Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда
Диссертация
Публикации и апробация работы. Материалы диссертационной работы содержатся в 49 публикациях, а также доложены и обсуждены на 15 Всесоюзных конференциях, совещаниях и школах: I) 2-й Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников, Новосибирск, 1967; 2) 4-е Всесоюзное совещание по электронным явлениям на поверхности полупроводников, Киев… Читать ещё >
Список литературы
- Абакумов В.Н., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Теория захвата электронов на притягивающие центры в полупроводниках при фотовозбуждении. — ЖЭТФ, 1977, т. 72, № 2, о. 674−686.
- Аграфенина Е.Н., Болховитянов Ю. Б., Болховитянова Р. И., Миллер Н. И. Электронная техника, 1972, сер. 2, вып. I, о* 129.
- Адирович Э.И., рубинов В.М., Юабов Ю. М. О природе АФН-эффекта в полупроводниковых пленках. ДАН СССР, сер. физ.-мат., 1966, т. 168, С. 1037−1040- 1967, т. 171, с. 545−548.
- Акопян А.А., Грибников З. С., Конакова Р. В., Тхорик Ю. А., Шварц Ю. М. Обратные токи р±&е- n-(jaAs- гетеропереходов. -Физика и техн. полупроводников, 1975, т. 9, № 9, с. 1799−1803.
- Аликин В.И., Овсюк В. Н. Электропроводность поликристаллическо1.го германия в зависимости от температуры и давления. — Неорганические материалы, 1975, т. II, № 5, с. 795−801.
- Алферов Ж.И. Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего. В сб.: Физика сегодня и завтра. Прогнозы науки / под ред. Тучкевича В. М. М., Наука, 1973.
- Алферов Ж.й., Андреев В. М., Портной Е. Л., Протасов И. И. Коор-динатно-чувствительные фотоэлементы на основе гетеропереходов AIXAs fraAs. — Физ. и техн. полупроводников, 1969, т. 3, Jfc 9, с. I324−1327.
- Алферов Ж.И., Конников С, Г., Корольков В. И., Смирнов В. Б., Третьяков Д. Н., Яковенко А. А. Об одной возможности оценки влияния границы раздела в гетеропереходах на основе твердых растворов. Физ. и техн. полупроводников, 1973, т. 7, — ц1 с. 1423−1429.
- Алышрович В.Л., Кравченко А. Ф., Паханов Н. А., Терехов А. С. Влияние термализации электронов на спектры фотоответа структур арсенид-галлия металл при 1,6 К. — Письма в ЖЭТФ, 1978, т. 28, е. 551.
- Альперович В.Л., Кравченко А. Ф., Паханов Н. А., Терехов А. С. Физ. и техн. полупроводников, 1980, т. 14, с. 1768.
- Бакуева Л.Г., Винчаков В. Н., Зубкова Т.й. Неидеальные гетеропереходы на основе сульфида свинца. Физ. и техн. полупроводников- 1978, т. 12, * 4, с. 820−821.
- Басс Ф.Г., Гуревич Ю. Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разряда. М., Наука, 1975.
- Бедный Б.И., Калинин А. Н., Карпович И. А. Исследование поверхностных ловушек в &aAs методами поверхностного легированияи эффекта поля. Физ. и техн. полупроводников, 1977, т. II, Jfc 2, с. 325−329.
- Бедный Б.И., Шилова М. В., Тихов С. В., Карпович И. А. Влияние анодного окисления на фотопроводимость и состояние поверхности эпитаксиального GaAs . Физ. и техн. полупроводников, 1980, т. 14, Jfe II, с. 2134−2138.
- Берлага Р.Я., Быкова Т. М. Влияние адсорбированного кислорода на фотоЭДС слоев сернистого свинца. Физ. тверд, тела, I960, т. 2, № 12, с. 3045−3047.
- Берлага Р.Я., £уденок М.И. Получение реплик с поперечных сечений тонких слоев. Физ. тверд, тела, 1961, т. 3, J& 2, с. 625−626.
- Берлага Р.Я., М.А., Страхов Л. П. Фото электродвижущая- 4i5 сила у сернисто-свинцовых сопротивлений. Ж. техн. физики, 1955, т. 25, № II, с. 1878−1883.
- Бочкарева Н.И. Влияние «пичка» в зоне проводимости на люкс-амперные характеристики р-п-гетеропереходов P&S- &-е . -Физ. и техн. полупроводников, 1977, т. II, с. 1453−1459.
- Буров В.А., Нориков Ю. Д., Салуквадзе Л. В., Егоров Б. Н. Определение донорно-акцепторных свойств молекул в процессах адсорбции и катализа методом измерения проводимости неоднородной полупроводниковой структуры. ДАН СССР, 1977, т. 237,6, с. 1384−1387.
- Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. М., ЙЛ, 1962, 558 с.
- Васильева Л.Л., Покровская С. В., йсанов А.В. Исследования сульфидированной поверхности германия. В сб.: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. Новосибирск, Наука, 1967, с. 18−21.
- Власенко А.В., Гергель В. А. Распределение потенциала и плотности заряда инверсионного слоя близ края электрода в ЩП-структурах. Микроэлектроника, 1979, т. 8, № 5, е. 445−448.
- Власов Ю.Г., Тарантов Ю. А., Барабан А. П., Летавин В. П. О ионной чувствительности системы раствор электролита StQj, — Sc . — I. прикл. химии, 1980, т. 53, J6 9, с. 1980−1985.
- Власов Ю.Г., Тарантов Ю. А., Летавин В. П. О чувствительности системы раствор электролита Si^- 5i к ионам водорода. — Ж. прикл. химии.!, 1980, т. 53, № 10, с. 2345−2347.
- Волков С.А. Влияние прогревов в вакууме на стабильность ВДП-структур AI &G . — Микроэлектроника, 1977, т. 6,1. Jfc 3, с. 293−295.
- Волков С.А., Горохов Е. Б., Неизвестный И. Г., Овсш В. Н. Ие- Мб следование гистерезисных явлений в структурах AI S< 02 — . — Микроэлектроника, 1975, т. 4, с. 248−253.
- Волков С.А., Жмуриков Е.й., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Токи термостимулированной деполяризации в пленках S. -Микроэлектроника, 1979, т. 8, с. 455−458.
- Волков С.А., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Вютерезисные явления в ВДП-структурах на германии. В монографии: Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник./ под ред. Рканова А. В. М., Наука, 1976, с. 190−221.
- Волков С.А., Овсюк В. Н. О механизмах проводимости нитрида кремния в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. -Микроэлектроника, 1981, т. 10, № 3, с. 227−234.
- Волков С.А., Овсюк В. Н., Покровская С. В. Влияние заряженной формы адсорбции на проводимость поверхностных каналов в полупроводниках. Поверхность, физика, химия, механика, 1983,1. Jfc 4, с. II5−122.
- Волькенштейн §-.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках, М., ЭДФМЛ, I960, 188 с.
- Гергель В.А., Старикова Т. Н., Тишин Ю. И. Релаксационные процессы в ВДП-структурах при больших напряжениях. Микроэлектроника, 1979, т. 8, № 4, с. 351−356.
- Гергель В.А., Сурис Р. А. Теория поверхностных состояний и проводимости в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. -ЖЭТФ, 1983, т. 84, № 2, с. 719−736.
- Горохов Е.Б., Каменкович Е. Л., Неизвестный Й. Г., Покровская С. В. Электрофизические свойства ЩЩ-структур на основе &-е -- Sl02 Stj/v/*, — AI. — Микроэлектроника, 1976, т. 5, А 4, с. 354−358.
- Гринев В.й., Киселев В. Ф., Матвеев В. А. Об энергетическом спектре центров рекомбинации на реальной поверхности германия. Физ. и техн. полупроводников, 1980, т. 14, № 7,с. I4I0-I4I2.
- Гуртов В.А., Французов А. А. Полевой транзистор со сверхтонким подзатворным диэлектриком. Микроэлектроника, 1977, т. 6, Jfc 5, с. 458−460.
- Гутов В.И., Квон З. Д., Неизвестный Й. Г., Овсюк В. Н., Ржа-нов Ю.А. Приповерхностная область пространственного заряда германия в условиях размерного квантования. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 9, с. 71−76.- *М8
- Гэретт К, Браттен В, Физическая теория поверхности полупроводника, В сб.: Проблемы физики полупроводников / под ред. Бонч-Бруевича В.Л. М., ИЛ, 1957, с. 345−365.
- Добровольский П. П, Исследование неоднородности электрофизических параметров ЩД-структур. Автореферат кандидатской диссертации, Новосибирск, ИШ GO АН СССР, 1979, 19 с.
- Дроздов В.Н., Ковалевская Т. И., Ржанов А. В., Свиташев К. К. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий термическая двуокись германия. — Микроэлектроника, 1973, т. 2, № 2, с. 154−158.
- Жуков Н.Д., Климов Б. Н. Исследование полной дифференциальной проводимости гетеропереходов с целью определения параметров промежуточных состояний. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т. 10, № 6, с. 1035−1037.
- Зарифьянц Ю.А., Киселев В. Ф., Козлов С. Н., Новотоцкий-Вла-сов Ю.Ф. Об энергетическом спектре быстрых электронных ловушек на реальной поверхности полупроводника. Вестник МГУ, сер. физики, астрономии, 1975, т. 16, * I, с. 84−91.
- Захаров А.К., Корншкин Н. А., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Квазистатический метод определения поверхностного потенциала в полупроводниках. Микроэлектроника, 1978, т. 7, № 2,с 174−177.
- Захаров А.К., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Емкостное и активное сопротивление на высокой частоте у германия смешаннойпроводимости в структурах ВДП при отсутствии поверхностных % состояний. Микроэлектроника, 1975, т. 4, № 2, с. 173−178.
- Захаров А.К., Неизвестный Й. Г., Овсюк В. Н. Релаксация неравновесной емкости. В монографии: Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / под ред. Ржанова А. В., М., Наука, 1876, с. 47−97.
- Захаров А.К., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Релаксация неравновесной емкости в ЩШ-структурах. Микроэлектроника, 1976, т. 5, В 2, с. 150−163.
- Зуев В.А., Саченко А. В., Толпыго К. Б. Неравновесные прдоо-верхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М., Сов, радио, 1977, 256 с.
- Карпова И.В., Калашников С. Г. *Время жизни электронов и дырок в сильно легированном германии. Физ. тверд, тела, 1963, т. 5, с. 301.
- Карпович И.А. Исследование высоковольтной фотоЭДС слоев В сб.: Электронно-дырочные переходы в полупроводниках. Ташкент, АН УзССР, с. 205−217.
- Карпович И .А., Шилова М. В. Исследование высоковольтной фотоЭДС сдоев трехсернистой сурьш. Физ. тверд, тела, 1963, т. 5, Jfc 12, с. 3560−3568.
- Кашкаров П.К., Киселев В. Ф., Петров А. В. Влияние лазерного облучения на поверхностные электронные состояния германия. -Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 12, с. 47−53.
- Квон З.Д., Неизвестный Й.Г*, Овсюк В. Н., Ржанов А. В. Германиевый ОД1-транзистор. Микроэлектроника, 1976, т. 5, й 4, с. 363−366.
- Квон З.Д., Неизвестный Й. Г., Овсюк В. Н., Ржанов Ю#А. Магне-тосопротивление инверсионных каналов на поверхности германия. В сб.: Физика тонкопленонных систем / под ред. Вкано-ва А. В. Новосибирск, ЙШ СО АН СССР, 1978, с. 61−66.
- Квон З.Д., Неизвестный Й. Г., Овсюк В.Н, Вканов Ю. А. Аномальный холл-фактор в электронных инверсионных каналах на германии. Письма в ЖЭТФ, 1979, т. 30, В 3, с, 189−192*
- Клименко А .П., Матвеева I.A., Тйорик Ю. А. Полупроводниковые приборы с гетеропереходами. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, Киев, Наукова думка, 1971, Л 5, с" 88−100.
- Клаус Х.Й., Овсюк В.Н, Ржанов А. В., Сердюк Ю.й., Черепов Е.й. Исследование фотогенерации за краем фундаментального поглощения кремния в приборах с зарядовой связью. Физ. и техн. полупроводников, 1982, т. 16, В 7, о. 1239−1243.
- Ковалевская Т.Е., Неизвестный Й. Г., Овсюк В.Н*.Частотная зависимость дифференциальной емкости ВДП-структур, обусловлен!!! ная спектром поверхностных состояний. Микроэлектроника, * 1974, т. 3, J& 6, с. 550−553.
- Ковалевская Т.Е., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Процессы захвата носителей заряда в ВДП-структурах. В сб.: Электронные процессы на поверхности полупроводников и на границах раздела полупроводник-диэлектрик. Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1974, с. 71−82.
- Ковалевская Т.Е., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н. Поверхностные состояния в ВДП-структурах. В монографии: Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / под ред. йканова А.В. М., 1976, с. 17−46.
- Ковалевская Т.Е., Овсюк В. Н. Термодесорбция воды с «реальной» поверхности германия. Сб. рефератов депонированных работ, 1. JH 9, ВИМИ, 1973.
- Ковалевская Т.Е., Овсюк В. Н., Ржанов А. В. Свойства структур- AbjOg, полученных методом реактивного катодного распыления. -Микроэлектроника, 1975, т. 4, $ 2, с. 185−188.
- Ковбасюк В.П., Литовченко В. Г. Укр. физ. журнал, 1967, т. 12, с. 403.
- Ковтонж Н.Ф. Электронные элементы на основе структур полупроводник-диэлектрик. М., Энергия, 1976, 184 с.
- Ковтонюк Н.Ф., Федонин В. Н. 0 природе высоковольтной фотоЭДС в тонких слоях полупроводников. Изв. Вузов, физика, 1967, т. 6, с. 40−43.
- Коган В.И., Галицкий В. М. Сборник задач по квантовой механике. М., ШТТ1, 1956, 416 с.- кп
- Козлов С.Н., Новотоцкий-Власов Ю.Ф., Киселев В. Ф. Об эффективных параметрах медленных состояний на поверхности германия. Физ. и техн. полупроводников, 1972, т. 6, № II, с. 2102−2106.
- Коноров П.П. Электрофизические процессы на поверхности полупроводников в системе полупроводник-электролит. Докторская диссертация, Ленинград, ЛГУ им. А.А.!данова, 1970.
- Кравченко А.Ф., Назинцев В. В., Овсюк В. Н., Савченко А. П. Релаксация энергии горячих фотоэлектронов в приповерхностной области полупроводника. Физ, тверд, тела, 1980, т. 22,7, с. 2204−2206.
- Кравченко А.Ф., Овсюк В. Н., Паханов Н. А. Осциллирующая поверхностная фотоЭДС на горячих электронах. Письма в ЖЭТФ, 1981, т. 34, Jfc 3, с. 129−132.
- Кундзич А.Г., Саченко А. В. Квантование энергетического спектра в узких приповерхностных каналах и явления переноса.
- В сб: Электронные процессы на поверхности полупроводников и* на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1974, с. 228−232.
- Курышев Г. Л., Хашшулин Н. И., Постников К. О. Генерационные процессы в ВДП-структурах на в режиме неравновесного обеднения. Физ. и техн. полупроводников, 1981, т. 15, № 4, с. 654.
- Ламперт М.А., Марк П. П. Инжекционные токи в твердых телах. М., Мир, 1973.
- Ландсберг Г. С. Оптика. М., ГЙТТЛ, 1957.
- Литовченко В.Г. Исследование неравновесных электронных про*-цессов на поверхности полупроводников и в области пространственного заряда. Докторская диссертация, Киев, ИШН УССР, 1970.
- Литовченко В.Г. Основы физики полупроводниковых слоистых систем. Киев, Наукова думка, 1980, 284 с.
- Литовченко В.Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.- Киев, Наукова думка, 1978, 315 с.
- Литовченко В.Г., Ковбасюк В. П., Свириденко П. Т. Физ. тверд, тела, 1966, т. 8, с. 1147.
- Магарилл Л.й., Энтин М. В. О форме энергетического спектра- w электрона в одномерной случайной решетке. ЖЭТФ, 1966, т. 51, № 6, с. I852−1855.
- Мак-Кельви Дж., Лонжини Р. Скорость объемной и поверхностной рекомбинации носителей заряда в полупроводниках. В сб.: Проблемы физики полупроводников / под ред. Бонч-Бруевича B.JT. М., ИЛ, 1957, с. I09-I2I.
- Мальцев А.И., Масловский В. М., Нагин А. П., Поспелов В. В. — Су-рио-Р.А., Фукс Б. И. Пространственное распределение объемного заряда в диэлектрике МОП-структуры. Микроэлектроника, 1976, т. 5, В 3, с. 340.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. -М., Мир, 1977, 562 с.
- Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М., Мир, 1973, 432 с.
- Мищенко А.П., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н., Синюков М. П. Исследование края фундаментального поглощения полупроводникас помощью фотоемкостного тока. Физ. и техн. полупроводников, 1976, т. 10, с. 10−14.
- Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника. М., Мир, 1976.
- Мурель В.В., Никандров А. Й., Шитова Э. В., Зорин Е. И. Микроэлектроника, 1977, т. 6, Ш 3, с. 276−279.
- Настаушев Ю.В., Овсюк В. Н. Генерация носителей заряда в полупроводнике через «приповерхностные» состояния. Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 12, с. 34−39.
- Нахмансон Р.С. Теория поверхностной емкости. Физ. тверд, тела, 1964, т. 6, № 4, с. III5-II24.
- Нахмансон Р.С. Эквивалентная схема поверхности полупроводника. В сб.: Электронные процессы на поверхности и в монокристаллических слоях полупроводников. Новосибирск, Наука, 1967, с. 86−96.
- Нахмансон P.G. Конденсаторная фотоЭДС при различных законах генерации. Физика и техн. полупроводников, 1970, т. 4,3, с. 439−450.
- Нахмансон Р.С., Овсюк З. Ш., Попов 1.К. Частотные зависимости фотоЭДС в сильно инвертированных германиевых и кремниевых
- ЩЗД-структурах. В сб.: Электронные процессы на поверхности полупроводников и на границе раздела полупроводник-диэлектг рик. Новосибирск, ИФП СО АН СССР, 1974, с. 158−168.
- Неизвестный Й.Г., Овсюк В.Н*, Покровская С. В. Германиевые ВДП-структуры. В монографии: Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / под ред. Ржанова А. В. М., Наука, 1976, с. 126−147.
- Неизвестный И.Г., Овсюк В. Н., Покровская С. В., Синюков М. П. Исследования границы раздела германий-диэлектрик. В сб.: Доклады первой национальной конференции. Полупроводниковая электроника (доклад $ 60). Ботевград, Болгария, 1972.
- Неизвестный И.Г., Овсюк В. Н., Шипов П. М. О свойствах поверхности термически окисленной в озонированном кислороде. -Микроэлектроника, 1972, т. I, с. 294−297.
- Новотоцкий-Власов Ю. Ф. Природа центров рекомбинации на поверхности германия. Труды ФЙАН СССР, 1969, т. 48, с. 3−75.
- Овсюк В. Н. Угловая зависимость фотоЭДС в напыленных пленках
- Р&-5. Физ. и техн. полупроводников, 1968, т. 2, № 8, с. II85-II87.
- Овсюк В.Н. Введение в физику структур металл-диэлектрик-полупроводник. Новосибирск, НГУ, ч. I, 1976- ч. 2, 1977.
- Овсюк В.Н. Импеданс полупроводника и фотоЭДС в ВДП-структу-рах на малом переменном сигнале. Физ. и техн. полупроводников, 1979, т" 13, № 6, с. 1240.
- Овсш В.Н. Влияние приповерхностных областей пространственного заряда на фотопроводимость полупроводников. Физ. и техн. полупроводников, 1979, т. 13, № 6, с. 1057−1064.
- Овсюк В.Н. Теория дифференциальной проводимости гетеропереходов при наличии электронных состояний на границе раздела. -Физ. и техн. полупроводников, 1980, т. 14, $ 2, с. 217−225.
- Овсюк В.Н. Поверхностные соотояния в полупроводниках. Новосибирск, НГУ, 1980, 91 с.
- Овсюк В.Н. Фоточувствительность гетеропереходов при разрывах краев зон на их границах раздела. Физ. и техн. полупроводников, 1982, т. 16, Ш 13, с. 1037−1045.
- Овсш В.Н. Продольная диффузия неравновесных носителей заряда в тонких образцах полупроводников. Физ. и техн. полупроводников, 1982, т. 16, № 12, с. 2I46−2I5I.
- Овсюк В.Н., Ежанов А. В. 0 квазинепрерывном спектре состояний на поверхности полупроводников. Физ. и техн. полупроводников, 1969, т. 3, № 2, с. 294−296.
- Овсюк В.Н., Ржанов А. В. Электрофизические свойства тонких пленок полупроводников. Новосибирск, НГУ, 1980, 96 с.
- Овсюк В.Н., Смирнов JT.C. Влияние электронной бомбардировки на состояние поверхности германия. Физ. тверд, тела, 1964, т. 6, с. 3031−3037.
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М., Мир, 1973, 456 с.
- Пикус Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. -М., Наука, 1965, 448 с.
- Пипа В.И. О проводимости приповерхностных слоев пространственного заряда в полупроводниках. Физ. и техн. полупроводников, 1970, т. 4, № 9
- Полупроводниковые формирователи сигналов изображения. Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Вилле и М.Уайта. М., Мир, 1979.
- Проблемы физики поверхности полупроводников / под ред. Снит-ко О.В. (авторы: Снитко О. В., Саченко А. В., Примаченко В.Е.и др.). Киев, Наукова думка, 1981, 332 с.
- Репинский С.М., Овсюк В. Н., Шипов П. М. ВДД-структуры на основе германия и германатно-силикатных стекол. Микроэлектроника, 1975, т. 4, № 4, с. 361−363.129. йшнов А. В. Физ. тверд, тела, 1962, т. 4, с. 1279.
- Ржанов А.В. Исследования некоторых электронных процессов на поверхности германия. Труды ФИАН СССР, 1963, т. 20, с. 3.
- Вшнов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М., Наука" 1971, 480 с.
- Вжанов А.В., Свиташев К. К., Филатова Е. С., Шепель В. М. Исследование поверхностной фотопроводимости германия. Физ. тверд, тела, т.1966, т. 8, Jfc 3, с. 758−765.- А28
- Ржанов А.В., Синица С. П. Системы памяти на основе J/ЩИ- и ШОП-структур. Микроэлектроника, 1977, т. 6,. J66, с.491−501.
- Ржанов А.В., Синюков М. П. Физ. и техн. полупроводников, 1968, т. 2, с. 504.
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М., Мир, 1966.
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М., ГИФМЛ, 1963.
- Рывкин С.М., Тархин Д. В. «Замороженная» проводимость и фотопроводимость в кремнии с р-п-переходом при низких температурах. Физ. и техн. полупроводников, 1973, т. 7, Л 7, с. 1447−1450.
- Садофьев Ю.Г., Перелыгин А.й. Микроэлектроника, 1974, т. 3, с. 520.
- Саченко А.В. О влиянии поверхностных состояний на потери в приборах с зарядовой связью. Микроэлектроника, 1975, т. 4, № 2, с. 170−173.
- Саченко А.В. Поверхностно-чувствительные фотоэффекты в полупроводниках. В сб.: Материалы 4-й Всесоюзной школы-сеш-нара по физике полупроводников. Ленинград, ЛГУ им. А. А. Жданова, 1979, о. 241−270.
- Саченко А.В., Снитко О. В. Особенности кинетики фотоэффектов в полупроводниках при произвольном изгибе зон на поверхности'. Физ. и техн. полупроводников, 1969, т. 3, I 8, с. 1273−1274.
- Свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник / подред. Ржанова А. В. (авторы: Ковалевская Т. Е., Неизвестный И. Г., Овсюк В. Н., Захаров А. К. и др.). М., Наука, 1976, 280 с.
- Смит Р. Полупроводники. М., ИЛ, 1962, 460 с.
- Снитко О.В. Исследование электрофизических свойств поверх-ности германия, кремния и сульфида кадмия при различных активных воздействиях. Докторская диссертация, Киев, ШПАН УССР, 1968.
- Стафеев В.И., Банин Е. С., 1Усаров А.В., Терехович Т. Ф., Пелевин О. В., Николаев М.й. Исследование гетеропереходовп-РЬ-j-x 5пх Те р-Р& jx SnxTe,. — Физ. и техн. полупроводников, 1978, т. 12, № 9, с. I7I4-I7I8.
- Стерн Ф. Квантовые свойства поверхностных слоев пространственного заряда. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела, вып. 2. — М., Мир, 1977, с. 280−305.
- Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник. Киев, Наукова думка, 1974, 264 с.
- Сытенко Т.И. Электрофизические свойства арсенида галлия. -Киев, КПЙ, 1978, 100 с.
- Тареев В.М. Физика диэлектрических материалов. М., Энергия, 1973.
- Тихов С.В., Бедный Б. Й., Карпович И. А., Мартынов В.В.
- О зарядовом состоянии диэлектрика в структуре ареенид галлия анодный окисел. — Микроэлектроника, 1981, т. 10, № 3, с. 250−252.
- Федорович Ю.В. Электронно-ионные процессы в структурах полупроводник-диэлектрик. В кн.: Элементарные физико-химические процессы на поверхности монькристаллических полупроводников / под ред. Ржанова А. В* Новосибирск, Наука, 1975, с. 137−149.
- Федорович Ю. В, Фогель В. А, Участие электронно-ионныь процессов в поверхностных явлениях полупроводников. В сб.: Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников / под ред. Вканова А. В. Новосибирск, Наука, 1972, с. 181−234.
- Фогель В.А. Электронная техника, 1971, серия 2, вып. I, с. 87.
- Чаплик А.В., Энтин М. В. ЖЭТФ, 1968, т. 55, с. 990.
- Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Ш, 1953.
- Шокли В., Рид У. Статистика рекомбинации дырок и электронов. В сб.: Полупроводниковые электронные приборы / подред. Ржанова А. В. М., ИЛ, 1953, с. I2I-I40.
- Шотов А.П. Пробой электронно-дырочных переходов в германии на ударном напряжении. ЖТФ, 1956, т. 26, № 8,0.1634−1645.
- Эдельмад Ф.Л. Структуры компонентов БИС. Новосибирск, Наука, 1980, 256 с,
- Электронные явления на поверхности полупроводников / под ред. Ляшенко В. И. (авторы: Ляшенко В. И., Литовченко В. Г., Стеико И. И., Стриха В. И., Ляшенко Л.В.). Киев, Наукова думка, 1968, 400 с.
- Энтин М.В. Поверхностная подвижность электронов в условиях квантующего изгиба зон. Физ. тверд, тела, 1969, т. II, 1. J* 4, с. 958−961.
- Юнович А.Э., Тихонов В. И. О кинетике поверхностных явлений в кремнии. В сб.: Поверхностные свойства полупроводников / под ред. Фрумкина А. Н, Ржанова А. В. и Бурштейн Р.Х.
- М., АН СССР, 1962, с. 138−147.
- Яковлева Г. Д. Таблицы функций Эйри и их производных. -М., Наука, 1969, 377 с. 168. .American Institute of Physics Handbook, 2nd,
- McGrow Hill Book Company, Inc., New York, Toronto, London, 1963, pp 6−107.
- Braunstein R., Moore A.R., Herman F. Phys. Rev., 1958, v. 109, No 3, p. 695−710.
- Calsolary P.V., Graffi S., Morandi C. Solid-State Electronics, 1974, v. 17, No 10, p. 1001−1004.
- Dash W.C., Newman R., Intrinsic Optical Absorption in Singl-Cristal Germanium and Silicon at 77 and 300 K. Phys, Rev., 1955, v. 99, p. 1151−1155.
- Donnely J.P., Milnes A.G. The capacitance of p-n-heterojunction including the effects of interface states. IEEE Trans. Electron. Dev., 1967, v. ed-14, No 2, p. 63−68.
- Dunbar P.M., Hauser I.R. Solid State Electronics, 1976, v. 19, p. 95.
- Pang P.P., Powler A.B. Transport Properties of Electrons in Inverted Silicon Surface. Phys. Rev., 1968, v. 169, p. 619 631.175″ Prankl D.H. Electrical properties of semiconductor surfaces. Pergamon Press, Oxford-London, 1967.
- Garlik G.P., Gibson A.P. Proc. Phys. Soc., 1968, v. 60, p. 574.
- Garrett C.G., Brattain W.H. Bell Syst. Techn. J., 1956, v. 35, p. 1041.
- Ginovker A. S., Gritsenko V.A., Sinitsa S.P. Two-Band Conduction of Amorphous Silicon Nitride. Phys. Stat. Sol. (a), 1974, v. 26, No 2, p. 489.
- Grafe W. Field effect measurement on silicon and germanium with high frequency current. Phys. Stat. Sol., (a), 1971, v. 4', No 2, p. 369−373.- ЦЪЬ
- Gray P.V., Brown D.M. Density of Si-Si02 interface states. -Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, No 2, p. 31−33.
- Greene R. I1., Bixler D., Lee R.N. Semiconductor Surface Electrostatics. J. Vac. Sci. and Techn., 1971, v. 8, 3Jo 1,
- Gritsenko V.A. XX Int. Kolloquium, Ilmenau, 1975, Heft 5, p. 127″
- Harper P.G., Hodby J.W., Stradling R.A. Reports on Progress in Physics, 1973, v. 36, p. 57.
- Hornbeck I.A., Haynes I.R. Phys. Rev., 1952, v. 97, p. 311- 1955, v. 100, p. 606.
- Iwauchi S., Tanaka T. Jap. J. Appl. Phys., 1971, v. 10, p. 260.
- Kendall P. Conference on the physics and applications of lithium diffused silicon, MSA, 1969.
- Koomen J. The measurements of interface states charge in the MOS-system. Solid State Electronics, 1971, v. 14, No 7, p. 570−580.
- Kravchenko A.F., Nazintsev V.V., Ovsyuk V.N., Savchenko A.P. Energy Relaxation of Photoecxited Hot Electrons in the Near-Surface Region of Semiconductors. Phys. Stat. Sol. (a), 1980, v. 59, p. к151-к154.
- Kvon Z.D., Neizvestny I.G., Ovsyuk V.N. Effect of the reverse bias between channel and substrate on the effective mobility of electrons in Ge i.g.f.e.t. Electronics Lett., 1977, v. 13, No 20, p. 624−626.
- Lehovec K., Slobodskoy A., Impedance of semiconductor-insula-tor-metall capacitors. Solid State Electronics, 1964, v. 7, No 1, p. 59−79.- ы
- Makinson R.E., Roberts A.P. Austr. J. Phys., i960, v. 13, p. 437.
- Many A., Goldstein У., Grover N.B. Semiconductor surfaces.- New York, John Willey and Sons, Inc., 1965.
- Murphy N.S., Berz P., Flinn J. Solid State Electronics, 1969, v. 12, p. 775.
- Nakhmanson R. S. Solid State Electronics, 1976, v. 19, p. n745
- Nathanson H.C., Jund D., Grosvalet J. IEEE Trans. Electron. Dev., 1968, v. ED-15, p. 362.
- Neisvestny I.G., Ovsyuk V.N. Statistics of Recombination trough Quasicontinuous Spectrum of Surface States. Phys. Stat. Sol. (a), 1973, v. 18, p. 465−471.
- Nikollian E.H., Goetzberger A. The Si-Si02 interface electrical properties as determined by the MIS-conductance technique.- Bell System Techn. J., 1967, v. 46, p. 1055−1133.
- Preier H. IEEE Trans. Electron. Dev., 1968, v. ED-15, No 12, p. 990.
- Preier H. Surface Sci., 1969, v. 17, p. 125.
- Rogers G.G. Solid State Electronics, 1968, v. 11, p. 1079.
- Ross E.G., Wallmark J.T. RCA Rev., 1969, v. 30, p. 366.
- Sah C.T., Shockley W. Electron-hole recombination statistics in semiconductors through flows with charge conditions. -Phys. Rev., 1958, v. 101, No 4, p. 1103−1115.
- Schwabe G. Zeitschrift fur laturforschung, 1955, B. 10-a, No 1, s. 78−81.
- Sher A., Crouch R.K., Lu S.S., Miller W.E., Moriarty J.A.- Appl. Phys. Lett., 1978, v. 32, No 11, p. 713.
- Shik A. Ya., Shmartsev Yu.V. On the theory of non-ideal hete- А55 injunctions. Phys. Stat. Sol., 1981, v. 64, No 2, p. 723−734.
- Shockley W. On surface states associated with a periodic potential. Phys. Rev., 1939, v. 56, p. 317.
- Sesnic S.S., Graig G.R. IEEE Trans. Electron Dev., 1972, v. ED-19, p. 933.
- Sitenko T.N., Tyagulski I.P., Lyashenko V.I., Lisenko V.S. Role of the surface band bending in residual conductivity formation in epitaxial GaAs films.- Phys. States Sol. (a), 1975, v. 30, No 2, p. 755−763.
- Stern P. Self consistent residual for n-type Si inversion layers. Phys. Rev., 1972, v. B5, p. 4891−4906.
- Sze S.M. Current Transport and Maximum Dielectric Strengh of Silicon Nitride Films. J. Appl. Phys., 1967, v. 38, No 7, p. 2951.
- Sze S.M., Gibbons G. Avalanche breakdown voltage of abrupt and lineary graded p-n-junctions in Ge. Appl. Phys. Lett., 1966, v. 8, No 3, p. 111−115.
- Tanabashi K., Kobayashi K. Properties of Vapor Deposited Silicon Nitrid Films with Varying Excess Si Content. Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 12, No 5, p. 641.
- Tamm I.E. Phys. Z. Sovjetunion, 1933, B. 1, s. 733.
- Tyagi M.S., Van Overstraeten R. Solid State Electronics, 1 1983, v. 26, p. 577.
- Van Overstraeten R.J., Declerk G.J., Muls P.A. IEEE Trans. Electron. Dev., 1975, v. ED-22, p. 282.
- Velde T.S. Mathematical analysis of a heterojunction, applied to the copper sulphide cadmium sulphide solar cell.
- Solid State Electronics, 1973, v. 16, No T-12, p. 1305−1314.
- Walden R.H. A Method for the Determination of High-Field Conduction Lows in Insulating Films in the Presence of Charge
- Trapping. J.Appl.Phys., 1972, v. 43, No 3, p. 1178.
- Wallmark J.T. A new semiconductor photocell using lateral photoeffect. Proc. IRE, 1957, v. 45, No 4, p. 474−483.
- Wallmark J. Т., Scott J.H. RCA Rev., 199, v. 30, p. 335.
- Werner C., Eder A., Bernt H. Solid State Electronics, 1981, v. 24, No 3, p. 275−279.
- Wu S.H., Anderson R.L. Solid State Electronics, 1974, v. 17, p. 1125.
- Wu Ch.-Yu., Chen I.P. Solid State Electronics, 1982, v. 25, p. 679.
- Yeargen J.R., Taylor H.L. The Poole-Prenkel Effect with Compensation Present. J. Appl. Phys., 1968, v. 39, p. 500.
- Yun B.H. Measurements of charge propagation in Si^N^ films. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, No 6, p. 340.
- Zerbst M. Relaxationsefgekte an Halbleiter-Isolator Grenz-flachen. Zs. angew. Phys., 1966, B. 22, No 1, s. 30.