649.
  56. Maradudin A.A., Mills D.L. Effect of spatial dispersion on the properties of a semi-infinite dielectric // Phys. Rev. B, 1973, v. 7, N 6, p. 2787−2810.
  57. Evangelisti F., Frova A., Fischbach J.U. Electric-field induced interference effects at the ground exciton level in GaAs // Phys. Rew. Lett., 1972, v. 29, N 15, p. 1001−1004.
  58. Evangelisti F., Fischbach J.U., Frova A. Dependence of exciton reflectance on field and other surface characteristics: the case of InP // Phys. Rew. B, 1974, v. 9, N 4, p. 1516−1524.
  59. Evangelisti F., Frova A., Patella F. Nature of dead layer in CdS and its effect on exciton reflectance spectra // Phys. Rev. B, 1974, v. 10, N 10, p. 4253−4261.
  60. Patella F., Evangelisti F., Capizzi M. Experimental reflectivity spectra and additional boundary conditions in CdS // Sol. Stat. Comm., 1976, v. 20, N 1, p. 23−26.
  61. Н.Н., Яцышен В. В. Влияние пространственной дисперсии на электромагнитные свойства полубесконечного диэлектрика // ФТТ, 1976, т. 18, вып. 6, с. 1679−1685.
  62. Rimbey P.R. Polariton Green’s functions for semi-infinite spatially dispersive media with applications to molecular crystal reflectivity spectra // J. Chem. Phys., 1977, v. 67, N 2, p. 698−709.
  63. Mead C.A. Exactly solable model for crystal with spatial dispersion // Phys. Rev. B, 1977, v. 15, N 2, p. 519−532.
  64. Г. В., Новиков Б. В., Чередниченко А. Е. Влияние приповерхностного слоя на аномалии в спектре экситонного отражения монокристаллов CdS при Т = 4,2 К // Письма в ЖЭТФ, 1975, т. 21, вып. И, с. 650−653.
  65. Г. В., Новиков Б. В., Чередниченко А. Е. Влияние состояния поверхности на аномалии в экситонных спектрах монокристаллов CdS при Т = 4,2 К // ФТТ, 1977, т. 19, вып. 5, с. 1389−1394.
  66. .В., Роппишер Г., Талалаев В. Г. Управление толщиной безэкситонного приповерхностного слоя в кристаллах ZnSe // ФТТ, 1979, т. 21, вып. 3, с. 817−822.
  67. О.В., Сайфуллаев Ш. Р. О некоторых ограничениях, налагаемых на вид дополнительных граничных условий для свето-экситонных волн в полупроводниках // ФТТ, 1978, т. 20, вып. 6, с. 1745−1751.
  68. Litzman О., Holy V. Some special models of the theory of spatial dispersion // Phys. Stat. Sol. B, 1979, v. 93, N 1, p. 135−146.
  69. Litzman 0. A note on the additional boundary conditions in spatially dispersive medium // Phys. Stat. Sol. B, 1981, v. 104, p. K109 Kill.
  70. H.H. Экспоненциальная модель в теории пространственной дисперсии: граничные условия // ЖЭТФ, 1980, т. 78, вып. 4, с. 1615−1622.
  71. К., Ульбрих Р. Резонансное рассеяние света, связанное с экситонными поляритонами в полупроводниках. // Рассеяние света в твердых телах. / Под ред. M Кардоны. М., Наука, 1985, с. 228−291.
  72. Дж.Л. Электродинамика и нелокальные оптические эффекты, обусловленные экситонными поляритонами // Экситоны / Под ред. Э. И. Рашба, М. Д. Стержа. М., Наука, 1985, с. 27−67.
  73. E.JI. Эффекты пространственной дисперсии в области эк-ситонного резонанса // Экситоны / Под ред. Э. И. Рашба, М. Д. Стержа. М., Наука, 1985, с. 107−129.
  74. В.А., Новиков Б. В., Чередниченко А. Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. СПб, Изд-во С. Петербургского ун-та, 2003. 244 с.
  75. В.А., Макаренко И. В., Разбирин B.C., Уральцев И. Н. Влияние поверхностного потенциала на фазу экситонной волны // Письма в ЖЭТФ, 1977, т. 26, вып. 5, с. 352−355.
  76. В.А. Поверхностные механические экситоны // ФТТ, 1978, т. 20, вып. 4, с. 1191−1195.
  77. В.А. Экситонное отражение света при произвольном поверхностном потенциале // ФТТ, 1978, т. 20, вып. 7, с. 2173−2176.
  78. В.А. Экситонное отражение света при наличии барьера Шоттки // ФТТ, 1979, т. 21, вып. 4, с. 1069−1073.
  79. В.А. Возгорание экситона в поле барьера Шоттки // Письма в ЖЭТФ, 1979, т. 21, вып. 6, с. 369−372.
  80. М.И., Бессонов Е. В. Зависимость эффектов пространственной дисперсии в кристалле CdS от константы затухания экситонов // ЖЭТФ, 1978, т. 74, вып. 6, с. 2206−2214.
  81. Davydov A.S., Eremko A.A. Role of spatial dispersion in a quadrupole light absorption // Phys. Stat. Sol. B, 1973, v. 59, N 1, p. 251−258.
  82. А.С. Теория твердого тела. М., Наука, 1976. 639 с.
  83. Т., Барелл Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., Мир, 1976. 432 с.
  84. М., Вольф Э. Основы оптики. М., Наука, 1970. 855 с.
  85. И.Е. Основы теории электричества. М., Наука, 1976. 616 с.
  86. Э.В. Атомная физика, т. 1. М., Наука, 1984. 552 с.
  87. А.А. К теории рассеяния светоэкситонов на фононах // ФТТ, 1963, т. 5, вып. 2, с. 489−498.
  88. А.А. Расчет вероятности рассеяния светоэкситонов на фононах // ФТТ, 1963, т. 5, вып. 10, с. 2835−2846.
  89. Tait W.S., Weiher R.L. Contribution of scattering of polaritons on phonons to absorption of light waves in И-VI crystals // Phys. Rew., 1968, v. 166, N 3, p. 769−775.
  90. A.A., Пекар С. И. Коэффициенты отражения и прозрачности кристаллической пластинки в области экситонного поглощения света // ФТТ, 1964, т. 6, вып. 9, с. 2771−2779.
  91. Davydov A.S., Myasnikov E.N. Absorption and dispersion of light by molecular excitons // Phus. Stat. Sol., 1967, v. 20, N 1, p. 153−163.
  92. А.Б., Соловьев JI.E., Талалаев В. Г. Особенности температурной зависимости интегрального коэффициента экситонного поглощения // ФТТ, 1986, т. 28, вып. 6, с. 1931−1934.
  93. С.Б., Новиков А. Б., Омегов О. С., Соловьев Л. Е. Учет интерференционных нулей пропускания в интегральных соотношениях для экситонных спектров кристалла CdSe // ФТТ, 1991, т. 33, вып. 3, с. 657−662.
  94. С.Б., Новиков А. Б., Соловьев JI.E. Проявление пространственной дисперсии в интегральных соотношениях в спектральной области экситонного поглощения // ЖЭТФ, 1994, т. 105, вып. 4, с. 994−1004.
  95. Ф.И., Макаров B.J1. Исследование роли затухания в процессах поглощения света экситонами // Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 20, вып. 7, с. 441−445.
  96. И.С., Крохмаль А. П., Янчук 3.3. Экситоны в моноклинном дифосфиде цинка. Ортоэкситон и поляритонные эффекты на п = 1 резонансе // ФТТ, 2000, т. 42, вып. 9, с. 1582−1589.
  97. JI.B. Поляритоны в тонких полупроводниковых пленках // Письма в ЖЭТФ, 1979, т. 30, вып. 4, с. 244−248.
  98. Л.Е., Ивченко Е. Л., Фирсов Д. А., Шалыгин В. А. Оптические свойства наноструктур. СПб, Наука, 2001. 188 с.
  99. Г. Н., Лукьянова Н. В., Сейсян Р. П. Толщинная зависимость экситонного поглощения в чистых кристаллах GaAs «доквантово-го» предела // ФТТ, 1998, т. 40, вып. 5, с. 869−871.
  100. . Е. Обобщение формулы Френеля для поверхности кристалла при учете анизотропии эффективной массы экситона // ФТТ, 1960, т. 2, вып. 3, с. 482−488.
  101. В.И. Экситоны и электромагнитные волны в тонких пластинках // ФТТ, 1964, т. 6, вып. 5, с. 1361−1368.
  102. В.И. Квантовая теория дисперсии электромагнитных волн в кристаллических пластинках // УФЖ, 1966, т. 11, вып. 1, с. 59−66.
  103. Andreani L.C., Panzarini G., Kavokin A.V., Vladimirova M.R. Effect of inhomogeneous broadening on optical properties of excitons in quantum wells // Phys. Rev. B, 1998, v. 57, N 8, p. 4670−4680.
  104. А.П. Полупроводниковые сверхрешетки. -УФН, 1985, т. 147, вып. 3, с. 485−521.
  105. Ивченко E. JL, Кособукин В. А. Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой // ФТП, 1988, т. 22, вып. 1, с. 24−30.
  106. E.JI. Экситонные поляритоны в периодических структурах с квантовыми ямами // ФТТ, 1991, т. 33, вып. 8, с. 2388−2393.
  107. В.А. Пропускание и отражение света полупроводнико-* выми сверхрешетками в области экситонных резонансов // ФТТ, 1992, т. 34, вып. 10, с. 3107−3118.
  108. Ivchenko E.L., Kochereshko V.P., Kop’ev P. S., Kosobukin V.A., Uraltsev I.N., Yakovlev D.R. Exciton longitudinal-transverse splitting in GaAs/AlGaAs superlattices and multiple quantum wells // Sol. Stat. Comm., 1989, v. 70, N 5, p. 529−534.
  109. E.JI., Несвижский А. И., Йорда С. Брэгговское отражение света от структур с квантовыми ямами // ФТТ, 1994, т. 36, вып. 7, с. 2118−2129.
  110. Ивченко E. JL, Кочерешко В. П., Платонов A.B., Яковлев Д. Р., Ва-аг А., Оссау В., Ландвер Г. Резонансная оптическая спектроскопия длиннопериодных структур с квантовыми ямами // ФТТ, 1997, т. 39, вып. 11, с. 2072−2078.
  111. М.Р., Ивченко E.JL, Кавокин A.B. Экситонные поляритоны в длиннопериодных структурах с квантовыми ямами // ФТП, 1998, т. 32, вып. 1, с. 101−107.
  112. В.А. К теории поглощения света экситонами // ФТТ, 1998, т. 40, вып. 5, с. 824−826.
  113. Pasternak J., Vedam К. Optical anisotropy of Silicon single crystals // Phus. Rev. B, 1971, v. 3, N 8, p. 2567−2571.
  114. Yu P.Y., Cardona M. Spatial dispersion in the dielectric constant of GaAs // Sol. Stat. Comm., 1971, v. 9, N 16, p. 1421−1424.
  115. O.B., Цицишвили Е. Г., Дайс Ж.Jl., Клингсхирн К., Солом-ко В.Е. Естественное двойное лучепреломление кубических кристаллов CuBr в экситонной области спектра // Письма в ЖЭТФ, 1981, т. 34, вып. 6, с. 328−332.
  116. С.И., Цеквава Б. Е. Дисперсия света в области экситонного поглощения в кубических кристаллах при учете анизотропии эффективной массы экситона // ФТТ, 1960, т. 2, вып. 2, с. 261−272.
  117. Л.Е., Московский С. Б. Проявление пространственной дисперсии света вблизи квадрупольной линии поглощения в кристаллах закиси меди // Опт. и спектр., 1982, т. 52, вып. 4, с. 583−585.
  118. A.A., Медведев В. Н. Исследование дисперсии двупрелом-ления света в области квадрупольного экситонного перехода в кристалле Cu20 // ФТТ, 1983, т. 25, вып. 4, с. 1226−1228.
  119. М.С., Пекар С. И. К экспериментальному доказательству существования дополнительных аномальных световых волн в кристалле в области экситонного поглощения // ЖЭТФ, 1960, т. 38, вып. 1, с. 74−81.
  120. М.С., Пекар С. И. Дополнительные аномальные световые волны в антрацене в области экситонного поглощения // ЖЭТФ, 1960, т. 38, вып. 6, с. 1910−1912.
  121. И.С., Тимофеев Б. В. Сложное лучепреломление в монокристаллах закиси меди // ДАН СССР, 1961, т. 140, вып. 4, с. 791 793.
  122. Bloch P.D., Meyer В., Schwab С. Sample thickness dependence of the exciton polariton absorption coefficient in C112O //J. Phys. C, 1980, v. 13, N 2, p. 267−277.
  123. Е.Ф., Каплянский А. А. Коэффициент квадрупольного поглощения и оптическое время жизни основного состояния экситонов в кристалле Си20 . ДАН СССР, 1961, т. 139, вып. 1, с. 75−78.
  124. Hopfield J.J., Thomas D.G. Fine structure and magnetooptice effects in the exciton spectrum of cadmium sulfide // Phys. Rev., 1961, v. 122, N 1, p. 35−52.
  125. Thomas D.G., Hopfield J.J. A magneto-stark effect and exciton motion in CdS // Phys. Rev., 1961, v. 124, N 3, p. 657−665.
  126. Broser J., Rosenzweig M., Broser R., Richard M., Birkicht E. A quantitative study of excitonic polariton reflectance in CdS // Phys. Stat. Sol. B, 1978, v. 90, N 1, p. 77−91.
  127. Agranovich V.M. Surface excitons // Surface excitation / Ed. V.M. Agranovich, R. Loudon. Amsterdam, 1984, p. 513−587.
  128. Lagois J., Fisher B. Surface exciton polaritons from an experimental viewpoint // Surface polaritons / Ed. V.M. Agranovich, D.L. Mills. Amsterdam, 1982, p. 69−92.
  129. JI.E., Бабинский А. В. Влияние пространственной дисперсии на изменение фазы отраженного света в кристаллах CdS и CdSe // Письма в ЖЭТФ, 1976, т. 23, вып. 5, с. 291−295.
  130. А.В., Рябченко С. М., Страшникова М. И. Влияние пространственной дисперсии и поверхностного слоя на фазу отраженного от кристалла CdS света // ЖЭТФ, 1978, т. 74, вып. 1, с. 251 259.
  131. Т.М., Недзвецкий Д. С., Соловьев Л. Е. Амплитуда и фаза отраженного света в кристаллах /5 — AgJ с учетом пространственной дисперсии // ФТТ, 1979, т. 21, вып. 7, с. 2040−2044.
  132. А.Б., Пермогоров С. А., Сайфуллаев Ш. Р., Селькин A.B. Спектральная зависимость амплитуды и фазы коэффициента отражения в области экситонного состояния An=i кристаллов CdS // ФТТ, 1980, т. 22, вып. 8, с. 2400−2403.
  133. С.Б., Соловьев JI.E., Чайка М. О. Исследование фазовых характеристик света, отраженного от кристаллов ZnSe и CdSe в области экситонных резонансов // ФТТ, 1981, т. 23, вып. 12, с. 36 183 622.
  134. А.Б., Селькин A.B. Амплитудно-фазовые спектры экситонного отражения кристаллов ZnTe // ФТТ, 1981, т. 23, вып. 9, с. 28 142 819.
  135. А.Б., Селькин A.B. Эффект Брюстера в спектрах экситонного отражения // ЖЭТФ, 1982, т. 83, вып. 2, с. 516−531.
  136. А.Б., Пермогоров С. А., Селькин A.B. Термостимулирован-ное просветление границы кристалла в области экситонного поглощения // Письма в ЖЭТФ, 1984, т. 39, вып. 6, с. 261−263.
  137. Filinski I., Skettrup T. Direct determination of the phase of reflectivity in CdS and ZnO in the exciton region // Sol. Stat. Comm., 1972, v. 11, N 12, p. 1651−1653.
  138. M.С., Давыдова H.A., Страшникова M.И. Аномалии дисперсии монокристалла CdS в области экситонного поглощения // Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 19, вып. 9, с. 567−571.
  139. Brodin M.S., Davydova N.A., Strashnikova M.I. The spatial dispersion effects in CdS crystals and their temperature dependence // Phys. Stat. Sol. B, 1975, v. 70, N 1, p. 365−371.
  140. М.И., Рудник А. Г. О форме экситонных полос поглощения монокристаллов CdS при Т = 4,2К // ФТТ, 1972, т. 14, вып. 4, с. 984−988.
  141. М.И. О невыполнимости классических соотношений Френеля в области экситонного поглощения // ФТТ, 1975, т. 17, вып. 3, с. 729−734.
  142. С.И., Страшникова М. И. Пространственная дисперсия и добавочная световая волна в области экситонного поглощения в CdS // ЖЭТФ, 1975, т. 68, вып. 6, с. 2047−2054.
  143. В.А., Разбирин B.C., Уральцев И. Н. Интерференционные состояния светоэкситонов: наблюдение добавочных волн // Письма в ЖЭТФ, 1973, т. 18, вып. 8, с. 504−507.
  144. Kiselev V.A., Razbirin B.S., Uraltsev I.N. Anomalous waves and Fabry-Perot modes of photoexcitons (polaritons) in thin semiconducting crystals // In. Proc. 12-th Intern, conf. phys. semiconductor. Stuttgart, 1974, p. 996.
  145. Kiselev V.A., Razbirin B.S., Uraltsev I.N. Additional waves and Fabry-Perot interference of photoexcitons (polaritons) in thin II-VI crystals // Phys. Stat. Sol. B, 1975, v. 72, N 1, p. 161−172.
  146. Makarenko I.V., Uraltsev I.N., Kiselev V.A. Additional waves and polariton dispersion in CdS crystals // Phys. Stat. Sol. B, 1980, v. 98, N 2, p. 733−779.
  147. Г. В., Панфилов А. Г., Разбирин B.C. Размерные эффекты в экситонных спектрах тонких монокристаллов CdS, CdSe // Письма в ЖЭТФ, 1988, т. 47, вып. 5, с. 263−265.
  148. JI.E., Чайка М. О. Двухмодовая картина интерференции света вблизи экситонных резонансов // Опт. и спектр., 1980, т. 49, вып. 4, с. 733−737.
  149. Л.Е., Чайка М. О. Интерференционные картины в окрестности экситонной линии // Опт. и спектр., 1982, т. 52, вып. 5, с. 771 775.
  150. Frohlich D., Mohler Е., Wiesner P. Observation of exciton polariton dispertion in CuCl // Phys. Rev. Lett., 1971, v. 26, N 10, p. 554−556.
  151. Haueisen D.C., Mahr H., Observation of the dispersion curve of CuCl with second harmonic generation // Phys. Lett. A, 1971, v. 36, N 5, p. 433−434.
  152. Jackel J., Mahr H. Nonlinear optical measurements in the excitonic region of CdS at 4,2 К // Phys. Rev. B, 1978, v. 17, N 8, p. 3387−3400.
  153. Brenig W., Zeyher R., Birman J.L. Spatial dispersion effects in resonant polariton skattering. II. Resonant Brillouin skattering // Phys. Rev. B, 1972, v. 6, N 12, p. 4617−4622.
  154. Ulbrich R.G., Weisbuch С. Resonant Brillouin skattering of excitonic polaritons in gallium arsenide // Phys. Rev. Lett., 1977, v. 38, N 15, p. 865−868.
  155. Ulbrich R.G., Weisbuch С. Festkorperprobleme XVIII // In: Advances in solid state physics / Ed. J. Treusch. Braunschweig: Vieweg, 1978, p. 217.
  156. Sermage В., Fischman G. Resonant Brillouin skattering of polaritons in ZnSe. Heavy and light excitons // Phys. Rev. Lett., 1979, v. 43, N 14, p. 1043−1046.
  157. Winterling G., Koteies E. Resonant skattering near the A-exciton in CdS // Sol. Stat. Comm., 1977, v. 23, N 2, p. 95−98.
  158. Yu P.Y., Evangelisti F. Two-photon resonant Brillouin skattering in CdS // Sol. Stat. Comm., 1978, v. 27, N 1, p. 87−89.
  159. Koteies E., Winterling G. Resonant skattering of excitonic polaritons by LO and acoustic phonons // Phys. Rev. B, 1979, v. 20, N 2, p. 628 637.
  160. Koteies E., Winterling G. Direct measurement of Three-Branch exciton-polariton dispersion in CdS // Phys. Rev. Lett., 1980, v. 44, N 14, p. 948−951.
  161. Hermann C., Yu P.Y. Role of elastic exciton-defect skattering in resonant Raman and resonant Brillouin skattering in CdSe // Phys. Rev. B, 1980, v. 21, N 8, p. 3675−3688.
  162. Goto Т., Nishina Y. Anisotropic polariton dispersion in Red HgJ2 // Sol. Stat. Comm., 1979, v. 31, N 10, p. 751−754.
  163. Oka Y., Cardona M. Resonance Raman skattering of excitonic polaritons by LO and acoustic phonons in ZnTe // Sol. Stat. Comm., 1979, v. 30, N 7, p. 447−451.
  164. Э.С. Исследование дисперсии экситонных поляритонов лазерными методами // Экситоны / Под ред. Э. И. Рашба, М.Д. Стер-жа. М., Наука, 1985, с. 68−106.
  165. Segawa Y., Aoyagi Y., Azuma К., Namba S. Direct observation of light velocity in CuCl // Sol. Stat. Comm., 1978, v. 28, N 10, p. 853−855.
  166. Segawa Y., Aoyagi Y., Namba S. Anomalously slow group velocity of upper branch polariton in CuCl // Sol. Stat. Comm., 1979, v. 32, N 3, p. 229−231.
  167. Masumoto Y., Unuma Y., Tanaka Y., Shionoya S. Picosecound time of flight measurements of excitonic polariton in CuCl //J. Phys. Soc. Jap., 1979, v. 47, N 6, p. 1844−1849.
  168. М.В., Страшникова М. И., Тимофеев В. Б., Черный В. В. Прямое наблюдение двух поляритонных волн в области основного экситонного резонанса в кристаллах CdS // Письма в ЖЭТФ, 1984, т. 39, вып. 8, с. 366−369.
  169. А.А., Лебедев М. В., Пекар С. И., Страшникова М. И., Тимофеев В. Б., Цеквава Б. Е. Прохождение света сквозь клиновидный кристалл CdS при учете добавочных световых волн // ЖЭТФ, 1985, т. 89, вып. 1, с. 330−335.
  170. М.В., Страшникова М. И., Тимофеев В. Б., Черный В. В. Температурная зависимость дисперсии добавочных световых волн в CdS // ФТТ, 1987, т. 29, вып. 7, с. 1948−1954.
  171. Tredicucci A., Chen У., Bassani F., Massies J., Deparis С., Neil G. Center-of-mass quantization of excitons and polariton interference in GaAs thin layers // Phys. Rev. B, 1993, v. 47, N 16, p. 10 348−10 357.
  172. Г. В., Кочерешко В. П., Платонов А. В., Яковлев Д. Р., Оссау В., Фашингер В., Ландвер Г. Поляритонные спектры отражения от тонких слоев ZnSxSeix // ФТТ, 1998, т. 40, вып. 5, с. 867−868.
  173. С.А., Сейсян Р. П., Кособукин В. А. Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах aiibviс широкими квантовыми ямами // ФТП, 2004, т.38, вып. 2, с. 230−236.
  174. Р.П., Кособукин В. А., Маркосов М. С. Экситоны и поляри-тоны в полупроводниковых твердых растворах AlGaAs // ФТП, 2006, т. 40, вып. 11, с. 1321−1330.
  175. Е.Л., Пермогоров С. А., Селькин A.B. Естественная оптическая активность кристаллов CdS в экситонной области спектра // Письма в ЖЭТФ, 1978, т. 27, вып. 1, с. 27−29.
  176. Е.Л., Пермогоров С. А., Селькин A.B. Эффект инверсии оптической оси кристалла CdS // Письма в ЖЭТФ, 1978, т. 28, вып. 10, с. 649−652.
  177. Е.Л., Селькин A.B. Естественная оптическая активность в полупроводниках со структурой вюрцита // ЖЭТФ, 1979, т. 76, вып. 5, с. 1837−1855.
  178. Т.М., Недзвецкий Д. С., Селькин A.B. Проявление оптической активности в экситонных спектрах отражения кристаллов? AgJ // Письма в ЖЭТФ, 1978, т. 27, вып. 10, с. 573−575.
  179. A.B., Селькин A.B. Эллипсометрические исследования эк-ситонного резонанса Bn=i в CdS // ФТТ, 1983, т. 25, вып. 1, с. 157−162.
  180. Л.Е., Рудаков B.C. Явление псевдопересечения дисперсионных кривых // Вестник ЛГУ, 1967, № 16, с. 170−171.
  181. Hobden M.V. Optical activity in a Non-enantiomorphous Crystal: AgGaS2 // Acta Cryst. A, 1968, v. 24, N 6, p. 676−680.
  182. A.X., Московский C.B., Соловьев Л. Е. Многолучевая селективная интерференция поляризованных лучей в кристаллах с изотропной точкой // Опт. и спектр., 1981, т. 51, вып. 2, с. 369−371.
  183. С.Б., Новиков А. Б., Соловьев JI.E. Экситопный эффект Брюстера при конечных значениях константы затухания // ФТТ, 1985, т. 27, вып. 11, с. 3208−3211.
  184. С.Б., Соловьев JT.E. Эффекты пространственной дисперсии в области квадрупольного поглощения закиси меди // Опт. и спектр., 1986, т. 61, вып. 4, с. 745−750.
  185. С.Р., Московский С. Б., Новиков А. Б., Соловьев J1.E. Температурное изменение интегрального коэффициента поглощения смешанных экситонов в кристаллах АгВб // Вестник ЛГУ, сер. 4, 1987, вып. 3 (№ 18), с.107−110.
  186. С.Б., Новиков А. Б., Соловьев Л. Е. Влияние интерференции добавочных волн на интегральный коэффициент экситон-ного поглощения // ФТТ, 1988, т. 30, вып. 5, с. 1431−1436.
  187. С.Б., Москалев Ю. В., Московский C.B., Соловьев Л. Е. Влияние добавочных светоэкситонных волн на аналитические свойства оптических функций отклика тонких кристаллических пластинок // Опт. и спектр., 2004, т. 96, вып. 4, с. 597−607.
  188. Ю.В., Московский С. Б., Соловьев Л. Е. Многолучевое отражение света плоскопараллельными кристаллическими пластинками в присутствии добавочных светоэкситонных волн // Опт. и спектр., 2003, т. 94, вып. 2, с. 238−244.
  189. С.Б. Интерференционное отражение и пропускание света тонкими кристаллическими пластинками в экситонной области спектра при учете пространственной дисперсии и безэкситон-ных слоев на поверхностях // Ярославль, изд-во ЯГПУ, 2004, 40 с.
  190. С.Б. Пропускание и отражение света тонкими полупроводниковыми пластинками в экситонной области спектра при наличии пространственной дисперсии и поверхностных безэкситонных слоев // Опт. и спектр., 2005, т. 98, вып. 3, с. 423−430.
  191. Musienko T., Rudakov V., Solov’ev L. On the application of Kramers-Kronig relations to media with spatial dispersion //J. Phys.: Condens. Matter, 1989, v. 1, p. 6745−6753.
  192. Е.А., Милославский В. К., Шкляревский И. Н. О применении дисперсионных соотношений Крамерса-Кронига для расчета фазы волны, отраженной от тонких диэлектрических слоев // Опт. и спектр., 1970, т. 29, вып. 4, с. 789−793.
  193. В.А. Отражение света. М., Наука, 1973. 351 с.
  194. Koffink W. Reflexion electromagnetischer Wellen an einer inhomogener Schicht // Ann. der Phys., 1947, Bd. 1, s. 119−124.
  195. С.Б., Соловьев JI.E. Влияние пространственной дисперсии на оптические характеристики закиси меди в области ква-друпольного экситонного перехода // Вестник ЛГУ, 1983, № 10, с. 85−87.
  196. С.Б. Интерференция светоэкситонов в кристаллах большой толщины // Опт. и спектр., 2008, т. 104, вып. 2, с. 276−278.
  197. Физика и химия соединений АгВб / Под ред. Медведева С. А. М.: Мир, 1970. — 624 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!