Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Содержание и форма присутствия примесей кислорода и углерода в изотопно обогащенном и поликристаллическом кремнии

Диссертация: Содержание и форма присутствия примесей кислорода и углерода в изотопно обогащенном и поликристаллическом кремнии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Si, iVSi и Si поликристаллического и монокристаллического кремния привело к необходимости разработки высокоточных методов, обеспечивающих контроль его примесного состава. Одним из таких методов явился метод ИКС. Данные по применению метода ИКС при анализе поликристаллического кремния немногочисленны, существует ряд проблем, связанных с многообразием форм нахождения С и О в поликристаллическом… Читать ещё >

Содержание и форма присутствия примесей кислорода и углерода в изотопно обогащенном и поликристаллическом кремнии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • КРЕМНИИ
  • Специальность: 02.00.01 — неорганическая химия)
  • Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук
  • Научный руководитель: доктор химических наук Гусев А. В
  • Нижний Новгород
  • СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ БЗП — бестигельная зонная плавка
  • МГВП — метод вакуумного или газового плавления
  • НАА — нейтронно-активационный анализ
  • ЗЧАА — активационный анализ с использованием заряженных частиц ТД — термодоноры

ЭПР — электронно-парамагнитный резонанс МСВИ — масс -спектрометрия вторичных ионов ЛМС — лазерная масс —спектрометрия TJIMP — тандемный масс- рефлектрон ИКС — инфракрасная спектроскопия ФА — функция аподизации ПО — предел обнаружения

О- - кислород в положении внедрения (interstitial) Cs — углерод в положении замещения (substitution)

ГЛАВА 1. ПРИМЕСИ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА В КРЕМНИИ И МЕТОДЫ ИХ ОПРЕДЕЛЕНИЯ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР).

1.1. Кислород и углерод в кристаллическом кремнии.

1.1.1. Свойства и форма присутствия примеси кислорода в кремнии.

1.1.2. Свойства и форма присутствия примеси углерода в кремнии.

1.2. Методы определения кислорода и углерода в кремнии.

1.2.1. Высокотемпературная вакуумная экстракция.

1.2.2. Метод рентгеновской дифракции.

1.2.3. Активационный анализ

1.2.4. Определение содержания кислорода по сопротивлению растекания.

1.2.5. Исследование методом ЭПР с использованием диффузии Li.

1.2.6. Масс-спекгрометрия вторичных ионов.

1.2.7. Времяпролетная лазерная масс-спектрометрия на TJIMP.

1.2.8. Абсорбционная ИК-спектроскопия.

1.3. Задачи исследования.

ГЛАВА 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОБОРУДОВАНИЕ И

АНАЛИТИЧЕСКИЕ МЕТОДИКИ.

2.1. Технология получения высокочистого изотопно обогащенного кремния.

2.2. Характеристика исследованных образцов. 40 2.3 ИК-спектрометры для регистрации спектров пропускания кремния. 41 2.3.1 Фурье-спектрометр IFS-113v (Bruker) с приставкой для измерений при температурах 16−300К.

2.3.2. Оптическая система ИК- Фурье спектрометра IRPrestige-21 (Shimadzu). 47 2.4. ИК -спектроскопические методики определения примесей кислорода и углерода в природном монокристаллическом кремнии.

2.4.1. Абсолютный и дифференциальный способы определения примесей по спектрам ИК пропускания.

2.4.2. Характерный ИК спектр монокристаллического природного кремния.

2.4.3. Проверка правильности используемых ИК-спектроскопических методик.

Выбор образца сравнения

2.4.4. Определение градуировочного коэффициента для примеси кислорода при Т=16К.

2.4.5. Погрешность измерений.

ГЛАВА 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА В КРЕМНИИ, ОБОГАЩЕННОМ ИЗОТОПАМИ 28Si, 29Si И 30Si.

3.1. Изучение влияния изотопного обогащения на фононный и примесный спектр кремния.

3.2. Основные параметры полос поглощения кислорода и углерода в изотопно обогащенном кремнии.

3.2.1. ИК- спектр примеси углерода в изотопно обогащенном кремнии.

3.2.2. ИК- спектр примеси кислорода в изотопно обогащенном кремнии.

3.3. Влияние температуры на спектры поглощения примесей в кремнии-28. Определение градуировочного коэффициента для линии

1136 см"1 в 28Si при Т=16К.

3.4. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ КИСЛОРОДА И УГЛЕРОДА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ МЕТОДОМ ИК- СПЕКТРОСКОПИИ.

4.1. Характеристика образцов поликристаллического кремния.

Условия экспериментов.

4.2. Вид спектров поглощения образцов поликристаллического кремния различного происхождения.

4.3. Определение градуировочного коэффициента для линии углерода

1205 см'1.

4.4. Сопоставительное исследование содержания примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии.

4.5. Исследование поликристаллических образцов с низким содержанием примесей С и О.

4.6. Влияние высокотемпературной термической обработки поликристаллических образцов на результаты анализа.

4.7. Обсуждение результатов.

5. ВЫВОДЫ.

Актуальность.

Высокочистый кремний широко применяется в различных областях электронной промышленности и одновременно является объектом новейших технологических разработок и фундаментальных исследований [1,2]. Газообразующие примеси, такие как кислород и углерод, существенно влияют на его свойства, поэтому контроль их содержания в кремнии всегда остается актуальным.

Несмотря на то, что обе примеси не являются электроактивными, информация о форме их нахождения и концентрации очень важна как для организации контролируемого роста кристаллов кремния, так и с точки зрения применения кремния для изготовления полупроводниковых структур [2,3,4]. Кроме того, даже в высокочистых кристаллах кремния присутствующие на уровне 3−1015см" 3 примеси кислорода и углерода также вызывают определенное искажение кристаллической решетки, что может быть существенным при прецизионных измерениях ее параметров [5].

Наиболее часто используемым методом исследования состояния и определения содержания примесей кислорода и углерода в кремнии является ИКспектроскопия. Его преимуществом является то, что он бесконтактный, неразрушающий и работает в достаточно широком диапазоне концентраций. Особенности полос поглощения кислорода и углерода в кремнии при различных температурах и различных концентрациях примесей подробно обсуждаются в литературе (см., например, обзоры [6,7]). На основе этих данных были разработаны стандарты ИК спектроскопического определения примесей кислорода и углерода в кремнии природного изотопного состава [8,9,10] .

В последние годы возник большой интерес к изотопно-чистым модификациям кремния [11,12]. При создании технологии получения таких материалов необходим контроль над поведением примесей кислорода и углерода. В тоже время сложности, возникающие при применении стандартных ИК спектроскопических методик определения этих примесей в изотопно обогащенном кремнии, связаны с тем, что при переходе к изотопно-чистым модификациям кремния, вследствие изменения параметров решетки и фононного спектра происходят изменения спектральных характеристик полос поглощения кислорода и углерода. Поэтому для применения метода ИК спектроскопии к исследованию изотопно обогащенного кремния требуются дополнительные исследования спектров поглощения примесей кислорода и углерода.

При анализе монокристаллических образцов в основном используется метод абсорбционной ИК спектроскопии. Это связано с тем, что хорошо изучены условия получения монокристаллов, при которых примеси С и О находятся в положении замещения и внедрения соответственно, и известны условия термообработки приводящие эти примеси в оптически активное состояние [13,14]. Развитие в технологии получения высокочистого обогащенного изотопами.

Si, iVSi и Si поликристаллического и монокристаллического кремния привело к необходимости разработки высокоточных методов, обеспечивающих контроль его примесного состава. Одним из таких методов явился метод ИКС. Данные по применению метода ИКС при анализе поликристаллического кремния немногочисленны [8,105,106], существует ряд проблем, связанных с многообразием форм нахождения С и О в поликристаллическом кремнии, полученном по различным технологиям. В тоже время контроль за поведением примесей О и С в поликристаллическом изотопно обогащенном кремнии, так и в кремнии природного изотопного состава, также крайне важен.

Из вышеизложенного следует, что развитие метода ИК спектроскопии для исследования примесей кислорода и углерода в кремнии, в т. ч. в изотопно обогащенном и поликристаллическом является актуальной задачей.

Целью работы было исследование форм нахождения примесей кислорода и углерода, развитие ИКспектроскопических методик их количественного определения в образцах высокочистого полии монокристаллического кремния природного изотопного состава и.

28 29 30 обогащенного изотопами Si, Si и Si. Для этого было необходимо решить следующие задачи:

— определить спектральные характеристики фононного спектра и линий поглощения С и О в спектрах всех изотопных разновидностей кремния в сравнении с кремнием природного изотопного состава;

— изучить формы нахождения и возможности количественного определения кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИКС;

— разработать методики ИК спектроскопического определения содержания углерода и кислорода в кремнии различных изотопных разновидностей с пределами обнаружения на уровне п- 1015 см³;

— определить значения градуировочных коэффициентов для определения примесей О и С в кремнии 28Si и кремнии природного изотопного состава.

Научная новизна.

— Определены частоты полос поглощения фононов в образцах.

28 • монокристаллического кремния, обогащенного изотопами Si (обогащение 99,994%), 29Si и 30Si (с обогащением 99,86 и 99,74% соответственно).

— Впервые измерены спектры ИК-поглощения примесей О и С в образцах монокристаллического кремния, обогащенного изотопами «.

Si, «Si и.

30Si и установлены положение и форма полос поглощения этих примесей.

Установлены формы нахождения примесей О и С в монокристаллическом изотопно обогащенном кремнии и в поликристаллическом кремнии природного изотопного состава, полученного различными способами происхождения.

— Определено содержание примесей О и С в наиболее чистых образцах кремния, обогащенного изотопом 28Si.

Практическая ценность.

Разработаны методики определения примесей О и С в монокристаллическом кремнии, обогащенном изотопами 28Si, 29Si и 30Si с пределами обнаружения до 5'1015 см" 3 для примеси углерода и до 2 '10м см" 3 для примеси кислорода.

Разработаны методики определения С и О в образцах поликристаллического кремния, полученного при охлаждении расплава и.

15 3 осаждением из силана, с пределами обнаружения' примеси углерода 5−10 см", кислорода — 8* 1015 см" 3. Применение данных методик позволило контролировать содержание примесей углерода и кислорода при разработке технологии получения высокочистого изотопно обогащенного кремния.

Диссертационные исследования проводили в рамках программы фундаментальных исследований ПРАН «Разработка методов получения химических веществ и создание новых материалов» (проект: «Получение монокристаллов высокочистого моноизотопного кремния и исследование его оптических и теплофизических свойств») и программы ОХНМ РАН «Создание эффективных методов химического анализа и исследования структуры веществ и материалов» (проект: «Разработка методов анализа твердых высокочистых простых веществ и материалов сложного состава в интервале концентраций 10» 8 — 100% «), а также в соответствии с проектами Международного научно-технического Центра № 1354 «Разработка методов получения и изучение свойств изотопно-чистых полупроводниковых материалов для использования в современных технологиях» и № 2630 «Оптимизация опытной технологии получения высокообогащенных изотопов кремния для выращивания кристаллов полупроводникового качества», и в рамках международного проекта «Авогадро» .

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Результаты определения спектроскопических параметров фононного спектра, линий поглощения кислорода и углерода в изотопно обогащенном кремнии.

2. Методика определения содержания примесей О и С в изотопно обогащенном кремнии.

3. Методика определения содержания примесей углерода и кислорода и изучение форм их нахождения в образцах поликристаллического кремния, полученного различными методами.

Апробация работы и публикации.

Результаты работы докладывались и обсуждались на II Международном совещании «Моноизотопный Si -2003» (Нижний Новгород, 2003), III Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на его основе (Москва, 2003), XII и XIII конференциях «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение.» (Нижний Новгород, 2004, 2007), IV Научной школе для молодых ученых «Высокочистые моноизотопные вещества» Нижний Новгород 2006 год, городском семинаре по химии высокочистых веществ (2006), опубликованы в работах [113−123].

Структура и объем работы Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы (129 наименований) и содержит 36 рисунков и 20 таблиц. Первая глава представляет собой литературный обзор о свойствах и формах нахождения примесей кислорода и углерода и методах их определения в кремнии. Вторая глава посвящена характеристике исследуемых образцов кремния, описанию спектральной и криогенной аппаратуры, экспериментальных методик спектральных и аналитических измерений. В третьей главе приводятся результаты исследования ИК-спектров собственного поглощения кристаллической решетки, а также примесей кислорода и углерода и методики.

5. ВЫВОДЫ.

1. В области 550 — 2000 см" 1 впервые изучены ИК спектры кремния.

ЛЛ обогащенного изотопами Si (с обогащением 99,994%), «Si и Si (с содержанием < основного изотопа 99,86% и 99,74% соответственно). Определено положение полос поглощения фононов в изотопно обогащенном о 29 • 30 кремнии «Si и Si. Разработаны методики ИК спектроскопического определения содержания углерода в положении замещения и кислорода в положении внедрения в монокристаллическом кремнии различных изотопных.

28 разновидностей. Наиболее низкие пределы обнаружения достигнуты для Si и.

1 1П15 «3 О 1Л14 «3 составили для углерода Г10 см и для кислорода 2' 10 см >.

2. Определены спектральные характеристики полосы SiС в области 605 см" 1, соответствующей углероду в форме замещения в спектрах монокристаллического кремния, обогащенного изотопами.

Si, «Si и Si.

Измерены ее изотопические сдвиги для 29Si и 30Si по отношению к 28Si, составляющие 1,9±0,1 см" 1 и 4,8±0,1 см" 1 при Т=300К, и 2,1±0,1 см" 1 и 3,9±0,1 см" 1 при Т=16К.

3. Определены спектральные характеристики полосы поглощения.

Si-160-Si в области 1136 см" 1, соответствующей кислороду в форме внедрения при Т=16К.

ЛО ЛЛ в спектрах монокристаллического кремния, обогащенного изотопами.

Si, «Si и Si. Изотопический сдвиг составляет 3,8 см» при переходе от Si к «Si и 7,4.

1 28 • 30 • см" при переходе от Si к Si. При Т=ЗООК аналогичный изотопический сдвиг полосы при 1107 см" 1 составляет 3,9 см" 1 и 7,8 см" 1. В спектрах изотопных разновидностей кремния обнаружена серия слабоинтенсивных линий, соответствующих колебанию связи Si-160-Si. Выявлена природа линии поглощения кислорода при 1748 см" 1.

4. Определены градуировочные коэффициенты для линий кислорода 1136 см ' при Т=16К и углерода 1205 см 1 при Т=300К, равные (1,21±0,15) — 1016 см «и.

19 -2.

1,95±-0,48)Т0 см соответственно. Установлено, что градуировочные коэффициенты для кислорода в кремнии, обогащенном изотопом Si и в кремнии природного состава, совпадают в пределах погрешности. Использование линии 1205 см'1 для углерода позволило расширить диапазон определяемых содержаний до 1018 см" 3 в полии монокристаллическом кремнии.

5. Установлено, что в поликристаллических образцах, полученных кристаллизацией из расплава, кислород находится в основном в междоузельном.

18 3 положении, а углерод в положении замещения до концентраций ~10 см", а в образцах полученных осаждением из силана до n-10 см". Разработаны методики определения содержания кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии. Предел обнаружения примеси кислорода составил 8−1015 см" 3, примеси углерода 5−1015см" 3.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Cardona, М. L. W. Thewalt. Isotope effects on the optical spectra of semiconductors // Reviews of modern physics. 2005. V. 77. N.4. P. l 173−1224.
  2. Э.С. Фалькевич, Э. О. Пульнер, И. Ф. Червонный. «Технология полупроводникового кремния». Москва: Металлургия, 1992. 408 с.
  3. Г. Г. Девятых, Ю. А. Карпов, Л. И. Осипова. «Выставка-коллекция веществ особой чистоты». М.: Наука. 2003. 236 с.
  4. H.Foll, В.О. Kolbesen, Н. Huff and Е. Sirte. Semiconductor Silicon// The Electrochemical Society Softbound Proceedings Series. Princeton, NJ 1977. P.565.
  5. P. Becker, H. Bettin, L. Kolnders, J. Martin, A. Nicolaus, S. Rottger. The silicon path to the kilogram // PTB-Mitteilungen. 1996. V.106. P. 321.
  6. Fumio Shimura. «Oxygen in Silicon» New York: Academic Press Inc., 1994. Vol.42. 680 p.
  7. B.O. Kolbesen, T. Kladenovic. Determination of carbon in silicon by infrared absorption spectroscopy a comparison of room and low temperature measurement// Kristal und Technic. 1980. V 15. No 1. K1-K3.
  8. DIN 50 438. Part 1, pp. 809, (Testing of Materials for Semiconductor Technology Determination of Impurity Content in Semiconductors by Infrared Absorption Oxygen in Silicon), 1993.
  9. ASTM F 1391−93, pp. 515, (Standard Test Method for Substitutional Atomic Carbon Content of Silicon by Infrared Absorption).
  10. ASTM F 1188−93a, pp. 438, (Standard Test Method for Interstitial Atomic Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption).
  11. E.E. Haller. Isotopically enjeneered semiconductors. // Appl. Phys. 1995. V.77. N.7. P.2857.
  12. E.E. Haller. Isotopically controlled semiconductors. // Solid State Communications. 2005. V.133. P.693−707.
  13. B.C. Вавилов, В. Ф. Киселев, Б. Н. Мукашев. «Дефекты в кремнии и на его поверхности». Москва: Наука. 1990. 216 с.
  14. M. Porrini, I. Crossmann, M.G. Pretto, R. Scala, R.Wolf. Improved Measurement of Carbon in Poly- and CZ Crystal Silicon by Means jf Low Temperature FTIR.// Solid State Phenomena. 2005. V.108−109. P.591−596.
  15. W. Kaizer, P.H. Keck, C.R. Lange Infrared Absorption and Oxygen Content in Silicon and Germanium//Phys. Rev. 1956. V.101. № 4. P.1264−1268.
  16. H.J. Hrostovski, R.H.Kaiser. Infrared Absorption of Oxygen in Silicon // Phys. Rev. 1957. V107. № 4. P.966−971.
  17. R.C. Newman, R.S. Smith. Vibrational absorption of carbon and carbon-oxygen complexes in silicon //J. Phys.Chem. Sol. 1969. V.30. P.1493−1505.
  18. D.R.Bosomworth, W. Hays, A. R.L. Spray. G. D. Watkins et. al. Absorption of Oxygen in Silicon in the Near and the Far Infrared // Proc. Roy. Soc. 1970. V. A317. P.133−152.
  19. R.C. Newman. «Infrared Studies of Crystal Defects». London: Taylor and Fransis, 1973.
  20. В. Волькенштейн, М. Я. Ельяшевич, Б. И. Степанов. «Колебания молекулы». T. I и II. М.: Гостехиздат. 1949.
  21. Т. Лаппо, В. Д. Ткачев. // ФТП. 1970. Т.4. № 3 С. 502−506.
  22. B.Pajot, E. Artacho, С.А. Ammerlaan and J-M Spaeth. Interstitial О isotope effects in silicon // J. Phys.:Condens. Matter. 1995. V.7. N.35. P. 7077−7085.
  23. K.Pyoo, H. Kim, J.S. Koh et. al. Fine structure of oxygen absorption bands in Si at low temperature // J. Appl. Phys. 1992. V.72. N.ll. P.5393−5396.
  24. J. Kato, K.M. Itoh, H. Yamada- Kaneta, H.-J. Pohl. Host isotope effect on the• 9 Я OQПlocalized vibrational modes of oxygen in isotopically enriched Si, Si and Si single crystals // Physical Review B. 2003. V.68. 35 205.
  25. H. Yamada-Kaneta. Vibrational energy levels of oxygen in silicon up to one-A2u-phonon plus one-Ajg-phonon states.// Physica B. 2001. V.172. P.302−303.
  26. J.C. Mikkelson. // MRC Symp.Proc. Ed. J.C. Mikkelson, S.J. Pearton, J.W. Corbett e.a. // Pittsburg, Pennsylvania, 1986, P.19−30.
  27. J. C.Mikkelsen. Diffusity of Oxygen in Silicon During Steam Oxidation // Appl.Phys. Lett. 1982. V.40, N 4. P. 336−337.
  28. J.Gass, H. H. Muller, Н. Stussi, S. Schweitzer Oxygen Diffusion in Silicon and the influence of Different Dopants // J. Appl. Phys. 1980. V.51. N 4. P. 2030−2037.
  29. Y. Takano, M Maki. Diffusion of Oxygen in Silicon // in: Semiconductor Silicon 1973, edited by H.R.Huff and R.R.Burgess (Electrochemical Society, Pennington, 1973) P. 469−477.
  30. A. Bagydadi, W.M. Bullis e.a. Interlaboratory determination of the Calibration factor for measurement of the interstitial oxygen content of silicon by infrared absorption// J. Electrochemical Society. 1989. V.136. N7. P. 2015−2024.
  31. Lee S.-Tong, Nichols D. Diffusivity and Diffusion Mechanism of Oxygen in Silicon // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1986. V.59. P. 31−37.
  32. R.C. Newman. Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. N.25−26. R335-R365.
  33. А.М.Полянский. «Обзоры по электротехнике». 1981. Сер.6. Вып. 9.-М.: ЦНИИ «Электроника».
  34. Г. Г. Мильвидский, В. Б. Освенский. «Структурные дефекты в полупроводниках». М.: Металлургия, 1986. 256 с.
  35. J.R. Patel. Computer-simulation methods in X-ray topography// Acta Cryst. 1979. A35. P. 21−28
  36. M. А. Ильин, В. Я. Коварский, А. Ф. Орлов. Определение содержания кислорода и углерода в кремнии оптическим методом.// Заводская лаборатория. 1984. Т.50. N 1. С. 24.
  37. В. Pivac. A determination of the oxygen concentration in SILSO poly-Si. // J. Phys. D: Appl.Phys. 1988. V.21. P.1241.
  38. Wen Lin. The Incorporation of oxygen into silicon crystals //Semiconductors and semimetals ed. F. Shimura New York 199. Vol. 42. P. 9−53.
  39. B.O.Kolbesen, A. Muhbauer. Carbon in silicon: properties and impact on devices // Sol. Stat. Electr. 1982. V.15. P.759−775.
  40. K.L. Benton, A.S. Oats, F.M. Livingston. Self-interstitials and thermal donor formation in silicon: new measurements and a model for the defects // J. Phys. C. 1983. V.16. P.1667−1670.
  41. А. Марадудин. «Дефекты и колебательный спектр кристаллов». М.: Мир. 1968. 432 с.
  42. Xiao Yan Zhu, Seung Mi Lee, Jae Yon Kim, Young HeeLee, Dong-ChulChung and Thomas Frauenheim. Structural and vibrational properties of carbon impurities in crystalline silicon // Semicond. Sci. Technol. 2001. V.16. P. 41—49.
  43. J.L. Mc Afee, S.K. Estreicher Structural and vibrational properties of Cs and {Cs, H, H} complexes in Si // Physica B. 2003. V.340−342. P. 637−640.
  44. Gordon Davies, Shusaku Hayama, Shiqiang Hao, Jose Coutinho, S.K.Estreicher, M. Sanati and Kohei M. Itoh. Lattice isotope effects on the widths of optical transitions in silicon // J. Phys.: Condens. Matter. 2005. V.17. N. 22. S2211-S2217.
  45. K.Hoshikawa, H. Kouda, K. Ikuta. // Jap. J Appl. Phys. 1981. V.20 Suppl. 20−1.
  46. N. Inoue, T. Arai et. al. High reliability infrared measurements of oxygen and carbon in silicon // Emerging Semiconductor Technology, ASTM STP 960, D.C. Gupta and P.H. Langer, eds, ASTM. 1987. pp. 365−377
  47. K. Graff, E. Grallath, S. Ades et.al. Bestimmung von parts per billion sauerstoff in silizium durch eichung der IR-absorption bei 77°K // Sol. St. Electr. 1973. V.16. N.8. P. 887−893.
  48. Sugita Y., Kawata H., Nakamichi S., Okabe Т., Watanabe Т., Yoshikawa S., Iton Y., Nozaki T. Measurement of the Out-Diffusion Profile of Oxygen in Silicon // Jap. J. Appl. Phys. 1986. V. 25. N.10. P. L859-L861.
  49. К.Вандерстеле. «Активационный анализ с использованием заряженных частиц». М.: Мир. 1991. 208 с. 50. «Аналитическая химия. Проблемы и подходы». Под ред. акад. Ю. А. Золотова. Т.2. М.: Мир. 2004. С. 92.
  50. Y. Yatsurugi, N. Akiyama, Y. Endo, Т. Nosaki. Concentration Solubility and Equilibrium Distribution Coefficient of Nitrogen and Oxygen in Semiconductor Silicon //J. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. N. 7. P. 975−979.
  51. C. Gross, G. Gaetano, T. N. Tucker, J. A. Baker. Comparison of Infrared and Activation Analysis results in Determining the Oxygen and Carbon Content in Silicon //J. Electrochem. Soc. 1972. V.119. N. 7. P. 926−929.
  52. B.Pajot. Spectroscopic measurements of residual impurities in silicon and application to the measurement of local lattice distortion // Metrologia. 1994. V.31. P. 263−267.
  53. Fukuda Т., A. Ohsawa. Mechanical strength of Czochralski silicon crystals withi с иcarbon concentrations at and below 10 cm // J. Appl. Phys. 1993. V.73. P.112−117.
  54. B.M. Бабич, Н. И. Блецкан, Е. Ф. Венгер. «Кислород в монокристаллах кремния» Киев: Интерпресс ЛТД. 1997. 240 с.
  55. В. Л. Винецкий, Ю. В. Данковский, В. Н. Мордкович, Г. А. Холодарь. Образование кислород-кремниевых комплексов при термообработке кремния // Вестник Киевского университета. Сер. Физика. 1977. Вып. 18. С. 118−124.
  56. М. И. Иглицын, Г. П. Кекелидзе, Г. В. Лазарева. Определение содержания кислорода в кремнии методом диффузии лития // ФТП. 1964. Т. 6. Вып. 10. С. 3148−3150.
  57. Jr. J. С. Mikkelsen. The Metallurgy of Oxygen in Silicon // J. Metals. 1985. V.37. N. 5. P. 51−54.
  58. D. Briggs, A. Brown, J.C. Vickerman. // Handbook of Static Secondary Low Mass Spectrometry. Chichester: Willy. 1989.
  59. E. Niehuis, P.N.T Van Valzen, J. Lub, T. Heller, A. Benninghoven. High mass resolution time-of-flight secondary ion mass spectrometry. Application to peak assignments // Surf. Interface Anal. 1989. No.14. P.135.
  60. H. Van der Wei, J. Lub, P.N.T. Van Velsen, A. Bennighoven. Surface and interface analysis // Mikrochim. Acta. 1990. V.2. P. 3.
  61. M. Grasserbauer and G. Stingeder. Secondary ion mass spectrometry (SIMS) of silicon // Vacuum. 1989. V.39. P. 1077−1087.
  62. В. Черняков, Л. П. Шпак, В. И. Белоусов. Возможности лазерного масс-спектрометра ЭМАЛ-2 при определении газообразующих примесей // Высокочистые вещества. 1987. JV°2. С.168−171.
  63. И.Д. Ковалев, К. Н. Малышев, П. А. Шмонин. Тандемный лазерный масс-рефлектрон для определения газообразующих примесей в твердых веществах устройство и принцип работы. //ЖАХ. 1998. Т.53. N1. С. 38.
  64. В. В. Безруков, И. Д. Ковалев, К. Н. Малышев, Д. К. Овчинников. Определение водорода углерода и кислорода в халысогенидных стеклах на тандемном лазерном масс- рефлектроне. //ЖАХ. 2002. Т.57. N4. С. 723.
  65. W.M. Bullis. Oxygen concentration measurement //"Semiconductors and semimetals" ed. F. Shimura New York. 1994. Vol. 42. P.136.
  66. W. Kaiser, P.H. Keck and C.F. Lange. Infrared absorption and oxygen content in silicon and germanium // Phys. Rev. 1956. V.101. N.4. P.126.
  67. D. R. Bosomworth, W. Hayes, A.R.L. Spray and G.D. Watkins. Absorption of oxygen in silicon in the near and far infrared. // Proc. Roy. Soc. London. Ser. A. 1970. V.317. P.133−152.
  68. R.C. Newman and J. B. Willis. Vibrational absorption of carbon in silicon // J. Phys. Chem. Solids. 1965. V. 26. P.371−379.
  69. B. Pajot. Characterization of oxygen in silicon by infrared absorption. // Analusis. 1977. V.5. N7. P.293.
  70. D. Warren Vidrine. Room temperature carbon and oxygen determination in single-crystal silicon // Anal. Chem. 1980. V52. P.52−96.
  71. P. Wagner. Infrared absorption of interstitial oxygen in silicon at low temperature. //Appl. Phys. 1991. V. A 53. P.20−25.
  72. E. Simoen, R Loo, C. Claeys, O. De Gryse et. al. Optical spectroscopy of oxygen precipitates in heavily doped p-type silicon // J. Phys.rCondens. Matter. 2002. V.14. P.13 185−13 193.
  73. R.C. Newman. Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon. // J. Phys.: Condens. Matter. 2000. V.12. P.335−365.
  74. A. Sassella. Measurement of interstitial oxygen concentration in silicon below 1015 atoms/cm3// Appl. Phys. Letters. 2001.V.79. N.26. P.4339−4341.
  75. O. De Gryse and P. Clauws. Quantification of the low temperature infrared vibration modes from interstitial oxygen in silicon. // J. Appl. Phys. 2000. V87. N7 P.3294—3300.
  76. P. Дж. Белл. «Введение в фурье-спектроскопию». M.: 1975. 380 с.
  77. Г. Девятых, А. Д. Буланов, А. В. Гусев, П. Г. Сенников, A.M. Прохоров, Е. М. Дианов, Х.-Й. Поль. Получение высокочистого моноизотопного кремния-28 //Доклады РАН. 2001. Т.376. N4. С.492- 493.
  78. A.D. Bulanov, G.G. Devyatych, A.V. Gusev, P.G. Sennikov, H.-J.Pohl, H. Riemann, H. Schilling, P. Becker. The Highly Isotopic Enriched (99.9%), High-Pure 28Si Single Crystal // Cryst. Res. Technol. 2000. V.35. N9. P. 1023- 1025.
  79. B. Pajot. «Properties of Crystalline Silicon» // Ed. B.L. Weiss, EMIS Datareviews Series, 1998, No. 20, P.479.
  80. Г. Д. Бурдук, Б. H. Марков. «Основы метрологии"// М., Издательство стандартов, 1975, 336 с.
  81. О.Н.Годисов, А. К. Калитеевский, А. Ю. Сафронов, В. И. Королев, Б. Я. Бер и др. Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии// ФТП. 2002. Т. 36. Вып.12. С.1486−1488.
  82. А.Д. Буланов, А. В. Гусев. Высокочистые изотопные разновидности кремния 28, 29, 30 // Неорганические материалы. 2008. в печати.
  83. Г. Г., Дианов Е. М., Буланов А. Д., Трошин О. Ю., Балабанов В. В., Пряхин Д. А. Получение высокочистого моноизотопного силана: 28SiH4, 29SiH4,30SiH4. //ДАН. 2003. Т.391. № 5. С. 638.
  84. И.Д. Ковалев, A.M. Потапов и А. Д. Буланов. Измерение изотопного состава изотопно обогащенного кремния и его летучих соединений методом лазерной масс-спектрометрии // Масс-спектрометрия. 2004. Т.1. № 1. С. 37.
  85. М. Cardona. Semiconductots crystals with tailor-made isotopic composition, in Festkorperprobleme / Advanced in Solid State Physics, Ed. by R. Helbig, (Vieweg, Braunschweig / Wiesbaden). 1994. V. 34, P. 35−50
  86. T. Ruf, H.D. Fuchs und M. Cardona. Von federn und massen: physik isotopenreiner halbleiter // Phys. В 1.1996. V.52. N.ll. P. 1115−1120.
  87. Изотопы: свойства получение применение // Под ред. В. Ю. Баранова М.: ИздАт. 2000. 704 с.
  88. Дж. Поллард. Справочник по вычислительным методам статистики. Пер. с англ. B.C. Занодворова, // Под ред. Е. М. Четыркина. М., Финансы и статистика, 1982, 344 с.
  89. В. Pajot, H.J. Stain, B.V. Cales, С. Naud. Quantitative spectroscopy of interstitial oxygen in silicon // J. Electochem. Soc.:Solid-State and technology. 1985 V.132. No.12. P.3034.
  90. Г. Г. Девятых, А.Д. • Буланов, A.B. Гусев и др. Высокочистый монокристаллический моноизотопный кремний -28 для уточнения числа Авогадро.// ДАН. 2008. Т.421. № 1 С.61−64.
  91. P.Becer, D. Scheiel, H-J. Pohl. А.К. Kaliteevski, O.N. Godisov, M. F. Churbanov, A. V. Gusev, et.al. Large-scale production of highly enriched 28Si for the precie determination of the Avogadro constant. // Meas. Sci. Technol. 2006, V.17. P.1854−1870
  92. ОН. Годисов, А. К. Калитеевский, В. И. Королев, Б. Я. Бер, В. Ю. Давыдов и др. Получение изотопно-чистого поликристаллического кремния и исследование его свойств // ФТП. 2001. Т.35.В. 8. С. 913−915
  93. Ю. Ф., Витман Р. Ф., Лебедев А. А., Дремин А. Н. Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода в кремнии // ФТП. 1985. Т. 19. Вып. 6. С. 982−986.
  94. Stavola M., Patel J. R., Kimerling L. C., Freeland P. E. Diffusivity of Oxygen in Silicon at the Donor Formation Temperature // Appl. Phys. Lett. 1983. V.42. N 1. P.73−75.
  95. В.В.Емцев, T.B. Машовец. «Примеси и точечные дефекты в полупроводниках» // М. Радио и связь. 1981. 248 с.
  96. Д. Ю. Налуда, В. В. Емцев, П. Д. Кервалишвили, В. И. Петров, К. Шмальц. Влияние термообработки на перестройку кислородсодержащих дефектов в кремнии // ФТП. 1987. Т. 21. Вып. 7. С.1283−1288.
  97. A. Leroueille. Relationship Between Carbon and Oxygen Nucleation in Cz Silicon// Phys. Stat. Sol. (a). 1982. V.74. N 2. P. K159-K163.
  98. P. Wagner and J. Hage. Thermal double donors in silicon. // Appl. Phys. A 1989. V.49. P.123.
  99. R. C. Newman, M. J. Binns, W. P. Brown, F. M. Livingston, S. Messoloras, R. J. Stewart, J. G. Wilkes. Precipitation of Oxygen in Silicon: Kinetics, Solubility, Diffusivity and Particle Size // Physica B. 1983. V.116. N. l-3. P. 264−270.
  100. K.V. Ravi. The growth of EFG silicon ribbons. // J. Crystal Growth. 1979. V.39. P. 1−16.
  101. К. Рейви. «Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии». Москва: Мир. 1984. 475 с.
  102. Sridhar К. IYA. Production of ultra-high-purity polycrystalline silicon// J. of Crustal Growth. 1986. V.75. No.l. P.88.
  103. Jastrebski L., Zanzucchi P., Thebault D., Lagowski J. Method to Measure the Precipitated and Total Oxygen Concentration in Silicon // J. Electrochem. Soc. 1982. V.129. N.7. P.1638−1641.
  104. L. Hwang, J. Bucci, J.R. McCormik. Measurement of carbon concentration in polycrystalline silicon using FTIR // J. Elecrtochem. Soc. 1991. V.138. N.2. P.576.
  105. Sumino К. H.R. Huff, R.J. Kriegler and Y. Takkeishi. Semiconductor silicon //1981, Pennington: The Electrochem. Soc., p. 208
  106. M. Stavola and Snyder L.C. Defects in Silicon. // ed. Murray Bulis and L.S. Kimerling The Electrochem. Soc., 1983 p. 61
  107. Bean A. R., Newman R. C. The Solubility of Carbon in Pulled Silicon Crystals // J. Phys. Chem. Solids. l 971.V.32, N 6. P. 1211−1219.
  108. D. G. Mead, S. R. Lowry. Evaluation of Carbon and Oxygen Content of Silicon Wafers Using Infrared Absorption // Applied Spectroscopy. 1980. V.34. N.2. P.167−171.
  109. P.G. Sennikov, T.V. Kotereva, A.G. Kurganov, B.A. Andreev, H. Niemann ,
  110. D.Schiel, V.V. Emtsev, H.-J.Pohl. Spectroscopic parameters of LVM absorption bands of carbon and oxygen impurities in isotopic enriched silicon 28 Si, 29 Si and 30 Si. // ФТП. 2005. T.39. B.3. C.320−326.
  111. И.Д. Ковалев, Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Д. К. Овчинников Определение примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИК- спектроскопии. // ЖАХ 2008. Т.63. № 3. С.274−278.
  112. Девятых Г. Г, Иконников В. Б., Львов А. Ю., Михеев B.C., Прончатов А. Н. Изменение концентрации кислорода в расплаве кремния при его контакте с кварцевым стеклом.// Высокочистые вещества. 1993. № 1. С. 108.
  113. В. Pajot. Properties of Crystalline Silicon //ed. Weiss В L, EMIS Data reviews Series 1998. No. 20. P. 496.
  114. B.O. Kolbesen, «Semiconductor Silicon», Editors H. Huff and E. Sirte, // The Electrochemical Society Softbond Proceedings Series, Princeton, 1977. N.l. P.565.
  115. Corbett J. W., McDonald R. S., Watkins G. D. The Configuration and Diffusion isolated Oxygen in Silicon and Germanium // J. Phys. Chem. Solids. 1964. V.25. N. 8. P. 873.
  116. Н.И., Немчинова H.B., Красин B.A. Изучение макро и микроструктуры кремния. //Современные проблемы науки и образования. 2007. № 6. 4.3.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!